TW201344836A - 降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組 - Google Patents

降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組 Download PDF

Info

Publication number
TW201344836A
TW201344836A TW101126818A TW101126818A TW201344836A TW 201344836 A TW201344836 A TW 201344836A TW 101126818 A TW101126818 A TW 101126818A TW 101126818 A TW101126818 A TW 101126818A TW 201344836 A TW201344836 A TW 201344836A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
actuator
support structure
processing space
module
Prior art date
Application number
TW101126818A
Other languages
English (en)
Inventor
Dan Zhang
Hui Chen
Jim K Atkinson
Hung Chih Chen
Ambra Allen L D
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201344836A publication Critical patent/TW201344836A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/001—Handling, e.g. loading or unloading arrangements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/06—Chambers, containers, or receptacles
    • F26B25/14—Chambers, containers, receptacles of simple construction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece

Abstract

在此所述的實施例大致上關於用以在化學機械研磨(CMP)製程期間清潔基材的蒸汽乾燥裝置模組。在一實施例中，提供一種用以處理基材的模組。該模組包括：槽，該槽具有多個側壁，該些側壁具有外表面與內表面而定義處理空間；基材支撐結構，該基材支撐結構用以在該處理空間內傳送基材，該基材支撐結構具有第一部分與第二部分，該第一部分至少部分地設置在該處理空間中，該第二部分位在該處理空間的外面；及一或更多個致動器，該些致動器設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的外表面上且被耦接在該外表面與該支撐結構的該第二部分之間，該一或更多個致動器可運作以相對於該槽移動該支撐結構。

