JPH05217964A - ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法Info
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- JPH05217964A JPH05217964A JP4788392A JP4788392A JPH05217964A JP H05217964 A JPH05217964 A JP H05217964A JP 4788392 A JP4788392 A JP 4788392A JP 4788392 A JP4788392 A JP 4788392A JP H05217964 A JPH05217964 A JP H05217964A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、エッチングチャンバ内に集塵能力
が高い静電集塵器を設けることにより、エッチングチャ
ンバ内の清浄度の向上を図る。 【構成】 ドライエッチング装置１０のエッチングチャ
ンバ１１の内側壁２１に静電集塵器３１を設けるととも
に、静電集塵器３１にスイッチ３４を介して静電発生器
３５を接続したものである。また上記静電集塵器３１を
着脱器（図示せず）を介してエッチングチャンバ１１の
内側壁２１に設けたものである。上記ドライエッチング
装置を用いたドライエッチング方法であって、スイッチ
３４をＯＦＦ状態にして、エッチングチャンバ１１内で
試料９０をドライエッチングした後、スイッチ３４をＯ
Ｎ状態にして、エッチングチャンバ１１内の塵埃を静電
集塵器３１で吸着するドライエッチング方法である。
が高い静電集塵器を設けることにより、エッチングチャ
ンバ内の清浄度の向上を図る。 【構成】 ドライエッチング装置１０のエッチングチャ
ンバ１１の内側壁２１に静電集塵器３１を設けるととも
に、静電集塵器３１にスイッチ３４を介して静電発生器
３５を接続したものである。また上記静電集塵器３１を
着脱器（図示せず）を介してエッチングチャンバ１１の
内側壁２１に設けたものである。上記ドライエッチング
装置を用いたドライエッチング方法であって、スイッチ
３４をＯＦＦ状態にして、エッチングチャンバ１１内で
試料９０をドライエッチングした後、スイッチ３４をＯ
Ｎ状態にして、エッチングチャンバ１１内の塵埃を静電
集塵器３１で吸着するドライエッチング方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングチャンバ内
に集塵器を設けたドライエッチング装置およびドライエ
ッチング方法に関するものである。
に集塵器を設けたドライエッチング装置およびドライエ
ッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩに代表される高集積化半導体デ
バイスの製造工程では、ハーフミクロン以下の微細加工
技術が必要条件になっている。例えば、酸化シリコン膜
のエッチングでは、高選択比を得るために堆積性ガス
〔例えばテトラフルオロメタン（ＣＦ4 ），トリフルオ
ロメタン（ＣＨＦ3 ），オクタフルオロシクロブタン
（Ｃ4 Ｆ8 ）等〕の性質を利用したエッチングが行われ
ている。すなわち、レジストよりなるエッチングマスク
上に炭素を堆積させることにより、エッチングマスクの
エッチング速度を低下させて、エッチングマスクに対す
る酸化シリコン膜との選択比を高める方法である。また
はシリコン表面に炭素を堆積させることにより、シリコ
ンのエッチング速度を低下させて、シリコンに対する酸
化シリコン膜との選択比を高める方法である。
バイスの製造工程では、ハーフミクロン以下の微細加工
技術が必要条件になっている。例えば、酸化シリコン膜
のエッチングでは、高選択比を得るために堆積性ガス
〔例えばテトラフルオロメタン（ＣＦ4 ），トリフルオ
ロメタン（ＣＨＦ3 ），オクタフルオロシクロブタン
（Ｃ4 Ｆ8 ）等〕の性質を利用したエッチングが行われ
ている。すなわち、レジストよりなるエッチングマスク
上に炭素を堆積させることにより、エッチングマスクの
エッチング速度を低下させて、エッチングマスクに対す
る酸化シリコン膜との選択比を高める方法である。また
