TWI546878B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI546878B TW102145530A TW102145530A TWI546878B TW I546878 B TWI546878 B TW I546878B TW 102145530 A TW102145530 A TW 102145530A TW 102145530 A TW102145530 A TW 102145530A TW I546878 B TWI546878 B TW I546878B
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於處理基板之技術。
以往，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等之絕緣膜之基板實施各式各樣之處理。例如，藉由將藥液供給於表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板，對基板之表面進行蝕刻等之處理。此外，於蝕刻等結束之後，還進行將基板上之抗蝕劑除去之處理。
日本專利特開2009-200365號公報(文獻1)之基板處理裝置中，於使用SPM液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸-過氧化氫混合液)等之藥液進行處理之前，將導電率低於藥液之液體供給於基板上之處理區域，且於該液體存在於處理區域上之狀態下，將藥液噴吐至處理區域。藉此，期用來防止因基板與藥液之接觸而產生之基板之局部破損。基板之局部破損係指處理區域之場氧化膜、閘極氧化膜之局部性破壞，該破壞係由於藥液與藥液用噴嘴之間的摩擦帶電現象造成藥液在帶電之狀態下接觸於基板之處理區域而產生。
日本專利特開2007-134673號公報(文獻2)中揭示有一種技術，其於將濃硫酸等之藥液供給於晶圓上之處理區域之前，將比電阻值低於藥液之CO2水等之液體供給於處理區域，且於該液體存在於 處理區域上之狀態下將藥液噴吐於處理區域。藉此，期用來防止藥液朝處理區域接液時所產生之靜電摩擦現象而引起之帶電。
日本專利特開2007-214347號公報(文獻3)中揭示有一種 技術，其於電子元件之清洗裝置中，藉由將被離子化之蒸氣供給於基板之表面或藥液噴嘴，對存在於基板之表面或藥液噴嘴之靜電進行去靜電。日本專利特開2011-103438號公報(文獻4)之基板液處理裝置中，於對基板之電路形成面進行液處理步驟之前，進行向與基板之電路形成面相反側之面噴吐去靜電處理液之去靜電處理步驟。
另一方面，於日本專利特開2004-158588號公報(文獻 5)中，揭示有一種基板處理裝置，其藉由將除去液供給於基板之表面，以除去附著於基板之表面之有機物。該基板處理裝置中設置有調溫手段，藉由該調溫手段調整基板之溫度，以使基板之溫度與供給於基板上之除去液之溫度之差落在既定之範圍內。作為調溫手段之一例，可列舉將經調整溫度後之流體供給於藉由保持旋轉手段所保持之基板之背面之流體供給手段。
另外，以基板處理裝置所處理之基板，於搬入基板處理 裝置之前，會加以乾式蝕刻及電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)等之乾燥步驟。於此種乾燥步驟中，由於元件內產生電荷而帶電，因此基板係於帶電之狀態下搬入基板處理裝置。於基板處理裝置中，若將如SPM液之比電阻較小之藥液供給於基板上，元件內之電荷自元件朝藥液急遽地移動(亦即，朝藥液中放電)，恐有因隨該移動帶來之發熱而對元件造成傷害之虞。因此，可考慮在將藥液供給於基板之前，藉由電離器對基板進行去靜電，惟於基板之帶電量大之情況下，有效率地除去靜電存在困難。
本發明係針對處理基板之基板處理裝置，其目的在於當 藉由處理液進行處理時，防止因電荷之移動造成之基板之損傷。
本發明之基板處理裝置，其具備有：基板保持部，其保 持基板；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之一側之主表面即第一主表面上；去靜電液接液部，其使上述基板之上述第一主表面及另一側之主表面即第二主表面，與隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液產生接觸；溫度調整部，其對上述去靜電液之溫度進行調整；及控制部，其藉由控制上述處理液供給部、上述去靜電液接液部及上述溫度調整部，一面將上述去靜電液之溫度形成在上述去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內，一方面使上述基板之上述第一主表面及上述第二主表面以遍及全表面之方式與上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述基板上之電荷產生減少之後，將上述處理液供給至上述基板之上述第一主表面上而加以進行既定之處理。藉此，當藉由處理液進行處理時，可防止因電荷之移動造成之基板之損傷。
本發明之一較佳實施形態中，與上述第一主表面產生接 觸之上述去靜電液及與上述第二主表面產生接觸之上述去靜電液，係在上述基板上呈連續。
又，較佳為，上述去靜電液接液部係具備有貯存上述去 靜電液之去靜電液貯存部，藉由將上述基板浸漬在貯存於上述去靜電液貯存部之上述去靜電液中，使上述第一主表面及上述第二主表面與上述去靜電液產生接觸。更佳為，在貯存於上述去靜電液貯存部之上述去靜電液中，浸漬有複數個基板，而該等複數個基板係包括有上述 基板並且使各個主表面之法線方向以朝向水平方向之方式加以排列。
本發明之另一較佳實施形態中，上述去靜電液接液部係 具備有：第一去靜電液接液部，其對在使上述第一主表面朝向上側之狀態下藉由上述基板保持部所保持之上述基板之上述第一主表面上，供給上述去靜電液，而利用上述去靜電液將上述第一主表面全體加以浸置(puddle)，及第二去靜電液接液部，其對向於上述基板之上述第二主表面，且朝向上述第二主表面噴吐上述去靜電液，使上述第二主表面全體與上述去靜電液產生接觸。
本發明之另一基板處理裝置，其具備有：基板保持部， 其以使主表面朝向上側之狀態將基板加以保持；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之上述主表面上；去靜電液供給部，其將隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液供給至上述基板之上述主表面上；溫度調整部，其對供給至上述基板之上述去靜電液的溫度進行調整；及控制部，其藉由控制上述處理液供給部、上述去靜電液供給部及上述溫度調整部，一方面將上述去靜電液之溫度形成在上述去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內，一方面將上述去靜電液供給至上述基板之上述主表面上而利用上述去靜電液將上述基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述基板上之電荷產生減少之後，將上述處理液供給至上述基板之上述主表面上而加以進行既定之處理。藉此，當藉由處理液進行處理時，可防止因電荷之移動造成之基板之損傷。
本發明之又一較佳實施形態中，更具備有測量上述去靜 電液之溫度之去靜電液測量部，上述控制部係根據上述去靜電液測量部之測量結果，而以使上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異 變小之方式控制上述溫度調整部。
本發明之又一較佳實施形態中，更具備有測量上述去靜 電液之比電阻之去靜電液測量部，上述控制部係根據上述去靜電液測量部之測量結果，而以使上述去靜電液之比電阻與既定之目標比電阻之差異變小之方式控制上述溫度調整部。
本發明係還針對處理基板之基板處理方法。本發明之基 板處理方法，其具備有以下步驟：a)將隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液之溫度，使上述去靜電液之比電阻形成在大於上述處理液之比電阻之範圍內；b)於上述a)步驟之後，使基板之兩側之主表面以遍及全表面之方式與上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述基板上之電荷產生減少；及c)於上述b)步驟之後，將上述處理液供給至上述基板之一側之主表面上而加以進行既定之處理。藉此，當藉由處理液進行處理時，可防止因電荷之移動造成之基板之損傷。
本發明之另一基板處理方法，其具備有以下步驟：a)將 隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液之溫度，使上述去靜電液之比電阻形成在大於上述處理液之比電阻之範圍內；b)於上述a)步驟之後，對在使主表面朝向上側之狀態下所保持之基板之上述主表面上，供給上述去靜電液，而利用上述去靜電液將上述基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述基板上之電荷產生減少；及c)於上述b)步驟之後，將上述處理液供給至上述基板之上述主表面上而加以進行既定之處理。藉此，當藉由處理液進行處理時，可防止因電荷之移動造成之基板之損傷。
上述目的及其他目的、特徵、態樣暨優點，藉由參照所 附之圖式及以下進行之本發明之詳細說明，可容易瞭解。
1‧‧‧單片式處理裝置
2‧‧‧基板保持部
3‧‧‧處理液供給部
5‧‧‧去靜電液供給部
7、7a‧‧‧去靜電液接液部
8‧‧‧控制部
8a‧‧‧記憶部
9‧‧‧基板
10、10a~10d‧‧‧基板處理裝置
31‧‧‧硫酸供給部
32‧‧‧過氧化氫水供給部
33‧‧‧混合液產生部
34‧‧‧處理液噴嘴
35‧‧‧處理液噴嘴轉動機構
41‧‧‧杯部
42‧‧‧基板旋轉機構
51‧‧‧去靜電液配管
52‧‧‧流量計
54‧‧‧去靜電液閥
55‧‧‧去靜電液噴嘴
58‧‧‧去靜電液噴嘴轉動機構
61‧‧‧溫度調整部
62‧‧‧去靜電液測量部
71、71a‧‧‧去靜電液貯存部
72、72a‧‧‧去靜電液供給部
73‧‧‧卡匣
75‧‧‧基板乾燥部
77‧‧‧IPA供給部
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
95‧‧‧去靜電液
311‧‧‧硫酸貯存部
312‧‧‧硫酸配管
313‧‧‧硫酸泵
314‧‧‧硫酸閥
315‧‧‧硫酸加熱部
321‧‧‧過氧化氫水貯存部
322‧‧‧過氧化氫水配管
323‧‧‧過氧化氫水泵
324‧‧‧過氧化氫水閥
331‧‧‧混合閥
332‧‧‧噴吐用配管
333‧‧‧攪拌流通管
351‧‧‧旋轉軸
352‧‧‧臂
581‧‧‧旋轉軸
582‧‧‧臂
721‧‧‧去靜電液配管
722‧‧‧流量計
724‧‧‧去靜電液閥
725‧‧‧去靜電液噴嘴
728‧‧‧去靜電液噴嘴轉動機構
771‧‧‧IPA配管
772‧‧‧IPA噴嘴
773‧‧‧IPA閥
774‧‧‧IPA噴嘴轉動機構
775‧‧‧旋轉軸
776‧‧‧臂
7281‧‧‧旋轉軸
7282‧‧‧臂
圖1為顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖2為顯示單片式處理裝置之構成圖。
圖3為顯示純水之溫度與比電阻之關係圖。
圖4為顯示基板處理之流程圖。
圖5為顯示基板處理之部分流程圖。
圖6為顯示基板處理之部分流程圖。
圖7為顯示去靜電處理之前後之基板之表面電位之圖。
圖8A為顯示目標溫度之確定之流程圖。
圖8B為顯示目標溫度之確定之流程圖。
圖9為顯示目標溫度之確定之部分流程圖。
圖10為顯示基板處理之部分流程圖。
圖11為顯示基板處理之部分流程圖。
圖12為顯示第2實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖13為顯示去靜電處理之前後之基板之表面電位之圖。
圖14為顯示第3實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖15為顯示基板處理之部分流程圖。
圖16為顯示基板上之去靜電液之狀態之圖。
圖17為顯示去靜電處理之前後之基板之表面電位之圖。
圖18為顯示第4實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖19為顯示基板處理之流程圖。
圖20為顯示去靜電處理之前後之基板之表面電位之圖。
圖21為顯示第5實施形態之基板處理裝置之構成圖。
圖22為顯示基板處理之部分流程圖。
圖1為顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置10 之構成圖。基板處理裝置10係對半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)進行處理之裝置。如圖1所示，基板處理裝置10具備單片式處理裝置1、去靜電液接液部7、溫度調整部61、去靜電液測量部62及控制部8。
單片式處理裝置1係一片一片地處理基板9之單片式之 處理裝置。去靜電液接液部7係使基板9接觸於去靜電液。溫度調整部61係對去靜電液之溫度進行調整。去靜電液測量部62係對去靜電液之溫度進行測量之溫度感測器。記憶部8a係保持目標溫度及去靜電時間(詳細有待後述)，且於執行基板處理時將這些設定於控制部8。控制部8係根據上述目標溫度等對單片式處理裝置1、去靜電液接液部7、溫度調整部61及去靜電液測量部62等之構成進行控制。
圖2為顯示單片式處理裝置1之構成圖。單片式處理裝 置1中，將處理液即SPM液(硫酸-過氧化氫混合液)供給於基板9，進行SPM處理、亦即基板9上之抗蝕膜之除去處理。單片式處理裝置1具備基板保持部2、處理液供給部3、杯部41及基板旋轉機構42。基板保持部2係於將基板9之一側之主表面91(以下稱為「上表面91」)面向上側之狀態下保持基板9。處理液供給部3係將SPM液等之處理液供給於基板9之上表面91上。杯部41係圍繞於基板9及基板保持部2之周圍。基板旋轉機構42係使基板9與基板保持部2一起水平地旋轉。藉由基板旋轉機構42，基板9以通過基板9之中心並垂直於基板9之上表面91之旋轉軸為中心進行旋轉。單片式處理裝置1中，基板保持部2、杯部41及基板旋轉機構42等係收容於省略圖示之腔體內。
處理液供給部3具備：供給硫酸之硫酸供給部31；供給 過氧化氫水之過氧化氫水供給部32；連接於硫酸供給部31及過氧化氫水供給部32之混合液產生部33；配置於基板9之上方且朝基板9噴吐液體之處理液噴嘴34；及以旋轉軸351為中心使處理液噴嘴34水平轉動之處理液噴嘴轉動機構35。處理液噴嘴轉動機構35具備自旋轉軸351於水平方向延伸並安裝有處理液噴嘴34之臂352。
硫酸供給部31具備：貯存硫酸之硫酸貯存部311；連接 於硫酸貯存部311及混合液產生部33之硫酸配管312；自硫酸貯存部311經由硫酸配管312朝混合液產生部33供給硫酸之硫酸泵313；設於硫酸配管312上之硫酸閥314；及於硫酸泵313與硫酸閥314之間設於硫酸配管312上且對硫酸進行加熱之硫酸加熱部315。硫酸配管312係於硫酸加熱部315與硫酸閥314之間分道而連接至硫酸貯存部311，且於硫酸閥314關閉之狀態下，藉由硫酸加熱部315所加熱之硫酸，係於硫酸貯存部311與硫酸加熱部315之間循環。
過氧化氫水供給部32具備：貯存過氧化氫水之過氧化 氫水貯存部321；連接於過氧化氫水貯存部321及混合液產生部33之過氧化氫水配管322；自過氧化氫水貯存部321經由過氧化氫水配管322朝混合液產生部33供給過氧化氫水之過氧化氫水泵323；及設置於過氧化氫水配管322上之過氧化氫水閥324。又，硫酸貯存部311及過氧化氫水貯存部321也可設於基板處理裝置10之外部，且分別連接有硫酸配管312及過氧化氫水配管322。
混合液產生部33具備：連接有硫酸配管312及過氧化 氫水配管322之混合閥331；連接於混合閥331及處理液噴嘴34之噴吐用配管332；及設於噴吐用配管332上之攪拌流通管333。混合液產 生部33中，將來自硫酸供給部31之加熱之硫酸、及來自過氧化氫水供給部32之常溫(亦即與室溫相同程度之溫度)之過氧化氫水，於混合閥331中混合之後，生成混合液即SPM液(過氧化硫酸水溶液)。
SPM液係通過攪拌流通管333及噴吐用配管332朝處理 液噴嘴34輸送。於攪拌流通管333中，藉由對SPM液進行攪拌，促進SPM液中含有之硫酸與過氧化氫水之化學反應。處理液即SPM液係自處理液噴嘴34之前端的噴吐口朝基板9之上表面91噴吐。本實施形態中，將藉由硫酸加熱部315加熱為約130℃~150℃之硫酸，自硫酸供給部31朝向混合液產生部33供給。再者，自硫酸供給部31供給之硫酸之溫度可適宜變更。
如圖1所示，去靜電液接液部7具備：貯存去靜電液之 去靜電液貯存部71；將去靜電液供給於去靜電液貯存部71之去靜電液供給部72；保持複數個基板9之卡匣73；及對基板9進行減壓乾燥處理之基板乾燥部75。圖1中，省略用以保持且移動卡匣73之卡匣移動部之圖示。去靜電液接液部7中，利用純水(DIW：deionized water(去離子水))作為去靜電液。
圖3為顯示純水之溫度與比電阻之關係圖。如圖3所 示，純水之比電阻係隨液溫上昇而逐漸減少。於純水之凝固點以上且沸點以下之全範圍內，純水之比電阻係皆較上述SPM液之比電阻大。 只要去靜電液接液部7中使用之去靜電液係隨液溫上昇而比電阻逐漸減少之液體，則不限純水。此外，只要至少於純水之凝固點以上且沸點以下之既定之溫度範圍內，去靜電液之比電阻較單片式處理裝置1中所利用之處理液之比電阻大即可。作為去靜電液，例如也可利用將二氧化碳(CO2)溶解於純水中之類似CO2水的含有離子之液體。這在其 他之實施形態中亦同樣。
如圖1所示，去靜電液供給部72具備去靜電液配管 721、流量計722及去靜電液閥724。去靜電液配管721係連接於省略圖示之去靜電液供給源。自去靜電液配管721之前端噴吐之去靜電液，係供給並貯存於去靜電液貯存部71。於去靜電液配管721上，自去靜電液供給源朝向去靜電液貯存部71依序配置有流量計722、溫度調整部61、去靜電液閥724及去靜電液測量部62。流量計722係對流動於去靜電液配管721內之去靜電液之流量進行測量。溫度調整部61係藉由因應需要對流動於去靜電液配管721內之去靜電液進行加熱或者冷卻，來調整去靜電液配管721內之去靜電液之溫度。去靜電液閥724係對流動於去靜電液配管721內之去靜電液之流量進行調整。去靜電液測量部62係對流動於去靜電液配管721內之去靜電液之溫度進行測量。
去靜電液測量部62之測量結果(亦即去靜電液之溫度) 被傳送至控制部8。控制部8係根據記憶於記憶部8a之去靜電液之目標溫度，亦即，後述之去靜電處理中之去靜電液之較佳溫度，對單片式處理裝置1、去靜電液接液部7、溫度調整部61及去靜電液測量部62等之構成進行控制。去靜電液之目標溫度係用以實現去靜電處理中之去靜電液之較佳比電阻(亦即目標比電阻)之溫度。去靜電液之目標比電阻係較單片式處理裝置1中所利用之處理液之比電阻大。目標溫度係根據目標比電阻、圖3所示之去靜電液之溫度與比電阻之關係等而求得。至於目標溫度之具體求得方法，容待後述。
預先形成於基板9之上表面91上之元件之尺寸越小(即 元件之配線之最小寬度越小)，則目標比電阻設定為越大。因此，預先 形成於基板9之上表面91上之元件之尺寸越小，目標溫度就設定為越低。於本實施形態中，目標比電阻係設定於約1~18MΩ．cm之範圍內，而目標溫度係設定於約25~100℃之範圍內。
基板處理裝置10中，基於去靜電液測量部62之測量結 果及上述目標溫度，藉由控制部8對溫度調整部61進行反饋控制。於溫度調整部61中對去靜電液之溫度進行調整，以使去靜電液配管721內之去靜電液之溫度與目標溫度之差變小。藉此，供給於去靜電液貯存部71之去靜電液之溫度被大約維持於目標溫度。換言之，藉由上述反饋控制，去靜電液之溫度係實質上維持於可說是與目標溫度相等之狹小溫度範圍(當然，包含目標溫度)內。
基板處理裝置10中，有即使去靜電液之溫度略有偏離 目標溫度亦被容許之事例。此種事例中，於藉由去靜電液測量部62所測量之去靜電液之溫度與目標溫度之差為臨限值溫度差以下之情況下，藉由控制部8停止溫度調整部61對去靜電液之溫度調整，而僅於去靜電液之溫度與目標溫度之差大於臨限值溫度差之情況下，才藉由溫度調整部61對去靜電液進行溫度調整。若將較目標溫度低臨限值溫度差之溫度稱為「下限溫度」，且將較目標溫度高出臨限值溫度差之溫度稱為「上限溫度」，則藉由上述溫度調整，可將供給於去靜電液貯存部71之去靜電液之溫度，大約維持於下限溫度以上且上限溫度以下之溫度範圍內。上限溫度中之去靜電液之比電阻，係較單片式處理裝置1中所利用之處理液之比電阻大。
如此，於去靜電液供給部72中，藉由控制部8對溫度 調整部61進行控制，將去靜電液之溫度形成在去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內。
去靜電液接液部7中，藉由配置於去靜電液貯存部71 上方之卡匣73，於以基板主表面成為平行之方式排列之狀態下保持複數個基板9。並且，藉由卡匣移動部以使卡匣73下降，於以各個基板之主表面之法線方向朝向水平方向之方式排列之狀態下，將複數個基板9浸漬於貯存在去靜電液貯存部71之去靜電液中。
於基板乾燥部75中，對浸漬於去靜電液中後之基板9 進行減壓乾燥處理。基板乾燥部75中，可對保持於卡匣73之狀態下之複數個基板9進行減壓乾燥處理，也可對自卡匣73取出之基板9一片一片地進行乾燥。基板乾燥部75中，也可藉由減壓乾燥處理以外之各種方法進行乾燥處理。經減壓乾燥處理後之基板9被搬入單片式處理裝置1。再者，圖1中，省略了於基板乾燥部75與單片式處理裝置1之間搬送基板9之搬送機構等之圖示。
接著，參照圖4，對基板處理裝置10中之基板9之處理 流程進行說明。首先，自記憶部8a讀取與使用之基板9對應之目標溫度及去靜電時間並設定於控制部8(步驟S11)。本實施形態中，目標溫度及去靜電時間係預先記憶於記憶部8a，於開始基板處理時，自記憶部8a讀出並設定於控制部8。但也可不將目標溫度及去靜電時間記憶於記憶部8a，而每當開始基板處理時，由操作者使用未圖示之輸入手段設定於控制部8。
此外，也可取代將目標溫度記憶於記憶部8a之做法， 而預先將顯示基板9上之元件之尺寸與去靜電液之目標溫度之關係之表格記憶於記憶部8a。於此情況下，於開始基板9之基板處理之前，將處理對象之基板9上之元件之尺寸輸入記憶部8a，然後基於該元件之尺寸及該表格，決定與基板9對應之目標溫度，最後將該目標溫度 設定於控制部8。關於標溫度與去靜電時間之決定及對控制部8之設定(或者後述之目標比電阻之決定及設定)，在後述之其他基板處理裝置中亦同樣。
接著，將保持有複數個基板9之卡匣73搬入基板處理 裝置10。基板9係於搬入基板處理裝置10之前，經過乾式蝕刻及電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)等之乾燥步驟，而基板9成為帶電狀態。
去靜電液接液部7中，於去靜電液配管721之前端朝向 偏離去靜電液貯存部71之位置之狀態下，藉由控制部8打開去靜電液閥724，開始自去靜電液配管721噴吐去靜電液(純水)。然後，基於去靜電液測量部62之測量結果、即去靜電液之溫度及上述目標溫度，對溫度調整部61進行反饋控制。藉此，將去靜電液之溫度調整於去靜電液之比電阻大於單片式處理裝置1中所利用之處理液(SPM液)之比電阻之溫度範圍內(步驟S12)。
圖5為顯示去靜電液之溫度調整(步驟S12)之流程圖。 首先，藉由去靜電液測量部62對流動於去靜電液配管721內之去靜電液之溫度進行測量(步驟S121)。接著，基於步驟S121中之測量結果，藉由溫度調整部61對去靜電液之溫度進行調整，以使去靜電液配管721內之去靜電液之溫度與目標溫度之差變小(步驟S122)。然後，藉由反複地進行步驟S121及步驟S122，將去靜電液之溫度大約調整而維持於目標溫度(步驟S123)。
如上述，於即使去靜電液之溫度略有偏離目標溫度亦被 容許之事例中，如圖6所示進行溫度調整以取代圖5之步驟S121~S123。首先，藉由去靜電液測量部62對流動於去靜電液配管721內之 去靜電液之溫度進行測量(步驟S124)。接著，基於步驟S124中之測量結果，求得去靜電液配管721內之去靜電液之溫度與目標溫度之差，並與上述之臨限值溫度差進行比較(步驟S125)。
於去靜電液之溫度與目標溫度之差為臨限值溫度差以 下之情況下，不藉由溫度調整部61進行去靜電液之溫度調整。於去靜電液之溫度與目標溫度之差大於臨限值溫度差之情況下，藉由溫度調整部61對去靜電液之溫度進行調整，以使去靜電液之溫度與目標溫度之差變小(步驟S126)。然後，藉由反複地進行步驟S124~步驟S126，將去靜電液之溫度大約調整而維持於比目標溫度低臨限值溫度差之下限溫度以上且比目標溫度高出臨限值溫度差之上限溫度以下之溫度範圍內。
當去靜電液之溫度調整結束，去靜電液配管721之前端 被朝向去靜電液貯存部71，於是自去靜電液供給部72朝向去靜電液貯存部71供給且貯存既定量之去靜電液(步驟S13)。於去靜電液接液部7中，亦可設置對去靜電液貯存部71內之去靜電液之溫度進行測量之輔助測量部、及對去靜電液貯存部71內之去靜電液之溫度進行調整之輔助調整部。於此情況下，基於輔助測量部之測量結果來控制輔助調整部，根據需要藉由輔助調整部對該去靜電液進行加熱或者冷卻，以使去靜電液貯存部71內之去靜電液成為所需之溫度(例如，目標溫度)。
其後，藉由控制部8對卡匣移動部進行控制，使配置於 去靜電液貯存部71上方之卡匣73朝向去靜電液貯存部71下降。然後，將保持於卡匣73之複數個基板9浸漬於去靜電液貯存部71內之去靜電液中。各基板9係於保持在卡匣73之狀態下自邊緣下部逐漸浸漬於去靜電液中，藉由將基板9之全體加以浸漬，使基板9之兩側之主表 面以遍及全表面之方式與去靜電液產生接觸。此外，接觸於基板9兩側之主表面之去靜電液，係於基板9之邊緣上保持連續。
於基板9中，若將設置有元件之主表面稱為「第一主表 面」，將另一側之主表面稱為「第二主表面」，藉由將基板9浸漬於去靜電液中，使第一主表面及第二主表面以遍及全表面之方式與去靜電液產生接觸。接觸於第一主表面之去靜電液與接觸於第二主表面之去靜電液，係於基板9之邊緣上保持連續。如此，藉由使基板9與去靜電液接觸，以使基板9上之電荷較緩慢地朝去靜電液移動。於基板處理裝置10中，藉由將基板9對去靜電液之接液狀態維持既定之時間，而減少基板9上之電荷，且不會傷害到基板9上之元件。換言之，進行基板9之去靜電處理(步驟S14)。
圖7為顯示藉由基板處理裝置10進行之去靜電處理之 前後之基板9之上表面91之表面電位之圖。圖7中，顯示基板9之中心部之表面電位之絕對值(圖13及圖17中亦同樣)。藉由上述去靜電處理，基板9上之電荷減少，且基板9之電位整體降低。基板處理裝置10中，於基板9上之元件之尺寸較小之情況下，去靜電液之溫度維持於例如約25℃，且去靜電液之比電阻約為18MΩ．cm。此外，於基板9上之元件之尺寸較大(亦即，對電荷之移動所造成之傷害之承受性較高)之情況下，去靜電液之溫度被維持於例如比100℃略低之溫度，且去靜電液之比電阻約為1MΩ．cm。如此，藉由提高去靜電液之溫度，而相對減小比電阻，以增大自基板9朝去靜電液之電荷的移動速度。 其結果，可縮短基板9之去靜電處理所需要之時間。
當基板9之去靜電處理結束，藉由被控制部8所控制之基板乾燥部75對基板9進行減壓乾燥處理，自基板9之上表面91全 體及下表面92全體除去去靜電液(步驟S15)。換言之，基板乾燥部75係除去基板9之上表面91及下表面92上之液體之液體除去部。接著，一片基板9被搬入圖2所示之單片式處理裝置1中，且於上表面91面向上側之狀態下保持於基板保持部2。接著，藉由控制部8控制基板旋轉機構42，開始基板9之旋轉(步驟S16)。此外，藉由處理液噴嘴轉動機構35開始處理液噴嘴34之轉動，且反複地使處理液噴嘴34於基板9之中心部與邊緣之間往返運動。
接著，藉由被控制部8所控制之處理液供給部3，硫酸 供給部31之硫酸閥314被打開，經由硫酸配管312將藉由硫酸加熱部315加熱至約130℃~150℃之硫酸供給至混合液產生部33之混合閥331。此外，藉由控制部8打開過氧化氫水閥324，經由過氧化氫水配管322將常溫之過氧化氫水自過氧化氫水貯存部321供給至混合閥331。於混合閥331中，加熱之硫酸與常溫之過氧化氫水被混合後，生成SPM液。SPM液之溫度，藉由硫酸與過氧化氫水之反應，變得比自硫酸供給部31所供給之硫酸之溫度高，約為150℃~195℃。
SPM液係通過噴吐用配管332及攪拌流通管333自處理 液噴嘴34被供給於基板9之上表面91。換言之，藉由處理液供給部3一方面將加熱之硫酸與過氧化氫水混合一方面供給於基板9之上表面91。藉由基板9之旋轉，SPM液擴散至基板9之上表面91的全表面，且自基板9之邊緣朝外側飛散而由杯部41所承接。單片式處理裝置1中，SPM液對基板9之供給係連續地進行既定之時間，以對基板9進行SPM處理、即藉由SPM液中含有之卡洛酸(Caro’s acid)的強氧化力進行之基板9上之抗蝕膜之除去處理(步驟S17)。又，單片式處理裝置1中，也可自停止於基板9之中心部上方之處理液噴嘴34進行SPM液 等之供給。
當SPM處理結束，於打開過氧化氫水閥324之狀態下 將硫酸閥314關閉，於是過氧化氫水通過混合閥331、噴吐用配管332及攪拌流通管333自處理液噴嘴34被供給至除去了抗蝕膜之基板9上(步驟S18)。藉由該過氧化氫水供給處理，將剩餘在混合閥331、噴吐用配管332、攪拌流通管333及處理液噴嘴34內之SPM液除去。此外，供給於基板9上之過氧化氫水，藉由基板9之旋轉擴散至基板9之上表面91的全表面，將剩餘在基板9上之SPM液自基板9之邊緣朝外側推擠除去。
當過氧化氫水供給處理結束，將過氧化氫水閥324關 閉，停止供給過氧化氫水，且藉由處理液噴嘴轉動機構35使處理液噴嘴34朝向基板9外側之待機位置移動。接著，進行自省略圖示之清洗液供給部朝向基板9之上表面91供給清洗液之清洗處理(步驟S19)。 作為清洗液例如利用純水或CO2水。藉由基板9之旋轉，清洗液擴散至基板9之上表面91的全表面。藉此，用以沖洗剩餘在基板9上之過氧化氫水。若清洗處理連續地進行了既定之時間，即停止清洗液之供給。然後，增加基板9之轉速，進行藉由基板9之旋轉除去剩餘在基板9上之清洗液之乾燥處理(步驟S20)。然後，停止基板9之旋轉(步驟S21)，自基板處理裝置10搬出基板9。
如以上說明，基板處理裝置10中，於藉由單片式處理 裝置1中之處理液對藉由乾式蝕刻及電漿CVD等之前處理而帶電之基板9進行處理(亦即，藉由SPM液進行之SPM處理)之前，使基板9兩側之主表面以遍及全表面之方式接觸於比電阻大於該處理液之去靜電液以維持接液狀態。藉此，基板9兩側之主表面全體被較緩慢地進行 靜電除去。由於靜電除去時不會有基板9上之電荷急遽地朝去靜電液移動而發熱之情況，因此可防止對基板9上之元件造成傷害。
並且，藉由對經去靜電處理後之基板9供給上述處理 液，即使基板9與比電阻小於去靜電液之該處理液接觸，仍不會有大量電荷自基板9急遽地朝處理液移動之情況。因此，於藉由單片式處理裝置1中之處理液進行處理時，也可防止因電荷之移動而造成之傷害、即基板9之損傷。
於基板處理裝置10中，藉由溫度調整部61對去靜電液 之溫度進行調整，一面將去靜電液之比電阻維持於較單片式處理裝置1中所利用之處理液之比電阻大之狀態，一面進行基板9兩側之主表面與去靜電液之接觸。藉此，如上述，可進行基板9之去靜電處理且不會對元件造成傷害。此外，於對元件不會造成傷害之範圍內，藉由提高去靜電液之溫度且減小比電阻，即可增大自基板9朝向去靜電液之電荷之移動速度。其結果，可縮短基板9之去靜電處理所需要之時間。
去靜電液之比電阻之調整，例如也可藉由利用使二氧化 碳(CO2)等溶解於純水中之含有離子之液體作為去靜電液，並對去靜電液之離子濃度進行調整來進行。然而，此方法中，由於使用二氧化碳等，有去靜電處理所需之成本增大之虞。此外，與相同溫度之純水比較，無法增大去靜電液之比電阻。相對於此，上述基板處理裝置10中，藉由調整去靜電液之溫度來調整去靜電液之比電阻，因此可容易且低成本地調整去靜電液之比電阻。
如上述，基板處理裝置10中，基板9上之元件之尺寸 越小，則將越低之溫度確定為去靜電液之目標溫度，將越大之比電阻確定為目標比電阻。藉此，可配合元件之尺寸適宜地同時兼顧單片式 處理裝置1中之處理時之基板9之損傷防止及去靜電處理所需時間之縮短的雙方。
去靜電液接液部7中，接觸於基板9之一側之主表面之 去靜電液與接觸於另一側之主表面之去靜電液，係於基板9之邊緣上保持連續。藉此，與接觸於基板9之一側之主表面之去靜電液及接觸於另一側之主表面之去靜電液不連續之情況比較，可藉由去靜電處理更進一步地減小基板9之表面電位(之絕對值)。
去靜電液接液部7中，藉由將全體基板9浸漬於去靜電 液中，可容易使接觸於基板9之一側之主表面之去靜電液與接觸於另一側之主表面之去靜電液保持連續。此外，由於可容易增大接觸於基板9之單位面積之去靜電液之量，因此可進一步減小基板9之表面電位(之絕對值)。
如上述，於去靜電液接液部7中，藉由將複數個基板9 一次全部浸漬於去靜電液貯存部71內之去靜電液中，可效率良好地進行複數個基板9之去靜電處理。此外，由於沒有必要頻繁將去靜電液朝去靜電液貯存部71供給，因而可抑制因去靜電液與去靜電液配管721之摩擦而於去靜電液中產生電荷之情況。又，由於各基板9係自邊緣逐漸地浸漬，萬一因電荷自基板9朝去靜電液之移動而對基板9造成傷害，也僅於對基板9上之元件影響少之基板9之邊緣附近產生破損。因此，可提高元件之良率。
於去靜電液接液部7中，藉由進行上述步驟S121~S123 所示之溫度調整，可精度良好地調整去靜電液之溫度。此外，進行步驟S124~S126所示之溫度調整之情況，與進行步驟S121~S123所示之溫度調整之情況比較，可簡化藉由控制部8進行之溫度調整部61之 控制。
如上述，於去靜電液接液部7中，利用純水作為去靜電 液。藉此，與利用將二氧化碳(CO2)等溶解於純水中之含有離子之液體作為去靜電液之情況比較，可減低去靜電液之使用成本。
基板處理裝置10中，於步驟S14中之去靜電處理與步 驟S17中之處理液之處理(SPM處理)之間，藉由步驟S15之乾燥處理將基板9上之去靜電液除去。藉此，可防止基板9上之去靜電液與處理液之混合而產生之壞影響。作為該壞影響，例如，可列舉因去靜電液即純水與SPM液中含有之硫酸之反應熱而造成基板9之損傷(所謂，熱衝擊)、藉由去靜電液稀釋SPM液而造成之SPM處理之品質降低、及因SPM液與去靜電液之局部混合造成SPM液之濃度不勻、以致基板9整體之SPM處理之均勻性降低。
圖8A及圖8B為顯示於圖4中之步驟S11中設定於控制 部8之目標溫度之確定之流程之一例的圖。於目標溫度之確定處理中，首先，測量並取得在步驟S17中所使用之預定之處理液(SPM液)之比電阻(步驟S611)。接著，還取得圖3所示之去靜電液(純水)之溫度與比電阻之關係(步驟S612)。然後，根據在步驟S612獲得之關係，取得去靜電液之比電阻與處理液之比電阻相等之去靜電液之溫度(步驟S613)。
接著，設定較在步驟S613中所取得之溫度略低之暫定 目標溫度，且準備暫定目標溫度之去靜電液(步驟S614、S615)。與去靜電液之準備同時，並準備具有與上述基板9類似之構造之試驗用基板。將試驗用基板浸漬於貯存在貯存部之暫定目標溫度之去靜電液中。藉此，試驗用基板之兩側之主表面以遍及全表面之方式與去靜電 液產生接觸，並且使該接液狀態維持既定之時間，藉以減少試驗用基板上之電荷。換言之，進行試驗用基板之去靜電處理(步驟S616)。
當去靜電處理結束，自去靜電液中取出試驗用基板，並 進行乾燥處理，藉此，自試驗用基板之兩面上除去去靜電液。接著，將處理液供給於試驗用基板之上表面(亦即，預先形成有元件之面)上，與步驟S17類似地進行既定之處理(SPM處理)(步驟S617)。
當SPM處理結束，對試驗用基板之上表面之狀態進行 觀察等後給予評價(步驟S618)，若上表面之狀態良好(步驟S619)，就將暫定目標溫度確定為目標溫度。並且，將該目標溫度記憶於記憶部8a(步驟S623)。步驟S619中，於試驗用基板上沒有產生上表面上之元件之損傷之情況下，將上表面之狀態評價為良好，於產生有元件之損傷之情況下，將上表面之狀態評價為不良。
於試驗用基板之上表面之狀態為不良之情況下(步驟 S619)，以增加步驟S616之去靜電處理之時間(即，維持試驗用基板對去靜電液之接液狀態之時間)之方式進行變更，對新的試驗用基板進行去靜電處理(步驟S620、S621、S616)。然後，進行SPM處理及試驗用基板之上表面之狀態之評價(步驟S617、S618)。然後，對變更去靜電處理之時間之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價重複地進行既定之次數(步驟S619~S621)。惟，於在既定次數之重複處理結束之前，就已於步驟S619中判斷為試驗用基板之上表面之狀態為良好之情況下，將此時之暫定目標溫度確定為目標溫度，並將最新之步驟S616中之去靜電處理之時間確定為步驟S14中之去靜電時間之時間。然後將該去靜電時間記憶於記憶部8a(步驟S623)。
另一方面，於即使既定次數之重複處理結束後，仍沒有 判斷為試驗用基板之上表面之狀態為良好之情況下，就將暫定目標溫度降低(步驟S619、S620、S622)。換言之，將低於最新之暫定目標溫度之溫度設定為暫定目標溫度。然後，進行對新的試驗用基板之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價(步驟S616~S618)。若試驗用基板之上表面之狀態良好，則將此暫定目標溫度確定為目標溫度(步驟S619、S623)。此外，於試驗用基板之上表面之狀態為不良之情況下，則變更增加去靜電時間(步驟S619~S621)，然後重複地進行既定次數之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價(步驟S616~S621)。
如此，藉由重複地進行步驟S616~S622，將SPM處理 後之試驗用基板之上表面之狀態變得良好之暫定目標溫度及去靜電時間確定為目標溫度及去靜電時間(步驟S623)。然後，於基板處理裝置10中，藉由利用該目標溫度之去靜電液進行去靜電處理，當藉由處理液進行處理時，可防止基板9之損傷。此外，藉由進行所設定之去靜電時間之去靜電處理，可防止去靜電時間增加過長之情形。
此外，於本目標去靜電溫度決定處理中，將目標去靜電 溫度取得處理開始時之暫定目標溫度設為較比電阻與處理液變為相等時之去靜電液之溫度略低之溫度(步驟S614)，然後將該暫定目標溫度逐步略予降低(步驟S622)，將直到試驗用基板之上表面變得良好時之暫定目標溫度作為最終之目標溫度(步驟S622)。由於去靜電液之溫度越高越可縮短去靜電時間，因此，可將在對試驗用基板之上表面不會造成損傷之溫度範圍內的去靜電時間最短之溫度確定為最終目標溫度。
圖9為顯示目標溫度之決定之其他例子之圖。圖9中， 顯示目標溫度之決定之部分流程。首先，測量並取得在步驟S17中使 用之預定之處理液(SPM液)之比電阻(步驟S631)。接著，將較處理液之比電阻略大比電阻設定為暫定目標比電阻(步驟S632)。此外，還取得圖3所示之去靜電液(純水)之溫度與比電阻之關係(步驟S633)。然後根據在步驟S633獲得之關係，取得去靜電液之比電阻與在步驟S632所設定之比電阻相等之去靜電液之溫度作為暫定目標溫度(步驟S634)。
以下，進行與上述步驟S615~S623同樣之步驟，將SPM 處理後之試驗用基板之上表面之狀態變得良好之暫定目標溫度及去靜電時間，決定為目標溫度及去靜電時間。然後，於基板處理裝置10中，藉由利用該目標溫度之去靜電液進行去靜電處理，當藉由處理液進行處理時，可防止基板9之損傷。此外，藉由進行所設定之去靜電時間之去靜電處理，可防止去靜電時間增加過長。圖8A、圖8B及圖9所示之目標溫度之決定處理，可於基板處理裝置10中進行，也可不使用基板處理裝置10來進行。
圖1所示之基板處理裝置10中，也可利用比電阻計作 為去靜電液測量部62，且藉由去靜電液測量部62測量去靜電液之比電阻。此情況下，於基板處理裝置10中，取代圖4所示之步驟S11，如圖10所示，將去靜電處理中之去靜電液之較佳比電阻即目標比電阻設定於控制部8(步驟S31)。此外，圖3所示之去靜電液之溫度與比電阻之關係也被記憶於控制部8。
接著，取代圖5所示之步驟S121~S123，藉由去靜電液 測量部62測量流動於去靜電液配管721內之去靜電液之比電阻(步驟S321)。然後基於步驟S321之測量結果及去靜電液之溫度與比電阻之關係，藉由溫度調整部61對去靜電液之溫度進行調整，以使去靜電液 配管721內之去靜電液之比電阻與目標比電阻之差變小(步驟S322)。 然後，藉由反複地進行步驟S321及步驟S322，將去靜電液之比電阻大約調整及維持於目標比電阻(步驟S323)。藉此可精度良好地調整去靜電液之比電阻。
於即使去靜電液之比電阻略有偏離目標比電阻亦被容 許之事例中，如圖11所示進行溫度調整以取代圖10之步驟S321~S323。首先，藉由去靜電液測量部62對流動於去靜電液配管721內之去靜電液之比電阻進行測量(步驟S324)。接著，基於步驟S324中之測量結果，求得去靜電液配管721內之去靜電液之比電阻與目標比電阻之差，並與預先設定之臨限值比電阻差進行比較(步驟S325)。
於去靜電液之比電阻與目標比電阻之差為臨限值比電 阻差以下之情況下，不藉由溫度調整部61進行去靜電液之溫度調整。 於去靜電液之比電阻與目標比電阻之差大於臨限值比電阻差之情況下，藉由溫度調整部61調整去靜電液之溫度，以使去靜電液之比電阻與目標比電阻之差變小(步驟S326)。若將較目標比電阻低臨限值比電阻差之比電阻稱為「下限比電阻」，將較目標比電阻高出臨限值比電阻差之比電阻稱為「上限比電阻」，藉由反複地進行步驟S324~S326，將去靜電液之比電阻大約調整及維持於下限比電阻以上且上限比電阻以下之比電阻範圍內。藉此，與進行步驟S321~S323所示之溫度調整之情況比較，可簡化控制部8對溫度調整部61之控制。
基板處理裝置10中，於進行上述步驟S31、S321~S323 之情況下，基板9上之元件之尺寸越小，則將去靜電液之目標比電阻設定為越大。藉此，可配合元件之尺寸適宜地同時兼顧單片式處理裝置1之處理時之基板9之損傷防止及去靜電處理所需時間之縮短的雙 方。此外，於進行步驟S31、S324~S326之情況下亦同樣。
接著，對本發明之第2實施形態之基板處理裝置10a進 行說明。圖12為顯示基板處理裝置10a之構成圖。基板處理裝置10a中，於去靜電液接液部7中設有較圖1所示之去靜電液貯存部71小之去靜電液貯存部71a。貯存於去靜電液貯存部71a之去靜電液中浸漬有一片基板9。於基板處理裝置10a中，省略圖1所示之卡匣73等。其他構成與圖1所示之基板處理裝置10類似，以下之說明中，對彼此對應之構成賦予相同之符號。
基板處理裝置10a中之基板處理之流程，係與圖4所示 之流程大致類似，僅於以下之點存在差異，即於步驟S14中，當藉由控制部8之控制將基板9浸漬於去靜電液貯存部71a內之去靜電液中時，將一片基板9自與上表面91相反側之主表面(以下稱為「下表面92」)進行浸漬。
圖13為顯示藉由基板處理裝置10a進行去靜電處理之 前後之基板9之上表面91之表面電位之圖。藉由上述去靜電處理，基板9上之電荷減少，基板9之電位整體降低。藉此，與圖1所示之基板處理裝置10類似，當於單片式處理裝置1中對經去靜電處理後之基板9進行SPM處理時，可防止因電荷之移動造成之元件之破損、即基板9之損傷。此外，於去靜電液接液部7中，接觸於基板9之上表面91及下表面92之去靜電液，係於基板9之邊緣上保持連續。藉此，藉由去靜電處理可更加減少基板9之表面電位(之絕對值)。又，去靜電液接液部7中，藉由將基板9整體浸漬於去靜電液中，可進一步減小基板9之表面電位(之絕對值)。
接著，對本發明之第3實施形態之基板處理裝置10b進 行說明。圖14為顯示基板處理裝置10b之構成圖。基板處理裝置10b中，取代去靜電液接液部7，而於單片式處理裝置1中設置去靜電液接液部7a。於去靜電液接液部7a中，不設置去靜電液貯存部及基板乾燥部等，而是設置一部分構造與圖1所示之去靜電液供給部72不同之去靜電液供給部72a。其他構成與圖1所示之基板處理裝置10同樣，以下之說明中，對彼此對應之構成賦予相同之符號。
圖14所示之去靜電液供給部72a係與圖1所示之去靜 電液供給部72同樣地，具備去靜電液配管721、流量計722及去靜電液閥724，去靜電液配管721係連接於省略圖示之去靜電液供給源。此外，去靜電液供給部72a具備：設於去靜電液配管721之前端之去靜電液噴嘴725；及以旋轉軸7281為中心使去靜電液噴嘴725水平轉動之去靜電液噴嘴轉動機構728。去靜電液噴嘴轉動機構728具備自旋轉軸7281於水平方向延伸並安裝有去靜電液噴嘴725之臂7282。於去靜電液配管721上，自去靜電液供給源朝向去靜電液噴嘴725依序配置有流量計722、溫度調整部61、去靜電液閥724及去靜電液測量部62。
單片式處理裝置1中，基板9之外緣部之一部分係由基 板保持部2所支持，除與基板保持部2接觸之該一部分外，基板9之下表面92與基板保持部2分離。去靜電液供給部72a係更具備朝基板9之下表面92供給去靜電液之下表面接液部761。下表面接液部761係配置於與基板9之下表面92之中心部對向之位置，且朝下表面92噴吐去靜電液。下表面接液部761係經由下表面用配管762連接於去靜電液配管721，於下表面用配管762上設置有下表面用閥763。
去靜電液接液部7a中，與去靜電液接液部7同樣地， 藉由設定有目標溫度之控制部8對溫度調整部61進行控制，進行去靜 電液之溫度調整(圖4：步驟S11、S12)並大約維持於目標溫度。藉此，去靜電液之比電阻被大約維持於目標比電阻。或者，也可將去靜電液之溫度大約維持於下限溫度以上且上限溫度以下之範圍內。去靜電液接液部7a中，如圖10或圖11所示，也可於控制部8中設定目標比電阻(步驟S31)，且基於該目標比電阻來調整去靜電液之溫度(步驟S321~S323或S324~S326)。
經調整溫度後之去靜電液被輸送至去靜電液噴嘴725及 下表面接液部761，自朝向基板9之上表面91之中心部上方之去靜電液噴嘴725之前端之噴吐口，向基板9之上表面91供給去靜電液，此外，自與基板9之下表面92之中心部對向之下表面接液部761，向基板9之下表面92供給去靜電液。若將去靜電液噴嘴725及下表面接液部761分別稱為第一去靜電液接液部及第二去靜電液接液部，則於去靜電液接液部7a中，藉由第一去靜電液接液部及第二去靜電液接液部，使基板9之上表面91及下表面92接觸於接電液。
圖15為顯示基板處理裝置10b中之基板9之處理之流 程之一部分之圖。首先，與圖1所示之基板處理裝置10同樣地，將基於基板9上之元件之尺寸等而決定之去靜電液之目標溫度設定於控制部8(步驟S41)。接著，將帶電狀態之基板9搬入基板處理裝置10b，並藉由單片式處理裝置1之基板保持部2所保持。
去靜電液接液部7a中，於去靜電液噴嘴725位於比基 板9靠外側之待機位置之狀態下，自去靜電液噴嘴725開始噴吐去靜電液(純水)。然後基於去靜電液測量部62之測量結果、即去靜電液之溫度及上述目標溫度，對溫度調整部61進行反饋控制。藉此，將去靜電液之溫度調整於去靜電液之比電阻比處理液(SPM液)之比電阻大之 溫度範圍內(步驟S42)。去靜電液之溫度調整之詳細方法，係與圖5中之步驟S121~S123、或圖6中之步驟S124~S126類似。
當去靜電液之溫度調整結束，藉由圖14所示之基板旋 轉機構42開始基板9之旋轉。接著，如圖16所示，開放下表面用閥763，自下表面接液部761之前端之噴吐口向基板9之下表面92，開始如上述之方式經溫度調整後之去靜電液95之噴吐。基板9之旋轉速度係較後述之SPM處理時之旋轉速度低。接觸於基板9之下表面92之去靜電液95，藉由基板9之旋轉自基板9之下表面92之中心部而全表面擴散。當去靜電液95擴散至基板9之下表面92全體，即停止去靜電液95之噴吐及基板9之旋轉。藉此，維持去靜電液95接觸於基板9之下表面92全體(惟、與基板保持部2接觸之部分除外)之狀態，其結果，基板9之下表面92之電荷較緩慢地朝去靜電液95移動，進行基板9之下表面92全體之去靜電處理(步驟S43)。
當去靜電液95朝向基板9之下表面92之供給結束，藉 由去靜電液噴嘴轉動機構728使去靜電液噴嘴725自待機位置移動，將去靜電液噴嘴725前端之噴吐口朝向基板9之上表面91之中心部。 並且，於自去靜電液噴嘴725向基板9之上表面91上供給進行既定之量之去靜電液95之後，停止自去靜電液噴嘴725供給去靜電液95(進行所謂盛液法)。自去靜電液噴嘴725供給之去靜電液95，係自基板9之中心部向上表面91全體擴散，於上表面91上形成有去靜電液95之薄的水膜(例如，厚度約1mm之膜層)，於是上表面91全體被去靜電液95浸置(步驟S44)。藉此，基板9之上表面91之電荷較緩慢地朝去靜電液95移動，對基板9之上表面91全體進行去靜電處理。又，接觸於基板9之下表面92之去靜電液95與接觸於基板9之上表面91之去 靜電液95，於基板9上不連續。
基板處理裝置10b中，於基板旋轉機構42停止之狀態 下，藉由基板9之上表面91全體被去靜電液95浸置，並將基板9之下表面92全體與去靜電液95接觸之狀態維持進行既定之時間，對基板9之上表面91全體及下表面92全體進行去靜電處理。
當去靜電處理結束，開始基板9之旋轉(圖4：步驟S16)， 藉由基板9之旋轉將基板9之上表面91及下表面92上之去靜電液除去。藉此，於下表面之SPM處理時，可防止於基板9之上表面發生去靜電液與SPM液混合之情形。其結果，可防止因基板9上之去靜電液與處理液混合而產生之上述壞影響。
當去靜電液之除去結束，自圖14所示之處理液供給部3 朝向基板9之上表面91上供給SPM液以進行SPM處理(步驟S17)。 接著，自處理液供給部3朝向基板9之上表面91上供給過氧化氫水以進行過氧化氫水處理之後，朝基板9之上表面91上供給清洗液(純水)進行清洗處理(步驟S18、S19)。清洗液係可自省略圖示之清洗液供給部供給，也可自去靜電液接液部7a之去靜電液噴嘴725供給。然後，藉由基板9之旋轉進行除去基板9上之清洗液之乾燥處理後，停止基板9之旋轉(步驟S20、S21)。
圖17為顯示藉由基板處理裝置10b進行去靜電處理之 前後之基板9之上表面91之表面電位之圖。藉由上述去靜電處理，基板9上之電荷減少，基板9之電位整體降低。藉此，與圖1所示之基板處理裝置10類似，當對經去靜電處理後之基板9進行SPM處理時，可防止因電荷之移動所造成之元件之破損、即基板9之損傷。此外，基板處理裝置10b中，藉由將去靜電液接液部7a設置於單片式處理裝 置1，可將基板處理裝置10b小型化。
基板處理裝置10b中，對基板9之去靜電處理，係於基 板旋轉機構42實質上停止之狀態下進行。藉此，可有效率地進行基板9之靜電除去。基板旋轉機構42實質上停止之狀態係指，不僅為如上述般藉由基板旋轉機構42進行之基板9之旋轉完全停止之狀態，還包含藉由基板旋轉機構42使基板9以低轉速(例如，10~200rpm)旋轉，但該旋轉不會對基板9上之去靜電液之層產生實質影響之狀態。
圖18為顯示本發明之第4實施形態之基板處理裝置10c 之構成圖。如圖18所示，基板處理裝置10c係一片一片地處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)之單片式之裝置。基板處理裝置10c中，將SPM液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)供給於基板9，進行SPM處理、亦即基板9上之抗蝕膜之除去處理。
基板處理裝置10c具備基板保持部2、處理液供給部3、 杯部41、基板旋轉機構42、去靜電液供給部5、溫度調整部61、去靜電液測量部62及控制部8。基板保持部2係於基板9之一側之主表面91(以下稱為「上表面91」)面向上側之狀態下保持基板9。處理液供給部3係將SPM液等之處理液供給於基板9之上表面91上。杯部41係圍繞於基板9及基板保持部2之周圍。
基板旋轉機構42係使基板9與基板保持部2一起水平 地旋轉。藉由基板旋轉機構42，基板9以通過基板9之中心並垂直於基板9之上表面91之旋轉軸為中心進行旋轉。去靜電液供給部5係朝基板9之上表面91上供給去靜電液。溫度調整部61係對供給於基板9之去靜電液之溫度進行調整。去靜電液測量部62係測量去靜電液之溫度之溫度感測器。記憶部8a係保持目標溫度及去靜電時間(詳細待後 述)，且於執行基板處理時將這些設定於控制部8。控制部8係基於上述目標溫度等，對處理液供給部3、去靜電液供給部5、溫度調整部61及去靜電液測量部62等之構成進行控制。基板處理裝置10c中，基板保持部2、杯部41及基板旋轉機構42等係收容於省略圖示之腔體內。
處理液供給部3具備：供給硫酸之硫酸供給部31；供給 過氧化氫水之過氧化氫水供給部32；連接於硫酸供給部31及過氧化氫水供給部32之混合液產生部33；配置於基板9之上方且向基板9噴吐液體之處理液噴嘴34；及以旋轉軸351為中心使處理液噴嘴34水平轉動之處理液噴嘴轉動機構35。處理液噴嘴轉動機構35具備自旋轉軸351於水平方向延伸並安裝有處理液噴嘴34之臂352。
硫酸供給部31具備：貯存硫酸之硫酸貯存部311；連接 於硫酸貯存部311及混合液產生部33之硫酸配管312；自硫酸貯存部311經由硫酸配管312朝混合液產生部33供給硫酸之硫酸泵313；設於硫酸配管312上之硫酸閥314；及於硫酸泵313與硫酸閥314之間設於硫酸配管312上對硫酸進行加熱之硫酸加熱部315。硫酸配管312係於硫酸加熱部315與硫酸閥314之間分道而連接於硫酸貯存部311，且於硫酸閥314關閉之狀態下，藉由硫酸加熱部315所加熱之硫酸，係於硫酸貯存部311與硫酸加熱部315之間循環。
過氧化氫水供給部32具備：貯存過氧化氫水之過氧化 氫水貯存部321；連接於過氧化氫水貯存部321及混合液產生部33之過氧化氫水配管322；自過氧化氫水貯存部321經由過氧化氫水配管322朝混合液產生部33供給過氧化氫水之過氧化氫水泵323；及設置於過氧化氫水配管322上之過氧化氫水閥324。再者，硫酸貯存部311及過氧化氫水貯存部321也可設於基板處理裝置10c之外部，且分別 連接有硫酸配管312及過氧化氫水配管322。
混合液產生部33具備：連接有硫酸配管312及過氧化 氫水配管322之混合閥331；連接於混合閥331及處理液噴嘴34之噴吐用配管332；及設於噴吐用配管332上之攪拌流通管333。混合液產生部33中，將來自硫酸供給部31之加熱之硫酸、及來自過氧化氫水供給部32之常溫(亦即與室溫相同程度之溫度)之過氧化氫水，於混合閥331中混合之後，生成混合液即SPM液(過氧化硫酸)。
SPM液係通過攪拌流通管333及噴吐用配管332朝處理 液噴嘴34輸送。於攪拌流通管333中，藉由攪拌SPM液，促進SPM液中含有之硫酸與過氧化氫水之化學反應。處理液即SPM液係自處理液噴嘴34之前端之噴吐口朝基板9之上表面91噴吐。本實施形態中，藉由硫酸加熱部315加熱為約130℃~150℃之硫酸，自硫酸供給部31朝混合液產生部33供給。又，自硫酸供給部31供給之硫酸之溫度可適宜變更。
去靜電液供給部5具備：去靜電液配管51、流量計52、 去靜電液閥54、去靜電液噴嘴55及去靜電液噴嘴轉動機構58。去靜電液配管51係連接於去靜電液噴嘴55及省略圖示之去靜電液供給源。去靜電液噴嘴55之前端之噴吐口，係位於基板9之上表面91之中心部上方。來自去靜電液供給源之去靜電液，係藉由去靜電液配管51被朝去靜電液噴嘴55引導，且自去靜電液噴嘴55之噴吐口朝基板9之上表面91上噴吐。去靜電液噴嘴轉動機構58具備自旋轉軸581於水平方向延伸並安裝有去靜電液噴嘴55之臂582。去靜電液噴嘴轉動機構58係使去靜電液噴嘴55與臂582一起以旋轉軸581為中心水平轉動。
去靜電液配管51上，自去靜電液供給源朝向去靜電液 噴嘴55依序配置有流量計52、溫度調整部61、去靜電液閥54及去靜電液測量部62。流量計52係對流動於去靜電液配管51內之去靜電液之流量進行測量。溫度調整部61係藉由根據需要對流動於去靜電液配管51內之去靜電液進行加熱或冷卻，以調整去靜電液配管51內之去靜電液之溫度。去靜電液閥54係對流動於去靜電液配管51內之去靜電液之流量進行調整。去靜電液測量部62係對流動於去靜電液配管51內之去靜電液之溫度進行測量。去靜電液供給部5中，利用純水(DIW)作為去靜電液。
純水之溫度與比電阻之關係如圖3所示。如圖3所示， 純水之比電阻隨液溫上昇而逐漸減小。純水之比電阻，係於純水之凝固點以上且沸點以下之全範圍內，較上述SPM液之比電阻大。若自去靜電液供給部5供給之去靜電液，係隨液溫上昇而比電阻逐漸減小之液體，則不限純水。此外，只要於純水之凝固點以上且沸點以下之至少既定之溫度範圍內，去靜電液之比電阻較自處理液供給部3供給之處理液之比電阻大即可。作為去靜電液，例如也可利用將二氧化碳(CO2)溶解於純水中之類似CO2水的含有離子之液體。其他之實施形態中亦同樣。
去靜電液測量部62之測量結果(亦即去靜電液之溫度) 被傳送至控制部8。控制部8係基於記憶於記憶部8a之去靜電液之目標溫度、即後述之去靜電處理中之去靜電液之較佳溫度，對單片式處理裝置1、溫度調整部61及去靜電液測量部62等之構成進行控制。去靜電液之目標溫度係用以實現去靜電處理中之去靜電液之較佳比電阻(亦即目標比電阻)之溫度。去靜電液之目標比電阻係較自處理液供給部 3供給之處理液之比電阻大。目標溫度係基於目標比電阻、圖3所示之去靜電液之溫度及比電阻之關係等而求取。至於目標溫度之具體求取方法，容待後述。
預先形成於基板9之上表面91上之元件之尺寸越小(即 元件之配線之最小寬度越小)，則目標比電阻設定為越大。因此，預先形成於基板9之上表面91上之元件之尺寸越小，目標溫度就設定為越低。本實施形態中，目標比電阻係設定於約1~18MΩ．cm之範圍內，目標溫度係設定於約25~100℃之範圍內。
基板處理裝置10c中，基於去靜電液測量部62之測量結果及上述目標溫度，藉由控制部8對溫度調整部61進行反饋控制。於溫度調整部61中，對去靜電液之溫度進行調整，以使去靜電液配管51內之去靜電液之溫度及目標溫度之差變小。藉此，供給於基板9之上表面91上之去靜電液之溫度被大約維持於目標溫度。換言之，藉由上述反饋控制，將去靜電液之溫度維持於實質上可說是與目標溫度相等之狹小溫度範圍(當然，包含目標溫度)內。
基板處理裝置10c中，亦有即使去靜電液之溫度略有偏離目標溫度亦被容許之事例。此種事例中，於藉由去靜電液測量部62所測量之去靜電液之溫度與目標溫度之差為臨限值溫度差以下之情況下，藉由控制部8停止溫度調整部61對去靜電液之溫度調整，而僅於去靜電液之溫度與目標溫度之差大於臨限值溫度差之情況下，才藉由溫度調整部61進行去靜電液之溫度調整。若將較目標溫度低臨限值溫度差之溫度稱為「下限溫度」，將較目標溫度高臨限值溫度差之溫度稱為「上限溫度」，藉由上述溫度調整，供給於基板9上之去靜電液之溫度，大約被維持於下限溫度以上且上限溫度以下之溫度範圍內。上限 溫度中之去靜電液之比電阻，係較自處理液供給部3供給之處理液之比電阻大。
如此，於去靜電液供給部5中，藉由控制部8對溫度調 整部61進行控制，將供給於基板9上之去靜電液之溫度形成在去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內。
接著，參照圖19，對基板處理裝置10c中之基板9之處 理流程進行說明。首先，自記憶部8a讀取與使用之基板9對應之目標溫度及去靜電時間並設定於控制部8(步驟S71)。本實施形態中，目標溫度及去靜電時間被預先記憶於記憶部8a，且於開始基板處理時，自記憶部8a讀取並設定於控制部8。但也可不將目標溫度及去靜電時間記憶於記憶部8a，而每當開始基板處理時，由操作者使用未圖示之輸入手段設定於控制部8。
此外，也可取代將目標溫度記憶於記憶部8a，而預先將 顯示基板9上之元件之尺寸與去靜電液之目標溫度之關係之表格記憶於記憶部8a。於此情況下，於開始基板9之基板處理之前，將處理對象之基板9上之元件之尺寸輸入記憶部8a，然後基於該元件之尺寸及該表格，確定與基板9對應之目標溫度，最後將該目標溫度設定於控制部8。關於目標溫度與去靜電時間之確定及朝控制部8之設定(或者後述之目標比電阻之確定及設定)，於後述其他之基板處理裝置中亦同樣。
接著，基板9被搬入並藉由基板保持部2保持。於基板 9搬入基板處理裝置10c之前，經過乾式蝕刻及電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)等之乾燥步驟後，基板9成為帶電狀態。
去靜電液供給部5中，於去靜電液噴嘴55位於比基板9 更靠外側之待機位置之狀態下，藉由控制部8打開去靜電液閥54，開始自去靜電液噴嘴55噴吐去靜電液(純水)。然後，基於去靜電液測量部62之測量結果、即去靜電液之溫度及上述目標溫度，對溫度調整部61進行反饋控制。藉此，將去靜電液之溫度調整於去靜電液之比電阻大於處理液(SPM液)之比電阻之溫度範圍內(步驟S72)。步驟S72中之去靜電液之溫度調整之流程，與圖5所示之步驟S121~S123或者圖6所示之步驟S124~S126類似。
當去靜電液之溫度調整結束，藉由去靜電液噴嘴轉動機 構58使去靜電液噴嘴55自待機位置移動，如圖18所示，將去靜電液噴嘴55之前端之噴吐口朝向基板9之上表面91之中心部。此時，基板旋轉機構42處於停止中，且基板9處於未旋轉之狀態。
當自去靜電液噴嘴55朝基板9之上表面91上供給進行 既定之量之去靜電液，即停止自去靜電液噴嘴55供給去靜電液(進行所謂之盛液法)。自去靜電液噴嘴55供給之去靜電液，自基板9之中心部向上表面91全體擴散，於上表面91上形成有去靜電液之薄的水膜(例如，厚度約1mm之膜層)，上表面91全體被去靜電液所浸置。
如此，藉由基板9之上表面91與去靜電液接觸，基板9 上之電荷較緩慢地朝去靜電液移動。並且，藉由將基板9對去靜電液之接液狀態維持既定之時間，可減少基板9上之電荷，且不會對基板9上之元件造成傷害。換言之，藉由對基板9之上表面91進行去靜電液之浸置處理，而對基板9之上表面91全體進行去靜電處理(步驟S73)。 該浸置處理係於基板旋轉機構42停止之狀態下進行。
圖20為顯示基板處理裝置10c中之去靜電處理之前後之基板9之上表面91之表面電位之圖。圖20中，顯示基板9之中心 部之表面電位之絕對值。藉由上述去靜電處理，基板9上之電荷減少，基板9之電位整體降低。基板處理裝置10c中，於基板9上之元件之尺寸較小之情況下，去靜電液之溫度維持於例如約25℃，去靜電液之比電阻約為18MΩ．cm。此外，於基板9上之元件之尺寸較大之情況下(亦即，對電荷之移動所造成之傷害之承受性較高)，去靜電液之溫度被維持於例如比100℃略低之溫度，去靜電液之比電阻約為1MΩ．cm。如此，藉由提高去靜電液之溫度，且相對減小比電阻，以增大自基板9朝向去靜電液之電荷的移動速度。其結果，可縮短基板9之去靜電處理所需要之時間。
當基板9之去靜電處理結束，藉由去靜電液噴嘴轉動機 構58使去靜電液噴嘴55返回待機位置。接著，藉由控制部8對基板旋轉機構42進行控制，開始基板9之旋轉(步驟S74)。然後，藉由基板9之旋轉，基板9之上表面91上之去靜電液朝基板9之邊緣移動，且自基板9之邊緣向外側飛散，而自基板9之上表面91全體除去(步驟S75)。自基板9之飛散之去靜電液由杯部41所承接。基板處理裝置10c中，基板旋轉機構42係作為藉由使基板9旋轉以除去上表面91之液體之液體除去部發揮作用。
當去靜電液之除去結束，藉由基板旋轉機構42將基板9 之轉速減小，且變更為SPM處理時之轉速。此外，藉由處理液噴嘴轉動機構35開始處理液噴嘴34之轉動，且反複地使處理液噴嘴34於基板9之中心部與邊緣之間往返運動。
接著，藉由控制部8控制處理液供給部3，將硫酸供給 部31之硫酸閥314打開，經由硫酸配管312將藉由硫酸加熱部315加熱為約130℃~150℃之硫酸朝混合液產生部33之混合閥331供給。此 外，藉由控制部8打開過氧化氫水閥324，經由過氧化氫水配管322將常溫之過氧化氫水自過氧化氫水貯存部321朝混合閥331供給。於混合閥331中，將加熱之硫酸與常溫之過氧化氫水混合後生成SPM液。SPM液之溫度，藉由硫酸與過氧化氫水之反應，變得較自硫酸供給部31供給之硫酸之溫度高，約為150℃~195℃。
SPM液係通過噴吐用配管332及攪拌流通管333自處理 液噴嘴34對基板9之上表面91供給。換言之，藉由處理液供給部3一方面將加熱之硫酸與過氧化氫水混合一方面供給於基板9之上表面91。SPM液係藉由基板9之旋轉而擴散至基板9之上表面91的全表面，且自基板9之邊緣朝外側飛散而由杯部41所承接。基板處理裝置10c中，SPM液對基板9之供給係連續地進行既定之時間，從而對基板9進行SPM處理、即藉由SPM液中含有之過硫酸的強氧化力進行之基板9上之抗蝕膜之除去處理(步驟S76)。又，於基板處理裝置10c中，也可自停止於基板9之中心部上方之處理液噴嘴34進行SPM液等之供給。
當SPM處理結束，於打開過氧化氫水閥324之狀態下 關閉硫酸閥314，於是過氧化氫水通過混合閥331、噴吐用配管332及攪拌流通管333自處理液噴嘴34供給於除去了抗蝕膜之基板9上(步驟S77)。藉由該過氧化氫水供給處理，將剩餘在混合閥331、噴吐用配管332及攪拌流通管333及處理液噴嘴34內之SPM液除去。此外，供給於基板9上之過氧化氫水，藉由基板9之旋轉而擴散至基板9之上表面91的全表面，將剩餘在基板9上之SPM液自基板9之邊緣朝外側推擠除去。
當過氧化氫水供給處理結束，過氧化氫水閥324被關閉 而停止供給過氧化氫水，藉由處理液噴嘴轉動機構35使處理液噴嘴34朝基板9外側之待機位置移動。接著，進行自省略圖示之清洗液供給部朝基板9之上表面91供給清洗液之清洗處理(步驟S78)。作為清洗液例如利用純水或CO2。清洗液係藉由基板9之旋轉而擴散至基板9之上表面91的全表面。藉此，用以沖洗剩餘在基板9上之過氧化氫水。 若清洗處理連續地進行既定之時間，即停止清洗液之供給。然後，增加基板9之轉速，進行藉由基板9之旋轉除去剩餘在基板9上之清洗液之乾燥處理(步驟S79)。然後，停止基板9之旋轉(步驟S80)，自基板處理裝置10c搬出基板9。
如以上說明，基板處理裝置10c中，於對藉由乾式蝕刻 及電漿CVD等之前處理而帶電之基板9，藉由自處理液供給部3供給之處理液進行處理(亦即，藉由SPM液進行之SPM處理)之前，供給比電阻大於該處理液之去靜電液，使得基板9之上表面91全體被該去靜電液浸置。藉此，基板9之上表面91全體被較緩慢地去靜電。由於去靜電時不會有基板9上之電荷急遽朝向去靜電液移動而引起發熱之情況，因此可防止對基板9上之元件造成傷害。
並且，藉由對經去靜電處理後之基板9供給上述處理液 (SPM液)，即使基板9與比電阻小於去靜電液之該處理液接觸，仍不會有大量電荷急遽地自基板9朝向處理液移動之情況。因此，於藉由處理液進行之處理時，也可防止電荷之移動所造成之破損、即基板9之損傷。
基板處理裝置10c中，藉由溫度調整部61對去靜電液 之溫度進行調整，一方面將去靜電液之比電阻維持於大於處理液之比電阻之狀態，一方面使得基板9之上表面91全體被去靜電液浸置。藉 此，如上述，可進行基板9之去靜電處理，且不會對元件造成傷害。此外，於對元件不會造成傷害之範圍內，藉由增高去靜電液之溫度且減小比電阻，可增大自基板9朝向去靜電液之電荷之移動速度。其結果，可縮短基板9之去靜電處理所需要之時間。
去靜電液之比電阻之調整，例如也可藉由利用使二氧化碳(CO2)溶解於純水中之含有離子之液體作為去靜電液，並對去靜電液之離子濃度進行調整來進行。然而，此方法中，由於使用二氧化碳等，恐有去靜電處理所需之成本增大之虞。此外，與相同溫度之純水比較，無法提高去靜電液之比電阻。相對於此，上述基板處理裝置10c中，由於藉由調整去靜電液之溫度來調整去靜電液之比電阻，因此可容易且低成本地調整去靜電液之比電阻。
如上述，於基板處理裝置10c中，基板9上之元件之尺寸越小，則將越低之溫度確定為去靜電液之目標溫度，將越大之比電阻決定為目標比電阻。藉此，可配合元件之尺寸適宜地同時兼顧因處理液之處理時之基板9之損傷防止及去靜電處理所需時間之縮短的雙方。
基板處理裝置10c中，對基板9之去靜電處理，係於基板旋轉機構42實質上停止之狀態下進行。藉此，可有效率地進行基板9之靜電除去。基板旋轉機構42實質上停止之狀態係指，不只為如上述藉由基板旋轉機構42進行之基板9之旋轉完全停止之狀態，還具備藉由基板旋轉機構42使基板9以低轉速(例如，10~200rpm)旋轉，但該旋轉不會對基板9上之去靜電液之層產生實質影響之狀態。於在基板9以低轉速旋轉之狀態下進行去靜電處理之情況下，基板9之旋轉係於步驟S73之前開始。
基板處理裝置10c中，於藉由去靜電液進行之基板9之上表面91全體之浸置處理(步驟S73：去靜電處理)與處理液之處理(步驟S76：SPM處理)之間，基板旋轉機構42係作為液體除去部藉由控制部8所控制，且自基板9之上表面91將去靜電液除去(步驟S75)。藉此，可防止基板9上之去靜電液與處理液之混合而產生之壞影響。作為該壞影響例如可列舉因去靜電液即純水與SPM液中含有之硫酸之反應熱而造成基板9之損傷(所謂，熱衝擊)、藉由去靜電液將SPM液稀釋而造成之SPM處理之品質降低、及因SPM液與去靜電液之局部混合造成SPM液之濃度不勻、以致基板9整體之SPM處理之均勻性降低。
於基板處理裝置10c中，藉由基板旋轉機構42使基板9旋轉，可容易除去基板9上之去靜電液。此外，藉由於SPM處理時使用於基板9之旋轉之基板旋轉機構42，還可自基板9上進行去靜電液之除去，因此可簡化基板處理裝置10c之構成。
於基板處理裝置10c中，藉由進行上述步驟S121~S123所示之溫度調整，可精度良好地調整去靜電液之溫度。此外，進行步驟S124~S126所示之溫度調整之情況，與進行步驟S121~S123所示之溫度調整之情況比較，可簡化藉由控制部8進行之溫度調整部61之控制。
如上述，基板處理裝置10c中，利用純水作為去靜電液。藉此，作為去靜電液，與利用將二氧化碳(CO2)等溶解於純水中之含有離子之液體之情況比較，可減低關於去靜電液之使用成本。
由於圖19中之步驟S71中設定於控制部8之目標溫度之決定之流程，係與圖8A及圖8B所示之流程類似，因此以下參照圖 8A及圖8B對目標溫度之確定進行說明。於目標溫度之確定處理中，首先，測量並取得在步驟S76中使用之預定之處理液(SPM液)之比電阻(步驟S611)。接著，還取得圖3所示之去靜電液(純水)之溫度與比電阻之關係(步驟S612)。然後，根據在步驟S612獲得之關係，取得去靜電液之比電阻與處理液之比電阻相等之去靜電液之溫度(步驟S613)。
接著，設定比在步驟S613所取得之溫度略低之暫定目標溫度，準備暫定目標溫度之去靜電液(步驟S614、S615)。與去靜電液之準備同時，並準備具有與上述基板9類似之構造之試驗用基板。對試驗用基板之上表面(即，預先形成有元件之面)供給去靜電液，藉由去靜電液進行浸置處理。藉此，使試驗用基板之上表面以遍及全表面之方式與去靜電液產生接觸，且使該接液狀態維持既定之時間，藉以減少試驗用基板上之電荷。換言之，進行試驗用基板之去靜電處理(步驟S616)。
當去靜電處理結束，藉由試驗用基板旋轉，自試驗用基板之上表面上除去去靜電液。接著，將處理液供給於試驗用基板之上表面上，與步驟S76同樣地進行既定之處理(SPM處理)(步驟S617)。
當SPM處理結束，對試驗用基板之上表面之狀態進行觀察等後給予評價(步驟S618)，若上表面之狀態良好(步驟S619)，就將暫定目標溫度確定為目標溫度。並將該目標溫度記憶於記憶部8a(步驟S623)。步驟S619中，於試驗用基板上沒有產生上表面上之元件之損傷之情況下，將上表面之狀態評價為良好，於產生有元件之損傷之情況下，將上表面之狀態評價為不良。
於試驗用基板之上表面之狀態為不良之情況下(步驟S619)，以增加步驟S616之去靜電處理之時間(即，試驗用基板對去靜 電液之接液狀態之維持時間)之方式進行變更，對新的試驗用基板進行去靜電處理(步驟S620、S621、S616)。然後，進行SPM處理及試驗用基板之上表面之狀態之評價(步驟S617、S618)。並對變更去靜電處理之時間之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價重複地進行既定之次數(步驟S619~S621)。惟，於在進行既定之次數之重複處理結束之前，就已於步驟S619中判斷為試驗用基板之上表面之狀態為良好之情況下，將此時之暫定目標溫度確定為目標溫度，並將最新之步驟S616中之去靜電處理之時間確定為步驟S73中之去靜電時間之時間。然後將該去靜電時間記憶於記憶部8a(步驟S623)。
另一方面，於即使進行既定之次數之重複處理結束，仍 沒有判斷為試驗用基板之上表面之狀態為良好之情況下，就將暫定目標溫度降低(步驟S619、S620、S622)。換言之，將低於最新之暫定目標溫度之溫度設定為暫定目標溫度。然後，進行對新的試驗用基板之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價(步驟S616~S618)。若試驗用基板之上表面之狀態良好，則將此暫定目標溫度確定為目標溫度(步驟S619、S623)。此外，於試驗用基板之上表面之狀態為不良之情況下，則變更增加去靜電時間(步驟S619~S621)，然後重複地進行進行既定之次數之去靜電處理、SPM處理及試驗用基板之評價(步驟S616~S621)。
如此，藉由重複地進行步驟S616~S622，將SPM處理 後之試驗用基板之上表面之狀態變得良好之暫定目標溫度及去靜電時間確定為目標溫度及去靜電時間(步驟S623)。然後，於基板處理裝置10c中，藉由利用該目標溫度之去靜電液進行去靜電處理，當藉由處理液進行處理時，可防止基板9之損傷。此外，藉由進行所設定之去靜 電時間之去靜電處理，可防止去靜電時間增加過多之情形。
此外，於本目標去靜電溫度確定處理中，將較比電阻與 處理液相等之去靜電液之溫度略低之溫度作為目標去靜電溫度取得處理開始時之暫定目標溫度(步驟S614)，然後將該暫定目標溫度逐步略予降低(步驟S622)，最終將直到試驗用基板之上表面變得良好時之暫定目標溫度作為最終之目標溫度(步驟S622)。由於去靜電液之溫度越高越可縮短去靜電時間，因此，可將在對試驗用基板之上表面不會造成損傷之溫度範圍內的去靜電時間最短之溫度確定為最終目標溫度。
暫定目標溫度之設定，例如也可以圖9所示之方法進 行。此情況下，首先，測量並取得在步驟S76中使用之預定之處理液(SPM液)之比電阻(步驟S631)。接著，將比處理液之比電阻略大比電阻設定為暫定目標比電阻(步驟S632)。此外，還取得圖3所示之去靜電液(純水)之溫度與比電阻之關係(步驟S633)。然後，根據在步驟S633取得之關係，取得去靜電液之比電阻與在步驟S632所設定之比電阻相等之去靜電液之溫度作為暫定目標溫度(步驟S634)。
接下來，進行與上述步驟S615~S623類似之步驟，將 SPM處理後之試驗用基板之上表面之狀態變得良好之暫定目標溫度及去靜電時間，確定為目標溫度及去靜電時間。然後於基板處理裝置10c中，藉由利用該目標溫度之去靜電液進行去靜電處理，當藉由處理液進行處理時，可防止基板9之損傷。此外，藉由進行所設定之去靜電時間之去靜電處理，可防止去靜電時間增加過多。圖8A、圖8B及圖9所示之目標溫度之確定處理，可於基板處理裝置10c中進行，也可不使用基板處理裝置10c來進行。
圖18所示之基板處理裝置10c中，也可利用比電阻計 作為去靜電液測量部62，且利用去靜電液測量部62測量去靜電液之比電阻。此情況下，於基板處理裝置10c中，以上述圖10或圖11所示之方法來調整去靜電液之溫度。
接著，對本發明之第5實施形態之基板處理裝置進行說 明。圖21為顯示第5實施形態之基板處理裝置10d之構成圖。基板處理裝置10d中，加上圖18所示之基板處理裝置10c之構成，還具備將液狀之異丙醇(以下，稱為「IPA」)供給於基板9之上表面91上之IPA供給部77。其他構成與圖18所示之基板處理裝置10c同樣，以下之說明中，對彼此對應之構成賦予相同之符號。圖21中，為了便於圖示，省略了處理液供給部3之圖示，處理液供給部3之構成也與圖18所示之基板處理裝置10c同樣。此外，圖21中還省略了控制部8之圖示。
IPA供給部77具備：連接於省略圖示之IPA貯存部之IPA 配管771；連接於IPA配管771之前端之IPA噴嘴772；設於IPA配管771上之IPA閥773；及以旋轉軸775為中心使IPA噴嘴772水平轉動之IPA噴嘴轉動機構774。IPA噴嘴轉動機構774具備自旋轉軸775於水平方向延伸並安裝有IPA噴嘴772之臂776。
圖22為顯示基板處理裝置10d中之基板9之處理之部 分流程圖。基板處理裝置10d中，於進行了圖19所示之步驟S71~S73類似之步驟後，進行圖22中之步驟S91~S93，然後進行與圖19所示之步驟S76~S80類似之步驟。
具體而言，首先，將基於基板9上之元件之尺寸等而確 定之去靜電液(純水)之目標溫度設定於控制部8(參照圖18)(步驟S71)。接著，將藉由乾燥處理而成為帶電之狀態之基板9搬入基板處理裝置10d並藉由基板保持部2所保持。此外，藉由溫度調整部61將 去靜電液之溫度調整於去靜電液之比電阻大於處理液(SPM液)之比電阻之溫度範圍內(步驟S72)。然後，自去靜電液供給部5朝基板9上供給去靜電液，基板9之上表面91全體被去靜電液浸置以進行去靜電處理(步驟S73)。
當基板9之去靜電處理結束，藉由去靜電液噴嘴轉動機 構58使去靜電液噴嘴55轉動，自圖21所示之位置返回基板9之外側之待機位置。此外，藉由IPA噴嘴轉動機構774使IPA噴嘴772自待機位置移動，如圖21所示，使IPA噴嘴772之前端之噴吐口朝向基板9之上表面91之中心部。接著，藉由控制部8將IPA供給部77之IPA閥773打開，將IPA供給於基板9上。於基板9上，藉由供給於上表面91之中心部之IPA，去靜電液朝向基板9之邊緣移動，自該邊緣被朝向基板9之外側推擠，而自基板9之上表面91除去(步驟S91)。如此，藉由將基板9上之去靜電液等之液體與IPA交換，發揮自基板9之上表面91上除去該液體之液體除去部之作用。
當去靜電液之除去結束，IPA噴嘴772返回待機位置， 且藉由控制部8控制基板旋轉機構42，基板9開始旋轉(步驟S92)。並且，藉由基板9之旋轉，基板9之上表面91上之IPA向基板9之邊緣移動，自基板9之邊緣朝外側飛散而自基板9上除去(步驟S93)。
當IPA之除去結束，藉由基板旋轉機構42將基板9之 轉速減小，且變更為SPM處理時之轉速。此外，藉由圖18所示之處理液噴嘴轉動機構35開始處理液噴嘴34之轉動，反複地使處理液噴嘴34於基板9之中心部與邊緣之間往返運動。然後，自處理液噴嘴34朝基板9之上表面91上供給SPM液，對基板9進行SPM處理(步驟S76)。再者，SPM液對基板9之供給，也可於IPA殘留於基板9之狀 態下開始。
當SPM處理結束，自處理液噴嘴34供給過氧化氫水， 除去基板9上之SPM液(步驟S77)。當過氧化氫水供給處理結束，處理液噴嘴34返回基板9外側之待機位置，藉由進行朝基板9之上表面91供給清洗液(純水)之清洗處理，自基板9上除去過氧化氫水(步驟S78)。然後增加基板9之轉速，進行藉由基板9之旋轉除去剩餘在基板9上之清洗液之乾燥處理(步驟S79)。然後，停止基板9之旋轉(步驟S80)，自基板處理裝置10d搬出基板9。
基板處理裝置10d中，與圖18所示基板處理裝置10c 同樣地，藉由溫度調整部61調整去靜電液之溫度，一方面將去靜電液之比電阻維持於大於處理液(SPM液)之比電阻之狀態，一方面使得基板9之上表面91全體被電液浸置。藉此，如上述，可進行基板9之去靜電處理，且不會對元件造成破損。其結果，當藉由處理液進行處理時，可防止電荷之移動所造成之破損、即基板9之損傷。此外，於對元件不會造成傷害之範圍內，藉由增高去靜電液之溫度且減小比電阻，可增大自基板9朝向去靜電液之電荷之移動速度。其結果，可縮短基板9之去靜電處理所需要之時間。
基板處理裝置10d中，與圖18所示基板處理裝置10c 類似，於藉由去靜電液進行之去靜電處理(步驟S73)與處理液之處理(步驟S76)之間，自基板9之上表面91上除去去靜電液(步驟S91)。藉此，可防止去靜電液與處理液之混合而引起之類似熱衝擊之已述之壞影響。
此外，於步驟S91，藉由朝向基板9上供給IPA，不用 旋轉基板9即可除去去靜電液。然而，若欲藉由使基板9旋轉以除去 去靜電液，於基板9上之元件之配線圖案之寬度小之情況下，可能會有因去靜電液之表面張力而造成配線圖案倒壞之情形。基板處理裝置10d中，如上述，由於藉由表面張力較純水等小之IPA自基板9上除去去靜電液後，再藉由基板9之旋轉除去IPA，因此可防止去靜電液之除去時之配線圖案之倒壞等之基板之損傷。
再者，基板處理裝置10d中，由於具備基板旋轉機構42 及IPA供給部77，因此也可配合基板9上之元件之尺寸等，選擇基板旋轉機構42及IPA供給部77中之一方作為液體除去部使用。亦即，基板處理裝置10d中，液體除去部具備基板旋轉機構42及IPA供給部77。
上述基板處理裝置10、10a~10d可進行各種之變更。
基板處理裝置10中，例如，也可藉由去靜電液測量部 62測量貯存於去靜電液貯存部71之去靜電液之溫度或比電阻。此外，也可將根據需要對去靜電液貯存部71內之去靜電液進行加熱或冷卻之機構設置作為溫度調整部61。
於基板處理裝置10b之去靜電處理中，若基板9之上表 面91上之去靜電液之層維持為不會崩塌，朝上表面91之去靜電液之供給及浸置處理，也可於基板9處於旋轉中之狀態下進行。此外，基板9之上表面91之去靜電液之浸置處理，也可於朝基板9之下表面92供給去靜電液之前，或者同時進行。
基板處理裝置10c、10d中，也可為液體除去部具備基 板旋轉機構42及IPA供給部77以外之構成。例如，將朝基板9之上表面91噴射薄片狀之氣體以使基板9上之液體飛散而予除去之氣刀，設置作為液體除去部。
只要去靜電液與處理液之混合不會產生壞影響，於基板 處理裝置10中，也可省去步驟S15之乾燥處理。此外，基板處理裝置10b中，也可於步驟S16中不自基板9上除去去靜電液，而進行步驟S17之處理。又，於基板處理裝置10c、10d中，也可省略去靜電液之除去(步驟S75、S91)，於去靜電液存在於基板9之上表面91之狀態下供給處理液並進行基板9之處理。
上述基板處理裝置中，也可將SPM液以外之處理液供 給於基板9上，對基板9進行其他之處理。例如，也可朝形成有抗蝕膜之基板9上供給緩衝氫氟酸(BHF)作為處理液，進行基板9之蝕刻處理。於基板處理裝置中，如上述，可防止帶電之基板9與處理液之接觸而引起之電荷之急遽移動所造成之基板9之損傷，因此基板處理裝置之構造亦可應用於由像SPM液或緩衝氫氟酸蝕刻液那樣之比電阻非常小之處理液所進行之處理之裝置。
於上述基板處理裝置中，也可利用使氨溶解於純水中者 或者於純水中添加微量之稀鹽酸者，此外，也可利用含有其他之離子之液體。又，只要於凝固點以上且沸點以下之至少既定之溫度範圍內，去靜電液係較在基板處理裝置中所利用之處理液之比電阻大者，則不限為純水或含有離子之液體，也可利用各式各樣之種類之液體作為去靜電液。
於基板處理裝置中，去靜電液之目標溫度及目標比電 阻，也可基於元件之尺寸以外之條件(例如，於搬入基板處理裝置之前對基板進行之處理之種類)所決定。
上述實施形態及各變化例之構成，只要不相互矛盾，也 可適宜地組合利用。
以上，對本發明進行了詳細描述，惟已述之說明僅為例 示而已，並非用以限制本發明者。因此，只要不超出本發明之範圍，即可採各種之變形及態樣。
1‧‧‧單片式處理裝置
7‧‧‧去靜電液接液部
8‧‧‧控制部
8a‧‧‧記憶部
9‧‧‧基板
61‧‧‧溫度調整部
62‧‧‧去靜電液測量部
71‧‧‧去靜電液貯存部
72‧‧‧去靜電液供給部
73‧‧‧卡匣
75‧‧‧基板乾燥部
721‧‧‧去靜電液配管
722‧‧‧流量計
724‧‧‧去靜電液閥

Claims (49)

  1. 一種基板處理裝置，其為處理基板者，其特徵在於具備有：基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之一側之主表面即第一主表面上；去靜電液接液部，其使上述基板之上述第一主表面及另一側之主表面即第二主表面，與隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液產生接觸；溫度調整部，其對上述去靜電液之溫度進行調整；及控制部，其藉由控制上述處理液供給部、上述去靜電液接液部及上述溫度調整部，一方面將上述去靜電液之溫度形成在上述去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內，一方面使上述基板之上述第一主表面及上述第二主表面以遍及全表面之方式與上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述基板上之電荷產生減少之後，將上述處理液供給至上述基板之上述第一主表面上而加以進行處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，與上述第一主表面產生接觸之上述去靜電液及與上述第二主表面產生接觸之上述去靜電液，係在上述基板上呈連續。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述去靜電液接液部係具備有貯存上述去靜電液之去靜電液貯存部，藉由將上述基板浸漬在貯存於上述去靜電液貯存部之上述去靜電液中，使上述第一主表面及上述第二主表面與上述去靜電液產生接觸。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，在貯存於上述去靜 電液貯存部之上述去靜電液中，浸漬有複數個基板，而該等複數基板係包含有上述基板並且使各個主表面之法線方向以朝向水平方向之方式加以排列。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述去靜電液接液部具備有：第一去靜電液接液部，其對在使上述第一主表面朝向上側之狀態下藉由上述基板保持部所保持之上述基板之上述第一主表面上，供給上述去靜電液，而利用上述去靜電液將上述第一主表面全體加以浸置；及第二去靜電液接液部，其對向於上述基板之上述第二主表面，且朝向上述第二主表面噴吐上述去靜電液，使上述第二主表面全體與上述去靜電液產生接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備有將上述基板之上述第一主表面上之液體加以除去之液體除去部，藉由上述控制部對上述液體除去部進行控制，在上述基板與上述去靜電液產生接觸與利用上述處理液所進行之上述處理之間，將上述去靜電液自上述第一主表面上加以除去。
  7. 一種基板處理裝置，其為處理基板者，其特徵在於具備有：基板保持部，其以使主表面朝向上側之狀態將基板加以保持；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之上述主表面上；去靜電液供給部，其將隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液供給至上述基板之上述主表面上；溫度調整部，其對供給至上述基板之上述去靜電液的溫度進行調整；及 控制部，其藉由控制上述處理液供給部、上述去靜電液供給部及上述溫度調整部，一方面使上述去靜電液之溫度形成在上述去靜電液之比電阻大於上述處理液之比電阻之範圍內，一方面將上述去靜電液供給至上述基板之上述主表面上而利用上述去靜電液將上述基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述基板上之電荷產生減少之後，將上述處理液供給至上述基板之上述主表面上而加以進行處理。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，更具備有將上述基板之上述主表面上之液體加以除去之液體除去部，藉由上述控制部對上述液體除去部進行控制，在利用上述去靜電液所進行之上述基板之上述主表面全體之浸置處理、與利用上述處理液所進行之上述處理之間，將上述去靜電液自上述主表面上加以除去。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述液體除去部係具備有基板旋轉機構，而該基板旋轉機構係以通過上述基板之中心並垂直於上述基板之上述主表面之旋轉軸為中心，使上述基板與上述基板保持部一起旋轉，藉此將上述主表面上之液體加以除去。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，在上述基板旋轉機構呈停止之狀態下進行上述浸置處理。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述液體除去部係具備有IPA供給部，而該IPA供給部係將液狀之異丙醇供給至上述基板之上述主表面上，藉此將上述主表面上之液體自上述基板之邊緣朝向外側推出而加以除去。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有測量上述去靜電液之溫度之去靜電液測量部， 上述控制部係根據上述去靜電液測量部之測量結果，而以使上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異變小之方式控制上述溫度調整部。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，在上述去靜電液之溫度與上述目標溫度之差異為臨限值溫度差以下之情況下，停止利用上述溫度調整部所進行之上述去靜電液的溫度調整。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，於上述基板上所預先形成之元件的尺寸越小，則設定其溫度為越低之目標溫度。
  15. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有測量上述去靜電液之比電阻之去靜電液測量部，上述控制部係根據上述去靜電液測量部之測量結果，而以使上述去靜電液之比電阻與既定之目標比電阻之差異變小之方式控制上述溫度調整部。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，在上述去靜電液之比電阻與上述目標比電阻之差異為臨限值比電阻差以下之情況下，停止利用上述溫度調整部所進行之上述去靜電液的溫度調整。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，於上述基板上所預先形成之元件的尺寸越小，則設定其比電阻為越大之目標比電阻。
  18. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之基板處理裝置，其中，上述去靜電液係為純水。
  19. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液係包含硫酸。
  20. 一種基板處理方法，其為處理基板之方法，其特徵在於具備有以下之步驟： a)將隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液之溫度，使上述去靜電液之比電阻形成在大於處理液之比電阻之範圍內；b)於上述a)步驟之後，使基板之兩側之主表面以遍及全表面之方式與上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述基板上之電荷產生減少；及c)於上述b)步驟之後，將上述處理液供給至上述基板之一側主表面上而加以進行處理。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，與上述基板之上述一側之主表面產生接觸之上述去靜電液及與上述基板之另一側之主表面產生接觸之上述去靜電液，係在上述基板上呈連續。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，藉由將上述基板浸漬在貯存於去靜電液貯存部之上述去靜電液中，使上述一側之主表面及上述另一側之主表面與上述去靜電液產生接觸。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，在貯存於上述去靜電液貯存部之上述去靜電液中，浸漬有複數個基板，而該等複數個基板係包括有上述基板並且使各個主表面之法線方向以朝向水平方向之方式加以排列。
  24. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，上述b)步驟具備以下之步驟：b1)對在使上述一側之主表面朝向上側之狀態下所保持之上述基板之上述一側之主表面上，供給上述去靜電液，而利用上述去靜電液將上述一側之主表面全體加以浸置；及b2)朝向上述基板之另一側之主表面噴吐上述去靜電液，使上述另一 側之主表面全體與上述去靜電液產生接觸。
  25. 如申請專利範圍第20至24項中任一項之基板處理方法，其中，上述a)步驟具備有以下之步驟：a1)測量上述去靜電液之溫度；a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，而以使上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異變小之方式調整上述去靜電液之溫度；及a3)反複地進行上述a1)步驟及上述a2)步驟。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板處理方法，其中，於上述基板上所預先形成之元件的尺寸越小，則設定其溫度為越低之目標溫度。
  27. 如申請專利範圍第25項之基板處理方法，其中，於上述a)步驟之前，更具備有以下之步驟：d1)獲得上述處理液之比電阻；d2)獲得上述去靜電液之溫度與比電阻之關係；d3)根據在上述d2)步驟中所獲得之上述關係，取得上述去靜電液之比電阻與上述處理液之上述比電阻為相等之上述去靜電液之溫度；d4)設定比在上述d3)步驟中所取得之溫度為更低之暫定目標溫度；d5)準備上述暫定目標溫度之去靜電液；d6)使試驗用基板之兩側之主表面以遍及全表面之方式與上述暫定目標溫度之上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述試驗用基板上之電荷產生減少；d7)將上述處理液供給至上述試驗用基板之一側之主表面上，而加以進行上述處理；d8)於上述d7)步驟結束之後，對上述試驗用基板之上述一側之主表面之狀態進行評價；及 d9)若上述一側之主表面之狀態為良好，將上述暫定目標溫度設定作為上述目標溫度，若上述一側之主表面之狀態為不良，則將上述暫定目標溫度降低且反複地進行上述d5)步驟至上述d8)步驟，直到上述一側之主表面之狀態變得良好為止，並將狀態變為良好時之上述暫定目標溫度確定為上述目標溫度。
  28. 如申請專利範圍第27項之基板處理方法，其中，若上述一側之主表面之狀態為不良，於上述d8)步驟與上述d9)步驟之間更具備有，將上述d6)步驟之處理時間加以變更後進行上述d6)步驟至上述d8)步驟之步驟。
  29. 如申請專利範圍第25項之基板處理方法，其中，於上述a)步驟之前，更具備有以下之步驟：d1)獲得上述處理液之比電阻；d2)設定比上述處理液之上述比電阻為較高之暫定目標比電阻；d3)獲得上述去靜電液之溫度與比電阻之關係；d4)根據在上述d3)步驟中所獲得之上述關係，取得暫定目標溫度，而該暫定目標溫度係根據上述去靜電液之比電阻與在上述d2)步驟中所設定之上述暫定目標比電阻為相等之上述去靜電液之溫度；d5)準備上述暫定目標溫度之去靜電液；d6)使試驗用基板之兩側之主表面以遍及全表面之方式與上述暫定目標溫度之上述去靜電液產生接觸而維持在接液狀態，藉此使上述試驗用基板上之電荷產生減少；d7)將上述處理液供給至上述試驗用基板之一側之主表面上，而加以進行上述處理；d8)於上述d7)步驟結束之後，對上述試驗用基板之上述一側之主表 面之狀態進行評價；及d9)若上述一側之主表面之狀態為良好，將上述暫定目標溫度設定作為上述目標溫度，若上述一側之主表面之狀態為不良，則將上述暫定目標溫度降低且反複地進行上述d5)步驟至上述d8)步驟，直到上述一側之主表面之狀態變得良好為止，並將狀態變為良好時之上述暫定目標溫度確定為上述目標溫度。
  30. 如申請專利範圍第29項之基板處理方法，其中，若上述一側之主表面之狀態為不良，於上述d8)步驟與上述d9)步驟之間更具備有，將上述d6)步驟之處理時間加以變更後進行上述d6)步驟至上述d8)步驟之步驟。
  31. 如申請專利範圍第20至24項中任一項之基板處理方法，其中，上述a)步驟係具備有以下之步驟：a1)測量上述去靜電液之溫度；及a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，於上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異為臨限值溫度差以下之情況下，不進行上述去靜電液之溫度調整，於上述去靜電液之溫度與上述目標溫度之上述差異為大於上述臨限值溫度差之情況下，以使上述去靜電液之溫度與上述目標溫度之差異變小之方式加以調整上述去靜電液之溫度。
  32. 如申請專利範圍第20至24項中任一項之基板處理方法，其中，更具備有以下之步驟：e)於上述b)步驟與上述c)步驟之間，自上述基板之上述一側之主表面上除去上述去靜電液。
  33. 一種基板處理方法，其為處理基板之方法，其特徵在於具備有以下步驟： a)將隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液之溫度，使上述去靜電液之比電阻形成在大於處理液之比電阻之範圍內；b)於上述a)步驟之後，對在使主表面朝向上側之狀態下所保持之基板之上述主表面上，供給上述去靜電液，而利用上述去靜電液將上述基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述基板上之電荷產生減少；及c)於上述b)步驟之後，將上述處理液供給至上述基板之上述主表面上而加以進行處理。
  34. 如申請專利範圍第33項之基板處理方法，其中，上述a)步驟係具備有以下之步驟：a1)測量上述去靜電液之溫度；a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，而以使上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異變小之方式調整上述去靜電液之溫度；及a3)反複地進行上述a1)步驟及上述a2)步驟。
  35. 如申請專利範圍第34項之基板處理方法，其中，於上述基板上所預先形成之元件的尺寸越小，則設定其溫度為越低之目標溫度。
  36. 如申請專利範圍第34項之基板處理方法，其中，於上述a)步驟之前，更具備有以下之步驟：d1)獲得上述處理液之比電阻；d2)獲得上述去靜電液之溫度與比電阻之關係；d3)根據在上述d2)步驟中所獲得之上述關係，取得上述去靜電液之比電阻與上述處理液之上述比電阻為相等之上述去靜電液之溫度；d4)設定比在上述d3)步驟中所取得之溫度為更低之暫定目標溫度；d5)準備上述暫定目標溫度之去靜電液； d6)將上述去靜電液供給至試驗用基板之主表面上，而利用上述去靜電液將上述試驗用基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述試驗用基板上之電荷產生減少；d7)將上述處理液供給至上述試驗用基板之上述主表面上，而加以進行上述處理；d8)於上述d7)步驟結束之後，對上述試驗用基板之上述主表面之狀態進行評價；及d9)若上述主表面之狀態為良好，將上述暫定目標溫度設定作為上述目標溫度，若上述主表面之狀態為不良，則將上述暫定目標溫度降低且反複地進行上述d5)步驟至上述d8)步驟，直到上述主表面之狀態變得良好為止，並將狀態變為良好時之上述暫定目標溫度確定為上述目標溫度。
  37. 如申請專利範圍第36項之基板處理方法，其中，若上述主表面之狀態為不良，於上述d8)步驟與上述d9)步驟之間更具備有，將上述d6)步驟之處理時間加以變更後進行上述d6)步驟至上述d8)步驟之步驟。
  38. 如申請專利範圍第34項之基板處理方法，其中，於上述a)步驟之前，更具備有以下之步驟：d1)獲得上述處理液之比電阻；d2)設定比上述處理液之上述比電阻為較高之暫定目標比電阻；d3)獲得上述去靜電液之溫度與比電阻之關係；d4)根據在上述d3)步驟中所獲得之上述關係，取得暫定目標溫度，而該暫定目標溫度係根據上述去靜電液之比電阻與在上述d2)步驟中所設定之上述暫定目標比電阻為相等之上述去靜電液之溫度； d5)準備上述暫定目標溫度之去靜電液；d6)將上述去靜電液供給至試驗用基板之主表面上，而利用上述去靜電液將上述試驗用基板之上述主表面全體加以浸置，藉此使上述試驗用基板上之電荷產生減少；d7)將上述處理液供給至上述試驗用基板之上述主表面上，進行上述處理；d8)於上述d7)步驟結束之後，對上述試驗用基板之上述主表面之狀態進行評價；及d9)若上述主表面之狀態為良好，將上述暫定目標溫度設定作為上述目標溫度，若上述主表面之狀態為不良，則將上述暫定目標溫度降低且反複地進行上述d5)步驟至上述d8)步驟，直到上述主表面之狀態變得良好為止，並將狀態變為良好時之上述暫定目標溫度確定為上述目標溫度。
  39. 如申請專利範圍第38項之基板處理方法，其中，若上述主表面之狀態為不良，於上述d8)步驟與上述d9)步驟之間更具備有，將上述d6)步驟之處理時間加以變更後進行上述d6)步驟至上述d8)步驟之步驟。
  40. 如申請專利範圍第33項之基板處理方法，其中，上述a)步驟係具備有以下之步驟：a1)測量上述去靜電液之溫度；及a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，於上述去靜電液之溫度與既定之目標溫度之差異為臨限值溫度差以下之情況下，不進行上述去靜電液之溫度調整，於上述去靜電液之溫度與上述目標溫度之上述差異為大於上述臨限值溫度差之情況下，以使上述去靜電液之溫度 與上述目標溫度之差異變小之方式加以調整上述去靜電液之溫度。
  41. 如申請專利範圍第33至40項中任一項之基板處理方法，其中，更具備有以下之步驟：e)於上述b)步驟與上述c)步驟之間，自上述基板之上述主表面上除去上述去靜電液。
  42. 如申請專利範圍第41項之基板處理方法，其中，在上述e)步驟中，以通過上述基板之中心並垂直於上述基板之上述主表面之旋轉軸為中心，使上述基板進行旋轉，藉此將上述主表面上之液體加以除去。
  43. 如申請專利範圍第42項之基板處理方法，其中，上述b)步驟係在上述基板之旋轉呈停止之狀態下加以進行。
  44. 如申請專利範圍第41項之基板處理方法，其中，在上述e)步驟中，將液狀之異丙醇供給至上述基板之上述主表面上，藉此將上述主表面上之液體自上述基板之邊緣朝向外側推出而加以除去。
  45. 如申請專利範圍第20至24及33至40項中任一項之基板處理方法，其中，上述a)步驟係具備有以下步驟：a1)測量上述去靜電液之比電阻；及a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，而以使上述去靜電液之比電阻與既定之目標比電阻之差異變小之方式調整上述去靜電液之溫度；及a3)反複地進行上述a1)步驟及上述a2)步驟。
  46. 如申請專利範圍第45項之基板處理方法，其中，於上述基板上所預先形成之元件的尺寸越小，則設定其比電阻為越大之目標比電阻。
  47. 如申請專利範圍第20至24及33至40項中任一項之基板處理方法，其中，上述a)步驟係具備有以下之步驟： a1)測量上述去靜電液之比電阻；及a2)根據在上述a1)步驟中之測量結果，於上述去靜電液之比電阻與既定之目標比電阻之差異為臨限值比電阻差以下之情況下，不進行上述去靜電液之溫度調整，於上述去靜電液之比電阻與上述目標比電阻之上述差異為大於上述臨限值比電阻差之情況下，以使上述去靜電液之比電阻與上述目標比電阻之差異變小之方式加以調整上述去靜電液之溫度。
  48. 如申請專利範圍第20至24及33至40項中任一項之基板處理方法，其中，上述去靜電液係為純水。
  49. 如申請專利範圍第20至24及33至40項中任一項之基板處理方法，其中，上述處理液係包含硫酸。
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