JPH097949A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JPH097949A JPH097949A JP7153620A JP15362095A JPH097949A JP H097949 A JPH097949 A JP H097949A JP 7153620 A JP7153620 A JP 7153620A JP 15362095 A JP15362095 A JP 15362095A JP H097949 A JPH097949 A JP H097949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- collimator
- target
- film forming
- sputtering film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コリメータ及びチャンバ内壁へのスパッタリ
ングされた物質の付着などをなくし、点検のための装置
の停止をなくすことができる半導体装置の製造を提供す
る。 【構成】 スパッタリング成膜チャンバ２４内部に配置
されるコリメータ２１を有するＲＦ電極３０と、このＲ
Ｆ電極３０に接続されるＲＦ電源２２と、前記スパッタ
リング成膜チャンバ２４内壁にはこのチャンバ２４とは
絶縁されたシールド板２１５を設ける。
ングされた物質の付着などをなくし、点検のための装置
の停止をなくすことができる半導体装置の製造を提供す
る。 【構成】 スパッタリング成膜チャンバ２４内部に配置
されるコリメータ２１を有するＲＦ電極３０と、このＲ
Ｆ電極３０に接続されるＲＦ電源２２と、前記スパッタ
リング成膜チャンバ２４内壁にはこのチャンバ２４とは
絶縁されたシールド板２１５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造に用
いるＤＣ或いはＲＦを用いたスパッタリング成膜装置又
は熱ＣＶＤ装置に関するものである。
いるＤＣ或いはＲＦを用いたスパッタリング成膜装置又
は熱ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリングによる成膜装置な
どの半導体素子の製造装置では、半導体素子のコンタク
ト、或いはスルーホールへの埋め込み特性を向上させる
ため、図３に示すように、ターゲットとシリコン基板と
の間にコリメータ１１と呼ばれている多孔のスリット板
１２が挿入されている。このコリメータ１１によりター
ゲットからスパッタリングされた物質の垂直成分を成膜
に利用しているため、コンタクト或いはスルーホールへ
の埋め込みが可能となる。なお、図３（ａ）はそのコリ
メータの平面図、図３（ｂ）はそのコリメータの側面図
である。
どの半導体素子の製造装置では、半導体素子のコンタク
ト、或いはスルーホールへの埋め込み特性を向上させる
ため、図３に示すように、ターゲットとシリコン基板と
の間にコリメータ１１と呼ばれている多孔のスリット板
１２が挿入されている。このコリメータ１１によりター
ゲットからスパッタリングされた物質の垂直成分を成膜
に利用しているため、コンタクト或いはスルーホールへ
の埋め込みが可能となる。なお、図３（ａ）はそのコリ
メータの平面図、図３（ｂ）はそのコリメータの側面図
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置ではターゲットからスパッタリングされた
物質の垂直成分以外は、コリメータに付着、堆積してし
まい、パーティクルの発生源となる。更に、チャンバ内
壁にもスパッタリングされた物質が付着し、パーティク
ルの発生源となる。
た従来の装置ではターゲットからスパッタリングされた
物質の垂直成分以外は、コリメータに付着、堆積してし
まい、パーティクルの発生源となる。更に、チャンバ内
壁にもスパッタリングされた物質が付着し、パーティク
ルの発生源となる。
【０００４】従って、定期的にチャンバを大気解放し、
コリメータの交換、並びにチャンバ内壁のクリーニング
を行わなくてはならず、そのために装置を停止しなくて
はならない。本発明は、上記問題点を除去し、コリメー
タ及びチャンバ内壁へのスパッタリングされた物質の付
着等をなくし、点検のための装置の停止を不要とするこ
とができる半導体装置の製造を提供することを目的とす
る。
コリメータの交換、並びにチャンバ内壁のクリーニング
を行わなくてはならず、そのために装置を停止しなくて
はならない。本発明は、上記問題点を除去し、コリメー
タ及びチャンバ内壁へのスパッタリングされた物質の付
着等をなくし、点検のための装置の停止を不要とするこ
とができる半導体装置の製造を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体素子の製造装置において、スパッタリング
成膜チャンバ内部に配置され、コリメータを有するＲＦ
電極と、このＲＦ電極に接続されるＲＦ電源と、前記ス
パッタリング成膜チャンバ内壁に、このチャンバとは絶
縁されたシールド板を設けるようにしたものである。
成するために、 （１）半導体素子の製造装置において、スパッタリング
成膜チャンバ内部に配置され、コリメータを有するＲＦ
電極と、このＲＦ電極に接続されるＲＦ電源と、前記ス
パッタリング成膜チャンバ内壁に、このチャンバとは絶
縁されたシールド板を設けるようにしたものである。
【０００６】（２）上記（１）記載の半導体素子の製造
装置において、ターゲットが前記スパッタリング成膜チ
ャンバと隔離できる構造を有し、前記スパッタリング成
膜チャンバにメタル系、絶縁膜系のエッチングが可能な
材料ガスを導入するようにしたものである。 （３）上記（１）記載の半導体素子の製造装置におい
て、ターゲットが前記スパッタリング成膜チャンバと隔
離可能な別個のターゲットチャンバを有し、このターゲ
ットチャンバは不活性ガスにより、大気圧解放及び真空
圧に到達させることが可能なガス系及び排気系を設ける
ようにしたものである。
装置において、ターゲットが前記スパッタリング成膜チ
ャンバと隔離できる構造を有し、前記スパッタリング成
膜チャンバにメタル系、絶縁膜系のエッチングが可能な
材料ガスを導入するようにしたものである。 （３）上記（１）記載の半導体素子の製造装置におい
て、ターゲットが前記スパッタリング成膜チャンバと隔
離可能な別個のターゲットチャンバを有し、このターゲ
ットチャンバは不活性ガスにより、大気圧解放及び真空
圧に到達させることが可能なガス系及び排気系を設ける
ようにしたものである。
【０００７】（４）上記（３）記載の半導体素子の製造
装置において、前記ターゲットチャンバは大気圧解放さ
せることにより、前記ターゲットの交換が可能であるよ
うにしたものである。 （５）半導体素子の製造装置において、熱ＣＶＤチャン
バ内部に配置されるＲＦ電極と、このＲＦ電極に接続さ
れるＲＦ電源と、前記熱ＣＶＤチャンバ内壁にはこのチ
ャンバとは絶縁されたシールド板を設けるようにしたも
のである。
装置において、前記ターゲットチャンバは大気圧解放さ
せることにより、前記ターゲットの交換が可能であるよ
うにしたものである。 （５）半導体素子の製造装置において、熱ＣＶＤチャン
バ内部に配置されるＲＦ電極と、このＲＦ電極に接続さ
れるＲＦ電源と、前記熱ＣＶＤチャンバ内壁にはこのチ
ャンバとは絶縁されたシールド板を設けるようにしたも
のである。
【０００８】
〔１〕本発明によれば、図１に示すように、ＲＦの電圧
の振幅ＶRFと周波数ｆとの関係は、ＲＦ供給電力Ｐとコ
リメータ（２１）を含めたインピーダンスＺを用いて、
ＶRF＝√（Ｐ・｜Ｚ｜）≒√（Ｐ／２πｃｆ）と表せ
る。ＣはＲＦ電源（２２）からコリメータ（２１）まで
の容量とコリメータ（２１）とＡｒプラズマ界面に生じ
るシース容量との直列和である。コリメータ（２１）に
生じる自己バイアスをＶｓ、Ａｒプラズマの電位をＶP
とすると、ＶS ＝２ＶP −ＶRF＜０と表される。
の振幅ＶRFと周波数ｆとの関係は、ＲＦ供給電力Ｐとコ
リメータ（２１）を含めたインピーダンスＺを用いて、
ＶRF＝√（Ｐ・｜Ｚ｜）≒√（Ｐ／２πｃｆ）と表せ
る。ＣはＲＦ電源（２２）からコリメータ（２１）まで
の容量とコリメータ（２１）とＡｒプラズマ界面に生じ
るシース容量との直列和である。コリメータ（２１）に
生じる自己バイアスをＶｓ、Ａｒプラズマの電位をＶP
とすると、ＶS ＝２ＶP −ＶRF＜０と表される。
【０００９】従って、ＲＦ供給電力が一定な場合、ＲＦ
周波数ｆの増加に伴い、コリメータ（２１）に生じる自
己バイアスは浅くなる。プラズマ電位は正であるため、
コリメータ（２１）に自己バイアスが印加されると、プ
ラズマとコリメータ（２１）の間に電位勾配が生じる。
スパッタリングで物質がＴｉであり、プラズマソースが
Ａｒである場合、電位勾配が２０Ｖ以上でスパッタリン
グがはじまる。
周波数ｆの増加に伴い、コリメータ（２１）に生じる自
己バイアスは浅くなる。プラズマ電位は正であるため、
コリメータ（２１）に自己バイアスが印加されると、プ
ラズマとコリメータ（２１）の間に電位勾配が生じる。
スパッタリングで物質がＴｉであり、プラズマソースが
Ａｒである場合、電位勾配が２０Ｖ以上でスパッタリン
グがはじまる。
【００１０】更に、コリメータ（２１）に付着、堆積し
た物質がＴｉである場合、電位勾配が２０Ｖ以上になる
ように低周波数のＲＦをＲＦ電源（２２）からコリメー
タ（２１）に印加させることでコリメータ（２１）に付
着、堆積したＴｉをスパッタリングさせることができ、
コリメータ（２１）をクリーニングさせることが可能と
なる。
た物質がＴｉである場合、電位勾配が２０Ｖ以上になる
ように低周波数のＲＦをＲＦ電源（２２）からコリメー
タ（２１）に印加させることでコリメータ（２１）に付
着、堆積したＴｉをスパッタリングさせることができ、
コリメータ（２１）をクリーニングさせることが可能と
なる。
【００１１】このときターゲット（２６）は接地されて
いるので、ターゲット（２６）表面付近の電位勾配は２
０Ｖ以下となり、ターゲット（２６）はスパッタリング
されない。コリメータ（２１）からスパッタリングされ
たＴｉは、シールド板（２１５）とシリコン基板（２１
０）上に付着するが、シールド板（２１５）はフローテ
ィング状態なので、コリメータ（２１）に生じる自己バ
イアスと同程度の負のバイアスが生じる。
いるので、ターゲット（２６）表面付近の電位勾配は２
０Ｖ以下となり、ターゲット（２６）はスパッタリング
されない。コリメータ（２１）からスパッタリングされ
たＴｉは、シールド板（２１５）とシリコン基板（２１
０）上に付着するが、シールド板（２１５）はフローテ
ィング状態なので、コリメータ（２１）に生じる自己バ
イアスと同程度の負のバイアスが生じる。
【００１２】このためシールド板に付着したＴｉは容易
にスパッタリングされ、コリメータ（２１）と同様にク
リーニングが可能となる。ダミーのシリコン基板（２１
０）上に付着したＴｉは除去する必要はなく、後で回収
すれば良い。プラズマ電位はプローブにより測定可能で
あるので、コリメータ（２１）とシールド板（２１５）
表面の電位勾配が２０Ｖ以上になるように、ＲＦ電源
（２２）のＲＦ周波数と供給電力を調整すれば良い。
にスパッタリングされ、コリメータ（２１）と同様にク
リーニングが可能となる。ダミーのシリコン基板（２１
０）上に付着したＴｉは除去する必要はなく、後で回収
すれば良い。プラズマ電位はプローブにより測定可能で
あるので、コリメータ（２１）とシールド板（２１５）
表面の電位勾配が２０Ｖ以上になるように、ＲＦ電源
（２２）のＲＦ周波数と供給電力を調整すれば良い。
【００１３】〔２〕また、図４に示すように、スパッタ
リング成膜チャンバ（４４）内にエッチングガスを導入
すれば発生したラジカルと、コリメータ（５５）に付着
した物質は、反応生成物を形成することが期待され、こ
の反応生成物は、ターボ分子ポンプ（４１０）とバック
ポンプ（４６）により、スパッタリング成膜チャンバ
（４４）から排気される。そのためコリメータ（５５）
に付着した物質は除去され、クリーニングが可能とな
る。
リング成膜チャンバ（４４）内にエッチングガスを導入
すれば発生したラジカルと、コリメータ（５５）に付着
した物質は、反応生成物を形成することが期待され、こ
の反応生成物は、ターボ分子ポンプ（４１０）とバック
ポンプ（４６）により、スパッタリング成膜チャンバ
（４４）から排気される。そのためコリメータ（５５）
に付着した物質は除去され、クリーニングが可能とな
る。
【００１４】また、コリメータ（５５）以外に付着した
物質も同様に反応生成物としてスパッタリング成膜チャ
ンバ（４４）から排気され、スパッタリング成膜チャン
バ（４４）内のクリーニングが可能となる。更に、排気
系にターボ分子ポンプ（４１０）を使用しているので、
