JP2825087B2 - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JP2825087B2 JP2825087B2 JP8257250A JP25725096A JP2825087B2 JP 2825087 B2 JP2825087 B2 JP 2825087B2 JP 8257250 A JP8257250 A JP 8257250A JP 25725096 A JP25725096 A JP 25725096A JP 2825087 B2 JP2825087 B2 JP 2825087B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- separation tank
- cleaning
- atmosphere
- chamber
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 48
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 26
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- MMBMIVSDYYPRHH-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO.OO MMBMIVSDYYPRHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYGVOUCJZPMINH-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide sulfane Chemical compound S.OO GYGVOUCJZPMINH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板もしく
は液晶基板などを洗浄する洗浄装置に関し、特に一薬液
の蒸発による第1の雰囲気室から他の異なる薬液の蒸発
による第2の雰囲気室に前記被洗浄部材を前記雰囲気を
互に混入させることなく移送するために該被洗浄部材を
浸漬し純水が満たされる分離槽を備える洗浄装置に関す
る。
は液晶基板などを洗浄する洗浄装置に関し、特に一薬液
の蒸発による第1の雰囲気室から他の異なる薬液の蒸発
による第2の雰囲気室に前記被洗浄部材を前記雰囲気を
互に混入させることなく移送するために該被洗浄部材を
浸漬し純水が満たされる分離槽を備える洗浄装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】液晶パネルや半導体装置の製造におい
て、液晶基板や半導体基板表面に付着している粒子によ
る汚染および金属汚染の除去には、通常、酸・アルカリ
薬品を用いた湿式洗浄が行われている。一般的には、粒
子汚染除去を目的としたアルカリ系のAPM(アンモニ
ア水−過酸化水素水混合液)洗浄、金属汚染除去を目的
とした酸系のSPM(硫化水素酸−過酸化水素水混合
液)洗浄あるいはHPM(円貨水素酸−過酸化水素水)
洗浄が用いられている。これらの洗浄液は数十℃から百
数十℃に昇温するため、酸・アルカリの蒸気が発生す
る。アルカリ系の洗浄槽上およびその周辺はアルカリ雰
囲気になり、酸系の洗浄槽上およびその周辺は酸雰囲気
になる。アルカリ系・酸系の洗浄を1つの装置内で行う
ことが多いため、雰囲気の分離を目的として分離槽を設
けてある。ここでは、半導体基板の洗浄について説明す
る。
て、液晶基板や半導体基板表面に付着している粒子によ
る汚染および金属汚染の除去には、通常、酸・アルカリ
薬品を用いた湿式洗浄が行われている。一般的には、粒
子汚染除去を目的としたアルカリ系のAPM(アンモニ
ア水−過酸化水素水混合液)洗浄、金属汚染除去を目的
とした酸系のSPM(硫化水素酸−過酸化水素水混合
液)洗浄あるいはHPM(円貨水素酸−過酸化水素水)
洗浄が用いられている。これらの洗浄液は数十℃から百
数十℃に昇温するため、酸・アルカリの蒸気が発生す
る。アルカリ系の洗浄槽上およびその周辺はアルカリ雰
囲気になり、酸系の洗浄槽上およびその周辺は酸雰囲気
になる。アルカリ系・酸系の洗浄を1つの装置内で行う
ことが多いため、雰囲気の分離を目的として分離槽を設
けてある。ここでは、半導体基板の洗浄について説明す
る。
【0003】図4は従来の一例における洗浄装置の構成
の一部を示す図である。従来、この種の洗浄装置は、図
4に示すように、アルカリ液槽7が置かれアルカリ雰囲
気となる第1室9から酸液槽8が置かれ酸雰囲気となる
第2室10へのウェハキャリア11を移動させるため
に、純水が常にオーバーフローされるとともにウェハキ
ャリア11が潜り移動する分離槽5と、分離槽5の液面
まで伸び第1室9と第2室10とを仕切り互に雰囲気が
