CN103915364A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

在基板处理装置（10）中，随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度由温度调整部（61）调整，除静电液的电阻率大于在单张处理装置（1）的处理中利用的处理液（SPM液）的电阻率。除静电液贮存在除静电液贮存部71。然后，在盒体73内保持的多张基板（9）浸渍在除静电液贮存部（71）内的除静电液中，基板（9）的两侧的整个主面与除静电液相接触。由此，基板（9）比较缓慢地被除静电。并且，在除静电处理以及利用基板干燥部（75）进行的干燥处理结束后，在单张处理装置1中向基板的上表面（91）上供给SPM液来进行SPM处理。由此，防止在SPM处理时大量电荷从基板向SPM液快速移动，能够防止基板（9）损伤。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的技术。
背景技术
一直以来，在半导体基板（以下仅称为“基板”。）的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻等结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂的处理。
在日本特开2009-200365号公报（文献1）的基板处理装置中，在利用SPM（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸双氧水混合溶液）液等药液进行处理之前，向基板上的处理区域供给电导率比药液的电导率低的液体，并在该液体存在于处理区域上的状态下，向处理区域喷出药液。由此，能够实现防止因基板的药液的接触而产生的基板的局部损伤。基板的局部损伤是指，处理区域的场氧化膜和场氧化膜的局部破坏，该破坏是因药液和药液用喷嘴之间的摩擦带电现象，药液在带电的状态下与基板的处理区域相接触而产生的。
在日本特开2007-134673号公报（文献2）中公开了如下技术，即，在向晶片上的处理区域供给浓硫酸等药液之前，向处理区域供给电阻率值比药液的电阻率值低的CO2水等液体，并在该液体存在于处理区域上的状态，向处理区域喷出药液。由此，能够实现防止因药液与处理区域接触时产生的静电摩擦现象引起的带电。
在日本特开2007-214347号公报（文献3）中，公开了如下技术，即，在电子器件的清洗装置中，通过向基板的表面或药液喷嘴供给被离子化的蒸气，来除去在基板的表面或药液喷嘴存在的静电。在日本特开2011-103438号公报（文献4）的基板液处理装置中，在对基板的电路形成面进行药液处理工序之前，进行向与基板的电路形成面相反的面喷出除静电处理液的除静电处理工序。
另一方面，在日本特开2004-158588号公报（文献5）中，公开了通过向基板的表面供给除去液来除去在基板的表面上附着的有机物的基板处理装置。在该基板处理装置中，设置有对基板的温度进行调整的温度调整单元，使得基板的温度与向基板上供给的除去液的温度之差处在规定的范围内。作为温度调整单元的一个例子，能够举出向由保持旋转单元保持的基板的背面供给温度被调整的流体的流体供给单元。
但是，在由基板处理装置处理的基板被搬入基板处理装置之前，对该基板进行干蚀刻或等离子体CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）等干式工序（drying process）。在这样的干式工序中，由于在器件内产生电荷而带电，所以基板在带电的状态被搬入基板处理装置。并且，在基板处理装置中，当向基板上供给如SPM液那样的电阻率小的药液时，器件内的电荷从器件向药液快速移动（即向药液中放电），因由该移动引起的发热，有可能对器件造成损伤。因此，考虑在向基板供给药液之前，通过离子发生器对基板进行除静电处理，但是，在基板的带电量大的情况下，难以有效地进行除静电处理。
发明内容
本发明面向对基板进行处理的基板处理装置，其目的在于防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动而使基板发生损伤。
本发明的基板处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其向第一主面上供给处理液，该第一主面为所述基板的一个主面；除静电液接触部，其使所述基板的所述第一主面以及第二主面与随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液相接触，该第二主面为所述基板的另一个主面；温度调整部，其对所述除静电液的温度进行调整；控制部，其对所述处理液供给部、所述除静电液接触部以及所述温度调整部进行控制，由此，使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内，并且使所述基板的整个所述第一主面以及整个所述第二主面与所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述基板上的电荷减少，然后将所述处理液向所述基板的所述第一主面上供给来进行规定的处理。由此，能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动导致基板损伤。
在本发明的一个优选的实施方式中，与所述第一主面相接触的所述除静电液和与所述第二主面相接触的所述除静电液在所述基板上连续。
更优选，所述除静电液接触部具有用于贮存所述除静电液的除静电液贮存部，通过将所述基板浸渍于在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中，所述第一主面以及所述第二主面与所述除静电液相接触。还优选，在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中浸渍多张基板，所述多张基板包含所述基板，并且所述多张基板以各自的主面的法线方向朝向水平方向的方式排列。
在本发明的其他优选的实施方式中，所述除静电液接触部具有：第一除静电液接触部，其向以所述第一主面朝向上侧的状态保持在所述基板保持部上的所述基板的所述第一主面上供给所述除静电液，利用所述除静电液对整个所述第一主面进行浸没；第二除静电液接触部，与所述基板的所述第二主面相向，向所述第二主面喷出所述除静电液来使整个所述第二主面与所述除静电液相接触。
本发明的其他的基板处理装置具有：
基板保持部，其用于在基板的主面朝向上侧的状态下保持基板；
处理液供给部，其向所述基板的所述主面上供给处理液；
除静电液供给部，其将随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液向所述基板的所述主面上供给；
温度调整部，其对向所述基板供给的所述除静电液的温度进行调整；
控制部，其对所述处理液供给部、所述除静电液供给部以及所述温度调整部进行控制，由此，使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内，并且向所述基板的所述主面上供给所述除静电液并用所述除静电液浸没所述基板的整个所述主面，来使所述基板上的电荷减少，然后将所述处理液向所述基板的所述主面上供给来进行规定的处理。由此，能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动导致基板损伤。
在本发明的其他优选的实施方式中，该基板处理装置还具有用于对所述除静电液的温度进行测定的除静电液测定部，所述控制部基于所述除静电液测定部的测定结果，来对所述温度调整部进行控制，使得所述除静电液的温度和规定的目标温度之差变小。
在本发明的其他优选的实施方式中，该基板处理装置还具有用于对所述除静电液的电阻率进行测定的除静电液测定部，所述控制部基于所述除静电液测定部的测定结果，来对所述温度调整部进行控制，使得所述除静电液的电阻率和规定的目标电阻率之差变小。
本发明也面向对基板进行处理的基板处理方法。本发明的基板处理方法包括：a）工序，使随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比处理液的电阻率大的范围内；
b）工序，在所述a）工序之后，使基板的两侧的整个主面与所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述基板上的电荷减少；
c）工序，在所述b）工序之后，将所述处理液向所述基板的一个主面上供给来进行规定的处理的工序。
由此，能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动导致基板损伤。
本发明的其他的基板处理方法包括：a）工序，使随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比处理液的电阻率大的范围内；
b）工序，在所述a）工序之后，向在主面朝向上侧的状态下被保持的基板的所述主面上供给所述除静电液，并利用所述除静电液对所述基板的整个所述主面整体进行浸没，来使所述基板上的电荷减少；
c）工序，在所述b）工序之后，将所述处理液向所述基板的所述主面上供给来进行规定的处理。
由此，能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动导致基板损伤。
上述的目的以及其他目的、特征、方式以及优点通过在下面参照附图进行的该发明的详细说明能够更加清楚。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是表示单张处理装置的结构的图。
图3是表示纯水的温度和电阻率之间的关系的图。
图4是表示基板的处理流程的图。
图5是表示基板的处理流程的一部分的图。
图6是表示基板的处理流程的一部分的图。
图7表示在除静电处理前后的基板的表面电位的图。
图8A是表示目标温度的决定流程的图。
图8B是表示目标温度的决定流程的图。
图9是表示目标温度的决定流程的一部分的图。
图10是表示基板的处理流程的一部分的图。
图11是表示基板的处理流程的一部分的图。
图12是表示第二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图13是表示在除静电处理前后的基板的表面电位的图。
图14是表示第三实施方式的基板处理装置的结构的图。
图15是表示基板的处理流程的一部分的图。
图16是表示基板上的除静电液的样子的图。
图17是表示在除静电处理前后的基板的表面电位的图。
图18是表示第四实施方式的基板处理装置的结构的图。
图19是表示基板的处理流程的图。
图20是表示在除静电处理前后的基板的表面电位的图。
图21是表示第五实施方式的基板处理装置的结构的图。
图22是表示基板的处理流程的一部分的图。
其中，附图标记说明如下：
2基板保持部、3处理液供给部、5除静电液供给部、7、7a除静电液接触部、8控制部、9基板、10、10a～10d基板处理装置、42基板旋转机构、61温度调整部、62除静电液测定部、71、71a除静电液贮存部、77IPA供给部、91上表面、92下表面、95除静电液、725除静电液喷嘴、761下表面接触液体部、S11～S21、S31、S41～S44、S71～S80、S91～S93、S121～S126、S321～S326、S611～S623、S631～S634步骤
具体实施方式
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置10的结构的图。基板处理装置10是对半导体基板9（以下仅称为“基板9”。）进行处理的装置。如图1所示，基板处理装置10具有单张处理装置1、除静电液接触部7、温度调整部61、除静电液测定部62和控制部8。
单张处理装置1是对基板9一张一张进行处理的单张式的处理装置。除静电液接触部7用于使基板9与除静电液相接触。温度调整部61对除静电液的温度进行调整。除静电液测定部62是对除静电液的温度进行测定的温度传感器。存储部8a保存目标温度和除静电时间（详细内容在后面叙述），在执行基板处理时，将它们设定在控制部8。控制部8基于上述目标温度等对单张处理装置1、除静电液接触部7、温度调整部61以及除静电液测定部62等结构进行控制。
图2是表示单张处理装置1的结构的图。在单张处理装置1中，向基板9供给作为处理液的SPM（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture）液，来进行SPM处理、即基板9上的抗蚀剂膜的除去处理。单张处理装置1具有基板保持部2、处理液供给部3、杯部41和基板旋转机构42。基板保持部2以基板9的一个主面91（以下称为“上表面91”。）朝向上侧的状态保持基板9。处理液供给部3向基板9的上表面91上供给SPM液等处理液。杯部41包围基板9以及基板保持部2的周围。基板旋转机构42使基板9与基板保持部2一起水平地旋转。基板9通过基板旋转机构42以通过基板9的中心并与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心进行旋转。在单张处理装置1中，基板保持部2、杯部41、基板旋转机构42等容纳在省略图示的腔室内。