反応に必要なガスをスパッタリング成膜チャンバ（４
４）内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能となり、効率良く
コリメータ（５５）とスパッタリング成膜チャンバ（４
４）内のクリーニングが可能となる。
物質も同様に反応生成物としてスパッタリング成膜チャ
ンバ（４４）から排気され、スパッタリング成膜チャン
バ（４４）内のクリーニングが可能となる。更に、排気
系にターボ分子ポンプ（４１０）を使用しているので、
反応に必要なガスをスパッタリング成膜チャンバ（４
４）内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能となり、効率良く
コリメータ（５５）とスパッタリング成膜チャンバ（４
４）内のクリーニングが可能となる。
【００１５】ターゲット（４１）はゲートバルブ（４
３）により遮蔽されているので腐食されない。さらにバ
ルブ（４５）を閉じ、バルブ（４７）を開け、ターゲッ
トチャンバ（４２）内に不活性ガスを導入し、そのター
ゲットチャンバ（４２）を大気圧にすることでターゲッ
ト（４１）をスパッタリング成膜チャンバ（４４）内を
大気圧にすることなく交換可能となる。以上よりスパッ
タリング成膜チャンバ（４４）内のメンテナンスが必要
なくなることが期待される。
３）により遮蔽されているので腐食されない。さらにバ
ルブ（４５）を閉じ、バルブ（４７）を開け、ターゲッ
トチャンバ（４２）内に不活性ガスを導入し、そのター
ゲットチャンバ（４２）を大気圧にすることでターゲッ
ト（４１）をスパッタリング成膜チャンバ（４４）内を
大気圧にすることなく交換可能となる。以上よりスパッ
タリング成膜チャンバ（４４）内のメンテナンスが必要
なくなることが期待される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
すスパッタリング装置の構成図である。この図に示すよ
うに、コリメータ２１にＲＦ電極３０を介して、１００
ｋＨｚ〜９９９ｋＨｚの可変ＲＦ電源２２が、マッチン
グ回路ボックス（整合器）２３を介して接続されてい
る。コリメータ２１のＲＦ電極３０とスパッタリング成
膜チャンバ２４との間に、例えばＡｌ2 Ｏ3 のような絶
縁物２５を入れておくことにより、コリメータ２１はス
パッタリング成膜チャンバ２４から絶縁しておく。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
すスパッタリング装置の構成図である。この図に示すよ
うに、コリメータ２１にＲＦ電極３０を介して、１００
ｋＨｚ〜９９９ｋＨｚの可変ＲＦ電源２２が、マッチン
グ回路ボックス（整合器）２３を介して接続されてい
る。コリメータ２１のＲＦ電極３０とスパッタリング成
膜チャンバ２４との間に、例えばＡｌ2 Ｏ3 のような絶
縁物２５を入れておくことにより、コリメータ２１はス
パッタリング成膜チャンバ２４から絶縁しておく。
【００１７】スパッタリング成膜チャンバ２４内には、
シールド板２１５を挿入しておき、スパッタリング成膜
チャンバ２４から絶縁しておく。ターゲット２６はスイ
ッチ２７を介して、従来のスパッタリング装置と同様に
ＤＣ電源２８に接続する。また、ターゲット２６はスイ
ッチ２９を介して接地可能となっている。シリコン基板
２１０はステージ２１３に固定され、電源・マッチング
回路２１２からスイッチ２１１を介して、従来のスパッ
タリング装置と同様に、ＤＣバイアス或いはＲＦバイア
スをシリコン基板２１０に印加できるようにする。更
に、スイッチ２１４を介してシリコン基板２１０を接地
できる構造にする。排気系は従来装置と同様、クライオ
ポンプとドライポンプを使用する。また、使用ガスは従
来スパッタリング装置に用いられている不活性ガス、例
えばＡｒガスを用いる。
シールド板２１５を挿入しておき、スパッタリング成膜
チャンバ２４から絶縁しておく。ターゲット２６はスイ
ッチ２７を介して、従来のスパッタリング装置と同様に
ＤＣ電源２８に接続する。また、ターゲット２６はスイ
ッチ２９を介して接地可能となっている。シリコン基板
２１０はステージ２１３に固定され、電源・マッチング
回路２１２からスイッチ２１１を介して、従来のスパッ
タリング装置と同様に、ＤＣバイアス或いはＲＦバイア
スをシリコン基板２１０に印加できるようにする。更
に、スイッチ２１４を介してシリコン基板２１０を接地
できる構造にする。排気系は従来装置と同様、クライオ
ポンプとドライポンプを使用する。また、使用ガスは従
来スパッタリング装置に用いられている不活性ガス、例
えばＡｒガスを用いる。
【００１８】以下、このスパッタリング装置の動作につ
いて説明する。まず、スイッチ２７をＯＦＦにし、スイ
ッチ２９をＯＮにする。ステージ２１３上にはダミーの
シリコン基板２１０を固定しておき、スイッチ２１１を
ＯＦＦにし、スイッチ２１４をＯＮにする。続いて、不
活性ガス、例えば、Ａｒガスをスパッタリング成膜チャ
ンバ２４内に導入する。Ａｒガス流量は、スパッタリン
グ成膜チャンバ２４内の圧力が数十ｍＴｏｒｒになるよ
うに調整する。
いて説明する。まず、スイッチ２７をＯＦＦにし、スイ
ッチ２９をＯＮにする。ステージ２１３上にはダミーの
シリコン基板２１０を固定しておき、スイッチ２１１を
ＯＦＦにし、スイッチ２１４をＯＮにする。続いて、不
活性ガス、例えば、Ａｒガスをスパッタリング成膜チャ
ンバ２４内に導入する。Ａｒガス流量は、スパッタリン
グ成膜チャンバ２４内の圧力が数十ｍＴｏｒｒになるよ
うに調整する。
【００１９】コリメータ２１に比較的低周波数、例えば
１３．５６ＭＨｚのＲＦをＲＦ電源２２により印加させ
る。このとき、ＲＦ電源２２への反射波を抑えるように
マッチング回路ボックス２３によりインピーダンスの調
整を行う。ＲＦ電源２２の供給電力を制御することによ
り、スパッタリング成膜チャンバ２４内に、Ａｒプラズ
マが発生し、コリメータ２１に自己バイアスを印加させ
る。このときコリメータ２１は絶縁物２５により絶縁さ
れているので、自己バイアスはコリメータ２１にのみ印
加する。
１３．５６ＭＨｚのＲＦをＲＦ電源２２により印加させ
る。このとき、ＲＦ電源２２への反射波を抑えるように
マッチング回路ボックス２３によりインピーダンスの調
整を行う。ＲＦ電源２２の供給電力を制御することによ
り、スパッタリング成膜チャンバ２４内に、Ａｒプラズ
マが発生し、コリメータ２１に自己バイアスを印加させ
る。このときコリメータ２１は絶縁物２５により絶縁さ
れているので、自己バイアスはコリメータ２１にのみ印
加する。
【００２０】そして、ＲＦの電圧の振幅ＶRFと周波数ｆ
との関係は、ＲＦ供給電力Ｐとコリメータ２１を含めた
インピーダンスＺを用いて、ＶRF＝√（Ｐ・｜Ｚ｜）≒
√（Ｐ／２πｃｆ）と表せる。ＣはＲＦ電源２２からコ
リメータ２１までの容量と、コリメータ２１とＡｒプラ
ズマ界面に生じるシース容量との直列和である。コリメ
ータ２１に生じる自己バイアスをＶS 、Ａｒプラズマの
電位をＶP とすると、ＶS ＝２ＶP −ＶRF＜０と表され
る。従って、ＲＦ供給電力が一定な場合、ＲＦ周波数ｆ
の増加に伴い、コリメータ２１に生じる自己バイアスは
浅くなる。
との関係は、ＲＦ供給電力Ｐとコリメータ２１を含めた
インピーダンスＺを用いて、ＶRF＝√（Ｐ・｜Ｚ｜）≒
√（Ｐ／２πｃｆ）と表せる。ＣはＲＦ電源２２からコ
リメータ２１までの容量と、コリメータ２１とＡｒプラ
ズマ界面に生じるシース容量との直列和である。コリメ
ータ２１に生じる自己バイアスをＶS 、Ａｒプラズマの
電位をＶP とすると、ＶS ＝２ＶP −ＶRF＜０と表され
る。従って、ＲＦ供給電力が一定な場合、ＲＦ周波数ｆ
の増加に伴い、コリメータ２１に生じる自己バイアスは
浅くなる。
【００２１】プラズマ電位は正であるため、コリメータ
２１に自己バイアスが印加されると、プラズマとコリメ
ータ２１の間に電位勾配が生じる。Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，
Ｐｔの各原素がスパッタリングしはじめるときの電位勾
配を図２に示す。スパッタリングで物質がＴｉである場
合、電位勾配が２０Ｖ以上でスパッタリングがはじま
る。従って、コリメータ２１に付着、堆積した物質がＴ
ｉである場合、電位勾配が２０Ｖ以上になるように低周
波数のＲＦをＲＦ電源２２からコリメータ２１に印加さ
せることでコリメータ２１に付着、堆積したＴｉをスパ
ッタリングさせることができ、コリメータ２１をクリー
ニングさせることが可能となる。
２１に自己バイアスが印加されると、プラズマとコリメ
ータ２１の間に電位勾配が生じる。Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，
Ｐｔの各原素がスパッタリングしはじめるときの電位勾
配を図２に示す。スパッタリングで物質がＴｉである場
合、電位勾配が２０Ｖ以上でスパッタリングがはじま
る。従って、コリメータ２１に付着、堆積した物質がＴ
ｉである場合、電位勾配が２０Ｖ以上になるように低周
波数のＲＦをＲＦ電源２２からコリメータ２１に印加さ
せることでコリメータ２１に付着、堆積したＴｉをスパ
ッタリングさせることができ、コリメータ２１をクリー
ニングさせることが可能となる。
【００２２】このときターゲット２６は接地されている
ので、ターゲット２６表面付近の電位勾配は２０Ｖ以下
となり、ターゲット２６はスパッタリングされない。コ
リメータ２１からスパッタリングされたＴｉはシールド
板２１５とシリコン基板２１０上に付着するが、シール
ド板２１５はフローティング状態なので、コリメータ２
１に生じる自己バイアスと同程度の負のバイアスが生じ
る。
ので、ターゲット２６表面付近の電位勾配は２０Ｖ以下
となり、ターゲット２６はスパッタリングされない。コ
リメータ２１からスパッタリングされたＴｉはシールド
板２１５とシリコン基板２１０上に付着するが、シール
ド板２１５はフローティング状態なので、コリメータ２
１に生じる自己バイアスと同程度の負のバイアスが生じ
る。
【００２３】このためシールド板２１５に付着したＴｉ
は容易にスパッタリングされ、コリメータ２１同様にク
リーニングが可能となる。ダミーのシリコン基板２１０
上に付着したＴｉは除去する必要はなく、後で回収すれ
ば良い。プラズマ電位はプローブにより測定可能である
ので、コリメータ２１とシールド板２１５表面の電位勾
配が２０Ｖ以上になるように、ＲＦ電源２２のＲＦ周波
数と供給電力を調整すれば良い。
は容易にスパッタリングされ、コリメータ２１同様にク
リーニングが可能となる。ダミーのシリコン基板２１０
上に付着したＴｉは除去する必要はなく、後で回収すれ
ば良い。プラズマ電位はプローブにより測定可能である
ので、コリメータ２１とシールド板２１５表面の電位勾
配が２０Ｖ以上になるように、ＲＦ電源２２のＲＦ周波
数と供給電力を調整すれば良い。
【００２４】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示すスパッタリング装
置の構成図である。なお、この実施例の特徴と関係ない
部分については省略されている。この図に示すように、
ターゲット４１は、スパッタリング成膜チャンバ４４と
は分離された別個のターゲットチャンバ４２に収納され
ている。このターゲットチャンバ４２はゲートバルブ４
３により、スパッタリング成膜チャンバ４４に接続さ
れ、取り外しを可能にしておく。
る。図４は本発明の第２実施例を示すスパッタリング装
置の構成図である。なお、この実施例の特徴と関係ない
部分については省略されている。この図に示すように、
ターゲット４１は、スパッタリング成膜チャンバ４４と
は分離された別個のターゲットチャンバ４２に収納され
ている。このターゲットチャンバ４２はゲートバルブ４
３により、スパッタリング成膜チャンバ４４に接続さ
れ、取り外しを可能にしておく。
【００２５】また、ターゲットチャンバ４２はバルブ４
５を介しバックポンプ４６に接続され、真空引きが可能
となっている。更に、ターゲットチャンバ４２はバルブ
４７を介して不活性ガス、例えばＡｒガスが流せ、大気
圧にすることが可能である。スパッタリング成膜チャン
バ４４はバルブ４８を介してバックポンプ４６に接続さ
れ、更に、水素やヘリウムのような軽元素を排気するこ
とが可能なターボ分子ポンプ４１０に接続され、真空引
きすることが可能である。
５を介しバックポンプ４６に接続され、真空引きが可能
となっている。更に、ターゲットチャンバ４２はバルブ
４７を介して不活性ガス、例えばＡｒガスが流せ、大気
圧にすることが可能である。スパッタリング成膜チャン
バ４４はバルブ４８を介してバックポンプ４６に接続さ
れ、更に、水素やヘリウムのような軽元素を排気するこ
とが可能なターボ分子ポンプ４１０に接続され、真空引
きすることが可能である。
【００２６】スパッタリング成膜チャンバ４４には、ス
パッタリングに必要な不活性ガスが流せる他、ハロゲン
系ガスを流せるようにしておく。スパッタリング成膜チ
ャンバチャンバ４４、ゲートバルブ４３及びコリメータ
５５には、ＳＵＳ３１６Ｌのようなステンレス材を使用
しておく。また、５１はスパッタリング成膜チャンバ４
４とは絶縁して設けられるシールド板、５２はＲＦ電
源、５３はマッチング回路ボックス（整合器）であり、
コリメータ５５のＲＦ電極５４に可変周波数のＲＦ電源
５２からマッチング回路ボックス（整合器）５３を介し
てＲＦを導入し、プラズマを発生させる。
パッタリングに必要な不活性ガスが流せる他、ハロゲン
系ガスを流せるようにしておく。スパッタリング成膜チ
ャンバチャンバ４４、ゲートバルブ４３及びコリメータ
５５には、ＳＵＳ３１６Ｌのようなステンレス材を使用
しておく。また、５１はスパッタリング成膜チャンバ４
４とは絶縁して設けられるシールド板、５２はＲＦ電
源、５３はマッチング回路ボックス（整合器）であり、
コリメータ５５のＲＦ電極５４に可変周波数のＲＦ電源
５２からマッチング回路ボックス（整合器）５３を介し
てＲＦを導入し、プラズマを発生させる。
【００２７】このように、スパッタリング成膜チャンバ
４４内壁には、スパッタリング成膜チャンバ４４から絶
縁されたシールド板５１を挿入しておけば、シールド板
５１表面には負の自己バイアスが印加され、クリーニン
グが可能となり、同時にコリメート５５もクリーニング
が可能となる。なお、４９はバルブである。以下、この
スパッタリング装置の動作について説明する。
４４内壁には、スパッタリング成膜チャンバ４４から絶
縁されたシールド板５１を挿入しておけば、シールド板
５１表面には負の自己バイアスが印加され、クリーニン
グが可能となり、同時にコリメート５５もクリーニング
が可能となる。なお、４９はバルブである。以下、この
スパッタリング装置の動作について説明する。
【００２８】まず、ゲートバルブ４３を閉じる。コリメ
ータ５５に付着した物質がＴｉであるならば、スパッタ
リング成膜チャンバ４４に流すハロゲン系のガスを、例
えばＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスとする。次に、コリメ
ータ５５にＲＦ電源５２を介してＲＦを印加させ、ＲＦ
の周波数及びコリメータ５５への供給電力を調整するこ
とにより、ＢＣｌ3 とＣｌ2 のラジカルを発生させる。
このとき、バルブ４８は閉じておき、スパッタリング成
膜チャンバ４４の排気にはターボ分子ポンプ４１０及び
バックポンプ４６を使用する。このときバルブ４５、バ
ルブ４７は閉じておく。
ータ５５に付着した物質がＴｉであるならば、スパッタ
リング成膜チャンバ４４に流すハロゲン系のガスを、例
えばＢＣｌ3 とＣｌ2 の混合ガスとする。次に、コリメ
ータ５５にＲＦ電源５２を介してＲＦを印加させ、ＲＦ
の周波数及びコリメータ５５への供給電力を調整するこ
とにより、ＢＣｌ3 とＣｌ2 のラジカルを発生させる。
このとき、バルブ４８は閉じておき、スパッタリング成
膜チャンバ４４の排気にはターボ分子ポンプ４１０及び
バックポンプ４６を使用する。このときバルブ４５、バ
ルブ４７は閉じておく。
【００２９】そして、スパッタリング成膜チャンバ４４
内に発生したラジカルとコリメータ５５に付着した物質
は、反応生成物を形成することができ、この反応生成物
は、ターボ分子ポンプ４１０とバックポンプ４６によ
り、スパッタリング成膜チャンバ４４から排気される。
そのためコリメータ５５に付着した物質は除去され、ク
リーニングが可能となる。またコリメータ５５以外に付
着した物質も、同様に反応生成物としてスパッタリング
成膜チャンバ４４から排気され、スパッタリング成膜チ
ャンバ４４内のクリーニングが可能となる。
内に発生したラジカルとコリメータ５５に付着した物質
は、反応生成物を形成することができ、この反応生成物
は、ターボ分子ポンプ４１０とバックポンプ４６によ
り、スパッタリング成膜チャンバ４４から排気される。
そのためコリメータ５５に付着した物質は除去され、ク
リーニングが可能となる。またコリメータ５５以外に付
着した物質も、同様に反応生成物としてスパッタリング
成膜チャンバ４４から排気され、スパッタリング成膜チ
ャンバ４４内のクリーニングが可能となる。
【００３０】更に、排気系にターボ分子ポンプ４１０を
使用しているので、反応に必要なガスをスパッタリング
成膜チャンバ４４内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能とな
り、効率良くコリメータ５５とスパッタリング成膜チャ
ンバ４４内のクリーニングが可能となる。また、ターゲ
ット４１はゲートバルブ４３により遮蔽されているので
腐食されない。
使用しているので、反応に必要なガスをスパッタリング
成膜チャンバ４４内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能とな
り、効率良くコリメータ５５とスパッタリング成膜チャ
ンバ４４内のクリーニングが可能となる。また、ターゲ
ット４１はゲートバルブ４３により遮蔽されているので
腐食されない。
【００３１】更に、バルブ４５を閉じ、バルブ４７を開
け、ターゲットチャンバ４２内に不活性ガスを導入し、
ターゲットチャンバ４２を大気圧にすることでターゲッ
ト４１をチャンバ４４内を大気圧にすることなく交換可
能となる。以上より、チャンバ４４内のメンテナンスが
必要なくなることが期待される。上記実施例では、直流
電圧のスパッタリング装置について説明したが、交流電
圧のスパッタリング装置にも適用可能である。
け、ターゲットチャンバ４２内に不活性ガスを導入し、
ターゲットチャンバ４２を大気圧にすることでターゲッ
ト４１をチャンバ４４内を大気圧にすることなく交換可
能となる。以上より、チャンバ４４内のメンテナンスが
必要なくなることが期待される。上記実施例では、直流
電圧のスパッタリング装置について説明したが、交流電
圧のスパッタリング装置にも適用可能である。
【００３２】図５は本発明の第３実施例を示すスパッタ
リング装置の構成図である。この図に示すように、コリ
メータ６４及びスパッタリング成膜チャンバ６６内のク
リーニングを行う際、ゲートバルブ６１を閉じ、ターゲ
ット６２をターゲットチャンバ６５に収納する。次に、
可変周波数のＲＦ電源６７からＲＦ電極６９を介して、
コリメータ６４にマッチング回路ボックス（整合器）６
８を介してＲＦを導入し、プラズマを発生させる。スパ
ッタリング成膜チャンバ６６内壁には、スパッタリング
成膜チャンバ６６から絶縁されたシールド板６３を挿入
しておけば、シールド板６３表面には負の自己バイアス
が印加され、クリーニングが可能となり、同時にコリメ
ータ６４もクリーニングが可能となる。
リング装置の構成図である。この図に示すように、コリ
メータ６４及びスパッタリング成膜チャンバ６６内のク
リーニングを行う際、ゲートバルブ６１を閉じ、ターゲ
ット６２をターゲットチャンバ６５に収納する。次に、
可変周波数のＲＦ電源６７からＲＦ電極６９を介して、
コリメータ６４にマッチング回路ボックス（整合器）６
８を介してＲＦを導入し、プラズマを発生させる。スパ
ッタリング成膜チャンバ６６内壁には、スパッタリング
成膜チャンバ６６から絶縁されたシールド板６３を挿入
しておけば、シールド板６３表面には負の自己バイアス
が印加され、クリーニングが可能となり、同時にコリメ
ータ６４もクリーニングが可能となる。
【００３３】なお、コリメータ６４をＲＦ電極６９のみ
に用いるならば、熱ＣＶＤ装置にも適用可能である。た
だし、スパッタリングによる成膜ではないので、ＲＦ電
極は、上記したような構造である必要はなく平板構造で
も良い。以下、その点について説明する。図６は本発明
の第４実施例を示すスパッタリング装置の構成図であ
る。
に用いるならば、熱ＣＶＤ装置にも適用可能である。た
だし、スパッタリングによる成膜ではないので、ＲＦ電
極は、上記したような構造である必要はなく平板構造で
も良い。以下、その点について説明する。図６は本発明
の第４実施例を示すスパッタリング装置の構成図であ
る。
【００３４】平板構造を持つＲＦ電極７１に可変周波数
のＲＦ電源７２からマッチング回路ボックス（整合器）
７３を介して比較的高い周波数、例えば２００ＭＨｚ程
度のＲＦを導入する。マッチング回路ボックス７３を調
整することで、熱ＣＶＤチャンバ７４内にプラズマを発
生させる。プラズマガスソースとして不活性ガス、例え
ばＡｒガスを用いる。熱ＣＶＤチャンバ７４内には、Ｒ
Ｆ電極７１及び熱ＣＶＤチャンバ７４から絶縁されたシ
ールド板７５を挿入しておけば、シールド板７５表面に
自己バイアスが印加され、クリーニングが可能となる。
熱ＣＶＤチャンバ７４内の排気に、図４に示した排気系
を用いるならば、プラズマガスソースとして不活性ガス
以外にハロゲン系ガスが利用できる。このハロゲン系プ
ラズマにより、チャンバ内に付着した成膜材料を、除去
することが可能となる。
のＲＦ電源７２からマッチング回路ボックス（整合器）
７３を介して比較的高い周波数、例えば２００ＭＨｚ程
度のＲＦを導入する。マッチング回路ボックス７３を調
整することで、熱ＣＶＤチャンバ７４内にプラズマを発
生させる。プラズマガスソースとして不活性ガス、例え
ばＡｒガスを用いる。熱ＣＶＤチャンバ７４内には、Ｒ
Ｆ電極７１及び熱ＣＶＤチャンバ７４から絶縁されたシ
ールド板７５を挿入しておけば、シールド板７５表面に
自己バイアスが印加され、クリーニングが可能となる。
熱ＣＶＤチャンバ７４内の排気に、図４に示した排気系
を用いるならば、プラズマガスソースとして不活性ガス
以外にハロゲン系ガスが利用できる。このハロゲン系プ
ラズマにより、チャンバ内に付着した成膜材料を、除去
することが可能となる。
【００３５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体素子の製造
装置において、スパッタリング成膜チャンバ内部に配置
され、コリメータを有するＲＦ電極と、このＲＦ電極に
接続されるＲＦ電源と、前記スパッタリング成膜チャン
バ内壁に、このチャンバとは絶縁されたシールド板を設
けるようにしたので、コリメータ及びチャンバ内壁への
スパッタリングされた物質の付着をなくし、点検のため
の装置の停止をなくすことができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体素子の製造
装置において、スパッタリング成膜チャンバ内部に配置
され、コリメータを有するＲＦ電極と、このＲＦ電極に
接続されるＲＦ電源と、前記スパッタリング成膜チャン
バ内壁に、このチャンバとは絶縁されたシールド板を設
けるようにしたので、コリメータ及びチャンバ内壁への
スパッタリングされた物質の付着をなくし、点検のため
の装置の停止をなくすことができる。
【００３７】（２）請求項２記載の発明によれば、ター
ゲットがスパッタリング成膜チャンバと隔離できる構造
を有し、前記スパッタリング成膜チャンバにメタル系、
絶縁膜系のエッチングが可能な材料ガスを導入するよう
にしたので、コリメータに付着した物質は除去され、ク
リーニングが可能となる。また、コリメータ以外に付着
した物質も同様に反応生成物としてスパッタリング成膜
チャンバから排気され、そのチャンバ内のクリーニング
が可能となる。
ゲットがスパッタリング成膜チャンバと隔離できる構造
を有し、前記スパッタリング成膜チャンバにメタル系、
絶縁膜系のエッチングが可能な材料ガスを導入するよう
にしたので、コリメータに付着した物質は除去され、ク
リーニングが可能となる。また、コリメータ以外に付着
した物質も同様に反応生成物としてスパッタリング成膜
チャンバから排気され、そのチャンバ内のクリーニング
が可能となる。
【００３８】（３）請求項３記載の発明によれば、ター
ゲットが前記スパッタリング成膜チャンバと隔離可能な
別個のターゲットチャンバを有し、このターゲットチャ
ンバは不活性ガスにより、大気圧解放及び真空圧に到達
させることが可能なガス系及び排気系を有するようにし
たので、上記（２）に加え、更に、排気系にターボ分子
ポンプを使用しているので、反応に必要なガスを前記チ
ャンバ内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能となり、効率良
くコリメータとそのチャンバ内のクリーニングが可能と
なる。
ゲットが前記スパッタリング成膜チャンバと隔離可能な
別個のターゲットチャンバを有し、このターゲットチャ
ンバは不活性ガスにより、大気圧解放及び真空圧に到達
させることが可能なガス系及び排気系を有するようにし
たので、上記（２）に加え、更に、排気系にターボ分子
ポンプを使用しているので、反応に必要なガスを前記チ
ャンバ内に数十ｓｃｃｍ流すことが可能となり、効率良
くコリメータとそのチャンバ内のクリーニングが可能と
なる。
【００３９】また、ターゲットはゲートバルブにより遮
蔽されているので腐食されない。更に、ターゲットチャ
ンバ内に不活性ガスを導入し、そのターゲットチャンバ
を大気圧にすることで、ターゲットをスパッタリング成
膜チャンバ内を大気圧にすることなく交換可能となる。 （４）請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の半
導体素子の製造装置によれば、前記ターゲットチャンバ
は大気解放させることにより、ターゲットの交換が可能
であるようにしたので、スパッタリング成膜チャンバ内
のメンテナンスが必要なくなる。
蔽されているので腐食されない。更に、ターゲットチャ
ンバ内に不活性ガスを導入し、そのターゲットチャンバ
を大気圧にすることで、ターゲットをスパッタリング成
膜チャンバ内を大気圧にすることなく交換可能となる。 （４）請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の半
導体素子の製造装置によれば、前記ターゲットチャンバ
は大気解放させることにより、ターゲットの交換が可能
であるようにしたので、スパッタリング成膜チャンバ内
のメンテナンスが必要なくなる。
【００４０】（５）請求項５記載の発明によれば、熱Ｃ
ＶＤチャンバ内部に配置されるＲＦ電極と、このＲＦ電
極に接続されるＲＦ電源と、前記熱ＣＶＤチャンバ内壁
には該チャンバとは絶縁されたシールド板を設けるよう
にしたので、プラズマガスソースとして不活性ガス、例
えばＡｒガスを用いる。チャンバ内には、ＲＦ電極及び
チャンバから絶縁されたシールド板を挿入しておけば、
シールド板表面に自己バイアスが印加され、クリーニン
グが可能となる。
ＶＤチャンバ内部に配置されるＲＦ電極と、このＲＦ電
極に接続されるＲＦ電源と、前記熱ＣＶＤチャンバ内壁
には該チャンバとは絶縁されたシールド板を設けるよう
にしたので、プラズマガスソースとして不活性ガス、例
えばＡｒガスを用いる。チャンバ内には、ＲＦ電極及び
チャンバから絶縁されたシールド板を挿入しておけば、
シールド板表面に自己バイアスが印加され、クリーニン
グが可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示すスパッタリング装置
の構成図である。
の構成図である。
【図２】Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｔの各原素がスパッタリ
ングしはじめるときの電位勾配を示す図である。
ングしはじめるときの電位勾配を示す図である。
【図３】コリメータの構成図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すスパッタリング装置
の構成図である。
の構成図である。
【図５】本発明の第３実施例を示すスパッタリング装置
の構成図である。
の構成図である。
【図６】本発明の第４実施例を示すスパッタリング装置
の構成図である。
の構成図である。
２１，５５，６４ コリメータ ２２，５２，６７，７２ ＲＦ電源 ２３，５３，６８，７３ マッチング回路ボックス
（整合器） ２４，４４，６６ スパッタリング成膜チャンバ ２５ 絶縁物 ２６，４１，６２ ターゲット ２７，２９，２１１，２１４ スイッチ ２８ ＤＣ電源 ３０，５４，６９，７１ ＲＦ電極 ４２，６５ ターゲットチャンバ ４３，６１ ゲートバルブ ４５，４７，４８，４９ バルブ ４６ バックポンプ ７４ 熱ＣＶＤチャンバ ２１０ シリコン基板 ２１２ 電源・マッチング回路 ２１３ ステージ ５１，６３，７５，２１５ シールド板 ４１０ ターボ分子ポンプ
（整合器） ２４，４４，６６ スパッタリング成膜チャンバ ２５ 絶縁物 ２６，４１，６２ ターゲット ２７，２９，２１１，２１４ スイッチ ２８ ＤＣ電源 ３０，５４，６９，７１ ＲＦ電極 ４２，６５ ターゲットチャンバ ４３，６１ ゲートバルブ ４５，４７，４８，４９ バルブ ４６ バックポンプ ７４ 熱ＣＶＤチャンバ ２１０ シリコン基板 ２１２ 電源・マッチング回路 ２１３ ステージ ５１，６３，７５，２１５ シールド板 ４１０ ターボ分子ポンプ
Claims (5)
- 【請求項１】（ａ）スパッタリング成膜チャンバ内部に
配置され、コリメータを有するＲＦ電極と、（ｂ）該Ｒ
Ｆ電極に接続されるＲＦ電源と、（ｃ）前記スパッタリ
ング成膜チャンバ内壁に該チャンバとは絶縁されたシー
ルド板を具備することを特徴とする半導体素子の製造装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造装置に
おいて、ターゲットが前記スパッタリング成膜チャンバ
と隔離できる構造を有し、前記スパッタリング成膜チャ
ンバにメタル系、絶縁膜系のエッチングが可能な材料ガ
スを導入することを特徴とする半導体素子の製造装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造装置に
おいて、ターゲットが前記スパッタリング成膜チャンバ
と隔離可能な別個のターゲットチャンバを有し、該ター
ゲットチャンバは不活性ガスにより、大気圧解放及び真
空圧に到達させることが可能なガス系及び排気系を有す
ることを特徴とする半導体素子の製造装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体素子の製造装置に
おいて、前記ターゲットチャンバは大気圧解放させるこ
とにより、前記ターゲットの交換が可能であることを特
徴とする半導体素子の製造装置。 - 【請求項５】（ａ）熱ＣＶＤチャンバ内部に配置される
ＲＦ電極と、（ｂ）該ＲＦ電極に接続されるＲＦ電源
と、（ｃ）前記熱ＣＶＤチャンバ内壁には該チャンバと
は絶縁されたシールド板を具備することを特徴とする半
