JPH11186212A - 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法 - Google Patents

洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法

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JPH11186212A
JPH11186212A JP36431597A JP36431597A JPH11186212A JP H11186212 A JPH11186212 A JP H11186212A JP 36431597 A JP36431597 A JP 36431597A JP 36431597 A JP36431597 A JP 36431597A JP H11186212 A JPH11186212 A JP H11186212A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥時間及び乾燥ガス消費量の削減と乾燥む
らの解消を図れるようにすること。 【解決手段】 ウエハボート24と異なる領域を2本の
保持棒80a,80bにて保持でき、かつ保持及び保持
の解除ができるように移動するウエハWの保持手段80
を乾燥室23内に設ける。これにより、洗浄処理後、ウ
エハボート24を上昇させてウエハWを乾燥室23へ移
動した後、保持手段80がウエハWを保持すると同時に
ウエハボート24を下方に移動させてウエハWの保持を
解除する。この状態で、乾燥ガス供給ノズル37から乾
燥室23内に乾燥ガスを供給して、ウエハWに残留する
水分の除去及び乾燥を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス
液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する洗浄・乾
燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体等の製造工程において
は、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体(以下
にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)等の処
理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄
処理方法が広く採用されている。また、このような洗浄
処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に例えば
IPA(イソプロピルアルコール)等の揮発性を有する
有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、乾燥ガ
スの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水分の
除去及び乾燥を行う乾燥処理方法が広く採用され、その
ための乾燥処理装置が装備されている。
【0003】従来のこの種の洗浄・乾燥処理装置とし
て、図15に示すように、例えばフッ化水素酸等の薬液
や純水等のリンス液(洗浄液)を貯留(収容)し、貯留
した薬液あるいは洗浄液に被処理体例えば半導体ウエハ
W(以下にウエハという)を浸漬する洗浄槽a(洗浄
室)と、洗浄槽aの上部に位置する乾燥部bと、複数枚
例えば50枚のウエハWを保持してこれらウエハWを洗
浄槽a内及び乾燥部bに移動する移動手段例えばウエハ
ボートcとを具備する洗浄・乾燥処理装置が知られてい
る。
【0004】また、このように構成される洗浄・乾燥処
理装置には、洗浄槽a内に図示しない薬液供給源及び洗
浄液供給源に選択的に接続される供給ノズルdが配設さ
れ、また、乾燥部bには、図示しない乾燥ガス例えばI
PAと窒素(N2)との混合ガスの供給源に接続する乾
燥ガス供給ノズルeが配設され、この乾燥部bの上部に
は、ウエハ搬送チャックfが挿入可能な開口gが設けら
れると共に、開口gを開閉する蓋hが設けられている。
【0005】上記のように構成される洗浄・乾燥処理装
置によれば、ウエハ搬送チャックfによって乾燥部bに
搬送された複数枚例えば50枚のウエハWを乾燥部bに
待機するウエハボートcが受け取り、ウエハWを受け取
ったウエハボートcが下降して洗浄槽a内にウエハWを
移動して、薬液の供給による薬液処理と洗浄液の供給及
びオーバーフローによる洗浄処理を行う。薬液処理、洗
浄処理を終えた後、ウエハボートcが上昇して乾燥部b
にてウエハWを移動し、乾燥ガス供給ノズルeから乾燥
ガス(IPA+N2)を供給してウエハWに乾燥ガスを
接触させて乾燥処理を行う。そして、乾燥処理されたウ
エハWを乾燥部bに侵入するウエハ搬送チャックfが受
け取って外部へ搬出することで、一連の洗浄・乾燥処理
が施される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法に
おいては、ウエハボートcが上昇して乾燥部bにウエハW
を移動した後、乾燥ガスを供給してウエハWに乾燥ガス
を接触させて乾燥処理を行う際、ウエハボートcとの接
触領域は洗浄液中から引き上げた後は、液切れの悪い状
態にあり、また、乾燥ガスが接触し難い状態である。し
たがってウエハWにおけるウエハボートcとの接触領域
は乾燥するのに相当な時間を要し、それに伴って乾燥ガ
スの消費量も多くなるので乾燥効率が低下し、コストも
増大するという問題がある。また、乾燥むらが生じる虞
れがあり、歩留まりの低下をきたすという問題もある。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体を洗浄室から乾燥室へ移動した後、移動手
段が保持していた被処理体の領域とは異なる領域を保持
手段によって持ち換えることにより、保持領域の液切れ
の悪さを解消すると共に、その領域への乾燥ガスの接触
を良好にして、乾燥時間の短縮及び乾燥ガス消費量を削
減し、乾燥効率及び歩留まりの向上とコストの低減を図
れるようにした洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理
方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。
【0009】請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置は、被
処理体を洗浄する洗浄液を収容する洗浄室と、上記洗浄
室の上方に配置される乾燥室と、上記被処理体を保持
し、かつ、上記洗浄室と乾燥室間を移動可能に形成され
る被処理体の移動手段とを具備する洗浄・乾燥処理装置
において、上記乾燥室内に、上記被処理体の保持及び保
持の解除可能で、かつ、上記移動手段が被処理体と接触
する領域とは異なる領域を接触保持する保持手段を設け
ることを特徴とする。この場合、上記移動手段又は保持
手段のいずれか一方が被処理体を保持する間は、他方は
被処理体と接触しないように形成することが好ましい
(請求項3)。また、上記乾燥室内に、乾燥ガス供給手
段を具備することが好ましい(請求項4)。
【0010】請求項2記載の洗浄・乾燥処理装置は、請
求項1記載の発明において、上記移動手段が、上記乾燥
室内において、被処理体の保持及び保持の解除可能に形
成されることを特徴とする。この場合、上記請求項1記
載の洗浄・乾燥処理装置と同様に上記移動手段又は保持
手段のいずれか一方が被処理体を保持する間は、他方は
上記被処理体と接触しないように形成することが好まし
い(請求項3)。また、上記乾燥室内に、乾燥ガス供給
手段を具備することが好ましい(請求項4)。
【0011】請求項1に記載したように上記洗浄・乾燥
処理装置を構成することにより、上記移動手段によって
上記乾燥室内に移動した上記被処理体を、上記移動手段
によって保持される領域と異なる領域を保持する保持手
段によって持ち換えて保持した状態で、乾燥ガスを接触
して乾燥する乾燥工程を有することが可能となる(請求
項5)。また、洗浄処理後の被処理体を、移動手段によ
って乾燥室内に移動し、被処理体を移動手段で保持した
状態で、乾燥ガスを接触させて乾燥し、その後被処理体
を、上記移動手段によって保持される領域と異なる領域
を保持する保持手段によって持ち換えて保持した状態
で、乾燥ガスを接触して乾燥することができる(請求項
7)。これにより、洗浄処理後の被処理体を移動手段が
乾燥室へ移動した後、乾燥室内で待機していた保持手段
が、移動手段の保持領域とは異なる領域を保持すると共
に、移動手段による保持を解除した状態で、乾燥ガスを
接触するので、移動手段が保持していた領域への乾燥ガ
スの接触状態が良好となる。したがって、乾燥時間及び
乾燥ガス消費量を削減できると共に、乾燥効率の向上を
図ることができる。また、乾燥むらも解消できるので、
歩留まりを向上させることができる。
【0012】請求項2に記載したように上記洗浄・乾燥
処理装置を構成することにより、上記移動手段によって
上記乾燥室内に移動した上記被処理体を、上記移動手段
によって保持される領域と異なる領域を保持する保持手
段によって持ち換えて保持した状態で、乾燥ガスを接触
して乾燥する第一乾燥工程と、乾燥中に、上記保持手段
によって保持される上記移動手段によって再び持ち換え
て乾燥する第二乾燥工程とを有することが可能となる
(請求項6)。これにより、洗浄処理後の被処理体を移
動手段が乾燥室へ移動した後、乾燥室内で待機していた
保持手段が、移動手段の保持領域とは異なる領域を保持
すると共に、移動手段による保持を解除した状態で、乾
燥ガスを接触するので、移動手段が保持していた領域へ
の乾燥ガスの接触領域が良好となる。その後、再び保持
手段から移動手段へ持ち換えるので、多少ぬれた状態で
保持手段に保持されていた領域が開放され、その領域の
乾燥ガスの接触状態も良好となり、更に迅速かつ確実に
乾燥できる。したがって、乾燥時間を更に短縮すること
ができ、乾燥ガス消費量を削減できると共に、乾燥効率
の向上を図ることができ、また、乾燥むらも解消され
て、歩留まりの向上を図ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
【0014】図1はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置
を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、
図2はその概略側面図である。
【0015】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハW(以下にウエハという)を水平状態に収
納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための搬
入・搬出部2と、ウエハWを薬液、洗浄液等の液処理を
すると共に乾燥処理する処理部3と、搬入・搬出部2と
処理部3との間に位置してウエハWの受渡し、位置調整
及び姿勢変換等を行うインターフェース部4とで主に構
成されている。
【0016】上記搬入・搬出部2は、洗浄処理システム
の一側端部に併設して設けられる搬入部5と搬出部6と
で構成されている。また、搬入部5及び搬出部6のキャ
リア1の搬入口5a及び搬出口6bには、キャリア1を
搬入部5、搬出部6に出入れ自在のスライド式の載置テ
ーブル7が設けられている。また、搬入部5と搬出部6
には、それぞれキャリアリフタ8が配設され、このキャ
リアリフタ8によって搬入部間又は搬出部間でのキャリ
ア1の搬送を行うことができると共に、空のキャリア1
を搬入・搬出部2上方に設けられたキャリア待機部9へ
の受け渡し及びキャリア待機部9からの受け取りを行う
ことができるように構成されている(図2参照)。
【0017】上記インターフェース部4は、区画壁4c
によって搬入部5に隣接する第1の室4aと、搬出部6
に隣接する第2の室4bとに区画されている。そして、
第1の室4a内には、搬入部5のキャリア1から複数枚
のウエハWを取り出して搬送する水平方向(X,Y方
向),垂直方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウ
エハ取出しアーム10と、ウエハWに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー11と、ウエハ取出しアー
ム10によって取り出された複数枚のウエハWの間隔を
調整する間隔調整機構12を具備すると共に、水平状態
のウエハWを垂直状態に変換する第1の姿勢変換装置1
3が配設されている。
【0018】また、第2の室4b内には、処理済みの複
数枚のウエハWを処理部3から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム14と、ウエハ受渡しア
ーム14から受け取ったウエハWを垂直状態から水平状
態に変換する第2の姿勢変換装置13Aと、この第2の
姿勢変換装置13Aによって水平状態に変換された複数
枚のウエハWを受け取って搬出部6に搬送された空のキ
