JP2019134000A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、昇降機構6によりカバー部材5を退避位置(図1より上方の位置であって、ガイド支柱62の上端付近の位置)に位置させるとともに、カップ昇降機構のリフタ65によりカップ体2を下降させる。次いで、ハウジング11のシャッター12を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム(図示せず)をハウジング11内に進入させ、搬送アームにより保持されたウエハWをウエハ保持部3の真上に位置させる。次いで、搬送アームをウエハ保持部3の上面より低い位置まで降下させて、ウエハWをウエハ保持部3の上面に載置する。次いで、ウエハ保持部3によりウエハを吸着する。その後、空の搬送アームをハウジング11内から退出させる。次いで、カップ体2を上昇させ図1に示す位置に戻すとともに、カバー部材5を図1に示す処理位置まで降下させる。以上の手順により、ウエハWの搬入及びウエハ保持部3によるウエハWの保持が完了し、図1に示す状態となる(以上、図6のステップS1)。
次に、ウエハに対する第1薬液処理が行われる。ウエハWを所定速度(例えば1500〜2500rpmの間の適当な回転速度)で反時計回り方向に回転させ(図6のステップS2)、また、カップ体2のガス吐出口212、213からホットN2ガスを吐出させて、ウエハW、特に被処理領域であるウエハW周縁部を薬液処理に適した温度(例えば60℃〜80℃の間の適当な温度)まで加熱する。なお、ウエハWの加熱を必要としない薬液処理を行う場合には、ヒーター216を動作させずに常温のN2ガスを吐出してもよい。ウエハWが十分に加熱されたら、ウエハWを回転させたままで薬液ノズル71Aから酸性の薬液(例えばフッ酸)をウエハWの上面(デバイス形成面)の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。同時に、薬液用の処理液吐出口22から薬液ノズル71Aから供給される薬液と同じ薬液をウエハWの下面周縁部に供給し、ウエハ下面周縁部にある不要な膜を除去する。ウエハWの上下面に供給された薬液は遠心力により外方に拡がりながら流れ、除去された物質と一緒にウエハWの外方に流出し、カップ体2により回収される。なお、薬液処理を行っている際に、必要に応じてリニアアクチュエータ75Aを駆動して薬液を吐出している薬液ノズル71AをウエハW半径方向に往復移動させることにより、処理の均一性を向上させることができる(以上、図6のステップS3)。
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハWの反時計回り方向の回転(回転速度は変更してもよい)およびガス吐出口212、213からのホットN2ガスの吐出を継続し、薬液ノズル71Aおよび薬液用の処理液吐出口22からの薬液の吐出を停止して、リンスノズル72Aおよびリンス液用の処理液吐出口22からリンス液(DIW)をウエハWの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハWの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。ウエハWが冷えることを防止する観点から、第1リンス処理で用いるリンス液は、ホットDIW(加熱されたDIW)であることが好ましい(以上、図6のステップS4)。
次に、ウエハに対する第2薬液処理が行われる。まず、ウエハWの回転方向を逆にして、ウエハWを所定速度(例えば1500〜2500rpmの間の適当な回転速度)で時計回り方向に回転させる。ウエハWの回転方向を切り替えるときに、ウエハWの回転が一時的に停止することに注意されたい(以上、図6のステップS5)。引き続きカップ体2のガス吐出口212、213からホットN2ガスを吐出させ、薬液ノズル71Bからアルカリ性の薬液(例えばSC1)をウエハWの上面(デバイス形成面)の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある汚染物質を除去する。同時に、薬液用の処理液吐出口22から薬液ノズル71Bから供給される薬液と同じ薬液をウエハWの下面周縁部に供給し、ウエハ下面周縁部にある汚染物質を除去する。この第2薬液処理を行うときにも、第1薬液処理を行うときと同様に、薬液ノズル71BをウエハW半径方向に往復移動させることが好ましい(以上、図6のステップS6)。
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハWの時計回り方向の回転(回転速度は変更してもよい)およびガス吐出口212、213からのN2ガスの吐出を継続し、薬液ノズル71Bおよび薬液用の処理液吐出口22からの薬液の吐出を停止して、リンスノズル72Bおよびリンス液用の処理液吐出口22からリンス液(DIW)をウエハWの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハWの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される(以上、図6のステップS7)。
[乾燥処理]
所定時間第2リンス処理を行った後、引き続きウエハWの時計回り方向の回転(回転速度は増加させることが好ましい)およびガス吐出口212、213からのN2ガスの吐出を継続し、リンスノズル72およびリンス液用の処理液吐出口22からのリンス液の吐出を停止して、ガスノズル73Bから乾燥用ガス(N2ガス)をウエハWの周縁部に供給し、乾燥処理を行う。以上により一枚のウエハWに対する一連の処理が終了する(以上、図6のステップS8)。
その後、カバー部材5を上昇させて退避位置に位置させるとともにカップ体2を下降させる。次いで、ハウジング11のシャッター12を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム(図示せず)をハウジング11内に進入させ、空の搬送アームをウエハ保持部3に保持されたウエハWの下方に位置させた後に上昇させ、ウエハWの吸着を停止することによりウエハWを解放したウエハ保持部3から搬送アームがウエハWを受け取る。その後、ウエハを保持した搬送アームがハウジング11内から退出する。以上により、1枚のウエハに対する液処理装置における一連の手順が終了する(以上、図6のステップS9)。次に処理すべきウエハWがある場合には(図6のステップS10のY)、次のウエハWに対してステップS1からの一連のステップ(処理)を行う。
液処理装置1の通常運転中は、清浄空気導入ユニット14は常時動作している。また、前述したように、液処理装置1の通常運転中には、排気路245を介してカップ体2の内部空間が常時吸引され、内側の凹部242内の圧力がカップ体2の外側のハウジング11内の圧力よりも低く維持されている。従って、液処理装置1の通常運転中は、カップ体2の上方からガス(通常は清浄空気)がカップ体2の排気流路27に流入している。
G 隙間
14 清浄ガス供給部
2 カップ体
245 カップ体の排気口
247 カップ体の排気口
3,44,45,46 基板保持回転部
5 カバー部材
51 カバー部材の内周面
52 カバー部材の下面
6 カバー部材の移動機構
7A,7B 処理液供給部
71A,71B 処理液ノズル(薬液ノズル)
72A,72B 処理液ノズル(リンスノズル)
8 制御部
90 除電器
95 除電器の吐出口
Claims (7)
- 基板を保持して回転させる基板保持回転部と、
前記基板保持回転部により保持された基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板の周囲の空間に気体分子由来のイオンを供給して、前記空間内を浮遊する帯電した処理液のミストを除電する除電器と、
を備えた基板処理装置。 - 前記基板保持回転部に保持された基板の周囲を囲み、前記基板保持回転部に保持されて回転する基板から外方に飛散する処理液を回収するカップ体であって、前記基板が通過可能な上部開口を有しているカップ体をさらに備え、
前記除電器は、前記上部開口の周縁部近傍において前記上部開口の周方向に沿って間隔を空けて配置された複数のイオンの吐出口を有している、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記カップ体の内部空間を吸引するための排気口と、
下面および内周面を有するリング状のカバー部材と、
前記カバー部材を、処理位置と、退避位置との間で移動させる移動機構と、
をさらに備え、
前記カバー部材が、前記除電器の前記複数のイオンの吐出口を有している、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記カバー部材が前記処理位置にあるとき、前記カバー部材は、前記基板保持回転部により保持された基板の上面の周縁部を覆い、前記カバー部材が前記処理位置に位置しているときに、前記基板の上面の周縁部よりも半径方向内側にある前記基板の上面の中央部は前記カバー部材に覆われずに露出しており、
前記カバー部材の前記下面は、前記基板保持回転部に保持された基板の上面の周縁部との間に隙間を形成し、前記カップ体の内部空間が排気されるときに、前記カップ体の前記内部空間の上方にある気体が、前記カバー部材の前記内周面に囲まれた空間から前記隙間を介して前記カップ体の内部空間に導入されるようになっており、
前記カバー部材の前記内周面が、前記除電器の前記複数のイオンの吐出口を有している、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記カバー部材が前記退避位置にあるとき、前記カバー部材は、前記処理位置よりも前記基板から遠い前記基板の上方の位置にある、請求項3または4記載の基板処理装置。
- 前記基板保持回転部に保持された基板よりも高い高さ位置から清浄ガスを供給する清浄ガス供給部をさらに備え、前記清浄ガス供給部から供給されたガスが、前記排気口を介して吸引されている前記カップ体の内部空間に吸い込まれる、請求項3から5のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記除電器の動作を制御する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記基板が前記基板処理装置内にあり、かつ、少なくとも前記基板が前記基板保持回転部により回転させられていないときに、前記除電器を動作させる、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018013007A JP7034743B2 (ja) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019134000A true JP2019134000A (ja) | 2019-08-08 |
JP7034743B2 JP7034743B2 (ja) | 2022-03-14 |
Family
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Family Applications (1)
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Country | Link |
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