TWI829309B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種小型化之清洗乾燥單元及具有該清洗乾燥單元之基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，該清洗乾燥單元可將主處理單元中產生之晶圓上之殘留氣體成分去除，且可設置於EFEM單元內或EFEM單元之裝載埠連接部。 小型水清洗/乾燥模組6包含搬送機器人10及清洗乾燥室14，該搬送機器人10於EFEM單元3與乾式蝕刻腔室1之間供給、回收晶圓7。清洗乾燥室14具備晶圓保持台16、以及將晶圓7從EFEM單元3搬送至晶圓保持台16之搬送臂12。又，清洗乾燥室14亦具備對保持於晶圓保持台16上之晶圓7供給清洗液及氣體之液體及乾燥氣體供給模組15。進而，小型水清洗/乾燥模組6係與裝載埠單元5並排地連結於EFEM單元3。
Description
本實施方式係關於一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
於對半導體晶圓(以下，示為晶圓)等基板使用溴化氫、氯等腐蝕性氣體進行乾式蝕刻之製程中，會產生以下品質不良，即，於FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)內因腐蝕性氣體反應而導致器件構成材料發生變質、或產生微粒。又，於利用腐蝕性氣體之處理單元(例如乾式蝕刻單元)及經由FOUP帶入之其他處理單元(例如成膜單元)中，必須對腐蝕劣化等採取措施。
本發明之一實施方式之目的在於，提供一種小型化之清洗乾燥單元及具有該清洗乾燥單元之基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，該清洗乾燥單元可將主處理單元中產生之晶圓上之殘留氣體成分去除，且可設置於EFEM單元內或EFEM單元之裝載埠連接部。
本實施方式之基板處理裝置包含搬送模組、清洗單元、及裝載埠。上述清洗單元包含：被處理基板保持機構，其可保持被處理基板；清洗液供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給清洗液；及氣體供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給氣體；且上述搬送模組包含可於上述裝載埠與上述清洗單元之間搬送上述被處理基板之被處理基板搬送機構，上述清洗單元係與上述裝載埠並排地連結於上述搬送模組。
以下，參照附圖對包含主處理單元、及水洗乾燥單元等之半導體裝置之製造裝置之實施方式詳細地進行說明。主處理單元例如為乾式蝕刻單元，但並不限定於此。例如，亦可使用CVD(Chemical Etching Deposition，化學氣相沈積)單元、濺鍍單元、濕式蝕刻單元、退火單元、CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)單元、離子注入單元等與其他製程相關之處理單元作為主處理單元。
(第1實施方式)
以下，對第1實施方式進行說明。圖1係說明第1實施方式之半導體裝置之製造裝置之整體構造之一例之概略圖。半導體裝置之製造裝置包括作為主處理單元之乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1、真空搬送機器人室2、相對於FOUP13取放晶圓7並相對於主處理單元1供給、回收晶圓7之EFEM(Equipment Front End Module，設備前端模組)單元3、於真空搬送機器人室2與EFEM單元3之間交接晶圓7之裝載互鎖室4、載置FOUP13且成為可將晶圓7搬送至EFEM單元3內之狀態之裝載埠單元(裝載埠)5、清洗乾燥單元(清洗單元)6。
真空搬送機器人室2具有搬送機器人8。於搬送機器人8安裝著搬送臂9。搬送機器人8及搬送臂9作為被處理基板搬送機構發揮功能。又，於EFEM單元3中設置著搬送機器人10。搬送機器人10可於導軌11上移動。於搬送機器人10安裝著搬送臂12。搬送機器人10及搬送臂12作為被處理基板搬送機構發揮功能。
又，本實施方式中，清洗乾燥單元6與裝載埠單元5設置於EFEM單元3之相同側面側。即，本實施方式中，複數個裝載埠單元5與1個清洗乾燥單元6規則地配置於EFEM單元3之一側面側。換言之，可理解為，本實施方式之基板處理裝置於在EFEM單元3設置複數個裝載埠單元5之構成中，由清洗乾燥單元6置換了任一個裝載埠單元5。或者，亦可理解為，EFEM單元3具有分別構成為可連接裝載埠單元5之複數個裝載埠單元連接部5A，於複數個裝載埠單元連接部5A之至少一個連接裝載埠單元5，於複數個裝載埠單元連接部5A之至少另一個連接清洗乾燥單元6。
本實施方式中，於EFEM單元3之一側面側規則地配置著複數個(2個)裝載埠單元5。此處，清洗乾燥單元6作為代替而放置於供設置與EFEM單元3鄰接之裝載埠單元5之位置。再者，以下說明中，於與設置基板處理裝置之地板面水平之方向上，將EFEM單元3之長度方向、且下述導軌11延伸之方向設為第1方向。又，於與設置基板處理裝置之地板面水平之方向上，將與第1方向正交之方向設為第2方向。進而，將與設置基板處理裝置之地板面正交之方向設為第3方向。
此處，於包含加工直徑300 mm之晶圓之乾式蝕刻單元之半導體裝置之製造裝置中，對使用如下EFEM單元3之例子進行說明，該EFEM單元3以可裝備3個裝載埠單元5之方式進行設計。作為搬送模組之EFEM單元3具有3個可裝備裝載埠單元5之裝載埠單元連接部5A。於3處裝載埠單元連接部5A中之2處裝載埠單元連接部5A安裝著裝載埠單元5，於剩餘之1處裝載埠單元連接部5A設置著清洗乾燥單元6來代替裝載埠單元5。清洗乾燥單元6(清洗單元)以可與裝載埠單元5置換和EFEM單元3之配合之方式進行設計。清洗乾燥單元6之橫寬設為裝載埠單元5之橫寬(例如，約50 cm)以下，以於圖1之第1方向上不與相鄰之裝載埠單元5干涉之方式進行設計。又，於第2方向上，EFEM單元3內之搬送機器人10將晶圓7放置於FOUP內之晶圓支架上之位置、及清洗乾燥單元6之支撐台，以和EFEM單元3之裝載埠存取基準面之相對位置相同之方式進行設計。圖2表示上述本實施方式之基板處理裝置整體之立體圖。圖2係說明第1實施方式之清洗乾燥單元之一例之立體圖。清洗乾燥單元6鄰接於EFEM單元3，與裝載埠單元5並排設置。又，構成為於第3方向上，清洗乾燥室14之高度與裝載埠單元5上之FOUP13相同，可直接使用EFEM單元3之搬送機器人10取放晶圓7。
半導體裝置之製造裝置包含乾式蝕刻單元，於乾式蝕刻之製程時間不長之情形時，清洗乾燥單元6中之處理時間有可能影響到半導體裝置之製造裝置整體之處理能力(例如，有可能成為瓶頸)。該情形時，可於縱向(第3方向)上具有複數個作為被處理基板保持機構之晶圓保持機構16。於各晶圓保持機構16之上方分別設置著清洗乾燥機構15。因此，對於載置於各個晶圓保持機構16之晶圓7可同時進行清洗，又，可同時進行乾燥。即，藉由同時對多片晶圓7進行單片處理，可減少對半導體裝置之製造裝置整體之處理能力之影響。圖3表示將晶圓保持機構16及清洗乾燥機構15於縱向上設置有複數個之情形時之清洗乾燥單元6之模式圖。此處，分別示出3個晶圓保持機構16a、16b、16c。本實施方式中，於清洗乾燥室14中晶圓保持機構16不升降。因此，不需要複雜之動作機構。又，僅設置複數個晶圓保持機構16，便可避免清洗乾燥單元6中之處理時間影響到半導體裝置之製造裝置整體之處理能力。圖3中表示設置3個晶圓保持機構16a、16b、16c之例子，但只要控制於預定範圍內，則亦可設置更多之晶圓保持機構16。作為預定範圍，例如可為相當於FOUP內之最下架(槽1)至最上架(槽25)之長度之範圍。藉由用下述方法簡化晶圓保持機構16，亦可設置更多之例如6個晶圓保持機構16。又，為了對應於設置有更多級之晶圓保持機構16之構成，亦可將EFEM單元3內之搬送機器人10之搬送臂12於第3方向上之行程伸長。
半導體裝置係使用包含半導體材料之晶圓而製造之。晶圓例如具有300 mm之直徑。將複數個300 mm晶圓儲存在FOUP13中，於複數個主處理裝置之間自動搬送FOUP13。由FOUP13自動搬送300 mm晶圓，FOUP內之晶圓位置、裝載埠單元5上之晶圓位置係依據SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International，國際半導體設備與材料產業協會)標準。由此，FOUP13、裝載埠單元5、EFEM單元3即便分別係不同製造商之產品，亦可以相容性而進行組合。此處所說之晶圓位置表示橫向(第1方向)、深度(第2方向)、高度(第3方向)。本實施方式中，清洗乾燥單元6以與裝載埠單元5具有相容性之方式配置於EFEM單元3中。由此，本實施方式之清洗乾燥單元6可以與對應於SEMI標準之FOUP13、裝載埠單元5、EFEM單元3具有相容性之形態來使用。
圖4、5係說明裝載埠單元上之FOUP及清洗乾燥單元內之晶圓儲存位置之圖。圖4中，(a)係裝載埠單元5上之FOUP13內之晶圓位置，(b)係清洗乾燥單元6之清洗乾燥室14內之晶圓位置。圖4表示俯視兩者時之比較。FOUP13具有規定晶圓之橫向位置之一對導件17a、及規定晶圓之深度之導件17b。清洗乾燥室14內之晶圓之橫向位置對應於FOUP13內之晶圓之橫向位置。又，清洗乾燥室14內之晶圓之深度位置亦對應於FOUP13內之晶圓之深度位置。即，於設通過將裝載埠單元5安裝於EFEM單元3時之邊界之假想面為FOUP端基準面18之情形時，從FOUP端基準面18到FOUP13內之晶圓之中心19為止之第2方向上之距離，大致等於從FOUP端基準面18到清洗乾燥室14內之晶圓中心位置20為止之第2方向上之距離。也就是說，清洗乾燥室14內之晶圓中心20係從第3方向觀察時與FOUP13內之晶圓之中心19於幾何學上大致相同之位置。又，於FOUP13內儲存晶圓之情形時之搬送機器人10之搬送臂12(搬送叉304)於第2方向上之伸長量，與於清洗/乾燥單元6之清洗乾燥室14內儲存晶圓之情形時之搬送機器人10之搬送臂12(搬送叉304)於第2方向上之伸長量係大致相同程度之長度。再者，有時會對應於裝載埠之個體差異(因製造商導致之差異等)來調整搬送機器人之動作。同樣地，對於清洗乾燥單元6，有時亦會對應於個體差異來調整搬送機器人之動作。本說明書中，「從第3方向觀察時於幾何學上大致相同之位置」，係指包含用來對應於裝載埠或清洗乾燥單元之個體差異之調整範圍之概念。
清洗乾燥室14內之晶圓位置之橫向與FOUP13內之晶圓位置之相同，左右對稱，關於深度亦然，安裝有裝載埠單元5時之距FOUP端基準面18之距離通常也是相同。也就是說，清洗乾燥室14內之晶圓中心位置20與FOUP13內之晶圓之中心19一致。此處，就稱為相同位置而言，與需要因裝載埠之個體差異、製造商差異而產生之搬送機器人之調整範圍相同，對於本實施方式之清洗乾燥單元亦需要上述調整範圍。
接下來，圖5中，(a)係裝載埠單元5上之FOUP13內之晶圓位置，(b)係清洗乾燥單元6之清洗乾燥室14內之晶圓位置。圖5表示前視兩者時之比較。又，圖5中，「S」表示槽。例如「S5」表示槽5。如圖5(a)所示。於FOUP13設置著複數個左右成一對之導件17a。本實施方式中，設置著25對導件17a，由這些導件17a形成用來儲存晶圓7之槽1～槽25。如圖5(b)所示，清洗乾燥室14具有複數個晶圓保持機構16。本實施方式中，設置著3個晶圓保持機構16，晶圓保持機構16之上表面分別對應於槽8、13、21之位置。此處，藉由使距FOUP底基準面22之距離與FOUP13相等，而容易進行搬送調整。只要槽位置不受清洗乾燥機構15(清洗液供給機構及氣體供給機構)之干涉，則可使用槽1～25中之任一個，由於可個別地決定搬送高度，因此可自由地選擇搬送機器人高度為槽位置或其中間位置。
藉由使寬度、深度、高度與FOUP內之晶圓位置一致，從EFEM單元3向清洗乾燥單元6之搬送無需特別功能，與向其他裝載埠單元5之搬送相同，僅指定槽位置便可搬送、拉回晶圓。
裝載埠單元5設置為可調整與EFEM單元3之相對位置。又，清洗乾燥單元6亦設置為可調整與EFEM單元3之相對位置。更具體而言，本實施方式之清洗乾燥單元6以代替裝載埠單元5而設置於EFEM單元3之方式，具有與裝載埠單元5相同之設置調整機構。裝載埠單元5由於需要使用1台搬送機器人10送至所有槽，因此需要使距搬送機器人10之距離與傾斜一致。本實施方式中，於清洗乾燥單元6亦具有設置調整機構，該設置調整機構可調整設置於EFEM單元3時之距離與傾斜。圖6係說明清洗乾燥單元之設置調整機構之概略圖。本實施方式之清洗乾燥單元6具有深度調整機構23與傾斜調整機構24作為設置調整機構。具體而言，於將清洗乾燥單元6安裝於EFEM單元3時，用上下左右4處螺絲固定，但可調整緊固程度。又，如圖6及圖4所示，清洗乾燥室14需要大於300 mm晶圓，因此不是僅將清洗乾燥單元6放置於裝載埠單元5之側方，而是以清洗乾燥室14之一部分進入EFEM單元3內之方式進行設計。以晶圓端面與FOUP端水平基準線18對應之方式進行設計。又，亦可配置成，藉由將EFEM單元3內之搬送機器人10之Y方向(第2方向)之行程伸長，而將晶圓中央位置從EFEM單元3帶到超過裝載埠單元5端之位置。但，如果係分離太遠之位置，就需要使搬送機器人10之搬送臂12之伸縮量變大，從而需要使EFEM單元3自身之大小變大，因而欠佳，所以，優選清洗乾燥室14位於直接貼於EFEM前表面面板之程度之位置。再者，設置調整機構可設置於EFEM單元3，亦可設置於清洗乾燥單元6與EFEM單元3。
接下來，使用圖1及圖2對本乾式蝕刻單元1中之處理順序進行說明。將放入有晶圓之收納容器(FOUP)13放置於裝載埠單元5上，與EFEM單元3對接後打開門。FOUP13內之晶圓7由位於EFEM單元3內之搬送機器人10取出，於裝載互鎖室4進行交接並搬送至真空搬送機器人室2。然後，由搬送機器人8搬送至乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1。搬送機器人10可於導軌11上沿水平方向(第1方向)移動，藉由以第3方向為中心軸旋轉而可使晶圓7移動到裝載埠單元5、清洗乾燥單元6、裝載互鎖室4。於搬送機器人10裝有搬送臂12，該搬送臂12可上下動作，因此藉由使搬送臂12於載置有晶圓7之狀態下伸縮、下降而將晶圓7載置至晶圓保持機構16上，從而可將晶圓7放置到預定位置。
乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1中，例如流動CF
4、CH
2Cl
2、HBr等鹵素氣體，利用等離子體將鹵素氣體分解而對晶圓7上照射活性離子，由此將Si等蝕刻去除。製程處理後，於晶圓7上吸附有未反應之氣體、分解後之鹵素分子。
此處，作為比較例，考慮進行灰化處理以將殘留氣體成分去除，即，於乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1內，利用等離子體將O
2氣體分解而將之氧化去除。然而，該情形時，於晶圓7中，有可能係Si、SiN、W等意外地產生氧化，從而接觸電阻增加。又，為了去除上述氧化物而進行之HF等化學液清洗會導致成不了所需尺寸，因此亦有可能無法充分進行為了將殘留鹵素充分去除所需要之灰化。這種情形時，因藉由乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1進行了處理而附著有殘留鹵素之晶圓7，直接經由真空搬送機器人室2返回到EFEM單元3。又，附著有殘留鹵素之晶圓7返回到位於裝載埠單元5上之原FOUP13中。由此，例如殘留鹵素成分從處理完畢之晶圓7揮發並充滿FOUP13內，由此於該晶圓7被FOUP13搬送至其他製造裝置時，揮發之殘留鹵素成分有可能擴散到EFEM單元3內。有可能係擴散之殘留鹵素成分與EFEM單元3內之大氣中所含之水分發生反應而成為鹽酸等腐蝕性氣體，使得金屬性之EFEM內壁、搬送機器人零件生銹。
因此，本實施方式中，於使處理完畢之晶圓7從EFEM單元3返回到裝載埠單元5上之FOUP13之前，於清洗乾燥單元6中對該晶圓7進行處理。由此，藉由利用乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1進行之處理而將晶圓7上之殘留鹵素完全去除。殘留鹵素、氨因容易溶解於水，所以可用作為清洗液之水或溫水充分去除。
接下來，使用圖3對向清洗乾燥單元6搬送晶圓之方法進行說明。使用EFEM單元3內之搬送機器人10將晶圓7放置到清洗乾燥室14之晶圓保持機構16上。此時，藉由EFEM單元3內之搬送機器人10及搬送臂12從晶圓保持機構16搬出晶圓7，晶圓保持機構16自身固定，並不移動。如下上述，晶圓升降台、清洗乾燥機構15需要上下移動，但並不需要用來使它們上下移動之較大之驅動機構。
使用圖7對清洗乾燥方法之詳情進行說明。清洗乾燥單元6具有至少一個晶圓保持機構16與清洗乾燥機構15。圖7係晶圓保持機構16與清洗乾燥機構15之概略圖。晶圓保持機構16包含晶圓保持台31。清洗乾燥機構15包含對向構件33。於晶圓保持台31之上方設置著對向構件33。對向構件33例如形成為圓盤狀。對向構件33之底面以與晶圓32之上表面並行之方式對向。該情形時，對向構件33之底面作為第1面發揮功能。再者，晶圓保持台31以將晶圓32朝下固定之方式構成，於晶圓保持台31之下方設置對向構件33之情形時，對向構件33之上表面作為第1面發揮功能。晶圓32於由EFEM單元3之搬送機器人10插入至晶圓保持台31與對向構件33之間後，向下方下降而設置於晶圓保持台31之上。因此，不使晶圓保持台31移動便可將晶圓32設置於晶圓保持台31。
從設置於對向構件33之底面中央部之清洗液供給噴嘴34對晶圓32之上表面中央部供給作為清洗液之水。供給到晶圓32上之水35於晶圓32之上表面與對向構件33之底面之間之間隙38a間擴散並被向外周擠出。從晶圓32之最外周出來之水35通過導件37與晶圓32之間之間隙38b及晶圓保持台31與導件37之間之間隙向下方排出。之後，從設置於對向構件33之底面中央部之氣體供給噴嘴36對晶圓32之上表面中央部供給作為氣體之N
2氣體。由此，將殘留於晶圓32之上表面之水35向外周方向趕出，從導件37與晶圓32之間之間隙38b及晶圓保持台31與導件37之間之間隙排出。如此，藉由流動N
2氣體而使晶圓32上殘留之水分蒸發乾燥。
亦可使用溫水作為水35。於使用溫水之情形時，殘留鹵素之溶解度提高，從而殘留鹵素之去除性提高。例如，於製造工廠中供給溫水之情形時，亦可對清洗乾燥單元6直接供給溫水，從清洗液供給噴嘴34將溫水供給到晶圓32之上表面。又，於製造工廠中不供給溫水之情形時，亦可對用來向清洗乾燥單元6供給水之水供給罐或配管進行加熱。具體而言，例如亦可藉由將加熱器捲繞於用來向清洗乾燥單元6供給水之配管上，而將供給到清洗乾燥單元6之水加熱。
又，作為N
2氣體，亦可使用高溫之N
2氣體。於使用高溫之N
2氣體之情形時，可縮短用於蒸發乾燥之時間。例如，於製造工廠中供給高溫之N
2氣體之情形時，亦可對清洗乾燥單元6直接供給高溫之N
2氣體，從氣體供給噴嘴36將高溫之N
2氣體供給到晶圓32之上表面。又，於製造工廠中不供給高溫之N
2氣體之情形時，亦可對用來向清洗乾燥單元6供給N
2之N
2供給罐或配管進行加熱。具體而言，例如亦可藉由將加熱器捲繞於用來向清洗乾燥單元6供給N
2氣體之配管上，而將供給到清洗乾燥單元6之N
2氣體加熱。
被從晶圓32之最外周擠出、並從導件37與晶圓32之間之間隙38b及晶圓保持台31與導件37之間隙排出之水35，暫時貯存在設置於清洗乾燥室14下部之廢液罐25中(參照圖6)。廢液罐25中貯存之處理液於適當時機被廢棄(參照圖6)。此時，附著於晶圓32之表面之鹵素氣體成分溶解於水中而被廢棄。從氣體供給噴嘴36供給之N
2氣體亦流經與水35相同之路徑而排出。由此，可使晶圓32上殘留之水分蒸發乾燥。圖7及上文上述說明中由雙層管構成噴嘴35及噴嘴36，從外側流動水35，從內側流動N
2氣體，但並不限定於此。例如，亦可使噴嘴35及噴嘴36共通化並於配管中途設置切換機構，由此從相同噴嘴供給水35與N
2氣體。
圖8係晶圓保持台31之概略圖。圖8表示從對向構件33之上方觀察晶圓保持台31之情形時之概略圖。於對向構件33設置著與清洗液供給噴嘴34對應之孔，清洗液供給管341連接於清洗液供給噴嘴34。供給管341之一端連接於清洗液供給噴嘴34。供給管341之另一端連接於設置於清洗乾燥室14下部之供水罐26(參照圖6)。又，於對向構件33亦設置著與氣體供給噴嘴36對應之孔，氣體供給管361連接於氣體供給噴嘴36。供給管361之一端連接於氣體供給噴嘴36。供給管361之另一端連接於設置於清洗乾燥室14下部之乾燥用N
2氣體管線27(參照圖6)。
圖9係說明晶圓保持台31之一例之圖。又，圖10係說明將晶圓32搬送至晶圓保持台31之上方之狀態之圖。圖9(a)表示從上方觀察晶圓保持台31之情形時之一例。於該晶圓保持台31之中央具有供搬送機器人10從EFEM單元3接收晶圓之晶圓升降台301。該晶圓升降台301係如下機構，即，藉由使該晶圓升降台301上下移動，而從安裝於圖10所示之搬送機器人臂12前端之搬送叉304載置並接收晶圓32。於對向構件33與外側導件37之間設置著唇形密封件306，以防止流經晶圓32與對向構件33之間之間隙38a之水35轉入外側導件37之背側。又，半徑不同之複數個環狀之唇形密封件302以晶圓升降台301為中心呈同心圓狀設於晶圓保持台31之上表面，以防止流經晶圓32與外側導件37之間之間隙38b之水35轉入晶圓32之背面。於該唇形密封件302分別設有晶圓傾斜調整機構39，以可調整晶圓32相對於對向構件33之傾斜及位置(高度)。最外側之唇形密封件302亦具有防止水滲入之功能。又，較此靠內側之唇形密封件302亦具有防止晶圓32翹曲之功能。因此，如圖9(b)所示，亦可僅外側之唇形密封件302具有位置(高度)調整功能。本實施方式中，利用從設置於對向構件33之下表面之中央部之清洗液供給噴嘴34噴出之水35之壓力將對向構件33與晶圓保持台31之間密封，但為了進一步提高密封性，亦可設置將晶圓32真空吸附並夾持於晶圓保持台31之機構。
使用圖10、圖11說明向清洗乾燥室14搬送晶圓起至清洗為止之一連串流程。晶圓32載置於安裝於圖10所示之搬送機器人臂12前端之搬送叉304上。此處，利用安裝於搬送叉304之晶圓固定治具305從側面按壓晶圓32，以使晶圓32不會從搬送叉304掉落。圖11係說明向清洗乾燥單元6搬送晶圓起至清洗為止之一連串流程之圖。首先，如圖11(a)所示，將持有晶圓32之搬送叉304放入清洗乾燥室14中。此時，對向構件33位於上方以形成供搬送叉304進入之空間。接下來，如圖11(b)所示，使搬送叉304下降而將晶圓32載置於晶圓升降台301之上。繼而，如圖11(c)所示，將離開晶圓32之搬送叉304拉回EFEM單元3後，藉由晶圓升降台升降機構307使晶圓升降台301下降而將晶圓32放置到設置於晶圓保持台31之上之唇形密封件302上。最後，如圖11(d)所示，使對向構件33下降而使之與晶圓32之間隔變窄，流動來自中央噴嘴之水。水如箭頭所示從晶圓32之中央向外周流動，流出到外部之水向比晶圓32更下方流動，經過排泄管303從清洗乾燥室14排出。如上所述，清洗乾燥室14由多級晶圓保持台31構成，各個晶圓保持台31具有晶圓升降台301之高度調整與排水機構，因此容易使對向構件33上下移動，但亦可提高晶圓保持台31之高度來調整與晶圓32之間隔。
於利用N
2氣體進行乾燥時，如果水滴殘留於清洗乾燥室14之對向構件33之底面，則該水滴有可能滴落到晶圓32上，因此對向構件33之底面使用氟樹脂等疏水性材料。
又，乾燥時使用經加熱之N
2，由此可謀求縮短乾燥時間。又，亦可於為了清洗晶圓32而將水35供給到晶圓32之上表面之後，流動異丙醇(IPA)。由此，可進一步縮短為了使用N
2氣體進行乾燥所需之時間。
本實施方式中，清洗乾燥機構15不進行旋轉、回轉。換言之，本實施方式中，於對晶圓32進行清洗時，清洗液供給噴嘴34與晶圓32之相對位置固定。又，本實施方式中，於對晶圓32進行乾燥時，氣體供給噴嘴36與晶圓32之相對位置固定。因此，本實施方式中，無需移動晶圓或噴嘴以對300 mm之大直徑之晶圓之整個表面高效地進行清洗乾燥。再者，例如亦可設置示教機構，以對晶圓32與清洗乾燥機構15之對向構件33之對向間隔、對向角度進行微調。
本實施方式中，對向構件33與晶圓32之間隙38a，以對向構件33與晶圓32之對向間隔於面內固定之方式進行設定。更具體而言，使用安裝於晶圓保持台31之晶圓傾斜調整機構39來調整晶圓32之高度、傾斜。如圖9所示，藉由利用以大致等間隔設置於晶圓32之外周附近之唇形密封件302上之晶圓傾斜調整機構39以3點支撐晶圓32，而可調整晶圓32之高度與傾斜，從而可使晶圓32與對向構件33之間隙(間隔)於面內均勻化。本說明中，直接調整晶圓32之高度，但即便使用調整保持台及其一部分之高度來調整晶圓位置之方法，只要具有調整間隙之功能即可。
接下來，對本實施方式之比較例進行說明。比較例中，於乾式蝕刻後利用O
2氣體等離子體進行清潔。比較例中，例如只要於300℃以上之高溫下利用O
2氣體等離子體進行清潔，則可期待藉由濺射而將吸附於基板上之腐蝕性氣體去除之效果。然而，如果以高溫進行處理，則有可能晶圓內之Si、金屬材料意外地產生氧化，從而影響到器件之形狀變動、電特性。因此，存在無法應用這種清潔之事例。又，有可能於對上述氧化膜於後續工序中進行除膜時封入之腐蝕性氣體釋出而造成品質不良，或氣體滲入作為FOUP之材質之聚合物中並於其他工序中使用時轉印至晶圓。即，於利用O
2氣體等離子體進行清潔時，難以將基板上之沈積物完全去除。
作為另一比較例，考慮半導體裝置之製造裝置於真空搬送機器人室2中，除設置乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1以外，還設置清洗處理單元(清洗處理腔室)(考慮所謂之群集化裝置)。然而，群集化裝置與僅設置乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1之構成相比，晶圓處理能力低，或裝置尺寸非常大。
作為又一比較例，亦考慮於EFEM單元3之側方設置旋轉式之水清洗單元。旋轉式之清洗單元例如為了提高供給水或化學液時之塵埃去除性，又為了甩脫乾燥而使晶圓高速旋轉。然而，為了使晶圓高速旋轉而需要剛性較大之旋轉軸以免旋轉軸偏離。又，亦需要晶圓吸附、保護機構，以防止因高速旋轉導致晶圓飛出而受到破損。又，高速旋轉時向晶圓外飛散之水或化學液有可能碰到清洗處理單元(清洗腔室)之內壁並反彈而再次附著到晶圓上，因此，為了防止這種情形，需要使晶圓與清洗處理單元(清洗腔室)之內壁之距離較遠，或設置防濺板。
作為又一比較例，亦考慮使清洗噴嘴移動來代替晶圓旋轉從而均勻地進行清洗之構成。然而，該情形時，構成亦大型化。即，上述任一比較例均不會使清洗處理單元(清洗腔室)之尺寸變小，因此難以將這種清洗單元直接設置於EFEM單元3附近。
例如，於半導體裝置之製造裝置中設置2個以上之乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)之情形時，亦有可能僅1個清洗乾燥單元6之能力不足，晶圓處理時間延長。作為鑒於此之比較例，亦考慮將水平放置之基板於上下方向上積層複數個來統一進行清洗。然而，該情形時，由於具有於供給化學液之同時使晶圓保持構件高速旋轉之功能，因此清洗腔室之尺寸變大。
上述實施方式中，將清洗乾燥單元6之能力限定為用來去除殘留氣體成分所需之最低限度之能力而非為去除晶圓上之塵埃所需之能力，由此，從清洗乾燥單元6省略晶圓旋轉機構、保持構件升降、噴嘴回轉功能。因此，本實施方式中，可使清洗乾燥單元6小型化。由此可實現如下清洗乾燥單元6，其具有可將作為主處理單元之乾式蝕刻單元(乾式蝕刻腔室)1中產生之晶圓上之殘留氣體成分去除之程度之清洗能力，且小型化至可設置於EFEM單元3內或裝載埠單元連接部5A之程度。
接下來，示出第1實施方式之變化例之清洗乾燥單元之構成例。變化例之清洗乾燥單元如圖12所示，係將具有供給清洗液之功能、供給乾燥氣體之功能、抽吸液體及氣體之功能之小模組組合複數個而構成。如圖12所示，變化例之清洗乾燥單元包含固定之晶圓保持台41及固定之複數個小型清洗乾燥模組(小模組)43。於小模組43之上表面分別連接著水及乾燥氣體(N
2氣體)之供給管441、及排水排氣用之排泄管461。
複數個小模組43係接近配置於晶圓保持台41與晶圓42之正上方，作為清洗乾燥機構(清洗液供給機構及氣體供給機構)發揮功能。複數個小模組43不進行旋轉、回轉。例如，如圖13所示，複數個小模組43以覆蓋晶圓42之整個表面之方式配置成格子狀。圖13係說明變化例之清洗乾燥機構之配置之一例之圖。圖13表示從小模組43之上方觀察晶圓保持台41之情形時之概略圖。
使用圖14對水之流動進行說明。圖14係說明變化例之晶圓清洗時之水及乾燥氣體之流動之圖。小模組43具有中央噴嘴44與抽吸噴嘴46。於第3方向上延伸之中央噴嘴44於與晶圓42對向之一端具有開口，配置於小模組43之與晶圓42對向之面之中央。中央噴嘴44之另一端與供給管441連接。於第3方向上延伸之抽吸噴嘴46於與晶圓42對向之一端具有開口，於小模組43之與晶圓42對向之面上以包圍中央噴嘴44之方式配置。抽吸噴嘴46之另一端與排泄管461連接。從與供給管441連接之中央噴嘴44流動水，並從與排泄管461連接之抽吸噴嘴46排出晶圓42上之水45。接下來，從中央噴嘴44流動N
2氣體，並從抽吸噴嘴46排氣。
再者，於供給管441之未與中央噴嘴44連接之一端連接著供給切換部(未圖示)，於供給切換部連接著供給清洗用水之水供給管(未圖示)、及供給乾燥氣體之氣體供給管(未圖示)。於供給切換部以如下方式切換管之連接，即，從中央噴嘴44流動水時，連接供給管441與水供給管，從中央噴嘴44流動N
2氣體時，連接供給管441與氣體供給管。排泄管461亦具有相同之構造，於排出水時與排出N
2氣體時，切換排泄管461之連接對象。各小模組43僅於與晶圓42之間隙之部位、即與晶圓42對向之面個別地對晶圓42進行清洗及乾燥。亦可針對各小模組43或包含複數個小模組43之每一區塊來個別地調整水洗流量。
(第2實施方式)
以下，對第2實施方式進行說明。圖15係說明本發明之第2實施方式之半導體裝置之製造裝置之整體構造之一例之概略圖。第2實施方式與第1實施方式不同之處在於，清洗乾燥單元6'不設置於EFEM單元3之裝載埠單元連接部5A，而是設置於EFEM單元3內。除此以外之構成、處理順序與實施方式1相同。圖16係基板處理裝置之立體圖。圖17係說明清洗乾燥單元6'之配置例之側視圖。第2實施方式中，清洗乾燥單元6'收斂設置於EFEM單元3內。
圖17中，於EFEM單元3之紙面方向(第2方向)上之中央附近設置著清洗乾燥單元6'，但該清洗乾燥單元6'亦可設置於EFEM單元3之紙面方向上之左端(裝載埠單元5側)、或EFEM單元3之紙面方向上之右端(真空搬送機器人室2側)。清洗乾燥單元6'之尺寸例如如果為寬50 cm、深度80 cm以下，則不加特別改造便可裝入市售之EFEM單元，因此不設計便可使用，因而較佳。
於如第2實施方式那樣將清洗乾燥單元6'設置於EFEM單元3內之情形時，與第1實施方式不同，不減少與EFEM單元3連結之裝載埠單元5之數量便可構成半導體裝置之製造裝置。因此，可更高效地製造半導體裝置。
(第3實施方式)
以下，對第3實施方式進行說明。於第3實施方式之清洗乾燥單元，設置著用來測定處理液(例如對晶圓進行清洗後之清洗液)之物性(Physical Property，例如導電率、PH值等)之感測器(例如導電率計、PH值計等)。利用感測器來測定處理液之物性，並基於所測定之物性來判定處理狀態(例如晶圓清洗工序之進行狀態)，由此可基於所測定之物性來偵測晶圓清洗工序之終結。作為除感測器以外之清洗乾燥單元之構成，亦可應用第1實施方式或第2實施方式中之任一構成。
以下，使用圖18，關注於與第1實施方式及第2實施方式之不同點來說明測定之順序。圖18係說明第3實施方式之用來測定處理液之物性之感測器及其周邊之構成之概略圖。如圖18所示，於第3實施方式之清洗乾燥單元中，從清洗乾燥單元51流過晶圓之上表面後之清洗液流過排水管52而流入到感測器(導電率計)53。
圖19係說明清洗時間與處理液之導電率之關係之圖。於使用水作為清洗液之情形時，如圖19所示，清洗工序剛開始後，由於溶解有較多之鹵素(Cl、F、Br)，因此藉由感測器53測定之導電率較高，但隨著清洗工序之進行，晶圓上之殘留鹵素減少，因此藉由感測器53測定之導電率逐漸接近純水之導電率。於藉由感測器53測定之導電率為判定閾值以下時，經由控制信號線54發送控制信號，由此結束清洗工序。如此，根據第3實施方式之清洗乾燥單元，藉由測定處理液之物性，而可根據進行狀態來自動結束清洗工序。由此，例如可使針對殘留鹵素較多之晶圓之清洗工序之期間較長，而使針對殘留鹵素相對較少之晶圓之清洗工序之期間較短，可不損害清洗效果地控制清洗工序所需之清洗液之使用量及時間。
(第4實施方式)
以下，對第4實施方式進行說明。
圖20係表示第4實施方式之附加熱器之晶圓保持機構之概略圖。圖21係說明附加熱器之晶圓保持機構之一例之圖。圖22係說明使用附加熱器之晶圓保持機構之情形時之清洗之一例之圖。
如圖20所示，第4實施方式之晶圓保持機構於晶圓保持台31之上表面設置著複數個加熱器311。如圖21所示，複數個加熱器311例如設置於不與唇形密封件302干涉之位置。
如圖22所示，將水35供給到晶圓32之上表面以對晶圓32進行清洗。之後，將N
2氣體供給到晶圓32之上表面以使晶圓32上殘留之水分乾燥。第4實施方式中，於將N
2氣體供給到晶圓32之上表面時，使用加熱器311對晶圓32進行加熱。由此，可縮短乾燥所需之時間。
再者，第4實施方式中，亦可於為了清洗晶圓32而將水35供給到晶圓32之上表面之後，流動異丙醇(IPA)。由此，可進一步縮短使用N
2氣體進行乾燥所需之時間。
(第5實施方式)
圖23係表示第5實施方式之半導體裝置之製造系統之構成之俯視圖。
本實施方式之製造系統包括軌道(空中軌道)601、可沿軌道601移動之搬送車(空中行走式搬送車)602、接近於軌道601而配置之複數個製造裝置603。
軌道601例如設置於製造工廠之天花板。該情形時，搬送車602作為空中行走式搬送車發揮功能。但，軌道601之設置位置並不限定於空中。例如，軌道601可設置於製造工廠之地板(地上)，亦可設置於製造工廠之壁面。又，搬送車602亦可不具有車輪。該情形時，搬送車602例如亦可藉由線性馬達形式來驅動。
各製造裝置603例如具有與第1實施方式中說明之半導體裝置之製造裝置相同之構成。但，各製造裝置603之構成並不限定於此，例如亦可應用與其他實施方式中說明之半導體裝置之製造裝置、及/或清洗乾燥單元相同之構成。
例如，1個製造裝置603A包含可執行作為第1製程之乾式蝕刻之乾式蝕刻單元作為主處理單元1，另一個製造裝置603B包含可執行作為第2製程之成膜之成膜單元(濺鍍單元或CVD單元)作為主處理單元2。第1製程與第2製程之組合例並不限定於此。第1製程與第2製程亦可分別為例如濕式蝕刻、退火、CMP、離子注入中之任一製程。又，例如第1製程與第2製程亦可為相同種類之製程。例如，亦可為第1製程係使用第1材料之成膜，第2製程係使用第2材料之成膜。
圖24表示作為主處理單元1之第1例之乾式蝕刻單元。乾式蝕刻單元例如具備腔室81、晶圓固持器82、及離子源83。晶圓固持器82保持收容於腔室81內之晶圓7。離子源83藉由對晶圓7照射離子而進行晶圓7之乾式蝕刻。
圖25表示作為主處理單元1之第2例之成膜單元(濺鍍單元)。成膜單元(濺鍍單元)具備腔室91、晶圓固持器92、及靶材固持器93。腔室91具備供給成膜用氣體之供氣口91a、及排出多餘氣體之排氣口91b。晶圓固持器92保持收容於腔室91內之晶圓7。靶材固持器93保持成膜用之靶材78。
FOUP13以儲存有晶圓7之狀態搭載於搬送車602上。搭載於搬送車602上之FOUP13沿軌道601被搬送，並從搬送車602載置至各製造裝置603(例如，包含作為主處理單元1之乾式蝕刻單元之製造裝置603A)之裝載埠單元5。例如，如第1實施方式所說明，藉由搬送機器人10從載置於裝載埠單元5之FOUP13中取出晶圓7，經由裝載互鎖室4而搬送至真空搬送機器人室2。搬送至真空搬送機器人室2之晶圓7由搬送機器人8搬送至主處理單元1，利用主處理單元1執行處理(例如乾式蝕刻)。經主處理單元1處理過之晶圓7由搬送機器人8及搬送機器人10搬送至清洗乾燥單元6，由清洗乾燥單元6進行清洗乾燥。經清洗乾燥單元6清洗乾燥過之晶圓7由搬送機器人10儲存到載置於裝載埠單元5之FOUP13中。
FOUP13於儲存有經清洗乾燥單元6清洗乾燥過之晶圓7之狀態下搭載到搬送車602上，沿軌道601被搬送，並載置至另一製造裝置603(例如，包含作為主處理單元1之成膜單元之製造裝置603B)之裝載埠單元5。從載置於裝載埠單元5之FOUP13藉由搬送機器人10及搬送機器人8將晶圓7搬送至主處理單元1，利用主處理單元1執行處理(例如濺鍍)。經主處理單元1處理過之晶圓7由搬送機器人8及搬送機器人10搬送至清洗乾燥單元6，由清洗乾燥單元6進行清洗乾燥。經清洗乾燥單元6清洗乾燥過之晶圓7藉由搬送機器人10而儲存到載置於裝載埠單元5之FOUP13中。
FOUP13於儲存有經清洗乾燥單元6清洗乾燥過之晶圓7之狀態下搭載到搬送車602上，沿軌道601被搬送，並載置於例如又一製造裝置603之裝載埠單元5。
根據本實施方式，於各製造裝置603中，對晶圓7使用主處理單元1進行處理之後，於將該晶圓7儲存到FOUP13中之前，可利用清洗乾燥單元6執行簡單之清洗乾燥。由此，可將FOUP13及其他製造裝置6維持於清潔狀態。
對本發明之幾個實施方式進行了說明，但這些實施方式係作為一例而示出之，並未意圖限定發明之範圍。這些新穎之實施方式能以其他各種方式實施，且可於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變化包含於發明之範圍及主旨中，並且包含於權利要求書所記載之發明及與其相同之範圍內。
[相關申請案]
本申請案享有以日本專利申請案2022-029734號(申請日：2022年2月28日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。
1:乾式蝕刻腔室
2:真空搬送機器人室
3:EFEM單元(搬送模組)
4:裝載互鎖室
5:裝載埠單元(裝載埠)
5A:裝載埠單元連接部
6, 6':清洗乾燥單元(清洗單元)
7:晶圓
8, 10:搬送機器人
9, 12:搬送臂
11:導軌
13:FOUP
14:清洗乾燥室
15, 15a, 15b, 15c:清洗乾燥機構
16, 16a, 16b, 16c:晶圓保持機構
17a, 17b:導件
18:FOUP端基準面
19:晶圓之中心
20:晶圓中心位置
23:深度調整機構
24:傾斜調整機構
25:槽
26:供水罐
27:乾燥用N
2氣體管線
31:晶圓保持台
32:晶圓
33:對向構件
34:清洗液(水)供給噴嘴
35:水
36:氣體(N
2氣體)供給噴嘴
37:外側導件
38a, 38b:間隙
39:晶圓傾斜調整機構
41:晶圓保持台
42:晶圓
43:小型清洗乾燥模組(小模組)
45:水
51:清洗乾燥單元
52:排水管
53:感測器(導電率計)
54:控制信號線
78:靶材
81:腔室
82:晶圓固持器
83:離子源
91:腔室
91a:供氣口
91b:排氣口
92:晶圓固持器
93:靶材固持器
301:晶圓升降台
302:唇形密封件
303:排泄管
304:搬送叉
305:晶圓固定治具
306:唇形密封件
311:加熱器
341:清洗液供給管
361:氣體供給管
441:水及乾燥氣體(N
2氣體)之供給管
461:排水排氣用之排泄管
601:軌道(空中軌道)
602:搬送車(空中行走式搬送車)
603, 603A, 603B:製造裝置
圖1係說明第1實施方式之半導體裝置之製造裝置之整體構造之一例之概略圖。 圖2係說明第1實施方式之基板處理裝置之一例之立體圖。 圖3係將晶圓保持機構及清洗乾燥機構於縱向上設置有複數個之情形時之清洗乾燥單元之模式圖。 圖4(a)～(b)係說明裝載埠單元及清洗乾燥單元內之晶圓儲存位置之圖。 圖5(a)～(b)係說明裝載埠單元及清洗乾燥單元內之晶圓儲存位置之圖。 圖6係說明清洗乾燥單元之設置調整機構之概略圖。 圖7係清洗乾燥單元之晶圓保持機構之概略圖。 圖8係晶圓保持機構之概略圖。 圖9(a)～(b)係說明晶圓保持機構之一例之圖。 圖10係說明將晶圓搬送至晶圓保持機構之上方之狀態之圖。 圖11(a)～(d)係說明向清洗乾燥單元搬送晶圓起至清洗為止之一連串流程之圖。 圖12係說明具有清洗液體供給、及乾燥氣體供給、抽吸液體及氣體之3個功能之小模組之構造之圖。 圖13係說明變化例之清洗乾燥機構之配置之一例之圖。 圖14係說明變化例之晶圓清洗時之水及乾燥氣體之流動之圖。 圖15係說明第2實施方式之半導體裝置之製造裝置之整體構造之一例之概略圖。 圖16係說明第2實施方式之基板處理裝置之一例之立體圖。 圖17係說明第2實施方式之清洗乾燥單元之配置例之概略圖。 圖18係說明第3實施方式中之用來測定處理液之物性之感測器及其周邊構成之概略圖。 圖19係說明清洗時間與處理液之導電率之關係之圖。 圖20係第4實施方式之清洗乾燥單元中之附加熱器之晶圓保持機構之概略圖。 圖21係說明第4實施方式之附加熱器之晶圓保持機構之一例之圖。 圖22係說明第4實施方式之清洗之一例之圖。 圖23係表示第5實施方式之包含複數個製造裝置之製造系統之構成之俯視圖。 圖24係表示第5實施方式之製造裝置中所包含之主處理單元之第1例之剖視圖。 圖25係表示第5實施方式之製造裝置中所包含之主處理單元之第2例之剖視圖。
1:乾式蝕刻腔室
2:真空搬送機器人室
3:EFEM單元(搬送模組)
4:裝載互鎖室
5:裝載埠單元(裝載埠)
5A:裝載埠單元連接部
6:清洗乾燥單元(清洗單元)
7:晶圓
8:搬送機器人
9:搬送臂
11:導軌
12:搬送臂
Claims (24)
- 一種基板處理裝置，其包含：相對於被處理基板容器取放被處理基板之搬送模組；清洗單元；及裝載埠；上述清洗單元包含：被處理基板保持機構，其可保持上述被處理基板；清洗液供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給清洗液；及氣體供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給氣體；且上述搬送模組包含：可於上述裝載埠與上述清洗單元之間搬送上述被處理基板之被處理基板搬送機構；上述清洗單元係與上述裝載埠並排地連結於上述搬送模組。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述搬送模組進而包含：於第1方向延伸之軌條，上述被處理基板搬送機構具有：基台，其可於上述軌條上移動；伸縮臂，其可旋轉地安裝於上述基台上，且可調整與上述第1方向正交之第2方向上之自上述基台之突出量；及 保持部，其設置於上述伸縮臂之前端側，可保持被處理基板；且於上述搬送模組，連結至少一個上述裝載埠，將於上述裝載埠安裝有上述被處理基板容器之狀態下之被處理基板之儲存位置設為第1儲存位置，且將由上述清洗單元進行清洗之狀態下之被處理基板之儲存位置設為第2儲存位置時，上述第2方向上自上述軌條至上述第1儲存位置之距離、與上述第2方向上自上述軌條至上述第2儲存位置之距離相等。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中上述搬送模組具有複數個裝載埠連接部，上述裝載埠與上述複數個裝載埠連接部中之至少一個連接，上述清洗單元與上述複數個裝載埠連接部中之至少另一個連接，上述被處理基板搬送機構可將上述基板自上述裝載埠搬送至上述被處理基板保持機構。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述清洗單元設置為可調整與上述搬送模組之相對位置。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中向上述被處理基板容器儲存被處理基板時之上述保持部於上述第2方向上之伸長量、 與向上述清洗單元儲存被處理基板時之上述保持部於上述第2方向上之伸長量相同。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上，存在複數個上述第1儲存位置，上述第2儲存位置於上述第3方向上之位置係：與複數個上述第1儲存位置之任一個於上述第3方向上之位置相等。
- 如請求項2之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而具有：第2被處理基板保持機構，其於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上，設置於與上述被處理基板保持機構分離之位置；第2清洗液供給機構，其可對保持於上述第2被處理基板保持機構之第2被處理基板上供給上述清洗液；及第2氣體供給機構，其可對保持於上述第2被處理基板保持機構之上述第2被處理基板上供給上述氣體；且可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板同時進行清洗，於對上述被處理基板進行清洗時，可對保持於上述第2被處理基板保持機構之上述第2被處理基板進行清洗。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述清洗液供給機構係：可於與上述被處理基板之相對位置被固定之狀態下，於第1預定期間對上述被處理基板之上表面供給上述清洗液，上述氣體供給機構可於與上述被處理基板之相對位置被固定之狀態下，於第2預定期間對上述被處理基板之上述上表面供給上述氣體。
- 如請求項8之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含功能零件，上述功能零件包含：上述清洗液供給機構；上述氣體供給機構；及抽吸機構，其可抽吸上述清洗液及上述氣體；且上述功能零件以至少於上述第1預定期間或上述第2預定期間與上述被處理基板之上述上表面對向之方式配置有複數個。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述清洗液供給機構於對上述被處理基板上供給上述清洗液之後，可進而供給異丙醇。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述氣體包含氮氣。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含：對向構件，其具有於上述被處理基板儲存於上述清洗單元時與上述被處理基板之上表面對向之第1面；上述清洗液供給機構及上述氣體供給機構可向上述對向構件之上述 第1面與上述被處理基板之上述上表面之間分別供給上述清洗液及上述氣體，上述對向構件之上述第1面由疏水性材料形成。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含：調整機構，其調整上述被處理基板儲存於上述清洗單元時之上述被處理基板之傾斜。
- 如請求項1之基板處理裝置，其進而具有感測器，該感測器可測定由上述清洗液供給機構供給至上述被處理基板上之後的上述清洗液之物性。
- 一種基板處理裝置，其包含：搬送模組；清洗單元，其設置於上述搬送模組內；及裝載埠，其與上述搬送模組連結；且上述清洗單元包含：被處理基板保持機構，其可保持被處理基板；清洗液供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給清洗液；及氣體供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給氣體；且上述搬送模組包含：可於上述裝載埠與上述清洗單元之間搬送上述被處理基板之被處理 基板搬送機構。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述搬送模組進而包含：於第1方向上延伸之軌條，上述被處理基板搬送機構具有：基台，其可於上述軌條上移動；伸縮臂，其可旋轉地安裝於上述基台上，且可調整與上述第1方向正交之第2方向上之自上述基台之突出量；及保持部，其設置於上述伸縮臂之前端側，可保持上述被處理基板；且上述清洗單元進而具有：第2被處理基板保持機構，其於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上，設置於與上述被處理基板保持機構分離之位置；第2清洗液供給機構，其可對保持於上述第2被處理基板保持機構之第2被處理基板上供給上述清洗液；及第2氣體供給機構，其可對保持於上述第2被處理基板保持機構之上述第2被處理基板上供給上述氣體；且可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板進行清洗，於對上述被處理基板進行清洗時，可對保持於上述第2被處理基板保持機構之上述第2被處理基板進行清洗。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述清洗液供給機構可於與上述被處理基板之相對位置被固定之狀態下，於第1預定期間對上述被處理基 板之上表面供給上述清洗液，上述氣體供給機構可於與上述被處理基板之相對位置被固定之狀態下，於第2預定期間對上述被處理基板之上述上表面供給上述氣體。
- 如請求項17之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含功能零件，上述功能零件包含：上述清洗液供給機構；上述氣體供給機構；及抽吸機構，其可抽吸上述清洗液及上述氣體；且上述功能零件以至少於上述第1預定期間或上述第2預定期間與上述被處理基板之上述上表面對向之方式配置有複數個。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述清洗液供給機構於對上述被處理基板上供給上述清洗液之後，可進而供給異丙醇。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述氣體包含氮氣。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含：對向構件，其具有於上述被處理基板儲存於上述清洗單元時與上述被處理基板之上表面對向之第1面；上述清洗液供給機構及上述氣體供給機構可向上述對向構件之上述第1面與上述被處理基板之上述上表面之間分別供給上述清洗液及上述氣 體；上述對向構件之上述第1面由疏水性材料形成。
- 如請求項15之基板處理裝置，其中上述清洗單元進而包含：調整機構，其調整上述被處理基板儲存於上述清洗單元時之上述被處理基板之傾斜。
- 如請求項15之基板處理裝置，其進而具有感測器，該感測器可測定由上述清洗液供給機構供給至上述被處理基板上之後的上述清洗液之物性。
- 一種半導體裝置之製造方法，其使用第1裝置、第2裝置及空中行走式搬送車，上述第1裝置包含：第1單元，其可執行第1製程；第1搬送模組；第1裝載埠，其安裝於上述第1搬送模組；及清洗單元，其安裝於上述第1搬送模組；且上述第2裝置包含：第2單元，其可執行第2製程；第2搬送模組；及第2裝載埠，其安裝於上述第2搬送模組；其中上述清洗單元可執行清洗製程，該清洗製程使用： 被處理基板保持機構，其可保持被處理基板；清洗液供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給清洗液；及氣體供給機構，其可對保持於上述被處理基板保持機構之上述被處理基板上供給氣體；且該半導體裝置之製造方法包括：使用上述第1單元對上述被處理基板執行上述第1製程；使用上述第1搬送模組，將已執行上述第1製程之上述被處理基板自上述第1單元搬送至上述清洗單元；使用上述清洗單元，對已執行上述第1製程之上述被處理基板執行上述清洗製程；使用上述第1搬送模組，將已執行上述清洗製程之上述被處理基板自上述清洗單元搬送至上述第1裝載埠；使用上述天花板行走式搬送車，將已執行上述清洗製程之上述被處理基板自上述第1裝載埠搬送至上述第2裝載埠；使用上述第2搬送模組，將已執行上述清洗製程之上述被處理基板自第2裝載埠搬送至上述第2單元；及使用上述第2單元，對已執行上述清洗製程之上述被處理基板執行上述第2製程。
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