JP6967951B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
〔1.乾燥処理の内容〕
まず、第1の実施形態に係る乾燥処理の内容について、従来の乾燥処理と比較しつつ説明する。図1A〜図1Cは、従来の乾燥処理の内容を示す図である。また、図2は、有機溶剤の供給時間と金属不純物の基板への付着量との関係を示すグラフである。また、図3A〜図3Cは、第1の実施形態に係る乾燥処理の内容を示す図である。
まず、基板処理システムの構成について図4を参照して説明する。
次に、処理ユニット16について図5を参照し説明する。図5は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
次に、処理流体供給源70の構成について図6を参照して説明する。図6は、第1の実施形態に係る処理ユニット16および処理流体供給源70の構成を示す図である。
次に、処理ユニット16が実行する基板処理の内容について図7を参照して説明する。図7は、処理ユニット16が実行する基板処理の手順の一例を示すフローチャートである。図7に示す各処理手順は、制御部18による制御に従って実行される。
上述した第1の実施形態では、混合タンク109において有機溶剤と酸性材料とを予め混合しておく場合の例について説明したが、酸性材料を有機溶剤に添加するタイミングは、有機溶剤がウェハWに供給される直前であってもよい。
また、酸性材料は、ウェハW上で有機溶剤に添加されてもよい。図9は、第3の実施形態に係る処理ユニットおよび処理流体供給源の構成を示す図である。なお、図9では、薬液供給系およびリンス液供給系を省略している。
乾燥処理の内容は、第1の実施形態において説明したものに限定されない。以下では、乾燥処理の他の例について説明する。図10は、第4の実施形態に係る処理ユニットおよび処理流体供給源の構成を示す図である。また、図11は、第4の実施形態に係る乾燥処理の手順の一例を示すフローチャートである。
乾燥処理は、ウェハWの表面を撥水化させる処理を含んでいてもよい。かかる場合の例について図12を参照して説明する。図12は、第5の実施形態に係る乾燥処理の手順の一例を示すフローチャートである。なお、図12に示す乾燥処理は、第1の実施形態において説明した薬液処理(ステップS101)およびリンス処理(ステップS102)の後に実行される。
乾燥処理は、超臨界状態の処理流体を用いてウェハWを乾燥させる超臨界乾燥処理を含んでいてもよい。かかる場合の例について図13および図14を参照して説明する。
上述した第1〜第6の実施形態では、ウェハWを1枚ずつ乾燥させる枚葉式の乾燥処理の例について説明したが、基板処理は、複数のウェハWを一括して乾燥させるバッチ式の乾燥処理であってもよい。以下、バッチ式の乾燥処理を行う処理ユニットの例について図15を参照して説明する。図15は、第7の実施形態に係る処理ユニットおよび処理流体供給源の構成を示す図である。
上述した各実施形態では、酸性材料として塩酸を例に挙げて説明したが、酸性材料は、塩酸に限定されない。酸性材料は、たとえば、塩酸以外の無機酸(硫酸または硝酸等)であってもよい。また、酸性材料は、カルボン酸またはスルフォン酸であってもよい。また、酸性材料は、必ずしも液体であることを要さず、気体や固体であってもよい。
1 基板処理システム
16 処理ユニット
70 処理流体供給源
105 有機溶剤供給源
107 酸性材料供給源
109 混合タンク
Claims (11)
- 基板に処理液を供給する液処理工程と、
有機溶剤を使用して前記液処理工程後の前記基板を乾燥する乾燥工程と
を含み、
前記乾燥工程において使用される有機溶剤に、前記有機溶剤中の金属をイオン化させる酸性材料であって硫酸、硝酸、カルボン酸およびスルフォン酸のうちいずれかの前記酸性材料が添加されること
を特徴とする基板処理方法。 - 前記液処理工程は、
前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後の前記基板にリンス液を供給するリンス工程と
を含み、
前記乾燥工程は、
前記リンス工程後、前記有機溶剤および前記酸性材料を前記基板に供給する有機溶剤供給工程
を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 基板に処理液を供給する液処理工程と、
有機溶剤を使用して前記液処理工程後の前記基板を乾燥する乾燥工程と
を含み、
前記乾燥工程において使用される有機溶剤に、塩酸、硫酸、硝酸、カルボン酸およびスルフォン酸のうちいずれかの酸性材料が添加され、
前記液処理工程は、
前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後の前記基板にリンス液を供給するリンス工程と
を含み、
前記乾燥工程は、
前記リンス工程後、前記リンス液に対して親和性を有する置換用有機溶剤を前記基板に供給する第1供給工程と、
前記第1供給工程後、前記置換用有機溶剤に対して親和性を有し、且つ、前記置換用有機溶剤よりも表面張力が小さい乾燥用有機溶剤を前記基板に供給する第2供給工程と
を含み、
前記置換用有機溶剤および前記乾燥用有機溶剤の少なくとも1つに前記酸性材料が添加されること
を特徴とする基板処理方法。 - 前記液処理工程は、
前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後の前記基板にリンス液を供給するリンス工程と
を含み、
前記乾燥工程は、
前記リンス工程後、前記リンス液に対して親和性を有する第1置換用有機溶剤を前記基板に供給する第1供給工程と、
前記第1供給工程後、前記第1置換用有機溶剤に対して親和性を有し、且つ、前記有機溶剤を含んだ撥水化剤を前記基板に供給する第2供給工程と、
前記第2供給工程後、前記撥水化剤に対して親和性を有する第2置換用有機溶剤を前記基板に供給する第3供給工程と
を含み、
前記第1置換用有機溶剤、前記撥水化剤および前記第2置換用有機溶剤の少なくとも1つに前記酸性材料が添加されること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記液処理工程は、
前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後の前記基板にリンス液を供給するリンス工程と
を含み、
前記乾燥工程は、
前記リンス工程後、前記基板の表面に前記酸性材料が添加された前記有機溶剤の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程後、超臨界状態の処理流体を用いて前記基板を乾燥させる超臨界乾燥工程と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 基板に処理液を供給する液処理工程と、
有機溶剤を使用して前記液処理工程後の前記基板を乾燥する乾燥工程と
を含み、
前記乾燥工程において使用される有機溶剤に、塩酸、硫酸、硝酸、カルボン酸およびスルフォン酸のうちいずれかの酸性材料が添加され、
前記液処理工程は、
前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後の前記基板にリンス液を供給するリンス工程と
を含み、
前記乾燥工程は、
前記リンス工程後、前記リンス液に対して親和性を有する第1置換用有機溶剤を前記基板に供給する第1供給工程と、
前記第1供給工程後、前記第1置換用有機溶剤に対して親和性を有し、且つ、前記有機溶剤および前記酸性材料を含んだ酸添加撥水化剤を前記基板に供給する第2供給工程と、
前記第2供給工程後、前記酸添加撥水化剤に対して親和性を有する第2置換用有機溶剤を前記基板に供給する第3供給工程と
を含むこと
を特徴とする基板処理方法。 - 前記酸性材料は、
前記有機溶剤に添加された状態で前記基板に供給されること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 基板に処理液を供給する液処理工程と、
有機溶剤を使用して前記液処理工程後の前記基板を乾燥する乾燥工程と
を含み、
前記基板上で、前記乾燥工程において使用される有機溶剤に、塩酸、硫酸、硝酸、カルボン酸およびスルフォン酸のうちいずれかの酸性材料が添加されること
を特徴とする基板処理方法。 - 前記有機溶剤は、
アルコール類、HFO(ハイドロフルオロオレフィン)、HFC(ハイドロフルオロカーボン)、HFE(ハイドロフルオロエーテル)およびPFC(パーフルオロカーボン)のうちいずれかの単体またはこれらを少なくとも1つ含む混合物であること
を特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記有機溶剤に対する前記酸性材料の添加量は、
1mg/L以上10000mg/L以下であること
を特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板に有機溶剤と、前記有機溶剤中の金属をイオン化させる酸性材料であって硫酸、硝酸、カルボン酸およびスルフォン酸のうちいずれかの前記酸性材料とを供給する有機溶剤供給部と
を備え、
前記処理液供給部を用いて前記基板に前記処理液を供給する液処理を実行した後、前記有機溶剤供給部を用いて前記液処理後の前記基板を乾燥する乾燥処理を実行すること
を特徴とする基板処理装置。
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