JP3643954B2 - 洗浄処理装置 - Google Patents

洗浄処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3643954B2
JP3643954B2 JP2001258961A JP2001258961A JP3643954B2 JP 3643954 B2 JP3643954 B2 JP 3643954B2 JP 2001258961 A JP2001258961 A JP 2001258961A JP 2001258961 A JP2001258961 A JP 2001258961A JP 3643954 B2 JP3643954 B2 JP 3643954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
unit
wafer
processed
processing unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001258961A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002136935A (ja
Inventor
正巳 飽本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001258961A priority Critical patent/JP3643954B2/ja
Publication of JP2002136935A publication Critical patent/JP2002136935A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3643954B2 publication Critical patent/JP3643954B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、洗浄処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスの製造工程において、被処理体例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)の表面に付着するパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションを除去するために、例えばアンモニア、フッ酸及び純水等の洗浄液を用いてウエハを洗浄する洗浄処理装置が使用されている。
【0003】
この種の洗浄処理装置の1つとして、ウエハを回転可能に保持して、ウエハ表面にアンモニア、フッ酸等のアルカリ性あるいは酸性の薬液やリンス液例えば純水を供給して洗浄する枚葉式の洗浄処理装置が知られている。この洗浄処理装置によれば、保持手段例えばスピンチャックにてウエハを保持した状態で、ウエハ表面に所定温度のアンモニアあるいはフッ酸等の洗浄用薬液(洗浄液)を液盛り状に供給した後、所定時間洗浄処理することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この種の洗浄処理装置においては、洗浄液としてアルカリ性の薬液と酸性の薬液の異なる種類の薬液を使用する場合には、ウエハは異なる雰囲気中に晒されることとなり、次工程の洗浄においてウエハに前工程の異なる雰囲気の成分が持ち込まれると、洗浄に支障をきたすと共に、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【0005】
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、異なる種類の洗浄液を使用する場合に次工程に異なる雰囲気が持ち込まれることを防止して、製品歩留まりの向上を図れるようにした洗浄処理装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の洗浄処理装置は、処理室内に、 被処理体を回転可能に保持する保持手段と、上記被処理体に所定の洗浄液を供給する第1の洗浄液供給手段とを有する第1の洗浄処理部と、 上記保持手段と、上記被処理体に上記第1の洗浄処理部で使用される洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を供給する第2の洗浄液供給手段とを有する第2の洗浄処理部と、 上記被処理体を所定位置に搬送し、上記保持手段との間で被処理体を受け渡す搬送手段とを具備し、 上記第1の洗浄処理部と第2の洗浄処理部とを上記搬送手段の搬送路によって分離配置してなり、 上記処理室と、上記被処理体を収容するカセットの搬入・搬出部との間に、被処理体を受渡しするピンセットを有する被処理体受渡し部を設け、この被処理体受渡し部における上記処理室側に開閉シャッタを設けてなり、 上記ピンセットは、基端部と先端部を有する平面板形状の同一水平面上に形成され、かつ、基端部から先端部に向かう中心線に関して両側左右対称位置に形成されると共に、基端部側と先端部側にそれぞれ被処理体の対向する2辺を支持し、一方が被処理体を支持する際には、他方は被処理体に接触しない、未処理の被処理体と処理済みの被処理体を支持する2つの支持面を有することを特徴とするものである(請求項1)。
【0007】
この発明において、被処理体受渡し部における搬入・搬出部側に開閉シャッタを設け、 上記搬入・搬出部には、上記被処理体受渡し部との間に気密に介在される気密室を設け、この気密室を、不活性ガスの雰囲気に設定する方が好ましい(請求項3)。
【0008】
また、上記ピンセットは、両側左右対称位置に形成された2つの支持面を左右方向へ水平移動することにより、被処理体の支持位置へ切換移動するための切換移動機構を具備する方が好ましい(請求項4)。
【0009】
上記のように構成されるこの発明によれば、被処理体を回転可能に保持する保持手段と、異なる種類の洗浄液を使用する第1の洗浄処理部と第2の洗浄処理部とを、被処理体の搬送手段の搬送路によって分離配置することにより、例えばアルカリ系処理部と酸系処理部とを区画することができ、各洗浄処理工程中における異なる雰囲気成分の侵入を確実に阻止することができる。更に、処理室と搬入・搬出部との間に設けられる被処理体受渡し部における処理室側に開閉シャッタを設けることにより、洗浄処理後の被処理体の清浄状態を維持することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、この発明の実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明する。
【0011】
上記洗浄処理システムは、図1に示すように、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエハという)を複数枚例えば25枚収容するカセットCの搬入・搬出部1と、ウエハWを洗浄処理する複数の処理部を有する処理室2と、この処理室2と搬入・搬出部1との間に位置して、ウエハWの受渡しを行うピンセット30を有するウエハ受渡し部3と、各処理部で使用される洗浄液例えばアンモニアあるいはフッ酸等の薬液及びリンス液例えば純水等の洗浄液の供給ボックス4とを具備してなる。
【0012】
この場合、処理室2内の中央には、ウエハWを把持するための第1,第2の2本の搬送アームを有するメインアーム20を水平方向(X,Y方向)、垂直方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能に駆動する駆動機構21と、この駆動機構21をX方向に移動するための搬送路22とを有する搬送手段23が設けられており、この搬送手段23の搬送路22に関して一方の側には、裏面洗浄部24と、アルカリ性洗浄液による洗浄処理を行う2つの洗浄処理部25(以下に第1の洗浄処理部という)が配設されている。また、搬送路22の反対側には、酸性洗浄液による洗浄処理を行う2つの洗浄処理部26(以下に第2の洗浄処理部という)と、仕上げの洗浄と乾燥処理を行う洗浄・乾燥処理部27が配設されている。
【0013】
上記第1の洗浄処理部25と第2の洗浄処理部26は使用する洗浄液(薬液)が異なる以外は同様の構造であるので、ここでは第1の洗浄処理部25を代表例として説明する。第1の洗浄処理部25は、図2に示すように、ウエハWを回転可能に保持する保持手段例えばスピンチャック50と、このスピンチャック50の下部及び側部を包囲して使用済の洗浄液を回収するカップ60と、スピンチャック50にて保持されたウエハ表面に洗浄液(薬液)を供給する洗浄液供給ノズル70(第1の洗浄液供給手段)と、スピンチャック50の上面と対向して配設され、ウエハW及び洗浄液供給ノズル70を包囲すると共にスピンチャック50に対して上下方向に進退移動可能な保温体71とを具備してなる。このように構成することにより、保温体71とスピンチャック50とを近付けることにより共働してウエハW及び洗浄液供給ノズル70から供給される洗浄液の保温空間を形成することができる。なお、スピンチャック50の上方の側部には、スピンチャック50にて保持されるウエハWに向ってリンス液例えば純水を供給する純水供給ノズル80が、供給位置と待機位置間を移動可能に配設されている。
【0014】
この場合、上記スピンチャック50は、ウエハ保持面に複数個のウエハ保持爪51を有する回転可能なチャック本体52と、このチャック本体52の中心部に設けられた貫通孔53内にシールベアリング54を介して貫挿される昇降可能なウエハ受渡し用の支持体55とで構成されており、チャック本体52はスピンモータM1の駆動によりタイミングベルト52aを介して回転され、支持体55は 昇降用シリンダ56の駆動によって保持面の上方に昇降移動し得るように構成されている。なおこの場合、チャック本体52の保持面の下部側に図2に二点鎖線で示すように、温度調整用熱媒体循環通路57を形成し、この通路57内に温調用熱媒体や恒温液を循環することによってスピンチャック50にて保持されるウエハW及び洗浄液を所定温度に保つ温度調整機構を構成することができる。
【0015】
上記のように構成されるスピンチャック50において、昇降用シリンダ56の駆動により支持体55がチャック本体52の保持面より上方に突出した状態で上記メインアーム20との間でウエハWの受渡しが行われ、ウエハWを保持した支持体55が下降して保持面と同一面あるいはそれ以下に下降した状態でウエハWがチャック本体52の保持爪51によって保持される。
【0016】
上記カップ60は、スピンチャック50の保持面の下方に位置する底部61と、この底部61からスピンチャック50の保持面の下方近傍位置まで起立する筒状の側部62を有する内カップ63と、この内カップ63の外側に環状に形成され上端がスピンチャック50の保持面の上方近傍位置に延在する外カップ64とで構成されており、内カップ63の内側には環状の仕切り壁65が底部61から起立して設けられると共に、内カップ63の外周側の底部61の適宜位置に洗浄液排出口66が設けられ、また、外カップ64の底部64Aの適宜位置には純水排出口67が設けられている。
【0017】
一方、上記保温体71は、下面の内方側に凹部72を有する断面略逆U字形に形成されており、凹部72の中心位置に洗浄液供給ノズル70を取付け、また、上部側方に設けられる洗浄液供給管接続口73と洗浄液供給ノズル70とを連通する連通路(図示せず)を内部に設けると共に、所定の温度の熱媒体あるいは恒温液を循環供給する温度調整用熱交換器74(温度調整機構)を内蔵してなる。この連絡通路は、少なくとも1回の洗浄処理に必要な洗浄液量を内蔵し、温度調整された洗浄液を供給可能に構成される。
【0018】
なお、この熱交換器74に代えてヒータを用いてもよい。また、保温体71は昇降機構75に連結されており、昇降機構75の駆動によってスピンチャック50の保持面に対して可及的に近接する状態に進退移動可能に形成されている。この場合、昇降機構75はボールねじ機構にて形成されており、正逆回転する駆動モータM2によって回転するねじ軸76にボール(図示せず)を介して螺合する 可動ナット77にブラケット78を介して保温体71が連結されて、駆動モータM2の駆動によって保温体71がスピンチャック50の保持面に対して進退移動 し得るように構成されている。なお、昇降機構75は必ずしもモータM2とボー ルねじ機構によるものである必要はなく、モータM2とボールねじ機構に代えて シリンダによる往復移動機構のものを用いてもよい。
【0019】
なお、上記実施形態では保温体71がスピンチャック50の上面に接触しない状態で近接される場合について説明したが、スピンチャック50と保温体71とを相対的に回転可能にするシールベアリングを介在させることによって、保温体71をスピンチャック50に接触させることもでき、更に保温機能の向上を図ることができる。また、上記第1の洗浄処理部25は図2に二点鎖線で示す容器90内に設けられており、容器90の天井部に配設されるフィルタ91によって容器内に清浄化された空気が供給され底部から排気されるようになっている。
【0020】
上記のように構成される第1の洗浄処理部25において、ウエハWを洗浄処理する場合、まず、図3(a)に示すように、保温体71を上方へ待機させた状態でスピンチャック50の支持体55を保持面より上方へ突出し、この状態でメインアーム20にて把持されたウエハWを搬入し支持体55で受取ってメインアーム20を洗浄処理部25から後退させる。次に、図3(b)に示すように、保温体71が下降してスピンチャック50の保持面の近傍に位置して保温空間を形成する。この状態で洗浄液供給ノズル70から洗浄液例えばアンモニア液をウエハWの中心部に所定量供給する。この際、スピンチャック50を静止又は回転して洗浄液をウエハ表面に液盛りする。そして、所定時間、この状態を保つことにより、熱交換器74及び保温体71によって洗浄液が所定温度に保温された状態で洗浄液とウエハWとの化学反応による洗浄処理を行う。なお、スピンチャック50に温度調整機構57を設けることによって更に洗浄液及び洗浄雰囲気の温度を所定温度に維持することができるので、洗浄処理をより一層安定させることができる。このようにして、アンモニア液による洗浄処理を行った後、図3(c)に示すように、保温体71を上方へ後退させ、純水供給ノズル80をウエハWの上方へ移動してウエハW表面に純水を供給すると共に、スピンチャック50を高速回転してウエハW表面に付着するアンモニア液を除去する。そして、所定時間純水を供給して洗浄した後、純水の供給を停止し、スピンチャック50のみを回転し続けて振り切り乾燥を行う。その後、スピンチャック50の回転を停止し、図3(d)に示すように、支持体55を上昇させ、側方から洗浄処理部内に侵入するメインアーム20にてウエハWを受取ってウエハWを次の処理工程へ搬送する。
【0021】
なお、上記第2の洗浄処理部26においては、洗浄液がアンモニア液に代えてフッ酸が使用され、洗浄液が所定温度に温調されて洗浄処理される以外は上記第1の洗浄処理部25と同様である。また、上記第1の洗浄処理部25と第2の洗浄処理部26とを搬送手段23の搬送路22によって分離配置することによって、アルカリ雰囲気と酸性雰囲気とを区画することができ、第1の洗浄処理部25で洗浄処理されたウエハWが第2の洗浄処理部26で洗浄処理される際にアルカリ雰囲気の成分が第2の洗浄処理部26内に持ち込まれるのを阻止することができる。
【0022】
一方、上記搬入・搬出部1には、上記カセットCを搬出入可能に封入するコンテナ10と、このコンテナ10と洗浄処理室2(具体的にはウエハ受渡し部3)との間に気密に介在される気密室11と、気密室11内に配設されて、コンテナ10との間でカセットCを搬出入するカセット搬送用昇降機構18とが設けられている。この場合、コンテナ10は、下方が開口する例えば硬質プラスチック製あるいはステンレスやアルミニウムなどの金属製の箱状のコンテナ本体10aと、このコンテナ本体10aの開口部10bを開閉可能に塞ぐと共にその上にカセットCを載置する蓋体13とで構成されており、蓋体13によって塞がれた状態においてカセットCはコンテナ10内に気密状態で保管されるようになっている。このコンテナ10内は、例えばN2ガスなどの不活性ガス雰囲気で、常圧又は 僅かに加圧、例えば0.05Torr程度以上の雰囲気に設定されている。なお、コンテナ10内に収容されるカセットCは、図示しない操作ノブ付きの気密にシールされた保持部材の押圧によってコンテナ10内に固定された状態で保持され、保持部材の押圧を解除することによって固定保持が解除されるようになっている。
【0023】
また、コンテナ本体10aの開口部10bには外向きフランジ10cが設けられており、この外向きフランジ10cの下面に周設された凹溝10d内に、例えばOリングなどのシール部材15が装着されている。また、外向きフランジ10cの内周下面側には、例えばOリングなどのシール部材(図示せず)が全周に渡って装着されており、これに蓋体13の周縁上部を押圧することでコンテナ本体10a内を気密状態に保つことができるようになっている。なお、蓋体13は図示しないロック機構、嵌合機構等により外向きフランジ10c部分に密着される。
【0024】
このように構成されるコンテナ10は図示しない搬送手段によって気密室11の頂部に載置され、気密室11の頂部上面に装着された自動的又は手動的な結束手段としてのクランプ16によって外向きフランジ10cが締結されることによってシール部材15がコンテナ10と気密室11に密接して、コンテナ10と気密室11とが気密に連結される。なお、クランプ16に代えて図4に二点鎖線で示すような押圧部材17を、コンテナ10の上方から下方に向って押圧することによっても同様にコンテナ10と気密室11とを気密に連結することができる。更に、コンテナ10の自重により押圧するようにしてもよい。
【0025】
一方、上記気密室11は、その頂部上面におけるコンテナ載置部に開閉可能なシャッタ14を設けた開口窓11aを具備すると共に、その内部に昇降機構18を配設してなる。この気密室11の上部側壁にはガス供給口11bが開設され、底壁部には排気口11cが開設されている。そして、ガス供給口11bにはバルブV1を介してN2ガス供給源11dが接続され、排気口11cにはバルブV2を 介して排気手段としての真空ポンプ11eが接続されている。したがって、気密室11内はN2ガス供給源11dから供給されるN2ガスによってパージされ、コンテナ10内と同一の常圧又は僅かに加圧、例えば0.05Torr程度の雰囲気、あるいは真空ポンプ11eの駆動によって所定の真空度、例えば1×10-1〜10-8Torrの雰囲気に設定される。なお、気密室11の圧力は圧力検出器11fによって測定され、手動あるいは自動的に気密室11内の圧力が設定される。
【0026】
上記昇降機構18は、気密室11の下方に配置されたモータM3と、このモー タM3に図示しないボールねじ機構を介して連設する昇降ロッド18aとからな り、昇降ロッド18aの上部に昇降台18bを取付けてなる。また、昇降台18bと気密室11の底壁との間には、伸縮自在なベローズ等の気密壁18cが張設されており、この気密壁18cによって昇降機構18と気密室11内とが気密に区画されて、昇降機構18の搬送駆動部から気密室11内にごみ等が侵入するのを防止している。なお、昇降機構18は必ずしもモータM3とボールねじ機構に よるものである必要はなく、モータM3とボールねじ機構に代えてシリンダによ る往復移動機構のものを用いてもよい。
【0027】
上記のように構成される搬入・搬出部1におけるコンテナ10の構造及び気密室11の気密機構、減圧機構等は、少なくとも洗浄処理されたウエハWの搬出時に適用されるようになっていればよい。
【0028】
一方、上記ウエハ受渡し部3は、図5に示すように、上記気密室11との間に開閉シャッタ31を介して連設され、また、処理室2との間に開閉シャッタ31Aを介して連設される室32内に設けられ、ウエハWを支持する2つの支持面30a,30bを有するピンセット30と、このピンセット30の支持面30a,30bをウエハWの支持位置へ切換移動するための切換移動機構33と、ピンセット30を切換移動方向と直交する垂直(Z)方向に移動する垂直移動機構34と、ピンセット30を水平方向(θ方向)に回転する回転機構(図示せず)と、ピンセット30を上記気密室11内のカセットCに対して進退方向(X方向)に移動する進退移動機構35及びこれら機構部とピンセット30を横方向(Y方向)に移動する案内レール36aと直動ベアリング36bとからなる移動機構36とを具備している。
【0029】
この場合、上記ピンセット30は、例えばフッ素樹脂あるいはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の耐熱及び耐食性を有する部材にて形成されており、図6に示すように、矩形状の基端部30cの先端側にテーパ部30dを介して基端より横幅の狭い矩形状先端部30eを有する平面板形状に形成され、かつ基端部30cから先端部30eに向う中心線Oに関して両側の例えば左右対称位置の基端部30c側と先端部30e側にそれぞれウエハWの対向する2辺部を支持する平面円弧状の支持面30aと30bが段部30iの内側同一面上例えば同一水平面上に設けられている。これら支持面30a,30bは、一方の支持面例えば30a(又は30b)にてウエハWを支持する際には、他方の支持面例えば30b(又は30a)にはウエハWは接触しないような位置及び長さに形成されている。また、支持面30a,30bのウエハW中心側への幅は、ウエハWに形成される回路パターンに支障をきたさない範囲内、例えば5mm以内好ましくは3mm以内に設定されている。なお、ウエハWの外周部に、位置合せのためのノッチが設けられる場合は、ノッチの切欠き幅は狭いので支持面30a,30bの幅、長さは比較的短かくてもよいが、ウエハWにオリフラWaが設けられている場合には、オリフラWaの切欠き部はノッチの切欠き幅より長いので、このオリフラWa部分を支持し得るように支持面30a,30bに幅、長さをもたせておけばよい。なお、先端部30e等は、基端部30cと同一横幅に形成することもできる。
【0030】
上記切換移動機構33は、例えば正逆回転可能なステッピングモータM4と、 このステッピングモータM4によって駆動される駆動プーリ30fと従動プーリ 30gに掛け渡されるタイミングベルト30hとからなり、タイミングベルト30hにピンセット30の基端部30cを連結して、ステッピングモータM4の駆 動により、ピンセット30の支持面30a,30bを左右方向へ水平移動することにより、ウエハWの支持位置への切り換え及びカセットCへの搬入位置への切換移動を行うように構成されている。なお、切換移動機構33は、必ずしも上記のような構造とする必要はなく、例えばボールねじ機構を用いてもよい。あるいは、移動機構7の移動によってピンセット30の支持面30a,30bを切換移動させるようにしてもよい。
【0031】
上記垂直移動機構34及び進退移動機構35は、例えばボールねじ機構、ステッピングモータとタイミングベルト等を用いたベルト機構あるいはシリンダ等を用いた直線運動機構(図示せず)にて形成される。
【0032】
上記のように構成されるピンセット30を用いてウエハWをカセットCから受け取って搬送する場合は、まず、移動機構36を駆動して切換移動機構33の中心をカセットCの中心に合わせ、次に、切換移動機構33を駆動して、例えば支持面30aによって支持されるウエハWの中心位置とカセットCの中心位置とが、Y方向と直交する同一線上にあるように移動する(取り出し時オフセット)。次に、進退移動機構を駆動してピンセット30をX方向に移動してカセットC内の所望のウエハWの下方に侵入させ、垂直移動機構34の駆動によってピンセット30を上昇させてウエハWを受け取る。そして、進退移動機構35を駆動して後退させ、カセットC内からウエハWを取り出し(図6及び図7(a)参照)、処理室2側のメインアーム20に渡す。
【0033】
また、処理室2内の洗浄処理部で洗浄された処理済みのウエハWをカセットC内に搬入する場合は、処理済みのウエハWを支持面30bで支持して受け取った後、この状態でピンセット30をカセットCの手前に移動し、切換移動機構33を駆動して支持面30bによって支持されたウエハWの中心位置とカセットCの中心位置とが、Y方向と直交する同一線上にあるように移動する(収容時オフセット)。次に、進退移動機構35を駆動してピンセット30をカセットC内の所望のウエハ収容位置へ侵入させ、垂直移動機構34の駆動によってピンセット30を下降させてウエハWをカセットC内に渡した後(図6及び図7(b)参照)、ピンセット30を後退する。
【0034】
上記のように、未処理のウエハWを支持面30aで受け取って、処理室2に搬送し、洗浄処理後のウエハWを支持面30bで受け取ってカセットC内に収容することにより、洗浄前のウエハWの裏面に付いた異物がピンセット30を介して洗浄処理済みのウエハWの裏面に再付着するのを防止することができる。なお、支持面30bで未処理のウエハWを支持して受け取り、処理済みのウエハWを支持面30aで支持して受け取るようにしてもよい。
【0035】
次に、洗浄処理システムの動作態様について説明する。まず、搬送ロボット(図示せず)等により搬入・搬出部1に搬送された未処理のウエハWを収容するカセットCから所望のウエハWをピンセット30の例えば支持面30aにて受取ってウエハ受渡し部3内に搬送する。次に処理室2内のメインアーム20の第1のアームにてウエハ受渡し部3内のウエハWをシャッター31Aを経由して受取り、そして、処理室2内の裏面洗浄部24に搬送する。裏面洗浄部24に搬送されたウエハWは図示しないスピンチャックにて保持されて回転され、裏面に接触される洗浄ブラシにて裏面洗浄された後、メインアーム20似て裏面洗浄部24から取り出された後、第1の洗浄処理部25内に搬送される。
【0036】
第1の洗浄処理部25に搬送されたウエハWは、上述したように、スピンチャック50の保持面上に保持され、保温体71の下降によって保温空間内におかれる。この状態で、所定の温度の洗浄液(アンモニア液)が第1の洗浄液供給ノズル70からウエハ表面に供給されると共に、スピンチャック50が回転することによりウエハ表面に洗浄液が液盛りされる。この時、ウエハWの表面から零れ落ちる洗浄液は内カップ63内に受け止められ、洗浄液排出口66を介して排出される。このようにして洗浄液の液盛りが完了した後、スピンチャック50の回転が停止し、洗浄液によりウエハ表面を所定時間化学処理(洗浄処理)した後、保温体71を上昇し、純水供給ノズル80をウエハWの上方に移動してリンス液例えば純水を供給すると共に、スピンチャック50を回転してウエハ表面上の洗浄液(アンモニア液)を除去する。この時、洗浄に供された純水は外カップ64にて回収され、純水排出口67を介して排出される。所定時間純水を供給して洗浄した後、純水の供給を停止し、スピンチャック50のみを回転し続けることによって振り切り乾燥を行う。このようにして第1の洗浄処理部25にて洗浄処理された後、ウエハWはメインアーム20の第2のアームによって第1の洗浄処理部25から取り出された後、第2の洗浄処理部26内に搬送される。
【0037】
第2の洗浄処理部26内に搬送されたウエハWは、上記第1の洗浄処理部25と同様な工程によって第1の洗浄処理部25にて使用される洗浄液(アンモニア液)と異なる洗浄液例えばフッ酸によって洗浄処理(エッチング処理)され、洗浄・振り切り乾燥後、メインアーム20の第2のアームによって第2の洗浄処理部26から取り出された後、洗浄・乾燥処理部27内に搬送される。洗浄・乾燥処理部27内に搬送されたウエハWは、仕上げ用の洗浄液例えば純水によって洗浄処理された後、振り切り乾燥され、ウエハWの洗浄処理が完了する。
【0038】
洗浄処理が完了したウエハWは、再びメインアーム20の第2のアームによって洗浄・乾燥処理部27から取り出されてシャッター31Aを経由してウエハ受渡し部3のピンセット30に受取られる。この時、洗浄前のウエハWを支持した支持面30aと異なるピンセット30の支持面30bによってウエハWが受け取られることにより、洗浄処理後のウエハWへのパーティクルの付着が防止される。このようにしてピンセット30にて受け取ったウエハWは気密室11内に待機するカセットC内に収容される。そして、カセットC内に所定枚数例えば25枚の洗浄処理後のウエハWが収容された後、気密室11とウエハ受渡し部3の間の開閉シャッタ14を閉じて気密室11内を密閉し、N2ガスの供給によってN2パージすると共に、所定の圧力状態例えば0.05Torr程度に加圧あるいは減圧する。次に、気密室11の開閉シャツタ14と気密室11の上部に載置されたコンテナ10の蓋体13を開放し、昇降機構12を駆動してカセットCをコンテナ10内に搬送した後、コンテナ10の蓋体13を閉じてコンテナ10内にカセットCすなわち洗浄処理済みのウエハWを密閉状に保管する。そして、コンテナ10は搬入・搬出部1から取り外されて、次の処理工程へ搬送される。
【0039】
上記のような工程で洗浄処理することにより、ウエハWに付着するパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションを完全に除去することができ、洗浄処理後のウエハWの清浄状態を維持することができる。
【0040】
なお、上記実施形態では、この発明に係る処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のLCD基板等の被処理体を洗浄処理する場合にも適用できることは勿論である。
【0041】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されるので、以下のような効果が得られる。
【0042】
この発明によれば、異なる種類の洗浄液(薬液)を使用する洗浄処理部を区画することができ、各洗浄処理工程中における異なる雰囲気成分の侵入を確実に阻止することができるので、被処理体の異なる雰囲気の洗浄液による汚染の防止が図れると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。更に、処理室と搬入・搬出部との間に設けられる被処理体受渡し部における処理室側に開閉シャッタを設けることにより、洗浄処理後の被処理体の清浄状態を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の洗浄処理装置の一例を示す半導体ウエハの洗浄処理システムの概略平面図である。
【図2】 この発明における洗浄処理部の断面図である。
【図3】 洗浄処理工程を示す説明図である。
【図4】 この発明における搬入・搬出部とウエハ受渡し部を示す断面図である。
【図5】 この発明におけるウエハ受渡し部のピンセットを示す斜視図である。
【図6】 上記ピンセットのウエハの受け渡し状態を示す概略平面図(a)及び(a)のB−B線に沿う拡大断面図(b)である。
【図7】 ピンセットの受け取り動作(a)及び受け渡し動作(b)を示す概略平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体)
1 搬入・搬出部
2 処理室
3 ウエハ受渡し部
22 搬送路
23 搬送手段
25 第1の洗浄処理部
26 第2の洗浄処理部
30 ピンセット
50 スピンチャック(保持手段)
57 温度調整用熱媒体循環通路(温度調整機構)
70 洗浄液供給ノズル
71 保温体
74 熱交換器(温度調整機構)
75 昇降機構

Claims (4)

  1. 処理室内に、
    被処理体を回転可能に保持する保持手段と、上記被処理体に所定の洗浄液を供給する第1の洗浄液供給手段とを有する第1の洗浄処理部と、
    上記保持手段と、上記被処理体に上記第1の洗浄処理部で使用される洗浄液と異なる雰囲気の洗浄液を供給する第2の洗浄液供給手段とを有する第2の洗浄処理部と、
    上記被処理体を所定位置に搬送し、上記保持手段との間で被処理体を受け渡す搬送手段とを具備し、
    上記第1の洗浄処理部と第2の洗浄処理部とを上記搬送手段の搬送路によって分離配置してなり、
    上記処理室と、上記被処理体を収容するカセットの搬入・搬出部との間に、被処理体を受渡しするピンセットを有する被処理体受渡し部を設け、この被処理体受渡し部における上記処理室側に開閉シャッタを設けてなり、
    上記ピンセットは、基端部と先端部を有する平面板形状の同一水平面上に形成され、かつ、基端部から先端部に向かう中心線に関して両側左右対称位置に形成されると共に、基端部側と先端部側にそれぞれ被処理体の対向する2辺を支持し、一方が被処理体を支持する際には、他方は被処理体に接触しない、未処理の被処理体と処理済みの被処理体を支持する2つの支持面を有することを特徴とする洗浄処理装置。
  2. 第1の洗浄処理部がアルカリ性雰囲気であり、第2の洗浄処理部が酸性雰囲気であることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。
  3. 被処理体受渡し部における搬入・搬出部側に開閉シャッタを設け、
    上記搬入・搬出部には、上記被処理体受渡し部との間に気密に介在される気密室を設け、この気密室は、不活性ガスの雰囲気に設定されることを特徴とする請求項1又は2記載の洗浄処理装置。
  4. ピンセットは、両側左右対称位置に形成された2つの支持面を左右方向へ水平移動することにより、被処理体の支持位置へ切換移動するための切換移動機構を具備することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の洗浄処理装置。
JP2001258961A 2001-08-29 2001-08-29 洗浄処理装置 Expired - Fee Related JP3643954B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001258961A JP3643954B2 (ja) 2001-08-29 2001-08-29 洗浄処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001258961A JP3643954B2 (ja) 2001-08-29 2001-08-29 洗浄処理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18353795A Division JP3250090B2 (ja) 1995-06-27 1995-06-27 洗浄処理装置及び洗浄処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002136935A JP2002136935A (ja) 2002-05-14
JP3643954B2 true JP3643954B2 (ja) 2005-04-27

Family

ID=19086395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001258961A Expired - Fee Related JP3643954B2 (ja) 2001-08-29 2001-08-29 洗浄処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3643954B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4766836B2 (ja) * 2004-03-01 2011-09-07 大日本印刷株式会社 フォトマスク基板の洗浄方法
KR20070044126A (ko) * 2005-10-24 2007-04-27 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 정렬장치 및 방법
JP5012616B2 (ja) * 2008-03-27 2012-08-29 シブヤマシナリー株式会社 殺菌洗浄方法および殺菌洗浄装置
JP5604371B2 (ja) 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5606992B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5964372B2 (ja) * 2014-08-22 2016-08-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP7355615B2 (ja) * 2019-11-25 2023-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
CN114232149A (zh) * 2021-11-09 2022-03-25 含山县光乾纺织有限公司 棉纤维加工用纺纱并条机

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002136935A (ja) 2002-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3250090B2 (ja) 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
KR100307721B1 (ko) 기판양면세정장치및이것을사용하는세정방법
JP4583461B2 (ja) 基板の搬送方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP3888608B2 (ja) 基板両面処理装置
JP3837026B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP3739073B2 (ja) 基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置
JP2002110609A (ja) 洗浄処理装置
JP3643954B2 (ja) 洗浄処理装置
JP3128643B2 (ja) 洗浄・乾燥処理装置
JP4255222B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JPH10270530A (ja) 基板搬送処理装置
JP2005085896A (ja) 処理システム及び処理方法
JP2002134588A (ja) 基板搬送処理装置
JP2005079250A (ja) 基板処理装置
JP4155722B2 (ja) 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板搬送方法
JP4286336B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2003332284A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2005268244A (ja) 基板処理装置
JPH11233584A (ja) 基板搬送処理装置
JP2000049215A (ja) 処理システム
JPH07211679A (ja) 洗浄装置
JP4283973B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2000036527A (ja) 基板搬送処理装置及び基板搬送処理方法
TWI829309B (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
JP4050180B2 (ja) 基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040315

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040602

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040707

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041013

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050118

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees