JP5994239B2 - 洗浄装置及び方法 - Google Patents

洗浄装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5994239B2
JP5994239B2 JP2011260553A JP2011260553A JP5994239B2 JP 5994239 B2 JP5994239 B2 JP 5994239B2 JP 2011260553 A JP2011260553 A JP 2011260553A JP 2011260553 A JP2011260553 A JP 2011260553A JP 5994239 B2 JP5994239 B2 JP 5994239B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
tank
ozone
cleaning
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011260553A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013111536A (ja
Inventor
裕人 床嶋
裕人 床嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Priority to JP2011260553A priority Critical patent/JP5994239B2/ja
Priority to CN201280050693.4A priority patent/CN103889602B/zh
Priority to KR1020147009635A priority patent/KR20140097124A/ko
Priority to PCT/JP2012/061356 priority patent/WO2013080580A1/ja
Priority to TW101115449A priority patent/TWI600477B/zh
Publication of JP2013111536A publication Critical patent/JP2013111536A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5994239B2 publication Critical patent/JP5994239B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075Cleaning of glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/72Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
    • C02F1/78Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation with ozone

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)

Description

本発明は、ガラス基板などの被洗浄物を洗浄水で洗浄する洗浄装置及び方法に係り、特に搬送方向下流側で洗浄に用いた洗浄水を搬送方向上流側での洗浄に用いる、いわゆるカスケード方式の洗浄装置及び方法に関する。
近年、液晶テレビなどに代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)を効率よく製造するためにFPD用ガラス基板は大型化が進み、それにともないガラス基板を洗浄する洗浄機も大型化している。また洗浄機が大型化したため、洗浄で用いる洗浄水の水量も増加している。洗浄機では、製造コストを抑制するために数々の節水策が講じられており、そのひとつに最終リンス水など比較的きれいな洗浄排水を貯槽に貯め、ポンプアップし簡単な純化処理(フィルターによるろ過など)を施して、その前段のシャワー洗浄水に再利用する、いわゆるカスケード洗浄が行われている(特許文献1〜3)。
近年、製造コスト削減のため水の再利用率が上昇しているが、それにともない再利用水の系内での滞留時間が増大し、系内に菌体が増殖するといった課題が生じている。系内で繁殖した菌体は、シャワー洗浄時にガラス基板に付着し、製品良品率の低下を引き起こす。
かかる菌体繁殖を防止し、また、繁殖した菌体を除去する方法として、菌体の繁殖が確認された場合に、洗浄ラインを長時間停止し、濃厚薬液で殺菌洗浄することが行われている。しかしながら、このような濃厚薬液による殺菌洗浄方法では、ライン停止による生産性低下、濃厚薬液を用いた非定常作業による安全性低下、廃液処理コスト増加、殺菌後のフラッシング立ち上がり不良などが問題となっている。
特開平8−71512 特開平11−44877 特開2011−200819
本発明は、カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供することを目的とする。
本発明の洗浄装置は、被洗浄物の搬送方向下流側において、被洗浄物に対し洗浄水を噴出する下流側ノズルと、該下流側ノズルからの洗浄水を収容するタンクと、該タンクから供給される洗浄水を被洗浄物の搬送方向上流側において、被洗浄物に対して噴出する上流側ノズルとを有する洗浄装置において、該被洗浄物はFDP用ガラス基板であり、該タンクのオゾン濃度が0.1〜3mg/Lとなるように該タンクにオゾンガス又はオゾン水を供給するオゾン供給手段を備えたことを特徴とするものである。
本発明の洗浄方法は、かかる本発明の洗浄装置を用いてFDP用ガラス基板を洗浄するものである。
本発明では、タンクにオゾンガス又はオゾン水を間欠的に供給することが好ましく、特にオゾンガス又はオゾン水の供給頻度を3〜90日に1回とし、1回当り1〜20min間、タンク内のオゾン濃度が0.1〜1mg/Lとなるようにタンクにオゾンガス又はオゾン水を供給することが好ましい。
本発明によると、濃厚な洗浄薬液を用いることなく、カスケード方式のタンク内を簡便に殺菌することができ、節水及び良品率の維持が可能となる。本発明では、タンク内のオゾン含有水を上流側ノズルに供給することにより、洗浄ラインを停止することなく、また、廃液処理コストを増加させることなく、タンクから上流側ノズルまでの系内の殺菌を行うことができる。
実施の形態に係るFDP用ガラス基板の洗浄装置及び方法の説明図である。
以下、図1を参照して実施の形態について説明する。図1の洗浄装置は、平流し式ガラス基板洗浄機であり、ガラス基板1はローラー2で順送りに搬送され、種々の洗浄処理を経て、最終的に二流体ジェットや高圧ジェットなどのジェット洗浄がジェット洗浄ノズル3で行われ、清浄な純水での最終リンスが最終リンスノズル4にて行われて、エアカーテンなどの水きり・乾燥工程へ移行され、洗浄を終了する。
各ノズル3,4から洗浄水がガラス基板1に向って噴射される。最終リンスノズル4に対しては、純水配管5から純水が供給される。
この洗浄工程においては、最終リンスノズル4からガラス基板1に向って噴射されてガラス基板1を洗浄した洗浄排水は、比較的清浄度が高いものであり、再利用配管6からタンク(カスケード槽)7で受ける。このタンク7内の水を送水ポンプ9でポンプアップし、配管10を介して前段のジェット洗浄ノズル3へ供給してガラス基板1を洗浄する。タンク7には余剰水の排出配管8が接続されている。
なお、ジェット洗浄ノズル3から前段側のガラス基板1に向けて噴射したときの洗浄排水の一部が配管11を介してタンク7内に回収され、残部は配管15を介して排出される。ただし、配管11からの回収を行わず、前段の洗浄排水をすべて配管15から排出してもよい。
このタンク7にオゾン水供給装置12から配管13を介してオゾン水が供給される。配管14は、タンク7からの水をオゾン水供給装置12に導入するためのものである。即ち、オゾン水供給装置12に対しタンク7から配管14によって水が導入され、オゾンガスを溶け込ませることによりオゾン水とされ、このオゾン水が配管13を介してタンク7に供給される。
オゾン水供給装置12からタンク7に向って供給されるオゾン水のオゾン濃度は0.1〜5mg/L特に0.1〜3mg/L程度が好適である。オゾン水を添加することにより、タンク7内の水のオゾン濃度が0.1〜1mg/L程度となるようにすることが好ましく、また、タンク7内のオゾン濃度が1〜20min特に1〜10min程度の間、0.1〜1mg/Lの範囲に維持されることが好ましい。
タンク7内のオゾン含有水を、ポンプ9及び配管10を介してジェット洗浄ノズル3に供給され、ポンプ9からジェット洗浄ノズル3に至る系内の殺菌を行う。オゾン水供給装置12からタンク7にオゾン水を供給してタンク7内の殺菌を行う場合、ポンプ9を停止してもよく、ポンプ9を連続的に作動させた状態でオゾン水供給装置12からオゾン水を供給してもよい。
タンク7内のオゾン含有水をポンプ9及び配管10からジェット洗浄ノズル3へ送水する場合、タンク7内の上記濃度のオゾン水を1min以上例えば1〜20min特に1〜10min間にわたってジェット洗浄ノズル3に供給することが好ましい。この場合、タンク7内のオゾン濃度が0.1mg/L以上となるまでポンプ9を停止し、タンク7内のオゾン濃度が0.1mg/L以上となった後、ポンプ9を作動させてもよい。また、ポンプ9を連続的に作動させたまま、オゾン水供給装置12を作動させてもよい。
ジェット洗浄ノズル3からの噴射水が常にオゾンを含んでいてもよいときには、オゾン水供給装置12を連続的に作動させ、ジェット洗浄ノズル3に常にオゾンを0.1〜5mg/L特に0.1〜3mg/L程度含んだ水を供給して系内を常時殺菌するようにしてもよい。
オゾン水と接する部材はフッ素樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などオゾン耐性を有することが好ましい。
図1では、ノズル3とノズル4の2段洗浄となっているが、ノズルが3段以上に配置されてもよい。この場合、最も下流側のタンクにオゾン水を供給してもよく、最上流側以外の各段のタンクにオゾン水を供給してもよい。
本発明はFDP用などのガラス基板以外の被洗浄物の洗浄にも適用することができ、例えばフォトマスク用ガラス基板、めっき工程のめっき浴殺菌などの洗浄にも適用できる。
以下、実施例及び比較例について説明する。
<実施例1>
図1に示すガラス基板洗浄装置において、洗浄条件を次の通りとした。なお、配管11による前段洗浄排水の回収は行わなかった。
配管5からの純水供給量 20L/min
タンク7の容量 400L
タンク7からジェット洗浄ノズル3への送水量 100L/min
配管15からの排水量 20L/min
この条件で、10日間洗浄を行い、タンク7内の水中の菌体数が150個/mL、ジェット洗浄ノズル3の吐出水中の菌体数が100個/mLとなった時点で純水供給及びポンプ9を停止し、タンク7内の水を配管14,13により100L/minでオゾン水供給装置12に循環させ、オゾン濃度1mg/Lのオゾン水を配管13からタンク7に導入し、5min間にわたってタンク7内のオゾン内のオゾン濃度を0.5mg/L以上(平均値0.7mg/L)とした。
次いで、タンク7内のオゾン含有水を100L/minでジェット洗浄ノズル3に3min間供給した。この3min経過後のタンク7内の菌体数及びジェット洗浄ノズル3吐出水の菌体数はいずれも0.5個/mLであり、十分に殺菌されたことが認められた。
<比較例1>
図1の洗浄装置において、配管5に20L/minで純水を供給し、この洗浄排水を回収することなく廃棄した。また、ジェット洗浄ノズル3に対して純水を100L/minにて供給し、洗浄排水を回収せずに廃棄した。これにより、洗浄は良好に行われたが、純水消費量は合計120L/minとなり、実施例1の6倍となった。
1 ガラス基板
2 ローラー
3 ジェット洗浄ノズル
4 最終リンスノズル
7 タンク
12 オゾン水供給装置

Claims (5)

  1. 被洗浄物の搬送方向下流側において、被洗浄物に対し洗浄水を噴出する下流側ノズルと、
    該下流側ノズルからの洗浄水を収容するタンクと、
    該タンクから供給される洗浄水を被洗浄物の搬送方向上流側において、被洗浄物に対して噴出する上流側ノズルと
    を有する洗浄装置において、
    該被洗浄物はFDP用ガラス基板であり、
    該タンクのオゾン濃度が0.1〜3mg/Lとなるように該タンクにオゾンガス又はオゾン水を供給するオゾン供給手段を備えたことを特徴とする洗浄装置。
  2. 請求項1において、前記オゾン供給手段は、前記タンクにオゾンガス又はオゾン水を間欠的に供給することを特徴とする洗浄装置。
  3. 請求項1の洗浄装置によってFDP用ガラス基板を洗浄する洗浄方法。
  4. 請求項3において、間欠的にオゾンガス又はオゾン水を前記タンクに供給することを特徴とする洗浄方法。
  5. 請求項4において、3〜90日毎に、1回当り1〜20min間、該タンク内の水のオゾン濃度が0.1〜1mg/Lとなるように前記タンクにオゾンを供給することを特徴とする洗浄方法。
JP2011260553A 2011-11-29 2011-11-29 洗浄装置及び方法 Active JP5994239B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011260553A JP5994239B2 (ja) 2011-11-29 2011-11-29 洗浄装置及び方法
CN201280050693.4A CN103889602B (zh) 2011-11-29 2012-04-27 清洗装置及方法
KR1020147009635A KR20140097124A (ko) 2011-11-29 2012-04-27 세정 장치 및 방법
PCT/JP2012/061356 WO2013080580A1 (ja) 2011-11-29 2012-04-27 洗浄装置及び方法
TW101115449A TWI600477B (zh) 2011-11-29 2012-05-01 Wash device and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011260553A JP5994239B2 (ja) 2011-11-29 2011-11-29 洗浄装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013111536A JP2013111536A (ja) 2013-06-10
JP5994239B2 true JP5994239B2 (ja) 2016-09-21

Family

ID=48535067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011260553A Active JP5994239B2 (ja) 2011-11-29 2011-11-29 洗浄装置及び方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5994239B2 (ja)
KR (1) KR20140097124A (ja)
CN (1) CN103889602B (ja)
TW (1) TWI600477B (ja)
WO (1) WO2013080580A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109354112B (zh) * 2018-10-15 2021-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 清洗设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63272040A (ja) * 1987-04-30 1988-11-09 Fujitsu Ltd 循環濾過洗浄装置
JP3057599B2 (ja) * 1994-07-06 2000-06-26 キヤノン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JPH1144877A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Nec Kagoshima Ltd 基板洗浄装置
JP4602540B2 (ja) * 2000-12-12 2010-12-22 オメガセミコン電子株式会社 基板処理装置
KR101232249B1 (ko) * 2004-08-10 2013-02-12 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 반도체 기판 세정액 및 반도체 기판 세정방법
JP2006247470A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Sanyo Electric Co Ltd 洗浄水生成装置
CN1986085A (zh) * 2005-12-22 2007-06-27 财团法人工业技术研究院 气泡式反应清洗装置及其方法
JP4875922B2 (ja) * 2006-04-20 2012-02-15 株式会社岡常歯車製作所 洗浄水リサイクル装置
TW200900361A (en) * 2007-06-20 2009-01-01 Bai-Cheng Chen Improved sterilization and filter device for glass substrate cleaner using pure water/ultra pure water
JP5630808B2 (ja) * 2010-03-26 2014-11-26 住友精密工業株式会社 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140097124A (ko) 2014-08-06
CN103889602B (zh) 2016-04-06
CN103889602A (zh) 2014-06-25
TW201321089A (zh) 2013-06-01
TWI600477B (zh) 2017-10-01
WO2013080580A1 (ja) 2013-06-06
JP2013111536A (ja) 2013-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN205628735U (zh) 一种猪肉加工厂用多级清洗装置
JP2011200819A (ja) 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム
JP2017113729A (ja) 膜洗浄剤、膜洗浄液及び膜の洗浄方法
KR20110082291A (ko) 기판 린스 장치
JP2007130579A (ja) 活性汚泥処理における膜ろ過ユニットのろ過膜洗浄装置とろ過膜洗浄方法
JP2009000595A (ja) ウエット洗浄装置および基板洗浄システム
JP5994239B2 (ja) 洗浄装置及び方法
JP5321450B2 (ja) 水処理装置給水配管の洗浄方法
JP5518133B2 (ja) 化学研磨装置
TWI512818B (zh) 矽晶片之清洗機構
CN104226647B (zh) 一种退火丝剥壳装置
CN103866397A (zh) 多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法
CN217568776U (zh) 一种可回收再生废水的混床装置
CN104120437B (zh) 用于钢带酸洗后的清洗系统及其运行方法
JP5340457B1 (ja) 化学研磨装置
CN205390207U (zh) 高效水产品清洗机
JP2018153726A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2011177701A (ja) 白濁シミ付着防止洗浄方法及びその洗浄装置。
KR20110061302A (ko) 세정액 공급 및 회수 시스템
JP4365192B2 (ja) 搬送式基板処理装置
CN220491850U (zh) 湿法刻蚀清洗设备
CN202036931U (zh) 医用微滤膜基膜清洗机
JP5100678B2 (ja) 水処理方法および水処理装置
CN207839465U (zh) 一种铝屑除尘排液清洗装置
CN219093044U (zh) 一种纯化水生产用高效阻垢装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140919

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5994239

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150