はシリコン表面に炭素を堆積させることにより、シリコ
ンのエッチング速度を低下させて、シリコンに対する酸
化シリコン膜との選択比を高める方法である。
【０００３】上記説明したように、堆積性ガスを用いた
エッチングでは、エッチングチャンバの内壁や電極の表
面に炭素ポリマー等のポリマーが堆積する。堆積したポ
リマーはエッチングが進行するにつれて剥離する。この
ためエッチングチャンバ内に、剥離したポリマーが浮遊
するので、エッチングチャンバ内の清浄度が低下する。
エッチングでは、エッチングチャンバの内壁や電極の表
面に炭素ポリマー等のポリマーが堆積する。堆積したポ
リマーはエッチングが進行するにつれて剥離する。この
ためエッチングチャンバ内に、剥離したポリマーが浮遊
するので、エッチングチャンバ内の清浄度が低下する。
【０００４】そこで、ポリマーの付着を抑制する方法や
除去する方法が提案されている。例えば、エッチングチ
ャンバの外壁をヒーターで一定温度に加熱することによ
り、エッチングチャンバの内壁に炭素ポリマーの付着を
抑制する方法がある。また例えば、エッチングプロセス
後に酸素ガス放電による酸素ラジカルと炭素との燃焼反
応によって、炭素ポリマーを除去する方法が提案されて
いる。あるいは、エッチングチャンバの底面側に静電塵
埃吸着器を設けて、エッチングチャンバ内の浮遊塵埃を
吸着するものがある。上記静電塵埃吸着器は、当該静電
塵埃吸着器に高電圧を印加することにより静電気を発生
させて、エッチングチャンバ内の塵埃を吸着するもので
ある。
除去する方法が提案されている。例えば、エッチングチ
ャンバの外壁をヒーターで一定温度に加熱することによ
り、エッチングチャンバの内壁に炭素ポリマーの付着を
抑制する方法がある。また例えば、エッチングプロセス
後に酸素ガス放電による酸素ラジカルと炭素との燃焼反
応によって、炭素ポリマーを除去する方法が提案されて
いる。あるいは、エッチングチャンバの底面側に静電塵
埃吸着器を設けて、エッチングチャンバ内の浮遊塵埃を
吸着するものがある。上記静電塵埃吸着器は、当該静電
塵埃吸着器に高電圧を印加することにより静電気を発生
させて、エッチングチャンバ内の塵埃を吸着するもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明したように、エッチングチャンバの外壁をヒーターで
一定温度に加熱する方法では、エッチングチャンバを加
熱した部分の内壁にポリマーが付着するのを抑制するこ
とは可能であるが、加熱していないエッチングチャンバ
の天板や排気口にポリマーが堆積する。このため、堆積
したポリマーが発塵源になって、エッチングチャンバ内
の清浄度が低下する。
明したように、エッチングチャンバの外壁をヒーターで
一定温度に加熱する方法では、エッチングチャンバを加
熱した部分の内壁にポリマーが付着するのを抑制するこ
とは可能であるが、加熱していないエッチングチャンバ
の天板や排気口にポリマーが堆積する。このため、堆積
したポリマーが発塵源になって、エッチングチャンバ内
の清浄度が低下する。
【０００６】上記酸素ガス放電によって炭素ポリマーを
除去する方法では、エッチングチャンバの内壁に付着し
たポリマーを完全に除去することが困難である。このた
め、エッチングチャンバの内壁に堆積したポリマーが剥
離して、エッチングチャンバ内の清浄度が低下する。
除去する方法では、エッチングチャンバの内壁に付着し
たポリマーを完全に除去することが困難である。このた
め、エッチングチャンバの内壁に堆積したポリマーが剥
離して、エッチングチャンバ内の清浄度が低下する。
【０００７】上記エッチングチャンバの底面側に静電塵
埃吸着器を設ける方法では、複数の静電塵埃吸着器を設
けなければならないので、エッチングチャンバの容積が
大きくなる。またエッチングチャンバの容積を大型化し
ない場合には、静電塵埃吸着器の集塵面積を小さくしな
ければならないので、エッチングチャンバ内の塵埃を十
分に集塵することができない。
埃吸着器を設ける方法では、複数の静電塵埃吸着器を設
けなければならないので、エッチングチャンバの容積が
大きくなる。またエッチングチャンバの容積を大型化し
ない場合には、静電塵埃吸着器の集塵面積を小さくしな
ければならないので、エッチングチャンバ内の塵埃を十
分に集塵することができない。
【０００８】本発明は、集塵効率に優れたドライエッチ
ング装置およびそのドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
ング装置およびそのドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものである。すなわち、エッチン
グチャンバを備えたドライエッチング装置であって、エ
ッチングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けるととも
に、静電集塵器に接続する静電発生器を設けたものであ
る。または、当該静電集塵器を着脱器を介してエッチン
グチャンバの側壁に設けたものである。上記ドライエッ
チング装置を用いたドライエッチング方法であって、第
１の工程でエッチングチャンバ内の試料をドライエッチ
ングした後、第２の工程でエッチングチャンバ内の塵埃
を静電集塵器に吸着する方法である。
成するためになされたものである。すなわち、エッチン
グチャンバを備えたドライエッチング装置であって、エ
ッチングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けるととも
に、静電集塵器に接続する静電発生器を設けたものであ
る。または、当該静電集塵器を着脱器を介してエッチン
グチャンバの側壁に設けたものである。上記ドライエッ
チング装置を用いたドライエッチング方法であって、第
１の工程でエッチングチャンバ内の試料をドライエッチ
ングした後、第２の工程でエッチングチャンバ内の塵埃
を静電集塵器に吸着する方法である。
【００１０】
【作用】上記構成のドライエッチング装置では、エッチ
ングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けたので、集塵
面積が広くなる。このため、集塵効率が高まる。また静
電集塵器を着脱器を介してエッチングチャンバの内側壁
に設けたので、エッチングチャンバの外で静電集塵器に
付着したポリマーの除去ができる。このため、エッチン
グチャンバ内は常に清浄に保たれる。上記ドライエッチ
ング方法では、ドライエッチング後にエッチングチャン
バ内の塵埃を静電集塵器に吸着するので、ドライエッチ
ング時に異常放電が発生しない。
ングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けたので、集塵
面積が広くなる。このため、集塵効率が高まる。また静
電集塵器を着脱器を介してエッチングチャンバの内側壁
に設けたので、エッチングチャンバの外で静電集塵器に
付着したポリマーの除去ができる。このため、エッチン
グチャンバ内は常に清浄に保たれる。上記ドライエッチ
ング方法では、ドライエッチング後にエッチングチャン
バ内の塵埃を静電集塵器に吸着するので、ドライエッチ
ング時に異常放電が発生しない。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示す概略構成
断面図により説明する。図では、一例として平行平板型
のドライエッチング装置１０を示す。図に示すように、
エッチングチャンバ１１の内部には、当該エッチングチ
ャンバ１１の天井側に上部電極１２が設けられている。
また当該エッチングチャンバ１１の内部で上部電極１２
に対向した位置には、下部電極１３が設けられている。
この下部電極１３上には試料９０が載置される。上部電
極１２の上部側にはガス導入管１４が接続されている。
また上部電極１２の内部には、ガス導入管１４より上部
電極１２の下面側の複数のガス噴き出し口（図示せず）
に通じるガス導入路（図示せず）が形成されている。ま
た上記下部電極１３には、ＲＦ電源１５が接続されてい
る。さらに上記エッチングチャンバ１１の下部側には排
気口１６が設けられている。
断面図により説明する。図では、一例として平行平板型
のドライエッチング装置１０を示す。図に示すように、
エッチングチャンバ１１の内部には、当該エッチングチ
ャンバ１１の天井側に上部電極１２が設けられている。
また当該エッチングチャンバ１１の内部で上部電極１２
に対向した位置には、下部電極１３が設けられている。
この下部電極１３上には試料９０が載置される。上部電
