JPH06310484A - 基板の純水引上げ乾燥方法 - Google Patents
基板の純水引上げ乾燥方法Info
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- JPH06310484A JPH06310484A JP11775193A JP11775193A JPH06310484A JP H06310484 A JPH06310484 A JP H06310484A JP 11775193 A JP11775193 A JP 11775193A JP 11775193 A JP11775193 A JP 11775193A JP H06310484 A JPH06310484 A JP H06310484A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 純水の温度に応じた基板の最適引上げ速度を
簡易に決定し、最適条件下で親水性基板の純水引上げ乾
燥を行なえるようにする。 【構成】 洗浄槽10内に収容された温純水12中から基板
20を低速度で引き上げる際に、純水の或る温度における
親水性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引
き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲
線と、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ
速度と乾燥時間との関係を表す曲線とを比較し、親水性
基板に係る曲線が疎水性基板に係る曲線から特異的に乖
離していくときの引上げ速度付近の値に設定する。
簡易に決定し、最適条件下で親水性基板の純水引上げ乾
燥を行なえるようにする。 【構成】 洗浄槽10内に収容された温純水12中から基板
20を低速度で引き上げる際に、純水の或る温度における
親水性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引
き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲
線と、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ
速度と乾燥時間との関係を表す曲線とを比較し、親水性
基板に係る曲線が疎水性基板に係る曲線から特異的に乖
離していくときの引上げ速度付近の値に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、液晶用
ガラス基板、電子部品等の各種基板を洗浄処理した後な
どに、それらの基板表面を乾燥させる方法、特に、基板
を加温された純水中から引き上げながら基板表面を乾燥
させる純水引上げ乾燥方法に関する。
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、液晶用
ガラス基板、電子部品等の各種基板を洗浄処理した後な
どに、それらの基板表面を乾燥させる方法、特に、基板
を加温された純水中から引き上げながら基板表面を乾燥
させる純水引上げ乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程におい
ては、デバイスの動作特性に対して悪影響を与える各種
の汚染物質、すなわち自然酸化膜や有機物、無機物等の
有害物質或いはパーティクルといった汚染物質を低減さ
せる必要があり、そのために基板（シリコンウエハ）の
洗浄処理が繰り返し行なわれる。この基板の洗浄処理の
方法には、硫酸、フッ酸、塩酸、燐酸等の薬液を使用
し、その洗浄用薬液中に基板を浸漬させて洗浄するウェ
ット洗浄法と、フッ酸蒸気やフッ化水素ガスなどの洗浄
用気体を基板に対し供給して洗浄するドライ洗浄法とが
あるが、基板をウェット洗浄したりドライ洗浄した後
に、残留薬液や残留イオンなどを基板表面から除去する
ために、基板を純水中に浸漬させて基板表面をリンス処
理することが行なわれる。この純水リンス処理したとき
は、基板表面を濡れたままにしておくとパーティクルが
付着し易く、また、濡れたままの状態の基板表面を自然
乾燥させるとウォーターマーク（水しみ）の発生原因と
なる。このため、純水中から引き上げられた基板の表面
を速やかに乾燥させる必要がある。
ては、デバイスの動作特性に対して悪影響を与える各種
の汚染物質、すなわち自然酸化膜や有機物、無機物等の
有害物質或いはパーティクルといった汚染物質を低減さ
せる必要があり、そのために基板（シリコンウエハ）の
洗浄処理が繰り返し行なわれる。この基板の洗浄処理の
方法には、硫酸、フッ酸、塩酸、燐酸等の薬液を使用
し、その洗浄用薬液中に基板を浸漬させて洗浄するウェ
ット洗浄法と、フッ酸蒸気やフッ化水素ガスなどの洗浄
用気体を基板に対し供給して洗浄するドライ洗浄法とが
あるが、基板をウェット洗浄したりドライ洗浄した後
に、残留薬液や残留イオンなどを基板表面から除去する
ために、基板を純水中に浸漬させて基板表面をリンス処
理することが行なわれる。この純水リンス処理したとき
は、基板表面を濡れたままにしておくとパーティクルが
付着し易く、また、濡れたままの状態の基板表面を自然
乾燥させるとウォーターマーク（水しみ）の発生原因と
なる。このため、純水中から引き上げられた基板の表面
を速やかに乾燥させる必要がある。
【０００３】リンス処理後に基板の表面を乾燥処理する
方法の１つとして、例えば特開昭６４−５３５４９号公
報等には、加温された純水（温純水）中に鉛直姿勢で浸
漬された基板を温純水中から鉛直上方へゆっくりと引き
上げることにより、基板と純水と気体（空気、窒素等）
との３相界面近傍における表面張力の作用で純水の蒸発
を促進させ、基板表面から純水を蒸発させてしまう純水
引上げ乾燥方法が開示されている。
方法の１つとして、例えば特開昭６４−５３５４９号公
報等には、加温された純水（温純水）中に鉛直姿勢で浸
漬された基板を温純水中から鉛直上方へゆっくりと引き
上げることにより、基板と純水と気体（空気、窒素等）
との３相界面近傍における表面張力の作用で純水の蒸発
を促進させ、基板表面から純水を蒸発させてしまう純水
引上げ乾燥方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した純水引上げ乾
燥方法において、乾燥時間を短くして乾燥工程における
スループットを上げるために基板の引上げ速度を速くす
るときは、それに伴って純水の温度を高くするようにす
る。この純水引上げ乾燥処理における最適条件は、従
来、純水温度及び基板引上げ速度をそれぞれ種々に変
え、実験を繰り返し行なうことにより、試行錯誤的に求
めるようにしていた。しかしながら、そのために要する
労力が大きく、また、求められた条件が本当に最適なも
のである、との客観的根拠も無い。
燥方法において、乾燥時間を短くして乾燥工程における
スループットを上げるために基板の引上げ速度を速くす
るときは、それに伴って純水の温度を高くするようにす
る。この純水引上げ乾燥処理における最適条件は、従
来、純水温度及び基板引上げ速度をそれぞれ種々に変
え、実験を繰り返し行なうことにより、試行錯誤的に求
めるようにしていた。しかしながら、そのために要する
労力が大きく、また、求められた条件が本当に最適なも
のである、との客観的根拠も無い。
【０００５】また、純水引上げ乾燥の最適条件を見付け
る労力を省いて、安易に赤外線ヒータや高周波加熱器な
どのエネルギー源を併用し、基板にエネルギーを与えな
がら純水引上げ乾燥を行なうことも行なわれている。し
かしながら、赤外線やマイクロ波などのエネルギーを基
板に与えると、基板表面にウォーターマーク等のしみを
発生する原因となる、といった問題点がある。
る労力を省いて、安易に赤外線ヒータや高周波加熱器な
どのエネルギー源を併用し、基板にエネルギーを与えな
がら純水引上げ乾燥を行なうことも行なわれている。し
かしながら、赤外線やマイクロ波などのエネルギーを基
板に与えると、基板表面にウォーターマーク等のしみを
発生する原因となる、といった問題点がある。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、純水の温度に応じた基板の最適引上
げ速度を簡易に決定することができる基板の純水引上げ
乾燥方法を提供することを技術的課題とする。
されたものであり、純水の温度に応じた基板の最適引上
げ速度を簡易に決定することができる基板の純水引上げ
乾燥方法を提供することを技術的課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明では、或る温度
において純水中から親水性基板を引き上げるときの速度
を、親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速
度と乾燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水
中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係
を表す曲線とを比較し、親水性基板に係る前記曲線が疎
水性基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくとき
の引上げ速度付近の値に設定するようにする。例えば、
純水の温度が３０℃であるときは、親水性基板の引上げ
速度を４００mm／分付近に、また、純水の温度が５０℃
であるときは、親水性基板の引上げ速度を５００mm／分
付近に設定するとよい。
において純水中から親水性基板を引き上げるときの速度
を、親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速
度と乾燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水
中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係
を表す曲線とを比較し、親水性基板に係る前記曲線が疎
水性基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくとき
の引上げ速度付近の値に設定するようにする。例えば、
純水の温度が３０℃であるときは、親水性基板の引上げ
速度を４００mm／分付近に、また、純水の温度が５０℃
であるときは、親水性基板の引上げ速度を５００mm／分
付近に設定するとよい。
【０００８】また、親水性基板に係る前記曲線が疎水性
基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引
上げ速度は、親水性基板に係る前記曲線における変曲点
近傍の値に相当するので、純水の或る温度における親水
性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引き上
げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線に
おける変曲点近傍の値に設定するようにすることもでき
る。
基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引
上げ速度は、親水性基板に係る前記曲線における変曲点
近傍の値に相当するので、純水の或る温度における親水
性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引き上
げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線に
おける変曲点近傍の値に設定するようにすることもでき
る。
【０００９】
【作用】基板が疎水性基板であると、疎水性基板は水を
弾くため、疎水性基板を温純水中から引き上げるように
したときは、乾燥性が安定しており、基板の引上げ速度
を大きくするに従って乾燥時間が短くなっていく理想的
な乾燥が行なわれる。一方、基板が親水性基板である
と、濡れ性が良いため、親水性基板を温純水中から引き
上げるようにした場合は、基板の引上げ速度を大きくし
ていったとき、或る引上げ速度を境にして逆に乾燥時間
が長くなり、疎水性基板の場合におけるような理想的な
乾燥が行なわれなくなる。これは、表面張力の作用によ
って水切り・蒸発させる限界を越えた速度で基板を純水
中から引き上げるようにしたためであり、乾燥が純水引
上げ乾燥の状態から自然乾燥の状態へと移行しているこ
とを示している。ここで、この発明に係る方法では、親
水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾
燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水中から
引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す
曲線とが比較され、純水の或る温度における親水性基板
の引上げ速度が、親水性基板に係る前記曲線が疎水性基
板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引上
げ速度付近の値、又は、親水性基板に係る前記曲線にお
ける変曲点近傍の値に設定されるので、理想に近い純水
引上げ乾燥が行なわれ、かつ、基板の引上げ速度をでき
るだけ大きくして乾燥時間を最少にすることができる。
弾くため、疎水性基板を温純水中から引き上げるように
したときは、乾燥性が安定しており、基板の引上げ速度
を大きくするに従って乾燥時間が短くなっていく理想的
な乾燥が行なわれる。一方、基板が親水性基板である
と、濡れ性が良いため、親水性基板を温純水中から引き
上げるようにした場合は、基板の引上げ速度を大きくし
ていったとき、或る引上げ速度を境にして逆に乾燥時間
が長くなり、疎水性基板の場合におけるような理想的な
乾燥が行なわれなくなる。これは、表面張力の作用によ
って水切り・蒸発させる限界を越えた速度で基板を純水
中から引き上げるようにしたためであり、乾燥が純水引
上げ乾燥の状態から自然乾燥の状態へと移行しているこ
とを示している。ここで、この発明に係る方法では、親
水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾
燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水中から
引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す
曲線とが比較され、純水の或る温度における親水性基板
の引上げ速度が、親水性基板に係る前記曲線が疎水性基
板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引上
げ速度付近の値、又は、親水性基板に係る前記曲線にお
ける変曲点近傍の値に設定されるので、理想に近い純水
引上げ乾燥が行なわれ、かつ、基板の引上げ速度をでき
るだけ大きくして乾燥時間を最少にすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１１】最初に、図１及び図２により、この発明に
係る基板の純水引上げ乾燥方法を実施するための装置の
構成の１例について説明する。図１は、基板の純水引上
げ乾燥装置の概略構成を洗浄槽と共に示す正面断面図で
あり、図２は、その側面断面図である。洗浄槽10内に
は、純水供給源より純水、例えば３０〜６０℃の温純水
が常時供給され、洗浄槽10の上端縁から温純水が常に溢
流するようにして、洗浄槽10内の温純水12にパーティク
ル等が蓄積しないようにしている。洗浄槽10から溢れ出
た温純水は、溢流槽14に貯留され、その溢流槽14から排
出されるようになっている。
係る基板の純水引上げ乾燥方法を実施するための装置の
構成の１例について説明する。図１は、基板の純水引上
げ乾燥装置の概略構成を洗浄槽と共に示す正面断面図で
あり、図２は、その側面断面図である。洗浄槽10内に
は、純水供給源より純水、例えば３０〜６０℃の温純水
が常時供給され、洗浄槽10の上端縁から温純水が常に溢
流するようにして、洗浄槽10内の温純水12にパーティク
ル等が蓄積しないようにしている。洗浄槽10から溢れ出
た温純水は、溢流槽14に貯留され、その溢流槽14から排
出されるようになっている。
【００１２】洗浄槽10には、図１に模式的に示すよう
に、基板昇降装置16が併設されている。基板昇降装置16
の、洗浄槽10内に挿入された支持部18には、１枚或いは
複数枚、この例では２枚の基板20がそれぞれ鉛直姿勢で
互いに平行にかつ間隔を設けて支持されている。そし
て、２枚の基板20は、基板昇降装置16によって同時に、
例えば６０〜６００mm／分の低速度で鉛直上方へ移動さ
せられ、純水12中から引き上げられるようになってい
る。
に、基板昇降装置16が併設されている。基板昇降装置16
の、洗浄槽10内に挿入された支持部18には、１枚或いは
複数枚、この例では２枚の基板20がそれぞれ鉛直姿勢で
互いに平行にかつ間隔を設けて支持されている。そし
て、２枚の基板20は、基板昇降装置16によって同時に、
例えば６０〜６００mm／分の低速度で鉛直上方へ移動さ
せられ、純水12中から引き上げられるようになってい
る。
【００１３】また、この装置には、洗浄槽10の上部開口
面を覆うように蓋体22が配設されている。この蓋体22に
は、各基板20がそれぞれ昇降移動することができるよう
に２つのスリット状開口部24が形成されており、蓋体22
は、洗浄槽10内の純水液面に近接して配置されている。
また、この装置には、図１に示すように、蓋体22と純水
液面とで囲まれた空間内の気体（空気、窒素等）を水蒸
気と一緒に水平方向へ排出するための排気通路26が形設
されている。そして、排気通路26の排気口28には、図示
しない強制排気ファンが流路接続されている。排気口28
は、蓋体22と純水液面との間の空間の側方であって基板
20の面に沿った方向に、左右両側にそれぞれ設けられて
いる。従って、蓋体22と純水液面との間の水蒸気は、そ
れらの排気口28を通して均一に排気されることになる。
面を覆うように蓋体22が配設されている。この蓋体22に
は、各基板20がそれぞれ昇降移動することができるよう
に２つのスリット状開口部24が形成されており、蓋体22
は、洗浄槽10内の純水液面に近接して配置されている。
また、この装置には、図１に示すように、蓋体22と純水
液面とで囲まれた空間内の気体（空気、窒素等）を水蒸
気と一緒に水平方向へ排出するための排気通路26が形設
されている。そして、排気通路26の排気口28には、図示
しない強制排気ファンが流路接続されている。排気口28
は、蓋体22と純水液面との間の空間の側方であって基板
20の面に沿った方向に、左右両側にそれぞれ設けられて
いる。従って、蓋体22と純水液面との間の水蒸気は、そ
れらの排気口28を通して均一に排気されることになる。
【００１４】以上のように構成された装置を使用し、洗
浄槽10内に収容された純水12中に浸漬された基板20の乾
燥処理を行なうには、まず、強制排気ファンを駆動させ
る。これにより、蓋体22と純水液面との間の空間が負圧
になり、蓋体22の上面側の新鮮な空気がスリット状開口
部24を通して下向きに流れ、純水液面から発生した水蒸
気が、蓋体22と純水液面間に流れ込んだ空気と一緒に排
気通路26を通り、排気口28から排出される。このよう
に、純水液面から水蒸気が発生しても、その水蒸気は、
蓋体22の下面側に流れ込んできた空気と一緒に水平方向
へ排気され、蓋体22の上面側に流れ出ることがない。こ
の状態において、基板昇降装置16を駆動させ、２つの基
板20を同時に鉛直上方へ移動させ、適当な速度で純水12
中から両基板20を引き上げる。このとき、蓋体22は純水
液面に近接して配設されているので、純水12中から引き
上げられた基板20が蓋体22より下方に位置する間は、基
板20の表面には水膜が形成された状態にある。そして、
基板20がさらに鉛直上方へ引き上げられ、蓋体22のスリ
ット状開口部24を通って移動すると、蓋体22より上方に
位置する部分の表面から水膜が蒸発していき、基板の乾
燥が行なわれる。
浄槽10内に収容された純水12中に浸漬された基板20の乾
燥処理を行なうには、まず、強制排気ファンを駆動させ
る。これにより、蓋体22と純水液面との間の空間が負圧
になり、蓋体22の上面側の新鮮な空気がスリット状開口
部24を通して下向きに流れ、純水液面から発生した水蒸
気が、蓋体22と純水液面間に流れ込んだ空気と一緒に排
気通路26を通り、排気口28から排出される。このよう
に、純水液面から水蒸気が発生しても、その水蒸気は、
蓋体22の下面側に流れ込んできた空気と一緒に水平方向
へ排気され、蓋体22の上面側に流れ出ることがない。こ
の状態において、基板昇降装置16を駆動させ、２つの基
板20を同時に鉛直上方へ移動させ、適当な速度で純水12
中から両基板20を引き上げる。このとき、蓋体22は純水
液面に近接して配設されているので、純水12中から引き
上げられた基板20が蓋体22より下方に位置する間は、基
板20の表面には水膜が形成された状態にある。そして、
基板20がさらに鉛直上方へ引き上げられ、蓋体22のスリ
ット状開口部24を通って移動すると、蓋体22より上方に
位置する部分の表面から水膜が蒸発していき、基板の乾
燥が行なわれる。
【００１５】上記したような方法で基板の純水引上げ乾
燥を行なう場合において、基板の引上げ速度は、次のよ
うにして決定される。すなわち、純水を或る一定温度に
維持した状態において、疎水性基板及び親水性基板のそ
れぞれにつき、基板の引上げ速度を種々に変化させ、各
基板引上げ速度において基板の乾燥に要した時間をそれ
ぞれ計測する。そして、疎水性基板及び親水性基板をそ
れぞれ純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時
間との関係をグラフに表す。図３は、純水の温度が３０
℃であるときの前記関係を示すグラフであり、図４は、
純水の温度が５０℃であるときの前記関係を示すグラフ
である。図３及び図４において、実線で示した曲線Ｉ
が、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速
度と乾燥時間との関係を、破線で示した曲線IIが、親水
性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥
時間との関係をそれぞれ表している。
燥を行なう場合において、基板の引上げ速度は、次のよ
うにして決定される。すなわち、純水を或る一定温度に
維持した状態において、疎水性基板及び親水性基板のそ
れぞれにつき、基板の引上げ速度を種々に変化させ、各
基板引上げ速度において基板の乾燥に要した時間をそれ
ぞれ計測する。そして、疎水性基板及び親水性基板をそ
れぞれ純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時
間との関係をグラフに表す。図３は、純水の温度が３０
℃であるときの前記関係を示すグラフであり、図４は、
純水の温度が５０℃であるときの前記関係を示すグラフ
である。図３及び図４において、実線で示した曲線Ｉ
が、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速
度と乾燥時間との関係を、破線で示した曲線IIが、親水
性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥
時間との関係をそれぞれ表している。
【００１６】図３に示したグラフにおいては、基板の引
上げ速度が４００mm／分付近まで速くなると、親水性基
板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉから特異的に
乖離していく。また、図４に示したグラフにおいては、
基板の引上げ速度が５００mm／分付近まで速くなると、
親水性基板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉから
特異的に乖離していく。ここで、疎水性基板は水を弾く
ため、疎水性基板を純水中から引き上げるようにしたと
き、基板の引上げ速度を大きくするに従って乾燥時間が
短くなっていく理想的な乾燥が行なわれる。一方、親水
性基板は濡れ性が良いため、基板の引上げ速度を大きく
していったときに、或る速度を越えると逆に乾燥時間が
長くなって、疎水性基板の場合におけるような理想的な
乾燥から外れていく。そこで、親水性基板の引上げ速度
を、親水性基板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉ
から特異的に乖離していくときの引上げ速度付近の値、
すなわち、上記したように純水の温度が３０℃であると
きは４００mm／分付近、純水の温度が５０℃であるとき
は５００mm／分付近に設定する。これにより、親水性基
板の純水引上げ乾燥が疎水性基板の場合と同様に理想に
近い状態で行なわれ、かつ、基板の引上げ速度を可及的
に大きくして乾燥時間を最少にすることが可能になる。
すなわち、各純水温度において基板引上げ速度を上記し
た各速度付近にしたときがそれぞれ、親水性基板の純水
引上げ乾燥における最適条件となる。
上げ速度が４００mm／分付近まで速くなると、親水性基
板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉから特異的に
乖離していく。また、図４に示したグラフにおいては、
基板の引上げ速度が５００mm／分付近まで速くなると、
親水性基板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉから
特異的に乖離していく。ここで、疎水性基板は水を弾く
ため、疎水性基板を純水中から引き上げるようにしたと
き、基板の引上げ速度を大きくするに従って乾燥時間が
短くなっていく理想的な乾燥が行なわれる。一方、親水
性基板は濡れ性が良いため、基板の引上げ速度を大きく
していったときに、或る速度を越えると逆に乾燥時間が
長くなって、疎水性基板の場合におけるような理想的な
乾燥から外れていく。そこで、親水性基板の引上げ速度
を、親水性基板に係る曲線IIが疎水性基板に係る曲線Ｉ
から特異的に乖離していくときの引上げ速度付近の値、
すなわち、上記したように純水の温度が３０℃であると
きは４００mm／分付近、純水の温度が５０℃であるとき
は５００mm／分付近に設定する。これにより、親水性基
板の純水引上げ乾燥が疎水性基板の場合と同様に理想に
近い状態で行なわれ、かつ、基板の引上げ速度を可及的
に大きくして乾燥時間を最少にすることが可能になる。
すなわち、各純水温度において基板引上げ速度を上記し
た各速度付近にしたときがそれぞれ、親水性基板の純水
引上げ乾燥における最適条件となる。
【００１７】尚、上記した各基板引上げ速度は、各図の
曲線IIにおける変曲点近傍の値に相当する。従って、純
水を或る一定温度に維持した状態において、親水性基板
についてだけ、それを純水中から引き上げるときの引上
げ速度と乾燥時間との関係をグラフに表し、純水の当該
温度における親水性基板の引上げ速度を、その曲線にお
ける変曲点近傍の値に設定するようにしてもよい。
曲線IIにおける変曲点近傍の値に相当する。従って、純
水を或る一定温度に維持した状態において、親水性基板
についてだけ、それを純水中から引き上げるときの引上
げ速度と乾燥時間との関係をグラフに表し、純水の当該
温度における親水性基板の引上げ速度を、その曲線にお
ける変曲点近傍の値に設定するようにしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る基板の純水引上げ乾
燥方法によれば、純水の温度に応じた最適条件下で親水
性基板の純水引上げ乾燥を行なうことができる。そし
て、純水引上げ乾燥処理における最適条件を簡易に求め
ることができ、かつ、求められた条件は客観的にも最適
なものであり、また、赤外線ヒータや高周波加熱器など
のエネルギー源を併用して基板にエネルギーを与えなが
ら純水引上げ乾燥を行なう場合のように、基板表面にウ
ォーターマーク等のしみを発生するといった心配も無
い。
かつ作用するので、この発明に係る基板の純水引上げ乾
燥方法によれば、純水の温度に応じた最適条件下で親水
性基板の純水引上げ乾燥を行なうことができる。そし
て、純水引上げ乾燥処理における最適条件を簡易に求め
ることができ、かつ、求められた条件は客観的にも最適
なものであり、また、赤外線ヒータや高周波加熱器など
のエネルギー源を併用して基板にエネルギーを与えなが
ら純水引上げ乾燥を行なう場合のように、基板表面にウ
ォーターマーク等のしみを発生するといった心配も無
い。
【図１】この発明に係る基板の純水引上げ乾燥方法を実
施するための装置の構成の１例を示し、基板の純水引上
げ乾燥装置の概略構成を洗浄槽と共に示す正面断面図で
ある。
施するための装置の構成の１例を示し、基板の純水引上
げ乾燥装置の概略構成を洗浄槽と共に示す正面断面図で
ある。
【図２】図１に示した装置の側面断面図である。
【図３】疎水性基板及び親水性基板をそれぞれ純水中か
ら引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表
したグラフである。
ら引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表
したグラフである。
【図４】図３に示したグラフにおける場合とは純水の温
度を変えて、同じく疎水性基板及び親水性基板をそれぞ
れ純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間と
の関係を表したグラフである。
度を変えて、同じく疎水性基板及び親水性基板をそれぞ
れ純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間と
の関係を表したグラフである。
10 洗浄槽 12 温純水 16 基板昇降装置 18 基板昇降装置の支持部 20 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 洗浄槽内に収容され加温された純水中に
鉛直姿勢で浸漬された基板を純水中から鉛直上方へ引き
上げながら、その基板の表面から純水を蒸発させるよう
にする基板の純水引上げ乾燥方法において、 純水の或る温度における親水性基板の引上げ速度を、 親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と
乾燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水中か
ら引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表
す曲線とを比較し、親水性基板に係る前記曲線が疎水性
基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引
上げ速度付近の値に設定することを特徴とする基板の純
水引上げ乾燥方法。 - 【請求項２】 洗浄槽内に収容され加温された純水中に
鉛直姿勢で浸漬された基板を純水中から鉛直上方へ引き
上げながら、その基板の表面から純水を蒸発させるよう
にする基板の純水引上げ乾燥方法において、 純水の或る温度における親水性基板の引上げ速度を、 親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と
乾燥時間との関係を表す曲線における変曲点近傍の値に
設定することを特徴とする基板の純水引上げ乾燥方法。 - 【請求項３】 純水の温度が３０℃であるときに、親水
性基板の引上げ速度を４００mm／分付近に設定する請求
項１又は請求項２記載の基板の純水引上げ乾燥方法。 - 【請求項４】 純水の温度が５０℃であるときに、親水
性基板の引上げ速度を５００mm／分付近に設定する請求
項１又は請求項２記載の基板の純水引上げ乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11775193A JPH06310484A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 基板の純水引上げ乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11775193A JPH06310484A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 基板の純水引上げ乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310484A true JPH06310484A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14719421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11775193A Pending JPH06310484A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 基板の純水引上げ乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6637445B2 (en) * | 2000-12-12 | 2003-10-28 | S.E.S. Company Limited | Substrate processing unit |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP11775193A patent/JPH06310484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6637445B2 (en) * | 2000-12-12 | 2003-10-28 | S.E.S. Company Limited | Substrate processing unit |
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