JP2017069336A - 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室(20)内に洗浄液供給部(74)とブラシ(71)とを備えた洗浄ユニット(70)を設ける。吸着保持部(31)に洗浄液を供給しながら、吸着保持部にブラシを当接させた状態でブラシを吸着保持部に対して相対的に移動させることにより、吸着保持部を洗浄する。
【選択図】図1
Description
まず、基板処理ユニット16において行われるベベル洗浄(ベベルエッチング)処理について説明する。
ウエハWが回転を開始した後、第1表面ノズル41aおよび第1裏面ノズル41bからウエハWの周縁部に薬液(例えばフッ酸またはフッ硝酸等)を吐出し、薬液洗浄工程を実施する。これによりウエハWの周縁部に付着している不要な膜が除去される。薬液洗浄工程を実施している間、ウエハWの表面に沿って、天板60のガス通路63を通過することにより加熱された清浄空気が流れる。また、ウエハWの表面は天板60からの輻射熱によっても加熱される。これにより、薬液洗浄を促進することができる。
その後、第1表面ノズル41aおよび第1裏面ノズル41bからの薬液の吐出を停止し、第2表面ノズル42aおよび第2裏面ノズル42bからのリンス液の吐出を行い、ウエハWの周縁部に残留している薬液および反応生成物を洗い流すリンス処理を行う。
第2表面ノズル42aおよび第2裏面ノズル42bからのリンス液の吐出を停止し、ウエハWの回転数を増加させ、ウエハWの振り切り乾燥処理を行う。
上述した一連のベベル洗浄(ベベルエッチング)処理を行うたびに、ウエハWの裏面に付着していたパーティクル等の汚染物質がバキュームチャック31のチャック面に付着し、蓄積されてゆく。蓄積されたパーティクルの一部は保持部により保持されるウエハWの裏面に付着する。チャック面31aへのパーティクルの付着量が大きくなり、チャック面31aからウエハWに付着するパーティクルの量が過度に大きくなると、次工程に影響を及ぼす可能性がある。
ウエハWがバキュームチャック31が取り除かれ基板処理ユニット16から搬出された後、図9に示すように、洗浄ユニット70のブラシ71がバキュームチャック31の上方に位置する(参照符号71’を付けた鎖線で示すブラシの位置を参照)。バキュームチャック31が回転を開始する。バキュームチャック31の回転数は例えば10〜2000rpmの範囲内とすることができる。
次に、吐出口74から洗浄液を吐出したままで、かつ、バキュームチャック31を回転させたままで、ブラシ74の回転を開始する。次いで、ブラシ74を下降させてバキュームチャック31のチャック面31aに押しつけ、また、アーム72を小さな角度で正方向および逆方向に水平に旋回させることによりチャック面31a上でブラシ74を往復させ、チャック面31aとブラシ74とを相対的に移動させる。これにより、チャック面31a上に付着していたパーティクル等の汚染物質の殆ど全てが除去される。
次に、吐出口74から洗浄液を吐出したままで、かつ、バキュームチャック31を回転させたままで、ブラシ74を上昇させてバキュームチャック31のチャック面31aから離す。その後ブラシ74の回転を停止する。すなわち、予備洗浄工程と同様に、ブラシ71の吐出口74から洗浄液(純水)が回転しているバキュームチャック31のチャック面31aに供給され、チャック面31aから剥がれた後にチャック面31a上に残留しているパーティクル等の汚染物質が洗い流される。
次に、ブラシ74を液受けカップ50の上方から退避させる。次いで、バキュームチャック31を回転させたままで(好ましくは回転速度を増し)、図10に示すようにヒータ64により加熱されている天板60を下降させ、図1に示したウエハWを処理するときと同じ位置に位置させる。これにより、天板60のガス通路63に引き込まれた清浄空気が、加熱された後にガス通路63の下端開口からバキュームチャック31のチャック面31aおよびその周囲の下側ガイド部材54の表面に向かって吐出され、これによりチャック31および下側ガイド部材54が乾燥する。乾燥工程が終了したら、天板60上昇させる。以上により、バキュームチャック31の洗浄が終了する。
上記の薬液洗浄工程およびリンス工程の変形実施形態について図4〜図6を参照して説明する。なお、図4〜図6においては、第1表面ノズル41aおよび第2表面ノズル42aのみ記載しているが、第1裏面ノズル41bおよび第2裏面ノズル42bも、第1表面ノズル41aおよび第2表面ノズル42aと同様に動作させることができる。なお、上述した図1に示す実施形態においては、第1裏面ノズル41bおよび第2裏面ノズル42bは液受けカップ50に固定された固定ノズルであったが、この変形実施形態の動作を実現するために、第1裏面ノズル41bおよび第2裏面ノズル42bの移動機構を設けてもよい。
図4に示す変形実施形態では、第1表面ノズル41aは物理洗浄ノズルではなく通常のノズルである。第1表面ノズル41aには薬液供給機構と純水供給機構が接続されており、第1表面ノズル41aから薬液(CHM)またはリンス液としての純水(DIW)のいずれかを選択的に供給できるようになっている。第2表面ノズル42aは物理洗浄ノズル、つまり二流体ノズルまたは超音波ノズルであり、純水のミストおよびガスからなる二流体、または超音波振動が付与された純水(「超音波振動水」とも呼ぶ)を吐出する。
図5に示す変形実施形態では、第1表面ノズル41aおよび第2表面ノズル42aの構成並びにこれらのノズルに接続される処理流体供給機構は第1変形実施形態と同じである。
図6に示す変形実施形態では、第1表面ノズル41aは物理洗浄ノズルではなく通常のノズルである。第1表面ノズル41aには薬液供給機構と純水供給機構が接続されており、第1表面ノズル41aから薬液またはリンス液としての純水のいずれかを選択的に供給できるようになっている。第2表面ノズル42aは物理洗浄ノズル、つまり二流体ノズルまたは超音波ノズルであり、薬液のミストおよびガスからなる二流体、または超音波振動が付与された薬液(「超音波振動薬液」と呼ぶ)を吐出する。
20 処理チャンバ
21,60 乾燥用ガスを供給するガス供給部(FFUおよびヒータ付き天板)
31 吸着保持部(バキュームチャック)
70 洗浄ユニット
71 ブラシ
74 洗浄液供給部(ブラシの吐出口)
Claims (7)
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を吸着して保持する吸着保持部と、
前記処理室内に設けられ、前記吸着保持部を洗浄する洗浄ユニットと、
を備え、
前記洗浄ユニットは、前記吸着保持部に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記洗浄液が供給された吸着保持部に当接して前記吸着保持部を洗浄するブラシと、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記吸着保持部に乾燥用ガスを供給するガス供給部をさらに備えた、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記吸着保持部により保持された基板に処理液を供給するノズルをさらに備え、
前記吸着保持部により基板が保持され前記ノズルから基板に処理液が供給されるとき、前記ガス供給部は前記基板を加熱するためのガスを供給し、
前記吸着保持部により基板が保持されておらず前記洗浄液供給部から前記吸着保持部に洗浄液が供給されるとき、前記ガス供給部は前記吸着保持部に乾燥用ガスを供給することを特徴とする、請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記吸着保持部に対して昇降可能であり前記ガス供給部を有する天板をさらに備え、
前記吸着保持部により基板が保持され前記ノズルから基板に処理液が供給されるとき、及び、前記吸着保持部により基板が保持されておらず前記洗浄液供給部から前記吸着保持部に洗浄液が供給されるとき、前記天板は降下していることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄ユニットを制御し、前記吸着保持部が基板を保持していないときに、前記洗浄液供給部によって前記吸着保持部に洗浄液を供給しながら、前記吸着保持部に前記ブラシを当接させた状態で前記ブラシを前記吸着保持部に対して相対的に移動させることにより、前記吸着保持部を洗浄させる制御部をさらに備えたことを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
- 処理内に設けられた吸着保持部により基板を吸着して保持した状態で基板を処理するように構成された基板液処理装置の前記吸着処理部を洗浄する洗浄方法において、
前記処理室内に設けられた洗浄液供給部とブラシとを備えた洗浄ユニットを用い、
前記吸着保持部に洗浄液を供給しながら、前記吸着保持部に前記ブラシを当接させた状態で前記ブラシを前記吸着保持部に対して相対的に移動させることにより、前記吸着保持部を洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 基板処理装置の制御装置をなすコンピュータにより実行されたときに、前記制御装置が前記基板処理装置を制御して請求項6に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが格納された記憶媒体。
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