JPS61156740A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS61156740A JPS61156740A JP28033884A JP28033884A JPS61156740A JP S61156740 A JPS61156740 A JP S61156740A JP 28033884 A JP28033884 A JP 28033884A JP 28033884 A JP28033884 A JP 28033884A JP S61156740 A JPS61156740 A JP S61156740A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体製造装置に係り、特に半導体基板表面を
洗浄する装置に関する。
洗浄する装置に関する。
半導体基板上に素子を形成づる過程において基板上に種
々の加工を施すには基板表面を洗浄しておく必要がある
。
々の加工を施すには基板表面を洗浄しておく必要がある
。
従来、これは半導体基板を回転さけておきこの表面に純
水を常温のままで高圧にしてジェット状に吹きつけるこ
とにより基板上の塵埃、汚れを除去している。
水を常温のままで高圧にしてジェット状に吹きつけるこ
とにより基板上の塵埃、汚れを除去している。
しかしながら、この方法では２つの大きな問題がある。
その１は素子破壊であり、純水は２０〜２５℃では比抵
抗が２８〜１８〔ＭΩ−〇〕と非常に高抵抗であって静
電気が素子の領域間に加わりジャンクション破壊を起す
ことがある。その２は塵埃除去率不良ということで、こ
れも静電気が原因で半導体基板に塵埃が吸着するという
ものである。
抗が２８〜１８〔ＭΩ−〇〕と非常に高抵抗であって静
電気が素子の領域間に加わりジャンクション破壊を起す
ことがある。その２は塵埃除去率不良ということで、こ
れも静電気が原因で半導体基板に塵埃が吸着するという
ものである。
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、素子破壊
を起すことなく半導体基板面の塵埃とか汚れを洗浄除去
し得るような装置を提供することを目的とする。
を起すことなく半導体基板面の塵埃とか汚れを洗浄除去
し得るような装置を提供することを目的とする。
（発明の概要）
この目的達成のため、本発明では、純水を５０℃より以
上に温めた上で高圧にて回転中の半導体基板面に吹き付
けることにより半導体基板面の塵埃等を除去するような
装置を提供するものである。
上に温めた上で高圧にて回転中の半導体基板面に吹き付
けることにより半導体基板面の塵埃等を除去するような
装置を提供するものである。
純水は温度上昇に伴い大幅に比抵抗が低下し５０℃程度
で数〔ＭΩ−α〕となり、静電気が発生し難くなるから
、素子破壊率が大幅低下し塵埃除去率が大幅に向トする
。
で数〔ＭΩ−α〕となり、静電気が発生し難くなるから
、素子破壊率が大幅低下し塵埃除去率が大幅に向トする
。
（実施例）
以下添付図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、Ｘはウェハ
でありウェハ固定テーブル１上に固定される。テーブル
１は軸２、カップリング３を介しＣモータ４に連結され
ており、たとえば６０乃至１０００ （ｒｌｌｍ ）程
度で回転する。
でありウェハ固定テーブル１上に固定される。テーブル
１は軸２、カップリング３を介しＣモータ４に連結され
ており、たとえば６０乃至１０００ （ｒｌｌｍ ）程
度で回転する。
テーブル１上のウェハＸに対してノズル５から純水がジ
ェット状に吹きつけられる。ノズル５にはタンク６から
加圧加温された純水が供給される。
ェット状に吹きつけられる。ノズル５にはタンク６から
加圧加温された純水が供給される。
タンク６にはヒータ７が内蔵されていて純水を加温する
。純水に加圧するためのポンプは図示を省略している。
。純水に加圧するためのポンプは図示を省略している。
タンク６はステンレス鋼たとえば５ＵＳ３１６で製作す
るのが好ましい。
るのが好ましい。
これによりウェハＸには５ 醇／ｄ乃至数１０Ｋｇ／ｄ
で５０℃乃至１００℃の純水が吹きつけられる。
で５０℃乃至１００℃の純水が吹きつけられる。
第２図は純水の温度対比抵抗特性を示したちのである。
純水は２５（’Ｃ）で１８．３３（ＭΩ−ｏＭ）であり
それより温度が低下すると比抵抗が増し、温度が上昇す
ると比抵抗が減る。そして、５０ （”Ｃ）では数〔Ｍ
Ω〕程度となり、この程度であれば静電気の問題も生じ
難い。５０ （Ｔ；）よりやや低温領域も比抵抗は低い
が、バクテリア発生の問題があり、この点から５０ （
”Ｃ）以上が好ましい。
それより温度が低下すると比抵抗が増し、温度が上昇す
ると比抵抗が減る。そして、５０ （”Ｃ）では数〔Ｍ
Ω〕程度となり、この程度であれば静電気の問題も生じ
難い。５０ （Ｔ；）よりやや低温領域も比抵抗は低い
が、バクテリア発生の問題があり、この点から５０ （
”Ｃ）以上が好ましい。
第３図および第４図は加温加圧された純水による温度対
素子破壊率特性および温度対塵埃除去率特性を示してい
る。
素子破壊率特性および温度対塵埃除去率特性を示してい
る。
まず第３図の素子破壊率特性についてみると、純水温度
を５０ （’Ｃ）にした場合、素子破壊率は２〜３％と
なり２５ （’Ｃ）の場合の１０〔％〕以上に比べ格段
に製品歩留りが向上する。
を５０ （’Ｃ）にした場合、素子破壊率は２〜３％と
なり２５ （’Ｃ）の場合の１０〔％〕以上に比べ格段
に製品歩留りが向上する。
また第４図の塵埃除去率特性についてみると、５０ （
’Ｃ）では略々１００〔％〕の塵埃除去効果が現われる
のに対し、２５（’Ｃ）では９０〔％〕未満でしかない
、。
’Ｃ）では略々１００〔％〕の塵埃除去効果が現われる
のに対し、２５（’Ｃ）では９０〔％〕未満でしかない
、。
本発明は上述のように、５０ （”Ｃ）以上に加温した
純水を加圧して基板面に吹き付けることにより基板面を
洗浄するようにしたため、純水中で静電気が作用するこ
とを防止でき、素子破壊率を低減して塵埃除去率を向上
することができる。したがって製品の良品率が向上する
。
純水を加圧して基板面に吹き付けることにより基板面を
洗浄するようにしたため、純水中で静電気が作用するこ
とを防止でき、素子破壊率を低減して塵埃除去率を向上
することができる。したがって製品の良品率が向上する
。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は純水
の温度対比抵抗特性図、第３図は純水のル１度対素子破
壊率特性図、第４図は純水の温度対塵埃除去率特性図で
ある。 １・・・ウェハ固定テーブル、２・・・軸、３・・・カ
ップリング、４・・・モータ、５・・・ノズル、６・・
・タンク、７・・・ヒータ。 出願人代理人 猪 股 消 練水温度□ 第３図 第４図 純水温慶−一一−
の温度対比抵抗特性図、第３図は純水のル１度対素子破
壊率特性図、第４図は純水の温度対塵埃除去率特性図で
ある。 １・・・ウェハ固定テーブル、２・・・軸、３・・・カ
ップリング、４・・・モータ、５・・・ノズル、６・・
・タンク、７・・・ヒータ。 出願人代理人 猪 股 消 練水温度□ 第３図 第４図 純水温慶−一一−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．半導体基板を載置して回転するテーブルと、 このテーブル上の半導体基板に向けて加圧加温された純
水を吹き付ける手段とをそなえた半導体製造装置。 ２．特許請求の範囲第１項記載の装置において、 前記純水吹き付け手段は、 純水の供給源と、 前記純水を加圧する装置と、 前記純水を加温する装置と、 前記各装置により加圧、加温された純水を前記基板面に
吹き付ける半導体製造装置。 ３、特許請求の範囲１項記載の装置におい て、 前記純水は５０（℃）以上に加温されるようにした半導
体製造装置。 ４．特許請求の範囲第１項記載の装置において、 前記純水は５（ｋｇ／ｃｍ＾２）以上に加圧されるよう
にした半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28033884A JPS61156740A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28033884A JPS61156740A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156740A true JPS61156740A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17623608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28033884A Pending JPS61156740A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156740A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991011021A1 (en) * | 1990-01-07 | 1991-07-25 | Tadahiro Ohmi | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
| JPH04222675A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-12 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
| WO1992022087A1 (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Tadahiro Ohmi | Method for cleaning and apparatus thereof |
| JPH05138131A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-01 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
| JPH0639846A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
| JPH07312358A (ja) * | 1995-01-31 | 1995-11-28 | Sony Corp | 洗浄装置 |
| KR100619140B1 (ko) | 2005-01-15 | 2006-09-11 | 박인순 | 다이아몬드 절삭공구 및 제조방법 |
| JP2014130873A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2014130872A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9972515B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-05-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP28033884A patent/JPS61156740A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991011021A1 (en) * | 1990-01-07 | 1991-07-25 | Tadahiro Ohmi | High-temperature high-pressure washing method and washing apparatus |
| EP0669641A1 (en) * | 1990-01-07 | 1995-08-30 | OHMI, Tadahiro | High temperature and high pressure cleaning equipment |
| JPH04222675A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-12 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
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| JPH05138131A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-01 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
| JPH0639846A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Hitachi Zosen Corp | 脱脂洗浄方法 |
| JPH07312358A (ja) * | 1995-01-31 | 1995-11-28 | Sony Corp | 洗浄装置 |
| KR100619140B1 (ko) | 2005-01-15 | 2006-09-11 | 박인순 | 다이아몬드 절삭공구 및 제조방법 |
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| JP2014130872A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9972515B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-05-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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