ャリア1内に収納する水平方向(X,Y方向),垂直方
向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウエハ収納アー
ム15が配設されている。なお、第2の室4bは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
(N2)ガスの供給源から供給されるN2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。
【0019】一方、上記処理部3には、ウエハWに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第1の処理ユ
ニット16と、ウエハWに付着する金属汚染を除去する
第2の処理ユニット17と、ウエハWに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
であるこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置18及びチャ
ック洗浄ユニット19が直線状に配列されており、これ
ら各ユニット16〜19と対向する位置に設けられた搬
送路20に、X,Y方向(水平方向)、Z方向(垂直方
向)及び回転(θ)可能なウエハ搬送アーム21が配設
されている。
【0020】次に、この発明に係る洗浄・乾燥処理装置
について説明する。 ◎第一実施形態 図3はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の一例を示す
断面図、図4はその要部の側断面図である。
【0021】上記洗浄・乾燥処理装置18は、例えばフ
ッ化水素酸の薬液や純水等の洗浄液を貯留(収容)し、
貯留した薬液やリンス液(洗浄液)例えば純水にウエハ
Wを浸漬する洗浄槽22(洗浄室)と、洗浄槽22の上
部に位置する乾燥室23と、複数例えば50枚のウエハ
Wを保持してこのウエハWを洗浄槽22内及び乾燥室2
3内に移動する移動手段例えばウエハボート24とで主
に構成されている。
【0022】この場合、洗浄槽22は、例えば石英製部
材やポリプロピレンにて形成される内槽22aと、この
内槽22aの上端部外側に配設されて内槽22aからオ
ーバーフローした純水を受け止める外槽22bとで構成
されている。また、内槽22aの下部両側には洗浄槽2
2内に位置するウエハWに向かって薬液又は純水を噴射
する薬液・洗浄液供給ノズル25(以下に供給ノズルと
いう)が配設され、この供給ノズル25に接続する図示
しない薬液供給源及び純水供給源から切換弁によって薬
液又は純水が供給されて洗浄槽22内に薬液又は純水が
貯留されるようになっている。また、内槽22aの底部
には排出口が設けられており、この排出口に排出バルブ
26aを介設するドレン管26が接続されている。外槽
22bの底部に設けられた排出口にも排出バルブ27a
を介設するドレン管27が接続されている。なお、外槽
22bの外側には排気ボックス28が配設されており、
この排気ボックス28に設けられた排気口にバルブ29
aを介設する排気管29が接続されている。
【0023】上記のように構成される洗浄槽22と排気
ボックス28は、有底筒状のボックス30内に配設され
ており、ボックス30を水平に仕切る仕切板31によっ
て洗浄槽側の上部室32aと内槽22a及び外槽22b
に接続するドレン管26,27及び排気管29の排液口
及び排気口側の下部室32bとが区画されている。それ
によって、下部室32bの雰囲気、排液の飛散が上部室
32a内に入り込むことを防ぎ、上部室32a内が清浄
に保たれる。なお、上部室32aの側壁には排気窓33
が設けられ、下部室32bの上部側壁に排気窓34が、
下部側壁には排液口35が設けられている。
【0024】一方、上記乾燥室23は、洗浄槽22の開
口部22cとの間にシャッタ36を介して連通する開口
部23aを有する断面略逆U字状の石英製部材に形成さ
れており、その内方の上部両側に乾燥ガス供給手段例え
ば乾燥ガス供給ノズル37が配設されている。乾燥ガス
供給ノズル37は、供給管38を介して乾燥ガス発生器
39に接続されており、乾燥ガス発生器39には乾燥ガ
ス用液体例えばIPA(イソプロピルアルコール)の供
給源70とキャリアガス例えば窒素(N2)ガスの供給
源71が接続されている。この場合IPA供給源70か
らのIPAとN2ガス供給源71からのN2ガスの混合比
は制御手段例えばCPU60からの制御信号に基づいて
設定される。また、供給管38には開閉弁40(開閉手
段)が介設されており、開閉弁40の開閉動作によって
乾燥ガス発生器39によって生成された乾燥ガス(IP
A+N2)を乾燥ガス供給ノズル37から乾燥室23内
に供給し得るように構成されている。なお、使用する乾
燥ガスとしてはIPA等のアルコールケトン類、エーテ
ル類、多価アルコール等の有機溶剤を用いることができ
る。
【0025】更に、乾燥室23内には、乾燥時にウエハ
Wを保持するために、保持手段80が設けられている。
この保持手段80は、軸方向に適宜間隔をおいて複数例
えば50箇所の保持溝83を有する2本の互いに平行な
例えば石英製の保持棒80a,80bより構成されてい
る(図5参照)。
【0026】この場合、上記保持棒80a,80bは、
乾燥室23の側壁を貫通する回転軸85a,85bの乾
燥室内側端部に揺動アーム84a,84bを介して装着
されており、互いに噛合する歯車86a,86bを装着
する回転軸85a,85bのうちの一方85aが正逆回
転可能なモータ81に連結されている。なお、回転軸8
5a,85bは、シール性を有する軸受82を介して乾
燥室23の側壁を貫通しており、乾燥室23の気密性が
保持されている。
【0027】上記のように構成することにより、モータ
81を駆動して回転軸85aを所定角度回転すると、回
転軸85aの回転は揺動アーム84aを介して保持棒8
0aに伝達されて保持棒80aを例えば時計方向に円弧
運動する一方、回転軸85aの回転は歯車85a,85
bを介して他方の回転軸85bを逆回転させ、その回転
を揺動アーム84bを介して保持棒80bに伝達し、保
持棒80bを例えば反時計方向に円弧運動する。したが
って、保持棒80a,80bは、モータ81の正逆回転
によりそれぞれ乾燥室23内に移動されるウエハWの外
方側の待機位置と、ウエハWの下部側辺を保持する保持
位置に選択的に切り換えられて、ウエハWの保持及び保
持の解除を行うことができる。
【0028】上記シャッタ36は、図4に示すように、
上部シャッタ体36aと下部シャッタ体36bに分割さ
れており、両シャッタ体36a,36b間に介設(内
蔵)される複数例えば8個のシリンダ50によって接離
方向への間隔調節可能に形成されている。このようにシ
ャッタ36を上部シャッタ体36aと下部シャッタ体3
6bとに分割し、シリンダ50を介して接離方向の間隔
調節可能に形成することにより、シャッタ36を閉じた
状態で洗浄槽22と乾燥室23に密接することができる
ので、洗浄槽22と乾燥室23の遮断性を確実にするこ
とができる。
【0029】また、シャッタ36の下部シャッタ体36
bにおける開閉移動方向に沿う両側には断面略逆ハット
状の翼片51が突設されており、その一方がシャッタ3
6の開閉駆動手段52(以下に駆動手段という)と連結
されている。この場合、ケーシング内に不活性ガス例え
ばN2ガスが供給されている。また、両翼片51の一部
の屈曲部51aが洗浄槽22の上部に設けられた樋状槽
53内に貯留された水等のシール用液体54に浸漬され
た状態で移動可能に配設されている。
【0030】このようにシャッタ36の両側に突出する
翼片51の屈曲部51aを移動可能に収容すると樋状槽
53と、この樋状槽53内に貯留されて翼片51の屈曲
部51aを浸漬するシール用液体54とで液体シール機
構55を形成する。このように形成される液体シール機
構55によって洗浄槽22と、洗浄槽22の外部{具体
的にはシャッタ36の駆動手段52及び洗浄槽22に関
して駆動手段52と反対側}とを気水密にシールするこ
とができる。なお、図示しないが、樋状槽53の下部に
設けられた供給口から常時シール用液体54が供給され
ると共に、上部側部に設けられた排液口から常時排出し
て絶えず樋状槽53内にシール用液体54が充満されて
いる。
【0031】また、洗浄槽22と駆動手段52は区画壁
56によって区画されており、更に区画壁56の下端部
が樋状槽53内における翼片51の屈曲部51a内方で
シール用液体54に浸漬されている。したがって、洗浄
槽22側の処理部と駆動手段52側との雰囲気を確実に
遮断することができる。
【0032】なおこの場合、上記駆動手段52及びシリ
ンダ50は上記制御手段すなわちCPU60からの信号
に基づいて駆動されてシャッタ36を開閉し得るように
構成されている。
【0033】次に、上記洗浄・乾燥処理装置の第一実施
形態について、その動作態様を図6ないし図9を参照し
て説明する。
【0034】洗浄処理 図6に示すように、シャッタ36を開状態にして、洗浄
槽22内にウエハWを収容した後、シャッタ36を閉状
態にして洗浄液例えば純水Lを貯留し、オーバーフロー
させて洗浄処理を施す。
【0035】乾燥工程 洗浄処理後、図7に示すように、シャッタ36を開状態
にし、ウエハボート24を上昇させてウエハWを乾燥室
23へ移動させる。このとき、洗浄槽22内は、純水L
が貯留したままか、排液される。その後、シャッタ36
を閉状態にして、保持溝83を有する2本の保持棒80
a,80bより構成される保持手段80に連結されるモ
ータ81を駆動させ、図8に示すようにウエハボート2
4がウエハWと接触する領域とは異なる領域を、保持手
段80によって保持させる。この際、保持手段80にて
ウエハWを保持すると同時に、ウエハボート24を下方
に移動させてウエハWの保持を解除し、図9に示すよう
に乾燥ガス供給ノズル37から乾燥室23内に乾燥ガス
(IPA+N2)を供給し、ウエハWの表面に残留する
純水Lと乾燥ガスの凝縮によりウエハWに残留する水分
の除去及び乾燥を行う。その後、N2ガスを供給して乾
燥工程を終了する。
【0036】この乾燥工程においては、乾燥室23内
で、ウエハボート24から保持手段80へ、互いの接触
領域が異なるようにウエハWを持ち換えるので、移動手
段による接触領域の水切れの悪さが解消され、かつ、そ
の領域の乾燥ガスの接触状態も良好となる。したがっ
て、乾燥時間を短縮できると共に乾燥ガスの消費量を削
減できるので、乾燥効率の向上を図ることができる。更
に、乾燥むらも解消でき、歩留まりの向上を図ることが
できる。
【0037】また、乾燥工程中に洗浄槽22内の洗浄液
を交換することにより、以後の洗浄処理の開始時間を早
めることができる。
【0038】◎第二実施形態 この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施形態の構
成は上記第一実施形態と同様であり、図3ないし図5に
よって示されるので、ここではその説明は省略する。
【0039】次に、第二実施形態における洗浄・乾燥処
理装置の動作態様について図10ないし図14を参照し
て説明する。
【0040】洗浄処理 第一実施形態と同様に、図10に示すように、シャッタ
36を開状態にして、洗浄槽22内にウエハWを収容し
た後、シャッタ36を閉状態にして洗浄液例えば純水L
を貯留し、オーバーフローさせて洗浄処理を施す。
【0041】第一乾燥工程 第一実施形態と同様に、洗浄処理後、図11に示すよう
に、シャッタ36を開状態にし、ウエハボート24を上
昇させてウエハWを乾燥室23へ移動させる。その後、
シャッタ36を閉状態にして、保持手段80に連結され
るモータ81を駆動させ、図12に示すようにウエハボ
ート24がウエハWと接触する領域とは異なる領域を、
保持手段80(具体的には保持棒80a,80b)によ
って保持させる。この際、保持手段80にてウエハWを
保持すると同時に、ウエハボート24を下方に移動させ
てウエハWの保持を解除し、図13に示すように乾燥ガ
ス供給ノズル37から乾燥室23内に乾燥ガス(IPA
+N2)を供給し、ウエハWの表面に残留する純水Lと
乾燥ガスの凝縮によりウエハWに残留する水分の除去及
び乾燥を行う。
【0042】第二乾燥工程 第一乾燥工程によって、ウエハWの表面を乾燥できた
ら、ウエハWから離れて待機していたウエハボート24
を上昇させて、再びウエハWを接触保持させると同時
に、保持手段80の保持棒80a,80bによるウエハ
Wの保持を解除して、そのまま乾燥ガス供給ノズル37
から乾燥室23内に乾燥ガスを供給し続ける(図14参
照)。
【0043】この第二乾燥工程においては、第一乾燥工
程時にウエハボート24から保持手段80に持ち換えた
ものを、再び保持手段80からウエハボート24へ持ち
換えるので、保持手段80が保持する領域に多少の水分
が付着している場合の、その領域の水切れの悪さ及び乾
燥ガスの接触効率の悪さを解消することができる。した
がって、より乾燥時間を短縮できると共に、乾燥ガスの
消費量も削減できるので、乾燥効率の向上を更に図るこ
とができ、また、乾燥むらも更に解消でき、歩留まりの
向上を更に向上できる。なお、乾燥工程中に洗浄槽22
内の洗浄液を交換することにより、以後の洗浄処理の開
始時間を早めることができる。また、第二乾燥工程後、
乾燥ガスに代えてN2ガスを供給して乾燥処理を完了す
る。
【0044】なお、乾燥ガスを供給するタイミングは、
ウエハWが乾燥室23内に移動する前に行うようにして
もよい。また、上記実施形態では、この発明の洗浄・乾
燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用し
た場合について説明したが、洗浄処理以外の処理システ
ムにも適用できることは勿論であり、また、半導体ウエ
ハ以外のLCDガラス基板等にも適用できることは勿論
である。
【0045】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法によれば、上記
のように構成されているので、以下のような優れた効果
が得られる。
【0046】(1)請求項1,3〜5又は7に記載の発
明によれば、洗浄処理後の被処理体を移動手段が乾燥室
へ移動した後、乾燥室内で待機していた保持手段が、移
動手段の保持領域とは異なる領域を保持すると共に、移
動手段による保持を解除した状態で、乾燥ガスを接触す
るので、移動手段が保持していた領域への乾燥ガスの接
触領域が良好となる。したがって、乾燥時間及び乾燥ガ
ス消費量を削減できると共に、乾燥効率の向上を図るこ
とができる。また、乾燥むらも解消できるので、歩留ま
りを向上させることができる。
【0047】(2)請求項2,3,4又は6に記載の発
明によれば、洗浄処理後の被処理体を移動手段が乾燥室
へ移動した後、乾燥室内で待機していた保持手段が、移
動手段の保持領域とは異なる領域を保持すると共に、移
動手段による保持を解除した状態で、乾燥ガスを接触す
るので、移動手段が保持していた領域への乾燥ガスの接
触領域が良好となる。その後、再び保持手段から移動手
段へ持ち換えるので、多少ぬれた状態で保持手段に保持
されていた領域が開放され、その領域の乾燥ガスの接触
状態も良好となり、上記(1)に加えて更に迅速かつ確
実に乾燥でき、かつ乾燥時間を短縮し、乾燥ガス消費量
を削減できると共に、乾燥効率の向上を図ることができ
る。また、乾燥むらも解消されて、歩留まりの向上を図
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置を適用した
洗浄処理システムの概略平面図である。
【図2】上記洗浄処理システムの概略側面図である。
【図3】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一及び
第二実施形態を示す断面図である。
【図4】図3の要部を示す側断面図である。
【図5】図3及び図4の要部を拡大して示す斜視図であ
る。
【図6】第一実施形態における洗浄処理の状態を示す概
略断面図である。
【図7】第一実施形態におけるウエハの移動過程の状態
を示す概略断面図である。
【図8】第一実施形態におけるウエハボートから保持手
段への持ち換え過程を示す概略断面図である。
【図9】第一実施形態における乾燥工程の状態を示す概
略断面図である。
【図10】第二実施形態における洗浄処理の状態を示す
概略断面図である。
【図11】第二実施形態におけるウエハの移動過程の状
態を示す概略断面図である。
【図12】第二実施形態におけるウエハボートから保持
手段への持ち替え過程を示す概略断面図である。
【図13】第二実施形態における第一乾燥工程の状態を
示す概略断面図である。
【図14】第二実施形態における保持手段からウエハボ
ートへの持ち換え過程及び第二乾燥工程の状態を示す概
略断面図である。
【図15】従来の洗浄・乾燥処理装置の実施例を示す概
略断面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 22 洗浄槽(洗浄室) 23 乾燥室 24 ウエハボート(移動手段) 37 乾燥ガス供給ノズル(乾燥ガス供給手段) 80 保持手段 80a,80b 保持棒 81 モータ(保持手段駆動部) 83 保持溝

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を洗浄する洗浄液を収容する洗
    浄室と、上記洗浄室の上方に配置される乾燥室と、上記
    被処理体を保持し、かつ、上記洗浄室と乾燥室間を移動
    可能に形成される被処理体の移動手段とを具備する洗浄
    ・乾燥処理装置において、 上記乾燥室内に、上記被処理体の保持及び保持の解除可
    能で、かつ、上記移動手段が被処理体と接触する領域と
    は異なる領域を接触保持する保持手段を設けることを特
    徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置にお
    いて、 上記移動手段が、上記乾燥室内において、被処理体の保
    持及び保持の解除可能に形成されることを特徴とする洗
    浄・乾燥処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の洗浄・乾燥処理装
    置において、 上記移動手段又は保持手段のいずれか一方が被処理体を
    保持する間は、他方は被処理体と接触しないように形成
    することを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の洗
    浄・乾燥処理装置において、 上記乾燥室内に、乾燥ガス供給手段を具備することを特
    徴とする洗浄・乾燥処理装置。
  5. 【請求項5】 洗浄室内に供給される洗浄液に被処理体
    を接触して洗浄し、その後、上記被処理体を上記洗浄室
    の上方に配置される乾燥室に移動して、乾燥室内に供給
    される乾燥ガスを接触して乾燥する洗浄・乾燥処理方法
    において、 移動手段によって保持される上記被処理体を上記洗浄室
    内に収容した状態で、洗浄室内に供給される洗浄液を接
    触して洗浄する洗浄工程と、 上記移動手段によって上記乾燥室内に移動される上記被
    処理体を、移動手段によって保持される領域とは異なる
    領域を保持する保持手段によって持ち換えて保持した状
    態で、上記乾燥ガスを接触して乾燥する乾燥工程と、を
    有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
  6. 【請求項6】 洗浄室内に供給される洗浄液に被処理体
    を接触して洗浄し、その後、上記被処理体を上記洗浄室
    の上方に配置される乾燥室に移動して、乾燥室内に供給
    される乾燥ガスを接触して乾燥する洗浄・乾燥処理方法
    において、 移動手段によって保持される上記被処理体を上記洗浄室
    内に収容した状態で、洗浄室内に供給される洗浄液を接
    触して洗浄する洗浄工程と、 上記移動手段によって上記乾燥室内に移動される上記被
    処理体を、移動手段によって保持される領域とは異なる
    領域を保持する保持手段によって持ち換えて保持した状
    態で、上記乾燥ガスを接触して乾燥する第一乾燥工程
    と、 乾燥中に、上記保持手段によって保持される上記被処理
    体を上記移動手段によって持ち換えて乾燥する第二乾燥
    工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方
    法。
  7. 【請求項7】 洗浄室内に供給される洗浄液に被処理体
    を接触して洗浄し、その後、上記被処理体を上記洗浄室
    の上方に配置される乾燥室に移動して、乾燥室内に供給
    される乾燥ガスを接触して乾燥する洗浄・乾燥処理方法
    において、 移動手段によって保持される上記被処理体を上記洗浄室
    内に収容した状態で、洗浄室内に供給される洗浄液を接
    触して洗浄する洗浄工程と、 上記被処理体を、上記移動手段によって上記乾燥室内に
    移動する工程と、 上記被処理体を、上記移動手段で保持した状態で、上記
    乾燥ガスを接触させて乾燥する工程と、 乾燥中に、上記被処理体を、上記移動手段によって保持
    される領域とは異なる領域を保持する保持手段によって
    持ち換えて保持した状態で、上記乾燥ガスを接触させて
    乾燥する工程と、を有することを特徴とする洗浄乾燥処
    理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4776044B1 (ja) * 2010-11-16 2011-09-21 ジャパン・フィールド株式会社 被洗浄物の洗浄装置

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