JP3127357B2 - 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を乾燥ガスに接
触させて乾燥する乾燥処理装置及び乾燥処理方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下に
ウエハ等という）の被処理体を薬液やリンス液（洗浄
液）等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う洗浄処理方法が広く採用されている。また、この
ような洗浄処理装置においては、洗浄液槽で洗浄した被
処理体を乾燥する乾燥処理装置を備えているものもあ
る。

【０００３】上記乾燥処理装置は、例えばＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）等の揮発性を有する溶剤を沸点温
度（例えば８２℃）まで加熱して蒸気を発生させる乾燥
ガス生成手段を具備し、この乾燥ガス生成手段にて生成
された乾燥ガスを洗浄されたウエハ等の被処理体に接触
させると共に、乾燥ガスの蒸気を凝縮させて、被処理体
の水分の除去及び乾燥を行うようにしたものである。

【０００４】したがって、この種の乾燥方法において
は、乾燥ガスの量や濃度と被処理体の接触面積によって
乾燥度合いが大きく作用される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の乾燥処
理装置においては、乾燥ガスの発生量や濃度を調整する
には、例えば加熱温度を調整するか、ＩＰＡ等の溶剤の
接触面積を調整するなどの方法が考えられるが、上述し
たように、溶剤の沸点温度が一定（ＩＰＡの場合は８２
℃）であるため、加熱温度を調整して蒸発速度を調整す
ることは可能であるが、乾燥ガスの発生量を短時間例え
ば２〜３秒間で変化させることは不可能である。したが
って、従来のこの種の乾燥処理装置においては、乾燥ガ
スの発生量や濃度を正確にコントロールすることができ
ず、そのため乾燥精度を高めることができないという問
題があった。また、乾燥ガスの発生量や濃度が正確にコ
ントロールできないため、乾燥に供される乾燥ガスの量
を多く生成させる傾向が生じるため、乾燥ガスすなわち
溶剤の消費量が多くなるという問題もあった。

【０００６】また、乾燥ガスの発生量を調整する手段と
して、溶剤の加熱面積を調整することが考えられるが、
これにおいても乾燥ガスの発生量を短時間例えば２〜３
秒間で変化させることは不可能である。しかも、乾燥ガ
スの発生量を多くするには溶剤の受皿を大きくする必要
があり、そのため装置が大型になるという問題もある。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥ガスの発生量及び濃度を制御して、被処理体と
乾燥ガスの接触により被処理体の乾燥を行えるようにし
た乾燥処理装置及び乾燥処理方法を提供することを目的
とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体を収容する処理室
を有する処理部と、溶剤を乾燥用ガスに生成する乾燥ガ
ス生成手段と、この乾燥ガス生成手段に供給される溶剤
の供給手段と、上記乾燥ガス生成手段で生成される乾燥
ガスを上記処理室内に供給すべく乾燥ガス生成手段に供
給される不活性ガス供給手段とを具備し、上記乾燥ガス
生成手段と溶剤の供給手段とを接続する供給管路に、溶
剤の流量調整手段を介設してなる、ことを特徴とする。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の乾
燥処理装置において、上記処理部が、被処理体を洗浄す
る洗浄液を貯留し排出する洗浄槽と、この洗浄槽の上方
に位置する処理室とを具備し、処理室に被処理体に接触
する乾燥ガスの供給部を具備することを特徴とする。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１記載の乾
燥処理装置において、上記溶剤の流量調整手段を、処理
室内の乾燥ガスの濃度検出手段からの検出信号に基づい
て制御する、ことを特徴とする。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載の乾
燥処理装置において、上記乾燥ガス生成手段は、密閉容
器と、この密閉容器内に垂直方向に適宜間隔をおいて多
段に配設されると共に上段部には下段への流下口を有す
る溶剤用受皿と、上記密閉容器に配設される加熱手段と
を具備する、ことを特徴とする。この場合、加熱手段
は、密閉容器に配設されるものであれば、その配設位置
は任意でよいが、好ましくは加熱手段を、密閉容器の底
部、側壁部及び溶剤用受皿の支柱部に配設する方がよい
（請求項５）。

【００１２】請求項６記載の発明は、請求項１又は３記
載の乾燥処理装置において、上記溶剤の流量調整手段
を、ベローズとボールねじ機構とを有する定量電動モー
タ駆動式ベローズポンプにて形成してなる、ことを特徴
とする。

【００１３】請求項７記載の発明は、請求項１記載の乾
燥処理装置において、上記乾燥ガス生成手段と不活性ガ
スの供給手段とを接続する不活性ガス供給管に、加熱手
段を介設してなる、ことを特徴とする。

【００１４】請求項８記載の発明は、請求項１記載の乾
燥処理装置において、上記溶剤供給手段に、ポンプとフ
ィルタを有する循環管路を具備する、ことを特徴とす
る。

【００１５】請求項９記載の発明は、乾燥ガス生成手段
で生成された乾燥ガスを、被処理体に接触させて被処理
体を乾燥させる乾燥処理方法において、上記乾燥ガス生
成手段に供給される溶剤の供給量を制御して、上記被処
理体に接触する乾燥ガスの濃度を調整する、ことを特徴
とする。

【００１６】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
乾燥処理方法において、乾燥初期時に乾燥ガス濃度を高
めに供給する工程と、その後、それよりも低い濃度で一
定に供給する工程と、乾燥終了付近に乾燥ガス濃度を高
めに供給する工程とを有することを特徴とする。

【００１７】請求項１１記載の発明は、被処理体を洗浄
液に浸漬して洗浄した後、被処理体と洗浄液とを相対的
に移動させると共に、乾燥ガス生成手段で生成された乾
燥ガスを被処理体の露出面に接触させて、被処理体を乾
燥させる乾燥処理方法において、上記乾燥ガス生成手段
に供給される溶剤の供給量を、上記被処理体、被処理体
と被処理体用保持部あるいは処理槽内部で洗浄液より露
出する部分の全ての洗浄液からの露出面積に応じて調整
可能に制御して、被処理体に接触する乾燥ガスの濃度を
調整する、ことを特徴とする。

【００１８】この発明によれば、溶剤の流量調整手段に
よって乾燥ガス生成手段に供給される溶剤量を調整する
ことにより、乾燥ガスの発生量を短時間内に変化させて
調整することができると共に、乾燥ガスと不活性ガスと
の混合比すなわち乾燥ガスの濃度を調整することができ
る。したがって、被処理体の形状や面積等に応じて乾燥
ガス量及び濃度を変えて被処理体に接触させて、被処理
体の水分の除去及び乾燥を行うことができるので、乾燥
ガス及び溶剤の有効利用が図れると共に、溶剤の消費量
を可及的に少なくすることができる（請求項１，３，６
〜１０）。

【００１９】また、処理部が、被処理体を洗浄する洗浄
液を貯留し排出する洗浄槽と、この洗浄槽の上方に位置
する処理室とを具備し、処理室に被処理体に接触する乾
燥ガスの供給部を具備することにより、洗浄処理された
被処理体を同一処理部で乾燥処理することができる（請
求項２）。この場合、乾燥ガス生成手段に供給される溶
剤の供給量を、被処理体、被処理体と被処理体用保持部
又は処理槽内部で洗浄液より露出する部分の全てのうち
の少なくとも被処理体の洗浄液からの露出面積に応じて
調整可能に制御して、被処理体に接触する乾燥ガスの濃
度を調整することにより、乾燥ガス及び溶剤の有効利用
が図れると共に、乾燥効率の向上を図ることができる
（請求項１１）。

【００２０】また、乾燥ガス生成手段に、密閉容器と、
この密閉容器内に垂直方向に適宜間隔をおいて多段に配
設されると共に上段部には下段への流下口を有する溶剤
用受皿と、密閉容器に配設される加熱手段とを具備する
ことにより、乾燥ガス生成手段を小型にすることができ
ると共に、溶剤を効率良く加熱して乾燥ガスの蒸気を生
成することができる（請求項４）。この場合、加熱手段
を、密閉容器の底部、側壁部あるいは溶剤用受皿の支柱
部に配設することにより、更に溶剤を効率よく加熱する
ことができる（請求項５）。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの乾燥処理装置に適用した場合について説明す
る。

【００２２】図１はこの発明に係る乾燥処理装置の一例
を示す概略断面図である。

【００２３】上記乾燥処理装置は、被処理体である半導
体ウエハＷ（以下にウエハという）を乾燥処理する処理
室１２を有する処理部１０と、処理室１２に乾燥ガス例
えばＩＰＡガスの供給管１５を介して接続する乾燥ガス
生成手段例えば乾燥ガス生成器２０と、この乾燥ガス生
成器２０に溶剤すなわちＩＰＡの供給管路２５を介して
接続する溶剤供給手段である溶剤タンク２６（ＩＰＡタ
ンク）と、乾燥ガス生成器２０で生成される乾燥ガスを
処理室１２内に供給すべく乾燥ガス生成器２０に不活性
ガス例えばＮ2ガスを供給するＮ2ガス供給源２７とで主
に構成されており、ＩＰＡの供給管路２５には、ＩＰＡ
の流量を調整する流量調整手段２８が介設されている。

【００２４】この場合、上記処理部１０は、下方側にウ
エハＷを洗浄処理する洗浄槽１１と、この洗浄槽１１の
開口部からオーバーフローする洗浄液例えば純水１を受
け止める底部１２ａを有する処理室１２とを有してお
り、また、処理室１２の上端開口部には、オーバーフロ
ー槽１３が設けられると共に、このオーバーフロー槽１
３を含む開口部を開閉する蓋体１４が開閉可能に装着さ
れている。なおこの場合、洗浄槽１１の底部には純水供
給ノズル１１ａが配設されており、この純水供給ノズル
１１ａに純水供給管１６を介して純水供給源１７が接続
されている。純水供給管１６には、ポンプ１８及び開閉
弁１９が介設されている。また、洗浄槽１１の底部中央
には排液口１１ｂが設けられており、この排液口１１ｂ
に開閉弁１１ｃを介して排液管１１ｄが接続されてい
る。一方、洗浄槽１１からオーバーフローした純水１を
受け止める底部１２ａには排液口１２ｂが設けられてお
り、この排液口１２ｂに開閉弁１２ｃを介してドレン管
１２ｄが接続されている。これと同様に、オーバーフロ
ー槽１３の底部にも排液口１３ａが設けられており、こ
の排液口１３ａに開閉弁１３ｂを介してドレン管１３ｃ
が接続されている。なお、洗浄槽１１の開口端部及び処
理室１２の上端の開口端部にはそれぞれ適宜間隔をおい
て案内用の切欠１１ｅ，１２ｅが設けられている（図２
参照）。

【００２５】上記のように構成される処理室１２には、
ウエハＷを保持（把持）して処理室１２内に搬送する搬
送手段例えばウエハチャック４０から受け取ったウエハ
Ｗを保持して純水１に浸漬する保持手段例えばウエハボ
ート３０が配設されている。このウエハボート３０は、
図２に示すように、処理室１２の外側に配設される昇降
機構３１に連結される取付部材３２にボルト３２ａをも
って固定される一対の（図面では一方のみを示す）逆Ｔ
字状の支持部材３３と、これら支持部材３３の間の中央
下端部に架設される中央保持棒３４と、支持部材３３間
の左右両側端部に互いに平行に架設される２本の側部保
持棒３５とで構成されており、昇降機構３１の駆動によ
って処理室１２内を昇降し得るように構成されている。
なおこの場合、中央保持棒３４及び側部保持棒３５には
それぞれ長手方向に適宜間隔をおいて複数個例えば５０
個の保持溝３４ａ，３５ａが設けられている。これら保
持棒３４，３５は、耐食性、耐熱性及び耐強度性に優れ
た材質、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）製あるいは石英製部材にて形成されている。

【００２６】また、処理室１２を開閉する蓋体１４に
は、乾燥ガス供給口１４ａが設けられており、この乾燥
ガス供給口１４ａに乾燥ガス供給管１５を介して上記乾
燥ガス生成器２０が接続されている。乾燥ガス生成器２
０は、図１及び図３に示すように、例えば石英にて形成
される密閉容器２１と、この密閉容器２１内に多段状に
配設される複数例えば５段のＩＰＡ用受皿２２と、ＩＰ
Ａタンク２６から密閉容器２１内に供給されて受皿２２
内に貯留するＩＰＡを加熱するヒーター２３とを具備し
ている。

【００２７】この場合、受皿２２は、熱伝導率の良い耐
食性に富む材質例えばステンレス鋼製あるいは石英製部
材にて形成されている。また、受皿２２は、密閉容器２
１の中央部に立設する石英製の円筒状の支柱２１ａによ
って垂直方向に適宜間隔をおいて配設されており、かつ
上端の受皿２２には下段の受皿２２へのＩＰＡの流下口
２２ａが設けられている。この流下口２２ａは各段毎に
交互に設けられて、再上段の受皿２２に受け止められた
ＩＰＡを順次下段の受皿２２に蛇行して流れるようにな
っている。また、ヒーター２３は、密閉容器２１の底
部、側壁部及び支柱２１ａの中空部内に配設されてお
り、各ヒーター２３の背部にはそれぞれ断熱材２４が配
設されている。

【００２８】上記のように構成される乾燥ガス生成器２
０において、ＩＰＡタンク２６から供給されたＩＰＡ２
が最上段の受皿２２から順次下段の受皿２２に流下する
過程において、ヒーター２３により加熱されて、ＩＰＡ
蒸気（ＩＰＡガス）が生成され、ガス化されないＩＰＡ
が順次下段側の受皿２２に流下して順次ガス化される。
したがって、受皿２２を多段化することにより、乾燥ガ
ス生成器２０を小型にすることができると共に、ＩＰＡ
を効率良くガス化することができる。

【００２９】上記乾燥ガス生成器２０で生成された乾燥
ガスは、不活性ガス例えばＮ2ガス供給源２７から密閉
容器２１内に供給されるＮ2ガスによって乾燥ガス供給
管１５を介して上記処理室１２内に供給されるようにな
っている。なおこの場合、Ｎ2ガス供給源２７と密閉容
器２１とを接続するＮ2ガス供給管２７ａの途中には、
Ｎ2ガス加温用ヒーター２７ｂが設けられており、乾燥
ガス生成器２０に供給されるＮ2ガスを所定温度に加温
するようになっている。

【００３０】また、上記ＩＰＡタンク２６は、例えばフ
ッ素樹脂等の耐薬品性に富む材質の容器にて形成されて
おり、このＩＰＡタンク２６内に収容されるＩＰＡ２中
に含有されるパーティクル等の不純物等を除去するため
に、ポンプ２６ａとフィルタ２６ｂを有する循環管路２
６ｃが接続されている。

【００３１】一方、ＩＰＡ供給管路２５に介設される流
量調整手段２８は、図３に示すように、べローズ２８ａ
とボールねじ機構２８ｂとを有する定量電動モータ駆動
式べローズポンプにて形成されており、パルスモータ２
８ｃによって駆動されるボールねじ機構２８ｂの駆動に
よってべローズ２８ａが往復動することにより、例えば
１秒間に０．０１〜２ｃ．ｃのＩＰＡ２を乾燥ガス生成
器２０に供給できるようになっている。また、この流量
調整手段２８は、上記処理室１２内に配設されて処理室
１２内の乾燥ガス濃度を検出する濃度センサ５０からの
検出信号に基づいて制御可能に構成されている。すなわ
ち、濃度センサ５０によって検出された検出信号を制御
手段例えば中央演算処理装置６０（ＣＰＵ）に送り、Ｃ
ＰＵ６０にて予め記憶された情報と比較演算された出力
信号によって流量制御手段すなわちべローズポンプ２８
のパルスモータ２８ｃが駆動してＩＰＡタンク２６から
所定量のＩＰＡ２を乾燥ガス生成器２０に供給すること
ができるようになっている。

【００３２】なお、乾燥ガス供給管１５には、開閉弁１
５ａ及びフィルタ１５ｂを介して処理室１２内のパージ
用のＮ2ガスの供給源１５ｃが接続されている。また、
乾燥ガス生成器２０の密閉容器２１内には、温度計２９
が設置されて、乾燥ガス生成器２０内の温度を常時観測
し得るようになっている。更に、乾燥ガス生成器２０の
密閉容器２１の底部にはドレン管２０ａが接続されて、
密閉容器２１内に溜まる排液等を排除し得るようになっ
ている。

【００３３】次に、上記乾燥処理装置を用いた乾燥処理
方法について図４を参照して説明する。なお、図４で
は、処理方法を判りやすくするためにウエハチャック４
０、ウエハボート３０及び純水供給ノズル１１ａを省略
してある。まず、図４（ａ）に示すように、洗浄槽１１
及び処理室１２内に純水１を供給して処理室１２内に純
水１をオーバーフローさせると共に、ウエハボートを純
水中に待機させる。次に、図４（ｂ）に示すように、ウ
エハチャックによってウエハＷを処理室１２内の純水１
に浸漬すると共に、ウエハボートに受け渡す。その後、
ウエハチャックは上方へ後退し、蓋体１４が閉じて処理
室内が密閉され、図４（ｃ）に示すように、ウエハボー
トが下降してウエハＷが洗浄槽１１内に移動されると共
に、処理室１２内のウエハＷが浸漬する以外の純水１が
排出される。この際、純水１の上方の空間内に、パージ
用Ｎ2ガス供給源１５からＮ2ガスを供給することによっ
て処理室１２内等に付着するパーティクルを処理室１２
内の純水１と共に排出し、更に洗浄槽１１からオーバー
フローする純水１の界面に浮遊するパーティクルも排出
される。そして、処理室１２内をＮ2ガスで置換する
（図４（ｄ）参照）。

【００３４】次に、図４（ｅ）に示すように、処理室１
２内に乾燥ガス生成器２０で生成された乾燥ガス３（具
体的にはＩＰＡガスとＮ2ガスの混合ガス）（以下にＩ
ＰＡガスという）を供給して処理室１２内を乾燥ガス雰
囲気にした後、図４（ｆ）に示すように、ウエハボート
を上昇させてウエハＷを乾燥ガス雰囲気中に移動させ、
ウエハＷと乾燥ガスとを接触させる（図４（ｇ）参
照）。ウエハＷと乾燥ガスとが接触することにより、乾
燥ガスの蒸気が凝縮あるいは吸着し、これに伴ないマラ
ンゴニー効果すなわち純水液面のＩＰＡ液あるいはＩＰ
Ａガス３が純水を移動（排除）する効果によってウエハ
Ｗ表面の水分が除去されると共に、乾燥が促される。

【００３５】ウエハＷを乾燥する際、処理室１２内に供
給されるＩＰＡガス３の濃度を、例えば図５に示すよう
に、乾燥初期時に高めに供給し、その後、それよりも低
い濃度で一定時間供給し、そして、乾燥終了付近に再び
ＩＰＡガスの濃度を高めに供給することにより、ウエハ
Ｗの乾燥処理を行う方法が好適である。その理由は、乾
燥開始時には乾燥ガス雰囲気を早く作るため、ＩＰＡガ
ス濃度を高めに設定し、また乾燥終了時も同様にウエハ
Ｗ以外の部品例えばウエハＷを保持するウエハボート３
０の保持棒３４，３５及び洗浄槽１１の内壁、底壁等の
表面積が大きいため、ＩＰＡガス濃度を高めにする方が
よいからである。

【００３６】なお、上記説明では、処理室１２内に供給
されるＩＰＡガス濃度を乾燥開始時には高めに設定し、
その後、それより低い濃度で一定時間供給し、その後、
乾燥終了付近では再びＩＰＡガス濃度を高めに設定する
場合について説明したが、ＩＰＡガス濃度の調整は、必
ずしもこのような調整のものに限定されるものではな
く、例えばウエハボート３０の上昇位置を図示しない検
出手段にて検出して、ウエハＷと純水１との境界面のウ
エハＷの露出面積に応じて、図６に示すように、ＩＰＡ
ガス濃度を次第に高め、ウエハＷの中心部で最も高い濃
度にし、その後再び低い濃度にするような制御方法も好
適である。このようにウエハＷの純水１の境界面の露出
面積に応じてＩＰＡガス濃度を制御することにより、Ｉ
ＰＡガス及びＩＰＡの有効利用が図れると共に、ＩＰＡ
ガス及びＩＰＡの消費量を可及的に少なくすることがで
きる。

【００３７】ここでは、ウエハＷの露出面積に応じてＩ
ＰＡガス濃度を制御する場合について説明したが、少な
くともウエハＷの露出面積に応じてＩＰＡガス濃度を制
御すればよく、更にウエハＷ以外に純水１から露出する
部分、例えばウエハボート３０の保持棒３４，３５や洗
浄槽１１の内壁、底壁等のように洗浄槽１１内部で純水
１より露出する部分の全ての面積を考慮してＩＰＡガス
濃度を制御すれば更にＩＰＡガスの有効利用が図れると
共に、ＩＰＡガス及びＩＰＡの消費量を可及的に少なく
することができる。

【００３８】このようにして、ウエハＷの乾燥処理が終
了した後、図４（ｈ）に示すように、主処理槽１１内の
純水１を排出し、図４（ｉ）に示すように、処理室１２
及び洗浄槽１１内の純水１が全て排出されて所定時間経
過して乾燥が終了した後、蓋体１４を開放してウエハチ
ャックによってウエハＷを搬出する（図４（ｊ）参
照）。

【００３９】上記のように構成される乾燥処理装置は単
独の乾燥処理装置として使用できる他、ウエハの洗浄・
乾燥処理システムに組み込んで使用することができる。
上記ウエハの洗浄・乾燥処理システムは、例えば図７に
示すように、未処理のウエハＷを収容する搬入部７０ａ
と、ウエハＷの洗浄処理及び乾燥処理を行なう洗浄・乾
燥処理部７１と、乾燥処理後のウエハＷを収容する搬出
部７０ｂと、洗浄・乾燥処理部７１の側方に配設されて
所定枚数例えば５０枚のウエハＷの搬送を行なう複数例
えば３基のウエハチャック４０とで主要部が構成されて
いる。

【００４０】上記洗浄・乾燥処理部７１には、搬入部７
０ａから搬出部７０ｂに向かって直線状に順に、第１の
チャック洗浄・乾燥ユニット７２、第１の薬液処理ユニ
ット７３、第１の水洗処理ユニット７４、第２の薬液例
えばアンモニア液処理ユニット７５、第２の水洗処理ユ
ニット７６、第３の薬液例えばフッ化水素酸（ＨＦ水溶
液）処理ユニット７７、第２のチャック洗浄・乾燥ユニ
ット７８及び上記乾燥処理装置を具備する水洗乾燥処理
ユニット７９が配設されている。

【００４１】なお、上記実施形態では、上記処理室１２
内でウエハＷの洗浄処理と乾燥処理とを行なう場合につ
いて説明したが、この発明は、必ずしも処理室１２内で
洗浄処理と乾燥処理とを行なう場合に適用されるもので
はなく、別の箇所で洗浄処理されたウエハＷを処理室１
２内に搬送して乾燥処理するような場合にも適用できる
ことは勿論である。

【００４２】また、上記実施形態では、この発明に係る
乾燥処理装置を半導体ウエハの乾燥処理装置に適用した
場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ用
ガラス基板等の被処理体の乾燥処理にも適用できること
は勿論である。

【００４３】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような効果が得られる。

【００４４】１）請求項１，３，６〜１０記載の発明に
よれば、溶剤の流量調整手段によって乾燥ガス生成手段
に供給される溶剤量を調整することにより、乾燥ガスの
発生量を短時間内に変化させて調整することができると
共に、乾燥ガス濃度を調整することができるので、被処
理体の形状や面積等に応じて乾燥ガス量及び濃度を変え
て被処理体に接触させて、被処理体の水分の除去及び乾
燥を行うことができる。したがって、乾燥ガス及び溶剤
の有効利用が図れると共に、溶剤の消費量を可及的に少
なくすることができる。

【００４５】２）請求項２記載の発明によれば、処理室
に、被処理体を洗浄する洗浄液を貯留し排出する洗浄槽
と、この洗浄槽の上方に位置して被処理体に接触する乾
燥ガスの供給部とを具備するので、洗浄処理された被処
理体を同一処理部で乾燥処理することができる。したが
って、装置の小型化が図れると共に、被処理体の洗浄・
乾燥処理の効率を高めることができる。

【００４６】３）請求項４記載の発明によれば、乾燥ガ
ス生成手段に、密閉容器と、この密閉容器内に垂直方向
に適宜間隔をおいて多段に配設されると共に上段部には
下段への流下口を有する溶剤用受皿と、密閉容器に配設
される加熱手段とを具備することにより、乾燥ガス生成
手段を小型にすることができると共に、溶剤を効率良く
加熱して乾燥ガスの蒸気を生成することができる。

【００４７】４）請求項５記載の発明によれば、加熱手
段を、密閉容器の底部、側壁部及び溶剤用受皿の支柱部
に配設するので、上記３）に加えて乾燥ガスの上記を更
に効率良く生成することができる。

【００４８】５）請求項１１記載の発明によれば、乾燥
ガス生成手段に供給される溶剤の供給量を、被処理体、
被処理体と被処理体用保持部あるいは処理槽内部で洗浄
液より露出する部分の全てのうちの少なくとも被処理体
の洗浄液からの露出面積に応じて調整可能に制御して、
被処理体に接触する乾燥ガスの濃度を調整することによ
り、上記１）及び２）に加えて更に乾燥ガス及び溶剤の
有効利用が図れると共に、乾燥効率の向上を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る乾燥処理装置の一例を示す概略
断面図である。

【図２】この発明におけるウエハボートを示す斜視図で
ある。

【図３】この発明における乾燥ガス生成手段、溶剤供給
源及び溶剤の流量調整手段を示す断面図である。

【図４】この発明の乾燥処理方法の一例を示す概略断面
図である。

【図５】この発明における乾燥ガス濃度と乾燥時間との
関係を示すグラフである。

【図６】この発明における別の乾燥ガス濃度と乾燥時間
との関係を示すグラフである。

【図７】この発明に係る乾燥処理装置を組み込んだ洗浄
・乾燥処理システムの一例を示す概略平面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 純水 ２ ＩＰＡ（溶剤） ３ ＩＰＡガス（乾燥ガス） １０ 処理部 １１ 洗浄槽 １２ 処理室 １５ ＩＰＡガス供給管路（乾燥ガス供給管路） ２０ 乾燥ガス生成器（乾燥ガス生成手段） ２１ 密閉容器 ２１ａ 支柱 ２２ 受皿 ２２ａ 流下口 ２３ ヒーター（加熱手段） ２５ ＩＰＡ供給管路（溶剤供給管路） ２６ ＩＰＡタンク（溶剤供給源） ２７ Ｎ2ガス供給源（不活性ガス供給源） ２８ 定量電動モータ駆動式べローズポンプ（ＩＰＡ流
量調整手段） ５０ 濃度センサ（濃度検出手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段）

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体を収容する処理室を有する処理
   部と、溶剤を乾燥用ガスに生成する乾燥ガス生成手段
   と、この乾燥ガス生成手段に供給される溶剤の供給手段
   と、上記乾燥ガス生成手段で生成される乾燥ガスを上記
   処理室内に供給すべく乾燥ガス生成手段に供給される不
   活性ガスの供給手段とを具備し、 上記乾燥ガス生成手
   段と溶剤の供給手段とを接続する供給管路に、溶剤の流
   量調整手段を介設してなる、ことを特徴とする乾燥処理
   装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の乾燥処理装置において、 上記処理部が、被処理体を洗浄する洗浄液を貯留し排出
   する洗浄槽と、この洗浄槽の上方に位置する処理室とを
   具備し、処理室に被処理体に接触する乾燥ガスの供給部
   を具備することを特徴とする乾燥処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の乾燥処理装置において、 上記溶剤の流量調整手段を、処理室内の乾燥ガスの濃度
   検出手段からの検出信号に基づいて制御する、ことを特
   徴とする乾燥処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の乾燥処理装置において、 上記乾燥ガス生成手段は、密閉容器と、この密閉容器内
   に垂直方向に適宜間隔をおいて多段に配設されると共に
   上段部には下段への流下口を有する溶剤用受皿と、上記
   密閉容器に配設される加熱手段とを具備する、ことを特
   徴とする乾燥処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の乾燥処理装置において、 上記加熱手段を、上記密閉容器の底部、側壁部及び上記
   溶剤用受皿の支柱部に配設してなる、ことを特徴とする
   乾燥処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１又は３記載の乾燥処理装置にお
   いて、 上記溶剤の流量調整手段を、ベローズとボールねじ機構
   とを有する定量電動モータ駆動式ベローズポンプにて形
   成してなる、ことを特徴とする乾燥処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１記載の乾燥処理装置において、 上記乾燥ガス生成手段と不活性ガスの供給手段とを接続
   する不活性ガス供給管 に、加熱手段を介設してなる、こ
   とを特徴とする乾燥処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１記載の乾燥処理装置において、 上記溶剤供給手段に、ポンプとフィルタを有する循環管
   路を具備する、ことを特徴とする乾燥処理装置。
9. 【請求項９】 乾燥ガス生成手段で生成された乾燥ガス
   を、被処理体に接触させて被処理体を乾燥させる乾燥処
   理方法において、 上記乾燥ガス生成手段に供給される溶剤の供給量を制御
   して、上記被処理体に接触する乾燥ガスの濃度を調整す
   る、ことを特徴とする乾燥処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の乾燥処理方法におい
    て、 乾燥初期時に乾燥ガス濃度を高めに供給する工程と、そ
    の後、それよりも低い濃度で一定に供給する工程と、乾
    燥終了付近に乾燥ガス濃度を高めに供給する工程とを、
    有することを特徴とする乾燥処理方法。
11. 【請求項１１】 被処理体を洗浄液に浸漬して洗浄した
    後、被処理体と洗浄液とを相対的に移動させると共に、
    乾燥ガス生成手段で生成された乾燥ガスを被処理体の露
    出面に接触させて、被処理体を乾燥させる乾燥処理方法
    において、 上記乾燥ガス生成手段に供給される溶剤の供給量を、上
    記被処理体、被処理体と被処理体の保持部又は上記処理
    槽内部で洗浄液より露出する部分の全てのうちの少なく
    とも被処理体の洗浄液からの露出面積に応じて調整可能
    に制御して、被処理体に接触する乾燥ガスの濃度を調整
    する、ことを特徴とする乾燥処理方法。