KR100376036B1 - 기판세정방법및장치,기판세정/건조방법및장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 세척 방법은, (a) 이동가능하게 설치된 보트를 갖는 처리조내에 세척액을 도입하여 처리조내를 세척액으로 채우고, (b) 복수의 기판을 쳐크 부재에 의해 실질적으로 동일한 피치간격으로 한꺼번에 집고, (c) 쳐크 부재와 함께 기판을 상기 처리조내의 세척액에 담그고, (d) 처리조의 상부 영역에서 쳐크 부재로부터 보트로 기판을 이동 배치하고, (e) 세척액중에서 보트와 함께 기판을 이동시켜 기판을 처리조의 하부 영역에 위치시키고, (f) 처리조의 상부 영역으로부터 세척액을 배출하며, (g) 처리조의 하부 영역에 세척액을 공급하여 세척액을 처리조로부터 오버플로우시킨다.

Description

기판 세정 방법 및 장치, 기판 세정/건조 방법 및 장치
본 발명은 반도체 웨이퍼 및 LCD용 유리 기판과 같은 기판을 세정액으로 세정하는 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치와 기판을 건조 처리하는 기판 세정/건조 방법 및 기판 세정/건조 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하는 초기 공정에서는 기판이 되는 반도체 웨이퍼를 화학용액(chemical solution)내에 담그어 그 표면으로부터 미립자, 유기 오염물, 금속 불순물 등의 이물질을 화학 용액의 세정 작용에 의해 제거하고 행굼액으로 행군 후 건조시킨다. 이와 같은 일련의 처리에는 습식 세정/건조 시스템이 이용된다.
습식 세정/건조 시스템은 복수개의 처리조를 직렬로 나란히 배치한 웨트 스테이션(wet station)을 구비한다. 이 웨트 스테이션은 암모니아 과산화수소 용액, 불산 용액, 희황산 용액, 희염산 용액 등의 각종 화학 용액으로 웨이퍼를 세정 처리한 후, 깨끗한 물로 웨이퍼를 헹구고, 마지막으로 건조 처리한다. 이와 같은 시스템은 복수개의 웨이퍼를 각 처리조내에 차례로 담그어 일괄적으로 처리할 수 있다.
일본 특허 공개 제 1994-82647 호 공보에는 이소프로필 알콜(isopropyl alcohal : IPA) 증기로 웨이퍼를 건조 처리하는 폐쇄 방식의 건조 장치가 개시되어 있다. 이러한 건조 장치에 의하면, IPA 증기가 휘발될 때 웨이퍼의 표면으로부터 수막이 제거되어 웨이퍼의 표면에 워터마크가 생기는 일이 없이 건조된다.
그러나, 이러한 형태의 건조 장치에서는 웨이퍼가 세정 처리부로부터 건조 처리부까지 대기중에 반송되므로, 웨이퍼가 노출된 상태로 주위의 대기와 장시간 접촉하여 그 표면에 미립자 등의 이물질이 부착되기 쉽다.
일본 특허 공개 제 1994-103686 호 공보에는 다른 건조 장치가 개시되어 있다. 이러한 건조 장치에서는 깨끗한 물을 배출시키면서 처리실내에 IPA 증기를 공급하여 처리실 내부를 IPA 증기로 치환하도록 되어 있다.
유럽 특허 제 0 385 536 B1 호 공보에는 마랑고니 효과(Marangoni effect)를 이용한 웨이퍼 건조 장치가 개시되어 있다. 이 장치는 웨이퍼를 깨끗한 물속에서 상승시키면서 건조시킨다.
그러나, IPA 비등점의 온도는 82℃로 높기 때문에 세정액(깨끗한 물)의 증발이 촉진되어, 챔버 내벽에 깨끗한 물과 IPA의 결로가 발생된다. 이러한 결로가 발생되면, 챔버 내부의 분위기를 초기 상태로 되돌리기 위한 질소 가스 정화 시간이 길어져 생산량이 저하된다. 또한, 천장 내벽에 발생된 수분의 결로가 웨이퍼(W)상에 떨어져 부착되면, 웨이퍼(W)는 치명적인 손상을 받게된다. 더욱이 IPA의 결로는 건조 처리에 제공되지 않고 배출되어 버리기 때문에 IPA의 손실이 발생된다.
본 발명의 목적은 누수된 기판이 대기중에 노출되는 시간을 단축시켜 미립자 등의 부착을 최소화할 수 있는 고 생산성 및 고 생산량의 기판 세정 방법, 기판 세정/건조 방법, 기판 세정 장치 및 기판 세정/건조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기판 세정 방법은 (a) 이동 가능하게 설치된 보트를 갖는 처리조 내에 세정액을 도입하여 처리조 내부를 세정액으로 채우는 공정과, (b) 복수개의 기판을 척(chuck) 수단으로 실질적으로 동일한 피치 간격으로 일괄적으로 파지하는 공정과, (c) 상기 척 수단과 함께 기판을 상기 처리조내의 세정액에 담그는 공정과, (d) 상기 처리조의 상부 영역에 상기 척 수단으로부터 상기 보트로 기판을 이동시키는 공정과, (e) 세정액내에서 상기 보트와 함께 기판을 이동시켜 기판을 상기 처리조의 하부 영역으로 이동시키는 공정과, (f) 상기 처리조의 상부 영역으로부터 세정액을 배출시키는 공정과, (g) 상기 처리조의 하부 영역에 세정액을 공급하여 세정액을 처리조로부터 범람시키는 공정과, (h) 세정된 기판을 상기 처리조로부터 꺼내는 공정을 포함한다.
본 발명의 기판 세정/건조 방법은, (A) 이동 가능하게 설치된 보트를 갖는 처리조내에 세정액을 도입하여 처리조를 세정액으로 채우는 공정과, (B) 복수개의 기판을 척 수단으로 실질적으로 동일한 피치 간격으로 일괄적으로 파지하는 공정과, (C) 상기 척 수단과 함께 기판을 상기 처리조내의 세정액에 담그는 공정과, (D) 상기 처리조의 상부 영역에서 상기 척 수단으로부터 상기 보트로 기판을 이동시키는 공정과, (E) 세정액중에서 상기 보트와 함께 기판을 이동시켜 기판을 상기 처리조의 하부 영역에 위치시키는 공정과, (F) 상기 처리조의 상부 영역으로부터 세정액을 배출시키는 공정과, (G) 상기 처리조의 하부 영역에 세정액을 공급하여 세정액을 처리조로부터 범람시키는 공정과, (H) 상기 처리조의 상부 영역에 건조 처리용 증기를 도입하는 공정과, (1) 세정액으로부터 건조 처리용 증기의 기체중으로 기판을 꺼내어 기판에 건조 처리용 증기를 접촉시켜서 기판을 건조시키는 공정과, (J) 건조된 기판을 상기 처리조로부터 꺼내는 공정을 포함한다.
본 발명의 기판 세정 장치는, 처리조와, 상기 처리조내에 기판을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 복수개의 기판을 실질적으로 동일한 피치 간격으로 일괄적으로 파지하는 척 부재를 구비하여, 기판을 상기 처리조로 반송하는 반송 수단과, 이 반송 수단으로부터 복수개의 기판을 이동 배치하는 보트와, 상기 처리조의 하부에 설치되어 세정될 복수개의 기판과 함께 상기 보트를 수용할 수 있는 용적을 갖는 주 처리조와, 이 주 처리조 위에 설치되어 세정시 복수개의 기판과 함께 상기 척 부재를 수용할 수 있는 용적을 갖는 보조 처리조와, 상기 보트를 보조 처리조와 상기 주 처리조 사이에서 상승 및 하강시키는 상승/하강부재를 구비한다.
본 발명의 기판 세정/건조 장치는 처리조와, 이 처리조내에 기판을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 복수개의 기판을 실질적으로 동일한 피치 간격으로 일괄적으로 파지하는 척 부재를 구비하여, 기판을 상기 처리조로 반송하는 반송 수단과, 이 반송 수단으로부터 복수개의 기판을 이동 배치하는 보트와, 상기 처리조의 하부에 설치되어 세정시 복수개의 기판과 함께 상기 보트를 수용할 수 있는 용적을 갖는 주 처리조와, 이 주 처리조 위에 연속 설치되어 세정시 복수개의 기판과 함께 상기 척 부재를 수용할 수 있는 부피를 갖는 보조 용기와, 상기 보트를 상기 보조 처리조와 상기 주 처리조 사이에서 상승 및 하강시키는 상승/하강 수단과, 누수 기판을 건조시키는 건조용 증기를 상기 보조 용기내에 공급하는 건조용 증기 공급 수단을 포함한다.
본 발명의 기판 세정/건조 장치는 기판을 세정하기 위한 세정액이 저장되는 처리조와, 복수개의 기판을 유지하고 이들을 상기 처리조내의 세정액내에 일괄적으로 담그는 보트 수단과, 상기 처리조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과, 건조용 액체를 가열하여 건조용 증기를 생성하는 건조용 증기 생성부와, 이 건조용증기 생성부와 상기 처리조에 각각 연결되어 건조용 증기 생성부에서 생성된 건조용 증기를 상기 처리조내에 도입하기 위한 제 1 통로와, 상기 건조용 증기 생성부로부터의 건조용 증기가 흩어져 없어지는 것을 방지하는 냉각 수단과, 이 냉각 수단으로부터 위쪽에 설치되고 상기 건조용 증기 생성부내로 연결되어 건조용 증기를 배출하기 위한 제 2 통로와, 기판을 실질적으로 산화시키지 않는 비산화성 가스를 공급하는 공급원과, 상기 제 1 통로 및 상기 비산화성 가스 공급원에 각각 연결되는 동시에 상기 건조용 증기 생성부 및 상기 처리조의 각각에 비산화성 가스를 도입하기 위한 제 3 통로를 포함한다.
도 1은 세정/건조 장치의 전체 개요를 도시한 사시도,
도 2는 처리조를 도시한 블록 단면도,
도 3은 처리조내의 웨이퍼 보트를 도시한 사시도,
도 4A 및 도 4B는 동작의 설명을 위해 각각의 처리조를 도시한 단면도,
도 5는 다른 처리조를 도시한 단면도,
도 6A, 도 6B 및 도 6C는 다른 동작의 설명을 위해 각각의 처리조를 도시한 단면도,
도 7은 다른 처리조를 도시한 블록 단면도,
도 8A, 도 8B 및 도 8C는 다른 동작의 설명을 위해 각각의 처리조를 도시한 단면도,
도 9는 세정/건조 장치를 도시한 개략적 블록 평면도,
도 10은 다른 처리조를 도시한 블록 단면도,
도 11은 실시예의 공정(S1∼S10)에 대한 흐름도,
도 12는 다른 처리조를 도시한 블록 단면도,
도 13은 다른 실시예의 공정(S11∼S24)에 대한 흐름도,
도 14는 다른 실시예의 공정(S11∼S24)에 대한 흐름도,
도 15는 처리조, 건조 가스 생성 장치 및 그의 주변 회로를 도시한 블록 단면도,
도 16은 처리조내의 냉각관 및 웨이퍼 보트를 도시한 분해 사시도,
도 17은 다른 실시예의 공정(S51∼S56)에 대한 흐름도,
도 18은 처리조의 일부를 확대하여 도시한 개략적 단면도,
도 19는 처리조의 일부를 확대하여 도시한 개략적 단면도,
도 20은 웨이퍼와 처리액의 접촉 경계면을 도시한 확대 개략도,
도 21, 도 22 및 도 23은 다른 처리조, 건조 가스 생성 장치 및 그의 주변회로를 도시한 블록 단면도,
도 24는 처리조내의 냉각관 및 웨이퍼 보트를 도시한 분해 사시도,
도 25는 다른 실시예의 공정(S61∼S64)에 대한 흐름도,
도 26, 도 27 및 도 28은 다른 처리조, 건조 가스 생성 장치 및 그의 주변회로를 도시한 블록 단면도,
도 29는 처리조내의 냉각관 및 웨이퍼 보트를 도시한 분해 사시도,
도 30은 다른 처리조, 건조 가스 생성 장치 및 그의 주변 회로를 도시한 블록 단면도,
도 31은 처리조내의 냉각관 및 웨이퍼 보트를 도시한 분해 사시도,
도 32는 다른 처리조, 건조 가스 생성 장치 및 그의 주변 회로를 도시한 블록 단면도,
도 33A내지 도 33E는 다른 실시예의 세정/건조 방법을 도시한 흐름도,
도 34는 세정/건조 장치의 전체적인 개요를 도시한 사시도,
도 35는 도 34의 IIIXV-IIIXV선을 따라 절단한 세정/건조 장치 및 웨이퍼 반송 장치의 개략적 단면도,
도 36은 웨이퍼 반송 장치 및 웨이퍼 보트를 도시한 사시도,
도 37은 처리조내의 웨이퍼 보트를 도시한 분해 사시도,
도 38은 세정/건조 장치를 개략적으로 도시한 블록 구성도,
도 39는 IPA 증기 발생실 및 그의 주변 회로를 도시한 블록 단면도,
도 40은 다른 실시예의 공정(S81∼S87)에 대한 흐름도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 세정/건조 장치 2 : 프로세스부
3 : 로더부 4 : 언로더부
5 : 배치부 6 : 카세트 배치대
7 : 중계부 8 : 이송 장치
10a∼10n : 처리조 11 : 주 처리조
12 : 보조 처리조 20 : 반송 장치
20a : 웨이퍼 척
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 각종 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 우선, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4A 및 도 4B를 참조하여 반도체 웨이퍼를 세정, 건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
세정 처리 시스템(1)은 프로세스부(2)와, 로더(loader)부(3) 및 언로더(unloader)부(4)를 구비한다. 로더부(3)는 프로세서부(2)의 한쪽 단부에 설치되며, 언로더부(4)는 프로세스부(2)의 다른쪽 단부에 설치된다.
로더부(3)는 배치부(5), 중계부(7) 및 이송 장치(8)를 구비한다. 배치부(5)에는 복수개의 카세트(C)가 배치된다. 각 카세트(C)에는 사전처리된 25개의 웨이퍼(W)가 각각 수용된다. 이송 장치(8)는 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 한꺼번에 파지해서 위치결정하고, 이들을 중계부(7)로 이송하도록 되어 있다. 중계부(7)는 프로세스부(2)에 인접하며, 이송 장치(8)로부터 반송 장치(20)로 웨이퍼(W)를건네주는 중계 지점이 된다.
프로세스부(2)는 Y축 방향으로 직렬로 나란한 복수개의 세정 유닛(10a, 10b, …, 10n)을 구비한다. 이들 세정 유닛(10a∼10n)은 화학 용액 처리조(15a)와 1차 헹굼조(15b)와 2차 헹굼조(15c)를 각각 구비한다. 화학 용액 용기(15a)에는 암모니아 과산화수소 용액 및 불산 용액과 같은 화학 용액이 순환 공급되도록 되어 있다. 1차 헹굼조(15b) 및 2차 헹굼조(15c)에는 깨끗한 물이 공급되도록 되어 있다. 이들 헹굼조(15b, 15c)에서 헹궈진 후, 웨이퍼(W)는 하류측의 유닛(10b∼10n)에서 처리되도록 되어 있다.
프로세스부(2)의 가장 하류측에는 세정 건조 유닛(10n)이 설치된다. 이 세정 건조 유닛(10n)은 웨이퍼(W)를 최종적으로 세정하여 IPA 건조 처리할 수 있도록 되어 있다. 또한, 3개의 반송 장치(20)가 프로세스부(2)를 따라 각각 Y축으로 이동가능하게 설치된다. 각 반송 장치(20)는 50개의 웨이퍼(W)를 한꺼번에 파지하는 웨이퍼 척(chuck)(20a)을 각각 구비한다. 웨이퍼 척(20a)은 X축 및 Z축으로 각각 이동가능하며, Z축을 중심으로 θ 회전 가능하다.
언로더부(4)는 카세트 탑재부(6)를 구비한다. 카세트 탑재부(6)에는 복수개의 카세트(C)가 위치되며, 상기 카세트(C)에는 유닛(10a∼10n)에서 세정/건조 처리된 웨이퍼(W)가 수납되도록 되어 있다.
그 다음, 도 2 내지 도 4b를 참조하여, 웨이퍼 세정 장치에 대해 설명한다. 웨이퍼 세정 장치는 처리조(10)와, 웨이퍼 척(20)과, 웨이퍼 보트(30)를 구비한다. 처리조(10)는 주 처리조(하부 처리조)(11) 및 보조 처리조(상부 처리조)(12)로 이루어진다. 주 처리조(11)의 바닥부에는 공급구(11a) 및 정류판(도시하지 않음)이 설치되며, 이 공급구(11a)를 통해 깨끗한 물 공급원(44)으로부터 주 처리조(11)내로 깨끗한 물(101)이 공급되도록 되어 있다. 이 깨끗한 물 공급 라인(43)에는 펌프(41) 및 개폐 밸브(42)가 설치된다.
보조 처리조(12)는 주 처리조(11)의 상부에 설치되며, 그의 직경은 주 처리조(11)의 직경보다 조금 크다. 보조 처리조(12)의 높이는 주 처리조(11)의 높이와 대략 동일하다. 이 보조 처리조(12)의 바닥부와 주 처리조(11)의 상부에 의해 제 1 범람부(12a)가 형성된다. 이러한 제 1 범람부(12a)는 밸브(45)를 통해 배수 라인(46)에 연결된다. 또한, 보조 처리조(12)의 상부 개구 주위에는 제 2 범람부(13a)가 설치된다. 제 2 범람부(13a)는 밸브(48)를 통해 배수 라인(49)에 연결된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 주 처리조(11)의 개구 상단에는 복수개의 절취부(11b)가 형성되며, 주 처리조(12)의 상단에도 복수개의 절취부(12b)가 형성된다. 각 처리조(11, 12)내의 세정액(101)은 이들 절취부(11b, 12b)를 통해 각각의 범람부(12a, 13a)로 흐르도록 되어 있다.
웨이퍼 보트(30)는 아암(32, 33)을 통해 상승/하강 장치(31)에 연결되어 지지되며, 주 처리조(11)와 보조 처리조(12) 사이에서 상승 및 하강하도록 설치된다. 아암(33)의 하단부에는 3개의 지지 봉(34, 35, 35)이 수평으로 부착된다. 중앙의 지지 봉(34) 및 좌우 지지 봉(35)에는 각각 복수개의 홈(34a, 35a)이 형성되며, 50개의 웨이퍼(W)가 동일한 피치 간격으로 유지되도록 되어 있다. 이들 지지 봉(34,35)은 폴리에테르· 에테르· 케톤(PEEEK)과 같이 내식성 및 내열성이 뛰어난 고 강도 수지 재료로 제조된다.
그 다음, 도 4A 및 도 4B를 참조하여 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 경우에 대해 설명한다.
처리조(10)내에 깨끗한 물(101)을 공급하고, 보조 처리조(12)의 상단까지 물을 저수한다. 이 때 웨이퍼 보트(30)는 보조 처리조(12)내에 위치시켜둔다. 도 4A에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 척(20a)을 보조 처리조(12)내로 하강시켜 웨이퍼(W)를 한꺼번에 보트(30)상으로 이동 배치한다. 그 다음, 보트(30)를 하강시켜 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내에 위치시킨다. 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내로 이동시킨 후에, 또는 이동과 동시에 보조 처리조(12)내의 깨끗한 물(101)을 배수 라인(46)으로 배출시킨다. 그 다음, 도 4B에 도시된 바와 같이, 물(101)을 공급원(44)으로부터 주 처리조(11)내로 공급함과 동시에 주 처리조(11)로부터 보조 처리조(12)의 제 1 범람부(12a)로 소정 시간동안 범람시킨다. 이렇게 함으로써, 주 처리조(11)내의 웨이퍼(W)가 행궈진다. 헹굼 처리 후에, 웨이퍼 보트(30)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 보트(30)로부터 웨이퍼 척(20a)을 이동 배치한다. 그리고, 반송 장치(20)는 웨이퍼(W)를 후속 공정으로 반송한다.
그 다음, 도 5, 도 6A, 도 6B, 도 6C를 참조하여 다른 실시예의 웨이퍼 세정장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 처리조(10)에서는 상부의 보조 처리조(12A)의 높이를 주 처리조(11) 높이의 약 2배로 설정한다. 이와 같이 하면, 도 6A 및 도 6B에 도시된바와 같이, 보조 처리조(12A)로부터 주 처리조(11)까지의 웨이퍼 이동 거리가 길어지며, 웨이퍼(W)와 물(101)의 유동 접촉이 증가하기 때문에, 웨이퍼(W)의 세정 효과가 더욱 향상된다.
그 다음, 도 7, 도 8A, 도 8B, 도 8C를 참조하여 다른 실시예의 웨이퍼 세정장치에 대해 설명한다. 본 실시예의 처리조(10)는 복수개의 노즐(50)을 주 처리조(11)내에 설치하고, 노즐(50)로부터 웨이퍼(W)로 화학 용액(102) 또는 세정액(101)을 분사하도록 되어 있다. 이 노즐(50)은 스위칭 밸브(51, 57)를 통해 물 공급 라인(43)과 HF 수용액 공급 라인(58a)에 각기 접속된다. 물 공급 라인(43)에는 물 공급원(44), 펌프(41), 밸브(42), 스위칭 밸브(51)가 설치된다. HF 수용액 공급라인(58a)에는 HF 수용액 공급원(58), 펌프(58b), 밸브(58c), 스위칭 밸브(57)가 설치된다. 또한, HF수용액 공급원(58)에는 불화수소산 수용액이 수용된다.
또한, 노즐(50)은 HF 수용액 순환 라인(52)내에 조립된다. HF 수용액 순환라인(52)은 주 처리조(11), 범람부(12a), 밸브(53), 스위칭 밸브(51, 57, 59a), 펌프(54), 댐퍼(55), 필터(56), 노즐(50)로 이루어진다. 또한, HF 수용액 순환 라인(52)에는 스위칭 밸브(59a)를 통해 배수 라인(59)이 접속된다.
노즐(50)은 주 처리조(11)내에서 웨이퍼(W) 아래쪽 양측에 배치된다. 각 노즐(50)은 복수개의 분사구를 가지며, 이들 분사구는 웨이퍼(W)의 배열 방향(X축 방향)으로 동일한 피치 간격으로 설치된다. 또한, 주 처리조(11)의 바닥부에는 배출구(11c)가 설치되며, 이 배출구(11c)에는 개폐 밸브(60)를 갖는 배수 라인(61)이 연결된다.
그 다음, 상기 장치의 동작에 대해 설명한다. 우선, 처리조(10)내에 깨끗한 물(101)을 공급하여, 보조 처리조(12)의 상단까지 물(101)을 채운다. 이 때, 웨이퍼 보트(30)를 보조 처리조(12)내에 위치시켜둔다. 또한, 처리의 초기에는 주 처 리조(11)내에만 화학 용액을 수용하고, 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내의 화학 용액에 갑자기 담그어 세정하도록 하여도 좋다. 도 8A에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 척(20a)을 보조 처리조(12)내로 하강시켜 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내에 위치시킨다. 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내로 이동시킨 후에, 또는 이동과 동시에 보조 처리조(12)내의 물(101)을 배수 라인(59)으로 배출한다.
그 다음, 스위칭 밸브(51, 57, 59a)를 절환하여, 도 8B에 도시된 바와 같이, HF 수용액(102)을 노즐(50)로부터 웨이퍼(W)를 향해 분사한다. 주 처리조(11)로부터 보조 처리조(12)의 제 1 범람부(12a)로 소정 시간동안 범람시킨다. 범람된 HF 수용액(102)은 순환 라인(52)을 통해 주 처리조(11)로 복귀된다. 이렇게 하여, 주 처리조(11)내의 웨이퍼(W)가 화학 용액에 의해 세정 처리된다. 또한, 범람된 화학용액(102)을 순환시키지 않고 배수 라인을 통해 배출하도록 하여도 좋다.
그 다음, 스위칭 밸브(51, 57, 59a)를 전환시켜, 도 8C에 도시된 바와 같이 물(101)을 노즐(50)로부터 웨이퍼(W)를 향해 분사한다. 주 처리조(1)로부터 보조 처리조(12)의 제 1 범람부(12a)로 소정 시간동안 범람시킨다. 범람된 물(101)은 배수 라인(59)을 통해 배출된다. 이렇게 하여, 주 처리조(11)내의 웨이퍼(W)가 헹궈진다. 헹굼 처리된 후에, 웨이퍼 보트(30)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 보트(30)로부터 웨이퍼 척(20a)쪽으로 이동 배치한다. 그리고, 반송 장치(20)가 웨이퍼(W)를 다음공정으로 반송한다.
상기 장치에 의하면, 하나의 처리조내에서 화학 용액 세정 처리 및 헹굼 처리를 모두 수행할 수 있으므로, 장치를 소형화할 수 있다. 즉, 상기 처리조(10)를 최종 세정 처리 유닛(70)에 설치함으로써, 헹굼 처리 유닛을 하나 감소시킬 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)는 화학 용액 처리 유닛(71)에서 암모니아 액에 의해 처리된 후에, 최종적으로 세정 처리 유닛(70)에서 헹궈지며, 그 직후에 HF 수용액에 의해 처리된다. 그로 인해, 생산성이 향상된다.
또한, 도 9에 도시된 종래의 처리 시스템은 최종 세정 처리 유닛(70)의 상류측에 헹굼 처리 유닛(73)을 통해 화학 용액 처리 유닛(71)을 설치하고 있다. 그러나, 본 실시예의 장치에서는 최종 세정 처리 유닛(70)에서 헹굼 처리 및 화학 용액처리를 행하므로, 헹굼 처리 유닛(73)을 생략할 수 있다.
그 다음, 도 10 및 도 11을 참조하여 다른 실시예와 관련된 웨이퍼 세정/건조 장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 처리조(10)는 웨이퍼(W)를 보조 처리조(12)내에서 건조 처리할 수 있도록 한다. 즉, 보조 처리조(12)의 상부 개구에 덮개(14)를 개폐 가능하게 장착하고, 이 덮개(14)의 IPA 증기 공급구(14a)를 라인(81)을 통해 IPA 증기 생성장치(80)의 밀폐 용기(82)에 연결하여, 보조 처리조(12)내에 IPA 증기가 도입되도록 되어 있다.
IPA 증기 생성 장치(80)의 용기(82)에는 라인(85)을 통해 IPA 공급원(도시되지 않음)이 연결된다. 용기(82)의 바닥부에는 액체 저장 팬(83a)이 설치되며, 이액체 저장 팬(83a)의 하부에는 히터(83b)가 설치된다. 이들 용기(82), 액체 저장 팬(83a), 히터(83b)에 의해 증기 생성부(83)가 이루어진다. 또한, 용기(82)에는 가스 공급 라인(84)을 통해 질소 가스 공급원(도시되지 않음)이 연결된다. 질소 가스 공급 라인(84)에는 히터(86)가 부착되어, 질소 가스가 바람직한 온도로 가열되도록 되어 있다.
또한, IPA 증기 공급 라인(85)에는 라인(89)을 통해 별도의 질소 가스 공급원(도시 않됨)이 연결된다. 이 질소 가스 라인(89)에는 개폐 밸브(87) 및 필터(88)가 설치된다.
그 다음, 비 저항계(54A)를 갖는 비 저항 측정 회로에 대해 설명한다.
비 저항계(54A)는 범람 라인(52A)을 통해 제 1 범람부(12a)에 연결된다. 범람 라인(52A)으로부터 스위칭 밸브(45A)를 갖는 배수 라인(46A)이 분기된다. 이 분기부보다 하류측에 비 저항계(54A)가 설치된다. 비 저항계(54A)의 상류측에는 스위칭 밸브(47A)가 설치되며, 비 저항계(54A)의 하류측에는 배수 라인(56A)이 설치된다. 또한, 스위칭 밸브(45A, 47A)는 콘트롤러(50A)에 의해 동작 제어되도록 되어 있다.
그 다음, 도 11의 공정(S1∼S10)을 참조하여 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
처리조(10)내에 깨끗한 물(101)을 공급하고, 처리조(10)로부터 물(101)을 범람시키는 동시에 웨이퍼 보트(30)(도시 않됨)를 보조 처리조(12) 내부에 위치시킨다(공정 S1). 반송 장치(20)에 의해 웨이퍼(W)를 보조 처리조(12)내로 이동시키고,웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(20a)(도시 않됨)으로부터 보트(30)로 이동 배치한다(공정 S2). 그 다음, 웨이퍼 척(20a)을 위쪽으로 후퇴시키고 덮개(14)를 덮어 처리조(10) 내부를 밀폐시킨다. 웨이퍼 보트와 함께 웨이퍼(W)를 하강시켜 주 처리조(11)내에 위치시킨 후에, 웨이퍼(W)를 헹군다(공정 S3). 보조 처리조(12)내의 물(101)을 배출시키는 동시에 보조 처리조(12)내에 질소 가스를 공급하여 보조 처리조(12) 내부를 질소 가스로 정화시킨다(공정 S4). 이 때, 보조 처리조(12) 내부의 미립자는 물(101)과 함께 배출된다.
그 다음, 질소 가스에 수반된 IPA 증기(103)를 보조 처리조(12)내로 도입하며, 보조 처리조(12) 내부를 IPA 증기(103)로 채운다(공정 S5). 보트(30)와 함께 웨이퍼(W)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 꺼낸다(공정 S6). 웨이피(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 완전히 꺼내어 보조 처리조(12) 내부의 IPA 증기(103)와 접촉시켜 웨이퍼(W)를 건조시킨다(공정 S7).
웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료되면, 물(101)을 주 처리조(11)로부터 배출시키는 동시에 질소 가스를 보조 처리조(12)내에 도입한다(공정 S8). 또한, 물(101)의 배출 조작은 상기 공정(S7)동안 행하여도 좋다. 처리조(10) 내부의 물(101)이 완전히 배출되면(공정 S9), 그로부터 소정 시간의 경과 후에 덮개(14)를 열고, 웨이퍼(W)를 처리조(10)로부터 반출한다(공정 S10). 이와 같이 하여, 하나의 처리조(10)내에서 세정 처리와 건조 처리를 행할 수 있으므로, 장치가 소형화됨과 동시에 생산성이 향상된다.
그 다음, 도 12 및 도 13을 참조하여 다른 실시예와 관련된 웨이퍼 세정/건조 장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 처리조(10)는 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)내에서 화학 용액 세정처리 및 헹굼 처리하는 동시에 보조 처리조(12)내에서 건조 처리하도록 하고 있다. 즉, 노즐(50)을 주 처리조(11)내에 설치하고, 노즐(50)로부터 웨이퍼(W)로 화학 용액(102) 또는 깨끗한 물(101)을 선택적으로 분사하는 한편, 보조 처리조(12) 내부로는 IPA 증기(103)를 도입하여 웨이퍼(W)를 건조시키도록 한다.
그 다음, 도 13의 공정(S11∼S24)을 참조하여 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
처리조(10) 내부에 물(101)을 공급하고, 처리조(10)로부터 물(101)을 범람시키는 동시에 웨이퍼 보트(30)(도시 안됨)를 보보 처리조(12) 내부에 위치시킨다(공정 S11). 반송 장치(20)에 의해 웨이퍼(W)를 보조 처리조(12)내로 운반하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(20a)(도시 않됨)으로부터 보트(30)로 이동 배치한다(공정 S12). 그 다음, 웨이퍼 척(20a)을 위쪽으로 후퇴시키고 덮개(14)를 덮어 처리조(10) 내부를 밀폐시킨다. 보트(30)와 함께 웨이퍼(W)를 하강시켜 주 처리조(11) 내부에 위치시킨 후, 웨이퍼(W)를 1차 헹굼한다(공정 S13). 보조 처리조(12) 내부의 물(101)을 배출하는 동시에 보조 처리조(12) 내부에 질소 가스를 공급하여 보조 처리조(12) 내부를 질소 가스로 정화시킨다(공정 S14). 이 때, 보조 처리조(12) 내부의 미립자는 물(101)과 함께 배출된다.
그 다음, 질소 가스를 보조 처리조(12) 내부로 도입하여 보조 처리조(12) 내부를 질소 가스로 정화하는 동시에 노즐(50)로부터 주 처리조(11) 내부의웨이퍼(W)로 HF 수용액(102)을 분사한다(공정 S15). 또한, 공정(S14)으로부터 공정(S15)까지의 사이에서 주 처리조(11)내의 물을 배출시킨 후에, HF 수용액을 주 처리조(11) 내부로 도입하여도 좋다.
화학 용액의 세정 처리가 종료되면, 주 처리조(11)로부터 HF 수용액(102)을 배출한다(공정 S16). 그 다음, 주 처리조(11) 내부로 물(101)을 공급함과 동시에, 노즐(50)로부터 물(101)을 웨이퍼(W)로 분사하여 물(101)을 범람시키면서 웨이퍼(W)를 2차 헹굼한다(공정 S17).
질소 가스에 수반된 IPA증기(103)를 보조 처리조(12)내로 도입하여 보조 처리조(12) 내부를 IPA 증기(103)로 채운다(공정 S18, S19). 보트(30)와 함께 웨이퍼(W)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 꺼낸다(공정 S20). 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 완전히 꺼내어, 보조 처리조(12) 내부의 IPA 증기(103)와 접촉시켜 웨이퍼(W)를 건조시킨다(공정 S21).
웨이퍼(W)의 건조가 종료되면, 물(101)을 주 처리조(11)로부터 배출하는 동시에 질소 가스를 보조 처리조(12) 내부로 도입한다(공정 S22). 처리조(10) 내부의 물(101)이 완전히 배출되면(공정 S22), 그로부터 소정 시간의 경과 후에 덮개(14)를 열고 웨이퍼(W)를 처리조(10)로부터 반출한다(공정 S24). 이와 같이 하여, 하나의 처리조(10) 내부에서 화학 용액 세정 처리, 헹굼 처리, 건조 처리를 행할 수 있으므로, 장치가 소형화되는 동시에 생산성이 향상된다.
도 14의 공정(S31∼S44)을 참조하여 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 다른 실시예에 대해 설명한다.
처리조(10) 내에 물(101)을 공급하여 처리조(10)로부터 물(101)을 범람시키는 동시에 웨이퍼 보트(30)(도시 않됨)를 보조 처리조(12) 내부에 위치시킨다(공정 S31). 반송 장치(20)에 의해 웨이퍼(W)를 보조 처리조(12) 내부에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(20a)(도시 안됨)으로부터 보트(30)로 이동 배치한다(공정 S32). 그 다음, 웨이퍼 척(20a)을 위쪽으로 후퇴시켜 덮개(14)를 덮어 처리조(10) 내부를 밀폐시킨다. 보트(30)와 함께 웨이퍼(W)를 하강시켜 주 처리조(11) 내부에 위치시킨 후에 웨이퍼(W)를 1차로 헹굼한다(공정 S33). 보조 처리조(12) 내부의 물(101)을 배출하는 동시에, 보조 처리조(12) 내부에 질소 가스를 공급하여 보조 처리조(12) 내부를 질소 가스로 정화한다(공정 S34). 이 때, 보조 처리조(12) 내부의 미립자는 물(101)과 함께 배출된다.
그 다음, 질소 가스를 보조 처리조(12) 내부에 도입하여 보조 처리조(12) 내부를 질소 가스로 정화하는 동시에, HF 수용액(102)을 주 처리조(11) 내부에 공급하여 HF 수용액(102)을 주 처리조(11)로부터 범람시킨다(공정 S35). 또한, 공정(S34)으로부터 공정(S35)까지의 사이에서 주 처리조(11) 내부의 물(101)을 배출한 후에, HF 수용액을 주 처리조(11) 내부에 도입하여도 좋다.
화학 용액 세정 처리 작업의 종료 후에, 주 처리조(11)로부터 HF 수용액(102)을 배출한다(공정 S36). 그 다음, 주 처리조(11) 내부에 물(101)을 공급하여 이 물(101)을 범람시키면서 웨이퍼(W)를 2차로 헹굼한다(공정 S37).
질소 가스에 수반된 IPA 증기(103)를 보조 처리조(12) 내로 도입하여 보조 처리조(12) 내부를 IPA 증기(103)로 채운다(공정 S38, S39). 보트(30)와 함께 웨이퍼(W)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 꺼낸다(공정 S40). 웨이퍼(W)를 주 처리조(11)의 물(101)로부터 완전히 꺼내어 보조 처리조(12) 내부의 IPA 증기(103)와 접촉시켜 웨이퍼(W)를 건조시킨다(공정 S41).
웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료되면, 물(101)을 주 처리조(11)로부터 배출하는 동시에 질소 가스를 보조 처리조(12)내에 도입한다(공정 S42). 처리조(10) 내부의 물(101)이 완전히 배출되면(공정 S43), 그로부터 소정 시간의 경과 후에 덮개(14)를 열고 웨이퍼(W)를 처리조(10)로부터 반출한다(공정 S44).
또한, 상기 실시예에서는 보트를 상승시켜 웨이퍼(W)를 IPA 증기에 접촉시켰지만, 웨이퍼(W)를 주 처리조(11) 내부에 정지시킨 상태에서 물(101)을 주 처리조(11)로부터 배출함으로써 웨이퍼(W)와 건조 가스를 접촉시켜도 좋다.
그 다음, 도 15 내지 도 22를 참조하여 다른 실시예에 대해 설명한다.
세정/건조 처리 장치(115)는 처리조(120)와, IPA 증기 공급로(130)와, IPA 증기 발생부(140)와, 질소 가스 공급로(150)와, 제어부(160)를 포함한다.
처리조(120)는 내측 처리조(120a), 외측 처리조(120b), 보트(121)를 구비한다. 도 16에 도시된 바와 같이, 보트(121)는 50개의 웨이퍼(W)를 동일한 피치 간격(예를 들면, 1/2 피치 간격)으로 수직으로 지지하는 복수개의 지지 봉을 갖는다. 50개의 웨이퍼(W)는 반송 장치(20)(도시 안됨)로부터 보트(121)로 이동 배치되도록 되어 있다.
내측 처리조의 바닥부(120c)에는 공급/배출구(124)가 형성된다. 이 공급/배출구(124)에는 라인(L1, L2)이 연결된다. 라인(L1)은 내측 처리조(120a)로부터물(101)을 배출시키기 위한 배출 라인이고, 라인(L2)은 내측 처리조(120a)에 물(101)을 공급하기 위한 공급 라인이다. 예를 들면, 물(101)은 공급/배출구(124) 및 배출 라인(L1)을 통해 회수 장치(123)에 회수되며, 화학 용액은 개폐 밸브(V1) 및 배출 라인(L1)을 통해 회수 장치(123)에 회수된다.
외측 처리조(120b)의 바닥부에는 배출구(122)가 설치되며, 이 배출구(122)를 통해 사용된 물이 회수 장치(123)에 회수된다. 공급 라인(L2)에는 펌프(P)와 개폐밸브(V2)가 설치된다. 물 공급원(도시 안됨)으로부터 라인(119)을 통해 물(101)이 내측 처리조(102a) 내부로 공급된다.
공급/배출구(124)의 바로 위에는 정류 수단(125)이 설치된다. 이 정류 수단(125)은 정류판(125a) 및 확산판(125b)을 구비한다. 정류판(125a)에는 다수의 작은 구멍(125c)이 형성되어, 공급/배출구(124)로부터 도입된 물이 정류되도록 되어있다.
도 15, 도 18, 도 19에 도시된 바와 같이, 처리조(120)의 상부에는 캡(126)에 설치된다. 이 캡(126)은 상승/하강 장치(도시 안됨)에 의해 상승 및 하강가능하게 지지되며, 처리조(120)에 착탈 가능하게 설치된다. 캡(12)의 하단부에는 원형 링(127)이 부착된다. 도 19에 도시된 바와 같이, 이 원형 링(127)은 내측 처리조(120a)의 상단부에 접촉하며, 처리조(120)에 착탈 가능하게 설치된다. 캡(126)의 하단부에는 원형 링(127)이 부착된다. 도 19에 도시된 바와 같이, 이 원형 링(127)은 내측 처리조(120a)의 상단부에 접촉하며, 처리조(120)의 내부에 공기가 통하게 않도록 되어 있다. 처리조(120) 내부에는 공급로(130)를 통해 IPA증기(103) 및 질소 가스가 각각 공급되도록 되어 있다. 또한, 캡(126)의 외측 가장자리에는 히터(도시 안됨)가 부착되어 처리조(120)의 내부가 IPA 증기(103)의 비등점 이상의 온도 범위, 바람직하게는 80℃ 이상의 온도 범위로 신속히 승온되도록 되어 있다.
또한, 캡(126)에는 배기구(128)가 형성된다. 이 배기구(128)는 밸브(V3)를 통해 배기 장치(129)에 연결된다. 또한, 가스 공급로(130) 및 배기구(128)를 처리조(120)측에 형성하여도 좋다.
IPA 증기 생성 장치(140)는 증기 생성부(141) 및 냉각부(142)를 구비한다. 냉각부(142)는 증기 생성부(141) 내부의 IPA 증기(103)를 냉각 응축시키기 위한 것이다. 증기 발생부(141)의 바닥부에는 IPA 액 저장부(143)가 설치된다. 또한, IPA 액 저장부(143)의 하부에는 히터(144)가 설치된다. 냉각부(142)는 증기 발생부(141)의 상부 내벽을 따라 지그재그형으로 부착된다. 이 지그재그형 냉각부(142)에는 냉매 공급 수단(145)으로부터 냉매가 공급되도록 되어 있다.
또한, 증기 생성부(141)의 상부 측벽에는 배출구(146)가 설치된다. 이 배출구(146)에는 밸브(V4)를 통해 배출로(147)가 연결된다. 이 배출로(147)는 배기 수단(148)에 연결된다. 또한, 밸브(V1∼V4), 펌프(P), 냉매 공급 수단(145)은 제어수단(160)에 의해 각각 동작 제어된다.
그 다음, 도 17을 참조하여 상기 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
캡(126)을 열고, 웨이퍼 척(20a)을 처리조(120)의 내부로 이동시킨다. 웨이퍼 척(20a)에는 50개의 웨이퍼(W)가 동일한 피치 간격으로 배치된다. 웨이퍼(W)를 보트(121)상에 이동 배치한다. 웨이퍼 척(20a)을 위쪽으로 후퇴시킨 후에, 처리조(120) 내부에 물(101)을 공급하고, 처리조(120)로부터 물(101)을 범람시키면서 웨이퍼(W)를 담근다. 이 때, 사전설정된 처리 프로그램에 따라 제어 수단(160)에 의해 펌프(P)와 밸브(V2)의 동작이 제어되며, 물(101)을 밸브(V2)에 의해 소정 유량(이 유랑은 단계적으로 변화시켜도 좋다) 및 소정 시간 또는 내측 처리조(120a) 내부의 물의 저항값이 소정값에 도달할 때까지 내측 처리조(120a)내로 흘리면서 세정처리를 행한다(공정 S51).
이 세정 처리 작업이 종료되면, 도 18에 도시된 바와 같이 캡(126)을 내측 처리조(120a)쪽으로 이동시켜 캡(126)의 원형 링(127)과 내측 처리조(120a)의 상부면(120d)을 소정 간격(Y)으로 유지한다. 제어 수단(160)에 의해 가스 공급원으로부터 캡(126)내로 질소 가스를 공급하면서 펌프(P)를 구동시켜 공급/배출구(124)로부터 내측 처리조(120a)로 물을 공급한다. 물(101)의 수위를 상승시켜 내측 처리조(120a)의 상부면(120d)으로부터 범람시킨다(공정 S52), 이 공정(S52)에서 질소 가스의 도입에 따라 캡(126)의 내측면 등에 부착된 미립자가 캡(126)과 내측 처리조(102a) 사이로부터 배출되며, 또한 물의 경계면에 부유하는 미립자도 배출된다.
또한, 물(101)이 내측 처리조의 상부면(102d)으로부터 범람될 때, 캡(126)의 원형 링(127)이 물(101)과 접촉하지 않도록 거리(Y)를 두는 것이 바람직하다. 그 이유는 캡(126)의 원형 링(127)과 배출되는 물(101)이 접촉하면서 물(101)의 계면에 부유하는 미립자가 웨이퍼(W)에 부착될 수 있기 때문이다.
또한, 캡(126)의 원형 링(127)에 대해 물(101)의 계면에 부유하는 미립자가 부착될 우려가 없거나 또는 그 영향이 적은 경우에는 원형 링(127)과 배출되는 물(101)이 접촉하여 배출되는 물에 의해 원형 링(127)에 부착된 미립자가 씻겨지도록 해도 좋다. 이와 같이 하여, 소정 시간 후에 제어 수단(16)은 밸브(V2)를 닫고 내측 처리조(102a)내로 물의 공급을 중지한다.
상기 세정 공정(S51) 및 용액 배출 공정(S52)을 수행하는 동안에 건조 가스 생성부(140)에서는 IPA 증기(103)가 생성되어 냉매 공급 수단(145)으로부터 냉각관내에 공급되는 냉매에 의해 응축되고, 건조 가스 공급로(130)측으로의 공급이 방지된다. 또한. 이 때 개폐 수단(V4)은 닫혀 있다.
캡(126)을 내측 처리조(120a)쪽으로 이동시키고, 도 19에 도시된 바와 같이 캡(126)의 원형 링(127)과 내측 처리조(120a)의 상부면을 접촉시켜 처리조(120) 내부를 기밀 상태로 한다(공정 S53). 기밀 상태의 처리조(120) 내부에 IPA 증기(103)를 공급하여 처리조(120) 내부를 IPA 증기(103)로 채우고, 웨이퍼(W)를 건조시킨다(공정 S54). 도 19에 도시된 바와 같이, 내측 처리조(120a)의 수면(LD)으로부터 소정 거리(y2) 및 소정의 농도로 IPA 액층이 형성된다.
소정 기간의 경과 후에, IPA 증기(103)를 처리조(120)로부터 배출한다(공정 S55). 질소 가스를 처리조(120)내로 도입하여 처리조(120) 내부를 질소 가스로 씻어낸다(공정 S56). 캡(126)을 열고, 웨이퍼(W)를 처리조(120)로부터 반출한다.
그 다음, 도 20을 참조하여 물의 배출시에 수반되는 웨이퍼(W)의 건조 메카니즘에 대해 설명한다.
공급/배출구(124)로부터 소정의 유량만큼 물(101)을 도면에서 화살표 방향으로 배출하면, IPA 액층(104)의 계면은 웨이퍼(W)의 위치에서 볼록형(172)으로 되고, IPA 액층(104)과 물(101)의 경계면은 웨이퍼(W)의 위치에서 오목형(173)으로 된다. 이 오목형(173)은 웨이퍼(W)의 표면 상태에 관계 없이 IPA의 누수성에 따라 발생된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면은 소수성이 된다. 이 웨이퍼(W)의 소수성 표면 상태로 인해, 만약 미립자(도시 안됨)가 물(101)속에 포함되어 있다고 하더라도 끌어올려지는 웨이퍼(W)에 미립자가 부착되지 않는다. 또한, 웨이퍼(W)의 소수성 표면 상태로 인해, 물(101)의 계면도 웨이퍼(W)와의 접촉 부분에서 오목형(173)이 되므로, 끌어올려지는 웨이퍼(W)에 물(101)의 물방울이 부착되어 잔류하지 않는다. 그리고, 끌어올려지는 웨이퍼(W)는 IPA 증기(103)에 의해 건조된다.
그 다음, 개폐 밸브(V4)를 개방하는 동시에 배기 수단(148)을 구동하여, 건조 가스 공급로(130)내에 잔류하는 IPA 증기(103)를 배출한다(공정 S55). 소정 시간동안 IPA 증기(103)를 배출한 후에, 질소 가스를 공급로(130)내로 공급하여 공급로(130) 내부를 질소 가스 분위기로 치환한다(공정 S56). 상술한 공정(S51) 내지 공정(S56)을 반복함으로써 50개의 웨이퍼(W)가 차례로 세정/건조된다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 범람부(12a)의 하류측 회로에는 비 저항계(55A)가 설치되어, 주 처리조(11)로부터 범람되는 세정액(101)의 비 저항을 측정하도록 되어 있다, 비 저항계(55A)는 셀(54A)에 부착되며, 셀(54A)에는 밸브(47A)를 통해 범람 라인(52A)이 연결된다. 이 셀(54A)의 하류측은 배수라인(56A)을 통해 묽은 용액 폐기 라인(AL)에 연결된다. 또한, 셀(54A)의 상류측에는 콘트롤러(50A)에 의해 제어되는 밸브(47A)가 설치된다. 또한, 밸브(47A)의 상류측에는 밸브(45A)를 구비한 별도의 배수 라인(46A)이 분기된다.
그 다음, 도 21을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예에서는, 건조 처리 후에 처리조(120)내에 잔류하는 IPA 증기(103)를 배출하는 동시에 처리조(120) 내부를 질소 가스로 치환하도록 하고 있다. 즉, 공급로(130)에 연결되는 질소 가스 공급로(150)에 밸브(V5)를 설치하고, 이 밸브(V5)를 제어 수단(160)으로부터의 제어 신호에 기초해 개폐 제어한다.
배출로(147)의 밸브(V4)를 여는 동시에 질소 가스 공급로의 밸브(V5)를 열 면, 유입되는 질소 가스의 가스 압력에 의해 공급로(130)내에 잔류하는 IPA 증기(103)가 배출되고, 또한, 공급로(130)는 질소 가스로 치환된다. 이와 같이 상술한 공정(S55) 및 공정(S56)을 동시에 행할 수 있으므로, 생산성이 대폭 향상된다.
다음으로, 도 22를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예에서는, 건조 처리후에 처리조(120)내에 잔류하는 IPA 증기(103)를 배출하고, 비산화성 가스(질소 가스)에 의해 처리조(120) 내부의 가스 치환을 더욱 확실하게 행하도록 하고 있다. 즉, 공급로(130)에 연결된 질소 가스 공급로(150)에 밸브(V5)를 설치하는 동시에, 질소 가스 공급로(150)와의 접속부 근방에도 밸브(V6)를 설치한다. 이들 밸브(V5, V6)를 각각 제어 수단(160)으로부터의 제어 신호에 기초해 개폐 제어한다.
웨이퍼(W)를 건조 처리한 후에, 밸브(V6)를 닫는 동시에 밸브(V4)를 열어 공급로(130)내로부터 잔류하는 IPA 증기(103)를 배출한 후에, 밸브(V5)를 열어서 공급로(130)내에 질소 가스를 도입한다. 이 때문에, 공급로(130)내로부터 잔류하는 IPA 증기(103)가 확실하게 배출되고 소량의 질소 가스로 처리조(120) 내부를 치환할 수 있다.
상기 장치에 의하면, 세정 직후에 웨이퍼(W)가 처리조(120)내에서 대기와 접촉함이 없이 건조되므로 웨이퍼(W)의 표면에 미립자가 부착하지 않는다. 또한, 세정액의 상부층 부분을 처리조로부터 배출시킴으로써, 세정액면에 부유하는 미립자가 웨이퍼(W)에 부착하지 않는다. 더욱이, 세정액의 계면에 IPA 액층(104)을 형성하고 있으므로, 웨이퍼(W)를 세정액(101)에 노출시키는 경우, 세정액(101)이 웨이퍼(W)에 부착하기 어렵다. 이 때문에 건조 처리의 불균일(건조 얼룩)이 발생하지 않고, 웨이퍼(W)에 워터마크 등이 생기기 어렵다. 더욱이, 건조 처리 후에 IPA 증기 공급로(130)내에 잔류하는 IPA 증기(103)를 배출하는 동시에 IPA 증기 공급로(130) 내부를 비산화성 가스로 치환하므로, 미립자의 생성이 억제된다.
또한, 세정액(101)을 IPA 증기(103)와 대략 동일한 온도 또는 그 이상의 온도로 설정하여도 좋다. 이와 같이 하면 IPA 액층(104)의 형성이 촉진되어 생산성이 향상된다.
또한, 상기 실시예의 IPA 증기(103) 이외에, 웨이퍼(W)의 표면에 대해 소수성을 갖고 물(101)에 용해되는 것이면, 건조 처리에 이용하여도 좋다. 또한, 반도체 웨이퍼(W) 이외에 LCD용 유리 기판에도 이용 가능하다. 또한, 비산화성 가스로서 질소를 사용하였지만, 아르곤 가스 및 헬륨 가스와 같은 불활성 가스를 사용하여도 좋다. 처리조내의 용액에 웨이퍼(W)만을 담그었지만, 카세트(C)와 함께 웨이퍼(W)를 담그어도 좋다.
다음으로, 도 23 ∼ 도 32를 참조하여 다른 실시예의 세정/건조 장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 건조 처리 장치는 세정용 하부 처리조(210)와, 건조용 상부 처리조(220)와, 덮개(221)와, 건조 가스 생성 장치(124)를 구비한다.
하부 처리조(210)는 내식성 및 내 약품성이 뛰어난 재료로서, 예를 들면, 석영 또는 PTFE와 같은 수지로 제조된다. 하부 처리조(210)의 바닥부에는 밸브(216)를 통해 배수 라인(217)에 연결되는 용액 배출구(210a)가 설치된다. 또한, 하부 처리조(210) 내부의 하부에는 세정액(순수한 물) 공급원(213)에 연결되는 복수 쌍의 노즐(211)이 설치된다. 이들 노즐(211)은 상승/하강 보트(230)의 최하 지점으로부터 아랫쪽에 위치되며, 웨이퍼(W)를 향해 물(101)을 분사하도록 되어 있다. 또한, 물 공급 라인(212)에는 밸브(214) 및 펌프(215)가 설치된다.
상부 처리조(220)도 하부 처리조(210)와 마찬가지로 석영 또는 PTFE와 같은 수지로 제조된다. 이 상부 처리조의 바닥부(220b)는 하부 처리조(210)의 상부보다 크고, 여기에 범람부(220a)가 형성되며, 이를 통해 하부 처리조(210)로부터 범람되는 물이 유출하도록 되어 있다. 또한, 상부 처리조의 바닥부(220b)에는 용액 배출구(220c)가 설치되며, 배수 밸브(222)를 통해 이 용액 배출구(220c)에 배수 라인(223)이 연결된다.
덮개(221)에는 공급구(221a)가 형성되며, 라인(241)을 통해 공급구(221a)에 IPA 증기 생성 장치(240)가 연결된다. 이 IPA 증기 생성 장치(240)는, 밀폐 용기(242)와, 받침접시(243)와, 히터(244)와, 압송 라인(240a, 241)를 구비한다. 히터(244)는 받침접시(243)의 바로 아래에 설치되며, 받침접시(243)내의 IPA 액층(104)이 가열되어 밀폐 용기(242)내에 IPA 증기(103)가 발생되도록 되어 있다. 상류측의 압송 라인(240a)은 질소 가스 공급원(도시되지 않음)에 연결되며, 히터(205)에 의해 질소 가스가 가열되도록 되어 있다.
한편, 하류측의 압송 라인(241)은 결로 방지용 히터(245)를 통해 덮개(221)의 공급구(221a)에 연결된다. 이 압송 라인(241)은 다른 히터(206)를 통해 또 다른 질소 가스 공급원(도시되지 않음)에 연결된다. 또한, 히터(205, 206, 241)는 IPA 및 수분이 각 라인내에서 결로되는 것을 방지하기 위해 각 라인을 가열하는데 사용된다.
도 24에 도시된 바와 같이, 냉각 응축 장치(250)의 냉매 통로관(251)이 상부 처리조(220)내에 설치된다. 냉매 통로관(251)은 냉매 공급원(도시되지 않음)에 연결되며, 에틸 알콜 및 에틸렌 글리콜과 같은 냉매(252)가 순환 공급되도록 되어 있다. 또한, 냉매(252)는 IPA 증기의 온도보다 낮고, IPA의 응축 온도(약 -90℃) 이상의 온도로 설정된다. 또한, 상부 처리조(220)내에 IPA 증기(103)가 공급되지 않을 때에는 냉매(252)의 온도를 물(101)의 응고점(0℃)의 온도로 절정하도록 되어있다.
이와 같은 IPA 냉각 장치(250)에 의해 상부 처리조(220)내에서 IPA액층(104) 및 물(101)을 적극적으로 결로시킬 수 있고, 상부 처리조(220)의 내벽에 이들의 결로가 생기지 않게 된다.
다음으로 도 25의 공정(S61∼S64)을 참조하여 상기 세정/건조 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
우선, 도시되지 않은 웨이퍼 척에 의해 50개의 웨이퍼(W)를 세정/건조 장치까지 반송하며, 웨이퍼 보트(30)에 건네준다. 그 다음, 보트(30)를 하강시켜 하부 처리조(210)내에 웨이퍼(W)를 위치시킨다. 노즐(211)로부터 물(101)을 분사하여 하부 처리조(210)내에서 웨이퍼(W)를 세정한다(공정 S61). 이 때, 냉매 통로관(251)내에 냉매(252)를 순환시키는 동시에 질소 가스를 위쪽으로부터 하부 처리조(220)내로 도입하기 때문에 상부 처리조(220)의 내벽에 결로되지 않는다. 또한, 수분 및 IPA증기는 냉매 통로관(251)의 열교환 부분에서 결로한다(공정 S62).
물(101)을 하부 처리조(210)로부터 범람시켜, 범람된 물(101)의 비저항을 측정한다. 측정된 비 저항값이 설정치에 도달하면, 세정 처리를 종료하고, 하부 처 리조(220)내에 IPA 증기(103)를 공급한다. 하부 처리조(210)의 물(101)로부터 웨이퍼(W)를 끌어낸다(공정 S63). 또한, 웨이퍼 보트(230)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 물(101)로부터 끌어올리면, IPA 액막이 웨이퍼(W)에 접촉하는 동시에 상부 처리조(220)내의 IPA 증기(103)이 웨이퍼(W)에 접촉한다. 이에 의해 웨이퍼(W)에 미립자가 부착함이 없이 웨이퍼(W)가 건조된다(공정 S64).
이와 같이, 상부 처리조(220)내의 수분 및 IPA를 냉각 응축 장치(25)의 냉매 통로관(251)의 표면에 결로시켜 상부 처리조(220) 내부의 온도 및 IPA 증기 온도를낮출 수 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 건조를 촉진할 수 있는 동시에 보트(230)에 형성된 홈(234a, 235a)의 건조를 촉진시킬 수 있다. 또한, 결로된 IPA는 냉매 통로관(251)으로부터 하부 처리조(210)내로 낙하하여, IPA 액(104)으로서 웨이퍼(W)의 건조에 다시 이용되므로, IPA가 효과적으로 이용된다.
다음으로, 도 26을 참조하여 다른 실시예의 장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 장치에서는 하부 처리조(210)의 형태를 변형시킴으로써, 하부 처리조(210)를 필요한 최소한의 용적으로 하고, 세정액(101)의 소비량을 감소시키고 세정 처리 시간을 단축시켰다. 즉, 하부 처리조(210)의 상부(253)를 물받이형으로 확대하고, 이 확대된 상부(253)의 바로 위에 냉매 통로관(251)을 설치한다. 이와 같은 물받이형 상부(253)로 하면, 냉매 통로관(251)에서 응축된 IPA 액(104)이 상부(253)에 의해 확실히 수집되어 하부 처리조(210)의 내부로 흘러 들어가는 동시에, 냉매 통로관(251)이 상승/하강 보트(230)를 방해하지 않는다. 이 때문에 하부 처리조(210)의 직경을 크게 하지 않고, 냉매 통로관(251) 주위의 중앙 공간을 웨이퍼 보트(230)가 용이하게 통과할 수 있다.
또한, 도 27에 도시된 바와 같이, 별도의 부품으로서 물받이 부재(253A)를 하부 처리조(210)와 냉매 통로관(251) 사이에 설치하여도 좋다. 이와 같은 물받이 부재(253A)는 하부 처리조(210) 또는 상부 처리조(220) 또는 냉매 통로관(251)중 어느 하나에 착탈 가능하게 부착되므로, 처리조의 보존 점검이 용이하게 된다.
그 다음, 도 28 및 도 29를 참조하여 다른 실시예의 장치에 대해 설명한다. 본 실시예의 장치에서는, 냉각 응축 장치(250)의 열교환 부분을 이동가능하게 하므로써 하부 처리조(210)를 필요한 최소한의 용적으로 하고, 세정액(101)의 소비량을 감소시키고, 세정 처리 시간을 단축시켰다. 즉, 냉각 응축 장치(25)는 2종류의 냉매 공급관(251a, 251b)을 구비하며, 열교환 부분의 면적을 더욱 증가시켜 상부 처리조(220)내에서 IPA 등의 응축을 촉진시켰다. 또한, 제 1 냉매 공급관(251a)과 제 2 냉매 공급관(251b)은 서로 접근하거나 멀어지도록 Y축 이동 장치(도시되지 않음)에 의해 이동가능하게 지지된다.
웨이퍼 보트(230)를 하부 처리조(210)에 넣고 빼는 경우에는, 제 1 냉매 공급관(251a)과 제 2 냉매 공급관(251b)을 서로 이격시킨다. 또한, 처리중에는 제 1 냉매 공급관(251a)과 제 2 냉매 공급관(251b)을 서로 근접시킨다. 이렇게 함으로써 냉매 공급관(251a, 251b)은 하부 처리조(210)의 바로 위에 위치되어 응축된 IPA가 하부 처리조(210)내에 낙하하기 쉽게 된다.
상기 실시예의 장치에 의하면, 하부 처리조(210)를 필요한 최소한의 용적으로 할 수 있으므로, 세정액(101)의 소비량을 감소시키고, 세정 처리 시간의 단축화를 꾀할 수 있다. 또한, 건조 처리용 IPA의 소비량을 감소시킨다.
다음으로 도 30 및 도 31을 참조하여 다른 실시예의 장치에 대해 설명한다. 본 실시예의 장치는 냉각 응축 장치(250)의 열교환 부분을 웨이퍼 보트(230)에 부착시키므로써, 하부 처리조(210)를 필요한 최소한의 용적으로 하고, 세정액(101)의 소비량을 감소시키며, 세정 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 즉, 냉매 공급관(251)을 웨이퍼 보트(230)의 수직 아암(233)에 부착하고, 웨이퍼 보트(230)와 함께 냉매 공급관(251)을 상승 및 하강시키도록 하였다.
상기 장치에 의하면, 처리시에는 냉매 공급관(251)을 하부 처리조(210)의 바로 위에 위치시킬 수 있으므로, 응축된 IPA를 하부 처리조(210)내로 낙하시킬 수 있다. 이에 의해 하부 처리조(210)를 필요한 최소한의 용적으로 하고, 세정액(101)의 소비량을 감소시키며, 세정 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 또한 IPA의 소비량을 감소시킬 수 있다.
다음으로, 도 32를 참조하여 다른 실시예의 장치에 대해 설명한다.
본 실시예의 장치에서는 하부 처리조(210)내에서 노즐(260A)로부터 화학 용액(102)을 분사시켜 웨이퍼(W)를 화학 용액에 의해 세정 처리할 수 있도록 하고 있다. 즉, 세정액(101)의 공급 라인(212)과 화학 용액(102)의 공급 라인(262)을 스위칭 밸브(261)를 통해 노즐(260A)에 접속하고, 헹굼 처리와 화학 용액에 의한 세정 처리를 교대로 스위칭 하도록 하고 있다.
라인(262)은 4개의 밸브(261, 263, 265, 267)를 통해 HF 수용액 공급원(268) 및 범람부(220a, 220b)에 연결되어, HF 수용액을 하부 처리조(210)내로 순환시키는 순환 회로를 형성한다. 3방향 스위칭 밸브(267)는 순환 라인(262), HF 수용액 공급원(268), 배수 라인(269)에 제각기 연결 접속되며, 이들 유로를 순차적으로 스위칭 하도록 되어 있다. 순환 라인(262)에는 개폐 밸브(263), 펌프(264), 댐퍼(265), 필터(266), 스위칭 밸브(261)가 차례로 설치된다. 스위칭 밸브(261)는 HF 수용액 순환 라인(262)과 물 공급 라인(212)을 스위칭 하도록 되어 있다.
복수개의 노즐(260A)은 하부 처리조(210)의 바닥부에 2열로 배열되며, 이들은 웨이퍼 보트(235)의 바로 아래에 위치된다. 각 노즐(260A)로부터 HF수용액(102) 또는 물(101)이 보트(235) 상의 웨이퍼(W)를 향해 분사된다.
상기 장치에 의하면, 하나의 처리조 내에서 화학 용액에 의한 세정 처리 및 헹굼 처리를 행할 수 있으므로, 처리 시스템이 소형화하고 생산성이 향상된다.
또한, 상기 실시예에서는 상부 처리조(220)를 밀폐식의 챔버로 한 경우에 대해 설명하였지만, 개방식의 챔버로 하여도 좋다.
또한, 상기 실시예에서는 웨이퍼(W)를 물(101)로부터 끌어올린 직후에 건조 처리하는 경우에 대해 설명하였지만, 웨이퍼(W)를 이동시키지 않고 하부 처리조(210)로부터 물(101)을 배수하여, 웨이퍼(W)를 IPA 증기로 건조 처리하도록 하여도 좋다.
다음으로, 도 33A∼도 33E를 참조하여 다른 실시예의 기판 세정/건조 방법에 대해 설명한다.
IPA의 비등점 온도는 82℃로 높기 때문에 세정액(물)의 증발이 촉진되며, 도 33A∼도 33E에 도시된 바와 같이, 챔버(93)의 내벽에 물 및 IPA의 결로(96a, 96b)가 발생한다. 이와 같은 결로(96a, 96b)가 발생하면, 챔버(93) 내부의 분위기를 도 33A에 도시한 초기 상태로 되돌리기 위한 질소 가스에 의한 정화 시간이 길어져 생산성이 저하된다. 또한, 챔버(93) 내부를 감압하면, 결로(96a, 96b)가 다시 기화하여 웨이퍼(W)에 부착되어 결로함으로써 워터마크를 발생시킬 수도 있다. 더욱이, 천장의 내벽에 발생한 수분의 결로(96a)가 웨이퍼(W) 상에 낙하하여 부착되면, 웨이퍼(W)는 치명적으로 오염된다. 또한, IPA의 결로(96b)는 건조에 제공되지 않고 배출되어 버리므로, IPA의 낭비가 발생된다.
도 33A에 도시된 바와 같이, 물(101)을 범람시키면서 처리조(92)내에 공급하며, 보트(95)와 함께 웨이퍼(W)를 물(101)속에 담근다. 또한, 챔버(93) 내부는 질소 가스로 정화된다. 도 33B에 도시된 바와 같이, IPA 증기(103)를 챔버(93)내에 도입하고, 챔버(93) 내부를 IPA증기(103)로 채운다.
다음으로, 도 33C에 도시된 바와 같이, 보트(95)와 함께 웨이퍼(W)를 처리조(92)의 물(101)로부터 꺼내어 챔버(93)의 IPA 증기(103)속에 둔다. 웨이퍼(W)에 IPA 증기(103)가 접촉하면, IPA 증기(103)의 흡착 응축 작용에 의해 웨이퍼(W) 표면으로부터 수분이 제거된다. 또한, 도 33D에 도시된 바와 같이, 챔버(93)내에 질소 가스를 도입하여 IPA 증기를 챔버(93)내로부터 배출한다. 그리고 도 33E에 도시된 바와 같이, 챔버(93) 내부를 배기시키면서 웨이퍼(W)를 가열 건조시킨다.
그 다음, 도 34∼도 40을 참조하여 다른 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예의 세정 시스템(300)은 프로세스부(303)와, 로더부(302) 및 언로더부(304)를 구비한다. 로더부(302)는 프로세스부(303)의 일측 단부에 설치되며, 언로더부(304)는 프로세스부(303)의 타측 단부에 설치된다.
로더부(302)는 배치부(305)와, 중계부(306)와, 이송 장치(307)를 구비한다. 배치부(305)에는 복수개의 카세트(C)가 위치된다. 각 카세트(C)에는 미처리된 25개의 웨이퍼(W)가 각각 수용된다. 이송 장치(307)는 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 한꺼번에 꺼내어 위치결정하며, 이들을 중계부(306)로 이송하도록 되어 있다. 중계부(306)는 프로세스부(303)에 인접하며, 이송 장치(307)로부터 제 1 반송장치(330)로 웨이퍼(W)를 건네주기 위한 중계소로서 작용한다.
프로세스부(303)는 Y축 방향으로 직렬로 나란히 10개의 처리조를 구비한다. 이들 처리조는 화학 용액 처리조(312), 1차 헹굼조(313), 2차 헹굼조(314), 웨이퍼 척 헹굼조(311) 등을 포함한다. 화학 용액 처리조(312)에는 암모니아 과산화수소 용액 및 불산 용액과 같은 화학 용액이 순환 공급되도록 되어 있다. 1차 헹굼조(313) 및 2차 헹굼조(314)에는 물이 공급되도록 되어 있다. 이들 헹굼조(313, 314)에서 헹궈진 후에, 웨이퍼(W)는 하류측 유닛의 처리조(315∼320)에서 처리되도록 되어 있다.
프로세스부(303)의 하류측에는 세정/건조 처리조(319)를 갖는 유닛이 설치된다. 이 유닛은 웨이퍼(W)를 최종적으로 세정하며, IPA 건조 처리하도록 되어 있다.
처리조(315)는 처리조(312)와는 종류가 상이한 화학 용액을 이용하여 웨이퍼(W)를 세정 처리한다. 예를 들면, 처리조(312)는 암모니아 과산화수소 용액(NH4OH/H2O2/H2O)과 같은 알칼리성 용액을 이용한 일명 SC1 세정을 행한다. 이 SC1 세정은 웨이퍼(W)의 표면으로부터 유기 오염물 및 미립자 등의 이물질을 제거한다. 한편, 처리조(315)는 염산과산화수소 용액(HCl+H2O2)과 같은 산성 용액을 이용한 일명 SC2 세정을 행한다. 이 SC2 세정은 웨이퍼(W)의 표면으로부터 금속 이온을 제거하며, 웨이퍼(W)의 안정화를 꾀한다.
또한, 처리조(313, 314) 및 처리조(316, 317)는 물(101)을 이용하여 웨이퍼(W)를 헹군다. 처리조(319)는 희박 플루오르화수소산 수용액(HF/H2O)를 이용한 일명 HF 세정 및 헹굼 세정을 행하며, 계속해서 IPA 증기를 이용하여 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
또한, 상기 처리조의 조합은 웨이퍼(W)에 대한 처리 종류에 따라 임의로 변경될 수 있으며, 경우에 따라서는 이중 어느 처리조를 생략하거나 반대로 새로운 처리조를 추가하여도 좋다. 예를 들면, 황산과산화수소 용액(H2SO4+H2O2)을 이용하는 세정 처리조를 새로이 추가하여도 좋다.
프로세스부(303)의 앞쪽에는 3대의 반송 장치(330, 331, 332)가 설치된다. 각 반송 장치(330, 331, 332)는 유도 레일(333)을 따라 Y축 방향으로 이동가능하게 설치된다. 각 반송 장치(330, 331, 332)는 50개의 웨이퍼(W)를 한꺼번에 파지할 수 있는 웨이퍼 척(336, 337, 338)을 각각 구비한다.
도 35 및 도 36에 도시된 바와 같이, 반송 장치(332)의 웨이퍼 척(338)은 좌우 한쌍의 파지 부재(341a, 341b)를 구비한다. 이들 파지 부재(341a, 341b)는 회전운동 축(342a, 342b)을 통해 지지부(343)에 각각 지지된다. 이 지지부(343)는 상승/하강 장치(344)에 의해 Z축 방향으로 이동되며, 또한 도시되지 않은 장치에 의해 Y축 방향으로 이동되도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 척(338) 전체는 지지부(343)에 내장된 장치(도시되지 않음)에 의해 X축 방향으로 이동되도록 되어 있다.
파지 부재(341a, 341b)의 각 상단부가 회전운동 축(342a, 342b)에 고정된다. 또한, 이들 각 파지 부재(341a, 341b)의 하단부에는 석영으로 제조된 파지봉(347a, 347b, 348a, 348b)이 상하 2열로 평행하게 걸쳐진다. 이들 4개의 파지 봉(347a, 347b, 348a, 348b)에는 50개의 홈이 각각 형성되며, 이들 홈에 의해 50개의 웨이퍼 (W)가 유지된다.
도 36 및 도 37에 도시된 바와 같이, 처리조(312∼317, 319)내에는 보트(350)가 각각 설치된다. 보트(350)는 1쌍의 지지부재(351, 352)와, 3개의 수평 지지 봉(353, 354, 355)을 구비한다. 이들 3개의 지지 봉중 중앙의 지지 봉(354)의 높이가 가장 낮고, 다른 2개의 지지 봉(353, 355)은 중앙의 지지 봉(354) 양측에 설치된다. 이들 지지 봉(353, 354, 355)에는 50개의 홈이 각각 형성되며, 이들 홈에 의해 50개의 웨이퍼(W)가 유지되도록 되어 있다.
도 37에 도시된 바와 같이, 처리조(319)는 상부가 개방된 대략 상자 모양으로서, 그의 주위에는 범람부(360)가 설치된다. 범람부(360)는 배출 라인(361)을 통해 세정액 순환 장치(385)에 연결된다. 세정액 순환 장치(385)는 회수된 세정액을 재생시키기 위한 필터 등을 내장한다.
도 37에 도시된 바와 같이, 처리조 바닥부(362)에는 라인(363)이 연결된다. 또한, 처리조(319)의 내부에는 정류 수단(364)이 설치된다. 이 정류 수단(364)은 방해판(366) 및 정류판(365)을 구비한다. 방해판(366)은 처리조 바닥부(362)의 세정액 도입구(363a)의 바로 위에 위치되며, 정류판(365)은 방해판(366)의 바로 위에 위치된다. 정류판(365)에는 다수의 관통 구멍(368) 및 관통 슬릿(367)이 형성된다.
라인(363)은 세정액 순환 장치(385)를 통해 HF 공급원(386), DIW 공급원(387), 고온 DIW 공급원(388)에 각각 연결된다. HF 공급원(386)에는 불화수소 용액(희박 플루오르화수소산 수용액)(102)이 수용되고, DIW 공급원(387)에는 실온 정도의 물(101)이 수용되며, 고온 DIW 공급원(388)에는 실온 내지 80℃의 범위로 온도 조정된 물(온수)(101H)이 수용된다. 이들 공급원(386, 387, 388)은 콘트롤러(403)로부터의 제어 신호에 기초하여 용액(10, 101H, 102)을 세정액 순환 장치(385)를 향해 선택적으로 공급하도록 되어 있다. 또한, 콘트롤러(403)는 조작 패널(402)에 접속되어 조작자가 수시로 데이타 입력할 수 있게 되어 있다.
도 35에 도시된 바와 같이, 처리조(319)는 상하 2단의 구획판(369, 370)을 구비한 케이스(373)내에 설치된다. 이 케이스(373)의 상부 개구에는 개폐가 자유로운 덮개(371)가 씌워지며, 처리조(319)가 외부 분위기로부터 차단되도록 되어 있다. 또한, 케이스(373)의 위쪽에는 필터를 구비한 공조기(372)가 설치된다. 이 공조기(372)에 의해 깨끗한 공기의 다운플로우(downflow)가 형성되며, 이 다운플로우 공기내에 케이스(373)가 위치된다.
도 38에 도시된 바와 같이, 케이스(373)의 바닥부에 라인(375)이 연결되며, 이 라인(375)은 트랩 장치(376) 및 라인(377)을 통해 배기 수단(378)에 연결된다. 배기 수단(378)으로는, 예를 들면, 흡인 펌프가 이용된다. 이 배기 수단(378)에 의해 케이스(373) 내부를 배기함으로써 케이스(373) 내부가 감압된다. 또한, 이러한 배기중에 혼입된 IPA 증기(103)는 트랩 장치(376)에 포획되고, 배수 라인(379)을 통해 외부로 폐기된다.
라인(380)이 케이스(373)의 측면부에 연결되며, 이 라인(380)을 통해 질소 가스 공급원(도시되지 않음)으로부터 질소 가스가 케이스(373)내에 공급된다. 또한, 질소 가스 외에 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 케이스(373)내에 공급하여도 좋다.
IPA 증기 발생기(396)는 라인(399)을 통해 IPA 액체 공급원(398)에 연결되는 한편, 라인(395)을 통해 케이스(373)의 측부에 연결되며, 라인(400)을 통해 처리조(319)내에 연결된다. 라인(395)에는 히터(397)가 부착되어 라인(395)을 80℃이상의 온도로 가열함으로써 라인(395)내에서의 IPA 증기의 결로를 방지하도록 하고 있다.
또한, CO2소화기(401)가 케이스(373)의 적당한 곳에 연결된다. 경보 시스템(도시되지 않음)으로부터 콘트롤러(403)를 통해 소화기(401)에 긴급 경보 신호가 입력되면, 소화기(401)로부터 케이스(373)내로 CO2가스가 공급되며, 이에 의해 케이스(373)내의 화재가 소화된다.
다음으로, 도 38 및 도 39를 참조하여 IPA증기 발생기(396)에 대해 설명한다.
IPA 증기 발생기(396)의 본체(411)내에는 라인(399)을 통해 IPA 액 공급원(398)으로부터 IPA 액(104)이 공급된다. 이 라인(399)에는 제어 밸브(412) 및 필터(413)가 설치된다. 증기 발생기 본체(411)의 바닥부에는 히터(415)가 부착되며, IPA 액(104)이 80℃ 이상의 온도, 예를 들면, 120℃ 정도로 가열되도록 되어 있다.
증기 발생기 본체(411) 및 트랩 파이프(431)는 용기(401)에 의해 포위되며,이 용기(401)의 내부에는 라인(438)을 통해 정화용 질소 가스가 공급되게 된다.
증기 발생기 본체(411)의 상부에는 온도 센서(425)가 설치되어, IPA 증기 발생 영역의 온도가 검출되도록 되어 있다. 온도 센서(425)로는, 예를 들면, 열전자쌍을 이용한다. 또한, 증기 발생기 본체(411)의 상부에는 라인(426, 427)이 각각 연결된다. 라인(426)은 밸브(428)를 통해 대기압 분위기중에서 개방된다. 라인(427)은 밸브(430)를 통해 트랩 파이프(431)의 상단에 연결된다.
트랩 파이프(431)의 주위에는 워터자켓(432)이 장착된다. 밸브(430)를 열면, 증기 발생기 본체(411) 내부로부터 IPA 증기(103)가 라인(427)을 통해 트랩 파이프(431) 내부로 유입되며, 워터자켓(432)에 의해 냉각 응축되도록 되어 있다.
또한, 트랩 파이프(431)의 하단은 밸브(433)를 구비한 라인(434)을 통해 증기 발생기 본체(411)의 하부에 연결된다. 냉각 응축된 IPA 액(104)은 이 라인(434)을 통해 증기 발생기 본체(411)내로 돌아오게 된다. 또한, 처리조(319)내에 저장되어 있는 온수(세정액)의 온도를 80℃보다 낮게 하고, 라인(395)을 통해 IPA 증기를 처리조(319)내로 도입하면, 그 증기가 온수면상에서 응축 액화하여 IPA 액층이 형성된다.
증기 발생기 본체(411)의 측면에는 레벨 게이지(436)가 부착되어, 레벨 게이지(436)에 표시된 수위를 센서(437)에 의해 검출하며, 검출 신호는 콘트롤러(403)로 전송된다.
그 다음, 도 40을 참조하여 상기 장치에 의해 웨이퍼(W)를 세정/건조 처리하는 경우에 대해 설명한다.
우선, 세정액 순환 장치(385)로 희박 플루오르화수소산 공급원(386)으로부터 희박 플루오르화수소산 용액(102)을 공급한다. 이 희박 플루오르화수소산 용액(102)을 세정액 순환 장치(385)로부터 라인(363)을 통해 처리조(319)의 바닥부에 공급하며, 희박 플루오르화수소산 용액(102)의 상승 흐름을 처리조(319)내에 형성한다. 희박 플루오르화수소산 용액(102)은 처리조(319)로부터 범람부(360)로 범람되며, 라인(361)을 통해 세정액 순환 장치(385)로 들어가며, 다시 처리조(319)내로 복귀된다. 세정액 순환 장치(385)는 범람된 용액을 정화하여, 소정의 온도 및 농도로 조정한다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 화학 용액 세정 처리는 소정의 레시피(recipe)(설정농도/설정시간)에 따라 행해진다(공정 S81).
세정액 순환 장치(385)로부터 처리조(319)로의 희박 플루오르화수소산 용액(102)의 순환 공급을 정지한다. 그리고, 물 공급원(387)으로부터 처리조(319)내로 물(101)을 공급하여 처리조(319)로부터 희박 플루오르화수소산 용액(102)을 범람시키며, 처리조(319)내의 희박 플루오르화수소산 용액(102)을 물(101)로 교체한다. 비저항계(54A)에 의해 범람 용액의 비저항을 측정하여 용액(102)과 물(101)의 치환을 검지한다. 또한, 교체중에 범람하는 희박 플루오르화수소산 용액(102)은 배수라인(390, 379)을 통해 별도의 용기에 폐기된다. 실온의 물(101)을 처리조(319)로부터 범람시키면서 웨이퍼(W)를 1차로 헹군다(공정 S82).
1차로 헹굼한 후에, 세정액 순환 장치(385)로부터 처리조(319)로 물(101)의 순환 공급을 정지한다. 그리고, 온수 공급원(388)으로부터 처리조(319)내로 온수(101a)를 공급하여 처리조(319)내의 실온의 물(101)을 온수(101a)로 치환한다,이 온수(101a)는 실온 이상 80℃ 이하의 온도로 조정된다. 온수(101a)를 범람시키면서 웨이퍼(W)를 온수(101a)로 2차 헹굼한다(공정 S83).
다음으로, IPA 액(104)을 IPA 증기 발생기(396)로부터 라인(400)을 통해 처리조(319)내로 공급하여 온수(101a) 위에 IPA 액(104) 층을 형성한다(공정 S84). 또한, IPA 증기(103)를 라인(395)을 통해 처리조(319)내로 도입하고, IPA 증기(103)를 응축 액화시킴으로써, 온수(101a) 위에 IPA 액(104) 층을 형성하여도 좋다.
다음으로, IPA증기 발생기(396)로부터 처리조(319)내로 IFA 증기(103)를 도입하면서 처리조(319)로부터 온수(101a)를 제거하여 배수한다(공정 S85). 이에 의해 처리조(319) 내부의 수위가 내려가, 웨이퍼(W)가 IPA 증기(103)에 접촉하게 되어 건조된다(공정 S86). 이와 같이 웨이퍼(W)를 대기중에 노출시킴이 없이 세정직후에 건조처리할 수 있다.
웨이퍼(W)가 완전 건조된 후에는, 질소 가스(105)를 처리조(319)내로 도입하여 IPA 증기(103)를 배출하며, 처리조(319) 내부를 질소 가스(105)로 정화한다(공정 S87). 이와 같이 하여 표면에 워터마크를 발생시킴이 없이 웨이퍼(W)가 완전 건조된다. 또한, 케이스(373)내에 공급된 질소 가스는, 예를 들면, 약 80℃ 정도의 온도로 가열되는 것이 바람직하다.
또한, IPA 증기(103)에 의해 웨이퍼(W)를 건조 처리하면서, 배기 수단(378)에 의해 케이스(373) 내부를 배기하면, 처리조(319)는 감압 분위기가 되고, 웨이퍼(W)표면에 부착된 IPA 액(104)의 증기압이 상대적으로 높아지게 되어 건조가촉진된다. 더욱이, 라인(375)에 혼입된 유기물질은 트랩 장치(376)에 포획되므로 배기수단(378)측으로 끼어 들어갈 염려가 없다.
처리조(319)에서 웨이퍼(W)의 세정 및 건조가 종료되면, 덮개(371)를 열고 웨이퍼(W)를 처리조(319)로부터 반출한다.
또한, 웨이퍼(W)를 처리조(319)로 반입하기 위한 전용 반입 장치와, 처리조(319)로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 전용 반출 장치를 각각 별도로 설치하여도 좋다. 이와 같은 전용 반출 장치에 의하면, 건조된 웨이퍼(W)를 처리조(319)로부터 반출하므로, 반출 장치의 웨이퍼 척은 매우 청결하고 건조된 상태를 유지할 수 있다. 이 때문에 웨이퍼 척을 세정 및 건조시키기 위한 처리조가 불필요하게 되어, 세정/건조 시스템이 소형화하게 된다.
본 발명에 의하면, 누수 기판이 대기중에 노출되는 시간을 단축시켜 미립자 등의 부착을 최소화할 수 있고 고 생산성 및 고 생산량의 기판 세정 방법 및 장치, 기판 세정/건조 방법 및 장치가 제공된다.

Claims (28)

  1. 기판 세정 방법에 있어서,
    (a) 이동 가능하게 설치된 보트를 갖는 상하로 연속하는 주 처리조와 보조 처리조내에 세정액을 도입하여 상기 주 처리조와 상기 보조 처리조 내부를 세정액으로 채우는 공정과,
    (b) 복수개의 기판을 척 수단에 의해 실질적으로 동일한 피치 간격으로 한꺼번에 파지하는 공정과,
    (c) 상기 척 수단과 함께 기판을 상기 보조 처리조내의 세정액에 담그는 공정과,
    (d) 상기 보조 처리조에서 상기 척 수단으로부터 상기 보트에 기판을 이동배치하는 공정과,
    (e) 세정액중에서 상기 보트와 함께 기판을 상기 보조 처리조에서 상기 주 처리조로 하강시켜, 상기 기판을 상기 주 처리조에 위치시키는 공정과,
    (f) 상기 보조 처리조로부터 세정액을 배출시키는 공정과,
    (g) 상기 주 처리조에 세정액을 공급하여 세정액을 상기 주 처리조로부터 범람시키는 공정과,
    (h) 세정된 기판을 상기 주 처리조로부터 꺼내는 공정을 포함하는
    기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 (g)에서는 주 처리조에 화학 용액을 도입하여 상기 화학 용액으로 기판을 세정하며,
    또한, 주 처리조로부터 화학 용액을 배출한 후에 세정액을 공급하거나, 또는 주 처리조로 세정액을 공급함으로써 화학 용액을 세정액으로 치환한 후에, 주 처리조로부터 세정액을 범람시키는
    기판 세정 방법.
  3. 기판 세정/건조 방법에 있어서,
    (A) 이동가능하게 설치된 보트를 갖는 상하로 연속하는 주 처리조와 보조 처리조내에 세정액을 도입하여 상기 주 처리조와 보조 처리조 내부를 상기 세정액으로 채우는 공정과,
    (B) 복수개의 기판을 척 수단에 의해 실질적으로 동일한 피치 간격으로 한꺼번에 파지하는 공정과,
    (C) 상기 척 수단과 함께 기판을 상기 보조 처리조내의 세정액에 담그는 공정과,
    (D) 상기 보조 처리조에서 상기 척 수단으로부터 상기 보트에 기판을 이동배치하는 공정과,
    (E) 세정액중에서 상기 보트와 함께 기판을 상기 보조 처리조에서 상기 주 처리조로 하강시켜, 상기 기판을 상기 주 처리조에 위치시키는 공정과,
    (F) 상기 보조 처리조로부터 세정액을 배출시키는 공정과,
    (G) 상기 주 처리조에 세정액을 공급하여 세정액을 상기 주 처리조로부터 범람시키는 공정과,
    (H) 상기 보조 처리조에 건조 처리용 증기를 도입하는 공정과,
    (I) 상기 주 처리조의 세정액으로부터 상기 보조 처리조의 건조 처리용 증기의 기체내로 기판을 끌어올려서, 기판에 건조 처리용 증기를 접촉시켜 기판을 건조시키는 공정과,
    (J) 건조된 기판을 상기 보조 처리조 내부로부터 꺼내는 공정을 포함하는 기판 세정/건조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정 (F)와 공정 (G)의 사이에, 주 처리조내에 화학 용액을 도입하여 상기 화학 용액에 의해 기판을 세정하는 공정과, 주 처리조로부터 화학 용액을 배출시킨 후에 세정액을 공급하거나 또는 주 처리조로 세정액을 공급함으로써 화학용액을 세정액으로 치환하는 공정이 추가되는
    기판 세정/건조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정 (F)에서는 보조 처리조에 비산화성 가스를 도입하는 기판 세정/건조 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정 (H)는 보조 처리조에 건조 처리용 증기 및 비산화성 가스를 함께 도입하는
    기판 세정/건조 방법.
  7. 기판 세정 장치에 있어서,
    처리조와,
    상기 처리조 내부에 기판을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급수단과,
    복수개의 기판을 실질적으로 동일한 피치 간격으로 한꺼번에 파지하는 척 부재를 구비하여 기판을 상기 처리조로 반송하는 반송 수단과,
    상기 반송 수단으로부터 복수개의 기판이 이동 배치되는 보트와,
    상기 처리조의 하부에 설치되어, 세정될 복수개의 기판과 함께 상기 보트를 수용할 수 있는 용적을 갖는 주 처리조와,
    상기 주 처리조의 위에 연속하여 설치되어, 세정될 복수개의 기판과 함께 상기 척 부재를 수용할 수 있는 용적을 갖는 보조 처리조와,
    상기 보트를 상기 보조 처리조와 상기 주 처리조 사이에서 상승 및 하강시키는 상승/하강 수단을 포함하는
    기판 세정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 주 처리조로부터 세정액을 배출시키는 배출 수단을 더 포함하는 기판 세정 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 주 처리조로부터 범람되는 세정액을 정화하고 재생하여 주 처리조내로 복귀시키는 세정액 순환 공급 수단을 더 포함하는
    기판 세정 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 주 처리조내의 기판을 향해 화학 용액을 분사하는 노즐 수단을 더 포함하는 기판 세정 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 처리조내에 비산화성 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 더 포함하는
    기판 세정 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 처리조의 직경은 상기 주 처리조의 직경보다 큰 기판 세정 장치.
  13. 기판 세정/건조 장치에 있어서,
    처리조와,
    상기 처리조 내부에 기판을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급수단과,
    복수개의 기판을 실질적으로 동일한 피치 간격으로 한꺼번에 파지하는 척 부재를 구비하여 기판을 상기 처리조로 반송하는 반송 수단과,
    상기 반송 수단으로부터 복수개의 기판이 이동 배치되는 보트와,
    상기 처리조의 하부에 설치되어, 세정될 복수개의 기판과 함께 상기 보트를 수용할 수 있는 용적을 갖는 주 처리조와,
    상기 주 처리조 위에 연속하여 설치되어, 세정될 복수개의 기판과 함께 상기 척 부재를 수용할 수 있는 용적을 갖는 보조 처리조와,
    상기 보트를 상기 보조 처리조와 상기 주 처리조 사이에서 상승 및 하강시키는 상승/하강 수단과,
    노출된 기판을 건조시키는 건조용 증기를 상기 보조 처리조내에 공급하는 건조용 증기 공급 수단을 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    보조 처리조의 상부 개구에 개폐 가능하게 설치된 덮개 부재를 더 포함하는 기판 세정/건조 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 주 처리조와 보조 처리조 사이에서 보트를 상승 및 하강시키는 상승/하강 수단을 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    냉매 공급원과,
    상기 냉매 공급원으로부터 공급된 냉매가 유통되는 내부 통로를 구비하여 보조 처리조내의 건조용 증기를 응축 액화시키는 냉각 부재를 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 냉각 부재는 보조 처리조 내부에 수평 방향으로 이동 가능하게 설치되는 기판 세정/건조 장치.
  18. 제 13 항에 있어서,
    주 처리조내의 기판을 향해 아래쪽으로부터 세정액 또는 화학 용액을 분사하는 복수개의 노즐과,
    상기 노즐에 세정액 또는 화학 용액을 선택적으로 공급하는 공급원과,
    보조 처리조의 바닥부 주위의 테두리부에 형성되는 범람부를 더 포함하는 기판 세정/건조 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 범람부 및 주 처리조의 각각에 연결되어, 범람된 세정액 및 화학 용액을 재생하며, 재생된 용액을 주 처리조내로 복귀시키는 처리 용액 재생 순환 장치를 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 보조 처리조의 직경은 상기 주 처리조의 직경보다 큰
    기판 세정/건조 장치.
  21. 기판 세정/건조 장치에 있어서,
    기판을 세정하기 위한 세정액을 저장하는 처리조와,
    복수개의 기판을 유지하며, 이들을 상기 처리조내의 세정액중에 한꺼번에 담그는 보트 수단과,
    상기 처리조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,
    건조용 액체를 가열하여 건조용 증기를 생성하는 건조용 증기 생성부와,
    상기 건조용 증기 생성부와 상기 처리조에 각각 연결되어 건조용 증기 생성부에서 생성된 건조용 증기를 상기 처리조내로 도입하기 위한 제 1 통로와,
    상기 건조용 증기 생성부의 상부에 설치되어, 냉각에 의해 건조용 증기를 응축 액화시켜 상기 건조용 증기 생성부로부터의 건조용 증기가 흩어져 없어지는 것을 방지하는 냉각 수단과,
    상기 냉각 수단보다 위쪽에 설치되어 상기 건조용 증기 생성부내에 연결되며, 건조용 증기를 배출하기 위한 제 2통로와,
    기판을 실질적으로 산화시키지 않는 비산화성 가스를 공급하는 공급원과,
    상기 제 1 통로 및 상기 비산화성 가스 공급원에 각각 연결되는 동시에, 상기 건조용 증기 생성부 및 상기 처리조에 각각 비산화성 가스를 도입하기 위한 제 3 통로를 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 처리조의 상부에 설치되어, 처리조 내부를 개방하거나 폐쇄하는 개폐수단과,
    상기 개폐 수단에 연결되어 처리조 내부를 배기하기 위한 제 4 통로를 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 냉각 수단 및 개폐 수단의 동작을 제어하는 제어 수단을 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 처리조의 근방에 위치되어 처리조 내부의 건조용 증기를 냉각시켜 응축액화시키는 제 2 냉각 수단을 더 포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 냉각 수단은, 상기 처리조의 위쪽에 배치된 순환 관로와, 상기 순환 관로내에 냉매를 순환 공급하는 냉매 공급원을 구비하며,
    상기 냉매는 상기 제어 수단에 의해 상기 처리조내의 건조용 증기의 온도보다 낮고, 건조용 증기의 액화 온도보다 높은 범위내에서 온도 제어되는
    기판 세정/건조 장치.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 냉각 수단의 아래쪽에 설치되어, 건조용 증기가 응축 액화된 건조용 액체를 수집하여, 상기 건조용 액체를 처리조내로 안내하는 물받이 부재를 더포함하는
    기판 세정/건조 장치.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 냉각 수단의 순환 관로는 상기 처리조에 출입되는 기판 및 보트 수단과 충돌하지 않도록 상기 순환 관로를 후퇴시키는 이동 수단을 더 포함하는 기판 세정/건조 장치.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 냉각 수단의 순환 관로는 상기 보트 수단에 부착되어 기판과 함께 이동되는
    기판 세정/건조 장치.
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