JP2015216224A - 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態では、半導体装置が形成される円形の基板であるウエハWの表面に薬液を供給し、当該ウエハWの周縁部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置について説明する。
まず、昇降機構6によりカバー部材5を退避位置(図1より上方の位置)に位置させるとともに、カップ昇降機構のリフタ65によりカップ体2を下降させる。次いで、ハウジング11のシャッター12を開いて外部のウエハ搬送機構の搬送アーム(不図示)をハウジング11内に進入させ、搬送アームにより保持されたウエハWをウエハ保持体3の真上に位置させる。次いで、搬送アームをウエハ保持体3の上面より低い位置まで降下させて、ウエハWをウエハ保持体3の上面に載置する。次いで、ウエハ保持体3によりウエハを吸着する。その後、空の搬送アームをハウジング11内から退出させる。次いで、カップ体2を上昇させ図1に示す位置に戻すとともに、カバー部材5を図1に示す処理位置まで降下させる。以上の手順により、ウエハの搬入が完了し、図1に示す状態となる。
次に、ウエハに対する第1の薬液処理が行われる。ウエハWを回転させ、また、カップ体2のガス吐出口212、213からN2ガスを吐出させて、ウエハW、特に被処理領域であるウエハW周縁部を薬液処理に適した温度(例えば60℃程度)まで加熱する。ウエハWが十分に加熱されたら、ウエハWを回転させたままで処理流体供給部7Aの薬液ノズル71から薬液(SC1)をウエハWの上面(デバイス形成面)の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。
所定時間薬液処理を行った後、薬液ノズル71からの薬液の吐出を停止して、処理流体供給部7Aのリンスノズル72からリンス液(DIW)をウエハWの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハWの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。なお、ここで、後述のステップS506と同様の乾燥処理を行っても良い。
次に、第1薬液処理では除去できない不要物を除去するための、ウエハWに対する第2の薬液処理が行われる。第1薬液処理と同様にウエハWを回転させるとともにウエハWを加熱し、処理流体供給部7Bの薬液ノズル74から薬液(HF)をウエハWの上面(デバイス形成面)の周縁部に供給し、ウエハ上面周縁部にある不要な膜を除去する。
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハWの回転およびガス吐出口212、213からのN2ガスの吐出を継続し、薬液ノズル71からの薬液の吐出を停止して、処理流体供給部7Bのリンスノズル75からリンス液(DIW)をウエハWの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハWの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。
所定時間リンス処理を行った後、引き続きウエハWの回転およびガス吐出口212、213からのN2ガスの吐出を継続し、リンスノズル75およびリンス液用の処理液吐出口22からのリンス液の吐出を停止して、ガスノズル76から乾燥用ガス(N2ガス)をウエハWの周縁部に供給し、乾燥処理を行う。
その後、カバー部材5を上昇させて退避位置に位置させるとともにカップ体2を下降させる。次いで、ハウジング11のシャッター12を開いて図示しない外部のウエハ搬送機構の搬送アーム(図示せず)をハウジング11内に進入させ、空の搬送アームをウエハ保持体3に保持されたウエハWの下方に位置させた後に上昇させ、ウエハWの吸着を停止した状態のウエハ保持体3から搬送アームがウエハWを受け取る。その後、ウエハを保持した搬送アームがハウジング11内から退出する。以上により、1枚のウエハに対する一連の液処理が終了する。
図2及び図3を用いて、生成された結晶の付着箇所の例を説明する。図2及び図3では、カバー部材5の内周面51に結晶601が付着している。また、飛散した液滴やミストはカバー部材5と外周壁26の間にも入り込むため、カバー部材5の外周縁521にも結晶602が付着する。上述したカバー部材5は、カップ体2よりも高い位置に設けられているため、洗浄液による洗浄を行うことができない。また、洗浄液での洗浄ができたとしても、その後、付着した洗浄液を乾燥させることができない。
第1の実施形態では、実際にウエハWに対して処理液を供給している間に加熱処理を行っていた。しかし、多くのセットについて連続的に液処理を行う場合においては、長時間ヒーターを動作させておかねばならず、電力消費量が大きくなってしまう。そこで、本実施形態では、液処理中には加熱処理を行わず、1セットのウエハWについて処理を行った後の待機時間において、加熱処理を行うようにする。
以上が第2の実施形態の制御であるが、ヒーター701の加熱処理は、1セット毎に実行する例に限らない。例えば、装置起動時から基板処理装置1での処理枚数をカウントしておき、500枚処理したタイミングごとに、同様の加熱処理を実行するようにしても良い。また、枚数による制御ではなく、経過時間による制御を行っても良い。例えば、基板処理装置1の装置起動時から24時間経過したタイミング毎に、同様の加熱処理を実行するようにしても良い。なお、枚数や時間といった条件は、コントローラ8が固定値として記憶しておく例に限らず、装置の使用者が液処理の種別ごとに結晶の成長頻度等に応じて任意の値を設定し記憶させておくようにしても良い。以上の加熱処理を行う場合、コントローラ8が記憶された枚数や時間といった所定の条件を監視しておき、所定の条件を満たせば、図7のステップS703〜S706と同様の処理を行う。
以上、本発明に係る実施形態について説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限ることなく、様々な態様により実現することができる。例えば、処理液としては、SC1液とHF液を用いるものとしたが、他の処理液を用いる場合においても同様に、本発明を適用できる。例えば、SC1液による処理とSC2液による処理を連続して行う場合、SC1液に含まれるアンモニアとSC2液に含まれる塩酸が反応して、塩化アンモニウム(NH4Cl)の結晶が生じる。この場合においても、塩化アンモニウムは100度程度で気化するので、上記実施形態と同様に加熱処理を行うことにより、同様の効果が得られる。
3 基板保持部
5 カバー部材
7 処理流体供給部
701 ヒーター
Claims (11)
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備え、
前記カバー部材には、前記カバー部材を加熱するためのヒーターが設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っているときに、前記カバー部材の表面に付着した前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を前記ヒーターの加熱処理により除去することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターの加熱処理は、前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を除去するとともに、前記基板の周縁部の温度を上昇させることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っていないときに、前記カバー部材の表面に付着した前記処理液又は前記処理液から生じた結晶を前記ヒーターの加熱処理により除去することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記加熱処理を行う際は、前記基板保持部に保持された前記基板に対する液処理を行っているときと同じ位置に前記カバー部材を配置することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 所定枚数の基板に対する液処理が終了するごとに、前記加熱処理を行うことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の基板処理装置。
- 所定時間基板に対する液処理を実行するごとに、前記加熱処理を行うことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターは、前記カバー部材に内蔵されており、前記リング形状に沿って形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターは、前記カバー部材の内周面を加熱することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備える基板処理装置の付着物除去方法であって、
前記カバー部材に設けられたヒーターが、前記カバー部材を加熱することを特徴とする付着物除去方法。 - 基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材と、を備える基板処理装置の付着物除去方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記カバー部材に設けられたヒーターが、前記カバー部材を加熱するステップを含むことを特徴とする記憶媒体。
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