JP2004158789A

JP2004158789A - 半導体装置の製造方法及び製造装置

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Publication number: JP2004158789A
Application number: JP2002325369A
Authority: JP
Inventors: Keimei Himi; 啓明氷見
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2002-11-08
Filing date: 2002-11-08
Publication date: 2004-06-03
Anticipated expiration: 2022-11-08
Also published as: JP3801130B2

Abstract

【課題】ドライプロセス用プロセスチャンバ内のパーティクルを効率よく除去する。
【解決手段】プロセスチャンバに隣接して集塵機器を収納する集塵チャンバを設ける。プロセスチャンバと集塵チャンバ間のロードロックバルブを開き、静電チャックで構成した第１の集塵機構を給電した状態で集塵チャンバ内からプロセスチャンバ内にハンドリングアームで挿入する。給電したまま所定時間保持してパーティクルを捕集後、集塵チャンバに戻し、前記ロードロックバルブを閉じる。給電を停止し、第１の集塵機構を静電チャックで構成した第２の集塵機構内に挿入する。第２の集塵機構に給電し、第１の集塵機構で捕集したパーティクルを第２の集塵機構に再捕集する。その後、第１の集塵機構を第２の集塵機構外の待機位置に戻す。
【選択図】図７

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造過程で行なわれるドライプロセスに用いられる真空チャンバ内に発生したゴミ等の粒子状不純物（本明細書では、パーティクルという）を、静電気を利用して捕集、除去する半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置は、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマ励起ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、バイアススパッタリングなどのプラズマ放電を用いたドライプロセス技術の進歩と共に、微細化が進展してきた。微細化の進展と共に、ドライプロセスで使用する真空チャンバ内の微細なパーティクルの存在により引き起こされるパターン欠陥が製品歩留り低下の大きな要因となっている。このような微細なパーティクルは、真空チャンバ内で半導体ウェハを移動させる際のハンドリング装置の摺動部分の摩耗、プラズマ処理による治具等の侵食、ドライエッチングによる反応生成物の発生などにより生ずる。
【０００３】
この問題に対しては、真空チャンバ内の内面処理、プロセスガスのクリーン化、真空チャンバクリーニング間隔の適正化、プラズマクリーニング、ウェハ設置方法の改善、プロセス実施後にスクラバ等の機械的なブラシ洗浄を追加する等、種々の対策が施されている。しかしながら、今だパーティクルによる製品歩留り低下の抑制は十分でないのが実情である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−８０４５３
【０００５】
【特許文献２】
特開平１０−２３３３８７
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、その目的は、半導体装置の製造工程中におけるドライプロセスにおいて、真空チャンバ内の微小なパーティクルが半導体ウェハ表面に付着して製品歩留りを低下させる不具合を低減できる製造方法及び製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、半導体装置の製造方法であって、次の３工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
（１）．プロセスチャンバにロードロックバルブを介して連設された集塵チャンバ内より、該ロードロックバルブを開いて静電チャックで構成した第１の集塵機構を電圧を供給した状態でプロセスチャンバ内へ挿入する第１工程。
（２）．第１工程によりプロセスチャンバ内に挿入した第１の集塵機構を、電圧を供給した状態で所定時間保持する第２工程。
（３）．第２工程の終了後、電圧を供給した状態で前記第１の集塵機構を前記集塵チャンバに戻して前記ロードロックバルブを閉じる第３工程。
【０００８】
このような工程を行なうことで、プロセスチャンバ内に浮遊あるいは付着したパーティクルは静電チャックに捕集されて集塵チャンバに持ち去られ、プロセスチャンバ内のパーティクルが減少して清浄度が向上する効果を奏する。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の３工程を実施した後に、更に次の３工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
（１）．前記第１の集塵機構への電圧供給を停止して該第１の集塵機構を静電チャックで構成した第２の集塵機構に挿入する第４工程。
（２）．前記挿入後、第２の集塵機構に電圧を所定時間供給する第５工程。
（３）．第５工程の終了後、前記第２の集塵機構に電圧を供給した状態で、前記第１の集塵機構を第２の集塵機構の外部に搬出する第６の工程。
【００１０】
このような工程を請求項１に記載の工程の後に実施することにより、プロセスチャンバ内で捕集したパーティクルを第２の集塵機構に再捕集させることができる。第１の集塵機構はパーティクルが除去されてクリーンになるので、集塵チャンバ内を大気圧に戻すこともなく、次のプロセスチャンバ内パーティクル集塵作業に備えることができる。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の方法を行なう製造装置であって、プロセスチャンバにロードロックバルブを介して連設した集塵チャンバと、静電チャックで構成した第１の集塵機構と、前記集塵チャンバ内に設置され、前記第１の集塵機構を保持して前記プロセスチャンバ内へ挿入し、所定時間保持し、戻す動作、及び前記集塵チャンバ内での搬送動作が可能なハンドリングアームと、前記第１の集塵機構に直流電圧を供給する直流電源装置とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１２】
このような装置を用いて請求項１に記載の方法を行なえば、請求項１に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の方法を行なう製造装置であって、請求項３に記載の製造装置に、さらに前記第１の集塵機構を収納して該第１の集塵機構に付着したパーティクルを捕集する静電チャックで構成した第２の集塵機構を前記集塵チャンバ内に設けるとともに、前記直流電源装置は前記第１と第２の集塵機構に電圧を切り換え供給できるように構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１４】
このような装置を用いて請求項２に記載の方法を行なえば、請求項２に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、静電チャックとして単極型静電チャックを使用することを特徴とするとする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法であり、それぞれの請求項に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明は、静電チャックとして単極型静電チャックを使用することを特徴とするとする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造装置であり、それぞれの請求項に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１７】
また、請求項７に記載の発明は、静電チャックとして双極型静電チャックを使用することを特徴とするとする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法であり、それぞれの請求項に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１８】
また、請求項８に記載の発明は、静電チャックとして双極型静電チャックを使用することを特徴とするとする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造装置であり、それぞれの請求項に記載の発明と同様の効果を奏することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施形態の製造装置の概略構成を示したものである。本装置はプロセスチャンバ１、集塵チャンバ２、プレパレーションチャンバ３とからなる。集塵チャンバ２とプレパレーションチャンバ３とは、それぞれロードロックバルブ４、５を介してプロセスチャンバ１に隣接して設けられている。各チャンバは、図示しない真空ポンプにより必要な真空度まで排気できる。
【００２０】
プロセスチャンバ１は、その内部において半導体ウェハに対して薄膜形成、ドライエッチング等のドライプロセスを行なうチャンバである。プレパレーションチャンバ３は、処理する半導体ウェハを真空状態に維持されたプロセスチャンバ１内に搬入、搬出するためのロードロック、アンロードロック用として、また半導体ウェハの前処理、後処理のためのチャンバとして機能する。内部には通常、大気ハンドリングアーム（図示しない）等の半導体ウェハ搬送装置を備える。また、外気との間にゲート６を備える。
【００２１】
集塵チャンバ２は、プロセスチャンバ１内に浮遊、付着するパーティクルを、静電気力を利用して吸着、除去するために必要な集塵用機器を収納するチャンバである。この集塵用機器としては、集塵チャンバ２内に設置される第１の集塵機構７、第２の集塵機構８、ハンドリングアーム９、集塵チャンバ２の外に設置される直流電源装置１０とがある。また、集塵チャンバ２は、外気との間にゲート１１を備える。
【００２２】
第１の集塵機構７は、プロセスチャンバ１内に挿入され、プロセスチャンバ１内に存在するパーティクルを静電気力を利用して捕集するための機構である。その構成は図２に示すように、互いに平行な３個の静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃとそれらを支持する絶縁性の支持プレート７ｄとにより構成される。静電チャックの個数は３個に限らない。但し、集塵効果を上げるためには個数を多く、各静電チャックの表面積を広く構成することが好ましい。
【００２３】
静電チャックは、通常、半導体ウェハを静電気力を利用して固定するために用いられるものであるが、発生する強力な電界により周辺に存在するパーティクルを分極させ、静電気力で吸引、捕集することができる。この静電チャックには、単極型と双極型とがある。図３に、単極型静電チャック１３の断面とパーティクル捕集原理を示す。単極型静電チャック１３は、セラミックスあるいは誘電体シートなどの絶縁物１３ａの内部に箔状あるいは膜状の一枚の電極１３ｂを埋め込んだ構成を有する。
【００２４】
このような単極型静電チャック１３を、例えばプロセスチャンバ１内に設置し、内部電極１３ｂと接地されたプロセスチャンバ１との間に例えば内部電極が正となるように直流高電圧を印加する。すると、絶縁体１３ａは分極して表面に正の分極電荷が生ずるとともに、電極１３ｂからプロセスチャンバ１の内壁に向けて強力な電界Ｅが発生する。この電界の中にパーティクル１４が存在すると、そのパーティクル１４は電界Ｅによって分極を起こす。即ち、パーティクル１４が誘電体であれば誘電分極により、また導電体であれば静電誘導により、電極１３ｂに面した側に負、その反対側に正の電荷が誘起される。生じた負の電荷には、電界Ｅにより電極１３ｂに向かう吸引力が、反対に正の電荷にはプロセスチャンバ１の内壁に向かう反発力が働く。しかし、電界Ｅによる電気力線は、電極１３ｂからプロセスチャンバ１の内壁に向かって広がっているため、電界強度は電極１３ｂから遠ざかるに従って弱くなる。このため、負の電荷に働く吸引力が正の電荷に働く反発力に勝り、パーティクル１４は、電極１３ｂに向かって移動し、ついには単極型静電チャック１３の表面に到達して絶縁体１３ａ表面の正の分極電荷との間の静電気力により吸着、捕集される。
【００２５】
図４には、双極型静電チャック１５の断面とパーティクル捕集原理を示す。双極型静電チャック１５は、絶縁物１５ａの内部に２個又は、３個以上の複数の電極１５ｂが埋め込まれた構造になっている。各電極１５ｂには、１個おきに異なる極性の直流高電圧が印加される。この場合、発生する電界Ｅの電気力線は、図中の点線に示したようになり、正電極から負電極に向かう強力な電界Ｅが生成される。この電界Ｅ中に存在するパーティクル１６は、電界Ｅにより分極して正電極側に負、負電極側に正の電荷を生ずる。そして、生じた正電荷は負電極側に、負電荷は正電極側に向かう吸引力を電界Ｅにより受けて次第に双極型静電チャック１５の表面に向けて移動し、ついには双極型静電チャック１５の表面に到達して静電気力により吸着、捕集される。
【００２６】
このような単極型静電チャック１３、双極型静電チャック１５により構成された第１の集塵機構７は、ハンドリングアーム９の先端グリップ部に固定されて搬送される。第１の集塵機構７を構成する静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃは、直流電源装置１０より可とうケーブル１２によって給電を受ける。
【００２７】
第２の集塵機構８は、第１の集塵機構７が捕集したパーティクルを再捕集し、集積するためのもので、図５に示すように平行な６個の静電チャック８ａ〜８ｆとそれらを支持する絶縁性の支持プレート８ｇとからなる。静電チャック８ａ〜８ｆは、後述するように第１の集塵機構７の静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃが、それぞれ第２の集塵機構８の静電チャック８ａと８ｂの間、８ｃと８ｄの間、８ｅと８ｆの間に、接触することなく一定の隙間をもって収まるように支持プレート８ｇに取り付けられている。
【００２８】
ハンドリングアーム９は多関節型のアームで、先端グリップ部に固定された第１の集塵機構７を水平面方向及び上下方向に搬送することができる。先端グリップ部は、第１の集塵機構７を水平回転させる自由度も有する。
【００２９】
直流電源装置１０は、一次側が低電圧交流電源に接続された変圧器と、その変圧器２次側の交流高電圧を整流する整流器とを用いて構成され、出力に高圧の直流電圧を生成させる。生成した直流高電圧は、第１の集塵機構７又は第２の集塵機構８に選択的に供給される。使用する静電チャックが双極型の場合には、正、負、双方の電圧が供給されるが、単極型静電チャックの場合には、正の電圧のみが供給され、負側は接地された集塵チャンバ２に接続される。
【００３０】
次に、このような装置構成の下で、プロセスチャンバ１内のパーティクルを捕集する動作について説明する。
プロセスチャンバ１内のパーティクルの集塵作業は、処理する半導体ウェハがプロセスチャンバ１内に搬入される前に行なう。まず、集塵チャンバ２内の真空度をプロセスチャンバ１内と同程度にまで、図示しない真空ポンプを使用して下げる。直流電源装置１０はＯＦＦした状態で、第１の集塵機構７をハンドリングアーム９により待機位置に保持させる。この待機位置は、第２の集塵機構８と重ならない位置である。
【００３１】
真空度が十分に低下した後、直流電源装置１０をＯＮし第１の集塵機構７に可とうケーブル１２を介して生成した直流高電圧を供給する。次に集塵チャンバ２とプロセスチャンバ１間のロードロックバルブ４を開ける。そして、第１の集塵機構７を、給電した状態でハンドリングアーム９によりプロセスチャンバ１内に挿入する。挿入後の状態を図６、図７に示す。図６は装置内の平面的な状態を、図７は、プロセスチャンバ１内を側面から見た状態を示す。図７中における１７ａ、１７ｂは、プロセスチャンバ１の内壁に固定されたプラズマ放電のための電極、半導体ウェハ支持ホルダ、スパッタリングのためのターゲット等の治具、材料（以下、治具類という）を表している。第１の集塵機構７の静電チャック７ａ、７ｂは、それぞれ治具類１７ａ、１７ｂに狭い隙間を隔てて対向する位置に、ハンドリングアーム９により位置決めされ得るよう、その形状、取り付け位置が設計されている。
【００３２】
第１の集塵機構７を給電したままこのような状態に暫く保持すると、前述したパーティクル捕集原理に従い、静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃが生ずる電界中に存在するパーティクルは分極を生じ、静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃの表面に吸着、捕集される。この場合、静電チャック７ａ、７ｃが単極型静電チャック１３の場合には、パーティクルが分極して捕集される以外に帯電して捕集される機構も働く。即ち、図８に示すように、単極型静電チャック１３の電極１３ｂに正電圧を印加し、治具類１７ａが接地されていると、治具類１７ａの表面には負の電荷が生ずる。治具類１７ａの表面に付着しているパーティクル１８は、治具類１７ａより負の電荷を受け取って負に帯電する。負に帯電したパーティクル１８は、電極１３ｂから治具類１７ａに向かう強力な電界Ｅにより電極１３ｂに向かう力を受ける。この力が、パーティクル１８の治具類１７ａ表面への付着力より勝ると、パーティクル１８は治具類１７ａの表面を離れて移動し、単極型静電チャック１３の絶縁体１３ａの表面に負に帯電した状態で付着、捕集される。
【００３３】
このように集塵機構７に高圧の直流電圧を供給した状態で所定時間保持することで、プロセスチャンバ１内の浮遊パーティクル、及び治具類１７ａ、１７ｂの表面に付着していたパーティクルは、集塵機構７の表面に吸着、捕集される。
【００３４】
こうしてパーティクルの捕集を終えたら次に、電圧を印加したまま第１の集塵機構７をハンドリングアーム９で集塵チャンバ２内の元の待機位置に戻す。そしてロードロックバルブ４を閉じることで、プロセスチャンバ１内のパーティクル集塵作業が完了する。このような一連の工程により、プロセスチャンバ１内のパーティクルは、捕集されて集塵チャンバ２内に運び去られ、プロセスチャンバ１内の清浄度が向上する効果がもたらされる。
【００３５】
この後は、ロードロックバルブ５を開いてプレパレーションチャンバ３より処理する半導体ウェハをプロセスチャンバ１に搬入し、清浄な雰囲気の中で目的とするドライプロセスを実施する。
【００３６】
次に、集塵チャンバ２内の待機位置に戻した第１の集塵機構７の、その後の処置について説明する。ロードロックバルブ４が閉じた後、直流電源装置１０をＯＦＦして、第１の集塵機構７への電圧供給を停止する。プロセスチャンバ１内に存在していたパーティクルの量は通常、極僅かである。従って、プロセスチャンバ１内の１回の集塵作業により第１の集塵機構７に捕集されるパーティクルの量も僅かである。このため、集塵チャンバ２内に戻した第１の集塵機構７は、そのまま待機位置で待機させ、次回の半導体ウェハの処理前に前述した操作手順に従い、再びプロセスチャンバ１内のパーティクル集塵作業を行なわせることもできる。そのような集塵作業を数回繰り返し、第１の集塵機構７へのパーティクル付着量がある程度の量になった段階で集塵チャンバ２を大気圧に戻す。そして外気との間のゲート１１を開いて、第１の集塵機構７を清浄な別の集塵機構と交換して、次の集塵作業に備えるという作業方法も可能である。
【００３７】
しかし、好ましくは１回集塵作業を終える毎に、付着したパーティクルを集塵チャンバ２内で第１の集塵機構７から除去し、次回の集塵作業に備えることである。これを実現するため集塵チャンバ２内の待機位置に戻して、電圧供給を停止した後、第１の集塵機構７をハンドリングアーム９により第２の集塵機構８内に挿入する。挿入後の状態を図９、図１０に示す。図９は装置内の平面的な状態を、図１０は、第１の集塵機構７を第２の集塵機構８の中に挿入したときの、側面から見た状態を示す。第１の集塵機構７の３個の静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃが、第２の集塵機構８の静電チャック８ａ〜８ｆの間に、僅かの隙間を隔てて保持されるようにする。
【００３８】
このように位置決めした状態で、直流電源装置１０から第２の集塵機構８に給電する。すると、給電を絶たれた第１の集塵機構７の表面に捕集されていたパーティクルは、第２の集塵機構８の静電チャック８ａ〜８ｆが生ずる電界によって分極を生じ、前述したパーティクル捕集原理に従い、第２の集塵機構８の静電チャック８ａ〜８ｆの表面に捕集される。またこのとき、静電チャック８ａ〜８ｆが単極型静電チャック１３である場合には、先にプロセスチャンバ１内で負に帯電して第１の集塵機構７の表面に捕集された荷電パーティクルは、正の電圧が印加された静電チャック８ａ〜８ｆの生ずる電界によって静電チャック８ａ〜８ｆの表面に引き寄せられ捕集される機構も働く。
【００３９】
このようにして第１の集塵機構７の表面に付着していたパーティクルは、第２の集塵機構８の表面に再捕集される。再捕集が終了したならば、パーティクルが除去された第１の集塵機構７を、第２の集塵機構８の外に取り出し、最初の待機位置に戻してプロセスチャンバ１内の次の集塵作業に備えさせる。このような一連の集塵作業を複数回繰り返し、第２の集塵機構８が捕集したパーティクルの量が増加した段階で、集塵チャンバ１内を大気圧に戻して外気との間のゲート１１を開き、第２の集塵機構８を清浄な別の集塵機構と交換する。取り外した集塵機構は薬品でのクリーニングや機械的なブラシ洗浄により清浄化して、次の交換に備える。
【００４０】
以上説明したように本実施形態によれば、静電チャック７ａ、７ｂ、７ｃで構成した第１の集塵機構７を、給電した状態でプロセスチャンバ１内に所定時間保持することにより、プロセスチャンバ１内に浮遊又は付着したパーティクルが捕集される。捕集されたパーティクルは、第１の集塵機構７に付着した状態でハンドリングアーム９により集塵チャンバ２に運び去られる。これにより、プロセスチャンバ１内のパーティクルは減少して清浄度が向上し、パーティクルの少ないドライプロセスが実行可能となる。
【００４１】
また、第１の集塵機構７に付着して集塵チャンバ２に運ばれたパーティクルは、再捕集によって第２の集塵機構８に移しかえられる。従って、第１の集塵機構７は、パーティクルが除去されて清浄な状態に戻り、次の集塵作業に備えることができる。これにより、集塵チャンバ２の真空度を保持した状態でプロセスチャンバ１内の集塵作業を複数回実施することが可能となり、作業性が良くなる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である製造装置の待機状態における内部平面図である。
【図２】第１の集塵機構７の斜視図である。
【図３】単極型静電チャック１３の構成及びパーティクル捕集原理を示す図である。
【図４】双極型静電チャック１５の構成及びパーティクル捕集原理を示す図である。
【図５】第２の集塵機構８の斜視図である。
【図６】プロセスチャンバ１内のパーティクル集塵状態における内部平面図である。
【図７】プロセスチャンバ１内のパーティクル集塵状態におけるプロセスチャンバ１内部の側面図である。
【図８】単極型静電チャック１３による荷電パーティクル捕集原理を示す図である。
【図９】第１の集塵機構７に付着したパーティクルを第２の集塵機構８に移す状態における製造装置内部平面図である。
【図１０】第１の集塵機構７に付着したパーティクルを第２の集塵機構８に移す状態における第１の集塵機構７と第２の集塵機構８の位置関係を示す側面図である。
【符号の説明】
図面中、１はプロセスチャンバ、２は集塵チャンバ、３はプレパレーションチャンバ、４、５はロードロックバルブ、７は第１の集塵機構、７ａ〜７ｃ、８ａ〜８ｆは静電チャック、８は第２の集塵機構、９はハンドリングアーム、１０は直流電源装置、１３は単極型静電チャック、１５は双極型静電チャックを示す。

Claims

半導体装置の製造方法であって、
プロセスチャンバにロードロックバルブを介して連設された集塵チャンバ内より、該ロードロックバルブを開いて静電チャックで構成した第１の集塵機構を電圧を供給した状態で前記プロセスチャンバ内へ挿入する第１工程と、
該第１工程により前記プロセスチャンバ内に挿入した前記第１の集塵機構を、電圧を供給した状態で所定時間保持する第２工程と、
該第２工程の終了後、電圧を供給した状態で前記第１の集塵機構を前記集塵チャンバに戻して前記ロードロックバルブを閉じる第３工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第１工程、第２工程、第３工程を終了した後に、
前記第１の集塵機構への電圧供給を停止して該第１の集塵機構を静電チャックで構成した第２の集塵機構に挿入する第４工程と、
挿入後、該第２の集塵機構に電圧を所定時間供給する第５工程と、
該第５工程の終了後、前記第２の集塵機構に電圧を供給した状態で、前記第１の集塵機構を第２の集塵機構の外部に搬出する第６の工程と、
を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の方法を行なう製造装置であって、
プロセスチャンバにロードロックバルブを介して連設した集塵チャンバと、
静電チャックで構成した第１の集塵機構と、
前記集塵チャンバ内に設置され、前記第１の集塵機構を保持して前記プロセスチャンバ内へ挿入し、所定時間保持し、戻す動作、及び前記集塵チャンバ内での搬送動作が可能なハンドリングアームと、
前記第１の集塵機構に直流電圧を供給する直流電源装置と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
請求項２に記載の方法を行なう製造装置であって、
請求項３に記載の製造装置に、さらに前記第１の集塵機構を収納して該第１の集塵機構に付着したパーティクルを捕集する静電チャックで構成した第２の集塵機構を前記集塵チャンバ内に設けるとともに、前記直流電源装置は前記第１と第２の集塵機構に直流電圧を切り換え供給できるように構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
前記静電チャックは、単極型静電チャックであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
前記静電チャックは、単極型静電チャックであることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造装置。
前記静電チャックは、双極型静電チャックであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
前記静電チャックは、双極型静電チャックであることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造装置。