導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153620A JPH097949A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153620A JPH097949A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097949A true JPH097949A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15566478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7153620A Withdrawn JPH097949A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097949A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10298753A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-11-10 | Canon Inc | 反応性スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 |
| JPH111771A (ja) * | 1997-02-19 | 1999-01-06 | Canon Inc | 薄膜形成装置及びそれを用いた薄膜形成法 |
| KR100601518B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 유기 전계 발광 표시장치의 제조 방법 |
| TWI500794B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-09-21 | Canon Anelva Corp | Sputtering device |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7153620A patent/JPH097949A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10298753A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-11-10 | Canon Inc | 反応性スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 |
| JPH111771A (ja) * | 1997-02-19 | 1999-01-06 | Canon Inc | 薄膜形成装置及びそれを用いた薄膜形成法 |
| KR100601518B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 유기 전계 발광 표시장치의 제조 방법 |
| TWI500794B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-09-21 | Canon Anelva Corp | Sputtering device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5403459A (en) | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator | |
| JP3192370B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5531862A (en) | Method of and apparatus for removing foreign particles | |
| JP4592867B2 (ja) | 平行平板形プラズマｃｖｄ装置及びドライクリーニングの方法 | |
| JP2007042818A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2000156370A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH10251849A (ja) | スパッタリング装置 | |
| TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
| JPH097949A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JP3033787B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6350025A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0892764A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH0822980A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4364335B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3034358B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04316325A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2016058536A (ja) | プラズマ処理装置及びクリーニング方法 | |
| JPH0758083A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001107246A (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 | |
| JPS63247361A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS61210190A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS59227709A (ja) | アモルフアス・シリコンの成膜装置 | |
| JPH10177993A (ja) | 平行平板狭電極型のプラズマ処理装置 | |
| JP2000169978A (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の除去方法 | |
| JPH07245336A (ja) | 静電チャックおよびその表面処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |