JP2002184747A - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 62
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 52
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 49
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100165177 Caenorhabditis elegans bath-15 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の基板にパーティクルやウ
ォータマーク等の汚染物質が付着することを抑制できる
基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置１０は、処理すべき基板
（例えばウェーハＷ）を収容する処理槽１１と、処理槽
１１の内部に処理液（例えば純水Ｊ）を供給する処理液
導入管２１と、有機溶剤液（例えばＩＰＡ液）Ｓを収容
するベーパ発生槽６１と、処理槽１１から処理液を排出
する処理液排出部３０と、ベーパ発生槽６１内の有機溶
剤液Ｓを加熱するための溶剤加熱装置６２を備えてい
る。ベーパ発生槽６１は、有機溶剤液Ｓから発生したベ
ーパを処理槽１１の内部に導入する。溶剤加熱装置６２
は、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにベーパ発生
槽６１内の有機溶剤液Ｓを５０℃±５℃に加熱し、ウェ
ーハＷの表面が親水性であるときに有機溶剤液Ｓを７０
℃±５℃の温度に加熱する。
ォータマーク等の汚染物質が付着することを抑制できる
基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置１０は、処理すべき基板
（例えばウェーハＷ）を収容する処理槽１１と、処理槽
１１の内部に処理液（例えば純水Ｊ）を供給する処理液
導入管２１と、有機溶剤液（例えばＩＰＡ液）Ｓを収容
するベーパ発生槽６１と、処理槽１１から処理液を排出
する処理液排出部３０と、ベーパ発生槽６１内の有機溶
剤液Ｓを加熱するための溶剤加熱装置６２を備えてい
る。ベーパ発生槽６１は、有機溶剤液Ｓから発生したベ
ーパを処理槽１１の内部に導入する。溶剤加熱装置６２
は、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにベーパ発生
槽６１内の有機溶剤液Ｓを５０℃±５℃に加熱し、ウェ
ーハＷの表面が親水性であるときに有機溶剤液Ｓを７０
℃±５℃の温度に加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
−ハ、液晶表示装置用の基板、記録ディスク用の基板、
あるいはマスク用基板や、その他の基板を処理するため
の基板処理装置に関する。
−ハ、液晶表示装置用の基板、記録ディスク用の基板、
あるいはマスク用基板や、その他の基板を処理するため
の基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、ウェ−ハの
表面を清浄なものにするために、薬液や純水等の処理液
によってウェ−ハを処理することが行われている。従来
より、ウェ−ハ表面を薬液によって洗浄したのち、純水
等の処理液によってリンスを行い、さらにイソプロピル
アルコール等の有機溶剤を用いてウェ−ハを乾燥させる
といった処理が行われている。この明細書ではイソプロ
ピルアルコールをＩＰＡと略称することもある。
表面を清浄なものにするために、薬液や純水等の処理液
によってウェ−ハを処理することが行われている。従来
より、ウェ−ハ表面を薬液によって洗浄したのち、純水
等の処理液によってリンスを行い、さらにイソプロピル
アルコール等の有機溶剤を用いてウェ−ハを乾燥させる
といった処理が行われている。この明細書ではイソプロ
ピルアルコールをＩＰＡと略称することもある。
【０００３】例えば、ウェーハを純水によって洗浄した
のち、このウェーハをＩＰＡのベーパにさらすことによ
り、ウェーハの表面にＩＰＡを凝縮させる。このＩＰＡ
の凝縮により、それまでウェーハに付着していた純水が
ＩＰＡと置換し、純水がウェーハの表面から流れ落ちる
ことに伴い、パーティクル等の汚染物質が洗い流され
る。そののちＩＰＡが蒸発することにより、ウェーハの
表面が乾燥する。この乾燥の過程で基板の表面に水滴が
僅かでも残ると、基板の表面にウォータマークとよばれ
る酸化膜が形成される。ウォータマークはパーティクル
と同様に基板の品質を悪化させる原因となるため、これ
らの汚染物質が基板に付着することを極力回避すること
が望まれる。
のち、このウェーハをＩＰＡのベーパにさらすことによ
り、ウェーハの表面にＩＰＡを凝縮させる。このＩＰＡ
の凝縮により、それまでウェーハに付着していた純水が
ＩＰＡと置換し、純水がウェーハの表面から流れ落ちる
ことに伴い、パーティクル等の汚染物質が洗い流され
る。そののちＩＰＡが蒸発することにより、ウェーハの
表面が乾燥する。この乾燥の過程で基板の表面に水滴が
僅かでも残ると、基板の表面にウォータマークとよばれ
る酸化膜が形成される。ウォータマークはパーティクル
と同様に基板の品質を悪化させる原因となるため、これ
らの汚染物質が基板に付着することを極力回避すること
が望まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板（例えばウェー
ハ）が薬液によって処理された場合、基板の表面状態は
処理の種類によって異なる。例えばフッ酸系薬液による
処理がなされた半導体ウェーハの表面は疎水性となり、
それ以外の処理では一般に基板の表面が親水性となる。
従来の基板処理装置では、基板表面が疎水性，親水性に
かかわりなく同等の条件でベーパを発生させている。し
かし本発明者らの研究によると、基板の表面が疎水性で
ある場合と親水性である場合とでは、乾燥後の基板に残
る汚染物質の量に相違があることが判明した。そして本
発明者らは、汚染物質の付着量が有機溶剤ベーパの発生
量と関連があることも突き止めた。
ハ）が薬液によって処理された場合、基板の表面状態は
処理の種類によって異なる。例えばフッ酸系薬液による
処理がなされた半導体ウェーハの表面は疎水性となり、
それ以外の処理では一般に基板の表面が親水性となる。
従来の基板処理装置では、基板表面が疎水性，親水性に
かかわりなく同等の条件でベーパを発生させている。し
かし本発明者らの研究によると、基板の表面が疎水性で
ある場合と親水性である場合とでは、乾燥後の基板に残
る汚染物質の量に相違があることが判明した。そして本
発明者らは、汚染物質の付着量が有機溶剤ベーパの発生
量と関連があることも突き止めた。
【０００５】従って本発明の目的は、基板の表面に付着
する汚染物質をより少なくすることができるような基板
処理装置を提供することにある。
する汚染物質をより少なくすることができるような基板
処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を果たすための
本発明の基板処理装置は、処理すべき基板を収容する処
理槽と、前記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供
給手段と、有機溶剤液を収容し、該有機溶剤液から発生
したベーパを前記処理槽の内部に導入するベーパ発生槽
と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手
段と、前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液を加熱するため
の溶剤加熱装置であって、前記処理槽内に収容される前
記基板の表面が疎水性であるときに前記有機溶剤液を第
１の温度に加熱し、前記基板の表面が親水性であるとき
に前記有機溶剤液を前記第１の温度よりも高い第２の温
度に加熱する溶剤加熱装置とを具備している。
本発明の基板処理装置は、処理すべき基板を収容する処
理槽と、前記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供
給手段と、有機溶剤液を収容し、該有機溶剤液から発生
したベーパを前記処理槽の内部に導入するベーパ発生槽
と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手
段と、前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液を加熱するため
の溶剤加熱装置であって、前記処理槽内に収容される前
記基板の表面が疎水性であるときに前記有機溶剤液を第
１の温度に加熱し、前記基板の表面が親水性であるとき
に前記有機溶剤液を前記第１の温度よりも高い第２の温
度に加熱する溶剤加熱装置とを具備している。
【０００７】この発明では、基板の表面が疎水性の場合
にベーパ発生槽内の有機溶剤液を第１の温度に加熱す
る。基板の表面が親水性の場合には、ベーパ発生槽内の
有機溶剤液を比較的高温の第２の温度に加熱する。この
ベーパ発生槽に不活性ガスを供給するなどして、有機溶
剤液のベーパを発生させ、処理槽に導入する。第２の温
度に加熱された有機溶剤液は、第１の温度に加熱された
有機溶剤液よりも多量のベーパを発生する。このベーパ
が基板の表面に凝縮することにより、それまで基板に付
着していた処理液（例えば純水）が有機溶剤と置換し、
処理液が基板の表面から流れ落ちるとともに、パーティ
クル等の汚染物質が洗い流される。そののち有機溶剤が
蒸発することにより、基板の表面が乾燥する。
にベーパ発生槽内の有機溶剤液を第１の温度に加熱す
る。基板の表面が親水性の場合には、ベーパ発生槽内の
有機溶剤液を比較的高温の第２の温度に加熱する。この
ベーパ発生槽に不活性ガスを供給するなどして、有機溶
剤液のベーパを発生させ、処理槽に導入する。第２の温
度に加熱された有機溶剤液は、第１の温度に加熱された
有機溶剤液よりも多量のベーパを発生する。このベーパ
が基板の表面に凝縮することにより、それまで基板に付
着していた処理液（例えば純水）が有機溶剤と置換し、
処理液が基板の表面から流れ落ちるとともに、パーティ
クル等の汚染物質が洗い流される。そののち有機溶剤が
蒸発することにより、基板の表面が乾燥する。
【０００８】前記処理液の一例は純水、有機溶剤の一例
はイソプロピルアルコールである。その場合、前記第１
の温度を５０℃±５℃、第２の温度を７０℃±５℃とす
るとよい。
はイソプロピルアルコールである。その場合、前記第１
の温度を５０℃±５℃、第２の温度を７０℃±５℃とす
るとよい。
【０００９】本発明の基板処理装置は、前記第１の温度
に加熱された有機溶剤液を収容する第１の溶剤加熱槽
と、前記第２の温度に加熱された有機溶剤液を収容する
第２の溶剤加熱槽と、これら有機溶剤加熱槽と前記ベー
パ発生槽とをつなぐ配管系と、前記配管系に設けられ、
前記処理槽に収容される基板の表面が疎水性の場合に前
記第１の溶剤加熱槽を前記ベーパ発生槽に連通させ、前
記処理槽に収容される基板の表面が親水性の場合に前記
第２の溶剤加熱槽を前記ベーパ発生槽に連通させる切換
手段とを備えているとよい。
に加熱された有機溶剤液を収容する第１の溶剤加熱槽
と、前記第２の温度に加熱された有機溶剤液を収容する
第２の溶剤加熱槽と、これら有機溶剤加熱槽と前記ベー
パ発生槽とをつなぐ配管系と、前記配管系に設けられ、
前記処理槽に収容される基板の表面が疎水性の場合に前
記第１の溶剤加熱槽を前記ベーパ発生槽に連通させ、前
記処理槽に収容される基板の表面が親水性の場合に前記
第２の溶剤加熱槽を前記ベーパ発生槽に連通させる切換
手段とを備えているとよい。
【００１０】本発明の基板処理装置は、基板の表面が疎
水性であるときにベーパ発生槽内の有機溶剤液に第１の
量のバブリング用不活性ガスを供給し、基板の表面が親
水性であるときに前記第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を
備えていてもよい。
水性であるときにベーパ発生槽内の有機溶剤液に第１の
量のバブリング用不活性ガスを供給し、基板の表面が親
水性であるときに前記第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を
備えていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施形態に
ついて図１と図２を参照して説明する。図１に示す基板
処理装置１０は、基板の一例としての半導体ウェーハＷ
を処理するための設備である。ここで言う処理とは、例
えばウェーハＷを薬液によってエッチングしたり、例え
ばウェーハＷの表面をフッ酸処理する工程、あるいはウ
ェーハＷを水洗い（リンス）する処理、水洗い後のウェ
ーハＷを有機溶剤を用いて乾燥させる処理などである。
これらの処理は以下に説明する処理槽１１を用いて順次
行われる。有機溶剤の一例はＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）である。
ついて図１と図２を参照して説明する。図１に示す基板
処理装置１０は、基板の一例としての半導体ウェーハＷ
を処理するための設備である。ここで言う処理とは、例
えばウェーハＷを薬液によってエッチングしたり、例え
ばウェーハＷの表面をフッ酸処理する工程、あるいはウ
ェーハＷを水洗い（リンス）する処理、水洗い後のウェ
ーハＷを有機溶剤を用いて乾燥させる処理などである。
これらの処理は以下に説明する処理槽１１を用いて順次
行われる。有機溶剤の一例はＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）である。
【００１２】処理槽１１は、上面が開口した有底箱形の
内槽１５と、内槽１５の上部外周を包囲する外槽１６と
を備えている。内槽１５の底部に処理液供給部２０が設
けられている。処理液供給部２０は処理液導入管２１に
接続されている。これら処理液供給部２０や処理液導入
管２１は、この発明で言う処理液供給手段を構成してい
る。
内槽１５と、内槽１５の上部外周を包囲する外槽１６と
を備えている。内槽１５の底部に処理液供給部２０が設
けられている。処理液供給部２０は処理液導入管２１に
接続されている。これら処理液供給部２０や処理液導入
管２１は、この発明で言う処理液供給手段を構成してい
る。
【００１３】処理液導入管２１は、流量制御弁２２を介
して純水供給源２３に接続されている。この処理液導入
管２１には、流量制御弁２４を介して薬液供給源２５も
接続されている。処理液供給手段として機能する薬液供
給源２５は、所望の薬液を所定濃度および所定温度に調
製するための薬液調合手段を備えている。薬液は、処理
の目的（例えば洗浄、エッチング、酸化等の処理）に応
じて、例えばフッ酸、塩酸、過酸化水素水、硫酸、オゾ
ン水、アンモニア水、アルカリ性洗剤、界面活性剤、ア
ミン系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、電解イオン水など
から選択され、必要に応じてこれら複数の薬液を混合し
たものであってもよい。
して純水供給源２３に接続されている。この処理液導入
管２１には、流量制御弁２４を介して薬液供給源２５も
接続されている。処理液供給手段として機能する薬液供
給源２５は、所望の薬液を所定濃度および所定温度に調
製するための薬液調合手段を備えている。薬液は、処理
の目的（例えば洗浄、エッチング、酸化等の処理）に応
じて、例えばフッ酸、塩酸、過酸化水素水、硫酸、オゾ
ン水、アンモニア水、アルカリ性洗剤、界面活性剤、ア
ミン系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、電解イオン水など
から選択され、必要に応じてこれら複数の薬液を混合し
たものであってもよい。
【００１４】内槽１５の最も低い位置に処理液排出部３
０が設けられている。処理液排出部３０に内槽廃液管３
１が接続されている。これら処理液排出部３０や内槽廃
液管３１は、この発明で言う処理液排出手段を構成して
いる。内槽廃液管３１に、開閉弁３２と、ポンプ３３
と、流量制御弁３４を備えた排気管３５が接続されてい
る。さらにこの内槽廃液管３１に、開閉弁３６とポンプ
３７と流量制御弁３８を備えた排液管３９が接続されて
いる。またこの排液管３９に、開閉弁４０を備えた排水
管４１が接続されている。
０が設けられている。処理液排出部３０に内槽廃液管３
１が接続されている。これら処理液排出部３０や内槽廃
液管３１は、この発明で言う処理液排出手段を構成して
いる。内槽廃液管３１に、開閉弁３２と、ポンプ３３
と、流量制御弁３４を備えた排気管３５が接続されてい
る。さらにこの内槽廃液管３１に、開閉弁３６とポンプ
３７と流量制御弁３８を備えた排液管３９が接続されて
いる。またこの排液管３９に、開閉弁４０を備えた排水
管４１が接続されている。
【００１５】外槽１６は、内槽１５の上部から溢れ出る
処理液を受け入れるためのオーバーフロー槽として機能
する。外槽１６の最も低い位置にドレイン管４２が接続
されている。ドレイン管４２の他端側は排液管３９に接
続されている。内槽１５と外槽１６は、フッ酸やイソプ
ロピルアルコール等の有機溶剤によって腐食されにくい
材料（例えばポリフッ化ビニリデンなど）からなる。
処理液を受け入れるためのオーバーフロー槽として機能
する。外槽１６の最も低い位置にドレイン管４２が接続
されている。ドレイン管４２の他端側は排液管３９に接
続されている。内槽１５と外槽１６は、フッ酸やイソプ
ロピルアルコール等の有機溶剤によって腐食されにくい
材料（例えばポリフッ化ビニリデンなど）からなる。
【００１６】外槽１６の上部に、開閉可能な蓋５０が設
けられている。蓋５０に不活性ガス供給管５１が接続さ
れている。不活性ガス供給管５１は、流量制御弁５２を
介して不活性ガス供給源５３に接続され、常温または加
熱された窒素ガス等の不活性ガスを、処理槽１１の上部
から処理槽１１の内部に供給するようになっている。
けられている。蓋５０に不活性ガス供給管５１が接続さ
れている。不活性ガス供給管５１は、流量制御弁５２を
介して不活性ガス供給源５３に接続され、常温または加
熱された窒素ガス等の不活性ガスを、処理槽１１の上部
から処理槽１１の内部に供給するようになっている。
【００１７】処理槽１１の近傍にベーパ供給機構６０が
設けられている。ベーパ供給機構６０は、外槽１６の近
傍に配置されたベーパ発生槽６１と、有機溶剤を加熱す
るための溶剤加熱装置６２と、これらベーパ発生槽６１
と溶剤加熱装置６２とをつなぐ配管系６３などを備えて
いる。
設けられている。ベーパ供給機構６０は、外槽１６の近
傍に配置されたベーパ発生槽６１と、有機溶剤を加熱す
るための溶剤加熱装置６２と、これらベーパ発生槽６１
と溶剤加熱装置６２とをつなぐ配管系６３などを備えて
いる。
【００１８】ベーパ発生槽６１には、内槽１５の上方に
開口するベーパ吐出口６５と、ベーパ発生槽６１内の有
機溶剤液（ＩＰＡ液）Ｓの温度を検出するための温度セ
ンサ６７が設けられている。ベーパ発生槽６１にバブリ
ング用の不活性ガス供給管７０が接続されている。この
不活性ガス供給管７０は、流量制御弁７１を介して不活
性ガス供給源７２に接続され、常温または加熱された窒
素ガス等の不活性ガスをベーパ発生槽６１の内部に供給
する。不活性ガス供給管７０の途中にヒータ７３が設け
られている。このヒータ７３は、不活性ガス供給管７０
からベーパ発生槽６１に供給される不活性ガスを、有機
溶剤液Ｓの温度に応じて加熱することができるようにな
っている。
開口するベーパ吐出口６５と、ベーパ発生槽６１内の有
機溶剤液（ＩＰＡ液）Ｓの温度を検出するための温度セ
ンサ６７が設けられている。ベーパ発生槽６１にバブリ
ング用の不活性ガス供給管７０が接続されている。この
不活性ガス供給管７０は、流量制御弁７１を介して不活
性ガス供給源７２に接続され、常温または加熱された窒
素ガス等の不活性ガスをベーパ発生槽６１の内部に供給
する。不活性ガス供給管７０の途中にヒータ７３が設け
られている。このヒータ７３は、不活性ガス供給管７０
からベーパ発生槽６１に供給される不活性ガスを、有機
溶剤液Ｓの温度に応じて加熱することができるようにな
っている。
【００１９】これら不活性ガス供給管７０と流量制御弁
７１と不活性ガス供給源７２とヒータ７３等は、この発
明でいう不活性ガス供給手段７４を構成している。不活
性ガス供給手段７４は、ウェーハＷの表面が疎水性であ
るときにベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに第１の量
のバブリング用不活性ガスを供給し、ウェーハＷの表面
が親水性であるときに第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給することができるようにな
っている。
７１と不活性ガス供給源７２とヒータ７３等は、この発
明でいう不活性ガス供給手段７４を構成している。不活
性ガス供給手段７４は、ウェーハＷの表面が疎水性であ
るときにベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに第１の量
のバブリング用不活性ガスを供給し、ウェーハＷの表面
が親水性であるときに第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給することができるようにな
っている。
【００２０】溶剤加熱装置６２は、純水等の加熱媒体８
０を貯溜する槽８１と、加熱媒体８０を加熱するヒータ
８２と、加熱媒体８０の温度を検出する第１の温度セン
サ８３と、槽８１の内部に設けられた溶剤加熱槽（ＩＰ
Ａ槽）８４と、溶剤加熱槽８４に貯溜されたイソプロピ
ルアルコールの温度を検出する第２の温度センサ８５な
どを備えている。
０を貯溜する槽８１と、加熱媒体８０を加熱するヒータ
８２と、加熱媒体８０の温度を検出する第１の温度セン
サ８３と、槽８１の内部に設けられた溶剤加熱槽（ＩＰ
Ａ槽）８４と、溶剤加熱槽８４に貯溜されたイソプロピ
ルアルコールの温度を検出する第２の温度センサ８５な
どを備えている。
【００２１】温度センサ６７，８３，８５による温度検
出値は、マイクロコンピュータ等の演算手段を備えた制
御装置８６に入力される。この制御装置８６は、温度セ
ンサ６７，８３，８５から入力した温度検出値に基い
て、ヒータ８２の発熱量をコントロールすることによ
り、ベーパ発生槽６１の有機溶剤液Ｓを、後述する第１
の温度（５０℃±５℃）および第２の温度（７０℃±５
℃）をはじめとして、ウェーハＷの表面状態に応じて所
望温度に加熱することができるようになっている。
出値は、マイクロコンピュータ等の演算手段を備えた制
御装置８６に入力される。この制御装置８６は、温度セ
ンサ６７，８３，８５から入力した温度検出値に基い
て、ヒータ８２の発熱量をコントロールすることによ
り、ベーパ発生槽６１の有機溶剤液Ｓを、後述する第１
の温度（５０℃±５℃）および第２の温度（７０℃±５
℃）をはじめとして、ウェーハＷの表面状態に応じて所
望温度に加熱することができるようになっている。
【００２２】配管系６３は、ベーパ発生槽６１の底部に
接続された有機溶剤給排管９０と、有機溶剤給排管９０
にポンプ９１を介して接続された有機溶剤供給管９２
と、ベーパ発生槽６１の上部に接続された有機溶剤戻り
管９３などを備えている。有機溶剤供給管９２は溶剤加
熱槽８４に連通し、溶剤加熱槽８４内の有機溶剤液Ｓを
ポンプ９１を経てベーパ発生槽６１に供給することがで
きるようになっている。有機溶剤戻り管９３は、ベーパ
発生槽６１においてオーバーフローした有機溶剤液Ｓ
を、溶剤加熱槽８４に戻すことができるようになってい
る。さらに有機溶剤給排管９０には、ベーパ発生槽６１
内の有機溶剤液Ｓを排出する際に開弁される廃液弁９４
が設けられている。溶剤加熱槽８４には、有機溶剤補給
用の管９５を介して有機溶剤の供給源９６が接続されて
いる。図１においては、便宜上、廃液弁９４の上方に有
機溶剤戻り管９３が描かれているが、実際の装置では有
機溶剤戻り管９３は廃液弁９４よりも低い位置にある。
接続された有機溶剤給排管９０と、有機溶剤給排管９０
にポンプ９１を介して接続された有機溶剤供給管９２
と、ベーパ発生槽６１の上部に接続された有機溶剤戻り
管９３などを備えている。有機溶剤供給管９２は溶剤加
熱槽８４に連通し、溶剤加熱槽８４内の有機溶剤液Ｓを
ポンプ９１を経てベーパ発生槽６１に供給することがで
きるようになっている。有機溶剤戻り管９３は、ベーパ
発生槽６１においてオーバーフローした有機溶剤液Ｓ
を、溶剤加熱槽８４に戻すことができるようになってい
る。さらに有機溶剤給排管９０には、ベーパ発生槽６１
内の有機溶剤液Ｓを排出する際に開弁される廃液弁９４
が設けられている。溶剤加熱槽８４には、有機溶剤補給
用の管９５を介して有機溶剤の供給源９６が接続されて
いる。図１においては、便宜上、廃液弁９４の上方に有
機溶剤戻り管９３が描かれているが、実際の装置では有
機溶剤戻り管９３は廃液弁９４よりも低い位置にある。
【００２３】次に、上記基板処理装置１０の機能につい
て説明する。基板の一例であるウェーハＷを薬液によっ
て処理する場合には、所望の薬液が薬液供給源２５から
処理液導入管２１と処理液供給部２０を通って内槽１５
に供給される。この薬液にウェーハＷが所定時間浸漬さ
れることによって、薬液に応じた処理（例えばエッチン
グやフッ酸処理、洗浄等）が行われる。
て説明する。基板の一例であるウェーハＷを薬液によっ
て処理する場合には、所望の薬液が薬液供給源２５から
処理液導入管２１と処理液供給部２０を通って内槽１５
に供給される。この薬液にウェーハＷが所定時間浸漬さ
れることによって、薬液に応じた処理（例えばエッチン
グやフッ酸処理、洗浄等）が行われる。
【００２４】所定時間の薬液処理が終了したのち、純水
供給源２３から送られる純水が、処理液導入管２１と処
理液供給部２０を通って内槽１５に供給される。この純
水は内槽１５内に残留していた前記薬液を押し出しつ
つ、内槽１５の上部から溢れて外槽１６に流れ込み、ド
レイン管４２から配水管４１を通って排出される。こう
して純水を所定時間内槽１５に供給し続けることによ
り、内槽１５の内部が新鮮な純水によって洗浄されると
ともに、内槽１５を純水で満たし続けることができる。
供給源２３から送られる純水が、処理液導入管２１と処
理液供給部２０を通って内槽１５に供給される。この純
水は内槽１５内に残留していた前記薬液を押し出しつ
つ、内槽１５の上部から溢れて外槽１６に流れ込み、ド
レイン管４２から配水管４１を通って排出される。こう
して純水を所定時間内槽１５に供給し続けることによ
り、内槽１５の内部が新鮮な純水によって洗浄されると
ともに、内槽１５を純水で満たし続けることができる。
【００２５】以下に、上記処理装置１０を用いてウェー
ハＷの洗浄とリンスおよび乾燥工程を実施する場合につ
いて、図２に示すタイムチャートを参照して説明する。
純水供給源２３から送られる純水が、処理液導入管２１
と処理液供給部２０を通って内槽１５に供給され、内槽
１５から溢れた純水がドレイン管４２から配水管４１を
通って排出される。待機状態では、このようして新鮮な
純水Ｊが内槽１５に供給され続ける。
ハＷの洗浄とリンスおよび乾燥工程を実施する場合につ
いて、図２に示すタイムチャートを参照して説明する。
純水供給源２３から送られる純水が、処理液導入管２１
と処理液供給部２０を通って内槽１５に供給され、内槽
１５から溢れた純水がドレイン管４２から配水管４１を
通って排出される。待機状態では、このようして新鮮な
純水Ｊが内槽１５に供給され続ける。
【００２６】一方、ベーパ供給機構６０は、ベーパ発生
槽６１内の有機溶剤液ＳがウェーハＷの表面状態に応じ
た温度となるように、溶剤加熱槽８４内の有機溶剤液Ｓ
を有機溶剤供給管９２を介してベーパ発生槽６１に供給
する。ベーパ発生槽６１内に供給された有機溶剤液Ｓ
は、ベーパ発生槽６１から溢れた分が戻り管９３から溶
剤加熱槽８４に戻される。こうして有機溶剤液Ｓがベー
パ発生槽６１と溶剤加熱槽８４との間を循環することに
より、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓが一定温度に
保たれる。
槽６１内の有機溶剤液ＳがウェーハＷの表面状態に応じ
た温度となるように、溶剤加熱槽８４内の有機溶剤液Ｓ
を有機溶剤供給管９２を介してベーパ発生槽６１に供給
する。ベーパ発生槽６１内に供給された有機溶剤液Ｓ
は、ベーパ発生槽６１から溢れた分が戻り管９３から溶
剤加熱槽８４に戻される。こうして有機溶剤液Ｓがベー
パ発生槽６１と溶剤加熱槽８４との間を循環することに
より、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓが一定温度に
保たれる。
【００２７】例えばウェーハＷの表面が疎水性の場合に
は、以下に述べる理由により、第１の温度（５０℃±５
℃）に加熱された有機溶剤液Ｓがベーパ発生槽６１に供
給される。ウェーハＷの表面が親水性の場合には、第２
の温度（７０℃±５℃）に加熱された有機溶剤液Ｓがベ
ーパ発生槽６１に供給される。
は、以下に述べる理由により、第１の温度（５０℃±５
℃）に加熱された有機溶剤液Ｓがベーパ発生槽６１に供
給される。ウェーハＷの表面が親水性の場合には、第２
の温度（７０℃±５℃）に加熱された有機溶剤液Ｓがベ
ーパ発生槽６１に供給される。
【００２８】処理槽１１の蓋５０を開け、ウェーハＷを
内槽１５内の純水Ｊに投入したのち蓋５０を閉じる。さ
らに処理槽１１の内部に不活性ガス供給管５１から窒素
等の不活性ガスを供給する。処理槽１１内の空気が不活
性ガスと置換したのち不活性ガスの供給を停止する。
内槽１５内の純水Ｊに投入したのち蓋５０を閉じる。さ
らに処理槽１１の内部に不活性ガス供給管５１から窒素
等の不活性ガスを供給する。処理槽１１内の空気が不活
性ガスと置換したのち不活性ガスの供給を停止する。
【００２９】制御装置８６に記憶された処理手順に従っ
てウェーハＷの水洗とリンスがなされたのち、ベーパ発
生槽６１の内部に、不活性ガス供給管７０によってバブ
リング用の窒素等の不活性ガスが供給される。ベーパ発
生槽６１に供給される不活性ガスは、ヒータ７３によ
り、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに対応した温度
に調節される。この不活性ガスによるバブリング（例え
ば１分程度）によって、ベーパ発生槽６１内に有機溶剤
液Ｓのベーパが発生する。発生したベーパはベーパ吐出
口６５から処理槽１１の内部に導入され、純水Ｊの上の
空間に充満する。
てウェーハＷの水洗とリンスがなされたのち、ベーパ発
生槽６１の内部に、不活性ガス供給管７０によってバブ
リング用の窒素等の不活性ガスが供給される。ベーパ発
生槽６１に供給される不活性ガスは、ヒータ７３によ
り、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに対応した温度
に調節される。この不活性ガスによるバブリング（例え
ば１分程度）によって、ベーパ発生槽６１内に有機溶剤
液Ｓのベーパが発生する。発生したベーパはベーパ吐出
口６５から処理槽１１の内部に導入され、純水Ｊの上の
空間に充満する。
【００３０】不活性ガス供給手段７４は、ウェーハＷが
疎水性であるときに第１の量のバブリング用不活性ガス
をベーパ発生槽６１に供給し、ウェーハＷが親水性であ
るときに第１の量よりも多い第２の量のバブリング用不
活性ガスをベーパ発生槽６１に供給してもよい。このよ
うにウェーハＷの表面状態に応じて不活性ガスの量を変
化させることにより、疎水性のウェーハＷを処理する場
合に比較して、親水性のウェーハＷを処理する場合のベ
ーパ発生量を多くすることができる。
疎水性であるときに第１の量のバブリング用不活性ガス
をベーパ発生槽６１に供給し、ウェーハＷが親水性であ
るときに第１の量よりも多い第２の量のバブリング用不
活性ガスをベーパ発生槽６１に供給してもよい。このよ
うにウェーハＷの表面状態に応じて不活性ガスの量を変
化させることにより、疎水性のウェーハＷを処理する場
合に比較して、親水性のウェーハＷを処理する場合のベ
ーパ発生量を多くすることができる。
【００３１】そののち排水工程に移り、内槽排液管３１
の開閉弁３６を開けることにより、流量制御弁３８を介
して内槽１５内の純水Ｊが少しずつ排出される。純水Ｊ
が排出されることに伴ない、純水Ｊの液面が下がるた
め、ウェーハＷがその上端から液面上に次第に露出して
ゆく。
の開閉弁３６を開けることにより、流量制御弁３８を介
して内槽１５内の純水Ｊが少しずつ排出される。純水Ｊ
が排出されることに伴ない、純水Ｊの液面が下がるた
め、ウェーハＷがその上端から液面上に次第に露出して
ゆく。
【００３２】ウェーハＷの表面が液面上に露出すること
に伴い、処理槽１１内の有機溶剤のベーパが液面上のウ
ェーハＷの表面に触れる。ここで処理槽１１内の純水Ｊ
はほぼ室温となっているため、ウェーハＷの温度もほぼ
室温となっている。このため有機溶剤のベーパがウェー
ハＷに触れて急冷されることにより、液面上のウェーハ
Ｗの表面に有機溶剤のベーパが凝縮して有機溶剤の膜を
形成してゆく。ウェーハＷの表面に有機溶剤の膜が形成
されると、それまでウェーハＷに付着していた純水が有
機溶剤と置換することにより、ウェーハＷの表面から流
れ落ちる。
に伴い、処理槽１１内の有機溶剤のベーパが液面上のウ
ェーハＷの表面に触れる。ここで処理槽１１内の純水Ｊ
はほぼ室温となっているため、ウェーハＷの温度もほぼ
室温となっている。このため有機溶剤のベーパがウェー
ハＷに触れて急冷されることにより、液面上のウェーハ
Ｗの表面に有機溶剤のベーパが凝縮して有機溶剤の膜を
形成してゆく。ウェーハＷの表面に有機溶剤の膜が形成
されると、それまでウェーハＷに付着していた純水が有
機溶剤と置換することにより、ウェーハＷの表面から流
れ落ちる。
【００３３】内槽１５内の純水Ｊが排出されたのちに、
ベーパ発生槽６１への不活性ガスの供給とバブリングを
停止する。そしてベーパ発生槽６１内の有機溶剤液を有
機溶剤給排管９０を経て溶剤加熱槽８４に戻し、排気工
程に移る。
ベーパ発生槽６１への不活性ガスの供給とバブリングを
停止する。そしてベーパ発生槽６１内の有機溶剤液を有
機溶剤給排管９０を経て溶剤加熱槽８４に戻し、排気工
程に移る。
【００３４】排気工程では、不活性ガス供給管５１から
常温または加熱された不活性ガスが処理槽１１に供給さ
れ続けるとともに、処理槽１１内のベーパおよびウェー
ハＷの表面から発散した有機溶剤を含むガスが、処理液
排出部３０と排気管３５を経て排気処理設備（図示せ
ず）に排出される。
常温または加熱された不活性ガスが処理槽１１に供給さ
れ続けるとともに、処理槽１１内のベーパおよびウェー
ハＷの表面から発散した有機溶剤を含むガスが、処理液
排出部３０と排気管３５を経て排気処理設備（図示せ
ず）に排出される。
【００３５】所定時間の排気工程が終了したのち、蓋５
０が開放され、ウェーハＷが処理槽１１から取出され
る。そののち、処理液導入管２１によって、純水が内槽
１５に供給される。内槽１５に供給された純水は内槽１
５の上端から溢れ、ドレイン管４２を経て処理槽１１の
外部に排出される。こうして常に新鮮な純水が内槽１５
に供給され、待機状態に戻る。
０が開放され、ウェーハＷが処理槽１１から取出され
る。そののち、処理液導入管２１によって、純水が内槽
１５に供給される。内槽１５に供給された純水は内槽１
５の上端から溢れ、ドレイン管４２を経て処理槽１１の
外部に排出される。こうして常に新鮮な純水が内槽１５
に供給され、待機状態に戻る。
【００３６】一方、ベーパ供給機構６０は、ウェーハＷ
の表面状態に応じた温度に加熱された有機溶剤液Ｓをベ
ーパ発生槽６１に供給するとともに、ベーパ発生槽６１
内の余分な有機溶剤液Ｓを溶剤加熱槽８４に戻す。図１
においては、便宜上、廃液弁９４の上に有機溶剤戻り管
９３が描かれているが、実際の装置では有機溶剤戻り管
９３は廃液弁９４よりも低い位置にあり、ベーパ発生槽
６１内の有機溶剤液Ｓは重力によって有機溶剤給排管９
０と廃液弁９４と有機溶剤戻り管９３を通って溶剤加熱
槽８４に回収される。こうして有機溶剤液Ｓがベーパ発
生槽６１と溶剤加熱槽８４との間を循環することによ
り、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓが所定温度に保
たれる。
の表面状態に応じた温度に加熱された有機溶剤液Ｓをベ
ーパ発生槽６１に供給するとともに、ベーパ発生槽６１
内の余分な有機溶剤液Ｓを溶剤加熱槽８４に戻す。図１
においては、便宜上、廃液弁９４の上に有機溶剤戻り管
９３が描かれているが、実際の装置では有機溶剤戻り管
９３は廃液弁９４よりも低い位置にあり、ベーパ発生槽
６１内の有機溶剤液Ｓは重力によって有機溶剤給排管９
０と廃液弁９４と有機溶剤戻り管９３を通って溶剤加熱
槽８４に回収される。こうして有機溶剤液Ｓがベーパ発
生槽６１と溶剤加熱槽８４との間を循環することによ
り、ベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓが所定温度に保
たれる。
【００３７】下記表１は、以上説明した基板処理装置１
０を使ってバッチ処理により５０枚のウェーハＷを純水
により洗浄し、これらのウェーハＷを乾燥させた場合の
パーティクル（０．１６μｍ以上）の残留量を調べた結
果を示している。この試験において、ウェーハＷは垂直
な姿勢となるように所定ピッチで互いに平行に５０枚並
べてホルダによって支持し、内槽１５に収容した。不活
性ガス供給管７０からベーパ発生槽６１に供給するバブ
リング用の窒素ガスの量は１０リットル／分とした。
０を使ってバッチ処理により５０枚のウェーハＷを純水
により洗浄し、これらのウェーハＷを乾燥させた場合の
パーティクル（０．１６μｍ以上）の残留量を調べた結
果を示している。この試験において、ウェーハＷは垂直
な姿勢となるように所定ピッチで互いに平行に５０枚並
べてホルダによって支持し、内槽１５に収容した。不活
性ガス供給管７０からベーパ発生槽６１に供給するバブ
リング用の窒素ガスの量は１０リットル／分とした。
【００３８】表１においてＮｏ．１は内槽１５の最も奥
に位置するウェーハ、Ｎｏ．２は内槽１５の中央に位置
するウェーハ、Ｎｏ．３は内槽１５の最も手前側に位置
するウェーハである。洗浄前のウェーハ１枚当たりパー
ティクル数は１０〜３０個であった。
に位置するウェーハ、Ｎｏ．２は内槽１５の中央に位置
するウェーハ、Ｎｏ．３は内槽１５の最も手前側に位置
するウェーハである。洗浄前のウェーハ１枚当たりパー
ティクル数は１０〜３０個であった。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１の結果からも判るように、ウェーハＷ
の表面が疎水性であるときに有機溶剤液Ｓを第１の温度
（５０℃〜５５℃）に加熱し、ウェーハＷの表面が親水
性であるときに有機溶剤液Ｓを第１の温度よりも高い第
２の温度（７０℃〜７５℃）に加熱することにより、パ
ーティクルの量が大幅に減少することが判明した。すな
わち、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにベーパの
発生量を比較的少なくし、ウェーハＷの表面が親水性で
あるときにベーパの発生量を多くすることによって、汚
染物質の付着をより効果的に低減できた。なお、第１の
温度が５０℃±５℃、第２の温度が７０℃±５℃であれ
ば、上記と同様の効果が認められた。また、異物として
のパーティクルだけでなく、ウォータマークも含めて同
様の効果が認められた。
の表面が疎水性であるときに有機溶剤液Ｓを第１の温度
（５０℃〜５５℃）に加熱し、ウェーハＷの表面が親水
性であるときに有機溶剤液Ｓを第１の温度よりも高い第
２の温度（７０℃〜７５℃）に加熱することにより、パ
ーティクルの量が大幅に減少することが判明した。すな
わち、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにベーパの
発生量を比較的少なくし、ウェーハＷの表面が親水性で
あるときにベーパの発生量を多くすることによって、汚
染物質の付着をより効果的に低減できた。なお、第１の
温度が５０℃±５℃、第２の温度が７０℃±５℃であれ
ば、上記と同様の効果が認められた。また、異物として
のパーティクルだけでなく、ウォータマークも含めて同
様の効果が認められた。
【００４１】また下記表２に示すように、ウェーハＷが
疎水性であるときに第１の量（例えば１０リットル／
分）のバブリング用不活性ガスを不活性ガス供給手段７
４によってベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに供給
し、ウェーハＷが親水性であるときに第１の量よりも多
い第２の量（例えば３０リットル／分）のバブリング用
不活性ガスを有機溶剤液Ｓに供給した場合も、パーティ
クルの付着量を減らすことができた。表２においてベー
パ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓの温度は、親水性，疎水
性のいずれも場合も５０℃〜５５℃である。
疎水性であるときに第１の量（例えば１０リットル／
分）のバブリング用不活性ガスを不活性ガス供給手段７
４によってベーパ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓに供給
し、ウェーハＷが親水性であるときに第１の量よりも多
い第２の量（例えば３０リットル／分）のバブリング用
不活性ガスを有機溶剤液Ｓに供給した場合も、パーティ
クルの付着量を減らすことができた。表２においてベー
パ発生槽６１内の有機溶剤液Ｓの温度は、親水性，疎水
性のいずれも場合も５０℃〜５５℃である。
【００４２】
【表２】
【００４３】表２からも判るように、種々のテストの結
果、基板（ウェーハＷ）の表面が親水性である場合に不
活性ガスのバブリング量を２５±５リットル／分と比較
的多くし、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにバブ
リング量を５±５リットル／分と少なくすることによ
り、ウォータマークも含めてパーティクルの付着量を減
らせることが判った。
果、基板（ウェーハＷ）の表面が親水性である場合に不
活性ガスのバブリング量を２５±５リットル／分と比較
的多くし、ウェーハＷの表面が疎水性であるときにバブ
リング量を５±５リットル／分と少なくすることによ
り、ウォータマークも含めてパーティクルの付着量を減
らせることが判った。
【００４４】図３は本発明の第２の実施形態の基板処理
装置１０′を示している。この基板処理装置１０′は、
互いに異なる温度の有機溶剤液を収容する複数の溶剤加
熱槽８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｎと、各溶剤加熱槽
８４ａ〜８４ｎとベーパ発生槽６１をつなぐ配管系６３
と、例えば切換弁などを含む切換手段１００を備えてい
る。第１の溶剤加熱槽８４ａには第１の温度（５０℃±
５℃）に加熱されたＩＰＡ液が収容され、第２の溶剤加
熱槽８４ｂには第２の温度（７０℃±５℃）に加熱され
たＩＰＡ液が収容される。それ以外の溶剤加熱槽８４
ｃ，８４ｎにも、それぞれ基板の表面状態に適した温度
の有機溶剤液が収容されている。
装置１０′を示している。この基板処理装置１０′は、
互いに異なる温度の有機溶剤液を収容する複数の溶剤加
熱槽８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｎと、各溶剤加熱槽
８４ａ〜８４ｎとベーパ発生槽６１をつなぐ配管系６３
と、例えば切換弁などを含む切換手段１００を備えてい
る。第１の溶剤加熱槽８４ａには第１の温度（５０℃±
５℃）に加熱されたＩＰＡ液が収容され、第２の溶剤加
熱槽８４ｂには第２の温度（７０℃±５℃）に加熱され
たＩＰＡ液が収容される。それ以外の溶剤加熱槽８４
ｃ，８４ｎにも、それぞれ基板の表面状態に適した温度
の有機溶剤液が収容されている。
【００４５】切換手段１００は、基板の表面状態に応じ
た温度の有機溶剤をベーパ発生槽６１に供給することが
できるように、溶剤加熱槽８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８
４ｎからベーパ発生槽６１に至る経路を切換える機能を
有している。例えば基板が疎水性の場合には、第１の溶
剤加熱槽８４ａをベーパ発生槽６１に連通させ、基板の
表面が親水性の場合に第２の溶剤加熱槽８４ｂをベーパ
発生槽６１に連通させる。
た温度の有機溶剤をベーパ発生槽６１に供給することが
できるように、溶剤加熱槽８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８
４ｎからベーパ発生槽６１に至る経路を切換える機能を
有している。例えば基板が疎水性の場合には、第１の溶
剤加熱槽８４ａをベーパ発生槽６１に連通させ、基板の
表面が親水性の場合に第２の溶剤加熱槽８４ｂをベーパ
発生槽６１に連通させる。
【００４６】このように複数の溶剤加熱槽８４ａ〜８４
ｎを必要に応じて切換えることができる構成であれば、
基板の種類が変ったときなどに、基板の表面状態に適し
た温度の有機溶剤液を迅速にベーパ発生槽６１に供給す
ることができる。これらの点以外の構成と作用、効果に
ついては第１の実施形態と同様であるから説明は省略す
る。
ｎを必要に応じて切換えることができる構成であれば、
基板の種類が変ったときなどに、基板の表面状態に適し
た温度の有機溶剤液を迅速にベーパ発生槽６１に供給す
ることができる。これらの点以外の構成と作用、効果に
ついては第１の実施形態と同様であるから説明は省略す
る。
【００４７】なお、本発明の基板処理装置は前記実施形
態に制約されるものではなく、本発明を実施するに当た
って、処理槽をはじめとして、処理液供給手段やベーパ
発生槽、処理液排出手段、溶剤加熱装置、第１および第
２の温度などの具体的な態様など、この発明を構成する
各要素をこの発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜に変形
して実施できることは言うまでもない。また本発明の基
板処理装置は、半導体ウェーハ以外の基板、例えば、液
晶表示装置用のガラス基板や、光記録ディスクおよび磁
気記録ディスク等の記録ディスク用基板などの各種基板
を処理する用途にも適用することができる。
態に制約されるものではなく、本発明を実施するに当た
って、処理槽をはじめとして、処理液供給手段やベーパ
発生槽、処理液排出手段、溶剤加熱装置、第１および第
２の温度などの具体的な態様など、この発明を構成する
各要素をこの発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜に変形
して実施できることは言うまでもない。また本発明の基
板処理装置は、半導体ウェーハ以外の基板、例えば、液
晶表示装置用のガラス基板や、光記録ディスクおよび磁
気記録ディスク等の記録ディスク用基板などの各種基板
を処理する用途にも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】請求項１に記載した発明によれば、基板
の表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御する
ことによって、基板表面にパーティクルやウォータマー
ク等の汚染物質が付着することを抑制することができ、
高品質の基板を得ることができる。
の表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御する
ことによって、基板表面にパーティクルやウォータマー
ク等の汚染物質が付着することを抑制することができ、
高品質の基板を得ることができる。
【００４９】請求項２に記載した発明によれば、純水に
よって洗浄された基板をＩＰＡを用いて乾燥させる場合
に、基板の表面状態に応じてパーティクルやウォータマ
ーク等の汚染物質が付着することを抑制することがで
き、高品質の基板を得ることができる。
よって洗浄された基板をＩＰＡを用いて乾燥させる場合
に、基板の表面状態に応じてパーティクルやウォータマ
ーク等の汚染物質が付着することを抑制することがで
き、高品質の基板を得ることができる。
【００５０】請求項３に記載した発明によれば、基板表
面が疎水性ときにベーパ発生槽内のＩＰＡ液を５０℃±
５℃、基板表面が親水性のときに７０℃±５℃に保つこ
とにより、基板表面がいずれの状態にあってもパーティ
クルやウォータマーク等の汚染物質が付着することを抑
制することができる。請求項４に記載した発明によれ
ば、基板の表面状態に応じた温度の有機溶剤をベーパ発
生槽に迅速に供給することができる。
面が疎水性ときにベーパ発生槽内のＩＰＡ液を５０℃±
５℃、基板表面が親水性のときに７０℃±５℃に保つこ
とにより、基板表面がいずれの状態にあってもパーティ
クルやウォータマーク等の汚染物質が付着することを抑
制することができる。請求項４に記載した発明によれ
ば、基板の表面状態に応じた温度の有機溶剤をベーパ発
生槽に迅速に供給することができる。
【００５１】請求項５に記載した発明によれば、基板の
表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御するこ
とによって、基板表面にパーティクルやウォータマーク
等の汚染物質が付着することを抑制することができ、高
品質の基板を得ることができる。
表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御するこ
とによって、基板表面にパーティクルやウォータマーク
等の汚染物質が付着することを抑制することができ、高
品質の基板を得ることができる。
【００５２】請求項６と請求項７に記載した発明によれ
ば、半導体ウェーハ等の基板の処理に適した所望の薬液
を処理槽に供給することができる。請求項８に記載した
発明によれば、内槽に供給された処理液を外槽にオーバ
ーフローさせることによって外槽から排出し、内槽内部
の汚染物質やパーティクル等を連続的に洗い流すことが
できる。
ば、半導体ウェーハ等の基板の処理に適した所望の薬液
を処理槽に供給することができる。請求項８に記載した
発明によれば、内槽に供給された処理液を外槽にオーバ
ーフローさせることによって外槽から排出し、内槽内部
の汚染物質やパーティクル等を連続的に洗い流すことが
できる。
【００５３】請求項９に記載した発明によれば、基板の
表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御するこ
とによって、基板表面にパーティクルやウォータマーク
等の汚染物質が付着することを抑制することができ、高
品質の基板を得ることができる。
表面状態に応じて有機溶剤ベーパの発生量を制御するこ
とによって、基板表面にパーティクルやウォータマーク
等の汚染物質が付着することを抑制することができ、高
品質の基板を得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の基板処理装置を模
式的に示す断面図。
式的に示す断面図。
【図２】 図１に示された基板処理装置の機能を示すタ
イムチャート。
イムチャート。
【図３】 本発明の第２の実施形態の基板処理装置を模
式的に示す側面図。
式的に示す側面図。
１０，１０′…基板処理装置 １１…処理槽 ２１…処理液導入管（処理液供給手段） ３０…処理液排出部（処理液排出手段） ６１…ベーパ発生槽 ６２…溶剤加熱装置 ７４…不活性ガス供給手段 ８４…溶剤加熱槽 Ｗ…ウェーハ（基板の一例） Ｓ…有機溶剤液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中務 勝吉 岡山県浅口郡里庄町新庄金山6078 エス・ イー・エス株式会社グリーンテクノ工場内 (72)発明者 庄盛 博文 岡山県浅口郡里庄町新庄金山6078 エス・ イー・エス株式会社グリーンテクノ工場内 (72)発明者 乙訓 賢二 東京都青梅市今井３−９−18 エス・イ ー・エス株式会社東京事業所内 (72)発明者 渡辺 和俊 東京都板橋区板橋１−42−18 ユニテイフ ォーラムビル６階 株式会社金門コルツ内 (72)発明者 高橋 博樹 茨城県牛久市桂町2200 南桂工業団地 オ メガセミコン電子株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 BB92 BB93 BB95 CB12 CC01 CC11 5F043 AA02 BB01 BB27 EE11 EE12 EE22 EE28 EE31 EE32
Claims (9)
- 【請求項１】処理すべき基板を収容する処理槽と、 前記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供給手段
と、 有機溶剤液を収容し、該有機溶剤液から発生したベーパ
を前記処理槽の内部に導入するベーパ発生槽と、 前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段
と、 前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液を加熱するための溶剤
加熱装置であって、前記処理槽内に収容される前記基板
の表面が疎水性であるときに前記有機溶剤液を第１の温
度に加熱し、前記基板の表面が親水性であるときに前記
有機溶剤液を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加
熱する溶剤加熱装置と、 を具備したことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記処理液が純水であり、前記有機溶剤が
イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項
１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記第１の温度が５０℃±５℃、前記第２
の温度が７０℃±５℃であることを特徴とする請求項２
記載の基板処理装置。 - 【請求項４】前記第１の温度に加熱された有機溶剤液を
収容する第１の溶剤加熱槽と、 前記第２の温度に加熱された有機溶剤液を収容する第２
の溶剤加熱槽と、 これら溶剤加熱槽と前記ベーパ発生槽とをつなぐ配管系
と、 前記配管系に設けられ、前記処理槽に収容される基板の
表面が疎水性の場合に前記第１の溶剤加熱槽を前記ベー
パ発生槽に連通させ、前記処理槽に収容される基板の表
面が親水性の場合に前記第２の溶剤加熱槽を前記ベーパ
発生槽に連通させる切換手段と、 を具備したことを特徴とする請求項１ないし３のうちい
ずれか１項記載の基板処理装置。 - 【請求項５】処理すべき基板を収容する処理槽と、 前記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供給手段
と、 有機溶剤液を収容し、該有機溶剤液から発生したベーパ
を前記処理槽の内部に導入するベーパ発生槽と、 前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段
と、 前記処理槽内に収容される前記基板の表面が疎水性であ
るときに前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液に第１の量の
バブリング用不活性ガスを供給し、前記基板の表面が親
水性であるときに前記第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、 を具備したことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】前記処理液供給手段に、薬液を所定濃度お
よび所定温度に調製する薬液調合手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１または５記載の基板処理装
置。 - 【請求項７】前記薬液がフッ酸、塩酸、過酸化水素水、
硫酸、オゾン水、アンモニア水、アルカリ性洗剤、界面
活性剤、アミン系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、電解イ
オン水から選択された少なくとも１種以上の薬液を含む
ことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。 - 【請求項８】前記処理槽が処理液を収容可能な内槽と、
この内槽の上部から溢れ出た前記処理液を流入させる外
槽とを有し、前記内槽の底部に処理液供給部と処理液排
出部とを互いに独立して設け、前記処理液供給部に処理
液導入管を接続し、かつ、前記外槽の底部にドレイン管
を接続したことを特徴とする請求項１または５記載の基
板処理装置。 - 【請求項９】処理すべき基板を収容する処理槽と、前記
処理槽の内部に処理液を供給する処理液供給手段と、有
機溶剤液を収容し、該有機溶剤液から発生したベーパを
前記処理槽の内部に導入するベーパ発生槽と、 前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段
と、 前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液を加熱するための溶剤
加熱装置であって、前記処理槽内に収容される前記基板
の表面が疎水性であるときに前記有機溶剤液を第１の温
度に加熱し、前記基板の表面が親水性であるときに前記
有機溶剤液を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加
熱する溶剤加熱装置と、 前記処理槽内に収容される前記基板の表面が疎水性であ
るときに前記ベーパ発生槽内の有機溶剤液に第１の量の
バブリング用不活性ガスを供給し、前記基板の表面が親
水性であるときに前記第１の量よりも多い第２の量のバ
ブリング用不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
と、 を具備したことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377785A JP4602540B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 基板処理装置 |
| SG200104981A SG122742A1 (en) | 2000-12-12 | 2001-08-17 | Substrate processing unit |
| IL14500101A IL145001A0 (en) | 2000-12-12 | 2001-08-20 | Substrate processing unit |
| KR1020010050196A KR100804911B1 (ko) | 2000-12-12 | 2001-08-21 | 기판처리장치 |
| EP01120274A EP1215715A3 (en) | 2000-12-12 | 2001-08-23 | Substrate processing unit |
| US09/940,859 US6637445B2 (en) | 2000-12-12 | 2001-08-29 | Substrate processing unit |
| TW090121431A TW502332B (en) | 2000-12-12 | 2001-08-30 | Substrate processing unit |
| CNB011308710A CN1194392C (zh) | 2000-12-12 | 2001-08-30 | 基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377785A JP4602540B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184747A true JP2002184747A (ja) | 2002-06-28 |
| JP4602540B2 JP4602540B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=18846456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000377785A Expired - Lifetime JP4602540B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 基板処理装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6637445B2 (ja) |
| EP (1) | EP1215715A3 (ja) |
| JP (1) | JP4602540B2 (ja) |
| KR (1) | KR100804911B1 (ja) |
| CN (1) | CN1194392C (ja) |
| IL (1) | IL145001A0 (ja) |
| SG (1) | SG122742A1 (ja) |
| TW (1) | TW502332B (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020046140A (ko) | 2002-06-20 |
| JP4602540B2 (ja) | 2010-12-22 |
| TW502332B (en) | 2002-09-11 |
| EP1215715A3 (en) | 2006-06-28 |
| US6637445B2 (en) | 2003-10-28 |
| US20020108642A1 (en) | 2002-08-15 |
| CN1359142A (zh) | 2002-07-17 |
| KR100804911B1 (ko) | 2008-02-20 |
| CN1194392C (zh) | 2005-03-23 |
| SG122742A1 (en) | 2006-06-29 |
| EP1215715A2 (en) | 2002-06-19 |
| IL145001A0 (en) | 2002-06-30 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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