JP2017123402A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017123402A JP2017123402A JP2016001751A JP2016001751A JP2017123402A JP 2017123402 A JP2017123402 A JP 2017123402A JP 2016001751 A JP2016001751 A JP 2016001751A JP 2016001751 A JP2016001751 A JP 2016001751A JP 2017123402 A JP2017123402 A JP 2017123402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- unit
- heating
- cleaning surface
- heating unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 275
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 50
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2230/00—Other cleaning aspects applicable to all B08B range
- B08B2230/01—Cleaning with steam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】 高温の洗浄液により洗浄効果を向上させることのできる洗浄装置を提供する。【解決手段】 洗浄装置1は、基板Wの洗浄面を加熱する加熱ユニット5と、基板Wの洗浄面にオゾン水を供給して洗浄面を洗浄する洗浄ユニット6と、基板Wの洗浄面を加熱した後に洗浄面を洗浄するように、洗浄面の加熱と洗浄液の供給を制御する制御ユニット7を備えている。【選択図】 図1
Description
本発明は、洗浄対象物の洗浄面に洗浄液を供給して洗浄面を洗浄する洗浄装置に関し、洗浄液による洗浄効果を向上させる技術に関する。
従来から、洗浄対象物の洗浄面に洗浄液を供給して洗浄面を洗浄する洗浄装置が知られている。このような洗浄装置は、例えば、半導体や液晶パネルなどのフラットディスプレイの製造工程において、レジストを剥離(溶解)する処理で用いられる(例えば特許文献1参照)。
従来、レジストを剥離(溶解)する処理では、洗浄水として薬液が使用されていたが、近年、環境への影響などの観点から薬液の使用量の低減が求められ、その代わりにオゾンが用いられ始めてきた。オゾンには、有機物を溶解する能力があり、有機物であるレジストを除去することが可能である。一般に、オゾンは純水などに溶解させて、オゾン水として基板に供給される。しかしながら、オゾンは高温状態(例えば、大気圧下では60℃以上)の純水には溶け込まないため、高濃度でかつ高温のオゾン水を用意することは非常に困難である。そのため、従来の洗浄装置では、洗浄液としてのオゾン水を常温で用いることが通常であった。
しかしながら、近年、高濃度イオンが注入されたレジストが多く使用されるようになってきており、従来の洗浄装置では、このようなレジストを剥離するのが困難であった。また、近年では、スループットの向上のために、レジストの除去レートの更なる向上が求められている。そのため、洗浄装置の洗浄効果の更なる向上が求められており、例えば、洗浄液(オゾン水)の反応速度が速くなる高温での洗浄処理(レジスト剥離処理)の実現が望まれていた。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、高温の洗浄液により洗浄効果を向上させることのできる洗浄装置を提供することを目的とする。
本発明の洗浄装置は、洗浄対象物の洗浄面を加熱する加熱ユニットと、前記洗浄対象物の洗浄面に洗浄液を供給して前記洗浄面を洗浄する洗浄ユニットと、前記洗浄面を加熱した後に前記洗浄面を洗浄するように、前記洗浄面の加熱と前記洗浄液の供給を制御する制御ユニットと、を備えている。
この構成によれば、制御ユニットにより洗浄面の加熱と洗浄液の供給が制御されて、加熱ユニットにより洗浄面が加熱された後に、洗浄ユニットにより洗浄面が洗浄される。これにより、加熱された洗浄面によって洗浄面に供給される洗浄液が温められ、高温の洗浄液により洗浄効果が向上する。
また、本発明の洗浄装置では、前記洗浄液は、所定の物質を溶媒に溶解させることにより構成され、前記洗浄ユニットは、前記物質が前記溶媒に溶解しない限界温度より低い温度で前記洗浄液を前記洗浄面に供給し、前記加熱ユニットは、前記限界温度より高い温度に前記洗浄面を加熱してもよい。
この構成によれば、加熱ユニットによって洗浄面が限界温度(物質が溶媒に溶解しない温度)より高い温度に加熱される。洗浄液は、洗浄ユニットによって限界温度より低い温度で洗浄面に供給されるが、洗浄面に供給された後、加熱された洗浄面によって限界温度より高い温度に加熱される。このようにして、加熱された洗浄面によって洗浄面に供給される洗浄液が限界温度より高い温度まで温められ、通常(限界温度より低い温度の洗浄液)では得られない高い洗浄効果が得られる。
また、本発明の洗浄装置は、前記洗浄面の周囲を覆う流体カーテンを発生させる流体カーテンユニットを備えてもよい。
この構成によれば、流体カーテンによって洗浄面の周囲が覆われ、洗浄面に供給された洗浄液などが洗浄面の周囲へ逃げるのを防ぐことができ、洗浄液による洗浄効果が向上する。
また、本発明の洗浄装置は、前記加熱ユニットと前記洗浄ユニットが設けられるアーム部材と、前記加熱ユニットと前記洗浄ユニットが前記洗浄面の上を往復するように、前記アーム部材を揺動または平行移動させる駆動ユニットと、を備えてもよい。
この構成によれば、駆動ユニットによってアーム部材が揺動または平行移動し、アーム部材に設けられた加熱ユニットと洗浄ユニットが一緒に洗浄面の上を往復する。これにより、洗浄面の全体にわたって、加熱ユニットにより洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニットにより洗浄面を洗浄することが可能になる。
また、本発明の洗浄装置では、前記駆動ユニットは、前記加熱ユニットが移動した動線上を前記洗浄ユニットが移動するように、前記アーム部材を揺動または平行移動させてもよい。
この構成によれば、駆動ユニットによってアーム部材が揺動または平行移動し、加熱ユニットが移動した動線上を洗浄ユニットが移動する。このように洗浄ユニットを移動させることにより、加熱ユニットにより洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニットにより洗浄面を洗浄することが可能になる。
また、本発明の洗浄装置では、前記洗浄ユニットが移動する動線上に前記加熱ユニットが配置されてもよい。
この構成によれば、洗浄ユニットが移動する動線上に加熱ユニットが配置されている。このように加熱ユニットを配置することにより、加熱ユニットにより洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニットにより洗浄面を洗浄することが可能になる。
本発明によれば、加熱された洗浄面によって洗浄面に供給される洗浄液を温めることができ、高温の洗浄液により洗浄効果を向上させることが可能になる。
以下、本発明の実施の形態の洗浄装置について、図面を用いて説明する。本実施の形態では、半導体や液晶パネルなどのフラットディスプレイの製造工程におけるレジスト剥離処理やCMP装置での基板洗浄処理等に用いられる洗浄装置の場合を例示する。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態の洗浄装置の構成を、図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態の洗浄装置の構成を示す説明図である。図1に示すように、洗浄装置1は、回転テーブル2と、加熱ユニット3と、洗浄ユニット4を備えている。回転テーブル2には、洗浄対象物である基板Wが載置される。基板Wの洗浄処理は、回転テーブル2により基板Wを回転させながら行われる。加熱ユニット3は、基板Wの洗浄面を加熱する水蒸気を噴射する加熱ノズル5を備えている。洗浄ユニット4は、基板Wの洗浄面に洗浄液であるオゾン水を供給して洗浄面を洗浄する洗浄ノズル6を備えている。
本発明の第1の実施の形態の洗浄装置の構成を、図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態の洗浄装置の構成を示す説明図である。図1に示すように、洗浄装置1は、回転テーブル2と、加熱ユニット3と、洗浄ユニット4を備えている。回転テーブル2には、洗浄対象物である基板Wが載置される。基板Wの洗浄処理は、回転テーブル2により基板Wを回転させながら行われる。加熱ユニット3は、基板Wの洗浄面を加熱する水蒸気を噴射する加熱ノズル5を備えている。洗浄ユニット4は、基板Wの洗浄面に洗浄液であるオゾン水を供給して洗浄面を洗浄する洗浄ノズル6を備えている。
加熱ユニット3と洗浄ユニット4は、制御ユニット7に接続されている。制御ユニット7は、洗浄面を加熱した後に洗浄面を洗浄するように、洗浄面の加熱とオゾン水の供給を制御する。本実施の形態では、制御ユニット7は、洗浄面を加熱した後に洗浄面を洗浄するように、加熱ノズル5から水蒸気を噴射するタイミングと洗浄ノズル6からオゾン水を供給するタイミングを制御する。つまり、基板Wの洗浄処理を開始すると、まず加熱ノズル5から水蒸気を噴射し、その後に洗浄ノズル6からオゾン水を供給するように、洗浄面の加熱とオゾン水の供給のタイミングを制御する。
また、本実施の形態では、洗浄装置1は、基板Wの洗浄面の周囲を覆う流体カーテンCを発生させる流体カーテンユニット8を備えている。流体カーテンCは、例えばウォーターカーテンやエアーカーテンである。この流体カーテンCにより、加熱ノズル5から噴射された水蒸気や洗浄ノズル6から供給されたオゾン水が、基板Wの洗浄面の周囲(外側)へ逃げるのを防ぐことができる。加熱ユニット3と洗浄ユニット4と流体カーテンユニット8は、アーム部材9に設けられている。
洗浄液であるオゾン水は、オゾンを純水に溶解させることにより構成される。オゾンは、所定の限界温度(大気圧下で、60℃)より高温の純水には殆ど溶け込まない。本実施の形態では、洗浄ユニット4は、この限界温度より低い温度でオゾン水を洗浄面に供給する。したがって、オゾンが十分に溶け込んだ高い濃度のオゾン水を洗浄面に供給することができる。そして、加熱ユニット3は、この限界温度より高い温度に洗浄面を加熱する。例えば、加熱ノズル5から限界温度より高温の水蒸気(例えば、150℃の水蒸気)を洗浄面に噴射することにより、限界温度より高い温度まで洗浄面を加熱する。洗浄面に供給されたオゾン水は、洗浄面によって限界温度より高い温度まで加熱される。なお、加熱ノズル5からは、限界温度より高温の熱湯(例えば、80℃の熱湯)を噴射してもよい。
本実施の形態では、回転テーブル2に載置された基板Wの中心部に、加熱ノズル5から水蒸気が噴射され、洗浄ノズル6からオゾン水が供給される。この場合、回転テーブル2が回転することにより、加熱ノズル5から供給された水蒸気(または熱湯)や洗浄ノズル6から供給されたオゾン水が遠心力で基板Wの中心部から縁部に向けて広げられ、基板Wの全体を洗浄することができる。
このような第1の実施の形態の洗浄装置1によれば、制御ユニット7により基板Wの洗浄面の加熱とオゾン水の供給が制御されて、加熱ユニット3により洗浄面が加熱された後に、洗浄ユニット4により洗浄面が洗浄される。これにより、加熱された基板Wの洗浄面によって洗浄面に供給されるオゾン水が温められ、高温のオゾン水により洗浄効果を向上させることができる。
この場合、加熱ユニット3によって洗浄面が限界温度(オゾンが純水に溶解しない温度。例えば60℃)より高い温度(例えば、150℃)に加熱される。オゾン水は、洗浄ユニット4によって限界温度より低い温度で洗浄面に供給されるが、洗浄面に供給された後、加熱された洗浄面によって限界温度より高い温度に加熱される。このようにして、加熱された洗浄面によって洗浄面に供給されるオゾン水が限界温度より高い温度まで温められ、通常(限界温度より低い温度のオゾン水)では得られない高い洗浄効果が得られる。
また、本実施の形態では、流体カーテンC(例えばウォーターカーテン)によって洗浄面の周囲が覆われ、洗浄面に供給されたオゾン水などが洗浄面の周囲へ逃げるのを防ぐことができ、オゾン水による洗浄効果が向上する。
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第2の実施の形態の洗浄装置1が、第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第2の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第2の実施の形態の洗浄装置1が、第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
図2は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図2に示すように、本実施の形態では、洗浄装置1は、駆動ユニット10を備えており、駆動ユニット10は、アーム部材9を搖動させるように構成されている。なお、駆動ユニット10の動作は、制御ユニット7によって制御されている。この場合、アーム部材9は、加熱ユニット3と洗浄ユニット4が洗浄面の上を往復するように揺動する。洗浄ユニット4の移動の観点では、加熱ユニット3が移動した動線上を洗浄ユニット4が移動するように、アーム部材9が揺動するともいえる。また、加熱ユニット3の配置の観点では、洗浄ユニット4が移動する動線上に加熱ユニット3が配置されているともいえる。
このような第2の実施の形態の洗浄装置1によっても、第1の実施の形態と同様の作用効果が奏される。その上、本実施の形態では、駆動ユニット10によってアーム部材9が揺動し、アーム部材9に設けられた加熱ユニット3と洗浄ユニット4が一緒に洗浄面の上を往復する。これにより、洗浄面の全体にわたって、加熱ユニット3により洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニット4により洗浄面を洗浄することが可能になる。
また、本実施の形態では、駆動ユニット10によってアーム部材9が揺動し、加熱ユニット3が移動した動線上を洗浄ユニット4が移動する。このように洗浄ユニット4を移動させることにより、加熱ユニット3により洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニット4により洗浄面を洗浄することが可能になる。
また、本実施の形態では、洗浄ユニット4が移動する動線上に加熱ユニット3が配置されている。このように加熱ユニット3を配置することにより、加熱ユニット3により洗浄面を加熱した後に、洗浄ユニット4により洗浄面を洗浄することが可能になる。
図3には、第2の実施の形態の洗浄装置1の変形例が示される。この変形例では、駆動ユニット10は、アーム部材9を平行移動させるように構成されている。この場合、アーム部材9は、加熱ユニット3と洗浄ユニット4が洗浄面の上を往復するように平行移動する。洗浄ユニット4の移動の観点では、加熱ユニット3が移動した動線上を洗浄ユニット4が移動するように、アーム部材9が平行移動するともいえる。このような変形例によっても、第2の実施の形態と同様の作用効果が奏される。
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第3の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第3の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第3の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
図4は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図4に示すように、本実施の形態では、洗浄ユニット4の両側に加熱ユニット3が設けられている。この場合も、アーム部材9は、加熱ユニット3と洗浄ユニット4が洗浄面の上を往復するように揺動する。加熱ユニット3の配置の観点では、洗浄ユニット4が移動する動線上の両側に加熱ユニット3が配置されているともいえる。
このような第3の実施の形態の洗浄装置1によっても、第2の実施の形態と同様の作用効果が奏される。その上、本実施の形態では、洗浄ユニット4の両側に加熱ユニット3が設けられているので、加熱ユニット3による洗浄面の加熱機能、すなわち、オゾン水の加熱機能が向上する。
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第4の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第4の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第4の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
図5は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図5に示すように、本実施の形態では、加熱ユニット3の加熱範囲が拡大されている。この加熱ユニット3は、広い範囲を加熱することができ、例えば、基板Wの中心部から端部までの長さ範囲(基板Wの半径に相当する範囲)を加熱することができる。
このような第4の実施の形態の洗浄装置1によっても、第2の実施の形態と同様の作用効果が奏される。その上、本実施の形態では、加熱ユニット3の加熱範囲が拡大されているので、加熱ユニット3による洗浄面の加熱機能、すなわち、オゾン水の加熱機能が向上する。
(第5の実施の形態)
次に、本発明の第5の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第5の実施の形態の洗浄装置1が、第4の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第4の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第5の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第5の実施の形態の洗浄装置1が、第4の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第4の実施の形態と同様である。
図6は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図6に示すように、本実施の形態では、加熱ユニット3の加熱範囲が更に拡大されている。この加熱ユニット3は、更に広い範囲を加熱することができ、例えば、基板Wの一方の端部から他方の端部までの長さ範囲(基板Wの直径に相当する範囲)を加熱することができる。
このような第5の実施の形態の洗浄装置1によっても、第4の実施の形態と同様の作用効果が奏される。その上、本実施の形態では、加熱ユニット3の加熱範囲が更に拡大されているので、加熱ユニット3による洗浄面の加熱機能、すなわち、オゾン水の加熱機能が向上する。
(第6の実施の形態)
次に、本発明の第6の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第6の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第6の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第6の実施の形態の洗浄装置1が、第2の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第2の実施の形態と同様である。
図7は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図7に示すように、本実施の形態では、洗浄ユニット4を囲む四隅に加熱ユニット3が設けられている。これにより、加熱ユニット3の加熱範囲が拡大されている。
このような第6の実施の形態の洗浄装置1によっても、第2の実施の形態と同様の作用効果が奏される。その上、本実施の形態では、加熱ユニット3の加熱範囲が拡大されているので、加熱ユニット3による洗浄面の加熱機能、すなわち、オゾン水の加熱機能が向上する。
(第7の実施の形態)
次に、本発明の第7の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第7の実施の形態の洗浄装置1が、第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第7の実施の形態の洗浄装置1について説明する。ここでは、第7の実施の形態の洗浄装置1が、第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。ここで特に言及しない限り、本実施の形態の構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
図8は、本実施の形態の洗浄装置1の構成を示す説明図である。図8に示すように、本実施の形態では、洗浄装置1は、ベルトコンベア式テーブル11と、加熱ユニット3と、洗浄ユニット4を備えている。ベルトコンベア式テーブル11には、洗浄対象物である液晶用ガラスGが載置される。液晶用ガラスGの洗浄処理は、ベルトコンベア式テーブル11により液晶用ガラスGを平行移動させながら行われる。
本実施の形態では、加熱ユニット3が上流側(図8における左側)に配置され、洗浄ユニット4が下流側(図8における右側)に配置される。したがって、液晶用ガラスGは、まず加熱ユニット3の下をとおり、その後に洗浄ユニット4の下をとおる。すなわち、洗浄面を加熱した後に洗浄面を洗浄するように、洗浄処理が行われる。
このような第7の実施の形態の洗浄装置1によっても、第1の実施の形態と同様の作用効果が奏される。本実施の形態では、液晶用ガラスGの洗浄処理を行うことができる。
以上、本発明の実施の形態を例示により説明したが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において目的に応じて変更・変形することが可能である。
例えば、以上の説明では、洗浄液としてオゾン水を用いる場合について説明したが、洗浄液としては、オゾン水以外の薬液を用いることも可能である。また、以上の説明では、加熱ユニット3として、水蒸気を噴射することによって基板Wの洗浄面を加熱するものを例示したが、回転テーブル2に内蔵されるヒーターによって基板Wの洗浄面を加熱することも可能である。
以上のように、本発明にかかる洗浄装置は、高温の洗浄液により洗浄効果を向上させることができるという効果を有し、半導体や液晶パネルなどのフラットディスプレイの製造工程におけるレジスト剥離処理やCMP装置での基板洗浄処理等に用いられ、有用である。
1 洗浄装置
2 回転テーブル
3 加熱ユニット
4 洗浄ユニット
5 加熱ノズル
6 洗浄ノズル
7 制御ユニット
8 流体カーテンユニット
9 アーム部材
10 駆動ユニット
11 ベルトコンベア式テーブル
W 基板
G 液晶用ガラス
2 回転テーブル
3 加熱ユニット
4 洗浄ユニット
5 加熱ノズル
6 洗浄ノズル
7 制御ユニット
8 流体カーテンユニット
9 アーム部材
10 駆動ユニット
11 ベルトコンベア式テーブル
W 基板
G 液晶用ガラス
Claims (6)
- 洗浄対象物の洗浄面を加熱する加熱ユニットと、
前記洗浄対象物の洗浄面に洗浄液を供給して前記洗浄面を洗浄する洗浄ユニットと、
前記洗浄面を加熱した後に前記洗浄面を洗浄するように、前記洗浄面の加熱と前記洗浄液の供給を制御する制御ユニットと、
を備えることを特徴とする洗浄装置。 - 前記洗浄液は、所定の物質を溶媒に溶解させることにより構成され、
前記洗浄ユニットは、前記物質が前記溶媒に溶解しない限界温度より低い温度で前記洗浄液を前記洗浄面に供給し、
前記加熱ユニットは、前記限界温度より高い温度に前記洗浄面を加熱する、請求項1に記載の洗浄装置。 - 前記洗浄面の周囲を覆う流体カーテンを発生させる流体カーテンユニットを備える、請求項1または請求項2に記載の洗浄装置。
- 前記加熱ユニットと前記洗浄ユニットが設けられるアーム部材と、
前記加熱ユニットと前記洗浄ユニットが前記洗浄面の上を往復するように、前記アーム部材を揺動または平行移動させる駆動ユニットと、
を備える、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の洗浄装置。 - 前記駆動ユニットは、前記加熱ユニットが移動した動線上を前記洗浄ユニットが移動するように、前記アーム部材を揺動または平行移動させる、請求項4に記載の洗浄装置。
- 前記洗浄ユニットが移動する動線上に前記加熱ユニットが配置されている、請求項4または5に記載の洗浄装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001751A JP2017123402A (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | 洗浄装置 |
TW105141190A TW201733694A (zh) | 2016-01-07 | 2016-12-13 | 清洗裝置 |
US15/386,420 US20170200623A1 (en) | 2016-01-07 | 2016-12-21 | Cleaning apparatus |
EP17150182.8A EP3189904A1 (en) | 2016-01-07 | 2017-01-03 | Cleaning apparatus |
KR1020170001174A KR20170082985A (ko) | 2016-01-07 | 2017-01-04 | 세정 장치 |
CN201710011014.7A CN106944402A (zh) | 2016-01-07 | 2017-01-06 | 清洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001751A JP2017123402A (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | 洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017123402A true JP2017123402A (ja) | 2017-07-13 |
Family
ID=57794117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016001751A Pending JP2017123402A (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | 洗浄装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170200623A1 (ja) |
EP (1) | EP3189904A1 (ja) |
JP (1) | JP2017123402A (ja) |
KR (1) | KR20170082985A (ja) |
CN (1) | CN106944402A (ja) |
TW (1) | TW201733694A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020153168A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020155721A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187294A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001156049A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 有機物剥離装置及び有機物剥離方法 |
JP2008270402A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07114191B2 (ja) | 1990-11-14 | 1995-12-06 | 株式会社荏原総合研究所 | 洗浄方法 |
US6610168B1 (en) * | 1999-08-12 | 2003-08-26 | Sipec Corporation | Resist film removal apparatus and resist film removal method |
US6634806B2 (en) * | 2000-03-13 | 2003-10-21 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP4942263B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2012-05-30 | ラムリサーチ株式会社 | 洗浄装置 |
JP3805690B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2006-08-02 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4950786B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2012-06-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5669461B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2015-02-12 | 株式会社ディスコ | スピンナ洗浄装置 |
US9393579B2 (en) * | 2012-10-03 | 2016-07-19 | The Boeing Company | Cleaning apparatus and method of cleaning a contaminated surface |
-
2016
- 2016-01-07 JP JP2016001751A patent/JP2017123402A/ja active Pending
- 2016-12-13 TW TW105141190A patent/TW201733694A/zh unknown
- 2016-12-21 US US15/386,420 patent/US20170200623A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-01-03 EP EP17150182.8A patent/EP3189904A1/en not_active Withdrawn
- 2017-01-04 KR KR1020170001174A patent/KR20170082985A/ko unknown
- 2017-01-06 CN CN201710011014.7A patent/CN106944402A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187294A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001156049A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 有機物剥離装置及び有機物剥離方法 |
JP2008270402A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020153168A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020120011A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7202632B2 (ja) | 2019-01-24 | 2023-01-12 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020155721A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
WO2020195176A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
KR20210124391A (ko) * | 2019-03-22 | 2021-10-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 |
TWI783211B (zh) * | 2019-03-22 | 2022-11-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法 |
KR102564664B1 (ko) * | 2019-03-22 | 2023-08-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201733694A (zh) | 2017-10-01 |
US20170200623A1 (en) | 2017-07-13 |
KR20170082985A (ko) | 2017-07-17 |
EP3189904A1 (en) | 2017-07-12 |
CN106944402A (zh) | 2017-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6588819B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101889145B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
TWI675940B (zh) | 基板液處理方法及基板液處理裝置與記錄有基板液處理程式之電腦可讀取的記憶媒體 | |
CN103811302A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
KR102313762B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN105993061A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2017123402A (ja) | 洗浄装置 | |
JP6982478B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
JP2018501665A (ja) | 基板液処理装置及び方法 | |
JP5399678B2 (ja) | レジスト剥離装置 | |
TWM429172U (en) | Surface treatment apparatus | |
KR100766343B1 (ko) | 기판 세정 건조 방법 | |
JP5523502B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102030681B1 (ko) | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 | |
JP2010056309A (ja) | 基板処理装置とガス溶解液供給方法と基板処理方法 | |
JP2007158270A (ja) | 枚葉式基板処理装置 | |
KR20100000292A (ko) | 노즐유닛 및 이를 포함하는 기판세정장치 | |
JP2007317802A (ja) | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 | |
JP2007144296A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
KR20160116563A (ko) | 세정시스템의 관절장치 | |
JP2009013031A (ja) | 板状体冷却装置、熱処理システム | |
KR101927478B1 (ko) | 기판 액처리 방법 및 장치 | |
KR101648946B1 (ko) | 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법 | |
KR101725257B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
TWM512448U (zh) | 清洗機構與製程設備 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190618 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191210 |