混入しないようにする仕切板4とが備えられている。
の一部を示す図である。従来、この種の洗浄装置は、図
4に示すように、アルカリ液槽7が置かれアルカリ雰囲
気となる第1室9から酸液槽8が置かれ酸雰囲気となる
第2室10へのウェハキャリア11を移動させるため
に、純水が常にオーバーフローされるとともにウェハキ
ャリア11が潜り移動する分離槽5と、分離槽5の液面
まで伸び第1室9と第2室10とを仕切り互に雰囲気が
混入しないようにする仕切板4とが備えられている。
【0004】この洗浄装置において、アルカリ雰囲気の
第1室9から酸雰囲気の第2室10へウェハキャリアを
移動させる際は、まず、アルカリ雰囲気中の搬送用ロボ
ット1aを用いてウェハキャリア2を分離槽5内の受け
皿12に置く。次に、受け皿12が紙面に対して右側へ
移動することでウェハキャリア2が酸雰囲気の第2室へ
移動し、そして、ウェハキャリア11は酸雰囲気の搬送
用ロボット1bを用いて酸雰囲気内の酸液槽8上へ搬送
される。
第1室9から酸雰囲気の第2室10へウェハキャリアを
移動させる際は、まず、アルカリ雰囲気中の搬送用ロボ
ット1aを用いてウェハキャリア2を分離槽5内の受け
皿12に置く。次に、受け皿12が紙面に対して右側へ
移動することでウェハキャリア2が酸雰囲気の第2室へ
移動し、そして、ウェハキャリア11は酸雰囲気の搬送
用ロボット1bを用いて酸雰囲気内の酸液槽8上へ搬送
される。
【0005】また、この洗浄装置には、上述した酸とア
ルカリ雰囲気の分離だけでなく、酸とIPA蒸気などの
アルコール雰囲気もしくはアルカリとIPA蒸気などの
アルコール雰囲気の分離に関しても同様に分離槽および
仕切板が設けらている。
ルカリ雰囲気の分離だけでなく、酸とIPA蒸気などの
アルコール雰囲気もしくはアルカリとIPA蒸気などの
アルコール雰囲気の分離に関しても同様に分離槽および
仕切板が設けらている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の洗浄装
置では、アルカリおよび酸の雰囲気室に跨がってそれぞ
れウェハキャリアが挿入されるスペースを確保する必要
があるため、分離槽の横幅がウェハキャリアの2つ分必
要となる。つまり槽の容積が一つのウェハキャリアが浸
漬される水洗槽の2倍あるため、純水の供給量が2倍必
要となる。
置では、アルカリおよび酸の雰囲気室に跨がってそれぞ
れウェハキャリアが挿入されるスペースを確保する必要
があるため、分離槽の横幅がウェハキャリアの2つ分必
要となる。つまり槽の容積が一つのウェハキャリアが浸
漬される水洗槽の2倍あるため、純水の供給量が2倍必
要となる。
【0007】近年、半導体基板(以下ウェハと記す)の
口径が益々大きくなり、直径150から200mmとな
り、それに伴ないウェハキャリアが大きくなる。その結
果、分離槽の純水の使用量が増加し運用コストが上昇す
る。さらに、ウェハ直径300mm以上になると純水の
使用量が膨大な量になり深刻な問題になる。例えば、ウ
ェハ直径が200mmから300mmに大口径化するこ
とによって、分離槽の容積は2倍以上になるため、純水
使用量の増大や装置も大型化する。この他にも、分離槽
内のウェハキャリアを移動させる際、比抵抗の大きい純
水とウェハ間の摩擦で静電気が発生し、ウェハが帯電
し、ウェハに形成される機能素子を破壊させるなどの問
題が発生する。
口径が益々大きくなり、直径150から200mmとな
り、それに伴ないウェハキャリアが大きくなる。その結
果、分離槽の純水の使用量が増加し運用コストが上昇す
る。さらに、ウェハ直径300mm以上になると純水の
使用量が膨大な量になり深刻な問題になる。例えば、ウ
ェハ直径が200mmから300mmに大口径化するこ
とによって、分離槽の容積は2倍以上になるため、純水
使用量の増大や装置も大型化する。この他にも、分離槽
内のウェハキャリアを移動させる際、比抵抗の大きい純
水とウェハ間の摩擦で静電気が発生し、ウェハが帯電
し、ウェハに形成される機能素子を破壊させるなどの問
題が発生する。
【0008】従って、本発明の目的は、純水の使用量を
節減し、ウェハを帯電させることなく洗浄できかつより
小型な洗浄装置を提供することにある。
節減し、ウェハを帯電させることなく洗浄できかつより
小型な洗浄装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、一薬液
の蒸発による第1の雰囲気室から他の異なる薬液の蒸発
による第2の雰囲気室に被洗浄部材を積載するキャリア
部材を前記雰囲気を互に混入させることなく移送するた
めに該キャリア部材を浸漬し純水が満たされる分離槽を
備える洗浄装置において、前記キャリア部材の一つが収
納できる容積をもつ前記分離槽と、前記第1の雰囲気室
と前記第2の雰囲気室とを仕切るとともに下端を前記分
離槽の液面に接触しながら前記分離槽の該移送方向の両
端間を移動する仕切板とを備える洗浄装置である。ま
た、前記移送方向に対して垂直方向における前記分離槽
の両側壁に純水を噴射する洗浄シャワーを備えることが
望ましい。
の蒸発による第1の雰囲気室から他の異なる薬液の蒸発
による第2の雰囲気室に被洗浄部材を積載するキャリア
部材を前記雰囲気を互に混入させることなく移送するた
めに該キャリア部材を浸漬し純水が満たされる分離槽を
備える洗浄装置において、前記キャリア部材の一つが収
納できる容積をもつ前記分離槽と、前記第1の雰囲気室
と前記第2の雰囲気室とを仕切るとともに下端を前記分
離槽の液面に接触しながら前記分離槽の該移送方向の両
端間を移動する仕切板とを備える洗浄装置である。ま
た、前記移送方向に対して垂直方向における前記分離槽
の両側壁に純水を噴射する洗浄シャワーを備えることが
望ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【0011】図1(a)および(b)は本発明の一実施
の形態における洗浄装置の構成を説明するための図であ
る。この洗浄装置は、図1に示すように、アルカリ液槽
7と酸液槽との間に配置されるとともにウェハの複数枚
を積載するウェハキャリア11の一個が純水に浸漬され
る容積をもちかつ純水をオーバーフローする程度に蓄え
る分離槽3と、分離槽3の液面と一端を接触し第1室9
の雰囲気と第2室10の雰囲気が混入しないように遮断
するとともに分離槽3の開口の両側端間を移動し得る仕
切板1とを備えている。
の形態における洗浄装置の構成を説明するための図であ
る。この洗浄装置は、図1に示すように、アルカリ液槽
7と酸液槽との間に配置されるとともにウェハの複数枚
を積載するウェハキャリア11の一個が純水に浸漬され
る容積をもちかつ純水をオーバーフローする程度に蓄え
る分離槽3と、分離槽3の液面と一端を接触し第1室9
の雰囲気と第2室10の雰囲気が混入しないように遮断
するとともに分離槽3の開口の両側端間を移動し得る仕
切板1とを備えている。
【0012】また、仕切板1を移動させるための移動機
構2が設けられている。この移動機構2は、エアーシリ
ンダあるいは油圧シリンダなどによって駆動され、さら
に、ゴミが室内に落ち込まないように、室内に露呈する
可動部は伸縮可能な蛇腹式カバーで覆われている。一
方、分離槽3内には受皿12のみ底部に固定されウェハ
キャリア11を安定して載置する構造を有している。こ
のため、従来、パーティクル発生の要因ともなる受皿1
2の移動機構を省くことができた。
構2が設けられている。この移動機構2は、エアーシリ
ンダあるいは油圧シリンダなどによって駆動され、さら
に、ゴミが室内に落ち込まないように、室内に露呈する
可動部は伸縮可能な蛇腹式カバーで覆われている。一
方、分離槽3内には受皿12のみ底部に固定されウェハ
キャリア11を安定して載置する構造を有している。こ
のため、従来、パーティクル発生の要因ともなる受皿1
2の移動機構を省くことができた。
【0013】次に、この洗浄装置における第1室9から
第2室10にウェハキャリア11を移送する動作を説明
する。まず、図1(a)に示すように、アルカリ液槽7
でアルカリ系の洗浄を終えたウェハキャリア11は、搬
送用ロボット6aにより分離槽3上に搬送され、搬送用
ロボット6aが下降しウェハキャリア11を純水に浸漬
させるとともに分離槽3内の受皿12に載置する。
第2室10にウェハキャリア11を移送する動作を説明
する。まず、図1(a)に示すように、アルカリ液槽7
でアルカリ系の洗浄を終えたウェハキャリア11は、搬
送用ロボット6aにより分離槽3上に搬送され、搬送用
ロボット6aが下降しウェハキャリア11を純水に浸漬
させるとともに分離槽3内の受皿12に載置する。
【0014】しかる後、搬送用ロボット6aはアルカリ
液槽7側に退避し、図1(b)に示すように、移動機構
2により仕切板1が矢印の方向に一端を液面に接触しな
がら移動し仕切板1の一端は分離槽3の内壁に当接し停
止する。このことにより、分離槽3の雰囲気はアルカリ
雰囲気から酸雰囲気に変えられる。次に、搬送用ロボッ
ト6bが分離槽3上に移動し、下降して分離槽3内のウ
ェハキャリア11を掴み持ち上げる。そして、ウェハキ
ャリア11は搬送用ロボット6bにより次の酸液槽8上
に送られる。移動させる際、仕切板4を図2の左側へ移
動することで分離槽1上が酸雰囲気となる。これによっ
て酸雰囲気搬送用ロボット5bを用いてウェハキャリア
2を酸雰囲気内の各洗浄槽へ搬送することが可能とな
る。分離槽上の側壁は異なる雰囲気が交互に接触するこ
とから、側壁を洗浄するためのシャワー6等を設けると
良い。シャワーにて洗浄した純水は分離槽内部に混入し
ないように分離槽の前後に設けたドレイン部7から排水
する。
液槽7側に退避し、図1(b)に示すように、移動機構
2により仕切板1が矢印の方向に一端を液面に接触しな
がら移動し仕切板1の一端は分離槽3の内壁に当接し停
止する。このことにより、分離槽3の雰囲気はアルカリ
雰囲気から酸雰囲気に変えられる。次に、搬送用ロボッ
ト6bが分離槽3上に移動し、下降して分離槽3内のウ
ェハキャリア11を掴み持ち上げる。そして、ウェハキ
ャリア11は搬送用ロボット6bにより次の酸液槽8上
に送られる。移動させる際、仕切板4を図2の左側へ移
動することで分離槽1上が酸雰囲気となる。これによっ
て酸雰囲気搬送用ロボット5bを用いてウェハキャリア
2を酸雰囲気内の各洗浄槽へ搬送することが可能とな
る。分離槽上の側壁は異なる雰囲気が交互に接触するこ
とから、側壁を洗浄するためのシャワー6等を設けると
良い。シャワーにて洗浄した純水は分離槽内部に混入し
ないように分離槽の前後に設けたドレイン部7から排水
する。
【0015】なお、この洗浄装置の酸系洗浄の後段に配
置されるIPA洗浄および乾燥を行う洗浄工程浄につい
ても同じように分離槽と移動仕切板を設けることが出来
る。その場合は、酸・IPA蒸気雰囲気室との間に設け
る分離槽と、異なる雰囲気を遮断するための可動式仕切
板を設ければ良い。上述した可動式の仕切板の動作は、
前述の実施例と基本的には同じであるが、ウェハキャリ
アをIPA雰囲気に取り出すときのみ仕切板を酸雰囲気
側つまり左側に移動するようにする。その他の場合で、
アルカリ洗浄の次にIPA乾燥を行う構成の洗浄装置に
ついても同じように配置し、仕切板を同じように動作さ
せれば良い。
置されるIPA洗浄および乾燥を行う洗浄工程浄につい
ても同じように分離槽と移動仕切板を設けることが出来
る。その場合は、酸・IPA蒸気雰囲気室との間に設け
る分離槽と、異なる雰囲気を遮断するための可動式仕切
板を設ければ良い。上述した可動式の仕切板の動作は、
前述の実施例と基本的には同じであるが、ウェハキャリ
アをIPA雰囲気に取り出すときのみ仕切板を酸雰囲気
側つまり左側に移動するようにする。その他の場合で、
アルカリ洗浄の次にIPA乾燥を行う構成の洗浄装置に
ついても同じように配置し、仕切板を同じように動作さ
せれば良い。
【0016】図2は図1の洗浄装置の変形例を説明する
ために洗浄装置の一部を破断し抽出して示す斜視図であ
る。上述した実施の形態における洗浄装置では、分離槽
1の両側の内壁14は、移動する仕切板1によって異な
る雰囲気に交互に接触することから、内壁14は酸およ
びアルカリ液が交互に付着し再蒸発し、分離槽1上の雰
囲気が酸とアルカリが混った雰囲気になる恐れがある。
そこで、この洗浄装置では、この内壁に付着する酸ある
いはアルカリ物質を洗い流すために、純水を内壁14に
噴射する洗浄シャワー13を設けている。また、内壁1
4を洗い流した純水が分離槽1内部に混入しないよう
に、底部をやや傾斜をもたせ最も低いところにドレイン
15を設け、装置外に排出している。
ために洗浄装置の一部を破断し抽出して示す斜視図であ
る。上述した実施の形態における洗浄装置では、分離槽
1の両側の内壁14は、移動する仕切板1によって異な
る雰囲気に交互に接触することから、内壁14は酸およ
びアルカリ液が交互に付着し再蒸発し、分離槽1上の雰
囲気が酸とアルカリが混った雰囲気になる恐れがある。
そこで、この洗浄装置では、この内壁に付着する酸ある
いはアルカリ物質を洗い流すために、純水を内壁14に
噴射する洗浄シャワー13を設けている。また、内壁1
4を洗い流した純水が分離槽1内部に混入しないよう
に、底部をやや傾斜をもたせ最も低いところにドレイン
15を設け、装置外に排出している。
【0017】図3は従来の装置と本発明の装置を用いた
場合における分離槽の1槽当たりの純水使用量を比較す
るグラフである。上述したように、本発明のように分離
槽を小型にしたため、従来、約20〜30t/日相当の
純水を消費していたのに対し、本発明では、約半分の1
0〜15t/日に削減できる。具体的には、本発明の分
離槽の1槽当たりの1日の純水使用量は、従来装置の分
離層で20〜30m3 であったものが、約半分の10〜
15m3 に削減できる。
場合における分離槽の1槽当たりの純水使用量を比較す
るグラフである。上述したように、本発明のように分離
槽を小型にしたため、従来、約20〜30t/日相当の
純水を消費していたのに対し、本発明では、約半分の1
0〜15t/日に削減できる。具体的には、本発明の分
離槽の1槽当たりの1日の純水使用量は、従来装置の分
離層で20〜30m3 であったものが、約半分の10〜
15m3 に削減できる。
【0018】また、従来、分離槽内でウェハキャリアを
移動していたものが、ウェハキャリアの移動が無くな
り、そのためウェハと純水間に摩擦がなくなり、それに
よるウェハの帯電の問題を解消することができた。ちな
みに、数枚のウェハを洗浄し機能素子の動作を調べたと
ころ、ウェハに形成されるMOSトランジスタの破壊は
皆無であった。
移動していたものが、ウェハキャリアの移動が無くな
り、そのためウェハと純水間に摩擦がなくなり、それに
よるウェハの帯電の問題を解消することができた。ちな
みに、数枚のウェハを洗浄し機能素子の動作を調べたと
ころ、ウェハに形成されるMOSトランジスタの破壊は
皆無であった。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、分離槽の
容積を一個のウェハキャリアが収納できる大きさにし、
分離槽上の雰囲気を切換えるために洗浄室内を移動し異
なった二種類の雰囲気を遮断する仕切板を設け、ウェハ
キャリアを分離槽内に移動させることなく、ウェハキャ
リアを異なる雰囲気室に移動させることができることに
よって、分離槽の横幅を従来の半分にし容積を半分にす
ることが出来、これに伴ない分離槽に供給する純水の量
を半分にし運用コストを低減できるという効果がある。
しかも、装置全体も小型化することが出来た。また、ウ
ェハが純水中を移動しないため、ウェハの帯電を解消で
きウェハに形成される機能素子の破壊を低減できるとい
う効果もある。
容積を一個のウェハキャリアが収納できる大きさにし、
分離槽上の雰囲気を切換えるために洗浄室内を移動し異
なった二種類の雰囲気を遮断する仕切板を設け、ウェハ
キャリアを分離槽内に移動させることなく、ウェハキャ
リアを異なる雰囲気室に移動させることができることに
よって、分離槽の横幅を従来の半分にし容積を半分にす
ることが出来、これに伴ない分離槽に供給する純水の量
を半分にし運用コストを低減できるという効果がある。
しかも、装置全体も小型化することが出来た。また、ウ
ェハが純水中を移動しないため、ウェハの帯電を解消で
きウェハに形成される機能素子の破壊を低減できるとい
う効果もある。
【図1】本発明の一実施の形態における洗浄装置の構成
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図2】図1の洗浄装置の変形例を説明するために洗浄
装置の一部を破断し抽出して示す斜視図である。
装置の一部を破断し抽出して示す斜視図である。
【図3】従来の装置と本発明の装置を用いた場合におけ
る分離槽の1槽当たりの純水使用量を比較するグラフで
ある。
る分離槽の1槽当たりの純水使用量を比較するグラフで
ある。
【図4】従来の一例における洗浄装置の構成の一部を示
す図である。
す図である。
1,4 仕切板 2 移動機構 3,5 分離槽 6a,6b 搬送用ロボット 7 アルカリ液槽 8 酸液槽 9 第1室 10 第2室 11 ウェハキャリア 12 受皿 13 洗浄シャワー 14 内壁 15 ドレイン
Claims (2)
- 【請求項1】 一薬液の蒸発による第1の雰囲気室から
他の異なる薬液の蒸発による第2の雰囲気室に被洗浄部
材を積載するキャリア部材を前記雰囲気を互に混入させ
ることなく移送するために該キャリア部材を浸漬し純水
が満たされる分離槽を備える洗浄装置において、前記キ
ャリア部材の一つが収納できる容積をもつ前記分離槽
と、前記第1の雰囲気室と前記第2の雰囲気室とを仕切
るとともに下端を前記分離槽の液面に接触しながら前記
分離槽の該移送方向の両端間を移動する仕切板とを備え
ることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項2】 前記移送方向に対して垂直方向における
前記分離槽の両側壁に純水を噴射する洗浄シャワーを備
えることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8257250A JP2825087B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 洗浄装置 |
TW086114012A TW337029B (en) | 1996-09-30 | 1997-09-25 | A wet processor having 2 processing chambers with a movable division |
US08/938,807 US5925213A (en) | 1996-09-30 | 1997-09-26 | Wet processing apparatus with movable partitioning plate between two processing chambers |
GB9720625A GB2317747B (en) | 1996-09-30 | 1997-09-29 | Wet processing apparatus |
CN97116948A CN1096109C (zh) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 湿法处理装置 |
KR1019970050712A KR100268819B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 두개의프로세싱챔버사이에이동가능한칸막이판을갖는습식프로세싱장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8257250A JP2825087B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10107002A JPH10107002A (ja) | 1998-04-24 |
JP2825087B2 true JP2825087B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=17303784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8257250A Expired - Fee Related JP2825087B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 洗浄装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5925213A (ja) |
JP (1) | JP2825087B2 (ja) |
KR (1) | KR100268819B1 (ja) |
CN (1) | CN1096109C (ja) |
GB (1) | GB2317747B (ja) |
TW (1) | TW337029B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100578126B1 (ko) * | 2003-05-20 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 웨트 스테이션 |
CN100358098C (zh) * | 2005-08-05 | 2007-12-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体工艺件处理装置 |
KR100928050B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2009-11-24 | (주)지원테크 | 유리기판 식각 방법 및 유리기판 식각 장치 |
CN101988193B (zh) * | 2009-08-05 | 2014-04-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 湿式镀膜系统 |
RU2538789C1 (ru) * | 2013-06-28 | 2015-01-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения листов из бор-содержащего алюмоматричного композиционного материала |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4957583A (en) * | 1989-04-28 | 1990-09-18 | Analog Devices, Inc. | Apparatus for etching patterned substrates |
US5022949A (en) * | 1990-10-04 | 1991-06-11 | James Jengo | Variable volume etching machine |
JP2878019B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1999-04-05 | 山形日本電気株式会社 | 水中分離槽 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8257250A patent/JP2825087B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-25 TW TW086114012A patent/TW337029B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-26 US US08/938,807 patent/US5925213A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-29 GB GB9720625A patent/GB2317747B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-30 KR KR1019970050712A patent/KR100268819B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-30 CN CN97116948A patent/CN1096109C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980025172A (ko) | 1998-07-06 |
JPH10107002A (ja) | 1998-04-24 |
GB9720625D0 (en) | 1997-11-26 |
KR100268819B1 (ko) | 2000-10-16 |
CN1178390A (zh) | 1998-04-08 |
US5925213A (en) | 1999-07-20 |
CN1096109C (zh) | 2002-12-11 |
GB2317747A (en) | 1998-04-01 |
TW337029B (en) | 1998-07-21 |
GB2317747B (en) | 1998-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102529576B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20210043446A (ko) | 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법 | |
US20230343613A1 (en) | Multi-chamber apparatus | |
JP6674869B2 (ja) | ウェーハ搬送装置 | |
JP2825087B2 (ja) | 洗浄装置 | |
KR102573015B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP2593237B2 (ja) | 浸漬洗浄装置 | |
JPH06163505A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
KR20070046874A (ko) | 반도체 기판 프로세싱 장치 및 방법 | |
TW200428561A (en) | A substrate treatment apparatus | |
JP3530774B2 (ja) | 基板搬送装置、処理装置、基板の処理システムおよび搬送方法 | |
JP2890081B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
KR20230117537A (ko) | 기판 처리 시스템 및 파티클 제거 방법 | |
JP2016066689A (ja) | 容器清掃装置及び容器清掃方法 | |
US20240162052A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate | |
JPH0358417A (ja) | ウェハ洗浄装置 | |
KR20100024220A (ko) | 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법 | |
JPH11186212A (ja) | 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法 | |
JPH0536659A (ja) | 基板洗浄・乾燥装置 | |
KR100826102B1 (ko) | 웨이퍼 반출입장치 | |
KR101472913B1 (ko) | 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법 | |
KR200354554Y1 (ko) | 정전기중화기능이구비된반도체제조챔버 | |
JP2002359225A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄システム | |
KR20240091329A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR100978129B1 (ko) | 기판 이송 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980811 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080911 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080911 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090911 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |