JP2008270402A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板洗浄装置1(2、3)は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Wの一部分に噴霧する二流体ノズル20と、被処理基板Wの一部分の加熱を行う加熱部40(60)と、を備えている。被処理基板Wにおける一の箇所に二流体ノズル20が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部40(60)により行う。
【選択図】図2
Description
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。図1および図2は、本発明による基板洗浄装置の第1の実施の形態を示す図である。
このうち、図1は、本発明の第1の実施の形態における基板洗浄装置の構成を示す概略構成図であり、図2は、図1に示す基板洗浄装置における二流体ノズルおよび赤外線ランプの構成の詳細を示す図である。
また、更に他の種類の加熱部としては、高温の空気や窒素ガス等の高温ガスをウエハWに噴射するようなガスノズルを用いることができるが、このようなガスノズルを加熱部とする構成については後述の第2の実施の形態や第3の実施の形態において詳述する。
次に、図面を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は、本発明の第2の実施の形態における基板洗浄装置の構成を示す概略構成図である。
図4に示す第2の実施の形態において、図1および図2に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図2に示すように、アーム22には二流体ノズル20の他にガスノズル60が下向きに取り付けられている。ガスノズル60は、高温の空気や窒素ガス等の高温ガスをウエハWに噴射することにより、ウエハWの一部分を加熱するようになっている。このガスノズル60には高温ガス供給管66が接続されており、この高温ガス供給管66の上流側端部には高温ガス供給機構68が設けられている。この高温ガス供給機構68は、高圧かつ高温のガスを高温ガス供給管66に供給することができるようになっている。具体的には、高温ガス供給機構68から供給される高温ガスは、ウエハWの温度よりも温度が高くなっている。また、高温ガス供給管66にはバルブ67が介設されている。このバルブ67の開度を変えることにより、ガスノズル60に送られる高温ガスの圧力(流量)を変えることができるようになっている。
次に、図面を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図5は、本発明の第3の実施の形態における基板洗浄装置の構成を示す概略構成図であり、図6は、図5に示す基板洗浄装置における一体型ノズルの構成の詳細を示す図である。
図5および図6に示す第3の実施の形態において、図1および図2に示す第1の実施の形態、および図4に示す第2の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図5に示すように、チャンバー10内においてスピンチャック12により保持されたときのウエハWの上方の位置に、一体型ノズル70が下向きに設けられている。一体型ノズル70の構成の詳細については後述する。
10 チャンバー
12 スピンチャック
16 外筒
20 二流体ノズル
20a ノズル本体
20b 洗浄液流路
20c 窒素ガス流路
20d 合流部
20e 吐出口
21 洗浄液の液滴の噴霧範囲
22 アーム
24 回転軸部
26 洗浄液供給管
28 窒素ガス供給管
30 洗浄液タンク
32 窒素ガス供給機構
34 バルブ
36 バルブ
38 フィルタ
40 赤外線ランプ
41 赤外線ランプにより熱照射される範囲
50 洗浄液排出管
60 ガスノズル
66 高温ガス供給管
67 バルブ
68 高温ガス供給機構
70 一体型ノズル
70a ノズル本体
70b 洗浄液流路
70c 窒素ガス流路
70d 合流部
70e 吐出口
70f 高温ガス流路
70g 吐出口
72 アーム
74 回転軸部
76 洗浄液の液滴の噴霧範囲
78 高温ガスの噴射範囲
Claims (13)
- 洗浄液と液滴生成用ガスとを混合して洗浄液の液滴を生成し、被処理基板の一部分に対してこの洗浄液の液滴を噴霧する二流体ノズルと、
被処理基板の全体ではない一部分を加熱する加熱部であって、被処理基板における一の箇所に前記二流体ノズルが洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を行うような加熱部と、
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記加熱部はランプであることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記ランプは、前記被処理基板の一部分のみならず前記二流体ノズルから噴霧される洗浄液の液滴をも加熱するようになっていることを特徴とする請求項2記載の基板洗浄装置。
- 前記加熱部は、被処理基板よりも温度が高いガスを被処理基板の一部に対して噴射するガスノズルであることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記ガスノズルは前記二流体ノズルを囲むようこの二流体ノズルの周囲に設置されており、前記二流体ノズルから被処理基板に向かって噴霧される洗浄液の液滴は前記ガスノズルから被処理基板に向かって噴射されるガスによりその噴霧方向が調整されることを特徴とする請求項4記載の基板洗浄装置。
- 被処理基板の基板面に沿ってこの基板面と距離を隔てて前記二流体ノズルを移動させる二流体ノズル駆動機構と、
被処理基板の基板面に沿ってこの基板面と距離を隔てて前記加熱部を移動させる加熱部駆動機構であって、被処理基板における一の箇所に前記二流体ノズルが洗浄液の液滴を噴霧する直前に前記加熱部がこの一の箇所の加熱を行うように前記加熱部を移動させる加熱部駆動機構と、
を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。 - 被処理基板の基板面に沿ってこの基板面と距離を隔てて前記二流体ノズルおよび前記加熱部を一体的に移動させる一体型駆動機構であって、前記加熱部が前記二流体ノズルよりも先行するよう前記二流体ノズルおよび前記加熱部を移動させる一体型駆動機構を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記二流体ノズルに送られる洗浄液および液滴生成用ガスの少なくともいずれか一方は加熱されたものであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 被処理基板の全体ではない一部分である一の箇所の加熱を加熱部により行う工程と、
被処理基板における一の箇所に対して加熱が行われた直後に、二流体ノズルにおいて洗浄液と液滴生成用ガスとを混合することにより生成された洗浄液の液滴をこの一の箇所に噴霧する工程と、
を備え、
被処理基板における一の箇所に前記二流体ノズルが洗浄液の液滴を噴霧する直前に前記加熱部がこの一の箇所の加熱を行うように前記加熱部および前記二流体ノズルが被処理基板の表面に沿って移動することを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記加熱部は、被処理基板における一の箇所の加熱を行う際に、前記二流体ノズルから噴霧される洗浄液の液滴をも加熱するようになっていることを特徴とする請求項9記載の基板洗浄方法。
- 前記加熱部は、被処理基板よりも温度が高いガスを被処理基板の一部に対して噴射するガスノズルであることを特徴とする請求項9記載の基板洗浄方法。
- 前記ガスノズルは前記二流体ノズルを囲むようこの二流体ノズルの周囲に設置されており、前記二流体ノズルから被処理基板に向かって噴霧される洗浄液の液滴は前記ガスノズルから被処理基板に向かって噴射されるガスによりその噴霧方向が調整されることを特徴とする請求項11記載の基板洗浄方法。
- 前記二流体ノズルに送られる洗浄液および液滴生成用ガスの少なくともいずれか一方は加熱されたものであることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
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