KR20230117537A - 기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법 Download PDF

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KR20230117537A
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히로시 나가이케
나오키 사토
마사토 오바라
히데유키 오사다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 파티클을 효율적으로 제거하는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단] 파티클 제거 동작은, 대전된 적어도 하나의 대전 부재를 적어도 하나의 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 진공 반송 모듈, 기판 처리 모듈, 로드록 모듈 및 대기 반송 모듈 중 어느 하나의 내부에서 반송하는 공정을 갖는다.

Description

기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND PARTICLE REMOVAL METHOD}
이하의 개시는 기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1은, 펠티에 소자 등의 냉각 흡착부를 내장한 보호 부재를 챔버 내의 스테이지의 상면을 덮도록 배치하고, 냉각 흡착부에 의해 보호 부재를 냉각하면서, 진공 흡인을 실행하여 파티클을 포집하는 기술을 개시한다.
일본 특허 공개 제 2010-103443 호 공보
본 개시는 파티클을 효율적으로 제거하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 시스템은 진공 반송 모듈과, 기판 처리 모듈과, 대기 반송 모듈과, 로드록 모듈과, 적어도 하나의 기판 반송 로봇과, 제어부를 구비한다. 기판 처리 모듈은 진공 반송 모듈에 접속되고, 감압 환경 하에서 기판을 처리하도록 구성된다. 로드록 모듈은 내부가 감압 환경과 대기압 환경으로 전환 가능하게 되고, 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈에 접속되고, 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈 사이에서 기판을 중계한다. 적어도 하나의 기판 반송 로봇은 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 내부에 배치되고, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 포함한다. 제어부는 파티클 제거 동작을 제어하도록 구성된다. 파티클 제거 동작은, 대전된 적어도 하나의 대전 부재를 적어도 하나의 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 진공 반송 모듈, 기판 처리 모듈, 로드록 모듈 및 대기 반송 모듈 중 어느 하나의 내부에서 반송하는 공정을 갖는다.
본 개시에 의하면, 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다라는 효과를 나타낸다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2a는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2b는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3a는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3b는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3c는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3d는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3e는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3f는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6a는 실시형태에 따른 클리닝 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6b는 실시형태에 따른 클리닝 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7a는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7b는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 파티클 제거 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 10a는 파티클의 제거 결과의 일례를 나타낸 도면이다.
도 10b는 파티클의 제거 결과의 일례를 나타낸 도면이다.
도 11a는 인가 전압을 변경했을 경우의 파티클의 포집 효율의 변화의 일례를 나타낸 도면이다.
도 11b는 인가 전압을 변경했을 경우의 파티클의 포집 효율의 변화의 일례를 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해, 개시하는 기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법이 한정되는 것은 아니다.
그런데, 기판 처리 시스템은, 시동 시나 유지보수 시에, 내부를 대기 개방하여 작업을 실시하면, 이물의 침입에 의해 파티클이 발생하는 경우가 있다. 예를 들면, 기판 처리 시스템은, 내부를 대기 개방하여 작업을 실시하면, 대기중의 수분이 내벽에 부착하고 수분이 잔류하여, 2차 생성물인 수화물이 발생하는 것에 의해, 파티클이 발생하는 경우가 있다. 또한, 기판 처리 시스템은, 사용 기간이 길어지면, 생성된 부착물, 부착 가스 등의 영향으로 파티클이 발생하는 경우가 있다.
종래, 기판 처리 시스템에서는, 더미의 실리콘 웨이퍼(이하, 더미 웨이퍼라고도 칭함)를 내부로 반복하여 반송해서, 더미 웨이퍼에 파티클을 부착시켜서 파티클을 제거하는 수법이 실시되고 있다. 이러한 종래의 수법에서도 일정한 클리닝 효과는 얻어지지만, 자유 낙하에 의한 것이 우연히 더미 웨이퍼에 실렸을 뿐이어서, 파티클의 제거 효율이 낮다.
그래서, 파티클을 효율적으로 제거하는 기술이 기대되고 있다.
(실시형태)
(기판 처리 시스템(1))
다음에, 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 기판 처리 시스템(1)은 복수의 진공 처리실(이하, 프로세스 모듈이라고도 칭함)(PM1 내지 PM8)과, 진공 반송실(10)과, 상압 반송실(20)을 구비한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 복수의 로드록 모듈(LLM1, LLM2)과, 복수의 로드 포트(LP1 내지 LP5)와, 제어 장치(30)를 더 구비한다.
또한, 도 1의 예에 있어서는, 8개의 프로세스 모듈(PM1 내지 PM8)과, 2개의 로드록 모듈(LLM1, LLM2)과, 5개의 로드 포트(LP1 내지 LP5)를 나타낸다. 다만, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈(LLM), 로드 포트(LP)의 수는 도시하는 것에 한정되지 않는다. 이하, 특별히 구별할 필요가 없는 경우에는, 8개의 프로세스 모듈(PM1 내지 PM8)은 총칭하여 프로세스 모듈(PM)이라고 부른다. 마찬가지로, 2개의 로드록 모듈(LLM1, LLM2)은 총칭하여 로드록 모듈(LLM)이라고 부른다. 또한 마찬가지로, 5개의 로드 포트(LP1 내지 LP5)는 총칭하여 로드 포트(LP)라고 부른다. 또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 적어도 2개의 로드록 모듈(LLM)을 구비한다.
