KR20120137222A - 액처리 장치 및 액처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 약액 처리 시에 발생할 수 있는 약액 분위기의 확산을 방지하면서, 웨이퍼의 패턴 형성면을 효율적으로 처리할 수 있는 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
액처리 장치(10)는, 웨이퍼(W) 위쪽에 설치되며, 웨이퍼(W)에 약액을 토출시키는 토출구를 갖는 처리 유체 노즐(65)과, 처리 유체 노즐(65)에 약액을 공급하는 처리 유체 공급 기구(70)와, 처리 유체 노즐(65)에 의해 웨이퍼(W)에 약액이 토출될 때에 웨이퍼(W)를 위쪽에서 덮을 수 있는 커버 기구(60)를 구비한다. 커버 기구(60)는, 커버 기구(60)가 웨이퍼(W)를 위쪽에서 덮는 하강 위치와, 하강 위치보다 위쪽에 위치하는 상승 위치의 사이에서, 승강 구동 기구(78)에 의해 상하 방향으로 구동된다. 또한, 액처리 장치(10)는, 커버 기구(60)가 상승 위치에 있을 때에 웨이퍼(W)를 커버 기구(60)로부터 상하 방향에서 차폐할 수 있어, 청정 가스의 다운플로우를 생성하는 에어 후드(31)를 더 구비한다.

Description

액처리 장치 및 액처리 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판을 가열하고 기판을 회전시키면서 기판에 처리액을 공급하는 것에 의해, 기판에 정해진 액처리, 예컨대 세정 처리 또는 에칭 처리를 행하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서, 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 칭함)에 형성된 처리 대상막 위에 정해진 패턴으로 레지스트막이 형성되고, 이 레지스트막을 마스크로 하여 에칭, 이온 주입 등의 처리가 상기 처리 대상막에 실시된다. 처리후, 불필요해진 레지스트막은 웨이퍼 상에서 제거된다.
최근에는, 레지스트막의 제거 방법으로서, SPM 처리가 자주 이용되고 있다. SPM 처리는 황산과 과산화수소수를 혼합하여 얻은 SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)액을 가열하여 레지스트막에 공급함으로써 행해진다.
SPM 처리에서는, 일반적으로, 고온으로 가열된 SPM액이 웨이퍼를 향해 토출된다. 이 때문에, SPM액이 증발하여 흄(fume)이 발생한다. 이 흄은 레지스트 제거 장치의 챔버 안에 광범위하게 확산되어, 챔버 내벽 및 챔버내 부품을 오염 또는 부식시켜, 웨이퍼 오염의 원인 물질을 발생시킬 수 있다.
흄이 챔버 안에 광범위하게 확산되어, 챔버 내벽 및 챔버내 부품을 오염 또는 부식시키는 것을 막기 위해, 특허문헌 1에 있어서, 웨이퍼를 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 웨이퍼의 주위를 둘러싸고 그 웨이퍼의 위쪽에 개구부를 갖는 차폐벽과, 이 차폐벽의 위쪽에 설치된 커버 부재와, 차폐벽과 커버 부재 사이의 간극을 통해 측방으로부터 삽입되어, 웨이퍼를 향해 SPM액을 토출하는 노즐을 구비한 레지스트 제거 장치가 제안되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 레지스트 제거 장치에 의하면, 상기 차폐벽 및 커버 부재에 의해, 흄이 챔버 안에 광범위하게 확산되는 것이 방지된다.
일본 특허 출원 공개 제2007-35866호 공보
특허문헌 1에 기재된 레지스트 제거 장치에서는, 커버 부재가 흄이나 SPM액에 의해 오염되는 것을 생각할 수 있다. 예컨대 커버 부재에 의해 억제된 흄이 커버 부재 상에서 응축되어, 커버 부재 위에 액적이 부착되는 것이나, 웨이퍼를 향해 토출된 SPM액이 비산하여, SPM액의 비말(飛沫)이 커버 부재에 부착되는 것을 생각할 수 있다. 이 경우, SPM 처리 후에 실시되는 공정 시에, 커버 부재에 부착되어 있는 액적이나 비말이 웨이퍼 위에 낙하하고, 이것에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 생각할 수 있다. 또한, 커버 부재에 부착된 액적이 건조되면, 건조된 부분의 일부가 파티클이 되어 웨이퍼 상을 떠돌아, 이 파티클이 웨이퍼(W)에 부착되고, 이것에 의해 웨이퍼가 오염되는 것도 생각할 수 있다.
본 발명은, 이러한 과제를 효과적으로 해결할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다.
본 발명의 제1 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판의 상면의 위쪽에 설치되며, 상기 기판의 상면에 약액을 토출하는 토출구를 갖는 처리 유체 노즐과, 상기 처리 유체 노즐에 약액을 공급하는 처리 유체 공급 기구와, 상기 처리 유체 노즐에 의해 상기 기판의 상면에 약액이 토출될 때에 상기 기판을 위쪽에서 덮을 수 있는 커버 기구와, 상기 커버 기구를, 상기 처리 유체 노즐에 의해 상기 기판의 상면에 약액이 토출될 때에 상기 커버 기구가 상기 기판을 위쪽에서 덮는 하강 위치와, 상기 하강 위치보다 위쪽에 위치하는 상승 위치의 사이에서 상하 방향으로 구동하는 승강 구동 기구와, 상기 기판 유지부, 상기 처리 유체 노즐, 및 상기 커버 기구가 내부에 배치되는 챔버와, 상기 커버 기구가 상기 상승 위치에 있을 때에 상기 기판을 상기 커버 기구로부터 상하 방향에서 차폐할 수 있고, 청정 가스의 다운 플로우를 생성하는 에어 후드와, 상기 에어 후드를, 상기 에어 후드가 상기 기판을 상기 커버 기구로부터 상하 방향에서 차폐하는 진출 위치와, 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 구동하는 수평 구동 기구를 구비하는 액처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 제2 관점에 의하면, 패턴 형성면이 상면(上面)이 되도록 기판을 수평 자세로 유지하는 단계와, 상기 기판을 위쪽에서 커버 기구에 의해 덮는 단계와, 약액을 상기 기판의 상면에 공급하는 단계와, 상기 커버 기구를 위쪽으로 이동시키는 단게와, 위쪽으로 이동한 상기 커버 기구와 상기 기판 사이에, 상기 기판을 상기 커버 기구로부터 차폐하는 에어 후드를 배치하는 단계와, 상기 에어 후드에 의해 청정 가스의 다운플로우를 생성하는 단계를 포함하는 액처리 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 커버 기구가 상승 위치에 위치할 때에 기판을 커버 기구로부터 상하 방향에서 차폐하도록 에어 후드를 배치함으로써, 커버 기구에 부착되어 있는 액이 기판 위에 낙하하는 것을 막을 수 있다. 또한, 에어 후드가 청정 가스의 다운플로우를 생성함으로써, 파티클에 의해 기판이 오염되는 것을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 상측 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 사시도로서, 커버 기구가 하강 위치에 있고, 차폐 기구가 후퇴 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 사시도로서, 커버 기구가 상승 위치에 있고, 차폐 기구가 진출 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 평면도로서, 커버 기구가 하강 위치에 있고, 차폐 기구가 후퇴 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시하는 액처리 장치의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 평면도로서, 커버 기구가 상승 위치에 있고, 차폐 기구가 진출 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 5b는 도 5a에 도시하는 액처리 장치의 단면도이다.
도 6은 액처리 장치의 기판 유지부 및 그 주변의 구성 요소를 도시하는 단면도이다.
도 7은 컵 외주통을 도시하는 사시도이다.
도 8a는 커버 기구의 상부판을 도시하는 평면도이다.
도 8b는 커버 기구의 상부판을 도시하는 저면도이다.
도 9a는 커버 기구 및 처리 유체 공급 기구를 도시하는 측면도이다.
도 9b는 상부판에 내장된 처리 유체 노즐을 도시하는 저면도이다.
도 9c는 도 9b에서의 선 IXc-IXc를 따라 취한 바 노즐의 내부 구조를 도시하는 단면도이다.
도 9d는 커버 기구의 상부판을 도시하는 종단면도이다.
도 10은 에어 후드를 도시하는 종단면도이다.
도 11은 웨이퍼에 SPM 처리 및 세정 처리를 실시하는 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 커버 기구의 상부판이 세정되는 모습을 도시하는 도면이다.
도 13은 차폐 기구의 세정용 용기의 다른 형태를 도시하는 도면이다.
도 14는 커버 기구의 상부판이 세정되는 양태를 도시하는 도면이다.
처리 시스템
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 먼저, 도 1을 이용하여, 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치를 포함하는 처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 처리 시스템은 외부로부터 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 간단히 「웨이퍼(W)」라고 칭함)를 수용한 캐리어를 배치하기 위한 배치대(101)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 반송 아암(102)과, 반송 아암(102)에 의해 취출된 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 선반 유닛(103)과, 선반 유닛(103)에 배치된 웨이퍼(W)를 수취하고, 상기 웨이퍼(W)를 액처리 장치(10) 안에 반송하는 반송 아암(104)을 구비한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템에는, 복수(도 1에 도시하는 양태에서는 4개)의 액처리 장치(10)가 내장되어 있다.
액처리 장치
다음에, 액처리 장치(10)의 개략적인 구성에 대해서 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 액처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)가 수용되고, 이 수용된 웨이퍼(W)의 액처리가 행해지는 챔버(20)와, 챔버(20)에 인접하여 형성된 대기실(80)을 구비한다. 여기서 챔버(20) 안에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)와, 웨이퍼(W) 위쪽에 배치된 커버 기구(60)가 설치되어 있다. 이 중 커버 기구(60)는, 웨이퍼(W)를 위쪽에서 덮는 하강 위치(도 2 참조)와, 하강 위치보다 위쪽에 위치하는 상승 위치(도 3 참조) 사이에서 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 커버 기구(60)는 뒤에서 상세히 설명하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면에 SPM액 등의 약액이 토출될 때, 약액이 챔버(20) 안에 광범위하게 확산되는 것을 막기 위해 웨이퍼(W)를 위쪽에서 덮는 것이다.
커버 기구(60)를 상하 방향으로 이동 가능하게 하기 위한 구체적인 수단은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 커버 기구(60)는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 챔버(20)의 외부에 설치되며, 상하 방향으로 연장되는 지지부(78c)와, 지지부(78c)를 따라 상하 방향으로 구동되는 가동부(78b)와, 일단이 가동부(78b)에 부착되고, 타단이 커버 기구(60)에 부착된 아암(78a)을 갖는 승강 구동 기구(78)에 의해 상하 방향으로 움직이도록 되어 있다. 이 경우, 가동부(78b)를 상하 방향으로 구동하기 위한 구체적인 수단은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 에어 실린더, 모터 등의 공지된 구동 수단이 이용될 수 있다. 또한, 챔버(20)의 측벽에 있어서 승강 구동 기구(78)의 아암(78a)이 통과하는 영역에는 개구(도시 생략)가 형성되어 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)는, 챔버(20) 안의 위치(후술하는 진출 위치)와, 대기실(80) 안의 위치(후술하는 후퇴 위치) 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 설치된 차폐 기구(30)를 더 구비한다. 차폐 기구(30)는 뒤에서 상세히 설명하는 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대하여 세정·건조 처리를 실시할 때, 청정 가스의 다운플로우를 생성하여 웨이퍼(W) 주위의 분위기를 청정 상태로 하는 에어 후드(31)와, 에어 후드(31)의 위쪽에 설치된 세정용 용기(32)를 갖고 있다.
차폐 기구(30)를 수평 방향으로 이동 가능하게 하기 위한 구체적인 수단은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 차폐 기구(30)는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 챔버(20)의 외부에 설치되어, 수평 방향으로 연장되는 지지부(35c)와, 지지부(35c)를 따라 수평 방향으로 구동되는 가동부(35b)와, 일단이 가동부(35b)에 부착되며, 타단이 차폐 기구(30)에 부착된 아암(35a)을 갖는 수평 구동 기구(35)에 의해 수평 방향으로 움직이도록 되어 있다. 이 경우, 가동부(35b)를 수평 방향으로 구동하기 위한 구체적인 수단은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 에어 실린더, 모터 등의 공지된 구동 수단이 이용될 수 있다. 또한, 챔버(20)의 측벽에 있어서 수평 구동 기구(35)의 아암(35a) 및 차폐 기구(30)가 통과하는 영역에는 개구(도시 생략)가 형성되어 있다.
본 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)에 SPM 처리를 실시할 때, 커버 기구(60)는 SPM액에 의해 발생하는 흄이 챔버(20) 안에 광범위하게 확산되는 것을 막을 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 SPM 처리나 세정·건조 처리를 실시할 때, 차폐 기구(30)는 웨이퍼(W)와 커버 기구(60) 사이에 위치하여, 상하 방향에서, 웨이퍼(W)를 커버 기구(60)로부터 차폐할 수 있다. 이것에 의해, 커버 기구(60)에 부착된 약액의 액적이나 비말이 웨이퍼(W)에 낙하하는 것을 차폐 기구(30)에 의해 막을 수 있어, 웨이퍼(W)가 오염되는 것을 막을 수 있다. 이 때문에, 본 실시형태에 의하면, SPM 처리와 세정·건조 처리를 동일한 챔버(20) 안에서 실시하는 것이 가능하다.
이하, 이러한 특징을 갖는 액처리 장치(10)의 구성에 대해서, 도 4a 내지 도 5b를 참조하여 상세히 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 커버 기구(60)가 하강 위치에 있고, 차폐 기구(30)가 후퇴 위치에 있을 때의 액처리 장치(10)를 도시하는 평면도 및 종단면도이며, 도 5a 및 도 5b는 커버 기구(60)가 상승 위치에 있고, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있을 때의 액처리 장치(10)를 도시하는 평면도 및 종단면도이다.
도 4b에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)는 웨이퍼(W)를 수평 상태로 유지하여 회전시키기 위한 기판 유지부(21)와, 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라 상하 방향으로 이동 가능한 전술한 커버 기구(60)와, 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라 수평 방향으로 이동 가능한 전술한 차폐 기구(30)를 구비한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 커버 기구(60)에는, 위쪽으로부터 웨이퍼(W)의 상면에 SPM액을 토출하는 토출구를 갖는 처리 유체 노즐(65)이 부착되어 있다. 이 처리 유체 노즐(65)은 후술하는 바와 같이, SPM액뿐만 아니라 DIW나 가스 등의 다른 처리 유체를 웨이퍼(W)의 상면에 토출하는 토출구를 갖고 있어도 좋다. 처리 유체 노즐(65)에는, 처리 유체 노즐(65)에 약액이나 다른 처리 유체를 공급하는 처리 유체 공급 기구(70)가 접속되어 있다.
또한, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 기판 유지부(21) 주위에는, 상부에 개구를 가지며, 기판 유지부(21)를 둘러싸게, 기판 유지부(21)와 함께 회전하도록 설치된 회전컵(40)이 배치되어 있다. 이 회전컵(40) 및 전술한 커버 기구(60)는 커버 기구(60)가 하강 위치에 있을 때에, 커버 기구(60)가 회전컵(40)의 상부의 개구를 덮도록 구성되어 있다.
또한, 도 4a 및 도 4b에 도시하는 바와 같이, 회전컵(40)의 주위에는, 웨이퍼(W), 기판 유지부(21) 및 회전컵(40)을 둘러싸도록 설치된 원통형의 컵 외주통(50)이 배치되어 있다. 이 컵 외주통(50)은 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라, 도 4b에 도시하는 컵 하강 위치와 도 5b에 도시하는 컵 상승 위치의 사이에서 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 컵 외주통(50)의 상세한 구조에 대해서는 후술한다.
또한, 액처리 장치(10)에는, 기판 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터 처리액이나 N 2 가스 등의 유체를 공급하기 위한 노즐(진퇴 노즐)(82a) 및 이 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있다. 도 4a 및 도 5a에 도시하는 바와 같이, 하나의 액처리 장치(10)에는 복수(구체적으로는 예컨대 4개)의 노즐 지지 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 지지 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치되어 있다. 또한, 도 4b 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 아암 지지부(84)가 설치되어 있고, 각 아암 지지부(84)는 아암 구동 기구(도시 생략)에 의해 도 4b 및 도 5b에서의 좌우 방향으로 구동된다. 이것에 의해, 각 노즐 지지 아암(82)은 노즐(82a)이 챔버(20) 안에 진출한 노즐 진출 위치와, 노즐(82a)이 챔버(20)로부터 후퇴한 노즐 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 직선 운동을 한다[도 4a 내지 도 5b에서의 각 노즐 지지 아암(82)에 있는 화살표 참조]. 또한, 도 4b 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82)에는 표면 처리액 공급관(82m)이 설치되어 있고, 각 표면 처리액 공급관(82m)은 표면 처리액 공급부(89)에 접속되어 있다. 그리고, 표면 처리액 공급부(89)로부터 각 표면 처리액 공급관(82m)을 통해 각 노즐 지지 아암(82)의 노즐(82a)에 처리액이나 N2 가스 등의 유체가 공급된다.
도 4a 및 도 4b에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 지지 아암(82) 및 전술한 차폐 기구(30)는 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라, 챔버(20)에 인접하여 형성된 대기실(80)에서 대기하도록 제어된다.
또한, 수평 방향으로 이동 가능한 전술한 노즐(82a)뿐만 아니라, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 챔버(20) 안에 고정된 고정 노즐(92)이 더 설치되어 있어도 좋다. 이 고정 노즐(92)은 컵 외주통(50)보다 내측에 위치하도록 설치되어 있다. 고정 노즐(92)은 후술하는 바와 같이, 차폐 기구(30)가 수평 방향으로 이동하는 동안에 웨이퍼(W)에 대하여 DIW 등의 처리액을 공급하도록 구성되어 있다. 또한, 도 4b에서는, 고정 노즐(92)이 후술하는 드레인컵(42)에 부착되어 있는 예가 도시되어 있다. 그러나, 고정 노즐(92)이 부착되는 부재는 드레인컵(42)에 한정되지 않고, 컵 외주통(50)보다 내측에 위치하는 여러 가지 부재에 부착될 수 있다.
또한, 도 4a 내지 도 5b에 도시하는 바와 같이, 챔버(20)의 바닥부에서의 컵 외주통(50)의 외측에는 배기부(56)가 설치되어 있고, 이 배기부(56)에 의해 챔버(20) 안의 분위기가 배기된다. 구체적으로는, 배기부(56)에 의해, 대기실(80) 안의 분위기가 컵 외주통(50) 안에 들어가는 것이 억제된다. 또한, 이 배기부(56)에 의해, 컵 외주통(50) 안의 분위기가 대기실(80)에 나와 버리는 것이 억제된다.
또한, 도 4a 내지 도 5b에 도시하는 바와 같이, 대기실(80)의 바닥부에는 배기부(58)가 형성되어 있고, 이 배기부(58)에 의해 대기실(80) 안의 분위기가 배기된다. 구체적으로는, 각 노즐 지지 아암(82)을 구동할 때에 발생할 수 있는 파티클을 배기부(58)에 의해 배출할 수 있다.
또한, 도 4a 및 도 5a에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)의 챔버(20) 및 대기실(80)의 출입구에는 각각 메인터넌스용 셔터(57, 59)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 챔버(20) 안이나 대기실(80) 안의 기기를 개별로 메인터넌스하는 것이 가능해진다.
또한, 도 4a 및 도 5a에 도시하는 바와 같이, 챔버(20)의 측벽에는, 반송 아암(104)에 의해 챔버(20) 안에 웨이퍼(W)를 반입하거나 챔버(20)로부터 웨이퍼(W)를 반출하거나 하기 위한 개구(94a)가 형성되어 있다. 이 개구(94a)에는, 그 개구(94a)를 개폐하기 위한 셔터(94)가 설치되어 있다.
다음에, 액처리 장치(10)의 각 구성 요소의 세부 사항에 대해서 이하에 설명한다.
(기판 유지부)
먼저, 도 6을 참조하여, 기판 유지부(21)에 대해서 설명한다. 도 6은 액처리 장치(10)의 각 구성 요소 중, 기판 유지부(21) 및 그 주변에 위치하는 구성 요소를 도시하는 종단면도이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 기판 유지부(21)는 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 원판 형상의 유지 플레이트(26)와, 유지 플레이트(26)의 위쪽에 설치된 원판 형상의 리프트핀 플레이트(22)를 구비한다. 리프트핀 플레이트(22)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽으로부터 지지하기 위한 리프트핀(23)이 둘레 방향에 등간격으로 3개 설치되어 있다. 또한, 도 6에서는 2개의 리프트핀(23)만을 표시하고 있다. 또한, 리프트핀 플레이트(22)에는 피스톤 기구(24)가 설치되어 있고, 이 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 승강하도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 반송 아암(104)(도 1 참조)에 의해 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)상에 배치하거나 리프트핀(23)상으로부터 웨이퍼(W)를 취출하거나 할 때에는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 도 6에 도시하는 바와 같은 위치로부터 위쪽으로 이동되어, 이 리프트핀 플레이트(22)는 회전컵(40)보다 위쪽에 위치하게 된다. 한편, 챔버(20) 안에서 웨이퍼(W)를 액처리할 때는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 도 6에 도시하는 바와 같은 하강 위치에 이동되어, 웨이퍼(W) 주위에 회전컵(40)이 위치하게 된다.
유지 플레이트(26)에는, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 지지하기 위한 유지 부재(25)가 둘레 방향에 등간격으로 3개 설치되어 있다. 또한, 도 6에서는 2개의 유지 부재(25)만을 표시하고 있다. 각 유지 부재(25)는 리프트핀 플레이트(22)가 위쪽 위치로부터 도 6에 도시하는 바와 같은 하강 위치에 이동했을 때에 이 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시키도록 되어 있다.
유지 플레이트(26)에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 전술한 회전컵(40)이 부착되어 있고, 이것에 의해, 회전컵(40)은 유지 플레이트(26)와 일체적으로 회전할 수 있다. 이 회전컵(40)은 도 6에 도시하는 바와 같이, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 측방으로부터 둘러싸도록 설치되어 있다. 이 때문에, 회전컵(40)은 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액을 받을 수 있다.
(드레인컵 및 안내컵)
또한, 회전컵(40)의 주위에는, 드레인컵(42), 제1 안내컵(43), 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 위쪽부터 순서대로 설치되어 있다. 드레인컵(42) 및 각 안내컵(43, 44, 45)은 각각 링형으로 형성되어 있다. 드레인컵(42) 및 각 안내컵(43, 44, 45)은 각각 상부에 개구를 갖고 있다. 여기서, 드레인컵(42)은 챔버(20)에 고정되어 있다. 한편, 각 안내컵(43, 44, 45)에는 각각 승강 실린더(도시 생략)가 연결되어 있고, 이들의 안내컵(43, 44, 45)은 대응하는 승강 실린더에 의해 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 아래쪽에는, 제1 처리액 회수용 탱크(46a), 제2 처리액 회수용 탱크(46b), 제3 처리액 회수용 탱크(46c) 및 제4 처리액 회수용 탱크(46d)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에서의 위치에 의해, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액이 이 처리액의 종류에 기초하여, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 어느 하나의 처리액 회수용 탱크에 선택적으로 보내지게 된다.
또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 제4 처리액 회수용 탱크(46d)의 내측에는 배기부(48)가 형성되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향에서의 위치가 정해진 위치가 되는 것에 의해, 웨이퍼(W) 주위의 분위기가 배기부(48)에 의해 배기되게 된다. 이 배기부(48)는 웨이퍼(W) 주위의 분위기뿐만 아니라, 챔버(20) 안의 분위기를 배기하고, 이것에 의해 챔버(20) 안의 분위기를 치환할 수도 있다.
(컵 외주통)
또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 주위에는, 전술한 컵 외주통(50)이 설치되어 있다. 이 컵 외주통(50)에 대해서, 도 7을 참조하여 상세히 설명한다. 도 7은 컵 외주통(50)을 도시하는 사시도이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 측면에는, 노즐 지지 아암(82)이 통과 가능한 측부 개구(50m)가, 노즐 지지 아암(82)의 개수에 따라 형성되어 있다. 예컨대, 노즐 지지 아암(82)이 4개인 경우, 4개의 측부 개구(50m)가 형성된다. 또한, 컵 외주통(50)의 상부에는, 이 컵 외주통(50)을 지지하기 위한 지지 부재(50a)가 연결되어 있고, 지지 부재(50a)에는 상기 지지 부재(50a)를 승강시키는 구동 기구(50b)가 설치되어 있다. 그리고, 구동 기구(50b)에 의해 지지 부재(50a)를 승강시킴으로써, 이 지지 부재(50a)에 지지되는 컵 외주통(50)도 승강하도록 되어 있다.
또한, 컵 외주통(50)의 상부에는, 개구(상부 개구)가 형성되어 있다. 이 상부 개구는 컵 외주통(50)이 컵 상승 위치에 있을 때, 진출 위치에 있는 차폐 기구(30)의 에어 후드(31)에 근접하거나 또는 접하도록 구성되어 있다. 즉, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있을 때에 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)의 내측에 형성되는 공간은 외부로부터 격리된다. 후술하는 바와 같이, 노즐(82a)로부터 DIW 등의 처리액을 웨이퍼(W)에 토출함으로써 실시되는 여러 가지 처리는 이와 같이 에어 후드(31)와 컵 외주통(50)에 의해 외부로부터 격리된 조건하에서 실시된다. 이하의 설명에서, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)의 내측에 형성되며 외부로부터 격리된 공간을 「처리 공간」이라 칭한다.
전술한 바와 같이 처리 공간을 형성함으로써 얻어지는 이점으로서, 주로 이하의 2가지 이점을 생각할 수 있다. 하나는, 외부로부터 격리됨으로써, 처리 공간 안의 분위기가 외부에 나오는 것을 막을 수 있고, 외부의 분위기가 처리 공간 안에 들어가는 것을 막을 수 있는 이점이다. 다른 하나는, 처리 공간이 폐쇄 공간이 됨으로써, 처리가 실시되는 공간의 용적을 작게 할 수 있고, 이것에 의해, 처리 효율을 높일 수 있는 이점이다. 예컨대, 처리 시에 처리 공간 안의 청정 가스에의 치환 효율을 높일 수 있는 이점이다.
또한, 도 5b에 도시하는 액처리 장치(10)에서, 챔버(20) 안에서의 컵 외주통(50)의 내부 영역은 클린룸에 대하여 미양압(微陽壓)으로 되어 있고, 한편, 챔버(20) 안에서의 컵 외주통(50)의 외부 영역은 클린룸에 대하여 미음압(微陰壓)으로 되어 있다. 이 때문에, 챔버(20) 안에서, 컵 외주통(50)의 내부 영역의 기압은 컵 외주통(50)의 외부 영역의 기압보다 높게 된다.
또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 상부에는, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있을 때에 컵 외주통(50)과 에어 후드(31) 사이에 개재되는 시일 부재가 부착되어 있다. 이러한 시일 부재를 설치함으로써, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)의 내측에 형성되는 처리 공간을 보다 강고하게 외부로부터 격리할 수 있다. 시일 부재의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 시일 부재는 도 7에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 상면에 부착된 O링(50c)을 포함한다.
(커버 기구)
다음에, 커버 기구(60)에 대해서 상세히 설명한다. 도 4b 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 커버 기구(60)는 적어도 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경을 갖는 원판형의 상부판(61)을 갖고 있다. 이 상부판(61)은, 바람직하게는 전술한 회전컵(40)의 상부에 형성된 개구 및 드레인컵(42)의 상부에 형성된 개구를 완전히 덮는 데 충분한 형상 및 치수를 갖는다. 예시된 실시형태에서는, 상부판(61)은, 드레인컵(42)의 상부에 형성된 개구의 직경보다 약간 큰 직경을 갖는 원판형의 형상을 갖는다.
도 8a 및 도 8b는 각각 상부판(61)을 도시하는 평면도 및 저면도이다. 도 8a 및 도 8b에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)에는, 웨이퍼(W)의 상면에 SPM액을 토출하는 토출구를 갖는 처리 유체 노즐(65)이 내장되어 있다. 이 처리 유체 노즐(65)은 도 8b에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)의 중심부에 설치된 센터 노즐(67)과, 상부판(61)의 중심부로부터 상부판(61)의 주연부를 향해 연장되는 바 노즐(다중 노즐)(66)을 포함한다. 이 중 센터 노즐(67)은 상부판(61)의 중심부에 설치되며, 웨이퍼(W)의 상면에 SPM액을 토출하는 센터 토출구(67a)를 포함한다. 또한, 바 노즐(66)은, 상부판(61)의 중심부로부터 상부판(61)의 주연부 사이에 배열되고, 웨이퍼(W)의 상면에 SPM액을 토출하는 복수의 토출구(66a)를 포함한다. 즉, 각 토출구(66a)는 웨이퍼(W)의 중심부에 대향하는 위치로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 대향하는 위치 사이에 배열되어 있다. 이러한 처리 유체 노즐(65) 구조의 세부 사항에 대해서는 후술한다.
도 8b에 도시하는 바와 같이, 센터 노즐(67)의 센터 토출구(67a)의 근방에는, 불활성 가스를 웨이퍼(W) 상면에 분사하는 가스 토출구(68a)와, 고온의 뜨거워진 순수(HOT-DIW)를 웨이퍼(W) 상면에 토출하는 세정액 토출구(68b)가 더 설치되어 있어도 좋다.
(처리 유체 공급 기구)
또한, 도 8a에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)의 근방에는, 처리 유체 노즐(65)에 SPM액, 불활성 가스 및 HOT-DIW를 공급하는 처리 유체 공급 기구(70)가 설치되어 있다. 이하, 도 8a 및 도 9a를 참조하여, 처리 유체 공급 기구(70)에 대해서 상세히 설명한다.
[SPM액]
처음에, 처리 유체 공급 기구(70)로부터 처리 유체 노즐(65)에 공급되는 SPM액에 대해서 설명한다. SPM액은 황산(제1 약액)과 과산화수소수(제2 약액)를 혼합함으로써 얻어지는 혼합 약액이다. 바람직하게는, 황산과 과산화수소의 혼합은 처리 유체 노즐(65)의 근방 또는 처리 유체 노즐(65)의 내부에서 실시된다.
[공급원 및 공급관]
도 8a에 도시하는 바와 같이, 처리 유체 공급 기구(70)는 황산(제1 약액)을 수용하는 제1 공급원(71)과, 황산을 제1 공급원(71)으로부터 처리 유체 노즐(65)에 공급하는 제1 공급관(72)과, 과산화수소수(제2 약액)를 수용하는 제2 공급원(73)과, 과산화수소수를 제2 공급원(73)으로부터 처리 유체 노즐(65)에 공급하는 제2 공급관(74)을 갖고 있다. 이 중 제1 공급관(72)은 황산을 바 노즐(66)에 공급하는 바 노즐용 제1 공급관(72a)과, 황산을 센터 노즐(67)에 공급하는 센터 노즐용 제1 공급관(72b)을 포함한다. 또한, 제2 공급관(74)은 과산화수소수를 바 노즐(66)에 공급하는 바 노즐용 제2 공급관(74a)과, 과산화수소수를 센터 노즐(67)에 공급하는 센터 노즐용 제2 공급관(74b)을 포함한다. 각 공급원(71, 73)은 챔버(20)의 내부 또는 외부의 정해진 위치에 고정되어 있다.
제1 공급원(71)으로부터 바 노즐용 제1 공급관(72a)을 통해 바 노즐(66)에 공급되는 황산의 유량, 및 제1 공급원(71)으로부터 센터 노즐용 제1 공급관(72b)을 통해 센터 노즐(67)에 공급되는 황산의 유량은 서로 독립적으로 제어 가능하게 된다. 마찬가지로, 제2 공급원(73)으로부터 바 노즐용 제2 공급관(74a)을 통해 바 노즐(66)에 공급되는 과산화수소수의 유량, 및 제2 공급원(73)으로부터 센터 노즐용 제2 공급관(74b)을 통해 센터 노즐(67)에 공급되는 과산화수소수의 유량은, 서로 독립적으로 제어 가능하게 된다.
또한, 처리 유체 공급 기구(70)는 불활성 가스 공급원(도시 생략)으로부터의 불활성 가스를 가스 토출구(68a)에 공급하는 가스 공급관(75a)과, HOT-DIW 공급원(도시 생략)으로부터의 HOT-DIW를 세정액 토출구(68b)에 공급하는 세정액 공급관(75b)을 더 포함하여도 좋다.
각 공급관(72a, 72b, 74a, 74b, 75a, 75b)은 상하 방향에서의 커버 기구(60)의 이동에 추종할 수 있도록, 정해진 유연성을 갖는 재료로 구성되어 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 처리 유체 노즐(65)에 공급되는 황산은 140℃∼200℃의 고온으로 가열된 상태로 제1 공급관(72)을 통과한다. 이 때문에, 제1 공급관(72)의 바 노즐용 제1 공급관(72a) 및 센터 노즐용 제1 공급관(72b)을 구성하는 재료는 정해진 유연성을 가지며, 정해진 내열성을 갖는 재료로 구성되어 있다. 예컨대, PFA(테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체)로 구성되어 있다.
도 9a는 커버 기구(60) 및 처리 유체 공급 기구(70)를 측방에서 본 경우를 도시하는 도면이다. 도 9a에 도시하는 바와 같이, 각 공급관(72a, 72b, 74a, 74b, 75a, 75b)은 대략 수평 방향으로 연장되어 있다. 여기서, 「대략 수평으로 연장되어 있다」란, 예컨대 도 9a에서 바 노즐용 제1 공급관(72a)에 관해서 도시되어 있는 바와 같이, 제1 공급원(71)과 처리 유체 노즐(65)의 사이에서, 바 노즐용 제1 공급관(72a)의 수평 방향에서의 연장 범위(I1)가 상하 방향에서의 연장 범위(I2)보다 큰 것을 의미한다.
또한, 도 8a에 도시하는 예에서는, 각 공급관(72a, 72b, 74a, 74b, 75a, 75b)이 승강 구동 기구(78)의 아암(78a)에 부분적으로 고정되어 있는 예를 나타내었다. 그러나, 각 공급원으로부터 처리 유체 노즐(65)에 이르는 공급관(72a, 72b, 74a, 74b, 75a, 75b)의 배치 방법이 특별히 한정되지 않고, 각 공급원의 배치 등에 따라 적절히 설정될 수 있다.
(처리 유체 노즐)
다음에 도 9b 및 도 9c를 참조하여, 처리 유체 노즐(65)에 대해서 상세히 설명한다. 도 9b는, 상부판(61)에 내장된 처리 유체 노즐(65)을 아래쪽에서 본 경우를 도시하는 저면도이다.
[바 노즐]
먼저, 바 노즐(66)에 대해서 설명한다. 도 9b에서 파선으로 도시하는 바와 같이, 바 노즐(66)에는, 황산을 공급하는 바 노즐용 제1 공급관(72a)에 연통하고 있는 유체 통로(황산 통로)(66b)와, 과산화수소수를 공급하는 바 노즐용 제2 공급관(74a)에 연통하고 있는 유체 통로(과산화수소수 통로)(66c)가 형성되어 있다. 도 9b에 파선으로 도시하는 바와 같이, 황산 통로(66b) 및 과산화수소수 통로(66c)는 상부판(61)의 중심부측으로부터 상부판(61)의 주연부측에 이를 때까지, 바 노즐(66)의 긴 길이 방향을 따라, 수평으로 서로 평행하게 연장되어 있다.
다음에, 도 9c를 참조하여, 바 노즐(66)의 토출구(66a)가 SPM액을 토출하기 위한 기구에 대해서 설명한다. 도 9c는 도 9b에서의 선 IXc-IXc를 따라 취한 바 노즐(66)의 내부 구조를 도시하는 단면도이다.
도 9c에 도시하는 바와 같이, 바 노즐(66)에서는, 각 토출구(66a)에 대응하여, 황산 통로(66b)에 하나의 황산 토출로(66d)가, 과산화수소수 통로(66c)에 하나의 과산화수소수 토출로(66e)가 각각 접속되어 있다. 또한, 도 9c에 도시하는 바와 같이, 황산 토출로(66d)가 종단되는 토출구(66a)보다 앞쪽 위치에서, 과산화수소수 토출로(66e)가 황산 토출로(66d)에 합류한다. 따라서, 각 토출구(66a)로부터, 황산과 과산화수소수를 혼합하는 것에 의해 생성된 직후의 SPM액이 토출된다. 이와 같이 각 토출구(66a)의 근방에서 황산과 과산화수소수를 혼합함으로써, 혼합에 기인하는 화학 반응에 의해 온도 상승한 직후의 SPM액을 각 토출구(66a)로부터 토출할 수 있다.
[센터 노즐]
다음에 센터 노즐(67)에 대해서 설명한다. 센터 노즐(67)에서도, 바 노즐(66)의 경우와 마찬가지로, 황산을 공급하는 센터 노즐용 제1 공급관(72b)에 연통하고 있는 황산 통로(도시 생략)와, 과산화수소수를 공급하는 센터 노즐용 제2 공급관(74b)에 연통하고 있는 과산화수소수 통로가 설치되어 있다. 그리고, 센터 토출구(67a)의 근방에서 황산과 과산화수소수를 혼합함으로써 생성된 SPM액이 센터 토출구(67a)로부터 토출된다.
(히터)
다음에, 상부판(61)에 설치되는 히터에 대해서 설명한다. SPM액은 웨이퍼(W)의 상면에 설치된 레지스트막을 제거하기 위해 웨이퍼(W)의 상면에 토출된다. 이 때, SPM액이 레지스트막을 제거하는 능력은 SPM액의 온도가 높을수록 높아진다. 이 때문에, SPM 처리시, 웨이퍼(W) 및 레지스트막의 주변 환경을 가열함으로써, SPM 처리 온도가 높여져 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 웨이퍼(W) 및 레지스트막의 주변 환경의 온도는 각 토출구(66a)로부터 토출되는 SPM액의 온도보다 높은 것이 바람직하다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 공급된 SPM액의 온도를 더 높일 수 있어, SPM액이 레지스트막을 제거하는 능력을 향상시킬 수 있다. 이러한 가열을 실현하기 위해, 본 실시형태에서는, 주위 환경을 통해 웨이퍼(W) 및 레지스트막을 가열하기 위한 히터가 커버 기구(60)의 상부판(61)에 설치되어 있다. 이하, 이러한 히터에 대해서, 도 8b 및 도 9d를 참조하여 설명한다.
도 8b에서 파선으로 도시하는 바와 같이, 상부판(61)에는, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터, 예컨대 LED 램프(63)가 내장되어 있다. 도 9d는 상부판(61)을 도시하는 종단면도이다. 도 9d에 도시하는 바와 같이, 이 LED 램프(63)는, 상부판(61)의 내부에 설치되어 있다. 예시된 실시형태에서는, 복수의 LED 램프(63)를 갖는 하나의 LED 램프 어레이가 설치되어 있다. LED 램프(63)는, 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 적합한 파장, 구체적으로는 예컨대 880 ㎚의 파장의 광을 방사하는 것이 이용된다. 또한, LED 램프(63)는, 880 ㎚의 파장의 광을 잘 투과하고, 내식성이 높은 석영이나 테플론(등록 상표)을 포함하는 커버(64)로 덮여 보호된다.
또한, 도 8b 및 도 9d에서는, 웨이퍼(W)의 사이즈와 대략 같은 사이즈의 하나의 LED 램프 어레이가 설치되어 있는 예가 도시되어 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 웨이퍼 중앙부에 대향하는 위치, 웨이퍼 주연부에 대향하는 위치, 웨이퍼 중앙부와 웨이퍼 주연부 사이의 웨이퍼 중간부에 대향하는 위치에, 각각 단수 또는 복수의 LED 램프 어레이를 설치하여도 좋다. 이 경우, 이들 각 LED 램프 어레이를 개별로 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 부위마다 온도를 제어하는(소위, 존 제어) 것도 가능하다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전에 따라 생기는 기류에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 식기 쉬운 경향이 있기 때문에, LED의 출력 또는 LED 램프의 수(발광 소자수)는 외주부일수록 많게 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면을 균일하게 가열할 수 있다.
LED 램프(63)의 위쪽에 있어서, 상부판(61)의 내부에는, 열에 약한 LED 램프(63)를 냉각하여 보호하기 위해, 냉매 통로(62a)가 형성되어도 좋다. 냉매 통로(62a)는 평면에서 봤을 때, 나선형 또는 동심원형 등으로 배치될 수 있다. 냉매 통로(62a)에는, 냉매 공급원, 예컨대 냉각수 공급원(도시 생략)에 접속된 냉매 공급관(도시 생략)이 접속되어 있다.
(차폐 기구)
다음에, 차폐 기구(30)에 대해서 상세히 설명한다. 처음에, 차폐 기구(30)의 에어 후드(31)에 대해서 설명한다. 에어 후드(31)는, 처리 공간 안에 클린 에어 등의 청정 가스의 다운플로우를 형성하도록 구성되어 있다. 도 10은 에어 후드(31)를 도시하는 단면도이다. 에어 후드(31)는 FFU(팬 필터 유닛)(33)과, FFU(33)의 아래쪽에 설치되며, 다수의 구멍(34a)이 형성된 펀칭 플레이트(34)를 포함한다. 이 중 FFU(33)의 내부에는, 도시하지 않지만, 공기를 송풍하는 송풍기, 공기를 청정화하여 클린 에어로 하는 필터 등이 설치되어 있다. 또한, 펀칭 플레이트(34)의 각 구멍(34a)은, 펀칭 플레이트(34) 전역에 걸쳐 균등하게 분포되도록 구성되어 있다. 이 때문에, FFU(33)에 의해 생성되는 클린 에어가 펀칭 플레이트(34)의 각 구멍(34a)에 의해 정류된다. 이러한 구성의 에어 후드(31)를 이용함으로써, 클린 에어의 정류된 다운플로우를 형성할 수 있다. 다운플로우에 의해 처리액의 미스트 등을 조속히 배기함으로써, 미스트가 위쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 처리 공간 안에 있는 웨이퍼(W) 주위의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 또한, 에어 후드(31)에서 이용되는 청정 가스는 클린 에어에 한정되지 않고, N2 가스(질소 가스) 등의 불활성 가스가 이용되어도 좋다.
(세정용 용기)
또한, 도 4b 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 에어 후드(31)의 위쪽에는, 에어 후드(31)와 함께 수평 방향으로 이동하고, 세정액(커버 기구용 세정액, 예컨대 DIW) 등의 액체를 수용할 수 있는 수용부(32a)가 형성된 세정용 용기(32)가 부착되어 있어도 좋다. 이러한 세정용 용기(32)를 에어 후드(31)의 위쪽에 설치함으로써, 후술하는 바와 같이, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있을 때, 에어 후드(31)의 위쪽에 있는 커버 기구(60)의 상부판(61)을 세정용 용기(32)의 세정액에 의해 세정하는 것이 가능해진다. 또한, 세정용 용기(32)는 전술한 커버 기구(60)의 상부판(61)보다 큰 직경을 포함하는 원형의 윤곽을 갖는다. 이 때문에, 에어 후드(31)와 함께 세정용 용기(32)를 진출 위치에 배치하는 것에 의해, 커버 기구(60)의 상부판(61)에 부착되어 있는 액적 등이 웨이퍼(W)에 낙하하는 것을 막을 수 있다.
세정용 용기(32)의 수용부(32a)에는, 수용부(32a)에 수용된 세정액 등의 액체를 적절히 배출하기 위한 배수관(도시 생략)이 접속되어 있어도 좋다. 배수관의 구체적인 구성이 특별히 한정되지 않고, 예컨대 배수관은 에어 후드(31) 및 세정용 용기(32)에 추종하여 수평 방향으로 이동 또는 신축하도록 구성되어 있어도 좋다. 또는, 배수관은 에어 후드(31) 및 세정용 용기(32)가 진출 위치 또는 후퇴 위치 중 어느 하나에 있을 때에 수용부(32a)와 연통하도록, 챔버(20) 안 또는 대기실(80) 안의 정해진 위치에 고정되어 있어도 좋다.
(컨트롤러)
액처리 장치(10)는 그 전체 동작을 통괄 제어하는 컨트롤러(200)를 갖고 있다. 컨트롤러(200)는 액처리 장치(10)의 모든 기능 부품[예컨대 기판 유지부(21), 피스톤 기구(24), 차폐 기구(30)의 수평 구동 기구(35), 컵 외주통(50)의 구동 기구(50b), 커버 기구(60)의 승강 구동 기구(78), 처리 유체 공급 기구(70) 등]의 동작을 제어한다. 컨트롤러(200)는 하드웨어로서 예컨대 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 상기 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현될 수 있다. 소프트웨어는 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드 디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 또는 CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세팅되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 참조 부호 201로 표시되어 있다. 프로세서(202)는 필요에 따라 도시하지 않는 사용자 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여, 정해진 처리 레시피를 기억 매체(201)로부터 호출하여 실행시키고, 이것에 의해 컨트롤러(200)의 제어하에서 액처리 장치(10)의 각 기능 부품이 동작하여 정해진 처리가 행해진다. 컨트롤러(200)는 도 1에 도시하는 액처리 시스템 전체를 제어하는 시스템 컨트롤러여도 좋다.
다음에, 전술한 액처리 장치(10)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 상면에 있는 불필요한 레지스트막을 제거하는 세정 처리의 일련의 공정에 대해서 설명한다.
<웨이퍼 반입 및 설치 공정>
먼저, 커버 기구(60)가 상승 위치에 배치되어 있는 것을 확인한다. 다음에, 수평 구동 기구(35)에 의해 차폐 기구(30)를 챔버(20) 안에 수평 이동시킨다. 이것에 의해, 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 차폐 기구(30)는 커버 기구(60)와 웨이퍼(W)의 사이에서 웨이퍼(W)를 커버 기구(60)로부터 차폐하는 진출 위치에 배치된다. 이 상태로, 차폐 기구(30)의 에어 후드(31)에 의해 클린 에어 등의 청정 가스의 다운플로우가 생성된다.
그 후, 기판 유지부(21)에서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 6에 도시하는 위치로부터 위쪽에 이동시키고, 또한 셔터(94)를 이동시켜 개구(94a)를 개방한다. 다음에, 액처리 장치(10)의 외부로부터 웨이퍼(W)가 반송 아암(104)에 의해 개구(94a)를 통해 챔버(20) 안에 반송되고, 이 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 배치된다. 이 때, 컵 외주통(50)은 도 6에 도시하는 바와 같은 컵 하강 위치에 위치한다. 또한, 각 노즐 지지 아암(82)은 챔버(20)로부터 후퇴한 노즐 후퇴 위치에 위치한다. 즉, 각 노즐 지지 아암(82)은 대기실(80) 안에서 대기한다. 또한, 에어 후드(31)로부터 클린 에어 등의 청정 가스가 상시 다운플로우로 보내지고, 이 청정 가스가 배기부(48)에 의해 배기됨으로써, 챔버(20) 안의 분위기가 치환된다.
다음에, 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 아래쪽에 이동시키고, 이들 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 6에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 위치시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)에 설치된 각 유지 부재(25)가 리프트핀(23) 상의 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시킨다.
또한, 웨이퍼(W)는 그 「표면」(패턴이 형성되는 면)이 「상면」이 되고, 그 「이면」(패턴이 형성되지 않는 면)이 「하면」인 된 상태로, 액처리 장치(10) 안에 반입된다.
<SPM 세정 처리>
다음에, 차폐 기구(30)의 에어 후드(31)로부터의 클린 에어의 다운플로우를 정지시키고, 그 후, 차폐 기구(30)를 챔버(20)의 외부를 향해 수평 이동시킨다. 이것에 의해, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 차폐 기구(30)는 챔버(20) 외부에 위치하는 후퇴 위치에 배치된다. 다음에, 상승 위치에서 대기하는 커버 기구(60)를 하강시켜, 웨이퍼(W)의 근방에서 웨이퍼(W)의 위쪽을 덮는 하강 위치에 이동시킨다. 이 상태로, 기판 유지부(21)의 유지 플레이트(26)를 회전시킨다. 이것에 의해, 각 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)도 회전한다.
웨이퍼(W)의 회전 개시와 동시 또는 그 후에, 커버 기구(60)의 상부판(61)에 부착된 LED 램프(63)를 점등시키고, 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면(디바이스 형성면)에서 웨이퍼(W)를 가열한다. 이 때 예컨대 웨이퍼(W)는 200℃ 정도로 가열된다. 웨이퍼(W)가 정해진 온도까지 승온했다면, 제1 공급원(71)으로부터 바 노즐용 제1 공급관(72a)에 200℃ 정도로 가열된 황산을 공급하고, 제2 공급원(73)으로부터 바 노즐용 제2 공급관(74a)에 상온의 과산화수소수를 공급한다. 공급된 황산 및 과산화수소수는 도 9c에 도시하는 바와 같이, 바 노즐(66)의 각 토출구(66a) 직전에서 혼합되어, SPM액으로서 웨이퍼(W)의 상면을 향해 토출된다. 마찬가지로, 제1 공급원(71)으로부터 센터 노즐용 제1 공급관(72b)에 200℃ 정도로 가열된 황산을 공급하고, 제2 공급원(73)으로부터 센터 노즐용 제2 공급관(74b)에 상온의 과산화수소수를 공급한다. 공급된 황산 및 과산화수소수는 센터 노즐(67)의 센터 토출구(67a) 직전에서 혼합되어, SPM액으로서 웨이퍼(W)의 상면의 중심부를 향해 토출된다.
또한, 황산 및 과산화수소수가 혼합될 때에 반응열에 의해 온도가 상승한다. 각 토출구(66a) 및 센터 토출구(67a)로부터 토출되는 SPM액의 온도는 200℃∼250℃ 정도가 된다. 공급된 SPM액에 의해, 웨이퍼(W)의 레지스트막이 박리된다. 또한, 웨이퍼 온도보다 낮은 온도의 SPM액이 웨이퍼(W)에 튀면 웨이퍼 온도가 내려가기 때문에, SPM액을 간헐적으로 토출하여 웨이퍼 온도의 저하를 방지하여도 좋다.
제거된 레지스트막은, SPM액과 함께 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면 위에서 반경 방향 외측으로 흘러, 웨이퍼(W)의 외측으로 유출되고, 회전컵(40)에 의해 수용되어 아래쪽으로 방향을 바꾼다. 그 후, SPM액은 전술한 제1 처리액 회수용 탱크(46a)에 보내진다.
이 때, 웨이퍼(W) 주위에 흄이 발생하지만, 웨이퍼(W)의 위쪽 및 회전컵(40)의 상부의 개구가 커버 기구(60)의 상부판(61)에 의해 덮여 있기 때문에, 상부판(61) 위쪽의 챔버(20) 안에 흄이 확산되는 것을 막을 수 있다. 흄은 공장 배기계에 접속된(즉, 미음압 상태로 있는) 배액관, 즉 부압 공간에 흡입되고, SPM액으로부터 분리되어 배기부(48)로부터 배출된다.
<제1 DIW 린스 처리>
SPM 세정 처리를 정해진 시간 실행한 후, 각 토출구(66a) 및 센터 토출구(67a)로부터의 SPM액 토출을 정지하고, 또한 LED 램프(63)에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 정지한다. 이어서, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채로, HOT-DIW 공급원(도시 생략)으로부터 세정액 공급관(75b)에 비교적 대유량(예컨대 매분 1500 ㎖)으로 고온(예컨대 약 80℃)의 DIW(이하, HOT-DIW)를 공급하고, 상부판(61)의 중심부 근방에 있는 세정액 토출구(68b)로부터 HOT-DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 위에 남아 있는 SPM액이나 레지스트의 잔사 등이, 웨이퍼(W)의 상면 위에서 반경 방향 외측으로 흐르는 HOT-DIW에 의해 씻겨진다. HOT-DIW의 배액은 SPM액의 경우와 마찬가지로 제1 처리액 회수용 탱크(46a)에 보내진다. 또한, 이때도 계속해서 웨이퍼(W)의 위쪽 및 회전컵(40)의 상부의 개구가 커버 기구(60)에 의해 덮여 있기 때문에, 챔버(20) 안에 흄이 확산되는 것을 막을 수 있다.
<제2 DIW 린스 처리>
다음에, 하강 위치에 있는 커버 기구(60)를 상승시켜 상승 위치에 배치하고, 그 후, 차폐 기구(30)를 챔버(20) 안에 수평 이동시킨다. 이것에 의해, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 차폐 기구(30)는 커버 기구(60)와 웨이퍼(W)의 사이에서 웨이퍼(W)를 커버 기구(60)로부터 차폐하는 진출 위치에 배치된다. 또한, 차폐 기구(30)가 이동하고 있는 동안, 고정 노즐(92)이 웨이퍼(W)의 상면을 향해 DIW 등의 처리액을 토출하고 있어도 좋다. 이것에 의해, 차폐 기구(30)가 이동하고 있는 동안에 커버 기구(60)에 부착된 SPM액의 액적이나 비말이 웨이퍼에 낙하해도 처리액에 의해 씻겨질 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 불필요한 액이나 파티클이 부착하는 것을 막을 수 있다.
다음에, 컵 외주통(50)을 상승시켜, 컵 외주통(50)을 도 11의 (d)에 도시하는 바와 같은 컵 상승 위치에 배치한다. 이 때, 컵 외주통(50)과 에어 후드(31)가 O링(50c)을 통해 접하도록, 컵 외주통(50)이 상승한다. 이것에 의해, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)의 내측에 형성되는 공간이 외부로부터 강고하게 격리된다. 그 후, 대기실(80)에서 대기하는 4개의 노즐 지지 아암(82) 중, DIW를 공급하기 위한 노즐(82a)을 지지하는 노즐 지지 아암(82)을, 컵 외주통(50)의 측부 개구(50m)를 통해, 챔버(20) 안의 노즐 진출 위치에 진출시킨다. 그 후, 에어 후드(31)에 의해, 처리 공간 안에 클린 에어 등의 청정 가스의 다운플로우를 형성한다.
다음에, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채, 노즐(82a)로부터 저온(예컨대 약 20℃)의 DIW를 웨이퍼(W)의 상면을 향해 토출시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 위에 SPM액이나 레지스트의 잔사 등이 남아 있다고 해도, 이들 SPM액이나 레지스트의 잔사 등을 보다 확실하게 씻어낼 수 있고, 웨이퍼(W)를 냉각할 수 있다.
<스핀 건조 처리>
제2 DIW 린스 처리를 정해진 시간 실행한 후, 노즐(82a)로부터의 DIW 토출을 정지한다. 이 때, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨 채(회전 속도를 증대시키는 것이 바람직함), 에어 후드(31)에 의해, 클린 에어 등의 청정 가스의 다운플로우를 형성한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 위에 잔류하는 DIW가 원심력에 의해 털려지고, 청정 가스에 의해 건조가 촉진된다.
<웨이퍼 반출 공정>
스핀 건조 처리가 종료했다면, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고, 노즐(82a)을 수평 이동시켜 대기실(80) 안의 노즐 후퇴 위치에 복귀시킨다. 또한, 컵 외주통(50)을 하강시켜 컵 하강 위치에 복귀시킨다. 또한, 에어 후드(31)로부터는 클린 에어의 다운플로우가 계속해서 형성된다.
그 후, 기판 유지부(21)에서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 6에 도시하는 위치로부터 위쪽으로 이동시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)의 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 상에 전달된다. 다음에, 셔터(94)를 이동시켜 개구(94a)를 개방한다. 그 후, 에어 후드(31)에 의해 클린 에어의 다운플로우가 형성되는 중에, 액처리 장치(10)의 외부로부터 개구(94a)를 통해, 반송 아암(104)에 의해 웨이퍼(W)를 취출한다. 반송 아암(104)에 의해 취출된 웨이퍼(W)는 액처리 장치(10)의 외부에 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 액처리가 완료된다.
상기한 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 상면 위의 레지스트막을 고온 SPM 세정 처리에 의해 제거할 때, 웨이퍼(W)의 위쪽이 커버 기구(60)의 상부판(61)에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 상에서 SPM액이 증발하여 발생한 흄이 웨이퍼(W)의 위쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 흄이 웨이퍼(W) 위쪽의 챔버(20) 내벽 및 챔버(20) 안의 부품을 오염 또는 부식시켜, 웨이퍼 오염의 원인 물질을 발생시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, SPM 세정 처리 후에 실시되는 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리 시에, 커버 기구(60)와 웨이퍼(W) 사이에는, 챔버(20) 안에 진출된 에어 후드(31)가 배치되어 있다. 이 에어 후드(31)의 위쪽에는, 커버 기구(60)의 상부판(61)보다 큰 직경을 포함하는 원형의 윤곽을 갖는 세정용 용기(32)가 설치되어 있다. 이 때문에, 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리 시에, 상부판(61)에 부착되어 있을 가능성이 있는 SPM액의 액적이나 비말이 웨이퍼(W) 상에 낙하하는 것을 막을 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, 에어 후드(31)를 설치하는 것에 의해, 커버 기구(60)에 부착된 약액의 액적이나 비말이 웨이퍼(W) 상에 낙하하는 것을 막으면서, 에어 후드(31)로부터의 클린 에어의 다운플로우를 형성할 수 있다. 이 때문에, 전술한 제2 DIW 린스 처리, 스핀 건조 처리 또는 웨이퍼 반출 공정 시에, 웨이퍼(W) 상을 떠돌고 있는 파티클을 조속히 배기할 수 있어, 파티클이 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 막을 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 오염시키지 않고 여러 가지 처리를 실시하는 것이 가능해진다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리시, 회전컵(40)의 상부 개구 및 드레인컵(42)의 상부 개구가 커버 기구(60)의 상부판(61)에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 흄의 위쪽으로의 누출을 더 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, 전술한 제2 DIW 린스 처리 또는 스핀 건조 처리시, 컵 외주통(50)의 상부 개구가 에어 후드(31)에 의해 밀봉된다. 이 때문에, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)의 내측에, 외부로부터 격리된 처리 공간이 형성된다. 이 처리 공간의 용적은 챔버(20)의 용적보다 작다. 이러한 처리 공간에서 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리를 실시함으로써, 청정 가스로의 치환 효율을 향상시킬 수 있고, 이것에 의해, 처리 효율을 높일 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 오염시키지 않고 여러 가지 처리를 실시하는 것이 가능해진다. 또한, 컵 외주통(50)과 에어 후드(31)의 사이에는 O링(50c)이 개재되어 있다. 이 때문에, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)에 의해 형성되는 처리 공간을 보다 강고하게 외부로부터 격리할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 상면을 향해 SPM액을 토출하는 처리 유체 노즐(65)은 커버 기구(60)의 상부판(61)과 일체로 상하 방향으로 이동 가능하도록 상부판(61)에 부착되어 있다. 또한, 처리 유체 공급 기구(70)로부터의 황산 및 과산화수소수를 처리 유체 노즐(65)에 보내는 제1 공급관(72) 및 제2 공급관(74)은 처리 유체 공급 기구(70)와 처리 유체 노즐(65)의 사이에서 대략 수평 방향으로 연장되도록 배치되어 있다. 이와 같이, 처리 유체 노즐(65)이 이동하는 방향과, 처리 유체 노즐(65)에 접속된 제1 공급관(72) 및 제2 공급관(74)이 주로 연장되는 방향의 사이에는 직교 관계가 성립한다. 이것에 의해, 상부판(61)과 함께 처리 유체 노즐(65)이 상하 방향으로 이동할 때에 제1 공급관(72) 및 제2 공급관(74)에 생기는 굽힘 응력을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 정해진 내열성을 갖는 PFA 등의 재료로 제1 공급관(72)이 구성되어 있는 경우라도, 처리 유체 노즐(65)의 상하 방향에서의 이동에 기인하여 제1 공급관(72)이 손상되는 것을 막을 수 있다. 이것에 의해, 제1 공급관(72)의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 이것에 의해, 고온으로 가열된 황산을 처리 유체 노즐(65)에 제1 공급관(72)을 통해 안정적으로 공급할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리에서, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 위치로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 대향하는 위치 사이를 따라 배열되어 각각으로부터 동일한 처리 유체를 토출하는 복수의 토출구(66a)를 갖는 바 노즐(66)이 사용된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 상면을 높은 면내 균일성으로 SPM 처리할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리에서, 바 노즐(66)에 더하여, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 위치에 설치된 센터 토출구(67a)를 갖는 센터 노즐(67)이 사용된다. 또한, 센터 노즐(67)에 공급되는 황산 및 과산화수소수의 유량은 바 노즐(66)에 공급되는 황산 및 과산화수소수의 유량과 독립적으로 제어된다. 이 때문에, 바 노즐(66) 및 센터 노즐(67)로부터 토출되는 SPM액의 유량을 서로 독립적으로 조정할 수 있다. 예컨대 웨이퍼(W)의 회전 속도나 웨이퍼(W) 또는 SPM액의 온도 등의 조건에 따라, 바 노즐(66) 및 센터 노즐(67)로부터 토출되는 SPM액의 유량의 비율을 적절히 결정할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 회전 속도나 웨이퍼(W) 또는 SPM액의 온도 등의 조건에 의존하지 않고, 웨이퍼(W)의 상면을 높은 면내 균일성으로 SPM 처리할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, 커버 기구(60)의 상부판(61)에 설치한 히터에 의해 웨이퍼(W)를 가열하기 때문에, SPM 처리를 촉진할 수 있다. 또한, 상부판(61)에 흄의 차폐 기능과 웨이퍼(W)의 가열 기능을 동시에 갖게 함으로써, 부품 개수를 삭감할 수 있다. 또한, 히터로서, 정해진 파장의 광을 발하는 LED 램프(63)가 사용되고, 이 때문에, 처리 유체에 열을 빼기지 않고 웨이퍼(W)만을 신속히 승온시킬 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, 바 노즐(66)의 각 토출구(66a)는 토출 직전에 황산과 과산화수소수를 혼합하여 SPM액을 생성하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 황산과 과산화수소수를 혼합한 것에 의해 생기는 열이 토출 직전에 생긴다. 이것에 의해, 토출구(66a) 직전까지 황산과 과산화수소수를 저온(미리 혼합하는 경우와 비교하여)으로 흘릴 수 있고, 이것에 의해, 황산 및 과산화수소수의 공급관의 부담을 저감할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리후, 먼저, 상부판(61)에 부착된 처리 유체 노즐(65)로부터 토출되는 HOT-DIW에 의한 제1 DIW 린스 처리가 실시된다. 다음에, 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)에 의해 격리된 공간 내에서, 저온의 DIW에 의한 제2 DIW 린스 처리가 실시된다. 이와 같이 단계적으로 DIW 린스 처리를 실시함으로써 얻어지는 효과에 대해서 설명한다.
첫째, 챔버(20) 안의 오염을 보다 확실하게 막는 효과를 얻을 수 있다.
전술과 같이, SPM 세정 처리에서는 고온의 SPM액이 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 토출되고, 상부판(61)에 부착된 히터에 의해 웨이퍼(W)가 가열된다. 이 때문에, SPM 세정 처리가 종료된 직후의 웨이퍼(W)의 온도는 높아지고, 예컨대 100℃ 이상이 된다. 이 경우, SPM 세정 처리가 종료된 직후에 커버 기구(60)의 상부판(61)을 상승시키면, SPM액에 함유되는 황산 등의 성분의 증기가 챔버(20) 안에 확산되고, 이것에 의해 챔버(20)가 오염되는 것을 생각할 수 있다.
이것에 대하여, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)가 상부판(61)에 의해 위쪽에서 덮인 채로, 상부판(61)에 부착된 처리 유체 노즐(65)로부터 토출되는 HOT-DIW에 의해 제1 DIW 린스 처리가 실시된다. 이것에 의해, SPM액에 함유되는 황산 등의 성분의 증기가 챔버(20) 안에 확산되는 것을 막으면서, 웨이퍼(W)의 상면을 세정하고, 웨이퍼(W)의 온도를 내릴 수 있다.
둘째, 웨이퍼(W)의 세정 효율을 보다 높게 하는 효과를 얻을 수 있다.
일반적으로, 토출되는 DIW의 온도가 높아질수록, 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 SPM액을 제거하는 효과가 높아진다. 이 때문에, 상기한 실시형태에 의하면, HOT-DIW에 의해 제1 DIW 린스 처리를 실시함으로써, 웨이퍼(W) 상에 남아 있는 SPM액을 효율적으로 제거할 수 있다.
셋째, 웨이퍼(W)의 휘어짐을 억제하는 효과를 얻을 수 있다.
전술과 같이, SPM 세정 처리가 종료된 직후의 웨이퍼(W)의 온도는 높다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 온도와 DIW의 온도의 차가 크면, 웨이퍼(W)와 DIW의 온도차에 기인하여 웨이퍼(W)에 휘어짐이 생겨 버리는 것을 생각할 수 있다.
이것에 대하여, 상기한 실시형태에 의하면, SPM 세정 처리가 종료된 후, 먼저, 제1 DIW 린스 처리에서 고온의 HOT-DIW가 웨이퍼에 대하여 토출된다. 다음에, 제2 DIW 린스 처리에서, 제1 DIW 린스 처리의 경우보다 낮은 온도로 DIW가 웨이퍼(W)에 대하여 토출된다. 이 때문에, 단계적으로 웨이퍼(W)를 냉각하여 웨이퍼(W)의 온도와 DIW의 온도의 차를 작게 할 수 있고, 이것에 의해, DIW 린스 처리 시에 웨이퍼(W)에 휘어짐이 생기는 것을 억제할 수 있다.
<상부판 세정 처리>
또한, 전술한 바와 같이, SPM 세정 처리시, SPM액의 액적 등이 커버 기구(60)의 상부판(61)의 하면에 부착되는 것을 생각할 수 있다. 이 경우, SPM액의 액적 등이 부착된 상부판(61)을 세정하는 처리가 더 실시되어도 좋다. 이하, 상부판(61)을 세정하는 처리에 대해서 설명한다.
도 12는 커버 기구(60)의 상부판(61)을 세정하기 위한 일 형태를 도시하는 도면이다. 도 12에서는, 에어 후드(31)의 위쪽에 설치된 세정용 용기(32)의 수용부(32a) 안에 DIW가 저류되어 있고, 이 DIW에 의해 커버 기구(60)의 상부판(61)이 세정되는 예가 도시되어 있다. 이 때, 커버 기구(60)는 전술한 상승 위치(도 5b)로부터 하강한 위치(세정 위치)에 배치된다.
수용부(32a) 안의 DIW에 의해 상부판(61)이 충분히 세정된 후, 상부판(61)은 상승 위치에 복귀된다. 그 후, 상부판(61)에 부착된 히터 자체의 열에 의해 상부판(61)이 가열된다. 이것에 의해, 상부판(61)에 부착되어 있는 DIW가 증발한다. 이와 같이 하여, SPM액의 액적 등이 부착된 상부판(61)이 세정된다. 그 후, 수용부(32a) 안의 DIW가 배수관(도시 생략)을 통해 배수된다. 또한, 상부판(61)을 세정할 때에 발생할 수 있는 SPM액이나 DIW의 증기 등이 챔버(20) 안에 확산되는 것을 막기 위해, 도 12에 도시되는 바와 같이, 상부판(61)의 위쪽에, SPM액이나 DIW의 증기를 외부에 배출하는 배기 기구(95)가 설치되어 있어도 좋다. 이러한 배기 기구(95)를 설치함으로써, 챔버(20)가 오염되는 것을 막을 뿐만 아니라, 상부판 세정 처리 시에 상부판(61)의 주위 환경을 보온하고, 이것에 의해 상부판(61)의 세정 효율을 높일 수 있다. 또한, 상부판(61)의 주위에 열이 누출되고, 이것에 의해 주위의 다른 부품이 가열되어 버리는 것을 막을 수 있다.
세정용 용기(32)의 수용부(32a) 안에, 상부판(61)을 세정하기 위한 DIW를 공급하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상부판(61)에 부착되어 있는 처리 유체 노즐(65)의 세정액 토출구(68b)를 통해 DIW가 수용부(32a)에 공급되어도 좋다. 또는, 차폐 기구(30)가 대기실(80) 안에 후퇴할 때에, 세정액 토출구(68b)와는 별개로 설치된 DIW 공급 기구(도시 생략)로부터 세정용 용기(32)의 수용부(32a)에 DIW가 공급되어도 좋다.
또한, 상부판 세정 처리가 실시되는 시기는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 제1 DIW 린스 처리와 제2 DIW 린스 처리 사이에 상부판 세정 처리가 실시되어도 좋고, 제2 DIW 린스 처리와 동시에 상부판 세정 처리가 실시되어도 좋다. 또한, 제2 DIW 린스 처리와 스핀 건조 처리 사이에 상부판 세정 처리가 실시되어도 좋고, 스핀 건조 처리와 동시에 상부판 세정 처리가 실시되어도 좋다. 또는, 웨이퍼 반출 공정 후에 상부판 세정 처리가 실시되어도 좋다.
<상부판 세정 처리의 다른 형태>
또한, 도 12에서는, 수용부(32a) 안에 저류된 DIW에 의해 상부판(61)이 세정되는 예를 도시했지만, 이것에 한정되지 않고, 다른 방법으로 상부판(61)이 세정되어도 좋다. 예컨대 도 13에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)의 하면을 향해 DIW 등의 세정액을 토출하는 토출구(32c)를 갖는 세정 노즐(32b)이 세정용 용기(32)에 설치되어 있어도 좋다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)의 하면에 부착된 세정액을 건조시키기 위한 건조 수단(32d)이 세정용 용기(32)에 더 설치되어도 좋다. 건조 수단(32d)은, 예컨대 도 13에 도시하는 바와 같이, 상부판(61)의 하면을 향해 에어를 분사하는 슬릿(32e)을 갖고 있어도 좋다. 세정용 용기(32)에 이들 세정 노즐(32b) 및 건조 수단(32d)이 설치되는 경우의 상부판(61)의 세정 방법에 대해서, 도 14의 (a)∼(d)를 참조하여 이하에 설명한다.
먼저, 도 14의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정용 용기(32)의 세정 노즐(32b)을 이용하여, 상부판(61)의 단부 중 세정용 용기(32)측의 단부 근방, 즉 대기실(80)측의 단부 근방을 향해 세정액(32f)을 토출한다. 토출된 세정액(32f)은, 세정용 용기(32)의 수용부(32a) 안에 수용된다. 다음에, 세정 노즐(32b)을 이용하여 상부판(61)을 향해 세정액(32f)을 토출하면서, 세정용 용기(32)를 포함하는 차폐 기구(30)를, 상부판(61)을 향해, 즉 전술한 진출 위치를 향해 이동시킨다[도 14의 (a)의 화살표 참조]. 예컨대 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이, 세정 노즐(32b)로부터 토출되는 세정액(32f)이, 상부판(61)의 단부 중 대기실(80)측의 단부와 반대측의 단부 근방에 도달하게 될 때까지, 세정용 용기(32)를 포함하는 차폐 기구(30)를 진출 위치를 향해 이동시킨다. 이것에 의해, 상부판(61)의 하면이 전역에 걸쳐 세정액(32f)에 의해 세정된다. 이 세정 동안, 토출된 세정액(32f)은 모두 세정용 용기(32)의 수용부(32a) 안에 수용된다. 이 때문에, 챔버(20) 안에 세정액을 비산시키지 않고, 상부판(61)의 하면을 세정할 수 있다.
그 후, 세정 노즐(32b)로부터의 세정액(32f)의 토출을 정지시키고, 다음에 도 14의 (c)에 도시하는 바와 같이, 세정용 용기(32)의 건조 수단(32d)을 이용하여, 상부판(61)의 단부 중 대기실(80)측의 단부와 반대측의 단부 근방에 에어(32g)를 분사한다. 다음에, 건조 수단(32d)을 이용하여 상부판(61)을 향해 에어(32g)를 토출하면서, 세정용 용기(32)를 포함하는 차폐 기구(30)를, 대기실(80)을 향해, 즉 전술한 후퇴 위치를 향해 이동시킨다[도 14의 (c)의 화살표 참조]. 예컨대, 도 14의 (d)에 도시하는 바와 같이, 건조 수단(32d)으로부터의 에어(32g)가 상부판(61)의 단부 중 대기실(80)측의 단부 근방에 도달하게 될 때까지, 세정용 용기(32)를 포함하는 차폐 기구(30)를 후퇴 위치를 향해 이동시킨다. 이것에 의해, 상부판(61)의 하면에 부착된 세정액이 전역에 걸쳐 에어(32g)에 의해 제거된다. 이와 같이 하여, 세정액(32f)에 의해 세정된 후의 상부판(61)을 건조시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서, 세정용 용기(32)의 수용부(32a)는, 도 12에 도시하는 바와 같이 수용부(32a) 안에 저류된 세정액에 의해 상부판(61)을 세정하는 것이어도 좋고, 또는 도 13 및 도 14의 (a)∼(d)에 도시하는 바와 같이 상부판(61)의 하면을 향해 토출된 세정액을 회수하여 수용하는 것이어도 좋다.
또한, 도 13 및 도 14의 (a)∼(d)에서는, 건조 수단(32d)이, 상부판(61)의 하면을 향해 에어를 분사하는 슬릿(32e)에 의해 실현되는 예를 도시하였다. 그러나, 상부판(61)을 건조시키기 위한 구체적인 수단은 에어에 한정되지 않는다. 예컨대, 건조 수단(32d)은 고무 등의 탄성체를 상부판(61)의 하면에 접촉시키고, 그 탄성체를 상부판(61)의 하면을 따라 이동시킴으로써, 상부판(61)의 하면에 부착된 세정액(32f)을 물리적으로 제거하도록 구성되어 있어도 좋다.
<그 외 처리>
상기한 실시형태는 예컨대 하기와 같이 개변할 수 있다.
상기 실시형태에서는, SPM액에 의한 약액 세정 처리, 제1 DIW 린스 처리, 제2 DIW 린스 처리, 스핀 건조 처리를 순차 실시함으로써 레지스트막을 제거하였다. 그러나, 상기 실시형태에 따른 액처리 장치에 의해 실시되는 처리는 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 약액 세정 처리를, 혼합산(황산과 질산의 혼합물)을 이용한 웨트 에칭 처리로 할 수 있다. 이 경우도, 그 후의 린스 처리 및 N2 스핀 건조 처리를 마찬가지로 실시할 수 있다.
<DHF 세정 처리>
또한, SPM 세정 처리 전에, 더 나은 세정액, 예컨대 플루오르화수소산을 순수로 희석한 희불산(DHF액)을 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 DHF 세정 처리가 실시되어도 좋다. 이 경우, DHF 세정 처리는 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리의 경우와 마찬가지로, 커버 기구(60)가 상승 위치에 있고, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있으며, 컵 외주통(50)이 컵 상승 위치에 있는 상태에서 실시된다. 즉, DHF 세정 처리는, 웨이퍼(W) 주위의 공간이 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)에 의해 강고하게 격리된 상태에서 실시된다. 또한, DHF액은, 대기실(80)에서 대기하는 4개의 노즐 지지 아암(82) 중, DHF액을 공급하기 위한 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출된다. DHF 액의 배액은 처리액 회수용 탱크(46a∼46d) 중 DHF액용의 탱크(46b)에 저류되어 배액된다.
<SC-1 세정 처리>
또한, 제2 DIW 린스 처리와 스핀 건조 처리 사이에, 더 나은 세정액, 예컨대 암모니아와 과산화수소와 물의 혼합 용액(SC-1액)을 이용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 SC-1 세정 처리가 실시되어도 좋다. 이 경우, SC-1 세정 처리는 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리의 경우와 마찬가지로, 커버 기구(60)가 상승 위치에 있고, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있으며, 컵 외주통(50)이 컵 상승 위치에 있는 상태로 실시된다. 즉, SC-1 세정 처리는 웨이퍼(W) 주위의 공간이 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)에 의해 강고하게 격리된 상태에서 실시된다. 또한, SC-1액은, 대기실(80)에서 대기하는 4개의 노즐 지지 아암(82) 중, SC-1액을 공급하기 위한 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출된다. SC-1액의 배액은 처리액 회수 탱크용(46a∼46d) 중 SC-1액용 탱크(46c)에 저류된다.
<물리 세정 처리>
또한, SC-1 세정 처리와 스핀 건조 처리 사이에, 웨이퍼(W)의 상면에 물리력을 인가하여 웨이퍼(W)를 세정하는 물리 세정 처리가 실시되어도 좋다. 예컨대 2류체 노즐(도시 생략)을 이용하여, 미스트화된 DIW와 N2 가스의 혼상류(混相流)를 포함하는 2류체 스프레이(액적)를 웨이퍼(W) 상면을 향해 토출하는 AS 세정 처리가 실시되어도 좋다. AS 세정 처리에 의하면, 2류체 스프레이의 충돌 에너지에 의해, 웨이퍼 상면 위에 잔류하는 레지스트 잔사, 파티클 등의 물질을 제거할 수 있다.
물리 세정 처리는 제2 DIW 린스 처리 및 스핀 건조 처리의 경우와 마찬가지로, 커버 기구(60)가 상승 위치에 있고, 차폐 기구(30)가 진출 위치에 있으며, 컵 외주통(50)이 컵 상승 위치에 있는 상태에서 실시된다. 즉, 물리 세정 처리는 웨이퍼(W) 주위의 공간이 에어 후드(31) 및 컵 외주통(50)에 의해 강고하게 격리된 상태에서 실시된다. 또한, 대기실(80)에서 대기하는 4개의 노즐 지지 아암(82) 중, 하나에 2류체 노즐이 부착되어 있고, 2류체 노즐에 DIW와 N2 가스가 공급된다.
그 외 형태
상기 실시형태에서, 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 상부판(61)에 부착되는 히터로서 LED 램프(63)가 이용되는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, LED 램프 이외의 가열 램프, 예컨대 할로겐 램프 등을 사용하는 것도 가능하다. 그러나, 웨이퍼(W)를 선택적으로 가열한다고 하는 관점, 및 스페이스 효율의 관점에서는 LED 램프를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기한 실시형태에서, 웨이퍼(W) 상면에 약액을 공급하는 처리 유체 노즐(65)이 바 노즐(66)과 센터 노즐(67)을 포함하는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 바 노즐(66)만이 이용되어도 좋고, 또는 센터 노즐(67)만이 이용되어도 좋다.
또한, 상기한 실시형태에서, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 기구인 소위 「스핀척」의 기판 유지부로서, 리프트핀 플레이트(22)와 회전컵(40)과 일체화된 유지 플레이트(26)를 갖는 형식의 것을 이용하였다. 그러나, 여러 가지 형식의 스핀척과 조합하여 액처리 장치(10)가 구성되어 있어도 좋다.
또한, 상기한 실시형태에서, 처리 유체 노즐(65)이 상부판(61)에 내장되어 있는 예를 나타내었다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 처리 유체 노즐(65)이 상부판(61)과 떨어진 위치에 설치되어 있어도 좋다. 이 경우, 처리 유체 노즐(65) 및 상부판(61)이 승강 구동 기구(78)에 의해 함께 상하 방향으로 구동되도록, 처리 유체 노즐(65)과 상부판(61) 사이에 어떠한 접속 부재(도시 생략)가 개재되어 있어도 좋다. 또는 처리 유체 노즐(65)이 상부판(61)과는 별개로 상하 방향으로 이동 가능하게 되도록, 처리 유체 노즐(65)용 승강 구동 기구(도시 생략)가 설치되어도 좋다.
또한, 상기한 실시형태에서, 커버 기구(60)가 상승 위치에 있을 때, 에어 후드(31) 및 세정용 용기(32)를 갖는 차폐 기구(30)를 커버 기구(60)와 웨이퍼(W) 사이의 진출 위치에 배치함으로써, 상부판(61)에 부착된 SPM액의 액적 등이 웨이퍼(W) 상에 낙하하는 것이 차단되는 예를 나타내었다. 그러나, 차폐 기구(30)가, 전술한 에어 후드(31) 및 세정용 용기(32) 양쪽 모두를 반드시 갖고 있을 필요는 없고, 여러 가지 형태의 차폐 기구(30)가 이용될 수 있다.
예컨대, 세정용 용기(32)를 갖지 않고, 에어 후드(31)를 갖는 차폐 기구(30)에 의해, 상부판(61)에 부착된 SPM액의 액적 등이 웨이퍼(W) 위에 낙하하는 것이 차단되어도 좋다. 이 경우, 에어 후드(31)의 형상은, 평면에서 봤을 때 적어도 커버 기구(60)의 상부판(61)을 포함하는 윤곽을 갖도록 설계된다. 이것에 의해, 에어 후드(31)가 커버 기구(60)와 웨이퍼(W) 사이의 진출 위치에 있을 때, 웨이퍼(W)를 커버 기구(60)로부터 차폐할 수 있다. 즉, 에어 후드(31)가 차폐 기구(30)로서 기능할 수 있다.
10: 액처리 장치 20: 챔버
21: 기판 유지부 30: 차폐 기구
31: 에어 후드 32: 세정용 용기
32a: 수용부 32b: 세정 노즐
32d: 건조 수단 40: 회전컵
50: 컵 외주통 60: 커버 기구
61: 상부판 63: LED 램프
65: 처리 유체 노즐 66: 바 노즐
67: 센터 노즐 70: 처리 유체 공급 기구
71: 제1 공급원 72: 제1 공급관
73: 제2 공급원 74: 제2 공급관
80: 대기실 82: 노즐 지지 아암
82a: 노즐 95: 배기 기구
W: 기판(반도체 웨이퍼)

Claims (15)

  1. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판의 상면의 위쪽에 설치되며, 상기 기판의 상면에 약액을 토출하는 토출구를 갖는 처리 유체 노즐과,
    상기 처리 유체 노즐에 약액을 공급하는 처리 유체 공급 기구와,
    상기 처리 유체 노즐에 의해 상기 기판의 상면에 약액이 토출될 때에 상기 기판을 위쪽에서 덮을 수 있는 커버 기구와,
    상기 커버 기구를, 상기 처리 유체 노즐에 의해 상기 기판의 상면에 약액이 토출될 때에 상기 커버 기구가 상기 기판을 위쪽에서 덮는 하강 위치와, 상기 하강 위치보다 위쪽에 위치하는 상승 위치의 사이에서 상하 방향으로 구동하는 승강 구동 기구와,
    상기 기판 유지부, 상기 처리 유체 노즐, 및 상기 커버 기구가 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 커버 기구가 상기 상승 위치에 있을 때에 상기 기판과 상기 커버 기구 사이에 위치하고, 청정 가스의 다운플로우를 생성하는 에어 후드와,
    상기 에어 후드를, 상기 에어 후드가 상기 기판을 상기 커버 기구로부터 상하 방향에서 차폐하는 진출 위치와, 후퇴 위치의 사이에서 수평 방향으로 구동하는 수평 구동 기구
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지부의 주위에 배치된 회전컵과, 상기 회전컵 주위에 배치되고, 컵 상승 위치와 컵 하강 위치의 사이에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되며, 상부에 상부 개구가 형성된 컵 외주통을 더 구비하고,
    상기 컵 외주통이 상기 컵 상승 위치에 있을 때, 상기 컵 외주통의 상기 상부 개구가, 상기 진출 위치에 있는 상기 에어 후드에 근접하거나 접하여, 상기 에어 후드 및 상기 컵 외주통의 내측에 처리 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에어 후드가 상기 진출 위치에 있을 때, 상기 챔버 안에 진출하며, 상기 기판의 상면에 세정액을 토출하는 진퇴 노즐과,
    상기 진퇴 노즐을 지지하는 노즐 지지 아암으로서, 상기 진퇴 노즐이 상기 챔버 안에 진출한 노즐 진출 위치와, 상기 진퇴 노즐이 상기 챔버로부터 후퇴한 노즐 후퇴 위치의 사이에서 이동 가능한 노즐 지지 아암
    을 더 구비하고,
    상기 컵 외주통에, 상기 노즐 지지 아암이 통과 가능한 측부 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에어 후드에, 상기 에어 후드가 상기 진출 위치에 있을 때에 상기 커버 기구와 대향하도록 구성되고, 상기 커버 기구용 세정액을 수용하는 세정액 용기가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유체 노즐은 상기 커버 기구에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 약액은 제1 약액과 제2 약액을 혼합함으로써 얻어지는 혼합 약액이고,
    상기 처리 유체 공급 기구는, 상기 제1 약액을 수용하는 제1 공급원과, 상기 제1 약액을 상기 제1 공급원으로부터 상기 처리 유체 노즐에 공급하는 제1 공급관과, 상기 제2 약액을 수용하는 제2 공급원과, 상기 제2 약액을 상기 제2 공급원으로부터 상기 처리 유체 노즐에 공급하는 제2 공급관을 가지며,
    상기 제1 및 제2 약액 중 적어도 제1 약액은 가열된 상태로 상기 제1 공급관을 통해 상기 제1 공급원으로부터 상기 처리 유체 노즐에 공급되고,
    상기 제1 공급관은 상기 제1 공급원과 상기 처리 유체 노즐 사이에서 대략 수평 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 약액은 황산이고, 상기 제2 약액은 과산화수소수인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버 기구에 설치되고, 상기 커버 기구가 상기 하강 위치에 있을 때에 상기 기판을 가열하는 히터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유체 노즐은, 상기 기판의 중심부에 대향하는 위치로부터 주연부에 대향하는 위치 사이에 배열된 복수의 토출구를 포함하는 다중 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  10. 패턴 형성면이 상면(上面)이 되도록 기판을 수평 자세로 유지하는 단계와,
    커버 기구의 하강 위치에서 상기 기판을 위쪽에서 덮는 단계와,
    약액을 상기 기판의 상면에 공급하는 단계와,
    상기 커버 기구를 하강 위치보다 위쪽의 상승 위치에 이동시키는 단계와,
    위쪽으로 이동한 상기 커버 기구와 상기 기판 사이에 에어 후드를 배치하는 단계와,
    상기 에어 후드에 의해 청정 가스의 다운플로우를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 커버 기구용의 세정액을 이용하여 상기 커버 기구를 세정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 커버 기구용의 세정액은 상기 에어 후드에 부착된 세정용 용기에 수용되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 약액은 상기 커버 기구에 부착된 약액 노즐로부터 상기 기판의 상면에 공급되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 컵 상승 위치와 컵 하강 위치 사이에서 상하 방향으로 이동 가능하고, 상부에 상부 개구가 형성된 컵 외주통이 상기 기판의 주위에 배치되며,
    약액을 상기 기판의 상면에 공급한 후, 상기 기판을 건조시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 기판을 건조시킬 때, 상기 커버 기구는 상기 상승 위치에 있으며, 상기 에어 후드는 상기 기판과 상기 커버 기구 사이에 위치하고, 상기 컵 외주통은 상기 컵 상승 위치에 있는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 에어 후드는, 상기 에어 후드가 상기 기판과 상기 커버 기구 사이에 위치하는 진출 위치와, 후퇴 위치의 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 되어 있고,
    약액을 상기 기판의 상면에 공급할 때, 상기 에어 후드는 상기 후퇴 위치에 있고, 상기 커버 기구는 상기 하강 위치에 있으며, 상기 컵 외주통은 상기 컵 하강 위치에 있고, 상기 커버 기구에 부착된 약액 노즐로부터 상기 기판의 상면에 상기 약액이 공급되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  15. 제14항에 있어서, 약액을 상기 기판의 상면에 공급한 후, 상기 기판을 건조시키기 전, 상기 기판의 상면에 진퇴 노즐로부터 세정액을 토출하는 단계를 더 포함하고,
    상기 컵 외주통이 상기 컵 상승 위치에 있으며, 상기 에어 후드가 상기 진출 위치에 있을 때, 상기 컵 외주통이 상기 에어 후드에 근접하거나 접하여, 상기 에어 후드 및 상기 컵 외주통의 내측에 처리 공간이 형성되며,
    상기 진퇴 노즐은, 상기 진퇴 노즐이 상기 처리 공간 안의 상기 기판의 근방에 위치하는 노즐 진출 위치와, 상기 진퇴 노즐이 상기 기판의 근방으로부터 후퇴한 노즐 후퇴 위치의 사이에서 이동 가능한 노즐 지지 아암에 의해 지지되어 있고,
    상기 컵 외주통에는, 상기 노즐 지지 아암이 상기 노즐 진출 위치와 상기 노즐 후퇴 위치 사이에서 이동할 때에 상기 노즐 지지 아암이 통과하는 측부 개구가 형성되어 있으며,
    상기 기판의 상면에 진퇴 노즐로부터 세정액을 토출할 때, 상기 에어 후드는 상기 진출 위치에 있고, 상기 커버 기구는 상기 상승 위치에 있으며, 상기 컵 외주통은 상기 컵 상승 위치에 있고, 상기 노즐 지지 아암은 상기 노즐 진출 위치에 있는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
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