JPS6355939A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS6355939A JPS6355939A JP19883186A JP19883186A JPS6355939A JP S6355939 A JPS6355939 A JP S6355939A JP 19883186 A JP19883186 A JP 19883186A JP 19883186 A JP19883186 A JP 19883186A JP S6355939 A JPS6355939 A JP S6355939A
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- Japan
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- plasma
- substrate
- depositing
- sample
- gas
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 abstract description 6
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング！ＪｉＩｆに係り、特に５１
０２Ｍの微細パターンのエツチングに好適なドライエツ
チング装置に関するものである。
０２Ｍの微細パターンのエツチングに好適なドライエツ
チング装置に関するものである。
従来の装置は、晶いエツチング速度を得るために大きな
高周波電力を電極に印加し、金属製の容器でなる処理室
内で試料である基板のエツチングを行なっており、大き
な高周波電力を使用することから、基板の温度が上って
レジスト膜が変質しないように、基板を載置している試
料電極を冷却し、この試料電極に基板を押し当てて基板
の冷却を行なっている。この基板を押し当てる基板押え
は、基板を充分に押えることができるように基板の周辺
を上面から押える金属製のウェイトを用いていた。
高周波電力を電極に印加し、金属製の容器でなる処理室
内で試料である基板のエツチングを行なっており、大き
な高周波電力を使用することから、基板の温度が上って
レジスト膜が変質しないように、基板を載置している試
料電極を冷却し、この試料電極に基板を押し当てて基板
の冷却を行なっている。この基板を押し当てる基板押え
は、基板を充分に押えることができるように基板の周辺
を上面から押える金属製のウェイトを用いていた。
なお、この種の装置として関連するものには例えば特開
昭６１−１１０４３２号等が挙げられる。
昭６１−１１０４３２号等が挙げられる。
上記従来技術は、処理室内の構成部品の材質の点におい
て配慮がされておらず、塩素を含まないフッ化炭素系ガ
ス（例えばデュポン社の登録商標であるフレオン）をエ
ツチングガスとして用い、５１０２膜のエツチングを行
なう場合において、処理室内の金属（例えばＭ）製部材
がプラズマ中のイオンによってスパツクされ、このＭの
スパッタ粒子が蒸気圧の低いフッ素化合物となって排気
されずに、パターン側壁に付着、堆積し、マスクとなっ
てエツチング残りが生じたり、エツチング後のアブシャ
処理を行なう際に、第２図に示すようにパターン側壁近
傍のレジストが除去されないという問題があった。なお
、これらの問題は、コンタクトホール等比較的大きなパ
ターン（２〜３μｍ）では問題になっていなかったが、
パターン寸法が１μｍ以下の素子では、特に後工程の成
膜工程で支障を起こすことが判明した。
て配慮がされておらず、塩素を含まないフッ化炭素系ガ
ス（例えばデュポン社の登録商標であるフレオン）をエ
ツチングガスとして用い、５１０２膜のエツチングを行
なう場合において、処理室内の金属（例えばＭ）製部材
がプラズマ中のイオンによってスパツクされ、このＭの
スパッタ粒子が蒸気圧の低いフッ素化合物となって排気
されずに、パターン側壁に付着、堆積し、マスクとなっ
てエツチング残りが生じたり、エツチング後のアブシャ
処理を行なう際に、第２図に示すようにパターン側壁近
傍のレジストが除去されないという問題があった。なお
、これらの問題は、コンタクトホール等比較的大きなパ
ターン（２〜３μｍ）では問題になっていなかったが、
パターン寸法が１μｍ以下の素子では、特に後工程の成
膜工程で支障を起こすことが判明した。
本発明の目的は、パターン側壁へのスパッタ粒子による
化合物の堆積を防止し、エツチング後のアッシャ処理で
発生するレジスト残りを防止することのできるドライエ
ツチング装置を提供することにある。
化合物の堆積を防止し、エツチング後のアッシャ処理で
発生するレジスト残りを防止することのできるドライエ
ツチング装置を提供することにある。
上記目的は、エツチングガスとして塩素を含まないフッ
化炭素系ガスを用い５ｉＯｚ膜をプラズマ処理する平行
平板式の電極を有したドライエツチング装置において、
前記プラズマ処理を行なう処理室内で、前記５ｉＯｚ膜
を有する試料の載置面を除き、前記プラズマと接する面
を絶縁性が有りかつ前記プラズマと反応して蒸気圧の高
いフッ素化合物を生成する材料で被覆することにより、
達成される。
化炭素系ガスを用い５ｉＯｚ膜をプラズマ処理する平行
平板式の電極を有したドライエツチング装置において、
前記プラズマ処理を行なう処理室内で、前記５ｉＯｚ膜
を有する試料の載置面を除き、前記プラズマと接する面
を絶縁性が有りかつ前記プラズマと反応して蒸気圧の高
いフッ素化合物を生成する材料で被覆することにより、
達成される。
処理室内で試料以外にプラズマと接触する面を、蒸気圧
の高いフッ素化合物を形成する材料で覆うことにより、
プラズマ中のイオンによってスパツクされたスパッタ粒
子は、プラズマ中の分解分と反応して蒸気圧の高いフッ
素化合物を形成するので、試料に付着、堆積することな
く排気され、パターン側壁への堆積が防止される。
の高いフッ素化合物を形成する材料で覆うことにより、
プラズマ中のイオンによってスパツクされたスパッタ粒
子は、プラズマ中の分解分と反応して蒸気圧の高いフッ
素化合物を形成するので、試料に付着、堆積することな
く排気され、パターン側壁への堆積が防止される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図はエツチング装ｄの断面図を示す。真空容器４内
には、互いに平行な［極５および６が内設される。電極
６は真空容器４の下側に絶縁材７を介して取り付けられ
、この場合は、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１
０が接続されている。
には、互いに平行な［極５および６が内設される。電極
６は真空容器４の下側に絶縁材７を介して取り付けられ
、この場合は、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１
０が接続されている。
電極５は真空容器の上側に取り付けられ、この場合は、
接地電位となっている。また、電極５の内部には処理ガ
ス導入路が設けられ、図示しない処理ガス供給手段がつ
なげである。真空容器４の下部には排気口が設けられ、
図示しない排気装置につながる。電！！６上に載！され
