JP5911689B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記除電液除去部が、前記複数の基板に対して同時に前記除電液の除去を行う。
3 処理液供給部
7,7a 除電液接液部
8 制御部
9 基板
10,10a,10b 基板処理装置
71,71a 除電液貯溜部
81 比抵抗設定部
91 上面
92 下面
95 除電液
725 除電液ノズル
761 下面接液部
S11〜S21,S31〜S35 ステップ
Claims (7)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
搬入前にドライ工程を経て帯電した状態となっている基板を保持する基板保持部と、
前記基板の一方の主面であり、デバイスが予め形成された第1主面上に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板の前記第1主面および他方の主面である第2主面を、前記処理液よりも比抵抗が大きい除電液に接触させる除電液接液部と、
前記基板上の除電液を除去する除電液除去部と、
前記処理液供給部、前記除電液接液部および前記除電液除去部を制御することにより、前記基板の前記第1主面および前記第2主面を全面に亘って前記除電液に接触させて接液状態を維持した後、前記除電液を前記第1主面上から除去し、さらに、前記処理液を前記基板の前記第1主面上に供給して所定の処理を行う制御部と、
を備え、
前記除電液接液部が、前記除電液を貯溜する除電液貯溜部を備え、
前記基板を含む複数の基板が、それぞれの主面の法線方向が水平方向を向くように配列された状態で、前記除電液貯溜部に貯溜された前記除電液に浸漬されることにより、前記第1主面および前記第2主面が前記除電液に接触し、前記第1主面に接触する前記除電液と前記第2主面に接触する前記除電液とが前記基板上において連続することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記除電液除去部が、前記複数の基板に対して同時に前記除電液の除去を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が、加熱された硫酸と過酸化水素水とを混合したSPM液であり、前記所定の処理がSPM処理であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3に記載の基板処理装置であって、
前記除電液の目標比抵抗を設定する比抵抗設定部をさらに備え、
前記除電液が、イオンを含む液体または純水であり、
前記制御部による制御により、前記除電液におけるイオン濃度を制御して前記除電液の比抵抗を前記目標比抵抗に維持しつつ、前記基板の前記第1主面および前記第2主面の前記除電液との接触が行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記比抵抗設定部において、前記デバイスのサイズが小さいほど、大きな目標比抵抗が設定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4または5に記載の基板処理装置であって、
前記イオンを含む液体が、純水に二酸化炭素を溶解させたものであることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
a)搬入前にドライ工程を経て帯電した状態となっている基板の両側の主面を全面に亘って除電液に接触させて接液状態を維持する工程と、
b)前記a)工程よりも後に、前記除電液を前記基板のデバイスが予め形成された一方の主面上から除去する工程と、
c)前記b)工程よりも後に、前記除電液よりも比抵抗が小さい処理液を前記基板の前記一方の主面上に供給して所定の処理を行う工程と、
を備え、
前記a)工程において、前記基板を含む複数の基板が、それぞれの主面の法線方向が水平方向を向くように配列された状態で、除電液貯溜部に貯溜された前記除電液に浸漬されることにより、前記第1主面および前記第2主面が前記除電液に接触し、前記第1主面に接触する前記除電液と前記第2主面に接触する前記除電液とが前記基板上において連続することを特徴とする基板処理方法。
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