JP3057599B2 - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

洗浄装置及び洗浄方法

Info

Publication number
JP3057599B2
JP3057599B2 JP7156545A JP15654595A JP3057599B2 JP 3057599 B2 JP3057599 B2 JP 3057599B2 JP 7156545 A JP7156545 A JP 7156545A JP 15654595 A JP15654595 A JP 15654595A JP 3057599 B2 JP3057599 B2 JP 3057599B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
stage
cleaning liquid
washing
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7156545A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0871512A (ja
Inventor
達雄 藤崎
幸司 都築
健司 高田
祥史 竹山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP7156545A priority Critical patent/JP3057599B2/ja
Publication of JPH0871512A publication Critical patent/JPH0871512A/ja
Priority to US08/979,330 priority patent/US5894853A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3057599B2 publication Critical patent/JP3057599B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は洗浄装置及び洗浄方法に
関し、更に詳しくは、基板などの被処理体に付着した汚
れを除去すること、特に、効率的な洗浄水の使用で汚れ
を効率的に除去することが可能な洗浄装置及び洗浄方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光起電力素子等の半導体装置は一般的に
汚染されることを嫌い、その製造工程においては、汚染
物の１つである小さな塵やイオン成分などの付着を防ぐ
だけでなく、必要に応じてこれらを極力除去する必要が
ある。
【０００３】しかしながら、清浄な基板や処理面を得る
ためにむやみに大量の洗浄水を用いることは、洗浄水の
コストの増大のみならず排水処理施設の肥大や処理コス
トの増大を招き、ひいては製造コストの増加につなが
る。
【０００４】一方、少量の洗浄水で洗浄を行おうとすれ
ば、上記のような塵やイオン成分の除去が不十分にな
り、本来起きなかったはずの欠陥を引き起こしたり、イ
オン成分が残留することによる長期信頼性の低下を招く
可能性が大きくなる。
【０００５】従来、上記の相反する要求を満足するため
に様々な工夫がなされてきている。例えば、図１に示す
ように複数の洗浄領域を設け、後段の洗浄後の液を前段
の洗浄に用いる、いわゆるカスケードタイプの洗浄槽を
有する洗浄装置が一般的に使用されている。
【０００６】図１において、９０１、９０２、９０３は
それぞれ第１、第２、第３の洗浄液槽である。新規の洗
浄水は、供給管９０４を通って、第３の洗浄液槽９０３
上のシャワー９０５を介して、被処理体である基板９０
７の表面を洗浄した後、洗浄液槽９０３内に溜る（１次
処理液９０８）。この間、搬送コンベア９０６上に載置
された基板９０７は、紙面右向きに搬送される。つま
り、供給管９０４を通って供給される新規の洗浄液は仕
上げ洗浄に用いられてる。前記の第３の洗浄液槽９０３
内に溜められた１次処理液９０８は、ポンプ９０９によ
って一端が第３の洗浄液槽９０３に接続された配管９１
１を介して、前段の洗浄槽である第２の洗浄液槽９０２
上に設置されているシャワー９１０に給送される。これ
によって、基板９０７は前述の処理の前に洗浄液によっ
て洗浄されることになる。
【０００７】ここで洗浄に使用され、汚れを含んだ洗浄
液は、２次処理液９１２として第２の洗浄液槽９０２内
に溜められる。
【０００８】図１に示される洗浄装置においては、第２
の洗浄液槽９０２内の２次処理液９１２を配管９１３を
介してポンプ９１４によってシャワー９１５に給送さ
れ、２次処理液９１２によって基板９０７を洗浄する。
洗浄後の洗浄液（３次処理液９１６）は、一旦、第１の
洗浄液槽９０１内に溜められて、排水処理される。
【０００９】すなわち、基板側からみれば、汚濁の程度
が高い洗浄水から徐々に清浄な洗浄水による洗浄に移行
していくように構成されているため、比較的少量の洗浄
水で高い洗浄効果が得られるように工夫がなされてい
る。
【００１０】この場合、最後段の洗浄槽への洗浄水供給
量をＶｌ／ｍｉｎとすれば、第１、第２、第３の各洗浄
槽でのシャワー量、ならびに第１洗浄槽の排水量も実質
的にＶｌ／ｍｉｎとなることは自明である。
【００１１】しかしながら、上述した洗浄方法において
初期の目的を果たすためには、基板上の汚れが洗浄水の
噴射とともに速やかに洗浄水内に拡散することが必要で
ある。
【００１２】ところが、上記基板上の汚れが粘着性であ
る場合やある程度の厚みを持った層または、洗浄水内に
拡散しにくい汚れである場合には、上記説明した方法で
の良好な洗浄が行えない場合もある。
【００１３】上述の種類の汚れを良好に落とすために
は、最初に基板を洗浄する第１の洗浄液槽９０１に対応
する位置での洗浄に多量の洗浄水を使用する方法があ
る。
【００１４】その第１の方法は、第１の洗浄液槽９０１
に対応する洗浄処理のみの洗浄水の量を増やすこと、す
なわち新たな洗浄水（例えば、使用量Ｖ’）を第１の洗
浄液槽９０１に対応する洗浄処理で用いる洗浄液に追加
することである。第２の方法は、全体の洗浄水の使用量
Ｖを増やすことである。どちらの方法でも、必然的に洗
浄に要する洗浄水の総量は、増加してしまう。この洗浄
水量の増加は、純水等の供給能力の増大や生産コストの
増大のみならず、排水処理能力の増大、排水処理コスト
の増大、ならびに洗浄水の給送能力（ポンプ容量等）の
増大を招いてしまう。その結果、装置コストが膨れ上が
り、製品コストにも影響を及ぼすことが考えられる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記諸点に
鑑みなされたものであって、基板上に付着している汚れ
が、たとえば、高粘度のものであるか否かにかかわら
ず、より少量の洗浄水（洗浄液）の使用量で良好な洗浄
が可能となる洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目
的とする。
【００１６】また、本発明は装置のコストを増大させる
ことなく洗浄性能を向上させた洗浄装置及び洗浄方法を
提供することを目的とする。
【００１７】加えて本発明は排水量を増大させることな
く、また、排水処理コストの増大がない洗浄装置及び洗
浄方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄装置は、被
処理体を洗浄するための複数の洗浄段と、該洗浄段のそ
れぞれで使用された洗浄液を貯溜する貯溜部の複数と、
前記洗浄段の１つの洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄液
と後の洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄液とを混合して
該１つの洗浄段に供給するための通路と、を有すること
を特徴とする。
【００１９】本発明の洗浄方法は、被処理体を複数の洗
浄段で順次洗浄する洗浄方法において、１つの洗浄段で
洗浄し使用された洗浄液と、該１つの洗浄段より後段の
洗浄段で洗浄に使用された洗浄液とを混合して混合洗浄
液を得て、前記後段の洗浄段で洗浄に用いられる洗浄液
の流量より多い流量の前記混合洗浄液で前記被処理体を
前記一つの洗浄段において洗浄する工程を有することを
特徴とする。
【００２０】
【作用】以下、本発明を図面を用いて説明する。図２は
本発明の洗浄装置の構成を説明するための模式的構成図
である。図２において、１０１、１０２、１０３は、そ
れぞれ順に、第１の洗浄液槽、第２の洗浄液槽、第３の
洗浄液槽、１０４は洗浄される被処理体である基体、１
０５は該基体１０４を搬送するための搬送手段としての
ベルト、１０６、１０７、１０８は、それぞれ供給され
た洗浄液を基体１０４に向けて放出または噴射するシャ
ワーヘッド、１０９、１１６、１１７、１１８、１１９
は、それぞれ洗浄液を供給するための配管、１１１、１
１４は、それぞれ洗浄液を供給するためのポンプ、１１
３は合流装置、１１０、１１２、１１５は、それぞれ順
に第１の処理液、第２の処理液、第３の処理液である。
【００２１】図２に示される洗浄装置においても、基体
１０４は図中左から右へ順次搬送され、最後に新規な洗
浄水で洗浄される。図２に示される洗浄装置において、
図１で説明した洗浄装置との大きな違いは以下の点であ
る。
【００２２】図２に示される洗浄装置の場合、洗浄液の
流れが、図１に示される洗浄装置の洗浄液の流れと大き
く異なっている。
【００２３】新規な洗浄液は配管１０９を介してシャワ
ーヘッド１０８に供給され、シャワーヘッド１０８から
基体１０４に噴射されて基体１０４を洗浄する。基体１
０４の洗浄後の洗浄液は１次処理液１１０として第３の
洗浄液槽１０３に溜められ、この１次処理液１１０は第
３の洗浄液槽１０３に一端が接続された配管１１６を介
してポンプ１１１からシャワーヘッド１０７に給送さ
れ、シャワーヘッド１０７から基体１０４に向けて噴射
され、基体１０４を洗浄する。基体１０４を洗浄した１
次処理液１１０は２次処理液１１２として第２の洗浄液
槽１０２に溜められる。ここまでは図１で説明した洗浄
装置の場合と同様である。
【００２４】次に２次処理液１１２は、第２の洗浄液槽
１０２に接続された配管１１８を介して合流装置１１３
を通り、配管１１７を通ってポンプ１１４によりシャワ
ーヘッド１０６に給送される。シャワーヘッド１０６に
供給された洗浄液はシャワーヘッド１０６から基体１０
４に向かって噴射され、基体１０４を洗浄する。基体１
０４を洗浄した洗浄液は３次処理液１１５として第１の
洗浄液槽１０１内に溜められる。
【００２５】第１の洗浄液槽１０１には配管１１９が接
続され、第１の洗浄液槽１０１内に溜められた３次処理
液１１５を合流装置１１３を通って配管１１７に供給可
能にしている。
【００２６】つまり、ポンプ１１４によってシャワーヘ
ッド１０６に供給される洗浄液は、この図では、基体１
０４を２度洗浄した２次処理液１１２と、基体１０４を
３度以上洗浄した３次処理液１１５の混合したものにな
る。
【００２７】このような構成とすることで、シャワーヘ
ッド１０６から噴射される洗浄液の量は、新規に供給さ
れる洗浄液の供給量（Ｖｌ／ｍｉｎ）以上の量の洗浄液
で基体１０４を洗浄することが可能になる。
【００２８】より多くの洗浄液を単位時間当たり噴射で
きるということは、単位面積当たりの洗浄液量を増加す
ることになり、より万遍なく基体を洗浄でき、また、よ
り強い圧力で汚れを洗い流すことができるものである。
【００２９】また、この装置では最終段のポンプ１１４
だけその容量を増加させれば良く、他のポンプ全ての能
力を上げる必要が必ずしもないため、より低コストの洗
浄装置とすることができる。
【００３０】なお、合流装置１１３の最も単純な構造は
三方に洗浄液が流通可能な開口を有し、その開口が１つ
の空間に開いているような構造で、例えば図３（ａ）に
示されるような三方継手、あるいは１つの配管の途中に
開口をあけ、そこに別の配管を接続したような構造であ
る。
【００３１】もちろん、配管１１８や配管１１９の管抵
抗や、それら配管内の洗浄液にかかる圧力が異なるよう
な場合、あるいは、２次処理液と３次処理液との混合比
を変化させたいような場合も考慮すると、図３（ｂ）に
示されるような構造や図３（ｃ）に示されるような構造
としてもよい。
【００３２】図３（ｂ）では流路中に凸部３１を設けて
流体抵抗を形成し、これによって液体の流れや管抵抗を
制御可能にする。例えば、この凸部の突出量や凸部の斜
面の角度を適宜決めることによって、あるいは、斜面の
角度を左右で変えたり、凸部の位置を左右にずらすこと
によって制御可能である。
【００３３】図３（ｃ）では、弁３２を有する場合で、
この弁の設ける位置や弁の角度（回転角度）によって同
様に制御可能である。
【００３４】なお、図２に示されるような２次処理液と
３次処理液とが混合した洗浄液をポンプで給送する場合
は、上述のような単純な構造でも合流装置の構造は事実
上は問題ない。ただし、２次処理液と３次処理液との不
用意な混合を防ぐ必要がある場合には、流路の途中、例
えば配管１１８、１１９の途中に逆止弁を設けることが
望ましい。
【００３５】また、図２においては、１つのポンプ１１
４によって、新規な洗浄液の量より多い量の洗浄液をシ
ャワーヘッド１０６に供給している例を示しているが、
配管１１８と配管１１９に対してそれぞれポンプを設置
してもよい。この場合は、１つ１つのポンプの容量をよ
り小さくすることも可能になるので、より洗浄装置を小
型化することも可能である。また、ポンプの駆動力、す
なわち洗浄液の吐出量を調整することによって、２次処
理液と３次処理液の混合比率を調整することもできる。
【００３６】もちろん、合流装置１１３は上述したよう
な構造に限定されるものではなく、様々な形態を取り得
るものである。また、上述したような三方に開口を有す
る構造ではなく、別途処理液を混合して溜めておく貯溜
部を設け、ここから配管を通じてシャワーヘッド１０６
に供給するような形式としてもよい。
【００３７】洗浄液の噴射を行うシャワーヘッドは、効
率よく被処理体（基体）に洗浄液を噴射することが可能
であれば、その形状、穴の数、大きさ、配置に制限はな
い。したがって、円錐形状の底面に噴射口４１を多数穿
った構造（図４（ａ）模式的斜視図）の他に、パイプ様
の部材にその長さ方向に噴射口４１を多数穿った構造
（図４（ｂ）模式的斜視図）、あるいは、開口を設け、
その開口４２に対向する位置に制限部材４３をおいて洗
浄液を制限部材４３にあてて洗浄液を拡散するような構
造（図４（ｃ）模式的切断面図）が好ましく用いられ
る。また、図示はしていないが、図４（ｂ）に示した噴
射口４１を１つのスリットにしてもよいものである。も
ちろん、ここに挙げた以外の形状、構造であってもよ
く、被処理体の洗浄が効果的に行われるのであれば、そ
の構造などに制限はない。図４（ａ）〜（ｃ）において
矢印は洗浄液の流入方向を示す。また、洗浄に際しては
必要に応じてブラシなどの摺擦してもよい。
【００３８】このように本発明では、下位の洗浄槽の排
水の一部を、少なくとも一段上位の排水と合流させて、
上記下位の洗浄槽の洗浄水として用いるため、基板の洗
浄が最初に行われる例えば第１槽で使える洗浄水の量を
独立して増やすことが可能となった。従って、使用する
洗浄水の総量は変えずに、第１槽において、洗浄しずら
かった種類の汚れを効率よく除去することが可能となっ
た。
【００３９】また本発明では、上述した洗浄装置を用い
ることにより、洗浄が難かしかった高粘着性の汚れ、例
えば粘度が１０，０００ｍＰａ・ｓ以上あるエッチング
ペースト等からなる付着物の除去が可能となった。
【００４０】さらに本発明では、下位の洗浄槽が用いる
洗浄水の流量Ｗを、高純度な洗浄水のみによる洗浄モー
ド１の流量、すなわち流量Ｖと、下位の洗浄槽の排水も
加えた洗浄モード２の流量、すなわち流量（Ｖ＋Ｖ1）
との間で可変とすることで、２種類の洗浄モードを合わ
せ持つことができる。この場合、流量を（Ｖ＋Ｖ1）に
固定した場合に比べて状況に応じた洗浄を行えるので、
より清浄度の高い洗浄処理が可能となる。
【００４１】また、洗浄液槽と配管との間に汚物の除去
のためにフィルターなどの汚物トラップ部材を入れるこ
とはより好ましい。
【００４２】被処理体である基体の移動は上述したよう
なベルトに限らず、アームなどを用いた移動手段であっ
てもよい。ベルト状の場合は、メッシュ状とすることが
好ましい。また、被処理体は枚葉のみならず、連続体で
あっても適用可能である。
【００４３】〈実験例〉次に、図２に示される洗浄装置
を用いて粘度が３０，０００ｍＰａ・ｓのペーストを粘
着性の汚れとして付着させた１０ｃｍ2のステンレスス
チール板を洗浄した。
【００４４】新規の洗浄液は第３の洗浄装置１０３に対
応したシャワーヘッド１０８から純水を流量Ｖｌ／ｍｉ
ｎで供給した。したがって、シャワーヘッド１０７から
の洗浄液も流量Ｖｌ／ｍｉｎで供給される。
【００４５】各シャワーヘッドから洗浄液を噴射する時
間を５分間とした。また、シャワーヘッド１０６から噴
射される洗浄液の噴射量は、２次処理液１１２の流量Ｖ
ｌ／ｍｉｎとし、３次処理液１１５の流量をＶ1ｌ／ｍ
ｉｎとしたものの混合した洗浄液を使用した。すなわ
ち、シャワーヘッド１０６から噴射される洗浄液の流量
はＶ＋Ｖ1ｌ／ｍｉｎとした。なお、ここでＶ＞Ｖ1とな
るように流量を調整した。
【００４６】〈比較実験例〉実験例と同様に粘度が３
０，０００ｍＰａ・ｓのペーストを粘着性の汚れとして
付着させた１０ｃｍ2ステンレススチール板を図１に示
される洗浄装置を用いて洗浄した。
【００４７】新規に供給される洗浄液は実施例１と同
様、純水を使用し、その流量は実施例１と同じＶｌ／ｍ
ｉｎとした。したがって、各シャワーヘッドから噴射さ
れる洗浄液の量はいずれもＶｌ／ｍｉｎとされた。
【００４８】なお、シャワーヘッドの形状、形成された
噴射口の数、大きさ、配置及びシャワーヘッドとステン
レススチール板との距離などの他の条件については同じ
条件とした。
【００４９】また、比較として、最初の洗浄で使用する
洗浄液の量をＶより少なくした場合についても汚れの除
去具合を見た。
【００５０】図５に汚れの残留量と洗浄液の流量との関
係を示す。汚れの残留量Ｙは以下のようにして測定し
た。
【００５１】まず、洗浄後の被処理体であるステンレス
スチール基板を充分に乾燥させて重さｙ1を測定した。
次に基板上の残留物であるペーストを溶解除去するため
に、洗浄後の基板を、キシレンとＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）が１：１の混合溶剤（温度６０℃）に、１
０分間浸漬した。
【００５２】次に、浸漬後の基板を充分に乾燥したの
ち、基板の重量ｙ2を測定する。浸漬前後の基板重量の
差、つまりｙ1−ｙ2を汚れの残留量Ｙと定義した。
【００５３】図５から理解できるように、シャワーヘッ
ドからの噴射量Ｘの増加に従って、残留量Ｙは減少する
傾向が確認された。ただし、この残留量Ｙは粘着性の汚
れに関していえば、洗浄水の清浄度とはあまり関係がな
いようであった。
【００５４】すなわち、全く洗浄を受けていない基板に
付着した粘着性の汚れは、洗浄水量を増やすことによ
り、より多くその汚れを落とせることがわかった。
【００５５】したがって、粘着性の汚れを基板から除去
する効果は、シャワーの噴射量Ｘを（Ｖ＋Ｖ1）とした
方が、シャワーの噴射量ＸをＶとした場合より高いこと
が判明した。また、基体にあたる洗浄液の圧力は、高い
方が粘着性のある汚れを落とし易い。洗浄液に溶解性が
ある、または粘着性の少ない汚染物もまた、シャワー噴
射量を増加することで、より効果的に除去することがで
きる。
【００５６】実験例で必要な給水および排水の総量は、
比較実験例と同じままでよかった。したがって、実験例
の洗浄水経路を用いれば、純水等の供給能力の増大、排
水処理能力の増大、ならびに洗浄水の給送能力（ポンプ
容量等）の増大などの問題を回避できることが確認でき
た。
【００５７】よって、装置コストの増加なしに、粘着性
の汚れ除去が効果的にできる。その結果、製品のコスト
は維持したまま、歩留まりの高い製造ラインの構築が可
能な洗浄機を提供できることが確認できた。
【００５８】洗浄液の流量は使用するシャワーヘッドの
形状、洗浄される基体の大きさ、洗浄される基体の形
状、洗浄される基体の単位時間の処理数、求められる洗
浄度によって変化するものであるが、基体が板状の場
合、前記Ｖを好ましくは２〜２０ｌ／ｍｉｎ、より好ま
しくは５〜１０ｌ／ｍｉｎ程度とし、前記Ｖ1を２〜２
０ｌ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２０ｌ／ｍｉｎ程度
とするのが望ましい。
【００５９】また、図２に示されるように、洗浄段数ｎ
は３でなくともよく、必要な洗浄を行うためにｎを３よ
り多くしても良い。ただし、本発明において、ｎは２以
上の整数である。
【００６０】さらに、この洗浄の前に、例えば水道水の
ようなグレードの低い洗浄液などを使用して予備洗浄す
ることは好ましい。
【００６１】加えて、上述の説明では、３段の洗浄段の
うち１段目と２段目の処理液を混合したが、必要に応じ
て更に２段目と３段目の被処理液を混合して２段目洗浄
液として使用してもよい。
【００６２】このようにして、粘着性の高い汚れなどの
洗浄しづらかった種類の汚れの除去が可能になるが、ま
た当然のことながら粘着性の低い液体の洗浄においても
従来以上の効果があることは当然である。
【００６３】
【実施例】以下、半導体装置として太陽電池を用いた場
合の実施例について説明する。 （実施例１）本例では、粘着性の汚れの粘度Ｐと、洗浄
後の基板上に残った汚れの残留量Ｑとの関係を調べた。
この粘度Ｐは、後述するエッチングペースト３０７の粘
度を変えることで代用した。また、残留量Ｑの評価方法
は、前記実験例で求めた残留量Ｙと同様とした。
【００６４】まず、図６を用いて、本例で洗浄評価した
太陽電池基板の作製方法について説明する。
【００６５】図６（ａ）は、太陽電池基板上に後述のエ
ッチングペーストを印刷した状態の模式的平面図ならび
に図６（ｂ）はその模式的側面図である。図６（ｃ）
は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示した太陽電池基板
の模式的断面図である。
【００６６】図６（ｃ）の太陽電池基板は、導電性材料
であるステンレススチールからなる基体３０１の表面上
に、順に裏面反射層３０２、非単結晶シリコン層３０
３、透明導電膜３０４が、スパッタ、ＣＶＤ等の成膜方
法にて形成された構造体である。ステンレススチール３
０１は、厚み１５０μｍのものを用いた。裏面反射層３
０２は、入射光の再利用を目的としており、導電性物質
であるアルミ−シリコンと、酸化亜鉛とを積層した構造
体であり、その厚みは１μｍとした。非単結晶シリコン
層３０３は、光起電力の発現主体であって、下から順に
ｐ型半導体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層、ｐ型半導
体層、ｉ型半導体層、ｎ型半導体層が順次積層された構
造体であり、その厚みは１μｍとした。また、透明導電
膜３０４は、反射防止および集電を目的とし、ここでは
酸化インジウムを用い、その厚みは２０ｎｍとした。
【００６７】さて、図６（ｃ）に示す構造を有する太陽
電池基板３０５は、適宜必要な寸法に裁断されて使用さ
れるが、その裁断の際に、切断面にて透明導電膜３０４
と導電性材料からなる基体３０１との短絡が多発した。
この短絡は、上記の非単結晶シリコン層３０３にて発生
した電荷を、逆流あるいは消滅させてしまい、上記太陽
電池の発電効率を落とす結果となる。具体的に言えば、
上記太陽電池の短絡抵抗が下がり、充分な起電力が得ら
れなくなる。この短絡現象を防ぐために、本例では図６
（ｄ）に概念的に示した通り、上記透明導電膜３０４の
一部を除去することで溝３０４ａを形成し、図６（ｅ）
に示されるような独立した発電領域３０６を形成した。
【００６８】具体的には、上記太陽電池基板３０５の表
面にＦｅＣｌ3、ＡｌＣｌ3等を含むエッチングペースト
３０７をスクリーン印刷等の方法で塗布し、加熱処理を
施し、最後に上記エッチングペースト３０７を除去、洗
浄して図６（ｅ）に示す状態の基板を作製した。尚、上
記エッチングペースト３０７は上述のようにスクリーン
印刷に使用するため、上記ＦｅＣｌ3、ＡｌＣｌ3等の物
質に、フィラーや増粘材等を添加して１０，０００ｍＰ
ａ・ｓ以上の粘度を付与した。
【００６９】本例では、このエッチングペースト３０７
の粘度を、６００〜４６，０００ｍＰａ・ｓの範囲で変
えて、洗浄後の太陽電池基板上に残った汚れの残留量を
調査した。
【００７０】図１３は、本例の太陽電池基板を作製する
ための製造装置を概略的に説明する模式的構成図であ
る。この装置は、印刷、乾燥、および洗浄の３工程から
構成され、各工程間には太陽電池基板を移動するための
搬送コンベアが設けられた。
【００７１】印刷工程とは、印刷機４０３を用い、太陽
電池基板３０５の表面上に、スクリーン版４０１を使用
してステージ４１０によって所望のパターンで上述のエ
ッチングペースト３０７を形成する工程である。
【００７２】乾燥工程とは、ＩＲ方式のトンネル型乾燥
炉４０５を用い、印刷後の太陽電池基板３０５を、乾燥
炉４０５の内部に設置された赤外線ヒータによって、１
分間、１５０℃の加熱処理する工程である。この加熱処
理によって、基板表面の透明導電膜３０４は、上記エッ
チングペースト３０７が塗布された部分のみ除去され
た。
【００７３】洗浄工程とは、上記の加熱処理後の太陽電
池基板４０１を、常温近くまで冷却した後、図２に示さ
れる洗浄装置４０７を用いてエッチングペースト３０７
を洗浄除去する工程である。この洗浄装置４０７は、カ
スケード接続された多槽構成からなる洗浄装置であり、
第１段目では第１洗浄液槽１０１の排水の一部が第２洗
浄液槽１０２の排水と合流して強力な噴流となり、エッ
チングペースト３０７を基板４０１の表面より除去され
る。この時、第１シャワーヘッド１０６から噴射される
洗浄水量は、２０ｌ／ｍｉｎ（Ｖ＋Ｖ1）に設定した。
第２段以降では、徐々に清浄な洗浄水にて７ｌ／ｍｉｎ
の水量で適宜基板表面を洗浄して、最終的には残留物の
ほとんどない清浄な表面を得ることができる。最後に、
洗浄の終了した太陽電池基板３０５は、熱風エアナイフ
４０８にて水切り処理をした。
【００７４】次工程以降は、本例に直接関係はないので
詳しい説明は省略するが、概略としては、上記工程にて
分離された発電領域に対し集電のための電極を形成する
工程などが続く。
【００７５】（比較例１）比較例として、第１シャワー
ヘッド１０６から噴射される洗浄水量を、第１の洗浄液
槽１０１からの第３次処理液を使用せず、第２の洗浄液
槽１０２からの第２次処理液を洗浄液としてその流量を
７ｌ／ｍｉｎとして洗浄した。すなわち、第１シャワー
ヘッド１０６から噴射される洗浄水量は、一段上位の第
２洗浄液槽１０２の排水量と同じにした。他の点は実施
例１と同様とした。
【００７６】図７は、粘着性の汚れの粘度、すなわちエ
ッチングペースト３０７の粘度Ｐと、上述のように作製
した太陽電池基板３０５の表面上に残った汚れの残留量
Ｑとの関係を評価した結果である。その評価結果をまと
めると以下のようになる。 （１）比較例１に対し、実施例１は全粘度領域で残留量
Ｑが少ない。すなわち、太陽電池基板３０５の表面は、
実施例１の方が清浄であることがわかった。 （２）特に、エッチングペースト３０７の粘度Ｐが、１
０，０００ｍＰａ・ｓ以上の領域において、実施例１の
残留量は比較例１の残留量を大きく下回ることがわかっ
た。
【００７７】したがって、本発明の洗浄装置によれば、
太陽電池基板３０５の表面をより清浄にすることが可能
であるといえる。また、エッチングペースト３０７の粘
度Ｐは、比較的自由に選択できるため、特に高粘度のも
のが使えるため、エッチングラインの微細化、すなわち
細線化や明瞭化が達成可能となった。
【００７８】（実施例２）本例では、実施例１におい
て、洗浄、エアナイフによる水切りまでが終了した太陽
電池基板の表面上に、集電電極を形成した基板に対し
て、再度洗浄を行い、その基板の表面上に残った汚れの
残留量Ｒを評価した。
【００７９】図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ
集電電極の構造を示す概略図で図８（ａ）はその模式的
平面図、図８（ｂ）は模式的斜視図である。なお、図中
６００は太陽電池基板、６０１は銅ペースト、６０２は
半田、６０４は半田ペーストである。
【００８０】図９（ａ）〜図９（ｄ）は、それぞれ図８
（ａ）および図８（ｂ）に示される構成の集電電極を形
成する工程を説明するための概略的工程図である。 （１）太陽電池基板６００の有効面に、銅ペースト６０
１を幅１５０μｍ、ピッチ５ｍｍでスクリーン印刷し、
１５０℃ＩＲ乾燥炉で硬化させた。（図９（ａ）） （２）上記（１）の銅ペースト６０１に完全に重なるよ
うに半田ペースト６０４を幅４００μｍ、ピッチ５ｍｍ
でスクリーン印刷した。（図９（ｂ）） （３）上記（２）の基板を、３００℃のＩＲ硬化炉で加
熱処理した。ＩＲ硬化炉内で半田が溶融されると、太陽
電池基板６００の最表面をなす透明導電膜（図示せず）
と半田ペースト６０４ははじいてしまうので、半田ペー
スト６０４が勝手に銅ペースト６０１の上にセルフアラ
イメントされ、幅１５０μｍの半田コート銅の集電電極
が形成される。（図９（ｃ）） （４）さらに、上記（３）の基板を、図２に示される洗
浄装置を用い、フラックス６０３を洗浄処理した。（図
９（ｄ）） 第１シャワーヘッドから噴射される、すなわち第１段目
の洗浄水量は、２０ｌ／ｍｉｎ（Ｖ＋Ｖ1）とした。
【００８１】また、この洗浄の目的は、図９（ｃ）に示
されるような基板６００の上に存在する銅ペースト６０
１の両側に形成される半田のフラックス６０３の除去で
ある。このフラックス６０３は酸性であるために将来的
に素子に悪影響を及ぼす可能性があり、完全に洗浄除去
する必要がある。なお、２段目以降の洗浄液の流量は５
ｌ／ｍｉｎとした。
【００８２】（比較例２）比較例としては、第１シャワ
ーヘッドから噴射される洗浄水を第２段目の洗浄の排水
のみを使用し、洗浄水量を５ｌ／ｍｉｎとした。他の点
は実施例２と同様とした。
【００８３】上述のように形成した基板６００におい
て、その表面上に残った汚れの残留量Ｒを調べたとこ
ろ、実施例２では上記フラックスが跡形もなくきれいに
洗浄できたのに対し、比較例２ではフラックスが完全に
除去されずに跡形が残り、外観的にも好ましい結果が得
られなかった。
【００８４】したがって、本発明の洗浄装置は、エッチ
ングペースト等からなる粘着性の汚れ除去に有効である
と同時に、半田のフラックス除去も可能であることが分
かった。
【００８５】（実施例３）本例では、実施例２の半田ペ
ーストに代えて、粒径１μｍの銀の粒子を１０ｗｔ％の
割合で混合した半田ペーストを用いて、太陽電池基板の
表面上に集電電極を形成した基板を作製した。図１０
（ａ）および図１０（ｂ）は、それぞれ上記の集電電極
の構造を説明するための概略図で、図１０（ａ）は模式
的平面図、図１０（ｂ）は模式的斜視図である。なお、
図中の７００は太陽電池基板、７０１は銅ペースト、７
０２は半田、７０３はフラックス、７０４は銀粒子、７
０５は半田ペーストである。
【００８６】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、それぞれ
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示される構成の集電電
極を形成する工程を説明するための概略的工程図であ
る。
【００８７】本実施例においても、実施例２と同様に基
板７００上に銅ペースト７０１を印刷、硬化し（図１１
（ａ））、次に硬化した銅ペースト７０１上に銀粒子７
０４を分散含有する半田ペースト７０５をスクリーン印
刷で印刷した。（図１１（ｂ））続いて，ＩＲ硬化炉で
加熱処理し半田を溶融させ、その後硬化させ（図１１
（ｃ））、常温に下がった基板７００を図２に示される
洗浄装置を用いて洗浄し、前工程で基板７００表面上に
残ったフラックスなどを洗浄除去した。（図１１
（ｄ））
【００８８】本実施例では、前記洗浄工程終了後の基板
に対して、再度洗浄を行い、その基板の表面上に残った
汚れの残留量Ｓを評価した。ここで、半田ペースト７０
５の中に銀粒子７０４を含有させる理由は、半田を厚盛
りするためである。半田が厚盛りされた場合には、電流
が通過する断面積が増えるため、抵抗による電流ロスを
低減する効果がある。他の点は実施例２と同様とした。
【００８９】例えば、洗浄装置の第１段目シャワーヘッ
ドから噴射される洗浄水量は、実施例２と同様に２０ｌ
／ｍｉｎとした。また、２段目以降の洗浄水量は６ｌ／
ｍｉｎとした。本実施例の洗浄目的は、太陽電池基板７
００の表面上に存在する銅ペースト７０１の両側に形成
された半田のフラックス７０３の除去と、太陽電池基板
７００の最表面をなす透明導電膜（図示せず）の上にイ
レギュラーに飛び散った銀粒子７０４の除去である。こ
のフラックス７０３は酸性であるために将来的に素子に
悪影響を及ぼす可能性があり、完全に洗浄除去する必要
がある。また、銀粒子７０４は、銀イオンがマイグレー
ションによって半導体層内で成長し、シャントを起こす
可能性があるため、完全に洗浄除去する必要がある。
【００９０】（比較例３）第１段目のシャワーヘッドか
ら噴射される洗浄水量を、２段目以降と同様に６ｌ／ｍ
ｉｎとした。また、第１段目シャワーヘッドから噴射さ
れる洗浄液は、一段上位の第段電目の排水（２次処理
液）のみとした。他の点は実施例３と同様とした。
【００９１】上述のように形成した基板において、その
表面上に残った汚れの残留量Ｓを調べたところ、実施例
３では、上記フラックスが跡形もなくきれいに洗浄でき
たのに加えて、透明導電膜上に飛び散っていた銀粒子も
除去できた。ところが、比較例３では、フラックス、銀
粒子ともに完全には除去されず、外観的にも好ましい結
果が得られなかった。
【００９２】したがって、本発明の洗浄機は、エッチン
グペースト等からなる粘着性の汚れ除去に有効であると
同時に、半田のフラックス除去や、透明導電膜上に飛散
した銀粒子の除去も可能であることが分かった。
【００９３】（実施例４）本実施例では、実施例１の第
１段目のシャワーヘッドから噴射される洗浄水量が（Ｖ
＋Ｖ1）（＝２０ｌ／ｍｉｎ）に固定されているのに代
えて、第１段目シャワーヘッドから噴射される洗浄水量
をＶ（＝７ｌ／ｍｉｎ）と（Ｖ＋Ｖ1）（＝２０ｌ／ｍ
ｉｎ）との間で少なくとも１回以上変化させた。他の点
は実施例１と同様とした。
【００９４】図１２は、５分間の洗浄時間内において、
第１シャワーから噴射される洗浄水量を変化させた回数
と、基板の清浄度との関係を示したグラフである。但
し、第１シャワーから噴射される洗浄水量は、最初（Ｖ
＋Ｖ1）（＝２０ｌ／ｍｉｎ）に設定した。
【００９５】本実施例では、第１段目シャワーヘッドか
ら噴射される洗浄水量を、少なくとも１回以上変化させ
ることで、基板の清浄度が一段と改善されることが分か
った。特に、その変化させる回数が、奇数回、すなわち
第１段目シャワーヘッドから噴射される洗浄水量が最
後、つまり、２段目に移動する直前にＶ（＝７ｌ／ｍｉ
ｎ）となるように設定するとより高い清浄度が得られる
ことがわかった。
【００９６】したがって、次段に移動する前に洗浄水量
を減少させることが、より高い清浄度にするのに有効で
あることがわかる。
【００９７】（実施例５）本例では、太陽電池基板を電
解液中に浸漬して電気化学処理を施し、太陽電池基板に
存在する欠陥を処理した後に洗浄を行い、その基板の表
面に残存した汚れの残存量を評価した。
【００９８】実施例１と同様な太陽電池基板を不図示の
塩化アルミニウム溶液を内蔵した電解装置に投入し、順
方向に電圧を印加し欠陥を処理をした。
【００９９】次に、実施例１と同様にして洗浄を行っ
た。洗浄後、エアナイフにより水きり処理、不図示の熱
風乾燥炉により基板を乾燥した。
【０１００】洗浄、乾燥の終了した基板を不図示の純水
を内蔵した超音波洗浄装置に投入し、洗浄前後の超音波
装置内の液の電導度を比較したところ変化が見られなか
った。
【０１０１】このように、本実施例により粘着性の低い
液体の洗浄においても本発明により高い洗浄度が得られ
ることが分かった。
【０１０２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低コストで、かつ基板の汚れ具合に合わせた運用が可能
な洗浄装置及び洗浄方法が提供される。
【０１０３】また、本発明によれば、高粘着性の汚れの
効果的な除去が可能な洗浄装置及び洗浄方法が提供され
る。
【０１０４】加えて、本発明によれば、高粘着性の汚れ
除去だけでなく、より清浄度の高い洗浄処理も同時に行
える洗浄装置及び洗浄方法が提供される。
【０１０５】本発明は、太陽電池基板の製造方法に限定
されるものではなく、枚葉の洗浄を要する洗浄工程を含
む洗浄工程に一般的に適用可能である。特に、粘着性の
汚れを基板から除去するための洗浄工程に有効である。
【０１０６】また、本発明では３槽の洗浄装置を想定し
て説明したが、前述したように、これはもちろん複数の
洗浄液槽を有する洗浄装置に適用可能である。
【０１０７】さらに、本実施例では洗浄水が水系の洗浄
システムを想定しているが、非水系（例えばアセトンや
アルコール等の溶剤）の洗浄システムにも適用できる。
【０１０８】また、本発明は、本発明の主旨の範囲にお
いて、適宜変形可能であることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の洗浄装置を説明する模式的構成図であ
る。
【図２】本発明の洗浄装置の好適な一例を説明する模式
的構成図である。
【図３】それぞれ合流装置の好適な一例を説明するため
の模式的断面図である。
【図４】それぞれシャワーヘッドの好適な一例を説明す
るための図であり、（ａ）及び（ｂ）は模式的斜視図、
（ｃ）は模式的断面図である。
【図５】シャワーからの洗浄液の噴射量に対する汚染物
質の残留量の一例を説明するためのグラフである。
【図６】（ａ）は太陽電池基体上にエッチングペースト
を配した一例の模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
模式的断面図であり、（ｃ）は太陽電池の層構成の一例
を説明するための模式的断面図であり、（ｄ）は（ｃ）
に示される太陽電池の一部をエッチングした場合の一例
を説明するための模式的切断面図であり、（ｅ）は完成
した太陽電池基板の模式的平面図である。
【図７】汚染物の粘度に対する残留量の変化を説明する
ための図である。
【図８】（ａ）は太陽電池の好適な一例の模式的平面図
であり、（ｂ）は（ａ）に示される太陽電池の模式的部
分断面斜視図である。
【図９】それぞれ集電電極の形成の一例を説明するた
め、模式的断面図で示した工程図である。
【図１０】（ａ）は太陽電池の好適な一例の模式的平面
図であり、（ｂ）は（ａ）に示される太陽電池の模式的
部分断面斜視図である。
【図１１】それぞれ集電電極の形成の一例を説明するた
め、模式的断面図で示した工程図である。
【図１２】第１段目洗浄水量を変化させた場合の汚染物
の残留量の変化を説明するための図である。
【図１３】太陽電池の作製途中に用いられる製造装置の
好適な一例を説明するための模式的構成図である。
【符号の説明】
１０１、１０２、１０３、９０１、９０２、９０３ 洗
浄液槽、 １０４、９０７ 基板、 １０５ ベルト １０６、１０７、１０８ シャワーヘッド、 １０９、１１６、１１７、１１８、１１９、９１１、９
１３ 配管、 １１０、１１２、１１５、９０８、９１２、９１６ 処
理液、 １１１、１１４、９０９、９１４ ポンプ、 １１３ 合流装置、 ３１ 凸部、 ３２ 弁、 ３０１ ステンレススチール基板、 ３０２ 裏面反射層、 ３０３ 非単結晶シリコン層、 ３０４ 透明導電膜、 ３０５、６００、７００ 太陽電池基板、 ３０６ 発電領域、 ３０７ エッチングペースト、 ４１ 噴射口、 ４２ 開口、 ４０１ スクリーン版、 ４０２、４０４、４０６、４０９、９０６ 搬送コンベ
ア、 ４０３ 印刷機、 ４０５ 乾燥炉、 ４０７ 洗浄装置、 ４０８ 熱風エアナイフ、 ４１０ ステージ、 ６０１、７０１ 銅ペースト、 ６０２、７０２ 半田、 ６０３、７０３ フラックス、 ６０４、７０５ 半田ペースト、 ７０４ 銀粒子、 ９０４ 供給管、 ９０５、９１０、９１５ シャワー。
フロントページの続き (72)発明者 竹山 祥史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 実開 昭58−107158（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭36−26554（ＪＰ，Ｙ１) 実公 昭39−18537（ＪＰ，Ｙ１) 国際公開93／25653（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B08B 3/00 - 3/14

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を洗浄するための複数の洗浄段
    と、 該洗浄段のそれぞれで使用された洗浄液を貯溜する貯溜
    部の複数と、前 記洗浄段の１つの洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄液
    と後の洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄液とを混合して
    該１つの洗浄段に供給するための通路と、 を有することを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項２】 前記他方の洗浄段における洗浄液の流量
    より多い流量が前記１つの洗浄段に供給される請求項１
    に記載の洗浄装置。
  3. 【請求項３】 前記他方の洗浄段に供給される洗浄液を
    給送するポンプの容量より前記１つの洗浄段に供給され
    る洗浄液を給送するポンプの容量が大きい請求項１に記
    載の洗浄装置。
  4. 【請求項４】 前記通路は前記他方の洗浄液と前記１つ
    の洗浄段に対応する洗浄液とを混合した洗浄液を貯溜す
    る貯溜部に接続されている請求項１に記載の洗浄装置。
  5. 【請求項５】 前記洗浄段はシャワーヘッドを有する請
    求項１に記載の洗浄装置。
  6. 【請求項６】 前記シャワーヘッドは円錐形底面に開け
    られた噴出口を有する請求項５に記載の洗浄装置。
  7. 【請求項７】 前記シャワーヘッドはパイプ状部材に開
    けられた噴出口を有する請求項５に記載の洗浄装置。
  8. 【請求項８】 前記シャワーヘッドは噴出口に対向して
    配置された板状部材を有する請求項５に記載の洗浄装
    置。
  9. 【請求項９】 前記通路は、一方を前記他方の洗浄段に
    対応する貯溜部、一方を前記１つの洗浄段に対応する貯
    溜部、一方を前記１つの洗浄段に対応するシャワーヘッ
    ドに連絡する三方管部を有する請求項１に記載の洗浄装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記三方管部は凸部又は弁を有する請
    求項９に記載の洗浄装置。
  11. 【請求項１１】 被処理体を複数の洗浄段で順次洗浄す
    る洗浄方法において、１つの洗浄段で洗浄し使用された
    洗浄液と、該１つの洗浄段より後段の洗浄段で洗浄に使
    用された洗浄液とを混合して混合洗浄液を得て、前記後
    段の洗浄段で洗浄に用いられる洗浄液の流量より多い流
    量の前記混合洗浄液で前記被処理体を前記一つの洗浄段
    において洗浄する工程を有することを特徴とする洗浄方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記１つの洗浄段での洗浄液の流量
    は、前記後段の洗浄段での洗浄液の流量以上の流量で少
    なくとも１回以上変化させる請求項１１に記載の洗浄方
    法。
  13. 【請求項１３】 前記変化させた流量は、洗浄終了直前
    においては後段の洗浄段で洗浄に使用された洗浄液の流
    量とされる請求項１２に記載の洗浄方法。
  14. 【請求項１４】 前記１つの洗浄段での洗浄液は洗浄終
    了直前においては前記後段で洗浄に使用された洗浄液と
    される請求項１１に記載の洗浄方法。
  15. 【請求項１５】 前記洗浄の対象物が前記被処理に付着
    した粘度１０，０００ｍＰａ・ｓ以上の物質を含む請求
    項１１に記載の洗浄方法。
  16. 【請求項１６】 前記物質はエッチングペースト又はフ
    ラックスを有する請求項１５に記載の洗浄方法。
  17. 【請求項１７】 前記被処理体は半導体装置である請求
    項１１に記載の洗浄方法。
  18. 【請求項１８】 前記半導体装置は太陽電池基板を含む
    請求項１７に記載の洗浄方法。
JP7156545A 1994-07-06 1995-06-22 洗浄装置及び洗浄方法 Expired - Fee Related JP3057599B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7156545A JP3057599B2 (ja) 1994-07-06 1995-06-22 洗浄装置及び洗浄方法
US08/979,330 US5894853A (en) 1994-07-06 1997-11-26 Cleaning method for removal of contaminants

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15444294 1994-07-06
JP6-154442 1994-07-06
JP7156545A JP3057599B2 (ja) 1994-07-06 1995-06-22 洗浄装置及び洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0871512A JPH0871512A (ja) 1996-03-19
JP3057599B2 true JP3057599B2 (ja) 2000-06-26

Family

ID=26482719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7156545A Expired - Fee Related JP3057599B2 (ja) 1994-07-06 1995-06-22 洗浄装置及び洗浄方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5894853A (ja)
JP (1) JP3057599B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7906365B2 (en) 2006-09-06 2011-03-15 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method of manufacturing solar cell panel
KR101825052B1 (ko) 2017-09-01 2018-02-02 류병길 다종 디스플레이 패널 세정을 위한 제어 장치, 그리고 이를 기반한 디스플레이 패널 세정 시스템

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1054457B1 (en) * 1999-05-20 2010-08-04 Kaneka Corporation Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US6365531B1 (en) * 1999-06-02 2002-04-02 Kaneka Corporation Cleaning and drying method and apparatus for manufacturing semiconductor devices
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
DE10104726A1 (de) * 2001-02-02 2002-08-08 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Trägermaterial aufgebrachten Oxidschicht
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
KR20090107494A (ko) * 2006-12-05 2009-10-13 나노 테라 인코포레이티드 표면을 패턴화하는 방법
US8608972B2 (en) * 2006-12-05 2013-12-17 Nano Terra Inc. Method for patterning a surface
US7999173B1 (en) 2007-03-21 2011-08-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Dust removal from solar cells
CN101767079B (zh) * 2009-01-05 2011-11-16 富葵精密组件(深圳)有限公司 放板机、电路板生产系统以及制作基板的方法
US8524524B2 (en) 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
US8592248B2 (en) 2010-11-17 2013-11-26 E I Du Pont De Nemours And Company Etching method for use with thin-film photovoltaic panel
WO2012133583A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 大日本印刷株式会社 超臨界乾燥装置及び超臨界乾燥方法
CN103492947A (zh) 2011-04-28 2014-01-01 默克专利股份有限公司 在pet 上的聚合物基质的选择性蚀刻
JP5994239B2 (ja) * 2011-11-29 2016-09-21 栗田工業株式会社 洗浄装置及び方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4654089A (en) * 1985-05-31 1987-03-31 Singelyn Daniel D Counterflow spray rinse process
US4861385A (en) * 1986-10-02 1989-08-29 Aisaburo Yagishita Article washing method
US4997490A (en) * 1990-08-02 1991-03-05 Bold Plastics, Inc. Method of cleaning and rinsing wafers
US5089084A (en) * 1990-12-03 1992-02-18 Micron Technology, Inc. Hydrofluoric acid etcher and cascade rinser
US5314780A (en) * 1991-02-28 1994-05-24 Canon Kabushiki Kaisha Method for treating metal substrate for electro-photographic photosensitive member and method for manufacturing electrophotographic photosensitive member

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7906365B2 (en) 2006-09-06 2011-03-15 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method of manufacturing solar cell panel
KR101825052B1 (ko) 2017-09-01 2018-02-02 류병길 다종 디스플레이 패널 세정을 위한 제어 장치, 그리고 이를 기반한 디스플레이 패널 세정 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US5894853A (en) 1999-04-20
JPH0871512A (ja) 1996-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3057599B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
KR102112881B1 (ko) 전자도금 기판 홀더들을 세정하기 위한 방법들 및 장치들
CN110335807A (zh) 一种硅片清洗方法
CN207103242U (zh) 一种硅片清洗装置及链式机台
CN105983546A (zh) 晶圆清洗方法
US6281137B1 (en) Chemical treatment apparatus and chemical treatment method
CN201894999U (zh) 一种清洗装置
US6360756B1 (en) Wafer rinse tank for metal etching and method for using
CN213079301U (zh) 一种用于电路板加工的清洗装置
CN100385629C (zh) 半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备
JP2000173962A (ja) ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
CN209849405U (zh) 喷砂清理后金属带材的表面清理系统
JP2988366B2 (ja) 洗浄装置
CN114864431A (zh) 槽式清洗设备的快排冲洗槽及晶圆清洗方法
CN204769666U (zh) 一种硅片清洗单元
JP2703424B2 (ja) 洗浄装置
CN215543296U (zh) 一种液晶玻璃清洗设备
JP2003071395A (ja) 電子式フィルターの洗浄装置
CN212597380U (zh) 一种半导体晶圆清洗设备
CN220272487U (zh) 制绒清洗槽、制绒机以及太阳电池制备装置
CN211957670U (zh) 一种制绒水洗控制装置
CN111796485B (zh) 一种光掩模边缘和侧面光刻胶的去除装置及方法
WO2022085414A1 (ja) 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法
CN218570569U (zh) 一种节能减排防焊显影设备
CN218251802U (zh) 一种硅片清洗机构

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees