JP2002136935A - 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 - Google Patents

洗浄処理装置及び洗浄処理方法

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JP2002136935A
JP2002136935A JP2001258961A JP2001258961A JP2002136935A JP 2002136935 A JP2002136935 A JP 2002136935A JP 2001258961 A JP2001258961 A JP 2001258961A JP 2001258961 A JP2001258961 A JP 2001258961A JP 2002136935 A JP2002136935 A JP 2002136935A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 異なる種類の洗浄液を使用する場合に、次工
程に異なる雰囲気が持ち込まれるのを防止し、製品歩留
まりの向上を図る。 【解決手段】 半導体ウエハ1を回転可能に保持するス
ピンチャック50と、ウエハ1に所定の洗浄液を供給す
る第1の洗浄液供給手段を有する第1の洗浄処理部25
と、スピンチャック50と、ウエハ1に第1の洗浄処理
部25で使用される洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を供
給する洗浄液供給ノズルを有する第2の洗浄処理部26
と、ウエハ1を所定位置に搬送し、スピンチャック50
との間でウエハ1を受け渡す搬送手段23とを具備し、
第1の洗浄処理部25と第2の洗浄処理部26とを搬送
手段23の搬送路22によって分離配置する。これによ
り、各洗浄処理工程中における異なる雰囲気成分の侵入
を確実に阻止することができるので、ウエハ1の異なる
雰囲気の洗浄液による汚染の防止が図れると共に、製品
歩留まりの向上を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、洗浄処理装置及
び洗浄処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、被処理体例えば半導体ウエハ(以下にウエハとい
う)の表面に付着するパーティクル、有機汚染物、金属
不純物等のコンタミネーションを除去するために、例え
ばアンモニア、フッ酸及び純水等の洗浄液を用いてウエ
ハを洗浄する洗浄処理装置が使用されている。
【0003】この種の洗浄処理装置の1つとして、ウエ
ハを回転可能に保持して、ウエハ表面にアンモニア、フ
ッ酸等のアルカリ性あるいは酸性の薬液やリンス液例え
ば純水を供給して洗浄する枚葉式の洗浄処理装置が知ら
れている。この洗浄処理装置によれば、保持手段例えば
スピンチャックにてウエハを保持した状態で、ウエハ表
面に所定温度のアンモニアあるいはフッ酸等の洗浄用薬
液(洗浄液)を液盛り状に供給した後、所定時間洗浄処
理することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の洗浄処理装置においては、洗浄液としてアルカリ性の
薬液と酸性の薬液の異なる種類の薬液を使用する場合に
は、ウエハは異なる雰囲気中に晒されることとなり、次
工程の洗浄においてウエハに前工程の異なる雰囲気の成
分が持ち込まれると、洗浄に支障をきたすと共に、製品
歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【0005】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、異なる種類の洗浄液を使用する場合に次工程に異な
る雰囲気が持ち込まれることを防止して、製品歩留まり
の向上を図れるようにした洗浄処理装置及び洗浄処理方
法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の洗浄処理装置は、被処理体を回転可能に
保持する保持手段と、上記被処理体に所定の洗浄液を供
給する第1の洗浄液供給手段とを有する第1の洗浄処理
部と、 上記保持手段と、上記被処理体に上記第1の洗
浄処理部で使用される洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を
供給する第2の洗浄液供給手段とを有する第2の洗浄処
理部と、 上記被処理体を所定位置に搬送し、上記保持
手段との間で被処理体を受け渡す搬送手段とを具備し、
上記第1の洗浄処理部と第2の洗浄処理部とを上記搬
送手段の搬送路によって分離配置してなることを特徴と
するものである(請求項1)。
【0007】また、この発明の洗浄処理方法は、被処理
体を搬送する搬送手段の搬送路によって分離配置される
第1の洗浄処理部に被処理体を搬送する工程と、 上記
第1の洗浄処理部に搬送された上記被処理体に第1の洗
浄液を供給して洗浄する第1の洗浄工程と、 上記第1
の洗浄後、上記被処理体を、上記搬送手段の搬送路によ
って上記第1の洗浄処理部と分離配置される第2の洗浄
処理部に搬送する工程と、 上記第2の洗浄処理部に搬
送された上記被処理体に上記第1の洗浄液と異なる雰囲
気の洗浄液を供給して洗浄する第2の洗浄工程と、を有
することを特徴とする(請求項3)。
【0008】この発明の洗浄処理方法において、被処理
体に洗浄液を供給して洗浄する工程が、上記被処理体を
回転させながら被処理体に洗浄液を供給し、次いで、被
処理体の回転を停止し、被処理体上に洗浄液を液盛りし
た状態で所定時間放置し、その後、上記被処理体を回転
させて洗浄液を振り切り除去することを含むことも可能
である(請求項4)。
【0009】上記のように構成されるこの発明によれ
ば、被処理体を回転可能に保持する保持手段と、異なる
種類の洗浄液を使用する第1の洗浄処理部と第2の洗浄
処理部とを、被処理体の搬送手段の搬送路によって分離
配置することにより、例えばアルカリ系処理部と酸系処
理部とを区画することができ、各洗浄処理工程中におけ
る異なる雰囲気成分の侵入を確実に阻止することができ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施形態を添付
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、この
発明に係る洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理シス
テムに適用した場合について説明する。
【0011】上記洗浄処理システムは、図1に示すよう
に、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエハとい
う)を複数枚例えば25枚収容するカセットCの搬入・
搬出部1と、ウエハWを洗浄処理する複数の処理部を有
する処理室2と、この処理室2と搬入・搬出部1との間
に位置して、ウエハWの受渡しを行うピンセット30を
有するウエハ受渡し部3と、各処理部で使用される洗浄
液例えばアンモニアあるいはフッ酸等の薬液及びリンス
液例えば純水等の洗浄液の供給ボックス4とを具備して
なる。
【0012】この場合、処理室2内の中央には、ウエハ
Wを把持するための第1,第2の2本の搬送アームを有
するメインアーム20を水平方向(X,Y方向)、垂直
方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能に駆動する駆動
機構21と、この駆動機構21をX方向に移動するため
の搬送路22とを有する搬送手段23が設けられてお
り、この搬送手段23の搬送路22に関して一方の側に
は、裏面洗浄部24と、アルカリ性洗浄液による洗浄処
理を行う2つの洗浄処理部25(以下に第1の洗浄処理
部という)が配設されている。また、搬送路22の反対
側には、酸性洗浄液による洗浄処理を行う2つの洗浄処
理部26(以下に第2の洗浄処理部という)と、仕上げ
の洗浄と乾燥処理を行う洗浄・乾燥処理部27が配設さ
れている。
【0013】上記第1の洗浄処理部25と第2の洗浄処
理部26は使用する洗浄液(薬液)が異なる以外は同様
の構造であるので、ここでは第1の洗浄処理部25を代
表例として説明する。第1の洗浄処理部25は、図2に
示すように、ウエハWを回転可能に保持する保持手段例
えばスピンチャック50と、このスピンチャック50の
下部及び側部を包囲して使用済の洗浄液を回収するカッ
プ60と、スピンチャック50にて保持されたウエハ表
面に洗浄液(薬液)を供給する洗浄液供給ノズル70
(第1の洗浄液供給手段)と、スピンチャック50の上
面と対向して配設され、ウエハW及び洗浄液供給ノズル
70を包囲すると共にスピンチャック50に対して上下
方向に進退移動可能な保温体71とを具備してなる。こ
のように構成することにより、保温体71とスピンチャ
ック50とを近付けることにより共働してウエハW及び
洗浄液供給ノズル70から供給される洗浄液の保温空間
を形成することができる。なお、スピンチャック50の
上方の側部には、スピンチャック50にて保持されるウ
エハWに向ってリンス液例えば純水を供給する純水供給
ノズル80が、供給位置と待機位置間を移動可能に配設
されている。
【0014】この場合、上記スピンチャック50は、ウ
エハ保持面に複数個のウエハ保持爪51を有する回転可
能なチャック本体52と、このチャック本体52の中心
部に設けられた貫通孔53内にシールベアリング54を
介して貫挿される昇降可能なウエハ受渡し用の支持体5
5とで構成されており、チャック本体52はスピンモー
タM1の駆動によりタイミングベルト52aを介して回
転され、支持体55は昇降用シリンダ56の駆動によっ
て保持面の上方に昇降移動し得るように構成されてい
る。なおこの場合、チャック本体52の保持面の下部側
に図2に二点鎖線で示すように、温度調整用熱媒体循環
通路57を形成し、この通路57内に温調用熱媒体や恒
温液を循環することによってスピンチャック50にて保
持されるウエハW及び洗浄液を所定温度に保つ温度調整
機構を構成することができる。
【0015】上記のように構成されるスピンチャック5
0において、昇降用シリンダ56の駆動により支持体5
5がチャック本体52の保持面より上方に突出した状態
で上記メインアーム20との間でウエハWの受渡しが行
われ、ウエハWを保持した支持体55が下降して保持面
と同一面あるいはそれ以下に下降した状態でウエハWが
チャック本体52の保持爪51によって保持される。
【0016】上記カップ60は、スピンチャック50の
保持面の下方に位置する底部61と、この底部61から
スピンチャック50の保持面の下方近傍位置まで起立す
る筒状の側部62を有する内カップ63と、この内カッ
プ63の外側に環状に形成され上端がスピンチャック5
0の保持面の上方近傍位置に延在する外カップ64とで
構成されており、内カップ63の内側には環状の仕切り
壁65が底部61から起立して設けられると共に、内カ
ップ63の外周側の底部61の適宜位置に洗浄液排出口
66が設けられ、また、外カップ64の底部64Aの適
宜位置には純水排出口67が設けられている。
【0017】一方、上記保温体71は、下面の内方側に
凹部72を有する断面略逆U字形に形成されており、凹
部72の中心位置に洗浄液供給ノズル70を取付け、ま
た、上部側方に設けられる洗浄液供給管接続口73と洗
浄液供給ノズル70とを連通する連通路(図示せず)を
内部に設けると共に、所定の温度の熱媒体あるいは恒温
液を循環供給する温度調整用熱交換器74(温度調整機
構)を内蔵してなる。この連絡通路は、少なくとも1回
の洗浄処理に必要な洗浄液量を内蔵し、温度調整された
洗浄液を供給可能に構成される。
【0018】なお、この熱交換器74に代えてヒータを
用いてもよい。また、保温体71は昇降機構75に連結
されており、昇降機構75の駆動によってスピンチャッ
ク50の保持面に対して可及的に近接する状態に進退移
動可能に形成されている。この場合、昇降機構75はボ
ールねじ機構にて形成されており、正逆回転する駆動モ
ータM2によって回転するねじ軸76にボール(図示せ
ず)を介して螺合する可動ナット77にブラケット78
を介して保温体71が連結されて、駆動モータM2の駆
動によって保温体71がスピンチャック50の保持面に
対して進退移動し得るように構成されている。なお、昇
降機構75は必ずしもモータM2とボールねじ機構によ
るものである必要はなく、モータM2とボールねじ機構
に代えてシリンダによる往復移動機構のものを用いても
よい。
【0019】なお、上記実施形態では保温体71がスピ
ンチャック50の上面に接触しない状態で近接される場
合について説明したが、スピンチャック50と保温体7
1とを相対的に回転可能にするシールベアリングを介在
させることによって、保温体71をスピンチャック50
に接触させることもでき、更に保温機能の向上を図るこ
とができる。また、上記第1の洗浄処理部25は図2に
二点鎖線で示す容器90内に設けられており、容器90
の天井部に配設されるフィルタ91によって容器内に清
浄化された空気が供給され底部から排気されるようにな
っている。
【0020】上記のように構成される第1の洗浄処理部
25において、ウエハWを洗浄処理する場合、まず、図
3(a)に示すように、保温体71を上方へ待機させた
状態でスピンチャック50の支持体55を保持面より上
方へ突出し、この状態でメインアーム20にて把持され
たウエハWを搬入し支持体55で受取ってメインアーム
20を洗浄処理部25から後退させる。次に、図3
(b)に示すように、保温体71が下降してスピンチャ
ック50の保持面の近傍に位置して保温空間を形成す
る。この状態で洗浄液供給ノズル70から洗浄液例えば
アンモニア液をウエハWの中心部に所定量供給する。こ
の際、スピンチャック50を静止又は回転して洗浄液を
ウエハ表面に液盛りする。そして、所定時間、この状態
を保つことにより、熱交換器74及び保温体71によっ
て洗浄液が所定温度に保温された状態で洗浄液とウエハ
Wとの化学反応による洗浄処理を行う。なお、スピンチ
ャック50に温度調整機構57を設けることによって更
に洗浄液及び洗浄雰囲気の温度を所定温度に維持するこ
とができるので、洗浄処理をより一層安定させることが
できる。このようにして、アンモニア液による洗浄処理
を行った後、図3(c)に示すように、保温体71を上
方へ後退させ、純水供給ノズル80をウエハWの上方へ
移動してウエハW表面に純水を供給すると共に、スピン
チャック50を高速回転してウエハW表面に付着するア
ンモニア液を除去する。そして、所定時間純水を供給し
て洗浄した後、純水の供給を停止し、スピンチャック5
0のみを回転し続けて振り切り乾燥を行う。その後、ス
ピンチャック50の回転を停止し、図3(d)に示すよ
うに、支持体55を上昇させ、側方から洗浄処理部内に
侵入するメインアーム20にてウエハWを受取ってウエ
ハWを次の処理工程へ搬送する。
【0021】なお、上記第2の洗浄処理部26において
は、洗浄液がアンモニア液に代えてフッ酸が使用され、
洗浄液が所定温度に温調されて洗浄処理される以外は上
記第1の洗浄処理部25と同様である。また、上記第1
の洗浄処理部25と第2の洗浄処理部26とを搬送手段
23の搬送路22によって分離配置することによって、
アルカリ雰囲気と酸性雰囲気とを区画することができ、
第1の洗浄処理部25で洗浄処理されたウエハWが第2
の洗浄処理部26で洗浄処理される際にアルカリ雰囲気
の成分が第2の洗浄処理部26内に持ち込まれるのを阻
止することができる。
【0022】一方、上記搬入・搬出部1には、上記カセ
ットCを搬出入可能に封入するコンテナ10と、このコ
ンテナ10と洗浄処理室2(具体的にはウエハ受渡し部
3)との間に気密に介在される気密室11と、気密室1
1内に配設されて、コンテナ10との間でカセットCを
搬出入するカセット搬送用昇降機構18とが設けられて
いる。この場合、コンテナ10は、下方が開口する例え
ば硬質プラスチック製あるいはステンレスやアルミニウ
ムなどの金属製の箱状のコンテナ本体10aと、このコ
ンテナ本体10aの開口部10bを開閉可能に塞ぐと共
にその上にカセットCを載置する蓋体13とで構成され
ており、蓋体13によって塞がれた状態においてカセッ
トCはコンテナ10内に気密状態で保管されるようにな
っている。このコンテナ10内は、例えばN2ガスなど
の不活性ガス雰囲気で、常圧又は僅かに加圧、例えば
0.05Torr程度以上の雰囲気に設定されている。な
お、コンテナ10内に収容されるカセットCは、図示し
ない操作ノブ付きの気密にシールされた保持部材の押圧
によってコンテナ10内に固定された状態で保持され、
保持部材の押圧を解除することによって固定保持が解除
されるようになっている。
【0023】また、コンテナ本体10aの開口部10b
には外向きフランジ10cが設けられており、この外向
きフランジ10cの下面に周設された凹溝10d内に、
例えばOリングなどのシール部材15が装着されてい
る。また、外向きフランジ10cの内周下面側には、例
えばOリングなどのシール部材(図示せず)が全周に渡
って装着されており、これに蓋体13の周縁上部を押圧
することでコンテナ本体10a内を気密状態に保つこと
ができるようになっている。なお、蓋体13は図示しな
いロック機構、嵌合機構等により外向きフランジ10c
部分に密着される。
【0024】このように構成されるコンテナ10は図示
しない搬送手段によって気密室11の頂部に載置され、
気密室11の頂部上面に装着された自動的又は手動的な
結束手段としてのクランプ16によって外向きフランジ
10cが締結されることによってシール部材15がコン
テナ10と気密室11に密接して、コンテナ10と気密
室11とが気密に連結される。なお、クランプ16に代
えて図4に二点鎖線で示すような押圧部材17を、コン
テナ10の上方から下方に向って押圧することによって
も同様にコンテナ10と気密室11とを気密に連結する
ことができる。更に、コンテナ10の自重により押圧す
るようにしてもよい。
【0025】一方、上記気密室11は、その頂部上面に
おけるコンテナ載置部に開閉可能なシャッタ14を設け
た開口窓11aを具備すると共に、その内部に昇降機構
18を配設してなる。この気密室11の上部側壁にはガ
ス供給口11bが開設され、底壁部には排気口11cが
開設されている。そして、ガス供給口11bにはバルブ
V1を介してN2ガス供給源11dが接続され、排気口1
1cにはバルブV2を介して排気手段としての真空ポン
プ11eが接続されている。したがって、気密室11内
はN2ガス供給源11dから供給されるN2ガスによって
パージされ、コンテナ10内と同一の常圧又は僅かに加
圧、例えば0.05Torr程度の雰囲気、あるいは真空ポ
ンプ11eの駆動によって所定の真空度、例えば1×1
0-1〜10-8Torrの雰囲気に設定される。なお、気密室
11の圧力は圧力検出器11fによって測定され、手動
あるいは自動的に気密室11内の圧力が設定される。
【0026】上記昇降機構18は、気密室11の下方に
配置されたモータM3と、このモータM3に図示しないボ
ールねじ機構を介して連設する昇降ロッド18aとから
なり、昇降ロッド18aの上部に昇降台18bを取付け
てなる。また、昇降台18bと気密室11の底壁との間
には、伸縮自在なベローズ等の気密壁18cが張設され
ており、この気密壁18cによって昇降機構18と気密
室11内とが気密に区画されて、昇降機構18の搬送駆
動部から気密室11内にごみ等が侵入するのを防止して
いる。なお、昇降機構18は必ずしもモータM3とボー
ルねじ機構によるものである必要はなく、モータM3と
ボールねじ機構に代えてシリンダによる往復移動機構の
ものを用いてもよい。
【0027】上記のように構成される搬入・搬出部1に
おけるコンテナ10の構造及び気密室11の気密機構、
減圧機構等は、少なくとも洗浄処理されたウエハWの搬
出時に適用されるようになっていればよい。
【0028】一方、上記ウエハ受渡し部3は、図5に示
すように、上記気密室11との間に開閉シャッタ31を
介して連設され、また、処理室2との間に開閉シャッタ
31Aを介して連設される室32内に設けられ、ウエハ
Wを支持する2つの支持面30a,30bを有するピン
セット30と、このピンセット30の支持面30a,3
0bをウエハWの支持位置へ切換移動するための切換移
動機構33と、ピンセット30を切換移動方向と直交す
る垂直(Z)方向に移動する垂直移動機構34と、ピン
セット30を水平方向(θ方向)に回転する回転機構
(図示せず)と、ピンセット30を上記気密室11内の
カセットCに対して進退方向(X方向)に移動する進退
移動機構35及びこれら機構部とピンセット30を横方
向(Y方向)に移動する案内レール36aと直動ベアリ
ング36bとからなる移動機構36とを具備している。
【0029】この場合、上記ピンセット30は、例えば
フッ素樹脂あるいはポリエーテルエーテルケトン(PE
EK)等の耐熱及び耐食性を有する部材にて形成されて
おり、図6に示すように、矩形状の基端部30cの先端
側にテーパ部30dを介して基端より横幅の狭い矩形状
先端部30eを有する平面板形状に形成され、かつ基端
部30cから先端部30eに向う中心線Oに関して両側
の例えば左右対称位置の基端部30c側と先端部30e
側にそれぞれウエハWの対向する2辺部を支持する平面
円弧状の支持面30aと30bが段部30iの内側同一
面上例えば同一水平面上に設けられている。これら支持
面30a,30bは、一方の支持面例えば30a(又は
30b)にてウエハWを支持する際には、他方の支持面
例えば30b(又は30a)にはウエハWは接触しない
ような位置及び長さに形成されている。また、支持面3
0a,30bのウエハW中心側への幅は、ウエハWに形
成される回路パターンに支障をきたさない範囲内、例え
ば5mm以内好ましくは3mm以内に設定されている。
なお、ウエハWの外周部に、位置合せのためのノッチが
設けられる場合は、ノッチの切欠き幅は狭いので支持面
30a,30bの幅、長さは比較的短かくてもよいが、
ウエハWにオリフラWaが設けられている場合には、オ
リフラWaの切欠き部はノッチの切欠き幅より長いの
で、このオリフラWa部分を支持し得るように支持面3
0a,30bに幅、長さをもたせておけばよい。なお、
先端部30e等は、基端部30cと同一横幅に形成する
こともできる。
【0030】上記切換移動機構33は、例えば正逆回転
可能なステッピングモータM4と、このステッピングモ
ータM4によって駆動される駆動プーリ30fと従動プ
ーリ30gに掛け渡されるタイミングベルト30hとか
らなり、タイミングベルト30hにピンセット30の基
端部30cを連結して、ステッピングモータM4の駆動
により、ピンセット30の支持面30a,30bを左右
方向へ水平移動することにより、ウエハWの支持位置へ
の切り換え及びカセットCへの搬入位置への切換移動を
行うように構成されている。なお、切換移動機構33
は、必ずしも上記のような構造とする必要はなく、例え
ばボールねじ機構を用いてもよい。あるいは、移動機構
7の移動によってピンセット30の支持面30a,30
bを切換移動させるようにしてもよい。
【0031】上記垂直移動機構34及び進退移動機構3
5は、例えばボールねじ機構、ステッピングモータとタ
イミングベルト等を用いたベルト機構あるいはシリンダ
等を用いた直線運動機構(図示せず)にて形成される。
【0032】上記のように構成されるピンセット30を
用いてウエハWをカセットCから受け取って搬送する場
合は、まず、移動機構36を駆動して切換移動機構33
の中心をカセットCの中心に合わせ、次に、切換移動機
構33を駆動して、例えば支持面30aによって支持さ
れるウエハWの中心位置とカセットCの中心位置とが、
Y方向と直交する同一線上にあるように移動する(取り
出し時オフセット)。次に、進退移動機構を駆動してピ
ンセット30をX方向に移動してカセットC内の所望の
ウエハWの下方に侵入させ、垂直移動機構34の駆動に
よってピンセット30を上昇させてウエハWを受け取
る。そして、進退移動機構35を駆動して後退させ、カ
セットC内からウエハWを取り出し(図6及び図7
(a)参照)、処理室2側のメインアーム20に渡す。
【0033】また、処理室2内の洗浄処理部で洗浄され
た処理済みのウエハWをカセットC内に搬入する場合
は、処理済みのウエハWを支持面30bで支持して受け
取った後、この状態でピンセット30をカセットCの手
前に移動し、切換移動機構33を駆動して支持面30b
によって支持されたウエハWの中心位置とカセットCの
中心位置とが、Y方向と直交する同一線上にあるように
移動する(収容時オフセット)。次に、進退移動機構3
5を駆動してピンセット30をカセットC内の所望のウ
エハ収容位置へ侵入させ、垂直移動機構34の駆動によ
ってピンセット30を下降させてウエハWをカセットC
内に渡した後(図6及び図7(b)参照)、ピンセット
30を後退する。
【0034】上記のように、未処理のウエハWを支持面
30aで受け取って、処理室2に搬送し、洗浄処理後の
ウエハWを支持面30bで受け取ってカセットC内に収
容することにより、洗浄前のウエハWの裏面に付いた異
物がピンセット30を介して洗浄処理済みのウエハWの
裏面に再付着するのを防止することができる。なお、支
持面30bで未処理のウエハWを支持して受け取り、処
理済みのウエハWを支持面30aで支持して受け取るよ
うにしてもよい。
【0035】次に、洗浄処理システムの動作態様につい
て説明する。まず、搬送ロボット(図示せず)等により
搬入・搬出部1に搬送された未処理のウエハWを収容す
るカセットCから所望のウエハWをピンセット30の例
えば支持面30aにて受取ってウエハ受渡し部3内に搬
送する。次に処理室2内のメインアーム20の第1のア
ームにてウエハ受渡し部3内のウエハWをシャッター3
1Aを経由して受取り、そして、処理室2内の裏面洗浄
部24に搬送する。裏面洗浄部24に搬送されたウエハ
Wは図示しないスピンチャックにて保持されて回転さ
れ、裏面に接触される洗浄ブラシにて裏面洗浄された
後、メインアーム20似て裏面洗浄部24から取り出さ
れた後、第1の洗浄処理部25内に搬送される。
【0036】第1の洗浄処理部25に搬送されたウエハ
Wは、上述したように、スピンチャック50の保持面上
に保持され、保温体71の下降によって保温空間内にお
かれる。この状態で、所定の温度の洗浄液(アンモニア
液)が第1の洗浄液供給ノズル70からウエハ表面に供
給されると共に、スピンチャック50が回転することに
よりウエハ表面に洗浄液が液盛りされる。この時、ウエ
ハWの表面から零れ落ちる洗浄液は内カップ63内に受
け止められ、洗浄液排出口66を介して排出される。こ
のようにして洗浄液の液盛りが完了した後、スピンチャ
ック50の回転が停止し、洗浄液によりウエハ表面を所
定時間化学処理(洗浄処理)した後、保温体71を上昇
し、純水供給ノズル80をウエハWの上方に移動してリ
ンス液例えば純水を供給すると共に、スピンチャック5
0を回転してウエハ表面上の洗浄液(アンモニア液)を
除去する。この時、洗浄に供された純水は外カップ64
にて回収され、純水排出口67を介して排出される。所
定時間純水を供給して洗浄した後、純水の供給を停止
し、スピンチャック50のみを回転し続けることによっ
て振り切り乾燥を行う。このようにして第1の洗浄処理
部25にて洗浄処理された後、ウエハWはメインアーム
20の第2のアームによって第1の洗浄処理部25から
取り出された後、第2の洗浄処理部26内に搬送され
る。
【0037】第2の洗浄処理部26内に搬送されたウエ
ハWは、上記第1の洗浄処理部25と同様な工程によっ
て第1の洗浄処理部25にて使用される洗浄液(アンモ
ニア液)と異なる洗浄液例えばフッ酸によって洗浄処理
(エッチング処理)され、洗浄・振り切り乾燥後、メイ
ンアーム20の第2のアームによって第2の洗浄処理部
26から取り出された後、洗浄・乾燥処理部27内に搬
送される。洗浄・乾燥処理部27内に搬送されたウエハ
Wは、仕上げ用の洗浄液例えば純水によって洗浄処理さ
れた後、振り切り乾燥され、ウエハWの洗浄処理が完了
する。
【0038】洗浄処理が完了したウエハWは、再びメイ
ンアーム20の第2のアームによって洗浄・乾燥処理部
27から取り出されてシャッター31Aを経由してウエ
ハ受渡し部3のピンセット30に受取られる。この時、
洗浄前のウエハWを支持した支持面30aと異なるピン
セット30の支持面30bによってウエハWが受け取ら
れることにより、洗浄処理後のウエハWへのパーティク
ルの付着が防止される。このようにしてピンセット30
にて受け取ったウエハWは気密室11内に待機するカセ
ットC内に収容される。そして、カセットC内に所定枚
数例えば25枚の洗浄処理後のウエハWが収容された
後、気密室11とウエハ受渡し部3の間の開閉シャッタ
14を閉じて気密室11内を密閉し、N2ガスの供給に
よってN2パージすると共に、所定の圧力状態例えば
0.05Torr程度に加圧あるいは減圧する。次に、気密
室11の開閉シャツタ14と気密室11の上部に載置さ
れたコンテナ10の蓋体13を開放し、昇降機構12を
駆動してカセットCをコンテナ10内に搬送した後、コ
ンテナ10の蓋体13を閉じてコンテナ10内にカセッ
トCすなわち洗浄処理済みのウエハWを密閉状に保管す
る。そして、コンテナ10は搬入・搬出部1から取り外
されて、次の処理工程へ搬送される。
【0039】上記のような工程で洗浄処理することによ
り、ウエハWに付着するパーティクル、有機汚染物、金
属不純物等のコンタミネーションを完全に除去すること
ができ、洗浄処理後のウエハWの清浄状態を維持するこ
とができる。
【0040】なお、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、半導体ウエハ以外のLCD基
板等の被処理体を洗浄処理する場合にも適用できること
は勿論である。
【0041】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されるので、以下のような効果が
得られる。
【0042】この発明によれば、異なる種類の洗浄液
(薬液)を使用する洗浄処理部を区画することができ、
各洗浄処理工程中における異なる雰囲気成分の侵入を確
実に阻止することができるので、被処理体の異なる雰囲
気の洗浄液による汚染の防止が図れると共に、製品歩留
まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の洗浄処理装置の一例を示す半導体ウ
エハの洗浄処理システムの概略平面図である。
【図2】この発明における洗浄処理部の断面図である。
【図3】洗浄処理工程を示す説明図である。
【図4】この発明における搬入・搬出部とウエハ受渡し
部を示す断面図である。
【図5】この発明におけるウエハ受渡し部のピンセット
を示す斜視図である。
【図6】上記ピンセットのウエハの受け渡し状態を示す
概略平面図(a)及び(a)のB−B線に沿う拡大断面
図(b)である。
【図7】ピンセットの受け取り動作(a)及び受け渡し
動作(b)を示す概略平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 1 搬入・搬出部 2 処理室 3 ウエハ受渡し部 22 搬送路 23 搬送手段 25 第1の洗浄処理部 26 第2の洗浄処理部 30 ピンセット 50 スピンチャック(保持手段) 57 温度調整用熱媒体循環通路(温度調整機構) 70 洗浄液供給ノズル 71 保温体 74 熱交換器(温度調整機構) 75 昇降機構

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を回転可能に保持する保持手段
    と、上記被処理体に所定の洗浄液を供給する第1の洗浄
    液供給手段とを有する第1の洗浄処理部と、 上記保持手段と、上記被処理体に上記第1の洗浄処理部
    で使用される洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を供給する
    第2の洗浄液供給手段とを有する第2の洗浄処理部と、 上記被処理体を所定位置に搬送し、上記保持手段との間
    で被処理体を受け渡す搬送手段とを具備し、 上記第1の洗浄処理部と第2の洗浄処理部とを上記搬送
    手段の搬送路によって分離配置してなることを特徴とす
    る洗浄処理装置。
  2. 【請求項2】 第1の洗浄処理部がアルカリ性雰囲気で
    あり、第2の洗浄処理部が酸性雰囲気であることを特徴
    とする請求項1記載の洗浄処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理体を搬送する搬送手段の搬送路に
    よって分離配置される第1の洗浄処理部に被処理体を搬
    送する工程と、 上記第1の洗浄処理部に搬送された上記被処理体に第1
    の洗浄液を供給して洗浄する第1の洗浄工程と、 上記第1の洗浄後、上記被処理体を、上記搬送手段の搬
    送路によって上記第1の洗浄処理部と分離配置される第
    2の洗浄処理部に搬送する工程と、 上記第2の洗浄処理部に搬送された上記被処理体に上記
    第1の洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を供給して洗浄す
    る第2の洗浄工程と、を有することを特徴とする洗浄処
    理方法。
  4. 【請求項4】 被処理体に洗浄液を供給して洗浄する工
    程が、上記被処理体を回転させながら被処理体に洗浄液
    を供給し、次いで、被処理体の回転を停止し、被処理体
    上に洗浄液を液盛りした状態で所定時間放置し、その
    後、上記被処理体を回転させて乾燥することを含むこと
    を特徴とする請求項3記載の洗浄処理方法。
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