处理液供给部3具有用于供给硫酸的硫酸供给部31、用于供给双氧水的双氧水供给部32、与硫酸供给部31以及双氧水供给部32相连接的混合液生成部33、配置在基板9的上方并向基板9喷出液体的处理液喷嘴34、使处理液喷嘴34以旋转轴351为中心水平转动的处理液喷嘴转动机构35。处理液喷嘴转动机构35具有从旋转轴351沿水平方向延伸并安装有处理液喷嘴34的臂352。
硫酸供给部31具有用于贮存硫酸的硫酸贮存部311、与硫酸贮存部311以及混合液生成部33相连接的硫酸配管312、从硫酸贮存部311经由硫酸配管312向混合液生成部33供给硫酸的硫酸泵313、在硫酸配管312上设置的硫酸阀314、以及在硫酸泵313和硫酸阀314之间设置在硫酸配管312上并对硫酸进行加热的硫酸加热部315。硫酸配管312在硫酸加热部315和硫酸阀314之间分支并连接至硫酸贮存部311，在硫酸阀314被关闭的状态下，被硫酸加热部315加热后的硫酸在硫酸贮存部311和硫酸加热部315之间循环。
双氧水供给部32具有用于贮存双氧水的双氧水贮存部321、与双氧水贮存部321以及混合液生成部33相连接的双氧水配管322、从双氧水贮存部321经由双氧水配管322向混合液生成部33供给双氧水的双氧水泵323、设置在双氧水配管322上的双氧水阀324。此外，硫酸贮存部311以及双氧水贮存部321可以设置在基板处理装置10的外部，并分别连接有硫酸配管312以及双氧水配管322。
混合液生成部33具有与硫酸配管312以及双氧水配管322相连接的混合阀331、与混合阀331以及处理液喷嘴34相连接的喷出用配管332、设置在喷出用配管332上的搅拌流通管333。在混合液生成部33中，来自硫酸供给部31的被加热后的硫酸和来自双氧水供给部32的常温（即与室温大致相同的温度）的双氧水在混合阀331中混合，来生成作为混合液的SPM液（硫酸双氧水混合溶液）。
SPM液通过搅拌流通管333以及喷出用配管332被输送到处理液喷嘴34。通过在搅拌流通管333中搅拌SPM液，从而促进SPM液中含有的硫酸和双氧水之间的化学反应。作为处理液的SPM液从处理液喷嘴34的顶端的喷出口向基板9的上表面91被喷出。在本实施方式中，由硫酸加热部315被加热至约130℃～150℃的硫酸被从硫酸供给部31供给至混合液生成部33。此外，也可以适当变更从硫酸供给部31供给的硫酸的温度。
如图1所示，除静电液接触部7具有用于贮存除静电液的除静电液贮存部71、用于向除静电液贮存部71供给除静电液的除静电液供给部72、用于保持多张基板9的盒体（Cartridge）73、以及对基板9进行减压干燥处理的基板干燥部75。在图1中，省略图示用于保持盒体73进行移动的盒体移动部。在除静电液接触部7中，作为除静电液，利用纯水（DIW：deionized water（去离子水））。
图3是表示纯水的温度和电阻率之间的关系的图。如图3所示，纯水的电阻率随着液温上升而逐渐减小。纯水的电阻率在纯水的凝固点以上且沸点以下的整个范围内都大于上述的SPM液的电阻率。在除静电液接触部7使用的除静电液只要是随着液温上升而电阻率逐渐减小的液体即可，并不限于纯水。另外，除静电液的电阻率只要在除静电液的凝固点以上且沸点以下的至少规定的温度范围内大于在单张处理装置1利用的处理液的电阻率即可。作为除静电液，例如可以利用在纯水中溶解二氧化碳（CO2）而成的如CO2水（碳酸溶液）那样的含离子的液体。在其他实施方式中也同样。
如图1所示，除静电液供给部72具有除静电液配管721、流量计722、除静电液阀724。除静电液配管721与省略图示的除静电液供给源相连接。从除静电液配管721的顶端喷出的除静电液被供给并贮存在除静电液贮存部71。在除静电液配管721上从除静电液供给源向除静电液贮存部71依次配置有流量计722、温度调整部61、除静电液阀724以及除静电液测定部62。流量计722用于测定在除静电液配管721内流经的除静电液的流量。温度调整部61通过根据需要对在除静电液配管721内流经的除静电液进行加热或冷却，对除静电液配管721内的除静电液的温度进行调整。除静电液阀724对在除静电液配管721内流经的除静电液的流量进行调整。除静电液测定部62对在除静电液配管721内流经的除静电液的温度进行测定。
除静电液测定部62的测定结果（即除静电液的温度）被发送至控制部8。控制部8基于在存储部8a内存储的除静电液的目标温度、即后述的除静电处理中的除静电液的优选的温度，来控制单张处理装置1、除静电液接触部7、温度调整部61以及除静电液测定部62等结构。除静电液的目标温度是用于实现在除静电处理中的除静电液的优选的电阻率（即目标电阻率）的温度。除静电液的目标电阻率大于在单张处理装置1利用的处理液的电阻率。目标温度基于目标电阻率与在图3所示的除静电液的温度和电阻率之间的关系等来求取。目标温度的具体的求取方法在后面叙述。
在基板9的上表面91上预先形成的器件的尺寸越小（即器件的配线的最小宽度越小），目标电阻率设定得越大。因此，在基板9的上表面91上预先形成的器件的尺寸越小，目标温度设定得越低。在本实施方式中，目标电阻率设定在约1～18MΩ·cm的范围，目标温度设定在约25～100℃的范围。
在基板处理装置10中，基于除静电液测定部62的测定结果以及上述的目标温度，由控制部8对温度调整部61进行反馈控制。在温度调整部61中，对除静电液的温度进行调整，使得除静电液配管721内的除静电液的温度和目标温度之差变小。由此，向除静电液贮存部71供给的除静电液的温度大致维持在目标温度。换言之，通过上述反馈控制，除静电液的温度维持在可以说实质上等于目标温度的窄的温度范围（当然，包含目标温度。）内。
在基板处理装置10中，存在除静电液的温度即使偏离目标温度一些也被允许的情况。在这种情况下，由除静电液测定部62测定的除静电液的温度和目标温度之差在阈值温度差以下时，控制部8停止通过温度调整部61调整除静电液的温度，仅在除静电液的温度和目标温度之差大于阈值温度差时，通过温度调整部61调整除静电液的温度。当将比目标温度低了阈值温度差的温度称为“下限温度”，将比目标温度高了阈值温度差的温度称为“上限温度”时，通过上述温度调整，将向除静电液贮存部71供给的除静电液的温度大致维持在下限温度以上且上限温度以下的范围内。在上限温度下的除静电液的电阻率大于在单张处理装置1利用的处理液的电阻率。
这样，在除静电液供给部72中，控制部8对温度调整部61进行控制，由此能够使除静电液的温度处于除静电液的电阻率大于上述处理液的电阻率的范围内。
在除静电液接触部7中，通过在除静电液贮存部71的上方配置的盒体73保持多张基板9，多张基板9处于以主面平行的方式配列的状态。并且，通过盒体移动部使盒体73下降，多张基板9被浸渍在贮存在除静电液贮存部71内的除静电液中，多张基板9处于以各个主面的法线方向朝向水平方向的方式排列的状态。
在基板干燥部75中，对浸渍在除静电液中后的基板9进行减压干燥处理。在基板干燥部75中，既可以对被保持在盒体73中的的状态的多张基板9进行减压干燥处理，也可以对从盒体73取下的基板9一张一张进行干燥。在基板干燥部75中，可以通过减压干燥处理以外的各种方法进行干燥处理。进行了减压干燥处理的基板9被搬入单张处理装置1。此外，在图1中，省略了在基板干燥部75和单张处理装置1之间搬送基板9的搬送机构等的图示。
接着，参照图4对基板处理装置10中的基板9的处理流程进行说明。首先，与要使用的基板9对应的目标温度和除静电时间被从存储部8a读出并设定在控制部8（步骤S11）。在本实施方式中，目标温度和除静电时间预先存储在存储部8a中，在开始基板处理的时刻，被从存储部8a读出并设定在控制部8。但是，也可以不将目标温度和除静电时间存储在存储部8a，每当开始基板处理，作业者使用未图示的输入单元将目标温度和除静电时间设定在控制部8。
另外，也可以取代使目标温度存储在存储部8a，而使表示基板9上的器件的尺寸和除静电液的目标温度的关系的表格预先存储在存储部8a中。在该情况下，在开始对基板9进行基板处理之前，在存储部8a中输入处理对象的基板9上的器件的尺寸，接着，基于该器件的尺寸和所述表格来决定与基板9对应的目标温度，最后将该目标温度设定于控制部8。关于目标温度和除静电时间的决定以及向控制部8的设定（或后述的目标电阻率的决定以及设定），在后述的其他基板处理装置中也同样。
接着，保持有多张基板9的盒体73被搬入基板处理装置10。各基板9在被搬入基板处理装置10之前，经过干蚀刻和等离子体CVD（ChemicalVapor Deposition）等干式工序，基板9处于带电的状态。
在除静电液接触部7中，在除静电液配管721的顶端朝向从除静电液贮存部71离开的位置的状态下，通过控制部8打开除静电液阀724，从除静电液配管721开始喷出除静电液（纯水）。然后，基于作为除静电液测定部62的测定结果的除静电液的温度以及上述的目标温度，来对温度调整部61进行反馈控制。由此，除静电液的温度被调整在除静电液的电阻率大于在单张处理装置1利用的处理液（SPM液）的电阻率的温度范围内（步骤S12）。
图5是表示除静电液的温度调整（步骤S12）的流程的图。首先，通过除静电液测定部62测定在除静电液配管721内流经的除静电液的温度（步骤S121）。接着，基于在步骤S121的测定结果，通过温度调整部61调整除静电液的温度，使得除静电液配管721内的除静电液的温度和目标温度之差变小（步骤S122）。并且，通过反复进行步骤S121和步骤S122，除静电液的温度大致被调整并维持在目标温度（步骤S123）。
如上所述，在除静电液的温度即使偏离目标温度一些也被允许的情况下，取代图5的步骤S121～S123，而如图6所示那样进行温度调整。首先，通过除静电液测定部62测定在除静电液配管721内流经的除静电液的温度（步骤S124）。接着，基于在步骤S124的测定结果，求取除静电液配管721内的除静电液的温度和目标温度之差，并与上述的阈值温度差进行比较（步骤S125）。
在除静电液的温度和目标温度之差在阈值温度差以下的情况下，不通过温度调整部61调整除静电液的温度。在除静电液的温度和目标温度之差大于阈值温度差的情况下，通过温度调整部61调整除静电液的温度，以使除静电液的温度和目标温度之差变小（步骤S126）。并且，通过反复进行步骤S124～S126，除静电液的温度大致调整并维持在比目标温度低了阈值温度差的下限温度以上、且比目标温度高了阈值温度差的上限温度以下的温度范围内。
当除静电液的温度调整结束时，除静电液配管721的顶端朝向除静电液贮存部71，从除静电液供给部72向除静电液贮存部71供给规定的量的除静电液并贮存（步骤S13）。在除静电液接触部7中，还可以设置对除静电液贮存部71内的除静电液的温度进行测定的辅助测定部和对除静电液贮存部71内的除静电液的温度进行调整的辅助调整部。在该情况下，基于辅助测定部的测定结果来控制辅助调整部，并根据需要通过辅助调整部加热或冷却该除静电液，使得除静电液贮存部71内的除静电液达到所希望的温度（例如目标温度）。
然后，通过控制部8控制盒体移动部，在除静电液贮存部71的上方配置的盒体73向除静电液贮存部71下降。然后，在盒体73内保持的多张基板9被浸渍在除静电液贮存部71内的除静电液中。各基板9从在保持在盒体73内的状态下的边缘的下部开始缓缓被浸渍在除静电液中，基板9整体被浸渍，由此，基板9的两侧的主面整个面与除静电液相接触。另外，与基板9的两侧的主面接触的除静电液在基板9的边缘上连续。
将基板9的设置有器件的主面称为“第一主面”，将基板的另一个主面称为“第二主面”，通过将基板9浸渍在除静电液中，整个第一主面以及整个第二主面与除静电液相接触。与第一主面相接触的除静电液和与第二主面相接触的除静电液在基板9的边缘上相连续。这样，通过基板9与除静电液相接触，基板9上的电荷向除静电液比较缓慢地移动。在基板处理装置10中，通过将基板9与除静电液的接触状态维持规定的时间，在不对基板9上的器件造成损伤的情况下，减少基板9上的电荷。换言之，进行基板9的除静电处理（步骤S14）。
图7是表示在基板处理装置10的除静电处理的前后的基板9的上表面91的表面电位的图。在图7中示出在基板9的中心部的表面电位的绝对值（在图13以及图17中也同样）。通过上述的除静电处理，减少基板9上的电荷，从而整体降低基板9的电位。在基板处理装置10中，在基板9上的器件的尺寸比较小的情况下，除静电液的温度例如维持在约25℃，除静电液的电阻率约为18MΩ·cm。另外，在基板9上的器件的尺寸比较大（即，对由电荷的移动造成的损伤的耐性比较高）的情况下，除静电液的温度被维持在例如比100℃稍低的温度，除静电液的电阻率约为1MΩ·cm。这样，通过提高除静电液的温度使电阻率变得比较小，从而电荷从基板9向除静电液的移动速度增大。其结果，能够缩短基板9的除静电处理所需要的时间。
当基板9的除静电处理结束时，通过由控制部8控制的基板干燥部75，对基板9进行减压干燥处理，从基板9的整个上表面91以及整个下表面92除去除静电液（步骤S15）。换言之，基板干燥部75是除去基板9的上表面91上以及下表面92上的液体的液体除去部。接着，一张基板9被搬入图2所示的单张处理装置1，在上表面91朝向上侧的状态下被保持在基板保持部2上。接着，由控制部8控制基板旋转机构42，由此开始使基板9旋转（步骤S16）。另外，通过处理液喷嘴转动机构35使处理液喷嘴34开始转动，处理液喷嘴34在基板9的中心部和边缘之间反复进行往复运动。
接着，由控制部8控制处理液供给部3，打开硫酸供给部31的硫酸阀314，被硫酸加热部315加热至约130℃～150℃的硫酸经由硫酸配管312被供给至混合液生成部33的混合阀331。另外，由控制部8打开双氧水阀324，常温的双氧水从双氧水贮存部321经由双氧水配管322被供给至混合阀331。在混合阀331中，加热后的硫酸和常温的双氧水混合而生成SPM液。SPM液的温度因硫酸和双氧水的反应而变为比从硫酸供给部31供给的硫酸的温度高的约150℃～195℃。
SPM液通过喷出用配管332以及搅拌流通管333，从处理液喷嘴34向基板9的上表面91供给。换言之，通过处理液供给部3，被加热后的硫酸和双氧水混合并被供给至基板9的上表面91。SPM液通过基板9的旋转扩展到基板9的整个上表面91，并从基板9的边缘向外侧飞散，由杯部41接收。在单张处理装置1中，SPM液向基板9的供给连续进行规定时间，来进行对基板9的SPM处理、即利用SPM液所包含的过硫酸的强氧化力来除去基板9上的抗蚀剂膜的除去处理（步骤S17）。此外，在单张处理装置1中，也可以从在基板9的中心部的上方停止的处理液喷嘴34供给SPM液等。
当SPM处理结束时，在打开双氧水阀324的状态下，关闭硫酸阀314，双氧水通过混合阀331、喷出用配管332以及搅拌流通管333从处理液喷嘴34被供给至除去了抗蚀剂膜的基板9上（步骤S18）。通过该双氧水供给处理，除去在混合阀331、喷出用配管332、搅拌流通管333以及处理液喷嘴34内残留的SPM液。另外，被供给至基板9上的双氧水通过基板9的旋转扩散到基板9的整个上表面91，将残留在基板9上的SPM液从基板9的边缘挤向外侧来除去。
当双氧水供给处理结束时，关闭双氧水阀324而停止供给双氧水,通过处理液喷嘴转动机构35，将处理液喷嘴34向基板9的外侧的待机位置移动。接着，进行从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91供给冲洗液的冲洗处理（步骤S19）。作为冲洗液，例如利用纯水或CO2水。冲洗液通过基板9的旋转扩展到基板9的整个上表面91。由此，冲洗掉在基板9上残留的双氧水。当冲洗处理连续进行了规定时间时，停止供给冲洗液。然后，进行干燥处理，即，使基板9的转速增大，通过基板9的旋转，除去在基板9上残留的冲洗液（步骤S20）。然后，停止基板9的旋转（步骤S21），将基板9从基板处理装置10搬出。
如以上说明那样，在基板处理装置10中，对于因干蚀刻和等离子体CVD等的前处理而带电的基板9，在单张处理装置1中利用处理液进行处理（即，利用SPM液进行SPM处理）之前，使基板9的两侧的整个主面与电阻率比该处理液的电阻率大的除静电液相接触，并维持接触状态。由此，基板9的两侧的整个主面比较缓慢地被除静电。在除静电时，不会发生基板9上的电荷快速向除静电液移动而发热的情况，因此能够防止对基板9上的器件造成损伤。
并且，对进行除静电处理后的基板9供给上述处理液，由此，即使基板9与电阻率比除静电液的电阻率小的该处理液接触，也不会发生大量的电荷从基板9向处理液快速移动的情况。因此，在单张处理装置1中利用处理液进行处理时，也能防止因电荷的移动给器件造成的损伤、即损伤基板9。
在基板处理装置10中，利用温度调整部61对除静电液的温度进行调整，由此将除静电液的电阻率维持在比在单张处理装置1利用的处理液的电阻率大的状态，并且，基板9的两侧的主面和除静电液之间进行接触。由此，如上所述，能够在不对器件造成损伤的情况下对基板9进行除静电处理。另外，通过在不对器件造成损伤的范围内提高除静电液的温度使电阻率变小，由此能增大电荷从基板9向除静电液的移动速度。其结果，能够缩短基板9的除静电处理所需的时间。
例如利用在纯水中溶解了二氧化碳（CO2）等而成的含有离子的液体作为除静电液，对除静电液的离子浓度进行调整，由此也能调整除静电液的电阻率。但是，在该方法中，由于使用二氧化碳等，所以有可能增大除静电处理所需的成本。另外，与相同的温度的纯水相比，无法增大除静电液的电阻率。相对于此，在上述的基板处理装置10中，由于通过调整除静电液的温度来调整除静电液的电阻率，所以能够容易且低成本地调整除静电液的电阻率。
如上所述，在基板处理装置10中，基板9上的器件的尺寸越小，将越低的温度决定为除静电液的目标温度，将越大的电阻率决定为目标电阻率。由此，能够根据器件的尺寸来恰当实现防止在单张处理装置1处理时基板9发生损伤和缩短除静电处理的所需时间这两者。
在除静电液接触部7中，与基板9的一个主面相接触的除静电液和与另一个主面相接触的除静电液在基板9的边缘上连续。由此，跟与基板9的一个主面相接触的除静电液和与另一个主面相接触的除静电液不连续的情况相比，通过除静电处理能够使基板9的表面电位（的绝对值）变得更小。
在除静电液接触部7中，通过将基板9整体浸渍在除静电液中，由此能容易使与基板9的一个主面相接触的除静电液和与另一个主面相接触的除静电液连续。另外，由于能够容易使与基板9的每单位面积接触的除静电液的量变大，所以能够使基板9的表面电位（的绝对值）进一步变得更小。
如上所述，在除静电液接触部7中，将多张基板9一次浸渍在除静电液贮存部71内的除静电液中，从而能够高效地进行多张基板9的除静电处理。另外，由于无需向除静电液贮存部71频繁地供给除静电液，所以能够抑制因除静电液和除静电液配管721的摩擦而在除静电液中产生电荷。进而，各基板9从边缘缓缓被浸渍，因此即使万一因电荷从基板9向除静电液的移动而对基板9造成损伤，也仅在对基板9上的器件影响少的基板9的边缘附近产生。因此，能够提高器件的生产率。
在除静电液接触部7中，通过进行上述步骤S121～S123所示的温度调整，能够高精度地调整除静电液的温度。另外，在进行步骤S124～S126所示的温度调整的情况下，与进行步骤S121～S123所示的温度调整的情况相比，能够简化控制部8对温度调整部61的控制。
如上所述，在除静电液接触部7中，作为除静电液，利用了纯水。由此，作为除静电液，与利用在纯水中溶解了二氧化碳（CO2）等而成的含有离子的液体的情况相比，能够降低使用除静电液涉及的成本。
在基板处理装置10中，在步骤S14的除静电处理和步骤S17的利用处理液的处理（SPM处理）之间，通过步骤S15的干燥处理，除去基板9上的除静电液。由此，能够防止由基板9上的除静电液和处理液的混合引起的不良影响。作为该不良影响，例如能够举出由作为除静电液的纯水和SPM液所包含的硫酸之间的反应热造成的基板9的损伤（所谓的热冲击）、由SPM液被除静电液稀释造成的SPM处理的品质的下降、以及因SPM液与除静电液发生部分混合导致SPM液的浓度不均而使整个基板9的SPM处理的均匀性下降。
图8A以及图8B是表示在图4中的步骤S11中在控制部8设定的目标温度的决定流程的一个例子的图。在目标温度的决定处理中，首先，测定得到在步骤S17使用的预定的处理液（SPM液）的电阻率（步骤S611）。接着，获取图3所示的除静电液（纯水）的温度和电阻率之间的关系（步骤S612）。然后，基于在步骤S612获取的关系，获取除静电液的电阻率等于处理液的电阻率的除静电液的温度（步骤S613）。
接着，设定比在步骤S613获取的温度稍低的临时目标温度，准备临时目标温度的除静电液（步骤S614、S615）。与除静电液的准备并行，准备具有与上述基板9同样的结构的试验用基板。试验用基板被浸渍在贮存在贮存部内的临时目标温度的除静电液中。由此，试验用基板的两侧的整个主面与除静电液相接触，通过维持该接触状态规定时间，试验用基板上的电荷减少。换言之，进行试验用基板的除静电处理（步骤S616）。
当除静电处理结束时，试验用基板被从除静电液中取出，进行干燥处理，由此从试验用基板的两面上除去除静电液。接着，向试验用基板的上表面（即，预先形成有器件的面）上供给处理液，与步骤S17同样进行规定的处理（SPM处理）（步骤S617）。
当SPM处理结束时，通过观察等评价试验用基板的上表面的状态（步骤S618），如果上表面的状态良好（步骤S619），则将临时目标温度决定为目标温度。该目标温度被存储在存储部8a中（步骤S623）。在步骤S619中，在试验用基板的上表面上的器件未发生损伤的情况下，评价为上表面的状态良好，在器件发生损伤的情况下，评价为上表面的状态不良好。
在试验用基板的上表面的状态不良好的情况下（步骤S619），进行变更使得步骤S616的除静电处理的时间（即，维持试验用基板与除静电液的接触状态的时间）变长，对新的试验用基板进行除静电处理（步骤S620、S621、S616）。然后，进行SPM处理以及评价试验用基板的上表面的状态（步骤S617、S618）。变更除静电处理的时间的除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价反复进行规定的次数（步骤S619～S621）。其中，在反复进行规定次数结束之前，在步骤S619中判定为试验用基板的上表面的状态良好的情况下，将临时目标温度决定为目标温度，将最新的步骤S616中的除静电处理的时间决定为步骤S14中的除静电时间的时间。该除静电时间存储在存储部8a中。（步骤S623）。
另一方面，即使反复进行规定次数结束，也未判定为试验用基板的上表面的状态良好的情况下，降低临时目标温度（步骤S619、S620、S622）。换言之，将比最新的临时目标温度更低的温度设定为临时目标温度。然后，进行对新的试验用基板的除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价（步骤S616～S618）。如果试验用基板的上表面的状态变为良好，则将临时目标温度决定为目标温度（步骤S619、S623）。另外，在试验用基板的上表面的状态不良好的情况下，将除静电时间变长（步骤S619～S621），除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价反复进行规定次数（步骤S616～S621）。
这样，通过反复进行步骤S616～S622，将SPM处理后的试验用基板的上表面的状态变为良好的临时目标温度以及除静电时间决定为目标温度以及除静电时间（步骤S623）。然后，在基板处理装置10中利用该目标温度的除静电液进行除静电处理，由此，能够防止在利用处理液进行处理时对基板9造成损伤。另外，通过使除静电处理进行所设定的除静电时间，能够防止除静电时间过长。
另外，在该目标除静电温度决定处理中，将电阻率与处理液的电阻率相等的除静电液的温度稍低的温度设为在目标除静电温度获取处理开始时刻的临时目标温度（步骤S614），使该临时目标温度一点一点下降（步骤S622），将在试验用基板的上表面变为良好的时刻的临时目标温度作为最终的目标温度（步骤S622）。除静电液的温度越高，除静电时间越短，因此，能够将对试验用基板的上表面不造成损伤的温度范围内的除静电时间最短的温度，决定为最终的目标温度。
图9是表示目标温度的决定的其他例子的图。在图9中示出目标温度的决定流程的一部分。首先，测定得到在步骤S17使用的预定的处理液（SPM液）的电阻率（步骤S631）。接着，将比处理液的电阻率稍大的电阻率设定为临时目标电阻率（步骤S632）。另外，还获取图3所示的除静电液（纯水）的温度和电阻率之间的关系（步骤S633）。然后，基于在步骤S633获取的关系，获取除静电液的电阻率与在步骤S632设定的电阻率相等的除静电液的温度来作为临时目标温度（步骤S634）。
以下，进行与上述的步骤S615～S623同样的工序，将SPM处理后的试验用基板的上表面的状态良好的临时目标温度以及除静电时间决定为目标温度以及除静电时间。并且，在基板处理装置10中，利用该目标温度的除静电液进行除静电处理，从而在利用处理液进行处理时能够防止基板9发生损伤。另外，除静电处理仅进行所设定的除静电时间，从而防止除静电时间变得过长。图8A、图8B以及图9所示的目标温度的决定处理既可以在基板处理装置10中进行，也可以不使用基板处理装置10来进行。
在图1所示的基板处理装置10中，也可以利用电阻率计作为除静电液测定部62，通过除静电液测定部62测定除静电液的电阻率。在该情况下，在基板处理装置10中，取代图4所示的步骤S11，而如图10所示那样，将除静电处理中的除静电液的优选的电阻率即目标电阻率设定在控制部8（步骤S31）。另外，如图3所示那样的除静电液的温度和电阻率之间的关系也存储在控制部8中。
接着，取代图5所示的步骤S121～S123，通过除静电液测定部62测定在除静电液配管721内流经的除静电液的电阻率（步骤S321）。接着，基于步骤S321中的测定结果与除静电液的温度和电阻率之间的关系，通过温度调整部61调整除静电液的温度，使得除静电液配管721内的除静电液的电阻率和目标电阻率之差变小（步骤S322）。并且，反复进行步骤S321和步骤S322，由此除静电液的电阻率大致被调整并维持在目标电阻率（步骤S323）。由此，能够高精度地调整除静电液的电阻率。
在除静电液的电阻率即使从目标电阻率偏离一些也被允许的情况下，取代图10的步骤S321～S323，而如图11所示那样进行温度调整。首先，通过除静电液测定部62，测定在除静电液配管721内流经的除静电液的电阻率（步骤S324）。接着，基于在步骤S324中的测定结果，求出除静电液配管721内的除静电液的电阻率和目标电阻率之差，并与预先设定的规定的阈值电阻率差进行比较（步骤S325）。
在除静电液的电阻率和目标电阻率之差在阈值电阻率差以下时，不通过温度调整部61调整除静电液的温度。在除静电液的电阻率和目标电阻率之差大于阈值电阻率差时，通过温度调整部61调整除静电液的温度，使得除静电液的电阻率和目标电阻率之差变小（步骤S326）。当将比目标电阻率小了阈值电阻率差的电阻率称为“下限电阻率”，将比目标电阻率大了阈值电阻率差的电阻率称为“上限电阻率”时，通过反复进行步骤S324～S326，除静电液的电阻率被大致调整并维持在下限电阻率以上且上限电阻率以下的范围内。由此，与进行步骤S321～S323所示的温度调整的情况相比，能够简化控制部8对温度调整部61的控制。
在基板处理装置10中，在进行上述的步骤S31、S321～S323的情况下，基板9上的器件的尺寸越小，除静电液的目标电阻率设定得越大。由此，根据器件的尺寸恰当实现防止在单张处理装置1中处理时基板9发生损伤和缩短除静电处理的所需时间这两者。另外，进行步骤S31、S324～S326时也同样。
接着，对本发明的第二实施方式的基板处理装置10a进行说明。图12是表示基板处理装置10a的结构的图。在基板处理装置10a中，在除静电液接触部7设定有比图1所示的除静电液贮存部71小的除静电液贮存部71a。在除静电液贮存部71a贮存的除静电液中浸渍一张基板9。在基板处理装置10a中，省略图1所示的盒体73等。其他结构与图1所示的基板处理装置10同样，在以下的说明中，对对应的结构标注相同的附图标记。
基板处理装置10a中的基板处理流程与图4所示的流程几乎相同，不同之处仅在于，在步骤S14中，在通过控制部8的控制向除静电液贮存部71a内的除静电液中浸渍基板9时，一张基板9从与上表面91相反一侧的主面（以下称为“下表面92”。）开始浸渍。
图13是表示在基板处理装置10a的除静电处理的前后的基板9的上表面91的表面电位的图。通过上述除静电处理，基板9上的电荷减少，基板9的电位整体降低。由此，与图1所示的基板处理装置10同样，能够防止在单张处理装置1对除静电处理后的基板9进行SPM处理时因电荷的移动对器件造成损伤、即对基板9造成损伤。另外，在除静电液接触部7中，与基板9的上表面91以及下表面92接触的除静电液在基板9的边缘上连续。由此，通过除静电处理能够使基板9的表面电位（的绝对值）变得更小。进而，在除静电液接触部7中，由于基板9整体被浸渍在除静电液中，所以能够使基板9的表面电位（的绝对值）进一步变得更小。
接着，对本发明的第三实施方式的基板处理装置10b进行说明。图14是表示基板处理装置10b的结构的图。在基板处理装置10b中，取代除静电液接触部7，而在单张处理装置1设置有除静电液接触部7a。在除静电液接触部7a中，未设置除静电液贮存部和基板干燥部等，而设置有一部分结构与图1所示的除静电液供给部72不同的除静电液供给部72a。其他结构与图1所示的基板处理装置10同样，在以下的说明中，对对应的结构标注相同的附图标记。
图14所示的除静电液供给部72a与图1所示的除静电液供给部72同样，具有除静电液配管721、流量计722、除静电液阀724，除静电液配管721与省略图示的除静电液供给源相连接。另外，除静电液供给部72a具有在除静电液配管721的顶端设置的除静电液喷嘴725和使除静电液喷嘴725以旋转轴7281为中心水平转动的除静电液喷嘴转动机构728。除静电液喷嘴转动机构728具有从旋转轴7281沿水平方向延伸并且安装有除静电液喷嘴725的臂7282。在除静电液配管721上从除静电液供给源向除静电液喷嘴725依次配置流量计722、温度调整部61、除静电液阀724以及除静电液测定部62。
在单张处理装置1中，基板9的外缘部的一部分被基板保持部2支撑，除了与基板保持部2相接触的该一部分，基板9的下表面92与基板保持部2相分离。除静电液供给部72a还具有用于向基板9的下表面92供给除静电液的下表面接触液体部761。下表面接触液体部761配置在与基板9的下表面92的中心部相向的位置，朝向下表面92喷出除静电液。下表面接触液体部761经由下表面用配管762与除静电液配管721相连接，在下表面用配管762上设置有下表面用阀763。
在除静电液接触部7a中，与除静电液接触部7同样，由设定了目标温度的控制部8控制温度调整部61，来调整除静电液的温度（图4：步骤S11、S12），并大致维持在目标温度。由此，除静电液的电阻率大致被维持在目标电阻率。或者，除静电液的温度也可以大致维持在下限温度以上且上限温度以下的范围内。在除静电液接触部7a中，也可以如图10或图11示那样在控制部8设定目标电阻率（步骤S31），基于该目标电阻率，来调整除静电液的温度（步骤S321～S323、或步骤S324～S326）。
被调整了温度的除静电液输送至除静电液喷嘴725以及下表面接触液体部761，从朝向基板9的上表面91的中心部上方的除静电液喷嘴725的顶端的喷出口，向基板9的上表面91供给除静电液，另外，从与基板9的下表面92的中心部相向的下表面接触液体部761向基板9的下表面92供给除静电液。当将除静电液喷嘴725以及下表面接触液体部761分别称为第一除静电液接触部以及第二除静电液接触部时，在除静电液接触部7a中，通过第一除静电液接触部以及第二除静电液接触部，基板9的上表面91以及下表面92与除静电液相接触。
图15是表示基板处理装置10b中的基板9的处理流程的一部分的图。首先，与图1所示的基板处理装置10同样，在控制部8设定基于基板9上的器件的尺寸等决定的除静电液的目标温度（步骤S41）。接着，带电的状态的基板9被搬入基板处理装置10b，并由单张处理装置1的基板保持部2保持。
在除静电液接触部7a中，在除静电液喷嘴725位于基板9的外侧的待机位置的状态下，开始从除静电液喷嘴725喷出除静电液（纯水）。然后，基于作为除静电液测定部62的测定结果的除静电液温、以及上述的目标温度，对温度调整部61进行反馈控制。由此，除静电液的温度被调整在除静电液的电阻率大于处理液（SPM液）的电阻率的温度范围内（步骤S42）。除静电液的温度调整的详细过程与图5中的步骤S121～S123、或图6中的步骤S124～S126相同。
当除静电液的温度调整结束时，通过图14所示的基板旋转机构42使基板9开始旋转。接着，如图16所示，打开下表面用阀763，开始从下表面接触液体部761的顶端的喷出口向基板9的下表面92喷出如上述那样温度被调整的除静电液95。基板9的旋转速度比在后述的SPM处理时的旋转速度低。与基板9的下表面92接触的除静电液95借助基板9的旋转从基板9的下表面92的中心部扩展到整个面。当除静电液95扩展到基板9的整个下表面92时，停止除静电液95的喷出以及基板9的旋转。由此，维持基板9的整个下表面92（其中，除去与基板保持部2的接触部分。）与除静电液95相接触的状态，其结果，基板9的下表面92的电荷向除静电液95比较缓慢移动，对基板9的整个下表面92进行除静电处理（步骤S43）。
当向基板9的下表面92供给除静电液95结束时，除静电液喷嘴725通过除静电液喷嘴转动机构728从待机位置移动，除静电液喷嘴725的顶端的喷出口朝向基板9的上表面91的中心部。然后，从除静电液喷嘴725向基板9的上表面91上供给规定量的除静电液95后，停止从除静电液喷嘴725供给除静电液95（进行所谓的浸没处理。）。从除静电液喷嘴725供给的除静电液95从基板9的中心部向整个上表面91扩展，在上表面91上形成除静电液95的薄的层（例如，厚度约为1mm的层），整个上表面91被除静电液95浸没（puddle）（步骤S44）。由此，基板9的上表面91的电荷向除静电液95比较缓慢地移动，对基板9的整个上表面91进行除静电处理。此外，与基板9的下表面92相接触的除静电液95和与基板9的上表面91相接触的除静电液95在基板9上不连续。
在基板处理装置10b中，在基板旋转机构42停止的状态下，基板9的整个上表面91被除静电液95浸没，并且，将基板9的整个下表面92与除静电液95相接触的状态维持规定时间，由此对基板9的整个上表面91以及整个下表面92进行除静电处理。
当除静电处理结束时，开始使基板9旋转（图4：步骤S16），基板9的上表面91以及下表面92上的除静电液因基板9的旋转被除去。由此，能够防止在接下来的SPM处理时除静电液和SPM液在基板9的上表面91进行混合。其结果，能够防止基板9上的由除静电液和处理液的混合导致的上述不良影响。
当除静电液的除去结束时，从图14所示的处理液供给部3向基板9的上表面91上供给SPM液，进行SPM处理（步骤S17）。接着，从处理液供给部3向基板9的上表面91上供给双氧水，进行双氧水供给处理后，向基板9的上表面91上供给冲洗液（纯水）来进行冲洗处理（步骤S18、S19）。冲洗液既可以从省略图示的冲洗液供给部供给，也可以从除静电液接触部7a的除静电液喷嘴725供给。然后，进行通过基板9的旋转来除去基板9上的冲洗液的干燥处理，并停止基板9的旋转（步骤S20、S21）。
图17是表示基板处理装置10b的除静电处理前后的基板9的上表面91的表面电位的图。通过上述的除静电处理，基板9上的电荷减少，基板9的电位整体降低。由此，与图1所示的基板处理装置10同样，能够防止对除静电处理后的基板9进行SPM处理时因电荷的移动对器件造成损伤、即对基板9造成损伤。另外，在基板处理装置10b中，通过将除静电液接触部7a设置在单张处理装置1，能够使基板处理装置10b小型化。
在基板处理装置10b中，对基板9的除静电处理在基板旋转机构42实质停止的状态下进行。由此，能够有效地进行基板9的除静电处理。基板旋转机构42实质停止的状态不仅包括如上述那样基板旋转机构42对基板9的旋转完全停止的状态，而且包括基板9通过基板旋转机构42以低的转速（例如，10～200rpm）旋转，而通过该旋转对基板9上的除静电液的层不产生实质性影响的状态。
图18是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置10c的结构的图。如图18所示，基板处理装置10c是对半导体基板9（以下仅称为“基板9”。）一张一张进行处理的单张式的装置。在基板处理装置10c中，向基板9供给SPM（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture）液来进行SPM处理、即基板9上的抗蚀剂膜的除去处理。
基板处理装置10c具有基板保持部2、处理液供给部3、杯部41、基板旋转机构42、除静电液供给部5、温度调整部61、除静电液测定部62和控制部8。基板保持部2在基板9的一个主面91（以下称为“上表面91”。）朝向上侧的状态下保持基板9。处理液供给部3向基板9的上表面91上供给SPM液等处理液。杯部41包围基板9以及基板保持部2的周围。
基板旋转机构42使基板9与基板保持部2一起水平地进行旋转。基板9通过基板旋转机构42以通过基板9的中心并与基板9的上表面91垂直的旋转轴为中心进行旋转。除静电液供给部5向基板9的上表面91上供给除静电液。温度调整部61对向基板9供给的除静电液的温度进行调整。除静电液测定部62是测定除静电液的温度的温度传感器。存储部8a保存目标温度和除静电时间（详细内容在后面叙述），在执行基板处理时，将它们设定在控制部8。控制部8基于上述目标温度等对处理液供给部3、除静电液供给部5、温度调整部61以及除静电液测定部62等的结构进行控制。在基板处理装置10c中，基板保持部2、杯部41、基板旋转机构42等容纳在省略图示的腔室内。
处理液供给部3具有用于供给硫酸的硫酸供给部31、用于供给双氧水的双氧水供给部32、与硫酸供给部31以及双氧水供给部32相连接的混合液生成部33、配置在基板9的上方并向基板9喷出液体的处理液喷嘴34、使处理液喷嘴34以旋转轴351为中心水平转动的处理液喷嘴转动机构35。处理液喷嘴转动机构35具有从旋转轴351沿水平方向延伸并安装有处理液喷嘴34的臂352。
硫酸供给部31具有用于贮存硫酸的硫酸贮存部311、与硫酸贮存部311以及混合液生成部33相连接的硫酸配管312、从硫酸贮存部311经由硫酸配管312向混合液生成部33供给硫酸的硫酸泵313、在硫酸配管312上设置的硫酸阀314、以及在硫酸泵313和硫酸阀314之间设置在硫酸配管312上并对硫酸进行加热的硫酸加热部315。硫酸配管312在硫酸加热部315和硫酸阀314之间分支并连接至硫酸贮存部311，在硫酸阀314被关闭的状态下，被硫酸加热部315加热后的硫酸在硫酸贮存部311和硫酸加热部315之间循环。
双氧水供给部32具有用于贮存双氧水的双氧水贮存部321、与双氧水贮存部321以及混合液生成部33相连接的双氧水配管322、从双氧水贮存部321经由双氧水配管322向混合液生成部33供给双氧水的双氧水泵323、设置在双氧水配管322上的双氧水阀324。此外，硫酸贮存部311以及双氧水贮存部321可以设置在基板处理装置10c的外部，并分别连接有硫酸配管312以及双氧水配管322。
混合液生成部33具有与硫酸配管312以及双氧水配管322相连接的混合阀331、与混合阀331以及处理液喷嘴34相连接的喷出用配管332、设置在喷出用配管332上的搅拌流通管333。在混合液生成部33中，来自硫酸供给部31的被加热后的硫酸和来自双氧水供给部32的常温（即与室温大致相同的温度）的双氧水在混合阀331中混合，来生成作为混合液的SPM液（硫酸双氧水混合溶液）。
SPM液通过搅拌流通管333以及喷出用配管332被输送到处理液喷嘴34。通过在搅拌流通管333中搅拌SPM液，从而促进SPM液中含有的硫酸和双氧水之间的化学反应。作为处理液的SPM液从处理液喷嘴34的顶端的喷出口向基板9的上表面91被喷出。在本实施方式中，由硫酸加热部315被加热至约130℃～150℃的硫酸被从硫酸供给部31供给至混合液生成部33。此外，也可以适当变更从硫酸供给部31供给的硫酸的温度。
除静电液供给部5具有除静电液配管51、流量计52、除静电液阀54、除静电液喷嘴55、除静电液喷嘴转动机构58。除静电液配管51与除静电液喷嘴55和省略图示的除静电液供给源相连接。除静电液喷嘴55的顶端的喷出口位于基板9的上表面91的中心部上方。来自除静电液供给源的除静电液由除静电液配管51引导至除静电液喷嘴55，并从除静电液喷嘴55的喷出口向基板9的上表面91上喷出。除静电液喷嘴转动机构58具有从旋转轴581沿水平方向延伸并且安装有除静电液喷嘴55的臂582。除静电液喷嘴转动机构58使除静电液喷嘴55与臂582一起以旋转轴581为中心水平转动。
在除静电液配管51上，从除静电液供给源向除静电液喷嘴55依次配置有流量计52、温度调整部61、除静电液阀54以及除静电液测定部62。流量计52测定在除静电液配管51内流经的除静电液的流量。温度调整部61根据需要对在除静电液配管51内流经的除静电液进行加热或冷却，来对除静电液配管51内的除静电液的温度进行调整。除静电液阀54对在除静电液配管51内流经的除静电液的流量进行调整。除静电液测定部62对在除静电液配管51内流经的除静电液的温度进行测定。在除静电液供给部5中，作为除静电液，利用纯水（DIW）。
纯水的温度和电阻率之间的关系如图3所示。如图3所示，纯水的电阻率随着液温上升而逐渐减小。纯水的电阻率在纯水的凝固点以上且沸点以下的整个范围内都大于上述的SPM液的电阻率。从除静电液供给部5供给的除静电液只要是随着液温上升而电阻率逐渐减小的液体即可，并不限于纯水。另外，除静电液的电阻率只要在除静电液的凝固点以上且沸点以下的至少规定的温度范围内大于从处理液供给部3供给的处理液的电阻率即可。。作为除静电液，例如可以利用在纯水中溶解二氧化碳（CO2）而成的如CO2水那样的含离子的液体。在其他实施方式中也同样。
除静电液测定部62的测定结果（即，除静电液的温度）被发送至控制部8。控制部8基于在存储部8a内存储的除静电液的目标温度、即后述的除静电处理中的除静电液的优选的温度，来控制单张处理装置1、温度调整部61以及除静电液测定部62等的结构。除静电液的目标温度是用于实现在除静电处理中的除静电液的优选的电阻率（即目标电阻率）的温度。除静电液的目标电阻率大于从处理液供给部3供给的处理液的电阻率。目标温度基于目标电阻率与在图3所示的除静电液的温度和电阻率之间的关系等来求取。目标温度的具体的求取方法在后面叙述。
在基板9的上表面91上预先形成的器件的尺寸越小（即器件的配线的最小宽度越小），目标电阻率设定得越大。因此，在基板9的上表面91上预先形成的器件的尺寸越小，目标温度设定得越低。在本实施方式中，目标电阻率设定在约1～18MΩ·cm的范围，目标温度设定在约25～100℃的范围。
在基板处理装置10c中，基于除静电液测定部62的测定结果以及上述的目标温度，由控制部8对温度调整部61进行反馈控制。在温度调整部61中，对除静电液的温度进行调整，使得除静电液配管51内的除静电液的温度和目标温度之差变小。由此，向基板9的上表面91上供给的除静电液的温度大致维持在目标温度。换言之，通过上述反馈控制，除静电液的温度维持在可以说实质上等于目标温度的窄的温度范围（当然，包含目标温度。）内。
在基板处理装置10c中，存在除静电液的温度即使偏离目标温度一些也被允许的情况。在这种情况下，由除静电液测定部62测定的除静电液的温度和目标温度之差在阈值温度差以下时，控制部8停止通过温度调整部61调整除静电液的温度，仅在除静电液的温度和目标温度之差大于阈值温度差时，通过温度调整部61调整除静电液的温度。当将比目标温度低了阈值温度差的温度称为“下限温度”，将比目标温度高了阈值温度差的温度称为“上限温度”时，通过上述温度调整，将向基板9上供给的除静电液的温度大致维持在下限温度以上且上限温度以下的范围内。在上限温度下的除静电液的电阻率大于从处理液供给部3供给的处理液的电阻率。
这样，在除静电液供给部5中，控制部8对温度调整部61进行控制，由此使向基板9上供给的除静电液的温度处于除静电液的电阻率大于上述处理液的电阻率的范围内。
接着，参照图19对基板处理装置10c中的基板9的处理流程进行说明。首先，与要使用的基板9对应的目标温度和除静电时间被从存储部8a读出并设定在控制部8（步骤S71）。在本实施方式中，目标温度和除静电时间预先存储在存储部8a中，在开始基板处理的时刻，被从存储部8a读出并设定在控制部8。但是，也可以不将目标温度和除静电时间存储在存储部8a，每当开始基板处理，作业者使用未图示的输入单元将目标温度和除静电时间设定在控制部8。
另外，也可以取代使目标温度存储在存储部8a，而使表示基板9上的器件的尺寸和除静电液的目标温度的关系的表格预先存储在存储部8a中。在该情况下，在开始对基板9进行基板处理之前，在存储部8a中输入处理对象的基板9上的器件的尺寸，接着，基于该器件的尺寸和所述表格来决定与基板9对应的目标温度，最后将该目标温度设定于控制部8。关于目标温度和除静电时间的决定以及向控制部8的设定（或后述的目标电阻率的决定以及设定），在后述的其他基板处理装置中也同样。
接着，基板9被搬入并由基板保持部2保持。基板9在被搬入基板处理装置10c之前，经过干蚀刻和等离子体CVD（Chemical Vapor Deposition）等干式工序，基板9处于带电的状态。
在除静电液供给部5中，在除静电液喷嘴55位于基板9的外侧的待机位置的状态下，通过控制部8打开除静电液阀54，开始从除静电液喷嘴55喷出除静电液（纯水）。然后，基于作为除静电液测定部62的测定结果的除静电液的温度、以及上述的目标温度，对温度调整部61进行反馈控制。由此，除静电液的温度被调整至除静电液的电阻率大于处理液（SPM液）的电阻率的温度范围内（步骤S72）。步骤S72中的除静电液的温度调整的流程与图5所示的步骤S121～S123、或图6所示的步骤S124～S126相同。
当除静电液的温度调整结束时，通过除静电液喷嘴转动机构58使除静电液喷嘴55从待机位置移动，如图18所示，除静电液喷嘴55的顶端的喷出口朝向基板9的上表面91的中心部。此时，基板旋转机构42停止，基板9处于未旋转的状态。
当从除静电液喷嘴55向基板9的上表面91上供给规定量的除静电液时，停止从除静电液喷嘴55供给除静电液（进行所谓的浸没处理）。从除静电液喷嘴55供给的除静电液从基板9的中心部扩展到整个上表面91，在上表面91上形成除静电液的薄的层（例如，厚度约为1mm的层），整个上表面91被除静电液浸没。
这样，通过基板9的上表面91与除静电液相接触，基板9上的电荷向除静电液比较缓慢地移动。并且，通过使基板9与除静电液的接触状态维持规定的时间，在不对基板9上的器件造成损伤的情况下使基板9上的电荷减少。换言之，利用除静电液对基板9的上表面91进行浸没处理，由此对基板9的整个上表面91进行除静电处理（步骤S73）。该浸没处理在基板旋转机构42停止的状态下进行。
图20是表示基板处理装置10c的除静电处理的前后的基板9的上表面91的表面电位的图。在图20中示出在基板9的中心部的表面电位的绝对值。通过上述的除静电处理，基板9上的电荷减少，基板9的电位整体上降低。在基板处理装置10c中，基板9上的器件的尺寸比较小的情况下，除静电液的温度例如维持在约25℃，除静电液的电阻率约为18MΩ·cm。另外，在基板9上的器件的尺寸比较大（即，对由电荷的移动造成的损伤的耐性比较高）的情况下，除静电液的温度被维持在例如比100℃稍低的温度，除静电液的电阻率约为1MΩ·cm。这样，通过提高除静电液的温度使电阻率变得比较小，从而电荷从基板9向除静电液的移动速度增大。其结果，能够缩短基板9的除静电处理所需要的时间。
当基板9的除静电处理结束时，通过除静电液喷嘴转动机构58使除静电液喷嘴55返回到待机位置。接着，由控制部8控制基板旋转机构42，开始使基板9旋转（步骤S74）。并且，基板9的上表面91上的除静电液借助基板9的旋转向基板9的边缘移动，并从基板9的边缘向外侧飞散，被从基板9的整个上表面91除去（步骤S75）。从基板9飞散的除静电液由杯部41接收。在基板处理装置10c中，基板旋转机构42作为通过使基板9旋转来除去上表面91上的液体的液体除去部发挥作用。
当除静电液的除去结束时，通过基板旋转机构42使基板9的转速减小并变为SPM处理时的转速。另外，通过处理液喷嘴转动机构35使处理液喷嘴34开始转动，处理液喷嘴34在基板9的中心部和边缘之间反复往复移动。
接着，由控制部8控制处理液供给部3，打开硫酸供给部31的硫酸阀314，被硫酸加热部315加热至约130℃～150℃的硫酸经由硫酸配管312被供给至混合液生成部33的混合阀331。另外，由控制部8打开双氧水阀324，常温的双氧水从双氧水贮存部321经由双氧水配管322向混合阀331供给。在混合阀331中，加热后的硫酸和常温的双氧水混合而生成SPM液。SPM液的温度因硫酸和双氧水的反应而变为比从硫酸供给部31供给的硫酸的温度高的约150℃～195℃。
SPM液通过喷出用配管332以及搅拌流通管333，从处理液喷嘴34向基板9的上表面91供给。换言之，通过处理液供给部3，被加热后的硫酸和双氧水混合并被供给至基板9的上表面91。SPM液通过基板9的旋转扩展到基板9的整个上表面91，并从基板9的边缘向外侧飞散，由杯部41接收。在基板处理装置10c中，SPM液向基板9的供给连续进行规定时间，来进行对基板9的SPM处理、即利用SPM液所包含的过硫酸的强氧化力来除去基板9上的抗蚀剂膜的除去处理（步骤S76）。此外，在基板处理装置10c中，也可以从在基板9的中心部的上方停止的处理液喷嘴34供给SPM液等。
当SPM处理结束时，在打开双氧水阀324的状态下，关闭硫酸阀314，双氧水通过混合阀331、喷出用配管332以及搅拌流通管333从处理液喷嘴34被供给至除去了抗蚀剂膜的基板9上（步骤S77）。通过该双氧水供给处理，除去在混合阀331、喷出用配管332、搅拌流通管333以及处理液喷嘴34内残留的SPM液。另外，被供给至基板9上的双氧水通过基板9的旋转扩散到基板9的整个上表面91，将残留在基板9上的SPM液从基板9的边缘挤向外侧来除去。
当双氧水供给处理结束时，关闭双氧水阀324而停止供给双氧水,通过处理液喷嘴转动机构35，将处理液喷嘴34向基板9的外侧的待机位置移动。接着，进行从省略图示的冲洗液供给部向基板9的上表面91供给冲洗液的冲洗处理（步骤S78）。作为冲洗液，例如利用纯水或CO2水。冲洗液通过基板9的旋转扩展到基板9的整个上表面91。由此，冲洗掉在基板9上残留的双氧水。当冲洗处理连续进行了规定时间时，停止供给冲洗液。然后，进行干燥处理，即，使基板9的转速增大，通过基板9的旋转，除去在基板9上残留的冲洗液（步骤S79）。然后，停止基板9的旋转（步骤S80），将基板9从基板处理装置10c搬出。
如以上说明那样，在基板处理装置10c中，对于因干蚀刻和等离子体CVD等的前处理而带电的基板9，在利用从处理液供给部3供给的处理液进行处理（即利用SPM液进行SPM处理）之前，供给电阻率比该处理液的电阻率大的除静电液，基板9的整个上表面91被该除静电液浸没。由此，基板9的整个上表面91被比较缓慢地除静电。在除静电时，由于不会发生因基板9上的电荷快速向除静电液移动而发生的情况，所以能够防止在基板9上的器件上发生损伤。
并且，向进行除静电处理后的基板9供给上述处理液（SPM液），由此，即使基板9与电阻率比除静电液的电阻率小的该处理液接触，也不会发生大量的电荷从基板9向处理液快速移动的情况。因此，也能够防止在利用处理液进行处理时因电荷的移动给器件造成的损伤、即损伤基板9。
在基板处理装置10c中，利用温度调整部61对除静电液的温度进行调整，由此将除静电液的电阻率维持在比处理液的电阻率大的状态，并且，基板9的整个上表面91被除静电液浸没。由此，如上所述，能够在不对器件造成损伤的情况下对基板9进行除静电处理。另外，通过在不对器件造成损伤的范围内提高除静电液的温度使电阻率变小，由此能增大电荷从基板9向除静电液的移动速度。其结果，能够缩短基板9的除静电处理所需的时间。
例如利用在纯水中溶解了二氧化碳（CO2）等而成的含有离子的液体作为除静电液，对除静电液的离子浓度进行调整，由此也能调整除静电液的电阻率。但是，在该方法中，由于使用二氧化碳等，所以有可能增大除静电处理所需的成本。另外，与相同的温度的纯水相比，无法增大除静电液的电阻率。相对于此，在上述的基板处理装置10c中，由于通过调整除静电液的温度来调整除静电液的电阻率，所以能够容易且低成本地调整除静电液的电阻率。
如上所述，在基板处理装置10c中，基板9上的器件的尺寸越小，将越低的温度决定为除静电液的目标温度，将越大的电阻率决定为目标电阻率。由此，能够根据器件的尺寸来恰当实现防止在利用处理液处理时基板9发生损伤和缩短除静电处理的所需时间这两者。
在基板处理装置10c中，对基板9的除静电处理在基板旋转机构42实质停止的状态下进行。由此，能够有效地进行基板9的除静电处理。基板旋转机构42实质停止的状态不仅包括如上述那样基板旋转机构42对基板9的旋转完全停止的状态，而且包括基板9通过基板旋转机构42以低的转速（例如，10～200rpm）旋转，而通过该旋转对基板9上的除静电液的层不产生实质性影响的状态。在基板9以低的转速旋转的状态下进行除静电处理时，基板9的旋转在步骤S73之前开始。
在基板处理装置10c中，在除静电液对基板9的整个上表面91的浸没处理（步骤S73:除静电处理）和利用处理液进行的处理（步骤S76:SPM处理）之间，基板旋转机构42被控制部8控制作为液体除去部，来从基板9的上表面91上除去除静电液（步骤S75）。由此，能够防止由基板9上的除静电液和处理液的混合引起的不良影响。作为该不良影响，例如能够举出由作为除静电液的纯水和SPM液所包含的硫酸之间的反应热造成的基板9的损伤（所谓的热冲击）、由SPM液被除静电液稀释造成的SPM处理的品质的下降、以及因SPM液与除静电液发生部分混合导致SPM液的浓度不均而使整个基板9的SPM处理的均匀性下降。
在基板处理装置10c中，通过基板旋转机构42使基板9进行旋转，能够容易地除去基板9上的除静电液。另外，由于通过在SPM处理时用于基板9的旋转的基板旋转机构42也能从基板9上除去除静电液，因此能够简化基板处理装置10c的结构。
在基板处理装置10c中，通过进行上述步骤S121～S123所示的温度调整，能够高精度地调整除静电液的温度。另外，进行步骤S124～S126所示的温度调整的情况与进行步骤S121～S123所示的温度调整的情况相比，能够简化控制部8对温度调整部61的控制。
如上所述，在基板处理装置10c中，作为除静电液，利用了纯水。由此，作为除静电液，与利用在纯水中溶解了二氧化碳（CO2）等而成的含有离子的液体的情况相比，能够降低使用除静电液涉及的成本。
图19中的步骤S71中，在控制部8设定的目标温度的决定的流程与在图8A以及图8B所示的流程类似，因此，以下参照图8A以及图8B对目标温度的决定进行说明。在目标温度的决定处理中，首先，测定得到在步骤S76使用的预定的处理液（SPM液）的电阻率（步骤S611）。接着，还获取图3所示的除静电液（纯水）的温度和电阻率之间的关系（步骤S612）。然后，基于在步骤S612获取的关系，获取除静电液的电阻率等于处理液的电阻率的除静电液的温度（步骤S613）。
接着，设定比在步骤S613获取的温度稍低的临时目标温度，准备临时目标温度的除静电液（步骤S614、S615）。与除静电液的准备并行，准备具有与上述基板9同样的结构的试验用基板。向试验用基板的上表面（即，预先形成有器件的面）供给除静电液，利用除静电液进行浸没处理。由此，试验用基板的整个上表面与除静电液接触，通过维持该接触状态规定的时间，试验用基板上的电荷减少。换言之，进行试验用基板的除静电处理（步骤S616）。
当除静电处理结束时，通过旋转试验用基板，从试验用基板的上表面上除去除静电液。接着，向试验用基板的上表面上供给处理液，与步骤S76同样进行规定的处理（SPM处理）（步骤S617）。
当SPM处理结束时，通过观察等评价试验用基板的上表面的状态（步骤S618）,如果上表面的状态良好（步骤S619），则将临时目标温度决定为目标温度。该目标温度存储在存储部8a中（步骤S623）。在步骤S619中，在试验用基板的上表面上的器件未发生损伤的情况下，评价为上表面的状态良好，在器件发生损伤的情况下，评价为上表面的状态不良好。
在试验用基板的上表面的状态不良好的情况下（步骤S619）,进行变更使得步骤S616的除静电处理的时间（即，维持试验用基板与除静电液的接触状态的时间）变长，对新的试验用基板进行除静电处理（步骤S620、S621、S616）。然后，进行SPM处理以及评价试验用基板的上表面的状态（步骤S617、S618）。变更除静电处理的时间的除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价反复进行规定的次数（步骤S619～S621）。其中，在反复进行规定次数结束之前，在步骤S619中判定为试验用基板的上表面的状态良好的情况下，将临时目标温度决定为目标温度，将最新的步骤S616中的除静电处理的时间决定为步骤S73中的除静电时间的时间。该除静电时间存储在存储部8a中（步骤S623）。
另一方面，即使反复进行规定次数结束，也未判定为试验用基板的上表面的状态良好的情况下，降低临时目标温度（步骤S619、S620、S622）。换言之，将比最新的临时目标温度更低的温度设定为临时目标温度。然后，进行对新的试验用基板的除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价（步骤S616～S618）。如果试验用基板的上表面的状态变为良好，则将临时目标温度决定为目标温度（步骤S619、S623）。另外，在试验用基板的上表面的状态不良好的情况下，将除静电时间变长（步骤S619～S621），除静电处理、SPM处理以及试验用基板的评价反复进行规定次数（步骤S616～S621）
这样，通过反复进行步骤S616～S622，将SPM处理后的试验用基板的上表面的状态变为良好的临时目标温度以及除静电时间决定为目标温度以及除静电时间（步骤S623）。然后，在基板处理装置10c中利用该目标温度的除静电液进行除静电处理，由此，能够防止在利用处理液进行处理时对基板9造成损伤。另外，通过使除静电处理进行所设定的除静电时间，能够防止除静电时间过长。
另外，在该目标除静电温度决定处理中，将电阻率与处理液的电阻率相等时的除静电液的温度稍低的温度设为在目标除静电温度获取处理开始时刻的临时目标温度（步骤S614），使该临时目标温度一点一点下降（步骤S622），将在试验用基板的上表面变为良好的时刻的临时目标温度作为最终的目标温度（步骤S622）。除静电液的温度越高，除静电时间越短，因此，能够将对试验用基板的上表面不造成损伤的温度范围内的除静电时间最短的温度，决定为最终的目标温度。
临时目标温度的设定也可以例如利用图9所示的方法进行。在该情况下，首先，测定得到在步骤S76使用的预定的处理液（SPM液）的电阻率（步骤S631）。接着，将比处理液的电阻率稍大的电阻率设定为临时目标电阻率（步骤S632）。另外，还获取图3所示的除静电液（纯水）的温度和电阻率之间的关系（步骤S633）。然后，基于在步骤S633获取的关系，获取除静电液的电阻率与在步骤S632设定的电阻率相等的除静电液的温度来作为临时目标温度（步骤S634）。
下面，进行与上述的步骤S615～S623同样的工序，将SPM处理后的试验用基板的上表面的状态良好的临时目标温度以及除静电时间决定为目标温度以及除静电时间。并且，在基板处理装置10c中，利用该目标温度的除静电液进行除静电处理，从而在利用处理液进行处理时能够防止基板9发生损伤。另外，除静电处理仅进行所设定的除静电时间，从而防止除静电时间变得过长。图8A、图8B以及图9所示的目标温度的决定处理既可以在基板处理装置10c中进行，也可以不使用基板处理装置10c来进行。
在图18所示的基板处理装置10c中，也可以利用电阻率计作为除静电液测定部62，通过除静电液测定部62测定除静电液的电阻率。在该情况下，在基板处理装置10c中，利用上述的图10或图11所示的方法调整除静电液的温度。
接着，对本发明的第五实施方式的基板处理装置进行说明。图21是表示第五实施方式的基板处理装置10d的结构的图。在基板处理装置10d中，除了图18所示的基板处理装置10c的结构外，还具有向基板9的上表面91上供给液状的异丙醇（以下称为“IPA”。）的IPA供给部77。其他结构与图18所示的基板处理装置10c同样，在以下的说明中，对对应的结构标注相同的附图标记。在图21中，为了便于图示，省略了处理液供给部3的图示，但处理液供给部3的结构也与图18所示的基板处理装置10c同样。另外，在图21中，还省略控制部8的图示。
IPA供给部77具有与省略图示的IPA贮存部相连接的IPA配管771、与IPA配管771的顶端相连接的IPA喷嘴772、在IPA配管771上设置的IPA阀773、以及使IPA喷嘴772以旋转轴775为中心水平转动的IPA喷嘴转动机构774。IPA喷嘴转动机构774具有从旋转轴775沿水平方向延伸并且安装IPA喷嘴772的臂776。
图22是表示基板处理装置10d中的基板9的处理流程的一部分的图。在基板处理装置10d中，进行与图19所示的步骤S71～S73同样的工序后，进行图22中的步骤S91～S93，然后，进行与图19所示的步骤S76～S80同样的工序。
具体地说，首先，将基于基板9上的器件的尺寸等决定的除静电液（纯水）的目标温度设定在控制部8（参照图18）（步骤S71）。接着，将因干式工序而带电的状态的基板9搬入基板处理装置10d并由基板保持部2保持。另外，通过温度调整部61将除静电液的温度调整至除静电液的电阻率大于处理液（SPM液）的电阻率的温度范围内（步骤S72）。然后，从除静电液供给部5向基板9上供给除静电液，将基板9的整个上表面91由除静电液浸没，来进行除静电处理（步骤S73）。
当基板9的除静电处理结束时，利用除静电液喷嘴转动机构58使除静电液喷嘴55转动，从图21所示的位置返回到基板9的外侧的待机位置。另外，IPA喷嘴772通过IPA喷嘴转动机构774从待机位置移动，如图21所示那样，IPA喷嘴772的顶端的喷出口朝向基板9的上表面91的中心部。接着，由控制部8打开IPA供给部77的IPA阀773，将IPA向基板9上供给。在基板9上，除静电液因供给至上表面91的中心部的IPA而向基板9的边缘移动，并从该边缘被挤出到基板9的外侧，而从基板9的上表面91上被除去（步骤S91）。这样，IPA供给部77作为通过将基板9上的除静电液等的液体置换为IPA来将该液体从基板9的上表面91上除去的液体除去部发挥功能。
当除静电液的除去结束时，IPA喷嘴772返回到待机位置，由控制部8控制基板旋转机构42，由此开始基板9的旋转（步骤S92）。然后，基板9的上表面91上的IPA通过基板9的旋转向基板9的边缘移动，并从基板9的边缘向外侧飞散，而从基板9上被除去（步骤S93）。
当IPA的除去结束时，通过基板旋转机构42使基板9的转速减小，并变为SPM处理时的转速。另外，利用图18所示的处理液喷嘴转动机构35使处理液喷嘴34开始转动，处理液喷嘴34在基板9的中心部和边缘之间反复进行往复运动。并且，从处理液喷嘴34向基板9的上表面91上供给SPM液，对基板9进行SPM处理（步骤S76）。此外，也可以在基板9上残留IPA的状态开始对基板9供给SPM液。
当SPM处理结束时，从处理液喷嘴34向基板9上供给双氧水，来除去基板9上的SPM液（步骤S77）。当双氧水供给处理结束时，处理液喷嘴34返回到基板9的外侧的待机位置，通过进行向基板9的上表面91供给冲洗液（纯水）的冲洗处理，来从基板9上除去双氧水（步骤S78）。然后，进行干燥处理，即，使基板9的转速增大，通过基板9的旋转，除去在基板9上残留的冲洗液（步骤S79）。然后，停止基板9的旋转（步骤S80），将基板9从基板处理装置10d搬出。
在基板处理装置10d中，与图18所示的基板处理装置10c同样，由温度调整部61调整除静电液的温度，将除静电液的电阻率维持在比处理液（SPM液）的电阻率大的状态，并且基板9的整个上表面91被除静电液浸没。由此，能够在不对器件造成损伤的情况下对基板9进行除静电处理。其结果，在利用处理液进行处理时能够防止因电荷的移动给器件造成的损伤、即损伤基板9。另外，通过在不对器件造成损伤的范围内提高除静电液的温度使电阻率变小，由此能增大电荷从基板9向除静电液的移动速度。其结果，能够缩短基板9的除静电处理所需的时间。
在基板处理装置10d中，与图18所示的基板处理装置10c同样，在利用除静电液进行的浸没处理（步骤S73）和利用处理液进行的处理（步骤S76）之间，从基板9的上表面91上除去除静电液（步骤S91）。由此，能够防止由除静电液和处理液的混合引起的如热冲击那样的已述的不良影响。
另外，在步骤S91中，通过向基板9上供给IPA，能够在不使基板9旋转的情况除去除静电液。但是，在要通过使基板9旋转来除去除静电液时，在基板9上的器件的配线图案的宽度小的情况下，有可能因除静电液的表面张力使配线图案发生倒塌。在基板处理装置10d中，如上述那样通过表面张力比纯水等的表面张力小的IPA从基板9上除去除静电液后，通过基板9的旋转除去IPA，因此，能够防止在除去除静电液时发生配线图案的倒塌等基板的损伤。
此外，基板处理装置10d具有基板旋转机构42以及IPA供给部77，因此，可以根据基板9上的器件的尺寸等选择基板旋转机构42以及IPA供给部77中的一个来作为液体除去部进行利用。即，在基板处理装置10d中，液体除去部具有基板旋转机构42以及IPA供给部77。
上述的基板处理装置10、10a～10d能够进行各种变更。
在基板处理装置10中，例如也可以通过除静电液测定部62来测定在除静电液贮存部71贮存的除静电液的温度或电阻率。另外，也可以将根据需要对除静电液贮存部71内的除静电液进行加热或冷却的机构设置为温度调整部61。
在基板处理装置10b的除静电处理中，只要维持基板9的上表面91上的除静电液的层不崩溃即可，除静电液向上表面91的供给以及浸没处理也可以在基板9正旋转的状态下进行。另外，除静电液对基板9的上表面91的浸没处理可以在向基板9的下表面92供给除静电液之前或并行进行。
在基板处理装置10c、10d中，液体除去部也可以具有除了基板旋转机构42以及IPA供给部77以外的结构。例如，也可以设置吹拂器作为液体除去部，该吹拂器向基板9的上表面91喷射片材状的空气，使基板9上的液体飞散来进行除去。
如果不会因除静电液和处理液的混合产生不良影响，则也可以在基板处理装置10中省略步骤S15的干燥处理。另外，在基板处理装置10b中，也可以在不进行步骤S16的从基板9上除去除静电液的处理的情况下，就进行步骤S17的处理。进而，在基板处理装置10c、10d中，也可以省略除静电液的除去（步骤S75、S91），在基板9的上表面91上存在除静电液的状态下供给处理液，进行基板9的处理。
在上述的基板处理装置中，也可以向基板9上供给除SPM液以外的处理液，来对基板9进行其他处理。例如，向形成有抗蚀剂膜的基板9上供给作为处理液的缓冲氢氟酸（BHF），对基板9进行蚀刻处理。在基板处理装置中，如上所述，由于能够防止因带电的基板9与处理液接触引起电荷快速移动而使基板9发生损伤，所以基板处理装置的结构特别适于利用如SPM液或缓冲氢氟酸那样电阻率非常小的处理液进行处理的装置。
在上述的基板处理装置中，作为除静电液，可以利用在纯水中溶解氨而成的液体或在纯水中加入微量的稀盐酸而成的液体，另外，可以利用其它各种含有离子的液体。进而，除静电液只要是在凝固点以上且沸点以下的至少规定的温度范围内电阻率大于在基板处理装置利用的处理液的电阻率的液体即可，并不限于纯水或含有离子的液体，也可以利用各种种类的液体作为除静电液。
在基板处理装置中，除静电液的目标温度以及目标电阻率也可以基于除器件的尺寸以外的条件（例如搬入基板处理装置之前对基板进行的处理的种类）来决定。
上述实施方式以及各变形例中的结构只要不互相矛盾，也可以适当组合。
详细说明了本发明，但上述的说明仅是例示而不是进行限定。因此，应该理解，只要不脱离本发明的范围，能够存在各种变形和方式。

Claims (49)

1.一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，具有：
基板保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其向第一主面上供给处理液，该第一主面为所述基板的一个主面；
除静电液接触部，其使所述基板的所述第一主面以及第二主面与随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液相接触，该第二主面为所述基板的另一个主面；
温度调整部，其对所述除静电液的温度进行调整；
控制部，其对所述处理液供给部、所述除静电液接触部以及所述温度调整部进行控制，由此，使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内，并且使所述基板的整个所述第一主面以及整个所述第二主面与所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述基板上的电荷减少，然后将所述处理液向所述基板的所述第一主面上供给来进行规定的处理。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
与所述第一主面相接触的所述除静电液和与所述第二主面相接触的所述除静电液在所述基板上连续。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述除静电液接触部具有用于贮存所述除静电液的除静电液贮存部，
通过将所述基板浸渍于在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中，所述第一主面以及所述第二主面与所述除静电液相接触。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中浸渍多张基板，所述多张基板包含所述基板，并且所述多张基板以各自的主面的法线方向朝向水平方向的方式排列。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述除静电液接触部具有：
第一除静电液接触部，其向以所述第一主面朝向上侧的状态保持在所述基板保持部上的所述基板的所述第一主面上供给所述除静电液，利用所述除静电液对整个所述第一主面进行浸没处理；
第二除静电液接触部，其与所述基板的所述第二主面相向，向所述第二主面喷出所述除静电液来使整个所述第二主面与所述除静电液相接触。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于除去所述基板的所述第一主面上的液体的液体除去部，
所述控制部对所述液体除去部进行控制，由此在所述基板与所述除静电液的接触和利用所述处理液进行的所述规定的处理之间，从所述第一主面上除去所述除静电液。
7.一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，具有：
基板保持部，其用于在基板的主面朝向上侧的状态下保持基板；
处理液供给部，其向所述基板的所述主面上供给处理液；
除静电液供给部，其将随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液向所述基板的所述主面上供给；
温度调整部，其对向所述基板供给的所述除静电液的温度进行调整；
控制部，其对所述处理液供给部、所述除静电液供给部以及所述温度调整部进行控制，由此，使所述除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比所述处理液的电阻率大的范围内，并且向所述基板的所述主面上供给所述除静电液并用所述除静电液浸没所述基板的整个所述主面，来使所述基板上的电荷减少，然后将所述处理液向所述基板的所述主面上供给来进行规定的处理。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于除去所述基板的所述主面上的液体的液体除去部，
所述控制部对所述液体除去部进行控制，由此在所述除静电液对所述基板的整个所述主面的浸没处理和利用所述处理液进行的所述规定的处理之间，从所述主面上除去所述除静电液。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体除去部具有基板旋转机构，该基板旋转机构使所述基板以通过所述基板的中心并且与所述基板的所述主面垂直的旋转轴为中心与所述基板保持部一起进行旋转，来除去所述主面上的液体。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板旋转机构停止的状态下，进行所述浸没处理。
11.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体除去部具有异丙醇供给部，该异丙醇供给部通过向所述基板的所述主面上供给液状的异丙醇，来将所述主面上的液体从所述基板的边缘向外侧挤出并除去。
12.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于对所述除静电液的温度进行测定的除静电液测定部，
所述控制部基于所述除静电液测定部的测定结果，来对所述温度调整部进行控制，使得所述除静电液的温度和规定的目标温度之差变小。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述除静电液的温度和所述目标温度之差在阈值温度差以下的情况下，停止通过所述温度调整部对所述除静电液的温度进行调整。
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板上预先形成的器件的尺寸越小，将越低的温度设定为目标温度。
15.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有用于对所述除静电液的电阻率进行测定的除静电液测定部，
所述控制部基于所述除静电液测定部的测定结果，来对所述温度调整部进行控制，使得所述除静电液的电阻率和规定的目标电阻率之差变小。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述除静电液的电阻率和所述目标电阻率之差在阈值电阻率差以下的情况下，停止通过所述温度调整部对所述除静电液的温度进行调整。
17.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板上预先形成的器件的尺寸越小，将越大的电阻率设定为目标电阻率。
18.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述除静电液是纯水。
19.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液含有硫酸。
20.一种基板处理方法，对基板进行处理，其特征在于，包括：
a）工序，使随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比处理液的电阻率大的范围内；
b）工序，在所述a）工序之后，使基板的两侧的整个主面与所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述基板上的电荷减少；
c）工序，在所述b）工序之后，将所述处理液向所述基板的一个主面上供给来进行规定的处理。
21.如权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
与所述基板的所述一个主面相接触的所述除静电液和与所述基板的另一个主面相接触的所述除静电液在所述基板上连续。
22.如权利要求21所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述b）工序中，通过将所述基板浸渍于在除静电液贮存部贮存的所述除静电液中，来使所述一个主面以及所述另一个主面与所述除静电液相接触。
23.如权利要求22所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述b）工序中，在所述除静电液贮存部贮存的所述除静电液中浸渍多张基板，所述多张基板包含所述基板，并且，所述多张基板以各自的主面的法线方向朝向水平方向的方式排列。
24.如权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述b）工序包括：
b1）工序，向在所述一个主面朝向上侧的状态下被保持的所述基板的所述一个主面上供给所述除静电液，利用所述除静电液对整个所述一个主面进行浸没；
b2）工序，向所述基板的另一个主面喷出所述除静电液，来使整个所述另一个主面与所述除静电液相接触。
25.如权利要求20至24中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序包括：
a1）工序，测定所述除静电液的温度；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，来对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的温度和规定的目标温度之差变小，
a3）工序，反复进行所述a1）工序和所述a2）工序。
26.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板上预先形成的器件的尺寸越小，将越低的温度设定为目标温度。
27.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述a）工序之前，还包括：
d1）工序，得到所述处理液的电阻率；
d2）工序，得到所述除静电液的温度和电阻率之间的关系；
d3）工序，基于在所述d2）工序所得到的所述关系，获取所述除静电液的电阻率与所述处理液的所述电阻率相等的所述除静电液的温度；
d4）工序，设定比在所述d3）工序获取的温度更低的临时目标温度；
d5）工序，准备所述临时目标温度的除静电液；
d6）工序，使试验用基板的两侧的整个主面与所述临时目标温度的所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述试验用基板上的电荷减少；
d7）工序，将所述处理液向所述试验用基板的一个主面上供给来进行所述规定的处理；
d8）工序，在所述d7）工序结束后，对所述试验用基板的所述一个主面的状态进行评价；
d9）工序，如果所述一个主面的状态良好，则将所述临时目标温度设定为所述目标温度，如果所述一个主面的状态不良好，则使所述临时目标温度下降并反复进行所述d5）工序至所述d8）工序，直到所述一个主面的状态变为良好为止，并将状态变为良好时的所述临时目标温度决定为所述目标温度。
28.如权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述d8）工序和所述d9）工序之间，还包括如下工序，即，如果所述一个主面的状态不良好，则变更所述d6）工序的处理时间并进行所述d6）工序至所述d8）工序。
29.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述a）工序之前，还包括：
d1）工序，得到所述处理液的电阻率；
d2）工序，设定比所述处理液的所述电阻率高的临时目标电阻率；
d3）工序，得到所述除静电液的温度和电阻率之间的关系；
d4）工序，基于在所述d3）工序所得到的所述关系，获取所述除静电液的电阻率与在所述d2）工序设定的所述临时目标电阻率相等的所述除静电液的温度作为临时目标温度；
d5）工序，准备所述临时目标温度的除静电液；
d6）工序，使试验用基板的两侧的整个主面与所述临时目标温度的所述除静电液相接触并维持接触状态，来使所述试验用基板上电荷减少；
d7）工序，将所述处理液向所述试验用基板的一个主面上供给来进行所述规定的处理；
d8）工序，在所述d7）工序结束后，对所述试验用基板的所述一个主面的状态进行评价；
d9）工序，如果所述一个主面的状态良好，则将所述临时目标温度设定为所述目标温度，如果所述一个主面的状态不良好，则使所述临时目标温度下降并反复进行所述d5）工序至所述d8）工序，直至所述一个主面的状态变为良好为止，并将状态变为良好时的所述临时目标温度决定为所述目标温度。
30.如权利要求29所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述d8）工序和所述d9）工序之间，还包括如下工序，即，如果所述一个主面的状态不良好，则变更所述d6）工序的处理时间并进行所述d6）工序至所述d8）工序。
31.如权利要求20至24中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序包括：
a1）工序，测定所述除静电液的温度；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，在所述除静电液的温度和规定的目标温度之差在阈值温度差以下的情况下，不对所述除静电液的温度进行调整，在所述除静电液的温度和所述目标温度的所述差大于所述阈值温度差的情况下，对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的温度和所述目标温度之差变小。
32.如权利要求20至24中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括e）工序，所述e）工序在所述b）工序和所述c）工序之间，从所述基板的所述一个主面上除去所述除静电液。
33.一种基板处理方法，对基板进行处理，其特征在于，包括：
a）工序，使随着液温上升而电阻率逐渐减少的除静电液的温度处于所述除静电液的电阻率比处理液的电阻率大的范围内；
b）工序，在所述a）工序之后，向在主面朝向上侧的状态下被保持的基板的所述主面上供给所述除静电液，并利用所述除静电液对所述基板的整个所述主面进行浸没，来使所述基板上的电荷减少；
c）工序，在所述b）工序之后，将所述处理液向所述基板的所述主面上供给来进行规定的处理。
34.如权利要求33所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序还包括：
a1）工序，测定所述除静电液的温度；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，来对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的温度和规定的目标温度之差变小；
a3）工序，反复进行所述a1）工序和所述a2）工序。
35.如权利要求34所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板上预先形成的器件的尺寸越小，将越低的温度设定为目标温度。
36.如权利要求34所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述a）工序之前，还包括：
d1）工序，得到所述处理液的电阻率；
d2）工序，得到所述除静电液的温度和电阻率之间的关系；
d3）工序，基于在所述d2）工序所得到的所述关系，获取所述除静电液的电阻率与所述处理液的所述电阻率相等的所述除静电液的温度；
d4）工序，设定比在所述d3）工序获取的温度更低的临时目标温度；
d5）工序，准备所述临时目标温度的除静电液；
d6）工序，向试验用基板的主面上供给所述除静电液，并利用所述除静电液对所述试验用基板的整个所述主面进行浸没，来使所述试验用基板上的电荷减少；
d7）工序，将所述处理液向所述试验用基板的所述主面上供给来进行所述规定的处理；
d8）工序，在所述d7）工序结束后，对所述试验用基板的所述主面的状态进行评价；
d9）工序，如果所述主面的状态良好，则将所述临时目标温度设定为所述目标温度，如果所述主面的状态不良好，则使所述临时目标温度下降并反复进行所述d5）工序至所述d8）工序，直到所述主面的状态变为良好为止，并将状态变为良好时的所述临时目标温度决定为所述目标温度。
37.如权利要求36所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述d8）工序和所述d9）工序之间还包括如下工序，即，如果所述主面的状态不良好，则变更所述d6）工序的处理时间并进行所述d6）工序至所述d8）工序。
38.如权利要求34所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述a）工序之前，还包括：
d1）工序，得到所述处理液的电阻率；
d2）工序，设定比所述处理液的所述电阻率高的临时目标电阻率；
d3）工序，得到所述除静电液的温度和电阻率之间的关系；
d4）工序，基于在所述d3）工序所得到的所述关系，获取所述除静电液的电阻率与在所述d2）工序设定的所述临时目标电阻率相等的所述除静电液的温度作为临时目标温度；
d5）工序，准备所述临时目标温度的除静电液；
d6）工序，向试验用基板的主面上供给所述除静电液，并利用所述除静电液对所述试验用基板的整个所述主面进行浸没，来使所述试验用基板上的电荷减少；
d7）工序，将所述处理液向所述试验用基板的所述主面上供给来进行所述规定的处理；
d8）工序，在所述d7）工序结束后，对所述试验用基板的所述主面的状态进行评价；
d9）工序，如果所述主面的状态良好，则将所述临时目标温度设定为所述目标温度，如果所述主面的状态不良好，则使所述临时目标温度下降并反复进行所述d5）工序至所述d8）工序，直到所述主面的状态变为良好为止，并将状态变为良好时的所述临时目标温度决定为所述目标温度。
39.如权利要求38所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述d8）工序和所述d9）工序之间，还包括如下工序，即，如果所述主面的状态不良好，则变更所述d6）工序的处理时间并进行所述d6）工序至所述d8）工序。
40.如权利要求33所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序包括：
a1）工序，测定所述除静电液的温度；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，在所述除静电液的温度和规定的目标温度之差在阈值温度差以下的情况下，不对所述除静电液的温度进行调整，在所述除静电液的温度和所述目标温度的所述差大于所述阈值温度差的情况下，对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的温度和所述目标温度之差变小。
41.如权利要求33至40中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括e）工序，所述e）工序在所述b）工序和所述c）工序之间，从所述基板的所述主面上除去所述除静电液。
42.如权利要求41所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述e）工序中，使所述基板以通过所述基板的中心并与所述基板的所述主面垂直的旋转轴为中心进行旋转，来除去所述主面上的液体。
43.如权利要求42所述的基板处理方法，其特征在于，
所述b）工序在所述基板的旋转停止的状态下进行。
44.如权利要求41所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述e）工序中，通过向所述基板的所述主面上供给液状的异丙醇，来将所述主面上的液体从所述基板的边缘向外侧挤出并除去。
45.如权利要求20至24、33至40中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序包括：
a1）工序，测定所述除静电液的电阻率；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的电阻率和规定的目标电阻率之差变小；
a3）工序，反复进行所述a1）工序和所述a2）工序。
46.如权利要求45所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板上预先形成的器件的尺寸越小，将越大的电阻率设定为目标电阻率。
47.如权利要求20至24、33至40中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述a）工序包括：
a1）工序，测定所述除静电液的电阻率；
a2）工序，基于在所述a1）工序中的测定结果，在所述除静电液的电阻率和规定的目标电阻率之差在阈值电阻率差以下的情况下，不对所述除静电液的温度进行调整，在所述除静电液的电阻率和所述目标电阻率的所述差大于所述阈值电阻率差的情况下，对所述除静电液的温度进行调整，使得所述除静电液的电阻率和所述目标电阻率之差变小。
48.如权利要求20至24、33至40中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述除静电液是纯水。
49.如权利要求20至24、33至40中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液含有硫酸。
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