JP3739073B2 - 基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して処理する基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体製造装置の製造工程においては、半導体ウエハ等の被処理基板（以下にウエハ等という）を処理液（薬液）や洗浄液（リンス液）等が貯留された処理槽や洗浄槽に順次搬送し、処理液や洗浄液に浸漬して、ウエハ等に付着するパーティクル，有機物，金属汚染物あるいは酸化膜を除去すると共に、乾燥等の処理を行う基板洗浄処理装置が広く採用されている。
【０００３】
この種の基板洗浄処理装置は、処理液（薬液）｛例えば、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ（フッ化水素）（以下にＨＦという），ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（アンモニア過水），ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（塩酸過水）等｝を貯留する処理槽や洗浄液（リンス液；例えば純水）等を貯留する洗浄槽と、複数枚例えば５０枚のウエハ等を垂直状態に保持する保持手段例えばウエハボートと、このウエハボートを介してウエハ等を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段が具備されている。
【０００４】
また、上記処理槽、洗浄槽やウエハボート等は清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダウンフローの雰囲気下におかれて、ウエハ等の洗浄処理をクリーンな環境の下で行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ウエハ等は、一般にシリコン製の素材基板の表面に絶縁膜としての酸化膜が形成されると共に、エッチングにより所定のパターン等が形成される。このようにシリコン製の素材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等においては、シリコンは疎水性であるが、酸化膜は親水性であるため、ウエハ表面に処理液が残る。この事実を確認するために、図１８（ａ）に示すように、複数枚の酸化膜ウエハＷａとベアシリコンのウエハＷｂとを同じスロットに配列した状態でウエハボートａにて保持し、そして、処理槽（図示せず）に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬したところ、図１８（ｂ）に示すように、酸化膜ウエハＷａの表面に処理液（ＨＦ）が残る。この状態で、両ウエハＷａ，Ｗｂを、次の処理槽や洗浄槽に投入すると、酸化膜ウエハＷａの表面に残った処理液（ＨＦ）の上にあるパーティクルＡが酸化膜ウエハＷａの表面に付着し、更に、図１８（ｃ）に示すように、処理液（ＨＦ）上に付着したパーティクルＡが隣接するベアシリコンウエハＷｂに再付着することが判明した。この結果から明らかなように、シリコン製の素材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、ウエハ等の表面にパーティクルが付着するので、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００６】
また、処理液例えばＨＦによってウエハ等の表面に形成された酸化膜をエッチングする場合、ウエハＷを処理槽に貯留された処理液（ＨＦ）に浸漬した後、処理槽から引き上げ、洗浄槽に搬入する場合、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に残っている処理液（ＨＦ）が重力と共にダウンフローの清浄気体の流れによってウエハＷの下部側に流れて行き、垂直状態のウエハＷの上部の処理液が切れる状態、つまりウエハＷ上部の処理液が下がって行き、酸化膜が露出する状態が発生する。このようにウエハＷ上の酸化膜が露出すると、ウエハＷ上の露出部のエッチングが停止し、処理液の残っている部分のエッチングは継続するので、エッチングの均一性が損なわれ、製品歩留まりが低下するという問題があった。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理を施す過程において、処理液による処理後に被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを再洗浄によって除去して、パーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることを第１の目的とし、また、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止して、エッチング均一性の向上を図ると共に、製品歩留まりの向上を図ることを第２の目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を、洗浄液の液面中に浸漬した状態で停止し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする。この場合、洗浄液は、この洗浄液を貯留する洗浄槽からオーバーフローする方が好ましい（請求項３）。また、上記被処理基板は、疎水性素材の表面に親水性の膜が混在する基板であることが前提となる（請求項４）。ここで、疎水性素材としては、例えばベアシリコンウエハやメタルウエハ等が該当し、親水性の膜としては、例えば酸化膜あるいはその他の絶縁膜が該当する。
【００１０】
請求項５記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 上記被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、 上記処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄空気の流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６記載の発明は、請求項１記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記洗浄槽の上方に、上記被処理基板の下部に向かって洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してなり、 処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７記載の発明は、請求項２記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段にて保持される処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする。この場合、被処理基板の下端側を保持する下部保持棒を有する保持手段を用いて処理するときは、処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部と上記下部保持棒を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する方が好ましい（請求項８）。
【００１３】
また、請求項９記載の発明は、請求項５記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理槽を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下に配設し、 上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は調節可能に制御する制御手段を具備し、処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄槽に搬送する際、上記清浄気体の流量を停止又は弱めるように制御するように形成してなる、ことを特徴とする。
【００１４】
この場合、上記昇降手段は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段を具備してもよい（請求項１０）。また、上記処理手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段を更に具備してもよい（請求項１１）。また、上記洗浄槽は、洗浄液を貯留するものであれば任意のものでよいが、好ましくは洗浄液をオーバーフローするオーバーフロー槽である方がよい（請求項１２）。
【００１５】
この発明において、上記被処理基板の下部とは、被処理基板の下端部から被処理基板に形成される例えば回路パターン等の製品領域近傍の範囲を意味する。
【００１６】
請求項１〜４，６，７記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、処理液による処理が終わった被処理基板が洗浄液に浸漬される際、あるいは洗浄液に浸漬される前において、被処理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを除去することができる。したがって、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１７】
また、請求項５，９記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱めるか、停止させることで、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止することができる。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明する。
【００１９】
図１はこの発明に係る基板洗浄処理装置を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【００２０】
上記洗浄処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬入・搬出部２と、ウエハＷを処理液（薬液）、洗浄液等で液処理すると共に乾燥処理する処理部３と、搬入・搬出部２と処理部３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整、姿勢変換及び間隔調整等を行うウエハＷの受渡し部例えばインターフェース部４とで主に構成されている。
【００２１】
上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システムの一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５ｂが併設されると共に、ウエハ搬出入部６が設けられている。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ搬出入部６との間には図示しない搬送機構が配設されており、この搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａからウエハ搬出入部６へ搬送されるように構成されている。
【００２２】
また、キャリア搬出部５ｂとウエハ搬出入部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを行うことができるように構成されている。この場合、キャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットによってウエハ搬出入部６から搬送された空のキャリア１を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るようになっている。また、キャリア待機部には、空キャリアだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１を待機させておくことも可能である。
【００２３】
上記キャリア１は、一側に開口部を有し内壁に複数枚例えば２５枚のウエハＷを適宜間隔をおいて水平状態に保持する保持溝（図示せず）を有する容器本体１ａと、この容器本体１ａの開口部を開閉する蓋体１ｂとで構成されており、蓋体１ｂ内に組み込まれた係脱機構（図示せず）を後述する蓋開閉装置８によって操作することにより、蓋体１ｂが開閉されるように構成されている。
【００２４】
上記ウエハ搬出入部６は、上記インターフェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置８が配設されている。この蓋開閉装置８によってキャリア１の蓋体１ｂが開放あるいは閉塞されるようになっている。したがって、ウエハ搬出入部６に搬送された未処理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り外してキャリア１内のウエハＷを搬出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び蓋開閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。また、キャリア待機部からウエハ搬出入部６に搬送された空のキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り外してキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全てのウエハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。なお、ウエハ搬出入部６の開口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエハＷの枚数を検出するマッピングセンサ９が配設されている。
【００２５】
上記インターフェース部４には、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウエハ搬出入部６のキャリア１との間で、水平状態でウエハＷを受け渡すウエハ搬送アーム１０と、複数枚例えば５２枚のウエハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保持する間隔調整手段例えばピッチチェンジャ（図示せず）と、ウエハ搬送アーム１０とピッチチェンジャとの間に位置して、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態と垂直状態とに変換する姿勢変換装置１２と、垂直状態に姿勢変換されたウエハＷに設けられたノッチを検知してウエハＷの位置合わせを行うノッチアライナ１３が配設されている。また、インターフェース部４には、処理部３と連なる搬送路１４が設けられており、この搬送路１４にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５が移動自在に配設されている。
【００２６】
この場合、上記ウエハ搬送アーム１０は、ウエハ搬出入部６のキャリア１から複数枚のウエハＷを取り出して搬送すると共に、キャリア１内に複数枚のウエハＷを収納する２つの保持部例えばアーム体１０ａ，１０ｂを併設してなる。これらアーム体１０ａ，１０ｂは、水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能な駆動台１１の上部に搭載されてそれぞれ独立してウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウエハ搬出入部６に載置されたキャリア１と姿勢変換装置１２との間でウエハＷの受渡しを行うように構成されている。したがって、一方のアーム体１０ａによって未処理のウエハＷを保持し、他方のアーム体１０ｂによって処理済みのウエハＷを保持することができる。
【００２７】
一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着するパーティクル，有機物，金属あるいは酸化膜を除去するこの発明に係る基板洗浄処理装置を具備する複数の処理ユニット１６〜１９が直線状に配列されており、これら各ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路１４に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能なウエハ搬送チャック１５（ウエハ搬送手段）が配設されている。この場合、第１の処理ユニット１６中に、チャック洗浄部１６ａが配設されている。なお、チャック洗浄部１６ａは、必ずしも第１の処理ユニット１６内に配設する必要はなく、第１の処理ユニット１６あるいはその他の処理ユニット１７，１８，１９とは別個に配設してもよく、また、処理部３とインターフェース部４との間に配設してもよい。
【００２８】
次に、この発明に係る基板洗浄処理装置について図２ないし図８を参照して説明する。
【００２９】
◎第一実施形態
図２は上記第１の処理ユニット１６内に配設された基板洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図、図３は基板洗浄処理装置の概略背面図、図４は基板洗浄処理装置の要部を示す断面図である。
【００３０】
基板洗浄処理装置２０は、図２に示すように、ウエハＷを浸漬する処理液例えばＨＦ（薬液）を貯留する処理槽２１を収容する例えば矩形筒状の第１の容器２２ａと、薬液とは別の洗浄液例えばリンス液（純水）を貯留する洗浄槽２１Ａを収容する例えば矩形筒状の第２の容器２２ｂとを隣接してなり、また、第１の容器２２ａにチャック洗浄部１６ａを収容する例えば矩形筒状の第３の容器２２ｃを隣接してなる（図３参照）。この場合、上記複数の容器２２ａ〜２２ｃ及び後述するフィルタユニット７０との間の空気は、洗浄処理装置外部の空気と接触しないように洗浄処理装置の外壁で隔離されている。
【００３１】
上記第１の容器２２ａ及び第２の容器２２ｂ（以下に第１の容器２２ａを代表して説明する）は、処理槽２１を収容する、底部２３ａが設けられた処理室２３を有すると共に、互いに連通する側部排気通路２４と底部排気通路２５を有している。また、容器２２ａにおける処理室２３の上方には、清浄化した気体例えば清浄空気を処理室２３内へ供給するためのフィルタユニット７０が配設されている（図３，図４参照）。なお、フィルタユニット７０には、図示しないモータによって駆動されるファン（図示せず）が具備されている。
【００３２】
この場合、側部排気通路２４は、容器２２ａの装置手前側の側壁２６と、処理室２３の底部２３ａから起立する起立壁２７と起立壁２７を下方に延長した壁とを有する第１の区画壁２８とで形成されている。また、底部排気通路２５は、容器２２ａの底板３０と、第１の区画壁２８の下部から略水平に折曲する第２の区画壁２９とで形成されている。
【００３３】
また、第１の容器２２ａの底板３０には、排気手段例えば真空ポンプ３１を介設する排気管３２を接続する排気口３３と、排液口例えばドレン口３４が開設されている。この場合、排気口３３の開口部近傍に、開口部を包囲すると共に、底板３０（容器底面）より上方に起立する気液分離用の突壁３５が形成されており、この突壁３５によって側部排気通路２４及び底部排気通路２５を通って排気口３３から排気される空気中に混入された薬液例えばＨＦ等を含む水分が排気管３２内に流れ込むのを防止し得るようになっている。なお、排気口３３は、底板３０の任意の位置に形成することができる。また、ドレン口３４にはドレン弁３６を介設したドレン管３７が接続されており、容器２２ａの底板３０上に溜まった排液を外部に排出し得るように構成されている。
【００３４】
また、上記側部排気通路２４の開口部上方には、この側部排気通路２４及び起立壁２７の上端部近傍を覆うと共に、起立壁２７との隙間を調整する気流調整手段例えば気流調整板３８が調整可能に配設されている。この場合、気流調整板３８は、図４に示すように、側部排気通路２４の開口部を覆う水平片３８ａと、この水平片３８ａの処理槽側先端から起立壁２７の上端より下方に垂下する垂下片３８ｂとで主に構成されており、水平片３８ａに穿設された長孔（図示せず）を貫通する取付ボルト３９を、容器２２ａの側壁２６から内方に突出する取付部４０にねじ止めすることにより、移動調整すなわち側壁２６と処理槽２１との隙間を調整可能に形成されている。
【００３５】
上記のように形成される気流調整板３８における水平片３８ａの取付位置を変えることにより、側壁２６と処理槽２１の隙間を調整することができ、処理部すなわち処理槽２１及び処理室２３内を流れる空気の排気量を任意に調整することができる。したがって、容器２２ａにおいて、フィルタユニット７０を通過して処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、側部排気通路２４を流れる空気の量を等しくなるように調整することができる。また、各容器２２ａ〜２２ｃにおける処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、各容器２２ａ〜２２ｃの各側部排気通路２４を流れる空気の量の総和とを等しくするように調整することも可能となる。
【００３６】
このように、処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、装置外部へ排気される空気の量とを同等にすることにより、処理室２３内の雰囲気が排気系統以外から流出するのを防止することができる。
【００３７】
なお、この場合、薬液例えばＨＦを使用する処理槽２１を収容する処理室２３の排気圧を、薬液を使用しない処理槽２１を収容する他の容器の処理室２３の排気圧よりも低く調整することもできる。したがって、薬液雰囲気が薬液を使用しない他の容器内に流入するのを防止することができる。
【００３８】
上記説明では、気流調整板３８を手動で調整する場合について説明したが、例えばシリンダやモータ等の駆動手段によって気流調整板３８を操作することも可能である。
【００３９】
一方、起立壁２７と気流調整板３８との間には、排気圧検出手段４１が配設されており、この排気圧検出手段４１により、排気される空気圧を外部より検知できるようになっている。なおこの場合、排気圧検出手段４１は、図４に示すように、側壁２６及び起立壁２７の対向位置に穿設された取付孔（図示せず）にそれぞれ気水密に貫挿される継手４３によって支持されて起立壁２７と垂下片３８ｂとの間に露呈するパイプ部材４４ａと、容器外部にてパイプ部材４４ａと接続する圧力検出計４４ｂとで構成されている。
【００４０】
一方、上記処理室２３の下部には、この処理室２３の底部２３ａと、装置手前側の側壁２６と隣接する側壁２６ａ、装置背部側の側壁２６ｂ及び起立壁２７とで構成される下部室４５が形成されており、この下部室４５の容積は、少なくとも処理槽２１内に貯留される処理液例えばＨＦあるいは純水の容積より大きくなるように形成されている。このように、下部室４５の容積を処理槽２１内に貯留される処理液の容積より大きくした理由は、万一、処理槽２１が破損して処理槽２１内の処理液が下方に流出しても、下部室４５内で受け止めることで、安全の確保を図れるようにしたためである。また、処理室２３の底部２３ａは、装置手前側から装置背部側に向かって下り勾配状に形成されており、傾斜下部側の装置背部側の側壁２６ｂに排液口例えばドレン口４６が開設されている。なお、ドレン口４６には、図示しないドレン弁を介設したドレン管４７が接続されている。
【００４１】
また、上記処理室２３の底部２３ａと、第１の区画壁２８及び第２の区画壁２９とで、側方すなわち装置背部側に開口する収納空間４８が形成されており、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等からなる処理液の供給・排出用設備機器類が収納されている。このように処理室２３の下方に収納空間４８を形成し、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等からなる処理液の供給・排出用設備機器類を収納することにより、装置背部側の空間５３をスッキリさせることができ、この背部空間５３内に、供給及び排出用配管５２のみを系統化して配管することができ、スペースの有効利用を図ることができる。
【００４２】
なお、容器２２の装置手前側の側壁２６の上部側には、図示しない計器類や操作機器類を収容する空間部５４が設けられており、この空間部５４の開口部５４ａに、カバー５５が着脱可能に装着されるようになっている。また、容器２２ａの装置背部側の側壁２６ｂには容器内部を目視するための覗き窓５６が設けられている。
【００４３】
また、上記第１の容器２２ａと第２の容器２２ｂ及び第３の容器２２ｃを、互いに連接すると共に、側部排気通路２４又は底部排気通路２５の少なくとも一方を介して連通し、かつ第１の容器２２ａの底板３０に排気口３３を設けることにより、各容器２２ａ，２２ｂ，２２ｃ内を流れる空気を第１の容器２２に設けられた排気口３３を介して外部に排出することができる。したがって、ウエハＷの洗浄処理時に、フィルタユニット７０からダウンフローして洗浄処理装置２０の処理部すなわち処理槽２１及び処理室２３内に流れる清浄空気中に、処理時に処理槽２１の外に飛散する薬液や純水等が混入して汚染された雰囲気を側部排気通路２４及び底部排気通路２５を介して外部に排出することができるので、洗浄処理の精度の向上を図ることができる。
【００４４】
一方、上記処理槽２１は、ウエハＷを収容する内槽２１ａと、この内槽２１ａの開口部外方を包囲すると共に、内槽２１ａからオーバーフローした処理液を受け止める外槽２１ｂとで構成されており、内槽２１ａ内には、ウエハ搬送チャック１５との間で複数枚例えば５０枚のウエハＷの受け渡しを行うと共に、これらウエハＷを垂直状態に保持する昇降可能な保持手段例えばウエハボート５７が配設されている。
【００４５】
上記ウエハボート５７は、ウエハＷの下端側を保持する一対の下部保持棒５７ａと、これら下部保持棒５７ａの上方の両側を保持する一対の側部保持棒５７ｂとを具備している。このウエハボート５７は、例えばボールねじ機構、あるいはシリンダ等にて形成される昇降手段８０に連結されて昇降可能に構成されており、ウエハボート５７及びウエハＷを下降して処理槽２１内に貯留されている処理液に浸漬し、また上昇して処理槽２１から引き上げるようになっている。このウエハボート５７の昇降動作は、昇降制御手段である昇降制御部８１から昇降手段８０に伝達される制御信号によって制御される。
【００４６】
また、内槽２１ａ内の下部には、この内槽２１ａ内に処理液を供給する供給ノズル５８が配設されている。この場合、内槽２１ａの底部には排液口２１ｃが開設され、この排液口２１ｃに図示しないドレン弁を介設したドレン管５９が接続されている。また、外槽２１ｂの底部にも排液口２１ｄが開設されており、この排液口２１ｄに、図示しないドレン弁を介設したドレン管６０が接続されると共に、図示しない切換弁を介して上記供給・排出用設備機器類の配管５２に接続されている。このように外槽２１ｂの排液口２１ｄに設備機器類の配管５２を接続することにより、内槽２１ａからオーバーフローした処理液例えばＨＦを循環供給して、ウエハＷの洗浄処理に供することができる。
【００４７】
一方、第２の容器２２ｂ内に配設される洗浄槽２１Ａは、図２及び図５に示すように、洗浄槽２１Ａ内の下部に洗浄液例えば純水を供給する純水供給ノズル５８Ａが配設されており、この純水供給ノズル５８Ａは、第１の純水供給管６２を介して純水供給源６３に接続されている。また、洗浄槽２１Ａの上方の両側には、洗浄槽２１Ａ内に投入されるウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに向かって洗浄液例えば純水を例えば液幕状に噴射する一対の洗浄液噴射手段例えば純水噴射ノズル６４が配設されている。ここで、ウエハＷの下部とは、図６に示すように、ウエハＷの下端部ＷｅからウエハＷに形成される例えば回路パターン等の製品領域Ｗｐの近傍までの領域（図６でハッチングで示す。）をいう。上記純水噴射ノズル６４は、第２の純水供給管６５を介して上記純水供給源６３に接続されている。この場合、第１の純水供給管６２と第２の純水供給管６５は、切換手段例えば切換弁６６を介して純水供給源６３に接続されて、純水の供給が、純水供給ノズル５８Ａと純水噴射ノズル６４とに切り換え可能、あるいは同時供給可能になっている。
【００４８】
なお、切換弁６６と純水供給源６３との間には開閉弁６７が介設され、第２の純水供給管６５の純水噴射ノズル６４側にはそれぞれ開閉弁６８と絞り６９が介設されている。また、洗浄槽２１Ａの底部には排液口２１ｅが設けられており、この排液口２１ｅにドレン弁６０ａを介設したドレン管６０ｂが接続されている。また、洗浄槽２１Ａにおいても、処理槽２１と同様のウエハボート５７が昇降手段昇降制御手段（共に図示せず）によって昇降可能に配設されている。
【００４９】
上記のように、洗浄槽２１Ａに純水噴射ノズル６４を配設することにより、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌに浸漬する前に、ウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａ付近に、純水噴射ノズル６４から純水Ｌを液幕状に噴射することで、ウエハＷの下部表面に残留する処理液に付着するパーティクルを洗浄除去することができる。したがって、薬液処理されたウエハＷは、薬液処理後にウエハＷの下部表面に残留する薬液（処理液）に付着するパーティクルを除去した状態で洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌに浸漬されて洗浄処理が施される。
【００５０】
なお、上記実施形態では、洗浄槽２１Ａの上部に純水噴射ノズル６４を配設して、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下部を洗浄する場合について説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はなく、上記処理槽２１の上部に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに同様に純水を液幕状に噴射して洗浄するようにしてもよい。また、洗浄槽２１Ａと処理槽２１の双方に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａと、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに向けて純水を液幕状に噴射してウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去するようにしてもよい。このように薬液処理直後、及び洗浄処理直前の双方にてウエハＷの下部を洗浄することにより、ウエハＷに付着するパーティクルを更に確実に除去することができる。
【００５１】
◎第二実施形態
図７はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形態の要部を示す概略断面図である。
【００５２】
第二実施形態は、薬液処理されたウエハＷの下部に付着するパーティクルを上記第一実施形態とは別の手段で除去するようにした場合である。この場合、基板洗浄処理装置２０Ａは、上記第一実施形態における純水噴射ノズル６４を除去した構造で、洗浄槽２１Ａ内の底部に配設される純水供給ノズル５８Ａを純水供給管６２Ａを介して純水供給源６３に接続してなり、また、一対の下部保持棒５７ａと側部保持棒５７ｂとを具備するウエハボート５７は、図示しない昇降手段によって昇降可能に構成されている。なお、その他の部分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００５３】
上記のように構成される基板洗浄処理装置２０Ａにおいて、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを、洗浄槽２１Ａ内に貯留され、洗浄槽２１Ａからオーバーフローする洗浄液例えば純水Ｌ中に浸漬する際、図７に示すように、昇降手段（図４参照）を制御して、ウエハＷの下部あるいはウエハボート５７の下部保持棒５７ａが純水Ｌの液面に浸かった状態で所定時間例えば０．５秒間停止してウエハＷの下部に付着したパーティクルを純水Ｌ中にすばやく拡散させ洗浄することができる。つまり、ウエハＷの下部に付着したパーティクルは、オーバーフローの流れに乗って拡散される。このようにして、薬液処理されたウエハＷの下部に付着したパーティクルを除去した後、ウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された純水Ｌ中に浸漬して洗浄処理を施すことができる。したがって、ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止することができる。
【００５４】
◎参考実施形態
図８はこの発明に係る基板洗浄処理装置の参考実施形態の一例を示す概略断面図である。
【００５５】
参考実施形態は、ウエハＷの薬液及び洗浄処理を、清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダウンフローの雰囲気下で行う場合のエッチング不均一を解消するようにした場合である。すなわち、薬液処理されたウエハＷを、処理槽２１から引き上げ、別の処理槽２１あるいは洗浄槽２１Ａに搬送する間に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦが、重力及びダウンフローの清浄気体例えば清浄空気の流れによってウエハＷの下部側に流れて、ウエハＷの上部のＨＦが切れることによるエッチングの不均一を防止するようにした場合である。
【００５６】
この場合、参考実施形態の基板線上処理装置２０Ｂは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場合を示す。）の上方に配設されるフィルタユニット７０のファン７１の回転駆動手段例えばファンモータ７２の駆動を制御部７３からの信号によって制御可能に構成されている。
【００５７】
なお、参考実施形態において、その他の部分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００５８】
上記のように構成することにより、処理槽２１内の処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合、上記制御部７３からの制御信号によってファンモータ７２の回転を低速にして清浄空気の量すなわちダウンフローの量を、図８に一点鎖線で示す通常の状態から実線で示す減少状態、すなわちウエハＷの処理中や洗浄中のダウンフロー量と比較して弱くして、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下部側への流れを抑制することができる。したがって、薬液処理されたウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることができるので、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を図ることができる。なお、ウエハＷの処理中や洗浄中で、ウエハＷを搬送していないときは、通常のダウンフロー量で処理部雰囲気中のパーティクルの発生を抑えるようにしておく。
【００５９】
なお、上記説明では、フィルタユニット７０のファンモータ７２を低速にして清浄空気の量を減少させてウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下方へ流れ落ちる量をすくなくしているが、ファンモータ７２の回転を停止して、清浄空気のダウンフロー量を零にして、同様にウエハＷの上部から流れ落ちる量を減少させるようにしてもよい。
【００６０】
◎第三実施形態
図９はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【００６１】
第三実施形態は、薬液処理されたウエハＷを、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの下部側に流れ落ちるのを積極的に防止して、ウエハＷの表面に形成される酸化膜のエッチングの均一性の向上を図れるようにした場合である。
【００６２】
この場合、基板洗浄処理装置２０Ｃは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場合を示す。）の上部の両側に、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部から上方に向かって清浄気体例えば清浄空気あるいは窒素（Ｎ2）ガスを吹き付ける清浄気体噴射手段例えばＮ2ガス噴射ノズル７４を具備してなる。これらＮ2ガス噴射ノズル７４は、開閉弁７７を介設するＮ2ガス供給管７５を介してＮ2ガス供給源７６に接続されている。
【００６３】
なお、第三実施形態において、その他の部分は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００６４】
上記のように構成することにより、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、上記Ｎ2ガス噴射ノズル７４からウエハＷの下部から上方に向かってＮ2ガスを吹き付けることにより、ウエハＷに残存する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることができる。したがって、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を図ることができる。
【００６５】
なお、上記説明では、Ｎ2ガス噴射ノズル７４が処理槽２１の上方に配設されて、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けるようにした場合について説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はない。例えば、Ｎ2ガス噴射ノズル７４を洗浄槽２１Ａの上方に配設して、洗浄槽２１Ａに投入されるウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。また、薬液処理されたウエハＷを別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する途中にＮ2ガス噴射ノズル７４を配設して、上記と同様にＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。更には、図１０に示すように、ウエハ搬送チャック１５の例えば下部側にＮ2ガス噴射ノズル７４Ａを設けるようにしてもよい。
【００６６】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの搬送をウエハ搬送チャック１５にて行い、ウエハＷの処理槽２１又は洗浄槽２１Ａへの投入（下降）、引き上げ（上昇）をウエハボート５７にて行う場合について説明したが、この発明に係る基板洗浄処理装置は、必ずしもこのような構造に限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、被処理基板搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５Ａを水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能に形成して、ウエハＷの処理槽２１及び洗浄槽２１Ａへの搬送と、処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに対するウエハＷの投入（下降）及び引き上げ（上昇）を行えるように形成してもよい。なお、この場合、ウエハ搬送チャック１５Ａは、一対の回転可能な水平支持軸１５ａにそれぞれ装着される略逆Ｕ字状の保持フレーム１５ｂを具備してなり、各保持フレーム１５ｂの下端部及びその上方にそれぞれ下部保持棒１５ｃ及び側部保持棒１５ｄを横架した構造となっている。そして、図示しない駆動手段によって水平支持軸１５Ａが回転して複数枚例えば５０枚のウエハＷを保持して、水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動し得るように構成されている。
【００６７】
また、上記実施形態では、この発明の洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＬＣＤ基板の洗浄処理装置にも適用できることは勿論である。
【００６８】
【実施例】
☆実施例−１
上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用いた場合のウエハＷに再付着するパーティクル量（実施例）と、上記基板洗浄処理装置を用いない場合のウエハＷに再付着するパーティクル量（比較例）とを、比較するための実験結果について説明する。
【００６９】
比較例のウエハＷを、処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、洗浄液例えば純水中に３分間浸漬した場合、処理前すなわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティクルの状態は、表１及び図１３に示す通りであったが、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着したパーティクルＡの状態は、表１及び図１４に示す通りであった。なお、図１３，図１４において、符号ＮはウエハＷの外周縁に設けられたノッチである。
【００７０】
【表１】
【００７１】
これに対し、実施例のウエハＷを、比較例とは別に処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、図１２に示すように、位置Ｐ1からＰ5まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動した後、位置Ｐ5から純水の液面位置Ｐ6まで２５０ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動して、ウエハＷの下部を純水の液面に０．５ｓｅｃ間浸けてウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去した後、Ｐ6からＰ8の位置まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動して浸漬処理を施した場合、処理前すなわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティクルの状態は、表２及び図１５に示す通りであったが、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着したパーティクルＡの状態は、表２及び図１６に示す通りであった。
【００７２】
【表２】
【００７３】
上記実験の結果、比較例においては、処理前のパーティクルの総数が４６個であったのが、処理後においては、パーティクル総数が７３７個と６９１個（約１５倍増加）も増加していることが判った。これに対し、実施例においては、処理前のパーティクルの総数が２０３個であったのが、処理後においては、パーティクル総数が３００個であり、僅か９７個（約０．４８倍減少）の増加であった。したがって、薬液処理した後の、ウエハＷの下部を洗浄液例えば純水に所定時間例えば０．５ｓｅｃ浸けてウエハＷの下部に付着したパーティクルを除去した後、洗浄液例えば純水に浸漬する方がパーティクルによる汚れが著しく少ないことが判った。
【００７４】
☆実施例−２
上記第三実施形態の基板洗浄処理装置を用いて、薬液処理後のウエハＷに向かって清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けた場合（強制風有りの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによるエッチング量（実施例）と、清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによるエッチング量（比較例）とを、比較するための実験結果について説明する。
【００７５】
比較例の複数枚例えば５０枚のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの場合）の処理前と処理後の２６枚目のウエハＷの各測定点のエッチング量を調べたところ、表３及び図１７に示すような結果が得られた。
【００７６】
【表３】
【００７７】
これに対し、実施例の複数枚例えば５０枚のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５０：１）による処理（５ｍｉｎ）又は希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けた場合（強制風有りの場合）の２６枚目のウエハＷの各測定点の処理前と処理後のエッチング量を調べたところ、表４及び図１７に示すような結果が得られた。
【００７８】
【表４】
【００７９】
上記実験の結果、薬液処理後にウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けることにより、エッチング量の均一性が図れることが判った。
【００８０】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置によれば、以下のような効果が得られる。
【００８１】
（１）請求項１〜４，６，７記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、処理液による処理が終わった被処理基板が洗浄液に浸漬される際、あるいは洗浄液に浸漬される前において、被処理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを除去することができるので、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００８２】
（２）請求項５，９記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱めるか、停止させることで、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止することができるので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る基板洗浄処理装置を適用した基板洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図である。
【図３】 上記基板洗浄処理装置の背面図である。
【図４】 上記基板洗浄処理装置を示す断面図である。
【図５】 上記基板洗浄処理装置の要部を示す断面図である。
【図６】 被処理基板であるウエハの下部の洗浄領域と製品領域を示す概略正面図である。
【図７】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形態を示す概略断面図である。
【図８】 この発明に係る基板洗浄処理装置の参考実施形態を示す概略断面図である。
【図９】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【図１０】 この発明における清浄気体噴射手段の別の取付状態を示す概略側面図（ａ)及びその正面図（ｂ）である。
【図１１】 この発明における被処理基板搬送手段の別の形態を示す概略斜視図である。
【図１２】 上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用いてウエハに付着するパーティクル量を調べる実験の手順を示す概略図である。
【図１３】 比較例のウエハの洗浄処理前のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１４】 比較例のウエハの洗浄処理後のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１５】 実施例のウエハの洗浄処理前のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１６】 実施例のウエハの洗浄処理後のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１７】 薬液処理後のウエハの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付ける場合（実施例）と、吹き付けない場合（比較例）におけるエッチング均一性を示すグラフである。
【図１８】 酸化膜を形成するウエハとシリコン製ウエハへの処理液及びパーティクル付着量を調べるためのウエハの配列状態を示す概略側面図（ａ）、処理液及びパーティクルの付着状態を示す概略断面図（ｂ）及びパーティクルの再付着状態を示す概略断面図（ｃ）である。
【図１９】 薬液処理後のウエハに薬液が付着した状態を示す概略断面図（ａ）及びウエハに付着する薬液が下方に流れる状態を示す概略正面図（ｂ）である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
Ｌ 純水（洗浄液）
１５，１５Ａ ウエハ搬送チャック（被処理基板搬送手段）
２１ 処理槽
２１Ａ 洗浄槽
３８ 気流調整板
５７ ウエハボート（保持手段）
６３ 純水供給源
６４ 純水噴射ノズル（洗浄液噴射手段）
７０ フィルタユニット
７１ ファン
７２ ファンモータ
７３ 制御部
７４，７４Ａ Ｎ2ガス噴射ノズル（清浄気体噴射手段）
７６ Ｎ2ガス供給源
８０ 昇降手段
８１ 昇降制御手段
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して処理する基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体製造装置の製造工程においては、半導体ウエハ等の被処理基板（以下にウエハ等という）を処理液（薬液）や洗浄液（リンス液）等が貯留された処理槽や洗浄槽に順次搬送し、処理液や洗浄液に浸漬して、ウエハ等に付着するパーティクル，有機物，金属汚染物あるいは酸化膜を除去すると共に、乾燥等の処理を行う基板洗浄処理装置が広く採用されている。
【０００３】
この種の基板洗浄処理装置は、処理液（薬液）｛例えば、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ（フッ化水素）（以下にＨＦという），ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（アンモニア過水），ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（塩酸過水）等｝を貯留する処理槽や洗浄液（リンス液；例えば純水）等を貯留する洗浄槽と、複数枚例えば５０枚のウエハ等を垂直状態に保持する保持手段例えばウエハボートと、このウエハボートを介してウエハ等を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段が具備されている。
【０００４】
また、上記処理槽、洗浄槽やウエハボート等は清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダウンフローの雰囲気下におかれて、ウエハ等の洗浄処理をクリーンな環境の下で行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ウエハ等は、一般にシリコン製の素材基板の表面に絶縁膜としての酸化膜が形成されると共に、エッチングにより所定のパターン等が形成される。このようにシリコン製の素材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等においては、シリコンは疎水性であるが、酸化膜は親水性であるため、ウエハ表面に処理液が残る。この事実を確認するために、図１８（ａ）に示すように、複数枚の酸化膜ウエハＷａとベアシリコンのウエハＷｂとを同じスロットに配列した状態でウエハボートａにて保持し、そして、処理槽（図示せず）に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬したところ、図１８（ｂ）に示すように、酸化膜ウエハＷａの表面に処理液（ＨＦ）が残る。この状態で、両ウエハＷａ，Ｗｂを、次の処理槽や洗浄槽に投入すると、酸化膜ウエハＷａの表面に残った処理液（ＨＦ）の上にあるパーティクルＡが酸化膜ウエハＷａの表面に付着し、更に、図１８（ｃ）に示すように、処理液（ＨＦ）上に付着したパーティクルＡが隣接するベアシリコンウエハＷｂに再付着することが判明した。この結果から明らかなように、シリコン製の素材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、ウエハ等の表面にパーティクルが付着するので、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００６】
また、処理液例えばＨＦによってウエハ等の表面に形成された酸化膜をエッチングする場合、ウエハＷを処理槽に貯留された処理液（ＨＦ）に浸漬した後、処理槽から引き上げ、洗浄槽に搬入する場合、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に残っている処理液（ＨＦ）が重力と共にダウンフローの清浄気体の流れによってウエハＷの下部側に流れて行き、垂直状態のウエハＷの上部の処理液が切れる状態、つまりウエハＷ上部の処理液が下がって行き、酸化膜が露出する状態が発生する。このようにウエハＷ上の酸化膜が露出すると、ウエハＷ上の露出部のエッチングが停止し、処理液の残っている部分のエッチングは継続するので、エッチングの均一性が損なわれ、製品歩留まりが低下するという問題があった。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理を施す過程において、処理液による処理後に被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを再洗浄によって除去して、パーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることを第１の目的とし、また、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止して、エッチング均一性の向上を図ると共に、製品歩留まりの向上を図ることを第２の目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を、洗浄液の液面中に浸漬した状態で停止し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする。この場合、洗浄液は、この洗浄液を貯留する洗浄槽からオーバーフローする方が好ましい（請求項３）。また、上記被処理基板は、疎水性素材の表面に親水性の膜が混在する基板であることが前提となる（請求項４）。ここで、疎水性素材としては、例えばベアシリコンウエハやメタルウエハ等が該当し、親水性の膜としては、例えば酸化膜あるいはその他の絶縁膜が該当する。
【００１０】
請求項５記載の発明は、垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、 上記被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、 上記処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄空気の流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６記載の発明は、請求項１記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記洗浄槽の上方に、上記被処理基板の下部に向かって洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してなり、 処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７記載の発明は、請求項２記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段にて保持される処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする。この場合、被処理基板の下端側を保持する下部保持棒を有する保持手段を用いて処理するときは、処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部と上記下部保持棒を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する方が好ましい（請求項８）。
【００１３】
また、請求項９記載の発明は、請求項５記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理槽を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下に配設し、 上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は調節可能に制御する制御手段を具備し、処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄槽に搬送する際、上記清浄気体の流量を停止又は弱めるように制御するように形成してなる、ことを特徴とする。
【００１４】
この場合、上記昇降手段は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段を具備してもよい（請求項１０）。また、上記処理手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段を更に具備してもよい（請求項１１）。また、上記洗浄槽は、洗浄液を貯留するものであれば任意のものでよいが、好ましくは洗浄液をオーバーフローするオーバーフロー槽である方がよい（請求項１２）。
【００１５】
この発明において、上記被処理基板の下部とは、被処理基板の下端部から被処理基板に形成される例えば回路パターン等の製品領域近傍の範囲を意味する。
【００１６】
請求項１〜４，６，７記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、処理液による処理が終わった被処理基板が洗浄液に浸漬される際、あるいは洗浄液に浸漬される前において、被処理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを除去することができる。したがって、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１７】
また、請求項５，９記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱めるか、停止させることで、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止することができる。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明する。
【００１９】
図１はこの発明に係る基板洗浄処理装置を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【００２０】
上記洗浄処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬入・搬出部２と、ウエハＷを処理液（薬液）、洗浄液等で液処理すると共に乾燥処理する処理部３と、搬入・搬出部２と処理部３との間に位置してウエハＷの受渡し、位置調整、姿勢変換及び間隔調整等を行うウエハＷの受渡し部例えばインターフェース部４とで主に構成されている。
【００２１】
上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システムの一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５ｂが併設されると共に、ウエハ搬出入部６が設けられている。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ搬出入部６との間には図示しない搬送機構が配設されており、この搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａからウエハ搬出入部６へ搬送されるように構成されている。
【００２２】
また、キャリア搬出部５ｂとウエハ搬出入部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを行うことができるように構成されている。この場合、キャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットによってウエハ搬出入部６から搬送された空のキャリア１を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るようになっている。また、キャリア待機部には、空キャリアだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１を待機させておくことも可能である。
【００２３】
上記キャリア１は、一側に開口部を有し内壁に複数枚例えば２５枚のウエハＷを適宜間隔をおいて水平状態に保持する保持溝（図示せず）を有する容器本体１ａと、この容器本体１ａの開口部を開閉する蓋体１ｂとで構成されており、蓋体１ｂ内に組み込まれた係脱機構（図示せず）を後述する蓋開閉装置８によって操作することにより、蓋体１ｂが開閉されるように構成されている。
【００２４】
上記ウエハ搬出入部６は、上記インターフェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置８が配設されている。この蓋開閉装置８によってキャリア１の蓋体１ｂが開放あるいは閉塞されるようになっている。したがって、ウエハ搬出入部６に搬送された未処理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り外してキャリア１内のウエハＷを搬出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び蓋開閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。また、キャリア待機部からウエハ搬出入部６に搬送された空のキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り外してキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全てのウエハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。なお、ウエハ搬出入部６の開口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエハＷの枚数を検出するマッピングセンサ９が配設されている。
【００２５】
上記インターフェース部４には、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウエハ搬出入部６のキャリア１との間で、水平状態でウエハＷを受け渡すウエハ搬送アーム１０と、複数枚例えば５２枚のウエハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保持する間隔調整手段例えばピッチチェンジャ（図示せず）と、ウエハ搬送アーム１０とピッチチェンジャとの間に位置して、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態と垂直状態とに変換する姿勢変換装置１２と、垂直状態に姿勢変換されたウエハＷに設けられたノッチを検知してウエハＷの位置合わせを行うノッチアライナ１３が配設されている。また、インターフェース部４には、処理部３と連なる搬送路１４が設けられており、この搬送路１４にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５が移動自在に配設されている。
【００２６】
この場合、上記ウエハ搬送アーム１０は、ウエハ搬出入部６のキャリア１から複数枚のウエハＷを取り出して搬送すると共に、キャリア１内に複数枚のウエハＷを収納する２つの保持部例えばアーム体１０ａ，１０ｂを併設してなる。これらアーム体１０ａ，１０ｂは、水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能な駆動台１１の上部に搭載されてそれぞれ独立してウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウエハ搬出入部６に載置されたキャリア１と姿勢変換装置１２との間でウエハＷの受渡しを行うように構成されている。したがって、一方のアーム体１０ａによって未処理のウエハＷを保持し、他方のアーム体１０ｂによって処理済みのウエハＷを保持することができる。
【００２７】
一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着するパーティクル，有機物，金属あるいは酸化膜を除去するこの発明に係る基板洗浄処理装置を具備する複数の処理ユニット１６〜１９が直線状に配列されており、これら各ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路１４に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能なウエハ搬送チャック１５（ウエハ搬送手段）が配設されている。この場合、第１の処理ユニット１６中に、チャック洗浄部１６ａが配設されている。なお、チャック洗浄部１６ａは、必ずしも第１の処理ユニット１６内に配設する必要はなく、第１の処理ユニット１６あるいはその他の処理ユニット１７，１８，１９とは別個に配設してもよく、また、処理部３とインターフェース部４との間に配設してもよい。
【００２８】
次に、この発明に係る基板洗浄処理装置について図２ないし図８を参照して説明する。
【００２９】
◎第一実施形態
図２は上記第１の処理ユニット１６内に配設された基板洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図、図３は基板洗浄処理装置の概略背面図、図４は基板洗浄処理装置の要部を示す断面図である。
【００３０】
基板洗浄処理装置２０は、図２に示すように、ウエハＷを浸漬する処理液例えばＨＦ（薬液）を貯留する処理槽２１を収容する例えば矩形筒状の第１の容器２２ａと、薬液とは別の洗浄液例えばリンス液（純水）を貯留する洗浄槽２１Ａを収容する例えば矩形筒状の第２の容器２２ｂとを隣接してなり、また、第１の容器２２ａにチャック洗浄部１６ａを収容する例えば矩形筒状の第３の容器２２ｃを隣接してなる（図３参照）。この場合、上記複数の容器２２ａ〜２２ｃ及び後述するフィルタユニット７０との間の空気は、洗浄処理装置外部の空気と接触しないように洗浄処理装置の外壁で隔離されている。
【００３１】
上記第１の容器２２ａ及び第２の容器２２ｂ（以下に第１の容器２２ａを代表して説明する）は、処理槽２１を収容する、底部２３ａが設けられた処理室２３を有すると共に、互いに連通する側部排気通路２４と底部排気通路２５を有している。また、容器２２ａにおける処理室２３の上方には、清浄化した気体例えば清浄空気を処理室２３内へ供給するためのフィルタユニット７０が配設されている（図３，図４参照）。なお、フィルタユニット７０には、図示しないモータによって駆動されるファン（図示せず）が具備されている。
【００３２】
この場合、側部排気通路２４は、容器２２ａの装置手前側の側壁２６と、処理室２３の底部２３ａから起立する起立壁２７と起立壁２７を下方に延長した壁とを有する第１の区画壁２８とで形成されている。また、底部排気通路２５は、容器２２ａの底板３０と、第１の区画壁２８の下部から略水平に折曲する第２の区画壁２９とで形成されている。
【００３３】
また、第１の容器２２ａの底板３０には、排気手段例えば真空ポンプ３１を介設する排気管３２を接続する排気口３３と、排液口例えばドレン口３４が開設されている。この場合、排気口３３の開口部近傍に、開口部を包囲すると共に、底板３０（容器底面）より上方に起立する気液分離用の突壁３５が形成されており、この突壁３５によって側部排気通路２４及び底部排気通路２５を通って排気口３３から排気される空気中に混入された薬液例えばＨＦ等を含む水分が排気管３２内に流れ込むのを防止し得るようになっている。なお、排気口３３は、底板３０の任意の位置に形成することができる。また、ドレン口３４にはドレン弁３６を介設したドレン管３７が接続されており、容器２２ａの底板３０上に溜まった排液を外部に排出し得るように構成されている。
【００３４】
また、上記側部排気通路２４の開口部上方には、この側部排気通路２４及び起立壁２７の上端部近傍を覆うと共に、起立壁２７との隙間を調整する気流調整手段例えば気流調整板３８が調整可能に配設されている。この場合、気流調整板３８は、図４に示すように、側部排気通路２４の開口部を覆う水平片３８ａと、この水平片３８ａの処理槽側先端から起立壁２７の上端より下方に垂下する垂下片３８ｂとで主に構成されており、水平片３８ａに穿設された長孔（図示せず）を貫通する取付ボルト３９を、容器２２ａの側壁２６から内方に突出する取付部４０にねじ止めすることにより、移動調整すなわち側壁２６と処理槽２１との隙間を調整可能に形成されている。
【００３５】
上記のように形成される気流調整板３８における水平片３８ａの取付位置を変えることにより、側壁２６と処理槽２１の隙間を調整することができ、処理部すなわち処理槽２１及び処理室２３内を流れる空気の排気量を任意に調整することができる。したがって、容器２２ａにおいて、フィルタユニット７０を通過して処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、側部排気通路２４を流れる空気の量を等しくなるように調整することができる。また、各容器２２ａ〜２２ｃにおける処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、各容器２２ａ〜２２ｃの各側部排気通路２４を流れる空気の量の総和とを等しくするように調整することも可能となる。
【００３６】
このように、処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、装置外部へ排気される空気の量とを同等にすることにより、処理室２３内の雰囲気が排気系統以外から流出するのを防止することができる。
【００３７】
なお、この場合、薬液例えばＨＦを使用する処理槽２１を収容する処理室２３の排気圧を、薬液を使用しない処理槽２１を収容する他の容器の処理室２３の排気圧よりも低く調整することもできる。したがって、薬液雰囲気が薬液を使用しない他の容器内に流入するのを防止することができる。
【００３８】
上記説明では、気流調整板３８を手動で調整する場合について説明したが、例えばシリンダやモータ等の駆動手段によって気流調整板３８を操作することも可能である。
【００３９】
一方、起立壁２７と気流調整板３８との間には、排気圧検出手段４１が配設されており、この排気圧検出手段４１により、排気される空気圧を外部より検知できるようになっている。なおこの場合、排気圧検出手段４１は、図４に示すように、側壁２６及び起立壁２７の対向位置に穿設された取付孔（図示せず）にそれぞれ気水密に貫挿される継手４３によって支持されて起立壁２７と垂下片３８ｂとの間に露呈するパイプ部材４４ａと、容器外部にてパイプ部材４４ａと接続する圧力検出計４４ｂとで構成されている。
【００４０】
一方、上記処理室２３の下部には、この処理室２３の底部２３ａと、装置手前側の側壁２６と隣接する側壁２６ａ、装置背部側の側壁２６ｂ及び起立壁２７とで構成される下部室４５が形成されており、この下部室４５の容積は、少なくとも処理槽２１内に貯留される処理液例えばＨＦあるいは純水の容積より大きくなるように形成されている。このように、下部室４５の容積を処理槽２１内に貯留される処理液の容積より大きくした理由は、万一、処理槽２１が破損して処理槽２１内の処理液が下方に流出しても、下部室４５内で受け止めることで、安全の確保を図れるようにしたためである。また、処理室２３の底部２３ａは、装置手前側から装置背部側に向かって下り勾配状に形成されており、傾斜下部側の装置背部側の側壁２６ｂに排液口例えばドレン口４６が開設されている。なお、ドレン口４６には、図示しないドレン弁を介設したドレン管４７が接続されている。
【００４１】
また、上記処理室２３の底部２３ａと、第１の区画壁２８及び第２の区画壁２９とで、側方すなわち装置背部側に開口する収納空間４８が形成されており、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等からなる処理液の供給・排出用設備機器類が収納されている。このように処理室２３の下方に収納空間４８を形成し、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等からなる処理液の供給・排出用設備機器類を収納することにより、装置背部側の空間５３をスッキリさせることができ、この背部空間５３内に、供給及び排出用配管５２のみを系統化して配管することができ、スペースの有効利用を図ることができる。
【００４２】
なお、容器２２の装置手前側の側壁２６の上部側には、図示しない計器類や操作機器類を収容する空間部５４が設けられており、この空間部５４の開口部５４ａに、カバー５５が着脱可能に装着されるようになっている。また、容器２２ａの装置背部側の側壁２６ｂには容器内部を目視するための覗き窓５６が設けられている。
【００４３】
また、上記第１の容器２２ａと第２の容器２２ｂ及び第３の容器２２ｃを、互いに連接すると共に、側部排気通路２４又は底部排気通路２５の少なくとも一方を介して連通し、かつ第１の容器２２ａの底板３０に排気口３３を設けることにより、各容器２２ａ，２２ｂ，２２ｃ内を流れる空気を第１の容器２２に設けられた排気口３３を介して外部に排出することができる。したがって、ウエハＷの洗浄処理時に、フィルタユニット７０からダウンフローして洗浄処理装置２０の処理部すなわち処理槽２１及び処理室２３内に流れる清浄空気中に、処理時に処理槽２１の外に飛散する薬液や純水等が混入して汚染された雰囲気を側部排気通路２４及び底部排気通路２５を介して外部に排出することができるので、洗浄処理の精度の向上を図ることができる。
【００４４】
一方、上記処理槽２１は、ウエハＷを収容する内槽２１ａと、この内槽２１ａの開口部外方を包囲すると共に、内槽２１ａからオーバーフローした処理液を受け止める外槽２１ｂとで構成されており、内槽２１ａ内には、ウエハ搬送チャック１５との間で複数枚例えば５０枚のウエハＷの受け渡しを行うと共に、これらウエハＷを垂直状態に保持する昇降可能な保持手段例えばウエハボート５７が配設されている。
【００４５】
上記ウエハボート５７は、ウエハＷの下端側を保持する一対の下部保持棒５７ａと、これら下部保持棒５７ａの上方の両側を保持する一対の側部保持棒５７ｂとを具備している。このウエハボート５７は、例えばボールねじ機構、あるいはシリンダ等にて形成される昇降手段８０に連結されて昇降可能に構成されており、ウエハボート５７及びウエハＷを下降して処理槽２１内に貯留されている処理液に浸漬し、また上昇して処理槽２１から引き上げるようになっている。このウエハボート５７の昇降動作は、昇降制御手段である昇降制御部８１から昇降手段８０に伝達される制御信号によって制御される。
【００４６】
また、内槽２１ａ内の下部には、この内槽２１ａ内に処理液を供給する供給ノズル５８が配設されている。この場合、内槽２１ａの底部には排液口２１ｃが開設され、この排液口２１ｃに図示しないドレン弁を介設したドレン管５９が接続されている。また、外槽２１ｂの底部にも排液口２１ｄが開設されており、この排液口２１ｄに、図示しないドレン弁を介設したドレン管６０が接続されると共に、図示しない切換弁を介して上記供給・排出用設備機器類の配管５２に接続されている。このように外槽２１ｂの排液口２１ｄに設備機器類の配管５２を接続することにより、内槽２１ａからオーバーフローした処理液例えばＨＦを循環供給して、ウエハＷの洗浄処理に供することができる。
【００４７】
一方、第２の容器２２ｂ内に配設される洗浄槽２１Ａは、図２及び図５に示すように、洗浄槽２１Ａ内の下部に洗浄液例えば純水を供給する純水供給ノズル５８Ａが配設されており、この純水供給ノズル５８Ａは、第１の純水供給管６２を介して純水供給源６３に接続されている。また、洗浄槽２１Ａの上方の両側には、洗浄槽２１Ａ内に投入されるウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに向かって洗浄液例えば純水を例えば液幕状に噴射する一対の洗浄液噴射手段例えば純水噴射ノズル６４が配設されている。ここで、ウエハＷの下部とは、図６に示すように、ウエハＷの下端部ＷｅからウエハＷに形成される例えば回路パターン等の製品領域Ｗｐの近傍までの領域（図６でハッチングで示す。）をいう。上記純水噴射ノズル６４は、第２の純水供給管６５を介して上記純水供給源６３に接続されている。この場合、第１の純水供給管６２と第２の純水供給管６５は、切換手段例えば切換弁６６を介して純水供給源６３に接続されて、純水の供給が、純水供給ノズル５８Ａと純水噴射ノズル６４とに切り換え可能、あるいは同時供給可能になっている。
【００４８】
なお、切換弁６６と純水供給源６３との間には開閉弁６７が介設され、第２の純水供給管６５の純水噴射ノズル６４側にはそれぞれ開閉弁６８と絞り６９が介設されている。また、洗浄槽２１Ａの底部には排液口２１ｅが設けられており、この排液口２１ｅにドレン弁６０ａを介設したドレン管６０ｂが接続されている。また、洗浄槽２１Ａにおいても、処理槽２１と同様のウエハボート５７が昇降手段昇降制御手段（共に図示せず）によって昇降可能に配設されている。
【００４９】
上記のように、洗浄槽２１Ａに純水噴射ノズル６４を配設することにより、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌに浸漬する前に、ウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａ付近に、純水噴射ノズル６４から純水Ｌを液幕状に噴射することで、ウエハＷの下部表面に残留する処理液に付着するパーティクルを洗浄除去することができる。したがって、薬液処理されたウエハＷは、薬液処理後にウエハＷの下部表面に残留する薬液（処理液）に付着するパーティクルを除去した状態で洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌに浸漬されて洗浄処理が施される。
【００５０】
なお、上記実施形態では、洗浄槽２１Ａの上部に純水噴射ノズル６４を配設して、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下部を洗浄する場合について説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はなく、上記処理槽２１の上部に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに同様に純水を液幕状に噴射して洗浄するようにしてもよい。また、洗浄槽２１Ａと処理槽２１の双方に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａと、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａに向けて純水を液幕状に噴射してウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去するようにしてもよい。このように薬液処理直後、及び洗浄処理直前の双方にてウエハＷの下部を洗浄することにより、ウエハＷに付着するパーティクルを更に確実に除去することができる。
【００５１】
◎第二実施形態
図７はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形態の要部を示す概略断面図である。
【００５２】
第二実施形態は、薬液処理されたウエハＷの下部に付着するパーティクルを上記第一実施形態とは別の手段で除去するようにした場合である。この場合、基板洗浄処理装置２０Ａは、上記第一実施形態における純水噴射ノズル６４を除去した構造で、洗浄槽２１Ａ内の底部に配設される純水供給ノズル５８Ａを純水供給管６２Ａを介して純水供給源６３に接続してなり、また、一対の下部保持棒５７ａと側部保持棒５７ｂとを具備するウエハボート５７は、図示しない昇降手段によって昇降可能に構成されている。なお、その他の部分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００５３】
上記のように構成される基板洗浄処理装置２０Ａにおいて、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを、洗浄槽２１Ａ内に貯留され、洗浄槽２１Ａからオーバーフローする洗浄液例えば純水Ｌ中に浸漬する際、図７に示すように、昇降手段（図４参照）を制御して、ウエハＷの下部あるいはウエハボート５７の下部保持棒５７ａが純水Ｌの液面に浸かった状態で所定時間例えば０．５秒間停止してウエハＷの下部に付着したパーティクルを純水Ｌ中にすばやく拡散させ洗浄することができる。つまり、ウエハＷの下部に付着したパーティクルは、オーバーフローの流れに乗って拡散される。このようにして、薬液処理されたウエハＷの下部に付着したパーティクルを除去した後、ウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された純水Ｌ中に浸漬して洗浄処理を施すことができる。したがって、ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止することができる。
【００５４】
◎参考実施形態
図８はこの発明に係る基板洗浄処理装置の参考実施形態の一例を示す概略断面図である。
【００５５】
参考実施形態は、ウエハＷの薬液及び洗浄処理を、清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダウンフローの雰囲気下で行う場合のエッチング不均一を解消するようにした場合である。すなわち、薬液処理されたウエハＷを、処理槽２１から引き上げ、別の処理槽２１あるいは洗浄槽２１Ａに搬送する間に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦが、重力及びダウンフローの清浄気体例えば清浄空気の流れによってウエハＷの下部側に流れて、ウエハＷの上部のＨＦが切れることによるエッチングの不均一を防止するようにした場合である。
【００５６】
この場合、参考実施形態の基板線上処理装置２０Ｂは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場合を示す。）の上方に配設されるフィルタユニット７０のファン７１の回転駆動手段例えばファンモータ７２の駆動を制御部７３からの信号によって制御可能に構成されている。
【００５７】
なお、参考実施形態において、その他の部分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００５８】
上記のように構成することにより、処理槽２１内の処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合、上記制御部７３からの制御信号によってファンモータ７２の回転を低速にして清浄空気の量すなわちダウンフローの量を、図８に一点鎖線で示す通常の状態から実線で示す減少状態、すなわちウエハＷの処理中や洗浄中のダウンフロー量と比較して弱くして、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下部側への流れを抑制することができる。したがって、薬液処理されたウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることができるので、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を図ることができる。なお、ウエハＷの処理中や洗浄中で、ウエハＷを搬送していないときは、通常のダウンフロー量で処理部雰囲気中のパーティクルの発生を抑えるようにしておく。
【００５９】
なお、上記説明では、フィルタユニット７０のファンモータ７２を低速にして清浄空気の量を減少させてウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下方へ流れ落ちる量をすくなくしているが、ファンモータ７２の回転を停止して、清浄空気のダウンフロー量を零にして、同様にウエハＷの上部から流れ落ちる量を減少させるようにしてもよい。
【００６０】
◎第三実施形態
図９はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【００６１】
第三実施形態は、薬液処理されたウエハＷを、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの下部側に流れ落ちるのを積極的に防止して、ウエハＷの表面に形成される酸化膜のエッチングの均一性の向上を図れるようにした場合である。
【００６２】
この場合、基板洗浄処理装置２０Ｃは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場合を示す。）の上部の両側に、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部から上方に向かって清浄気体例えば清浄空気あるいは窒素（Ｎ2）ガスを吹き付ける清浄気体噴射手段例えばＮ2ガス噴射ノズル７４を具備してなる。これらＮ2ガス噴射ノズル７４は、開閉弁７７を介設するＮ2ガス供給管７５を介してＮ2ガス供給源７６に接続されている。
【００６３】
なお、第三実施形態において、その他の部分は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００６４】
上記のように構成することにより、処理槽２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、上記Ｎ2ガス噴射ノズル７４からウエハＷの下部から上方に向かってＮ2ガスを吹き付けることにより、ウエハＷに残存する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることができる。したがって、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を図ることができる。
【００６５】
なお、上記説明では、Ｎ2ガス噴射ノズル７４が処理槽２１の上方に配設されて、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けるようにした場合について説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はない。例えば、Ｎ2ガス噴射ノズル７４を洗浄槽２１Ａの上方に配設して、洗浄槽２１Ａに投入されるウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。また、薬液処理されたウエハＷを別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する途中にＮ2ガス噴射ノズル７４を配設して、上記と同様にＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。更には、図１０に示すように、ウエハ搬送チャック１５の例えば下部側にＮ2ガス噴射ノズル７４Ａを設けるようにしてもよい。
【００６６】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの搬送をウエハ搬送チャック１５にて行い、ウエハＷの処理槽２１又は洗浄槽２１Ａへの投入（下降）、引き上げ（上昇）をウエハボート５７にて行う場合について説明したが、この発明に係る基板洗浄処理装置は、必ずしもこのような構造に限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、被処理基板搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５Ａを水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能に形成して、ウエハＷの処理槽２１及び洗浄槽２１Ａへの搬送と、処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに対するウエハＷの投入（下降）及び引き上げ（上昇）を行えるように形成してもよい。なお、この場合、ウエハ搬送チャック１５Ａは、一対の回転可能な水平支持軸１５ａにそれぞれ装着される略逆Ｕ字状の保持フレーム１５ｂを具備してなり、各保持フレーム１５ｂの下端部及びその上方にそれぞれ下部保持棒１５ｃ及び側部保持棒１５ｄを横架した構造となっている。そして、図示しない駆動手段によって水平支持軸１５Ａが回転して複数枚例えば５０枚のウエハＷを保持して、水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動し得るように構成されている。
【００６７】
また、上記実施形態では、この発明の洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＬＣＤ基板の洗浄処理装置にも適用できることは勿論である。
【００６８】
【実施例】
☆実施例−１
上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用いた場合のウエハＷに再付着するパーティクル量（実施例）と、上記基板洗浄処理装置を用いない場合のウエハＷに再付着するパーティクル量（比較例）とを、比較するための実験結果について説明する。
【００６９】
比較例のウエハＷを、処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、洗浄液例えば純水中に３分間浸漬した場合、処理前すなわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティクルの状態は、表１及び図１３に示す通りであったが、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着したパーティクルＡの状態は、表１及び図１４に示す通りであった。なお、図１３，図１４において、符号ＮはウエハＷの外周縁に設けられたノッチである。
【００７０】
【表１】
これに対し、実施例のウエハＷを、比較例とは別に処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、図１２に示すように、位置Ｐ1からＰ5まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動した後、位置Ｐ5から純水の液面位置Ｐ6まで２５０ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動して、ウエハＷの下部を純水の液面に０．５ｓｅｃ間浸けてウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去した後、Ｐ6からＰ8の位置まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動して浸漬処理を施した場合、処理前すなわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティクルの状態は、表２及び図１５に示す通りであったが、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着したパーティクルＡの状態は、表２及び図１６に示す通りであった。
【００７２】
【表２】
上記実験の結果、比較例においては、処理前のパーティクルの総数が４６個であったのが、処理後においては、パーティクル総数が７３７個と６９１個（約１５倍増加）も増加していることが判った。これに対し、実施例においては、処理前のパーティクルの総数が２０３個であったのが、処理後においては、パーティクル総数が３００個であり、僅か９７個（約０．４８倍減少）の増加であった。したがって、薬液処理した後の、ウエハＷの下部を洗浄液例えば純水に所定時間例えば０．５ｓｅｃ浸けてウエハＷの下部に付着したパーティクルを除去した後、洗浄液例えば純水に浸漬する方がパーティクルによる汚れが著しく少ないことが判った。
【００７４】
☆実施例−２
上記第三実施形態の基板洗浄処理装置を用いて、薬液処理後のウエハＷに向かって清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けた場合（強制風有りの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによるエッチング量（実施例）と、清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによるエッチング量（比較例）とを、比較するための実験結果について説明する。
【００７５】
比較例の複数枚例えば５０枚のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの場合）の処理前と処理後の２６枚目のウエハＷの各測定点のエッチング量を調べたところ、表３及び図１７に示すような結果が得られた。
【００７６】
【表３】
これに対し、実施例の複数枚例えば５０枚のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５０：１）による処理（５ｍｉｎ）又は希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けた場合（強制風有りの場合）の２６枚目のウエハＷの各測定点の処理前と処理後のエッチング量を調べたところ、表４及び図１７に示すような結果が得られた。
【００７８】
【表４】
上記実験の結果、薬液処理後にウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けることにより、エッチング量の均一性が図れることが判った。
【００８０】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置によれば、以下のような効果が得られる。
【００８１】
（１）請求項１〜４，６，７記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬して洗浄処理する過程において、処理液による処理が終わった被処理基板が洗浄液に浸漬される際、あるいは洗浄液に浸漬される前において、被処理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に残存する処理液中のゴミを除去することができるので、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００８２】
（２）請求項５，９記載の発明によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱めるか、停止させることで、処理液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れを防止することができるので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る基板洗浄処理装置を適用した基板洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図である。
【図３】 上記基板洗浄処理装置の背面図である。
【図４】 上記基板洗浄処理装置を示す断面図である。
【図５】 上記基板洗浄処理装置の要部を示す断面図である。
【図６】 被処理基板であるウエハの下部の洗浄領域と製品領域を示す概略正面図である。
【図７】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形態を示す概略断面図である。
【図８】 この発明に係る基板洗浄処理装置の参考実施形態を示す概略断面図である。
【図９】 この発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【図１０】 この発明における清浄気体噴射手段の別の取付状態を示す概略側面図（ａ)及びその正面図（ｂ）である。
【図１１】 この発明における被処理基板搬送手段の別の形態を示す概略斜視図である。
【図１２】 上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用いてウエハに付着するパーティクル量を調べる実験の手順を示す概略図である。
【図１３】 比較例のウエハの洗浄処理前のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１４】 比較例のウエハの洗浄処理後のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１５】 実施例のウエハの洗浄処理前のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１６】 実施例のウエハの洗浄処理後のパーティクル付着状態を示す説明図である。
【図１７】 薬液処理後のウエハの下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付ける場合（実施例）と、吹き付けない場合（比較例）におけるエッチング均一性を示すグラフである。
【図１８】 酸化膜を形成するウエハとシリコン製ウエハへの処理液及びパーティクル付着量を調べるためのウエハの配列状態を示す概略側面図（ａ）、処理液及びパーティクルの付着状態を示す概略断面図（ｂ）及びパーティクルの再付着状態を示す概略断面図（ｃ）である。
【図１９】 薬液処理後のウエハに薬液が付着した状態を示す概略断面図（ａ）及びウエハに付着する薬液が下方に流れる状態を示す概略正面図（ｂ）である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
Ｌ 純水（洗浄液）
１５，１５Ａ ウエハ搬送チャック（被処理基板搬送手段）
２１ 処理槽
２１Ａ 洗浄槽
３８ 気流調整板
５７ ウエハボート（保持手段）
６３ 純水供給源
６４ 純水噴射ノズル（洗浄液噴射手段）
７０ フィルタユニット
７１ ファン
７２ ファンモータ
７３ 制御部
７４，７４Ａ Ｎ2ガス噴射ノズル（清浄気体噴射手段）
７６ Ｎ2ガス供給源
８０ 昇降手段
８１ 昇降制御手段
Claims (12)
- 垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、
処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、
処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を、洗浄液の液面中に浸漬した状態で停止し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬する、ことを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 請求項１又は２記載の基板洗浄処理方法において、
上記洗浄液は、この洗浄液を貯留する洗浄槽からオーバーフローすることを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄処理方法において、
上記被処理基板は、疎水性素材の表面に親水性の膜が混在する基板であることを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 垂直状態に保持された被処理基板を処理液に浸漬して、該被処理基板を処理する工程と、上記被処理基板を上記処理液との接触から離す工程と、上記被処理基板を洗浄液に浸漬して、該被処理基板を洗浄する工程と、を有し、
上記被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、
上記処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄気体の流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、
上記洗浄槽の上方に、上記被処理基板の下部に向かって洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してなり、
処理液による処理が終わった上記被処理基板が上記洗浄液に浸漬される前に、被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄し、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、
上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段にて保持される処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 被処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持し、かつ被処理基板の下端側を保持する下部保持棒を有する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置に おいて、
上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段にて保持される処理液による処理が終わった上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬する際、被処理基板の下部と上記下部保持棒を洗浄液の液面に浸漬した状態で停止させ、その後、被処理基板を洗浄液に浸漬するように形成してなる、ことを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 被処理基板が処理液に接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄液に接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置において、
上記処理槽を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下に配設し、
上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は調節可能に制御する制御手段を具備し、
処理液での処理が終わった上記被処理基板を、上記洗浄槽に搬送する際、上記清浄気体の流量を停止又は弱めるように制御するように形成してなる、ことを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 請求項６ないし９のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
上記昇降手段は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段に具備されていることを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 請求項６ないし９のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
上記昇降手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送する搬送手段を更に具備することを特徴とする基板洗浄処理装置。 - 請求項６ないし９のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
上記洗浄槽は、洗浄液をオーバーフローするオーバーフロー槽であることを特徴とする基板洗浄処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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