프로세스 모듈(PM)은, 기밀하게 구성되고 배기 기구에 의해 내부를 배기하는 것에 의해, 내부를 감압 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 프로세스 모듈(PM)은, 내부를 기판 처리에 적절한 소정의 감압 상태로 한 감압 분위기에 있어서, 기판(W)에 대해서, 예를 들면 에칭, 성막 등의 기판 처리를 실행한다. 기판(W)은 예를 들면 반도체 웨이퍼이다. 프로세스 모듈(PM)은 각각 내부에, 기판(W)을 지지하는 스테이지(ST)를 구비한다. 프로세스 모듈(PM) 내는 기판 처리 중, 감압 분위기로 유지된다. 프로세스 모듈(PM)은 각각 개폐 가능한 게이트 밸브(GV)를 거쳐서 진공 반송실(10)에 접속한다.
진공 반송실(10)은, 기밀하게 구성되고 배기 기구에 의해 내부를 배기하는 것에 의해, 내부를 감압 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 진공 반송실(10)은, 소정의 감압 상태로 한 감압 분위기에 있어서, 기판(W)의 반송을 실시한다. 예를 들면, 진공 반송실(10)은 기판(W)을 반송하기 위한 제 1 반송 기구(15)가 내부에 배치된다. 제 1 반송 기구(15)는 신축 가능한 로봇 아암을 갖는다. 제 1 반송 기구(15)는 적어도 하나가 진공 반송실(10) 내에 배치되고, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 포함한다. 본 실시형태에 따른 제 1 반송 기구(15)는 개별적으로 동작 가능한 제 1 아암(15a)과 제 2 아암(15b)을 갖는다. 제 1 아암(15a)과 제 2 아암(15b)은 각각 선단에 대략 U자형상의 픽을 갖고, 각각 기판(W)을 보지 가능하게 되어 있다. 제 1 반송 기구(15)는 로봇 아암을 신축시켜서 프로세스 모듈(PM1 내지 PM8) 및 로드록 모듈(LLM1, LLM2)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 기판(W)은 진공 반송실(10)을 거쳐서 각 프로세스 모듈(PM)로 반송된다. 프로세스 모듈(PM) 내에서 처리된 기판(W)은 진공 반송실(10)을 거쳐서 다음에 처리가 실행되는 프로세스 모듈(PM)로 반송될 수 있다. 모든 처리가 종료된 기판(W)은 진공 반송실(10)을 거쳐서 로드록 모듈(LLM)로 반송된다.
로드록 모듈(LLM)은 기밀하게 구성되고, 배기 기구에 의해 내부를 대기 분위기와 감압 분위기로 전환하는 것이 가능하게 되어 있다. 로드록 모듈(LLM)은 프로세스 모듈(PM)이 배치되어 있지 않은 진공 반송실(10)의 한 변을 따라서 나란히 배치된다. 로드록 모듈(LLM)과 진공 반송실(10)은 게이트 밸브(GV)를 거쳐서 내부가 연통 가능하게 구성되어 있다. 로드록 모듈(LLM)은, 진공 반송실(10)에 접속되는 측과 반대측에 있어서, 상압 반송실(20)에 접속된다. 로드록 모듈(LLM)과 상압 반송실(20) 사이는 게이트 밸브(GV)를 거쳐서 각각의 내부가 연통 가능하게 구성되어 있다.
상압 반송실(20)은 내부가 상압 분위기로 유지된다. 상압 반송실(20)의 일방측에 복수의 로드록 모듈(LLM)이 병설되어 있다. 또한, 상압 반송실(20)의 타방측에 복수의 로드 포트(LP)가 병설되어 있다. 상압 반송실(20)은 로드록 모듈(LLM)과 로드 포트(LP) 사이에서 반송물을 반송하기 위한 제 2 반송 기구(25)가 내부에 배치된다. 제 2 반송 기구(25)는 아암(25a)을 갖는다. 아암(25a)은 기대(25d) 상에 회전 가능하게 고정되어 있다. 기대(25d)는 로드 포트(LP3) 근방에 고정된다. 아암(25a)의 선단에는 대략 U자형상의 제 1 픽(27a)과 제 2 픽(27b)이 회전 가능하게 접속한다. 본 실시형태에서는, 제 1 반송 기구(15) 및 제 2 반송 기구(25)가 본 개시의 기판 반송 로봇에 대응한다. 또한, 제 1 아암(15a)의 픽, 제 2 아암(15b)의 픽, 제 1 픽(27a) 및 제 2 픽(27b)이 본 개시의 엔드 이펙터에 대응한다.
로드 포트(LP)는 기판(W)을 수용하는 보관 용기(이하, Front Opening Unified Pod(FOUP)라고도 부름)를 장착 가능하게 형성된다. FOUP은 기판(W)을 수용 가능한 보관 용기이다. FOUP은 개폐 가능한 덮개(도시되지 않음)를 갖는다. FOUP가 로드 포트(LP)에 설치되면, FOUP의 덮개와 로드 포트(LP)의 도어가 결합한다. 그러한 상태로, 로드 포트(LP)의 도어를 개방함으로써 도어와 함께 FOUP의 덮개가 이동하여 FOUP이 개방되고, 로드 포트(LP)를 거쳐서 FOUP 내부와 상압 반송실(20)이 연통한다.
상기와 같이 구성된 프로세스 모듈(PM), 진공 반송실(10), 제 1 반송 기구(15), 로드록 모듈(LLM), 상압 반송실(20), 제 2 반송 기구(25), 로드 포트(LP)는 각각 제어 장치(30)와 접속되고, 제어 장치(30)로 제어된다.
제어 장치(30)는 컴퓨터 등의 정보 처리 장치이다. 제어 장치(30)는 기판 처리 시스템(1)의 각부를 제어한다. 제어 장치(30)의 구체적인 구성 및 기능은 특별히 한정되지 않는다. 제어 장치(30)는, 예를 들면 기억부(31), 처리부(32), 입출력 인터페이스(IO I/F)(33) 및 표시부(34)를 구비한다. 기억부(31)는, 예를 들면 하드 디스크, 광 디스크, 반도체 메모리 소자 등의 임의의 기억 장치이다. 처리부(32)는, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit), MPU(Micro Processing Unit) 등의 프로세서이다. 표시부(34)는, 예를 들면 액정 화면이나 터치 패널 등, 정보를 표시하는 기능부이다. 처리부(32)는, 기억부(31)에 저장된 프로그램이나 레시피를 판독하여 실행하는 것에 의해, 입출력 인터페이스(33)를 거쳐서 기판 처리 시스템(1)의 각부를 제어한다.
그런데, 기판 처리 시스템(1)은, 시동 시나 유지보수 시에, 프로세스 모듈(PM)이나 진공 반송실(10) 등의 내부를 대기 개방하여 작업을 실시하면, 이물의 침입에 의해 파티클이 발생하는 경우가 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 사용 기간이 길어지면, 생성된 부착물, 부착 가스 등의 영향으로 파티클이 발생하는 경우가 있다.
종래, 기판 처리 시스템에서는, 더미 웨이퍼를 내부로 반복하여 반송해서, 더미 웨이퍼에 파티클을 부착시켜서 파티클을 제거하는 수법이 실시되고 있다. 그러나, 종래의 수법은, 자유 낙하에 의한 것이 우연히 더미 웨이퍼에 실렸을 뿐이어서, 파티클의 제거 효율이 낮다. 예를 들면, 진공 반송실(10)이나, 로드록 모듈(LLM), 상압 반송실(20)의 내부의 파티클은, 프로세스 모듈(PM)과 달리, 상부, 내벽으로부터 낙하하는 타입이 많은 경향이 있다. 이러한 파티클은 장시간에 걸쳐서 연속되고, 그대로 하부나 제 1 반송 기구(15), 제 2 반송 기구(25) 등의 표면 등에 축적되어, 2차적, 3차적으로 기판(W) 표면의 오염으로 이어지는 경우가 있다.
그런데, 파티클은, 특별히 적극적인 전하 부여를 실행하지 않아도, 통상, 정부(正負) 중 어느 하나의 전하를 갖고 있는 것이 많다.
그래서, 본 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)의 내부로 대전된 적어도 하나의 대전 부재를 반송하고, 내부에 대전 부재를 체류 혹은 이동시켜서, 파티클을 정전기력에 의해 대전 부재의 표면에 부착시킴으로써 파티클의 집진을 실행한다. 그리고, 파티클을 부착시킨 상태의 대전 부재를 외부로 반출함으로써, 기판 처리 시스템(1)의 내부의 청정도를 향상시킨다.
대전 부재는 대전 가능한 구성의 것이면 어느 것이라도 좋다. 대전 부재는 기판(W)과 마찬가지의 형상으로 하는 것이 바람직하다. 대전 부재는, 기판(W)과 마찬가지의 형상으로 함으로써, 제 1 반송 기구(15)나 제 2 반송 기구(25) 등의 기판(W)을 반송하는 반송계에 의해, 기판(W)과 마찬가지로 반송할 수 있다. 예를 들면, 대전 부재로서는, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼의 표면에 절연막을 성막한 것이나, 혹은 반도체 웨이퍼의 표면에 전용으로 유전체를 제막(製膜)한 것 등을 이용할 수 있다. 대전 부재는 전압 인가나 그 외의 수법으로 표면에 전하를 부여하여, 대전시킴으로써 클리닝 기능을 발현시킬 수 있다. 이하에서는, 대전 부재를, 기판(W)과 마찬가지의 형상으로 했을 경우를 설명한다.
도 2a 및 도 2b는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다. 도 2a 및 도 2b에서는, 대전 부재를, 상면에 절연막(51)이 형성된 클리닝용의 반도체 웨이퍼(CW)(이하, 클리닝 웨이퍼라고 칭함)로 했을 경우를 나타내고 있다. 클리닝 웨이퍼(CW)는, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 상면(상측의 표면)을 플러스로 대전시킴으로써, 마이너스의 파티클(60a)을 전기적으로 흡착할 수 있다. 또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 상면을 마이너스로 대전시킴으로써, 플러스의 파티클(60b)을 전기적으로 흡착할 수 있다. 또한, 클리닝 웨이퍼(CW)의 상면에 절연막(51)이 형성되는 경우를 예로서 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 하면(하측의 표면)에 절연막(51)이 형성되어 있어도 좋고, 상면 및 하면에 절연막(51)이 형성되어 있어도 좋으며, 상면, 하면, 측면에 절연막(51)이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 대전 부재는 표면이 대전 가능한 구성이면 어떠한 구성이어도 좋다.
도 3a 내지 도 3f는 실시형태에 따른 대전 부재를 대전시키는 대전 수법의 일례를 나타내는 도면이다. 도 3a 내지 도 3f에는, 대전 부재로서 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 대전 수법을 나타내고 있다. 도 3a에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)의 기판에 플러스 또는 마이너스의 전압을 인가하여 표면을 대전시키고 있다. 도 3b에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)에 이온이나 전자를 조사하여 표면을 대전시키고 있다. 도 3c에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)에 X선을 조사하여 표면을 대전시키고 있다. 도 3d에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)에 가스를 분사하여, 가스와의 마찰로 표면을 대전시키고 있다. 도 3e에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)의 표면을 물체(71)로 마찰함으로써 표면을 대전시키고 있다. 도 3f에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)의 표면에 도전성의 막(52)이 형성되고, 전원(53)이 마련되어 있다. 도 3f에서는, 도전성의 막(52)에 전원(53)으로부터 전압을 인가하여 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키고 있다. 또한, 도 3f에서는, 제 1 반송 기구(15)나 제 2 반송 기구(25) 등의 반송계로부터 전력을 공급하여 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시켜도 좋다.
클리닝 웨이퍼(CW)는 기판 처리 시스템(1)의 외부에서 대전시켜도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)의 외부에서 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 FOUP에 격납하여 로드 포트(LP)에 세팅한다. 기판 처리 시스템(1)은 FOUP으로부터 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 취출하고, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에 체류 혹은 이동시켜서 파티클의 집진을 실행한다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)은, 집진 후의 파티클이 부착된 클리닝 웨이퍼(CW)를 FOUP으로 복귀시킴으로써, 기판 처리 시스템(1)의 내부를 클리닝한다.
또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 기판 처리 시스템(1)의 내부에서 대전시켜도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)의 제 1 반송 기구(15)의 제 1 아암(15a) 및 제 2 아암(15b)의 픽이나, 제 2 반송 기구(25)의 제 1 픽(27a)과 제 2 픽(27b)에 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 전원부를 마련해도 좋다. 또한, 예를 들면 기판 처리 시스템(1)의 내부에, 도 3a 내지 도 3e의 대전 수법에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 것이 가능한 대전 기구를 마련해도 좋다.
도 4는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4에서는, 진공 반송실(10)에 설치된 제 1 반송 기구(15)의 제 1 아암(15a)의 픽에 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 전원부(15a1)를 마련했을 경우를 나타내고 있다. 클리닝 웨이퍼(CW)는 전원부(15a1)와 접촉하는 부분에 단자 등의 도전부가 마련되어 있다. 전원부(15a1)는 제 1 아암(15a)의 내부를 거쳐서 전력이 공급되고 있다. 전원부(15a1)는 클리닝 웨이퍼(CW)의 도전부에 플러스 또는 마이너스의 전압을 인가하는 것에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 플러스 또는 마이너스로 대전시킨다.
도 5는 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5에서는, 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 것이 가능한 대전 기구(70)를 로드록 모듈(LLM)에 마련했을 경우를 나타내고 있다. 대전 기구(70)는, 예를 들면 도 3a 내지 도 3f 중 어느 하나의 대전 수법에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 대전 기구(70)는 진공 반송실(10)이나, 상압 반송실(20), 로드 포트(LP)의 내부에 마련해도 좋고, FOUP에 마련되어도 좋다.
기판 처리 시스템(1)은 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에 체류 혹은 이동시켜서 파티클의 집진을 실행한다. 도 5는 진공 반송실(10)의 내부의 프로세스 모듈(PM)과 접속된 내측면을 따라서 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 이동시켰을 경우를 나타내고 있다. 이것에 의해, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)에 의해, 프로세스 모듈(PM)로부터 침입하는 파티클을 수집할 수 있다. 기판 처리 시스템(1)은 대전된 복수의 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에 체류 혹은 이동시켜서 파티클의 집진을 실행해도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 제 1 아암(15a)의 픽 및 제 2 아암(15b)의 픽 상에 각각 탑재하고 있는 상태로, 진공 반송실(10)의 내부의 프로세스 모듈(PM)과 접속된 내측면을 따라서 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 이동시킨다. 이것에 의해, 대전된 복수의 클리닝 웨이퍼(CW)에 의해, 파티클을 신속하게 수집할 수 있다.
대전된 클리닝 웨이퍼(CW)의 이동 경로는 어떠한 경로에 있어도 좋고, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)가 내부를 망라하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에서 복수 회 주회시켜도 좋다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를, 내부를 망라적으로 이동시켜도 좋다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 기판(W)에 추종시켜서 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 이동시켜도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 기판(W)의 주위로 주회시켜도 좋다. 도 6a 및 도 6b는 실시형태에 따른 클리닝 웨이퍼(CW)의 이동 경로의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6a는 진공 반송실(10)의 내부에서, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 복수 회 주회시켰을 경우를 나타내고 있다. 도 6b는 프로세스 모듈(PM)에 의해 기판 처리된 기판(W) 주위로, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 주회시켰을 경우를 나타내고 있다.
기판 처리 시스템(1)은 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부의 복수의 위치 중 어느 하나의 위치에 제 1 기간 동안 유지해도 좋다. 제 1 기간은 10분 이상으로 하는 것이 바람직하다. 클리닝 웨이퍼(CW)의 반송을 정지하여 유지함으로써, 정전기력에 의해 주위의 파티클을 클리닝 웨이퍼(CW)에 흡착시킬 수 있다. 예를 들면, 도 5 및 도 6a의 경우, 각 프로세스 모듈(PM)과의 접속 개소 부근에서 반송을 일시 정지시키고, 제 1 기간 동안 유지해도 좋다.
클리닝 웨이퍼(CW)는 플러스 및 마이너스로 각각 대전되는 대전 영역이 표면에 마련되어도 좋다. 또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 플러스 및 마이너스 중 어느 하나에 대전 가능한 대전 영역이 표면에 마련되어도 좋다. 클리닝 웨이퍼(CW)는 측면이나 하면에 절연막(51)을 마련하여 표면을 대전시킴으로써, 반송계의 저부나 측부에 부유하는 파티클이나, 스테이지(ST) 등의 기판(W)을 탑재하는 탑재 부에 부착되어 있는 파티클을 효율적으로 포집할 수 있다.
도 7a는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7a는 클리닝 웨이퍼(CW)의 상면에 플러스로 대전되는 대전 영역(54a)과, 마이너스로 대전되는 대전 영역(54b)을 마련했을 경우를 나타내고 있다. 대전 영역(54a)은, 플러스로 대전함으로써, 마이너스의 파티클(60a)을 전기적으로 흡착할 수 있다. 대전 영역(54b)은, 마이너스로 대전함으로써, 플러스의 파티클(60b)을 전기적으로 흡착할 수 있다. 클리닝 웨이퍼(CW)에는, 대전 영역(54a, 54b)이 복수 마련되어도 좋다.
도 7b는 실시형태에 따른 대전 부재의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7b는 클리닝 웨이퍼(CW)의 상면에 플러스로 대전되는 대전 영역(54a)을 마련하고, 클리닝 웨이퍼(CW)의 하면에 마이너스로 대전되는 대전 영역(54b)을 마련했을 경우를 나타내고 있다. 도 7b에 나타내는 클리닝 웨이퍼(CW)는 상면의 대전 영역(54a)에 의해 마이너스의 파티클(60a)을 전기적으로 흡착하고, 하면의 대전 영역(54b)에 의해 플러스의 파티클(60b)을 전기적으로 흡착한다. 또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 마이너스로 대전되는 대전 영역(54b)을 상면에 마련하고, 플러스로 대전되는 대전 영역(54a)을 하면에 마련해도 좋다.
기판 처리 시스템(1)은 표면의 대전 영역을 플러스 및 마이너스로 각각 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에 체류 혹은 이동시켜서 플러스 및 마이너스의 파티클을 한번에 집진해도 좋다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 표면의 대전 영역을 플러스로 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)와, 표면의 대전 영역을 마이너스로 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 동시에 내부에 체류 혹은 이동시켜서 플러스 및 마이너스의 파티클을 한번에 집진해도 좋다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 표면의 대전 영역을 플러스로 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)와, 표면의 대전 영역을 마이너스로 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 개별적으로 내부에 체류 혹은 이동시켜서 플러스 및 마이너스의 파티클을 개별적으로 집진해도 좋다.
파티클은 자외선이나 X선을 조사하거나, 코로나 방전에 의해 대전된다. 그래서, 기판 처리 시스템(1)은 내부의 파티클을 적극적으로 대전시켜도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은 자외선이나 X선을 조사하거나 코로나 방전에 의해 파티클을 대전시키는 것이 가능한 파티클 대전 기구를 내부에 마련해도 좋다.
도 8은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8에서는, 진공 반송실(10)의 내부에, 파티클 대전 기구로서 자외선을 조사하는 조사부(80)를 마련했을 경우를 나타내고 있다. 파티클(60)은 조사부(80)로부터 조사되는 자외선에 의해 플러스 또는 마이너스로 대전된다. 이와 같이, 파티클(60)을 강제적으로 대전시키는 것에 의해, 파티클(60)이 클리닝 웨이퍼(CW)와 흡착하는 정전기력을 높일 수 있다. 이것에 의해, 높은 집진 효과를 얻는 것이 가능해진다. 또한, 넓은 범위를 단시간에 클리닝하는 것이 가능해진다. 또한, 조사부(80) 등의 파티클 대전 기구는 상압 반송실(20)이나, 각 프로세스 모듈(PM), 로드 포트(LP)의 내부에 마련해도 좋다.
클리닝 웨이퍼(CW)는, 흡착한 파티클을 제거함으로써, 재이용이 가능하다. 클리닝 웨이퍼(CW)는, 정부의 전하를 교호로 인가하여 파티클과의 사이에 척력을 작용시키면서, 가스 블로우 및 진공 배기함으로써, 흡착한 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 가열 혹은 고주파 플라즈마를 생성하는 것에 의해서도, 파티클을 제거할 수 있다. 클리닝 웨이퍼(CW)로부터의 파티클의 제거는 기판 처리 시스템(1)의 외부에서 실시해도 좋고, 기판 처리 시스템(1)의 내부에서 실시해도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은, 도 5의 구성의 경우, 로드록 모듈(LLM)에 있어서, 대전 기구(70)(파티클 제거 기구)에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 정부로 교호로 대전시키면서, 가스 블로우 및 배기를 실행하여 클리닝 웨이퍼(CW)로부터 파티클을 제거해도 좋다.
(파티클 제거 방법)
도 9는 실시형태에 따른 파티클 제거 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 실시형태에 따른 파티클 제거 방법의 처리는, 예를 들면 클리닝 웨이퍼(CW)를 격납한 FOUP가 로드 포트(LP)에 세팅되고, 제어 장치(30)에 있어서 파티클의 제거를 지시하는 소정의 조작을 실행했을 경우, 실시된다.
적어도 하나의 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시킨다(단계 S10). 예를 들면, 제어 장치(30)는 제 1 반송 기구(15)나 제 2 반송 기구(25) 등의 반송계를 제어하여, 클리닝 웨이퍼(CW)를 FOUP으로부터 취출하고, 대전 기구(70)로 반송한다. 그리고, 제어 장치(30)는 대전 기구(70)를 제어하여, 대전 기구(70)에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시킨다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 외부에서 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)가 FOUP에 격납되어 있는 경우, 단계 S10의 처리는 실시하지 않아도 좋다.
다음에, 대전된 적어도 하나의 클리닝 웨이퍼(CW)를 기판 처리 시스템(1)의 내부에 체류 혹은 이동시켜서 파티클의 집진을 실행한다(단계 S11). 예를 들면, 제어 장치(30)는 제 1 반송 기구(15)나 제 2 반송 기구(25) 등의 반송계를 제어하여, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 진공 반송실(10), 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈(LLM), 상압 반송실(20) 중 어느 하나의 내부에서 반송한다. 그리고, 제어 장치(30)는 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부의 복수의 위치 중 어느 하나의 위치에 제 1 기간 동안 유지하고, 파티클의 집진을 실행한다.
다음에, 집진 후의 클리닝 웨이퍼(CW)를 FOUP으로 반출하고(단계 S12), 처리를 종료한다. 예를 들면, 제어 장치(30)는 제 1 반송 기구(15)나 제 2 반송 기구(25) 등의 반송계를 제어하여, 집진 후의 클리닝 웨이퍼(CW)를 FOUP으로 반송한다.
이와 같이, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은, 기판 처리 시스템(1)의 내부로 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 반송하는 것에 의해, 파티클을 정전기력에 의해 적극적으로 포집할 수 있다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.
실시형태의 파티클 제거 수법에 의한 효과의 일례를 설명한다. 도 10a는 파티클의 제거 결과의 일례를 나타낸 도면이다. 도 10a는 입경을 알고 있는 테스트용의 파티클을 사용하여, 클리닝 웨이퍼(CW)를 모의한 전극판을 대전시켜서 파티클의 포집 효율을 평가한 결과이다. 도 10a에는, 입경이 30 ㎚, 100 ㎚, 200 ㎚의 파티클의 포집 효율이 나타나 있다. 도 10a의 평가에서는, 조사부(80) 등의 파티클 대전 기구를 마련하지 않고 파티클을 포집했다. 파티클은, 특별히 적극적인 전하 부여를 실행하지 않아도, 통상 정부 중 어느 하나의 전하를 갖고 있는 것이 많다. 따라서, 파티클은, 적극적인 대전을 실행하지 않아도 30 ㎚의 입자에서 56% 포집될 수 있어, 집진 기능이 발생하고 있다. 또한, 입경이 작을수록 파티클이 가지는 관성력·중력의 영향을 정전기력이 상회한다. 이 때문에, 입경이 작은 파티클일수록 효율적으로 집진될 수 있다. 따라서, 실시형태의 파티클 제거 수법은 파티클의 미세화가 진행되는 장래에 있어서 보다 유효한 클리닝 수법이다.
도 10b는 파티클의 제거 결과의 다른 일례를 나타낸 도면이다. 도 10b는, 도 10a와 마찬가지로, 입경을 알고 있는 테스트용의 파티클을 사용하여, 클리닝 웨이퍼(CW)를 모의한 전극판을 대전시켜서 파티클의 포집 효율을 평가한 결과이다. 도 10b의 평가에서는, 코로나 방전을 이용하여 파티클을 적극적으로 대전시켜서 파티클을 포집했다. 적극적인 대전을 실행하지 않는 경우, 도 10a에 나타낸 바와 같이, 30 ㎚의 입자는 포집 효율이 56%였다. 한편, 파티클을 대전시켰을 경우, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 30 ㎚의 입자는 포집 효율이 89%까지 향상하고 있어, 전극판 근방의 파티클이 거의 모두 포집되고 있다는 결과가 되고 있다.
이러한 결과로부터, 기판 처리 시스템(1)은, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 내부에 체류 혹은 이동시키면, 내부의 파티클의 수가 크게 감소하는 것으로 추측할 수 있다.
클리닝 웨이퍼(CW)는, 전압을 인가하여 대전시키는 경우, 인가 전압이 높을수록 대전량이 많아져 파티클과의 정전기력이 높아져서, 파티클의 포집 효율이 양호해진다.
도 11a 및 도 11b는 인가 전압을 변경했을 경우의 파티클의 포집 효율의 변화의 일례를 나타낸 도면이다. 도 11a 및 도 11b는, 클리닝 웨이퍼(CW)를 모의한 전극판을 대전시키는 인가 전압을 변경하여, 각각 인가 전압으로 대전시킨 전극판에 의해, 입경을 알고 있는 테스트용의 파티클의 포집을 실행한 결과이다. 도 11a는 플러스의 범위에서 인가 전압을 변경했을 경우를 나타내고 있다. 도 11b는 마이너스의 범위에서 인가 전압을 변경했을 경우를 나타내고 있다. 도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 인가 전압은, 파티클을 포집하기 위해서는, 플러스, 마이너스 중 어느 쪽의 전압에서도 500 V 이상 필요하고, 2000 V 이상으로 함으로써 높은 포집 효율이 얻어진다. 따라서, 클리닝 웨이퍼(CW)는 ±500 V 이상으로 대전시키는 것이 바람직하고, ±2000 V 이상으로 대전시키는 것이 보다 바람직하다.
기판 처리 시스템(1)은, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법의 처리를 실시할 때에, 클리닝 효과를 높이기 위해, 내벽으로부터의 파티클의 박리를 촉진해도 좋다. 예를 들면, 기판 처리 시스템(1)은, 클리닝 웨이퍼(CW)의 반송 시에 게이트 밸브(GV)의 개폐 동작이나, 제 1 반송 기구(15) 및 제 2 반송 기구(25) 등의 아암 동작에 의해, 내벽으로부터의 파티클의 박리를 촉진할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 가스 도입, 배기 등의 장치 동작을 실행하여, 가스나 진동의 힘을 이용하는 것에 의해서도, 내벽으로부터의 파티클의 박리를 촉진할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 파티클의 박리를 촉진하는 경우, 통상의 기판 처리 시의 동작이 아니라, 보다 빠른 속도나 많은 가스 유용(流用) 등을 이용하여 더욱 강한 힘으로 파티클을 박리시키면 효과가 높다.
실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 파티클의 제거가 필요한 타이밍에 실시된다. 예를 들면, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 기판 처리 시스템(1)의 제조 시나, 시동 시, 유지보수 후의 기동 시에 실시된다. 예를 들면, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 진공 반송실(10)의 대기 개방 후의 진공 흡인 후에 실시된다. 또한, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 장치 양산 가동 시에 적절하게 실시된다. 예를 들면, 실시형태에 따른 파티클 제거 방법은 제품 웨이퍼나 더미 웨이퍼에 의한 파티클 검사에서 파티클이 많을 때 등에 실시된다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1) 내부의 청정도를 유지할 수 있어, 기동 시간의 단축이나 유지보수 횟수의 삭감, 수율 향상이 가능해진다.
(실시형태의 효과)
상기와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 진공 반송실(10)(진공 반송 모듈)과, 프로세스 모듈(PM)(기판 처리 모듈)과, 상압 반송실(20)(대기 반송 모듈)과, 로드록 모듈(LLM)과, 적어도 하나의 기판 반송 로봇(제 1 반송 기구(15) 및 제 2 반송 기구(25))과, 제어 장치(30)(제어부)를 구비한다. 프로세스 모듈(PM)은 진공 반송실(10)에 접속되고, 감압 환경 하에서 기판(W)을 처리하도록 구성된다. 로드록 모듈(LLM)은, 내부가 감압 환경과 대기압 환경으로 전환 가능하게 되고, 진공 반송실(10) 및 상압 반송실(20)에 접속되고, 진공 반송실(10) 및 상압 반송실(20) 사이에서 기판(W)을 중계한다. 적어도 하나의 기판 반송 로봇은, 진공 반송실(10) 및 상압 반송실(20)의 내부에 배치되고, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 포함한다. 제어 장치(30)는 파티클 제거 동작을 제어하도록 구성된다. 파티클 제거 동작은, 대전된 적어도 하나의 클리닝 웨이퍼(CW)(대전 부재)를 적어도 하나의 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 진공 반송실(10), 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈(LLM) 및 상압 반송실(20) 중 어느 하나의 내부에서 반송하는 공정을 갖는다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 파티클 제거 동작에 있어서, 클리닝 웨이퍼(CW)는 진공 반송실(10)의 내부에서 반송된다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은 진공 반송실(10)의 내부의 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.
파티클 제거 동작은, 클리닝 웨이퍼(CW)를 제 1 반송 기구(15)의 제 1 아암(15a)의 픽 및 제 2 아암(15b)의 픽 상에 각각 탑재하고 있는 상태로, 진공 반송실(10)의 내부의 프로세스 모듈(PM)과 접속된 내측면을 따라서 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 이동시킨다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 대전된 복수의 클리닝 웨이퍼(CW)에 의해, 파티클을 신속하게 수집할 수 있다.
파티클 제거 동작은, 진공 반송실(10)의 내부의 프로세스 모듈(PM)과 접속된 내측면을 따라서 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 이동시킬 때에, 프로세스 모듈(PM)과의 접속 개소 부근에서 반송을 일시 정지시키고, 제 1 기간 동안 유지한다. 제 1 기간은 10분 이상으로 한다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은, 정전기력에 의해 주위의 파티클의 클리닝 웨이퍼(CW)에 충분히 흡착시킬 수 있다.
또한, 기판 반송 로봇(제 1 반송 기구(15))은 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 전원부(15a1)(전원부)를 엔드 이펙터에 갖는다. 파티클 제거 동작은, 엔드 이펙터 상에 탑재한 클리닝 웨이퍼(CW)에 전원부(15a1)로부터 급전하여 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키고, 엔드 이펙터를 진공 반송실(10), 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈(LLM) 및 상압 반송실(20) 중 어느 하나의 내부에서 반송한다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 기판 반송 로봇에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시킬 수 있고, 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 반송함으로써, 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키는 대전 기구(70)를 더 구비한다. 파티클 제거 동작은, 대전 기구(70)에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시키고, 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 엔드 이펙터를 진공 반송실(10), 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈 및 상압 반송실(20) 중 어느 하나의 내부에서 반송한다. 또한, 대전 기구(70)는 진공 반송실(10), 로드록 모듈 및 상압 반송실(20) 중 어느 하나에 마련되어 있다. 이것에 의해, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 대전 기구(70)에 의해 클리닝 웨이퍼(CW)를 대전시킬 수 있고, 대전시킨 클리닝 웨이퍼(CW)를 반송함으로써, 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 플러스 및 마이너스로 각각 대전되는 대전 영역(54a, 54b)이 표면에 마련되어 있다. 파티클 제거 동작은 대전 영역(54a, 54b)이 플러스 및 마이너스로 각각 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 반송한다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은 플러스 및 마이너스의 파티클을 한번에 집진할 수 있다.
또한, 클리닝 웨이퍼(CW)는 플러스 및 마이너스 중 어느 하나로 대전 가능한 대전 영역이 표면에 마련되어 있다. 파티클 제거 동작은 대전 영역을 플러스 및 마이너스로 각각 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)를 개별적으로 반송한다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은 플러스 및 마이너스로 각각 대전된 클리닝 웨이퍼(CW)에 의해 플러스 및 마이너스의 파티클을 개별적으로 집진할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 프로세스 모듈(PM), 로드록 모듈 및 상압 반송실(20) 중 어느 하나의 내부의 파티클을 대전시키는 파티클 대전 기구(조사부(80))를 더 구비한다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은 파티클의 포집 효율을 높일 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 입경이 큰 파티클도 효율적으로 포집할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 클리닝 웨이퍼(CW)에 부착된 파티클을 제거하는 파티클 제거 기구를 더 구비한다. 이것에 의해, 기판 처리 시스템(1)은 장치 자체에 있어서 클리닝 웨이퍼(CW)를 재이용 가능하게 할 수 있다.
이상, 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 금회 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아닌 것으로 고려되어야 하는 것이다. 실제로, 상술한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상술한 실시형태는, 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
예를 들면, 상기의 실시형태에서는, 기판(W)을 반도체 웨이퍼로 했을 경우를 예로 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판은 어떠한 기판이라도 좋다.
또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아닌 것으로 고려되어야 하는 것이다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 첨부의 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
1 : 기판 처리 시스템
10 : 진공 반송실
15 : 제 1 반송 기구
15a : 제 1 아암
15a1 : 전원부
15b : 제 2 아암
20 : 상압 반송실
25 : 제 2 반송 기구
25a : 아암
25d : 기대
27a : 제 1 픽
27b : 제 2 픽
30 : 제어 장치
31 : 기억부
32 : 처리부
33 : 입출력 인터페이스
34 : 표시부
51 : 절연막
53 : 전원
54a, 54b : 대전 영역
60, 60a, 60b : 파티클
70 : 대전 기구
71 : 물체
80 : 조사부
CW : 클리닝 웨이퍼
GV : 게이트 밸브
LLM, LLM1, LLM2 : 로드록 모듈
LP, LP1 내지 LP5 : 로드 포트
PM, PM1 내지 PM8 : 프로세스 모듈
ST : 스테이지
W : 기판

Claims (15)

  1. 진공 반송 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈에 접속되고, 감압 환경 하에서 기판을 처리하도록 구성되는 기판 처리 모듈과,
    대기 반송 모듈과,
    내부가 감압 환경과 대기압 환경으로 전환 가능하게 되고, 상기 진공 반송 모듈 및 상기 대기 반송 모듈에 접속되는 로드록 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈 및 상기 대기 반송 모듈의 내부에 배치되고, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 포함하는 적어도 하나의 기판 반송 로봇과,
    파티클 제거 동작을 제어하도록 구성되는 제어부를 구비하며,
    상기 파티클 제거 동작은, 대전된 적어도 하나의 대전 부재를 상기 적어도 하나의 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 상기 적어도 하나의 엔드 이펙터를 상기 진공 반송 모듈, 상기 기판 처리 모듈, 상기 로드록 모듈 및 상기 대기 반송 모듈 중 어느 하나의 내부에서 반송하는 공정을 갖는
    기판 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파티클 제거 동작은 상기 진공 반송 모듈의 내부에서 상기 대전 부재를 반송하는
    기판 처리 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 파티클 제거 동작은 상기 진공 반송 모듈의 내부의 상기 기판 처리 모듈과 접속된 내측면을 따라서 대전된 상기 대전 부재를 이동시키는
    기판 처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 엔드 이펙터는 제 1 엔드 이펙터 및 제 2 엔드 이펙터를 가지며,
    상기 파티클 제거 동작은, 상기 대전 부재를 상기 제 1 엔드 이펙터 및 상기 제 2 엔드 이펙터 상에 각각 탑재하고 있는 상태로, 상기 진공 반송 모듈의 내부의 상기 기판 처리 모듈과 접속된 내측면을 따라서 대전된 상기 대전 부재를 이동시키는
    기판 처리 시스템.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 파티클 제거 동작은, 상기 진공 반송 모듈의 내부의 상기 기판 처리 모듈과 접속된 내측면을 따라서 대전된 상기 대전 부재를 이동시킬 때에, 상기 기판 처리 모듈과의 접속 개소 부근에서 반송을 일시 정지시키고, 제 1 기간 동안 유지하는
    기판 처리 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 기간은 10분 이상으로 하는
    기판 처리 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 로봇은 상기 대전 부재를 대전시키는 전원부를 상기 엔드 이펙터에 가지며,
    상기 파티클 제거 동작은 상기 엔드 이펙터 상에 탑재한 상기 대전 부재에 상기 전원부로부터 급전하여 상기 대전 부재를 대전시켜서 반송하는
    기판 처리 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전 부재를 대전시키는 대전 기구를 더 구비하며,
    상기 파티클 제거 동작은 상기 대전 기구에 의해 상기 대전 부재를 대전시키고, 대전된 상기 대전 부재를 상기 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로 반송하는
    기판 처리 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 대전 기구는 상기 진공 반송 모듈, 상기 로드록 모듈 및 상기 대기 반송 모듈 중 어느 하나에 마련되어 있는
    기판 처리 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전 부재는 플러스 및 마이너스로 각각 대전되는 대전 영역이 표면에 마련되고,
    상기 파티클 제거 동작은 상기 대전 영역이 플러스 및 마이너스로 각각 대전된 상기 대전 부재를 반송하는
    기판 처리 시스템.
  11. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전 부재는 플러스 및 마이너스 중 어느 하나로 대전 가능한 대전 영역이 표면에 마련되고,
    상기 파티클 제거 동작은 플러스로 대전된 상기 대전 영역을 갖는 상기 대전 부재와, 마이너스로 대전된 상기 대전 영역을 갖는 상기 대전 부재를 개별적으로 반송하는
    기판 처리 시스템.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 반송 모듈, 상기 기판 처리 모듈, 상기 로드록 모듈 및 상기 대기 반송 모듈 중 어느 하나의 내부의 파티클을 대전시키는 파티클 대전 기구를 더 구비하는
    기판 처리 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 파티클 대전 기구는 상기 진공 반송 모듈의 내부의 파티클을 대전시키는
    기판 처리 시스템.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전 부재에 부착된 파티클을 제거하는 파티클 제거 기구를 더 구비하는
    기판 처리 시스템.
  15. 진공 반송 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈에 접속되고, 감압 환경 하에서 기판을 처리하도록 구성되는 기판 처리 모듈과,
    대기 반송 모듈과,
    내부가 감압 환경과 대기압 환경으로 전환 가능하게 되고, 상기 진공 반송 모듈 및 상기 대기 반송 모듈에 접속되는 로드록 모듈과,
    상기 진공 반송 모듈 및 상기 대기 반송 모듈의 내부에 배치되고, 적어도 하나의 엔드 이펙터를 포함하는 적어도 하나의 기판 반송 로봇을 구비하는 기판 처리 시스템의 파티클 제거 방법에 있어서,
    대전된 적어도 하나의 대전 부재를 상기 적어도 하나의 엔드 이펙터 상에 탑재한 상태로, 상기 적어도 하나의 엔드 이펙터를 상기 진공 반송 모듈, 상기 기판 처리 모듈, 상기 로드록 모듈 및 상기 대기 반송 모듈 중 어느 하나의 내부에서 반송하는 공정을 갖는
    파티클 제거 방법.
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