Description

降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組
本發明的實施例大致上關於用以清潔基材的蒸汽乾燥裝置模組。
在製造電子元件(諸如半導體元件)於基材上時，通常利用化學機械研磨(CMP)。在研磨之後的最終清潔步驟包括使基材經歷在蒸汽乾燥裝置模組中的水溶液清潔製程，以從基材移除因研磨與/或洗刷所產生的殘餘微粒且去除流體痕跡(即水痕、條紋與/或浴器殘餘物)。隨著半導體元件幾何形態持續減小，超清潔處理的重要性跟著增加。含流體(或浴器)的蒸汽乾燥裝置模組內的基材的水溶液清潔以及後續的沖洗可達到期望的清潔程度。然而，將基材移動進出蒸汽乾燥裝置模組且將基材支撐於蒸汽乾燥裝置模組內需要槽內的傳送機構。傳送機構通常是傾向於生成微粒的機械裝置。由於最終清潔製程是被設計以從先前製程移除微粒，期望在最終清潔製程的期間能將微粒生成能減到最少與/或控制殘餘物微粒的傳播。
所需要的是一種蒸汽乾燥裝置模組，該蒸汽乾燥裝置模組能將蒸汽乾燥裝置模組中的微粒生成減到最少與/或去除，並能控制從基材被傳送到蒸汽乾燥裝置模組的 微粒。
在此所述的實施例大致上關於用以在化學機械研磨(CMP)製程期間清潔基材的蒸汽乾燥裝置模組。在一實施例中，提供一種用以處理基材的模組。該模組包括：槽，該槽具有多個側壁，該些側壁具有外表面與內表面而定義處理空間；基材支撐結構，該基材支撐結構用以在該處理空間內傳送基材，該基材支撐結構具有第一部分與第二部分，該第一部分至少部分地設置在該處理空間中，該第二部分位在該處理空間的外面；及一或更多個致動器，該些致動器設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的外表面上且被耦接在該外表面與該支撐結構的該第二部分之間，該一或更多個致動器可運作以相對於該槽移動該支撐結構。
在另一實施例中，提供一種用以處理基材的模組。該模組包括：槽，該槽具有多個側壁，該些側壁定義處理空間；基材支撐結構，該基材支撐結構用以在該處理空間內傳送基材，該基材支撐結構具有第一部分與第二部分，該第一部分至少部分地設置在該處理空間中，該第二部分位在該處理空間的外面；第一致動器，該第一致動器用以相對於該槽垂直地移動該基材支撐結構；及第二致動器，該第二致動器用以相對於該槽旋轉地移動該 基材支撐結構，其中該第一致動器與該第二致動器的各者設置在該處理空間的外面。
在另一實施例中，提供一種用以處理基材的方法。該方法包括以下步驟：傳送基材到處理空間的第一部分內，該處理空間被包含在槽中；將該基材固定在基材支撐結構中，該基材支撐結構至少部分地設置在該處理空間中，其中該基材支撐結構被定位在第一位置而使得該基材位在第一方位；利用第一致動器而傾斜該基材支撐結構以移動該基材到第二方位，該第一致動器設置在該處理空間的外面；及使用第二致動器而升高該基材支撐結構到第二位置，該第二位置和該第一位置垂直地被錯開，該第二致動器設置在該處理空間的外面。
在此描述的實施例大致上關於用以在化學機械研磨(CMP)製程期間清潔基材的蒸汽乾燥裝置模組。蒸汽乾燥裝置模組可被利用以在研磨與洗刷製程之後清潔基材。蒸汽乾燥裝置模組包括槽，槽在槽內具有最少的移動部件以在槽內所執行的清潔製程的期間將微粒生成減到最少。又，蒸汽乾燥裝置模組包括管理微粒的裝置，管理微粒的裝置可存在於輸入的基材上以避免微粒再貼附到基材。在此提供的蒸汽乾燥裝置模組可併同CMP清潔系統(諸如可從美國加州聖大克勞拉市的應用材料公 司取得的DESICA®清潔系統，以及來自其他製造業者的清潔系統)來利用。
第1圖是根據在此所述的實施例的蒸汽乾燥裝置模組100的立體圖。蒸汽乾燥裝置模組100包含槽殼體105，槽殼體105設以作為容納流體於處理空間110中的槽。處理空間110被擋板115分隔成輸入(裝載)部120A與輸出(卸載)部120B。輸入部120A與輸出部120B在至少Y方向上水平地被錯開。蒸汽乾燥裝置模組100亦包括支撐結構130，支撐結構130至少部分地設置在處理空間110內。支撐結構130包括第一部，第一部包括設以將基材125支撐於槽空間110內的兩臂135A、135B。支撐結構130亦包括第二部，第二部包括分別耦接到臂135A、135B的兩臂140A、140B。將在後面的圖描述臂135A、135B的結構與支撐功能的細節。
支撐結構130耦接到一或更多個致動器，該些致動器適於將支撐結構130相對於槽殼體105旋轉地與/或線性地定位。例如，支撐結構130耦接到設置在槽殼體105的外側壁150上的第一致動器145A與第二致動器145B。在一實施例中，第一致動器145A接合線性軌道155，線性軌道155設置在槽殼體105的外面而能將支撐結構130相對於槽殼體105線性地(Z方向)移動。第二致動器145B可耦接到橫向構件160，橫向構件160設置在臂140A與140B之間。第二致動器145B被利用以將支撐結構130相對於槽殼體105旋轉或傾斜，諸如沿X軸。 可以氣動、液壓、電氣或以上之組合的方式來提供動力給第一致動器145A與第二致動器145B。第二致動器145B可選擇地接合線性軌道155，並且旋轉力量被施加在線性軌道155與橫向構件160之間，以使支撐構件130能相對於槽殼體105旋轉。在一實施例中，第二致動器145B係旋轉支撐構件130經過角度α，角度α可以是離垂直約0°至約12°，例如離垂直約9°。
蒸汽乾燥裝置模組100亦包括抓持裝置165，抓持裝置165鄰近處理空間110的輸出部120B的開口。抓持裝置165包括兩臂170A、170B，此兩臂170A、170B可相對於彼此移動。臂170A、170B包括能接合基材125的邊緣的抓持件172。各個臂170A、170B耦接到致動器174A，致動器174A係移動臂170A、170B的一或兩者而使臂170A、170B朝向與遠離彼此以為了接合與脫離基材125的邊緣。抓持裝置165亦包括旋轉機構173，旋轉機構173包括支撐條175與致動器176。致動器176係旋轉支撐條175與抓持裝置165離垂直約0°至離垂直約90°。抓持裝置165亦包括線性致動器174B，線性致動器174B可運作以沿著支撐條175的長度移動抓持裝置165與致動器174A以為了將抓持裝置165定位於X-Z平面、X-Y平面或任何介於它們之間的方向，取決於旋轉機構173的旋轉角度。旋轉機構173亦可被致動器177垂直地升高或降低，致動器177設置在處理空間110的外面。致動器177被支撐構件178耦接在外側壁150與 致動器176之間。致動器177可升高或降低旋轉機構173與抓持裝置165，以促進基材125的傳送。致動器177可和線性軌道179形成界面，線性軌道179耦接到槽殼體105的外側壁150。可以氣動、液壓、電氣與以上之組合的方式來提供動力給致動器174A、致動器174B、致動器176與致動器177。
在運作中，基材125被終端作用器(未示出)傳送到輸入部120A內且從終端作用器被傳送到介於設置在處理空間110中的支撐結構130的兩臂135A、135B之間的第一位置。在處理空間110中的處理期間，基材125被支撐結構130固持在此下方位置。在處理期間，支撐結構130(與基材125)可藉由來自第二致動器145B的推動力從第一位置移動(即傾斜或旋轉)到第二位置。在移動到第二位置之後，第一致動器145A可提供推動力以升高支撐結構130(與基材125)到第三位置，基材125可在第三位置處從支撐結構130被傳送到抓持裝置165。一旦抓持裝置165接合基材125，支撐結構130可被降低到處理空間110內(圖示在第1圖中)以接收另一輸入的基材。
第2圖是第1圖的蒸汽乾燥裝置模組100的立體圖，圖示基材125在抓持裝置165中被旋轉到第四位置。第四位置可以是實質上水平的(即離垂直90°)，以促進基材125從抓持裝置165到機械人葉片(未示出)的傳送。第2圖亦圖示位在第三位置的基材200(虛線)，類似第1圖中 所圖示的基材125(除了基材200是被支撐結構130所支撐以外)。基材200位在用於傳送到抓持裝置165的位置。在此圖中，支撐結構130被升高以圖示支撐結構130用於傳送基材125到抓持裝置165的位置。一旦基材125從抓持裝置165被移除，抓持裝置165可被旋轉到實質上垂直的位置。臂170A、170B可被移動遠離彼此，以提供基材200的邊緣所用的間隙。抓持裝置165與支撐結構130的一或兩者的移動可被利用以使抓持裝置165與基材200彼此靠近。當抓持裝置165與基材200靠近時，臂170A、170B可被促使在一起以接合基材200的邊緣。接著，抓持裝置165可旋轉基材200到第四位置以為了傳送，並且支撐結構130可被降低到處理空間110內以接收另一基材。
第3圖是第2圖的蒸汽乾燥裝置模組100的一部分的立體俯視圖。在此圖中，圖上圖示抓持裝置165的抓持件172接合基材200的邊緣。圖上亦圖示處理空間110的輸入部120A與輸出部120B。輸入部120A與輸出部120B被擋板115至少部分地分離。在運作中，處理空間110被填充有流體到接近排放導管300的高度。擋板115在此流體高度下方至少部分地延伸，並且擋板115被利用以將輸入部120A與輸出部120B隔離。當基材被傳送到輸入部120A內時，基材在一對噴灑條305之間通過，該對噴灑條305係噴灑諸如去離子水的流體到輸入的基材上。由於輸入的基材可包括殘餘微粒，微粒變得脫落 且通常漂浮在流體表面上。擋板115使漂浮微粒避免進入輸出部120B。擋板115亦使進入輸出部120B的噴濺或波動減到最小。此舉容許輸出部120B能相對地維持微粒自由且提供輸出部120B中恆定的水高度。由於基材經由輸出部120B離開處理空間110，基材在噴灑條310之間通過，噴灑條310係噴灑諸如異丙醇(IPA)的流體到輸出的基材上。輸出部120B中恆定的水高度可有助於基材的乾燥以及基材上水痕缺陷的避免。此外，具有用於輸入部120A與輸出部120B的開口的蓋(部分地圖示在第1圖中)可被利用以覆蓋處理空間110的其餘部分。蓋可以是兩件式，而能提供簡單拆解以及對噴灑條305與310的存取。
第4圖是槽殼體105的立體剖視圖，圖示可被用在第1圖的蒸汽乾燥裝置模組100中的支撐結構130的一實施例。支撐結構130包括臂135A、135B與臂140A、140B。在此實施例中，臂135A、135B耦接到諸如托架400的基材支撐結構。托架400包括一或更多個凸起結構405，各個凸起結構405包括被形成在凸起結構405中的溝槽以接收基材200的邊緣。溝槽設以將基材固持在實質上垂直的方位而不會夾住基材。排放溝槽410可被形成在該些結構405之間，以有助於排放流體。臂135A、135B可包含和臂140A、140B的材料不同的材料。臂135A、135B可由能抵抗製程的聚合物材料(諸如聚醚醚酮(PEEK))製成，而臂140A、140B可由更富有彈性的 金屬材料(諸如陽極化鋁)製成。
第5A-5E圖是蒸汽乾燥裝置模組100的側面剖視圖，圖示可被執行在第1圖的蒸汽乾燥裝置模組100中的清潔循環的實施例。第5A圖圖示被沉浸在處理空間110中且位於流體高度500以下的基材125。基材125可被終端作用器(未示出)傳送到蒸汽乾燥裝置模組100內，其中該終端作用器係至少部分地降低基材125到處理空間110內且傳送基材125到支撐結構130。在一實施例中，基材125在噴灑條305之間進入處裡空間110，並且基材125在從終端作用器傳送到支撐結構130的托架400之前被終端作用器支撐。在另一實施例中，支撐結構130可被升高，並且基材125可被傳送到托架40()，因此終端作用器不會進入處理空間110。接著，支撐結構130降低基材125到介於噴灑條305之間內且到處理空間110內。無論是何種傳送方法，基材125被托架400放置到且被支撐在沉浸位置中。基材125位在處理空間110中的第一位置與方位。在此位置的基材125可被定向成平行於槽殼體105的第一側壁505A。
第5B圖圖示基材125被旋轉到第二位置與方位內。旋轉是由耦接到支撐結構130的致動器145B來提供。在一實施例中，旋轉角度是離第一位置(即實質上垂直)約6°至約12°，諸如離第一位置約9°。在此位置的基材125可被定向成平行於槽殼體105的第二側壁505B。
第5C圖圖示基材被升高到第三位置，第三位置可以是 用以傳送基材125到抓持裝置165的傳送位置。致動器145A的致動係升高支撐結構130到此位置，其中該支撐結構130會升高基材125。基材125可被升高到第三位置且位在第二方位。抓持裝置165的臂170A與170B(僅圖示170B)可分隔以容許基材125能至少部分地通過臂170A、170B上的抓持件172。在此方位，基材125可被升高到介於該些抓持件172之間的位置。一旦基材125位於相對的抓持件172之間，抓持裝置165的臂170A、170B能一起被移動以抓持基材125，如第5D圖所示。
第5D圖圖示基材125被傳送到抓持裝置165。基材125可被致動器174B從槽殼體105升高到支撐條175的末端，如圖所示。應瞭解的是支撐結構130的升高、降低與樞轉不會受到支撐結構130的任何移動所支配，並且反之亦然。因此，在基材125的傳送之後，支撐結構130可線性地被移動與/或被旋轉，以準備進行輸入的基材的傳送。
第5E圖圖示位於抓持裝置165中的基材125，其中抓持裝置165被旋轉以用於傳送到機械人葉片(未示出)。第5E圖亦圖示位在第一位置的支撐結構130，支撐結構130在支撐結構130上具有基材200以為了開始處理順序。基材125位在第四位置與第三方位。基材125的方位是實質上水平的。第三方位可實質上垂直於位在第一位置的基材200。
應注意的是，在第5A-5E圖中所圖示的順序期間，支 撐結構130或基材125(或200)不會接觸槽殼體105的任何部分，這能顯著地減少微粒生成。
在此所述的蒸汽乾燥裝置模組100藉由在槽的處理空間的外面提供基材傳送機構而提供改善的處理。優點包括藉由將微粒生成減到最少、減少的震動、增加的可靠度與維修而達到改善的微粒管理。抓持裝置165與支撐結構130的獨立移動亦改善了產能。
儘管上述說明是導向本發明的實施例，可在不悖離本發明的基本範疇下設想出本發明的其他與進一步實施例，並且本發明的範疇是由隨附的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧蒸汽乾燥裝置模組
105‧‧‧槽殼體
110‧‧‧處理空間
115‧‧‧擋板
120A‧‧‧輸入(裝載)部
120B‧‧‧輸出(卸載)部
125‧‧‧基材
130‧‧‧支撐結構
135A、135B‧‧‧臂
140A、140B‧‧‧臂
145A‧‧‧第一致動器
145B‧‧‧第二致動器
150‧‧‧外側壁
155‧‧‧線性軌道
160‧‧‧橫向構件
165‧‧‧抓持裝置
170A、170B‧‧‧臂
172‧‧‧抓持件
173‧‧‧旋轉機構
174A‧‧‧致動器
174B‧‧‧致動器
175‧‧‧支撐條
176‧‧‧致動器
177‧‧‧致動器
178‧‧‧支撐構件
179‧‧‧線性軌道
200‧‧‧基材
300‧‧‧排放導管
305‧‧‧噴灑條
310‧‧‧噴灑條
400‧‧‧托架
405‧‧‧凸起結構
410‧‧‧排放溝槽
500‧‧‧流體高度
505A‧‧‧第一側壁
505B‧‧‧第二側壁
可藉由參考本發明的實施例來詳細暸解本發明的上述特徵，本發明的更具體描述簡短地在前面概述過，其中該些實施例的一些在附圖中圖示出。但是應注意的是，附圖僅圖示出本發明的典型實施例，因此附圖不應被視為會對本發明範疇構成限制，這是因為本發明可允許其他等效實施例。
第1圖是根據在此所述的實施例的蒸汽乾燥裝置模組的立體圖。
第2圖是第1圖的蒸汽乾燥裝置模組的立體圖。
第3圖是第2圖的蒸汽乾燥裝置模組的一部分的立體俯視圖。
第4圖是槽殼體的立體剖視圖，圖示可被用在第1圖的蒸汽乾燥裝置模組中的支撐結構的一實施例。
第5A-5E圖是蒸汽乾燥裝置模組的側面剖視圖，圖示可被執行在第1圖的蒸汽乾燥裝置模組中的清潔循環的實施例。
為促進瞭解，在可能時使用相同的元件符號來表示該等圖式共有的相同元件。應瞭解，一實施例的元件與特徵可有利地被併入到其他實施例中而不需特別詳述。
100‧‧‧蒸汽乾燥裝置模組
115‧‧‧擋板
120B‧‧‧輸出(卸載)部
125‧‧‧基材
135A、135B‧‧‧臂
140A、140B‧‧‧臂
145A‧‧‧第一致動器
155‧‧‧線性軌道
160‧‧‧橫向構件
170A、170B‧‧‧臂
172‧‧‧抓持件
174A‧‧‧致動器
174B‧‧‧致動器
175‧‧‧支撐條
176‧‧‧致動器
177‧‧‧致動器
179‧‧‧線性軌道
200‧‧‧基材

Claims (21)

  1. 一種用以處理一基材的模組，包含：一槽，該槽具有多個側壁，該些側壁具有一外表面與一內表面而定義一處理空間；一基材支撐結構，該基材支撐結構用以在該處理空間內傳送一基材，該基材支撐結構具有一第一部分與一第二部分，該第一部分至少部分地設置在該處理空間中，該第二部分位在該處理空間的外面；及一或更多個致動器，該些致動器設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的一外表面上且被耦接在該外表面與該支撐結構的該第二部分之間，該一或更多個致動器可運作以相對於該槽移動該支撐結構。
  2. 如請求項1之模組，更包含一線性軌道機構，該線性軌道機構設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的該外表面上且耦接到該一或更多個致動器的其中一致動器。
  3. 如請求項2之模組，其中該一或更多個致動器包含一第一致動器以相對於該槽旋轉地移動該基材支撐結構。
  4. 如請求項3之模組，其中該一或更多個致動器包含一 第二致動器以相對於該槽垂直地移動該基材支撐結構。
  5. 如請求項1之模組，其中該支撐結構的該第一部分包含終止於一支撐托架的兩臂以用於固持該基材。
  6. 如請求項5之模組，其中該基材支撐結構的該第一部分包含一第一材料且該基材支撐結構的該第二部分包含一第二材料，該第一材料和該第二材料不同。
  7. 如請求項6之模組，其中該第一材料包含一聚合物材料。
  8. 如請求項1之模組，其中該處理空間被一擋板至少部分地分離。
  9. 一種用以處理一基材的模組，包含：一槽，該槽具有多個側壁，該些側壁定義一處理空間；一基材支撐結構，該基材支撐結構用以在該處理空間內傳送一基材，該基材支撐結構具有一第一部分與一第二部分，該第一部分至少部分地設置在該處理空間中，該第二部分位在該處理空間的外面；一第一致動器，該第一致動器用以相對於該槽垂 直地移動該基材支撐結構；及一第二致動器，該第二致動器用以相對於該槽旋轉地移動該基材支撐結構，其中該第一致動器與該第二致動器的各者設置在該處理空間的外面。
  10. 如請求項9之模組，其中該支撐結構的該第一部分包含終止於一支撐托架的兩臂以固持該基材。
  11. 如請求項10之模組，其中該第一致動器或該第二致動器的一者將該兩臂維持成和該槽的該些側壁的一內表面呈一相隔關係。
  12. 如請求項9之模組，更包含一線性軌道機構，該線性軌道機構設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的一外表面上且耦接到該第一致動器與該第二致動器的一者或兩者。
  13. 如請求項9之模組，其中該基材支撐結構的該第一部分包含一第一材料且該基材支撐結構的該第二部分包含一第二材料，該第一材料和該第二材料不同。
  14. 如請求項6之模組，其中該第一材料包含一聚合物材料且該第二材料包含鋁。
  15. 如請求項9之模組，更包含一線性軌道機構，該線性軌道機構設置在該槽的該些側壁的其中一側壁的該外表面上且耦接到該第一致動器。
  16. 一種用以處理一基材的方法，包含以下步驟：傳送一基材到一處理空間的一第一部分內，該處理空間被包含在一槽中；將該基材固定在一基材支撐結構中，該基材支撐結構至少部分地設置在該處理空間中，其中該基材支撐結構被定位在一第一位置而使得該基材位在一第一方位；利用一第一致動器而傾斜該基材支撐結構以移動該基材到一第二方位，該第一致動器設置在該處理空間的外面；及使用一第二致動器而升高該基材支撐結構到一第二位置，該第二位置和該第一位置垂直地被錯開，該第二致動器設置在該處理空間的外面。
  17. 如請求項16之方法，其中該第一方位包含將該基材定位成實質上平行於該槽的一第一側壁。
  18. 如請求項17之方法，其中該第二方位包含將該基材定位成實質上平行於該槽的一第二側壁，該第二側壁和該第一側壁相對。
  19. 如請求項18之方法，其中該第一致動器將該基材支撐結構維持成和該槽的該些側壁的一內表面呈一相隔關係。
  20. 如請求項16之方法，更包含以下步驟：當該基材支撐結構位在該第二位置時，傳送該基材到一抓持機構，該抓持機構設置在該處理空間的外面。
  21. 如請求項20之方法，其中該抓持機構將該基材從該第二方位旋轉到一第三方位，該第三方位垂直於該第一方位。
TW101126818A 2012-04-26 2012-07-25 降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組 TW201344836A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261638936P 2012-04-26 2012-04-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201344836A true TW201344836A (zh) 2013-11-01

Family

ID=49483711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101126818A TW201344836A (zh) 2012-04-26 2012-07-25 降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150050105A1 (zh)
TW (1) TW201344836A (zh)
WO (1) WO2013162638A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162638A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Vapor dryer module with reduced particle generation
CN115218627A (zh) * 2022-06-22 2022-10-21 江苏亚电科技有限公司 一种晶圆干燥设备摆动机构

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US5539995A (en) * 1994-03-16 1996-07-30 Verteq, Inc. Continuous flow vapor dryer system
JP3566475B2 (ja) * 1996-12-03 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5933902A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Frey; Bernhard M. Wafer cleaning system
US6108932A (en) * 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
WO2003041131A2 (en) * 2001-11-02 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
KR100481178B1 (ko) * 2002-09-03 2005-04-07 삼성전자주식회사 기판유무검사장치
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US20070026602A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Victor Mimken Method of minimal wafer support on bevel edge of wafer
JP4145905B2 (ja) * 2005-08-01 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥装置
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
WO2007084952A2 (en) * 2006-01-18 2007-07-26 Akrion Technologies, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
US7877895B2 (en) * 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US8181302B2 (en) * 2009-09-22 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Brush alignment control mechanism
WO2013162638A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Vapor dryer module with reduced particle generation

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013162638A1 (en) 2013-10-31
US20150050105A1 (en) 2015-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
JP6431156B2 (ja) 基板処理装置
KR102565756B1 (ko) 기판 액 처리 장치
KR101932777B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101736845B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114334711A (zh) 基片处理系统和基片输送方法
JP6861566B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201344836A (zh) 降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組
US20210391190A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2002134588A (ja) 基板搬送処理装置
JP7237042B2 (ja) 流体供給ユニット及びこれを有する基板処理装置
KR20230150865A (ko) 통합된 기판 정렬 스테이지를 갖는 건조 시스템
JP7156940B2 (ja) 基板処理装置
JP2002136935A (ja) 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
TWI829309B (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
JPH07211679A (ja) 洗浄装置
JP5911682B2 (ja) 槽キャリア及び基板処理装置
JPH10321577A (ja) 半導体基板の洗浄装置
KR102640149B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220208564A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102360937B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4455291B2 (ja) 処理システム
TWI827196B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
KR102186069B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법