極１２の上部側にはガス導入管１４が接続されている。
また上部電極１２の内部には、ガス導入管１４より上部
電極１２の下面側の複数のガス噴き出し口（図示せず）
に通じるガス導入路（図示せず）が形成されている。ま
た上記下部電極１３には、ＲＦ電源１５が接続されてい
る。さらに上記エッチングチャンバ１１の下部側には排
気口１６が設けられている。
【００１２】上記エッチングチャンバ１１の内側壁２１
には、静電集塵器３１が設けられている。この静電集塵
器３１は、電極３２と当該電極３２を覆う絶縁膜３３と
により形成されている。上記電極３２は、例えば、銅ま
たはアルミニウム等の導電性に優れた金属または合金で
形成される。上記絶縁膜３３は、温度変化によって比誘
電率が変化することが少なくかつ耐熱性に優れている、
例えばセラミックスで形成されている。このようなセラ
ミックスとしては、例えば、チタニア系セラミックス
（例えばチタン酸カルシウムまたはチタン酸バリウム
等），酸化アルミニウム系セラミックスまたは窒化ケイ
素セラミックス等がある。上記静電集塵器３１は、エッ
チングチャンバ１１の内側壁２１の全面に設けてもよ
く、あるいは静電集塵器３１の集塵面積が十分な面積を
有するものであれば、内側壁２１の一部分に設けること
も可能である。
には、静電集塵器３１が設けられている。この静電集塵
器３１は、電極３２と当該電極３２を覆う絶縁膜３３と
により形成されている。上記電極３２は、例えば、銅ま
たはアルミニウム等の導電性に優れた金属または合金で
形成される。上記絶縁膜３３は、温度変化によって比誘
電率が変化することが少なくかつ耐熱性に優れている、
例えばセラミックスで形成されている。このようなセラ
ミックスとしては、例えば、チタニア系セラミックス
（例えばチタン酸カルシウムまたはチタン酸バリウム
等），酸化アルミニウム系セラミックスまたは窒化ケイ
素セラミックス等がある。上記静電集塵器３１は、エッ
チングチャンバ１１の内側壁２１の全面に設けてもよ
く、あるいは静電集塵器３１の集塵面積が十分な面積を
有するものであれば、内側壁２１の一部分に設けること
も可能である。
【００１３】上記静電集塵器３１の電極３２には、エッ
チングチャンバ１１の外側に設けられているスイッチ３
４を介して静電発生器３５が接続されている。この静電
発生器３５は、例えば、高電圧発生器よりなる。上記の
如くに、ドライエッチング装置１０が構成されている。
なお上記説明では、ドライエッチング装置１０として平
行平板型のドライエッチング装置を例にして説明した
が、ドライエッチング装置の形式は上記形式に限定され
ることはない。
チングチャンバ１１の外側に設けられているスイッチ３
４を介して静電発生器３５が接続されている。この静電
発生器３５は、例えば、高電圧発生器よりなる。上記の
如くに、ドライエッチング装置１０が構成されている。
なお上記説明では、ドライエッチング装置１０として平
行平板型のドライエッチング装置を例にして説明した
が、ドライエッチング装置の形式は上記形式に限定され
ることはない。
【００１４】上記の如くにエッチングチャンバ１１の内
側壁２１に静電集塵器３１を設けたことにより、集塵面
積が広くなる。このため、ドライエッチング時にエッチ
ングチャンバ１１の内部で発生する塵埃を十分に吸着す
ることが可能になる。したがって、エッチングチャンバ
１１の内部の清浄度が向上する。
側壁２１に静電集塵器３１を設けたことにより、集塵面
積が広くなる。このため、ドライエッチング時にエッチ
ングチャンバ１１の内部で発生する塵埃を十分に吸着す
ることが可能になる。したがって、エッチングチャンバ
１１の内部の清浄度が向上する。
【００１５】次に上記静電集塵器３１の絶縁膜３３をチ
タン酸カルシウムで形成した場合の塵埃吸着力とエッチ
ングチャンバ内温度との関係を図２により説明する。図
では縦軸に塵埃吸着力として絶縁膜３３に吸着する単位
面積当たりの塵埃重量（ｇ／ｃｍ2 ）を示し、横軸はエ
ッチングチャンバ内の雰囲気の温度を示す。図に示すよ
うに、エッチングチャンバ内温度が、−８５℃〜１５５
℃まで変化しても絶縁膜３３の塵埃の吸着力はほとんど
変化しない。このように、絶縁膜３３の材質としては、
エッチングチャンバ内の温度が変化しても塵埃の吸着力
がほとんど変化しない材料が好ましい。なおエッチング
チャンバ内の温度が変化したときに塵埃吸着力が変化す
る材料で絶縁膜３３を形成した場合には、吸着可能な量
を超える量の塵埃が絶縁膜３３に吸着する前に、清掃に
よって絶縁膜３３より吸着した塵埃を除去する必要があ
る。
タン酸カルシウムで形成した場合の塵埃吸着力とエッチ
ングチャンバ内温度との関係を図２により説明する。図
では縦軸に塵埃吸着力として絶縁膜３３に吸着する単位
面積当たりの塵埃重量（ｇ／ｃｍ2 ）を示し、横軸はエ
ッチングチャンバ内の雰囲気の温度を示す。図に示すよ
うに、エッチングチャンバ内温度が、−８５℃〜１５５
℃まで変化しても絶縁膜３３の塵埃の吸着力はほとんど
変化しない。このように、絶縁膜３３の材質としては、
エッチングチャンバ内の温度が変化しても塵埃の吸着力
がほとんど変化しない材料が好ましい。なおエッチング
チャンバ内の温度が変化したときに塵埃吸着力が変化す
る材料で絶縁膜３３を形成した場合には、吸着可能な量
を超える量の塵埃が絶縁膜３３に吸着する前に、清掃に
よって絶縁膜３３より吸着した塵埃を除去する必要があ
る。
【００１６】次に第２の実施例として、エッチングチャ
ンバ１１に対して着脱自在な構造とした上記静電集塵器
３１の一例を図３の概略斜視断面図により説明する。図
に示すように、静電集塵器３１は、着脱器４１を介して
エッチングチャンバ１１の内側壁２１に取り付けられて
いる。次いで上記着脱器４１の一例を説明する。この着
脱器４１は、内側壁２１の複数箇所に設けたアウトレッ
ト４２と静電集塵器３１における当該アウトレット４２
にはめ合わされる位置に設けたプラグ４３とよりなる。
ンバ１１に対して着脱自在な構造とした上記静電集塵器
３１の一例を図３の概略斜視断面図により説明する。図
に示すように、静電集塵器３１は、着脱器４１を介して
エッチングチャンバ１１の内側壁２１に取り付けられて
いる。次いで上記着脱器４１の一例を説明する。この着
脱器４１は、内側壁２１の複数箇所に設けたアウトレッ
ト４２と静電集塵器３１における当該アウトレット４２
にはめ合わされる位置に設けたプラグ４３とよりなる。
【００１７】上記アウトレット４２は、本体が絶縁体４
４で形成されている。当該絶縁体４４には、上部側に開
口を設けた差し込み部４５が形成されている。この差し
込み部４５の内部には、接続電極４６が設けられてい
る。接続電極４６には、前記スイッチ３４を介して静電
発生器３５に接続する配線４７が接続されている。また
上記プラグ４３は、前記差し込み部４５に対して嵌挿自
在な逆Ｌ字形の絶縁体４８と、この絶縁体４８の内部に
設けたもので静電集塵器３１の電極３２に接続する配線
４９と、絶縁体４８の外側先端部に設けたもので配線４
９に接続する電極接続部５０とよりなる。電極接続部５
０は、例えば銅またはアルミニウム等の導電性を有する
金属または合金等で形成される。
４で形成されている。当該絶縁体４４には、上部側に開
口を設けた差し込み部４５が形成されている。この差し
込み部４５の内部には、接続電極４６が設けられてい
る。接続電極４６には、前記スイッチ３４を介して静電
発生器３５に接続する配線４７が接続されている。また
上記プラグ４３は、前記差し込み部４５に対して嵌挿自
在な逆Ｌ字形の絶縁体４８と、この絶縁体４８の内部に
設けたもので静電集塵器３１の電極３２に接続する配線
４９と、絶縁体４８の外側先端部に設けたもので配線４
９に接続する電極接続部５０とよりなる。電極接続部５
０は、例えば銅またはアルミニウム等の導電性を有する
金属または合金等で形成される。
【００１８】上記着脱器４１を設けたことにより、アウ
トレット４２にプラグ４３を差し込むだけで、静電集塵
器３１をエッチングチャンバ１１の内側壁２１に取り付
けることが可能になる。またプラグ４３をアウトレット
４２より抜き取るだけで、静電集塵器３１をエッチング
チャンバ１１の内側壁２１より取り外せる。このため、
静電集塵器３１の絶縁膜３３に塵埃を吸着する能力の限
界に近づいた時点で、静電集塵器３１を取り外して、絶
縁膜３３に吸着した塵埃を除去する清掃作業が行い易く
なる。またプラグ４３をアウトレット４２に差し込むだ
けで、静電集塵器３１の電極３２と静電発生器３５と
は、配線４９，電極接続部５０，接続電極４６，配線４
７およびスイッチ３４を介して接続することができる。
トレット４２にプラグ４３を差し込むだけで、静電集塵
器３１をエッチングチャンバ１１の内側壁２１に取り付
けることが可能になる。またプラグ４３をアウトレット
４２より抜き取るだけで、静電集塵器３１をエッチング
チャンバ１１の内側壁２１より取り外せる。このため、
静電集塵器３１の絶縁膜３３に塵埃を吸着する能力の限
界に近づいた時点で、静電集塵器３１を取り外して、絶
縁膜３３に吸着した塵埃を除去する清掃作業が行い易く
なる。またプラグ４３をアウトレット４２に差し込むだ
けで、静電集塵器３１の電極３２と静電発生器３５と
は、配線４９，電極接続部５０，接続電極４６，配線４
７およびスイッチ３４を介して接続することができる。
【００１９】なお着脱器４１は、エッチングチャンバ１
１の内側壁２１に対して、静電集塵器３１が着脱自在に
取り付けることが可能な構造のものであれば、上記構造
に限定されることはない。また静電集塵器３１をエッチ
ングチャンバ１１内より取り出し易くするために、当該
静電集塵器３１の上部に把手部５１を設けることも可能
である。
１の内側壁２１に対して、静電集塵器３１が着脱自在に
取り付けることが可能な構造のものであれば、上記構造
に限定されることはない。また静電集塵器３１をエッチ
ングチャンバ１１内より取り出し易くするために、当該
静電集塵器３１の上部に把手部５１を設けることも可能
である。
【００２０】次に、上記ドライエッチング装置１０を用
いて試料９０をドライエッチングする方法を前記図１に
より説明する。まず第１の工程では、スイッチ３４をＯ
ＦＦ状態にして、通常のドライエッチング方法によっ
て、試料９０をドライエッチングする。エッチングの終
点が検出されてＲＦ電力の印加が停止された後、第２の
工程を行う。この工程では、スイッチ３４をＯＮ状態に
して静電発生器３５より静電集塵器３１に高電圧を印加
する。そして、エッチングチャンバ１１の内部に浮遊し
ている塵埃を静電集塵器３１に吸着する。
いて試料９０をドライエッチングする方法を前記図１に
より説明する。まず第１の工程では、スイッチ３４をＯ
ＦＦ状態にして、通常のドライエッチング方法によっ
て、試料９０をドライエッチングする。エッチングの終
点が検出されてＲＦ電力の印加が停止された後、第２の
工程を行う。この工程では、スイッチ３４をＯＮ状態に
して静電発生器３５より静電集塵器３１に高電圧を印加
する。そして、エッチングチャンバ１１の内部に浮遊し
ている塵埃を静電集塵器３１に吸着する。
【００２１】このように、試料９０のドライエッチング
を行った後に静電集塵器３１に高電圧を印加して、エッ
チングチャンバ１１の内部に塵埃を集塵するので、静電
集塵器３１を設けたことにより、ドライエッチング条件
が変化することがない。
を行った後に静電集塵器３１に高電圧を印加して、エッ
チングチャンバ１１の内部に塵埃を集塵するので、静電
集塵器３１を設けたことにより、ドライエッチング条件
が変化することがない。
【００２２】次に前記第１，第２の実施例で説明した静
電集塵器３１よりも集塵能力を高めた静電集塵器の一例
を図４，図５の概略斜視断面図により説明する。図４に
示すように、静電集塵器６１は、電極６２の周囲に絶縁
膜６３を形成したものである。電極６２は、板状に形成
した導電板６４とその集塵面側に複数設けた当該導電板
６４と同材質の複数のフィン６５とよりなる。上記電極
６２は、前記第１に実施例で説明した電極３２と同様
に、銅またはアルミニウム等の導電体で形成される。ま
た上記絶縁膜６３は、前記第１に実施例で説明した絶縁
膜３３と同様に、温度変化によって比誘電率が変化する
ことが少なくかつ耐熱性に優れているセラミックスで形
成されている。このセラミックスとしては、例えば、チ
タニア系セラミックス（例えばチタン酸カルシウムまた
はチタン酸バリウム等），アルミナセラミックスまたは
窒化ケイ素セラミックス等がある。このように静電集塵
器６１は、前記第１の実施例で説明した静電集塵器３１
に比較して、フィン６５を形成した分だけ集塵面積が広
くなるので、集塵能力がさらに向上する。
電集塵器３１よりも集塵能力を高めた静電集塵器の一例
を図４，図５の概略斜視断面図により説明する。図４に
示すように、静電集塵器６１は、電極６２の周囲に絶縁
膜６３を形成したものである。電極６２は、板状に形成
した導電板６４とその集塵面側に複数設けた当該導電板
６４と同材質の複数のフィン６５とよりなる。上記電極
６２は、前記第１に実施例で説明した電極３２と同様
に、銅またはアルミニウム等の導電体で形成される。ま
た上記絶縁膜６３は、前記第１に実施例で説明した絶縁
膜３３と同様に、温度変化によって比誘電率が変化する
ことが少なくかつ耐熱性に優れているセラミックスで形
成されている。このセラミックスとしては、例えば、チ
タニア系セラミックス（例えばチタン酸カルシウムまた
はチタン酸バリウム等），アルミナセラミックスまたは
窒化ケイ素セラミックス等がある。このように静電集塵
器６１は、前記第１の実施例で説明した静電集塵器３１
に比較して、フィン６５を形成した分だけ集塵面積が広
くなるので、集塵能力がさらに向上する。
【００２３】図５に示すように、静電集塵器７１は、複
数の突起を設けた構造をなしている。すなわち、電極７
２の周囲に絶縁膜７３を形成したものである。電極７２
は、板状に形成した導電板７４とその集塵面側に複数設
けた当該導電板７４と同材質の突起７５とよりなる。こ
の電極７２は、上記説明した電極６２と同様の材料で形
成される。また絶縁膜７３は、上記説明した絶縁膜６３
と同様の材料で形成される。このように静電集塵器７１
は、前記第１の実施例で説明した静電集塵器３１に比較
して、突起７５を設けた分だけ集塵面積が広くなるの
で、集塵能力がさらに向上する。なお静電集塵器は、エ
ッチングチャンバ１１の内側壁２１（図１参照）に取り
付け可能であって、静電気力によってエッチングチャン
バ１１（図１参照）内の塵埃を吸着するものであれば、
上記図１，図４，図５で説明した静電集塵器３１，６
１，７１の構造に限定されるものではない。
数の突起を設けた構造をなしている。すなわち、電極７
２の周囲に絶縁膜７３を形成したものである。電極７２
は、板状に形成した導電板７４とその集塵面側に複数設
けた当該導電板７４と同材質の突起７５とよりなる。こ
の電極７２は、上記説明した電極６２と同様の材料で形
成される。また絶縁膜７３は、上記説明した絶縁膜６３
と同様の材料で形成される。このように静電集塵器７１
は、前記第１の実施例で説明した静電集塵器３１に比較
して、突起７５を設けた分だけ集塵面積が広くなるの
で、集塵能力がさらに向上する。なお静電集塵器は、エ
ッチングチャンバ１１の内側壁２１（図１参照）に取り
付け可能であって、静電気力によってエッチングチャン
バ１１（図１参照）内の塵埃を吸着するものであれば、
上記図１，図４，図５で説明した静電集塵器３１，６
１，７１の構造に限定されるものではない。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
エッチングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けたこと
により、集塵面積が広くなるので、十分な集塵能力が得
られる。また静電集塵器を着脱器を介してエッチングチ
ャンバの側壁に設けたので、静電集塵器をエッチングチ
ャンバより取り外して清掃することが容易になる。さら
に試料のドライエッチング後に、エッチングチャンバ内
の塵埃を静電集塵器で吸着して除去するので、静電集塵
器によってドライエッチング条件が変化するような悪影
響がない。
エッチングチャンバの内側壁に静電集塵器を設けたこと
により、集塵面積が広くなるので、十分な集塵能力が得
られる。また静電集塵器を着脱器を介してエッチングチ
ャンバの側壁に設けたので、静電集塵器をエッチングチ
ャンバより取り外して清掃することが容易になる。さら
に試料のドライエッチング後に、エッチングチャンバ内
の塵埃を静電集塵器で吸着して除去するので、静電集塵
器によってドライエッチング条件が変化するような悪影
響がない。
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。
【図２】絶縁膜の塵埃吸着力とエッチングチャンバ内温
度との関係図である。
度との関係図である。
【図３】着脱器の概略斜視断面図である。
【図４】静電集塵器の概略斜視断面図である。
【図５】静電集塵器の概略斜視断面図である。
１０ ドライエッチング装置 １１ エッチングチャンバ ２１ 内側壁 ３１ 静電集塵器 ３５ 静電発生器 ４１ 着脱器 ６１ 静電集塵器 ７１ 静電集塵器 ９０ 試料
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチングチャンバを備えたドライエッ
チング装置において、 前記エッチングチャンバの内側壁に静電集塵器を設ける
とともに、前記静電集塵器に接続する静電発生器を設け
たことを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 エッチングチャンバを備えたドライエッ
チング装置において、 前記エッチングチャンバの内側壁に着脱器を介して静電
集塵器を設けるとともに、前記静電集塵器に接続する静
電発生器を設けたことを特徴とするドライエッチング装
置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のドライエ
ッチング装置を用いたドライエッチング方法であって、 エッチングチャンバ内で試料をドライエッチングする第
１の工程と、 前記試料のドライエッチングが終了した後、前記エッチ
ングチャンバ内の塵埃を静電集塵器に吸着する第２の工
程とよりなることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4788392A JPH05217964A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4788392A JPH05217964A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217964A true JPH05217964A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12787793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4788392A Pending JPH05217964A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217964A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0790642A2 (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| JP2002151495A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびそれを用いて作製した半導体装置 |
| US8202394B2 (en) | 2001-06-11 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2015167157A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4788392A patent/JPH05217964A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0790642A2 (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| EP0790642A3 (en) * | 1996-02-02 | 1998-04-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment |
| JP2002151495A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびそれを用いて作製した半導体装置 |
| US8202394B2 (en) | 2001-06-11 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2015167157A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
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