た基板８は、この場合、ドーナツ状のウェイト９で電極
６上に押え付けられる。
接地電位となっている。また、電極５の内部には処理ガ
ス導入路が設けられ、図示しない処理ガス供給手段がつ
なげである。真空容器４の下部には排気口が設けられ、
図示しない排気装置につながる。電！！６上に載！され
た基板８は、この場合、ドーナツ状のウェイト９で電極
６上に押え付けられる。
また、この場合は、ウェイト９の上面と電極５の基板対
向面とに、例えば１５〜２５μｍのテフロンコーティン
グ１１が施しである。
向面とに、例えば１５〜２５μｍのテフロンコーティン
グ１１が施しである。
上記構成により、処理ガスとしてフッ化炭素系ガス、例
えばＣＦ４． Ｃ２Ｆ６等のフレオンガスを真空容器内
に導入し、１を極５，６間に高周波電力を印加してフレ
オンガスをプラズマ化し、基板８に成膜した５ｉＯｚ膜
をエツチング処理する。
えばＣＦ４． Ｃ２Ｆ６等のフレオンガスを真空容器内
に導入し、１を極５，６間に高周波電力を印加してフレ
オンガスをプラズマ化し、基板８に成膜した５ｉＯｚ膜
をエツチング処理する。
この際、ＳｉＯ２膜以外のウェイト９の上面および電極
５の基板対向面が、真空容器４内に発生したフレオンガ
スのプラズマにさらされるが、テフロンコーティング１
１がプラズマ中のＣＦｎ イオンやＦ＊等と反応してで
きるＣＦ２＊、 ＣＨ”、 ＣＨＦ申等は、蒸気圧の高
いフッ素化合物であり、基板８上に付着、堆積すること
な（真空容器４外へ排気される。
５の基板対向面が、真空容器４内に発生したフレオンガ
スのプラズマにさらされるが、テフロンコーティング１
１がプラズマ中のＣＦｎ イオンやＦ＊等と反応してで
きるＣＦ２＊、 ＣＨ”、 ＣＨＦ申等は、蒸気圧の高
いフッ素化合物であり、基板８上に付着、堆積すること
な（真空容器４外へ排気される。
以上本−実施例によれば、基板８以外のプラズマにさら
される部分をテフロンコーティング１１シているので、
基板８以外でプラズマと反応してできた反応物は、蒸気
圧が高く、基板８に付着することがないので、エツチン
グ後のアッシャ処理でレジスト残７が発生することがな
い。
される部分をテフロンコーティング１１シているので、
基板８以外でプラズマと反応してできた反応物は、蒸気
圧が高く、基板８に付着することがないので、エツチン
グ後のアッシャ処理でレジスト残７が発生することがな
い。
なお、本−実施例では、蒸気圧の高い反応物を生成する
ものとして、テフロンを用いているが、この他に石英、
ボロナイトライド、 Ｓ＋Ｃなどを用いるのも効果的
である。
ものとして、テフロンを用いているが、この他に石英、
ボロナイトライド、 Ｓ＋Ｃなどを用いるのも効果的
である。
本発明によれば、パターン側壁へのスパッタ粒子による
化合物の堆積を防止できるので、エツチング後のアッシ
ャ処理で発生するレジスト残りを防止することができる
という効果がある。
化合物の堆積を防止できるので、エツチング後のアッシ
ャ処理で発生するレジスト残りを防止することができる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるドライエツチング装置
を示す断面図、第２図は従来技術によりエツチングした
後アッシング処理をしたときのパターン断面図である。 ４・・・・・・真空容器、５，６・・・・・・電極、８
・・四基板、９・・・・・・ウェイト、１１・・曲テフ
ロンコーティング 、。 、、、、、、、ｌ＼ １ ′、ｌｉ、”ｉパ） 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ・ｌト、・１．Ｅ
；１．・オｌ圀 第２国
を示す断面図、第２図は従来技術によりエツチングした
後アッシング処理をしたときのパターン断面図である。 ４・・・・・・真空容器、５，６・・・・・・電極、８
・・四基板、９・・・・・・ウェイト、１１・・曲テフ
ロンコーティング 、。 、、、、、、、ｌ＼ １ ′、ｌｉ、”ｉパ） 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ・ｌト、・１．Ｅ
；１．・オｌ圀 第２国
Claims (1)
- １、エッチングガスとして塩素を含まないフッ化炭素系
ガスを用いＳｉＯ＿２膜をプラズマ処理する平行平板式
の電極を有したドライエッチング装置において、前記プ
ラズマ処理を行なう処理室内で、前記ＳｉＯ＿２膜を有
する試料の載置面を除き、前記プラズマと接する面を絶
縁性が有りかつ前記プラズマと反応して蒸気圧の高いフ
ッ素化合物を生成する材料で被覆したことを特徴とする
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883186A JPS6355939A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883186A JPS6355939A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355939A true JPS6355939A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16397641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19883186A Pending JPS6355939A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355939A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230125A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
| US6143125A (en) * | 1996-09-20 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Apparatus and method for dry etching |
| JP2008078678A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP19883186A patent/JPS6355939A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230125A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
| US6143125A (en) * | 1996-09-20 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Apparatus and method for dry etching |
| JP2008078678A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-04-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
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