JP2011054932A - 基板の液処理装置および液処理方法 - Google Patents
基板の液処理装置および液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011054932A JP2011054932A JP2010122999A JP2010122999A JP2011054932A JP 2011054932 A JP2011054932 A JP 2011054932A JP 2010122999 A JP2010122999 A JP 2010122999A JP 2010122999 A JP2010122999 A JP 2010122999A JP 2011054932 A JP2011054932 A JP 2011054932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- heated
- unit
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 137
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 242
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の液処理装置1は、基板Wを保持する保持部10と、保持部10を回転させる回転駆動部20と、遮蔽ユニット39とを備えている。遮蔽ユニット39は、保持部10により保持された基板Wに対向する対向板32と、対向板32を介して基板Wを加熱する加熱部分31と、加熱されたガスを保持された基板Wの表面に供給する加熱ガス供給部分32aとを備えている。
【選択図】図1
Description
2 ケーシング
2a 開口
10 保持部
12 回転軸
14 ベアリング
18 シャッター
20 回転駆動部
22 モータ
24 プーリ
26 駆動ベルト
30 上方カップ
31 ヒータ
32 対向板
32a 開口
33 断熱部材
34 ガス加熱フィン
34a フィン部分
36 天板部材
36a 貫通穴
36b 上部開口
36c 底部
38 シール部材
39 遮蔽ユニット
40 下方カップ
40a 流路
42 排気部
44 上方カップ昇降機構
44a アーム
46 下方カップ昇降機構
46a アーム
48 送風機構
50 処理液供給部
52 処理液流路
54 貫通穴
56 処理液供給管
58 ノズル
70 上方カップ
71 ヒータ
72 対向板
72a 流路
74 ガス加熱フィン
74a フィン部分
76 天板部材
76a 貫通穴
79 遮蔽ユニット
80 上方カップ
82 本体部分
82a 断熱部材
82b ヒータ
82c 流路
84 ガス加熱フィン
86 天板部材
86a 貫通穴
88 断熱部材
89 遮蔽ユニット
101 載置台
102 搬送アーム
103 棚ユニット
104 搬送アーム
W ウエハ
Claims (18)
- 基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部により保持された基板に対向する対向板と、前記対向板を介して基板を加熱する加熱部分と、加熱されたガスを保持された基板の表面に供給する加熱ガス供給部分と、を有する遮蔽ユニットと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理装置。 - 前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが当該遮蔽ユニット内で加熱され、この加熱されたガスが前記加熱ガス供給部分によって基板に供給されることを特徴とする請求項1記載の基板の液処理装置。 - 前記遮蔽ユニットにおいて、前記加熱部分は、前記対向板を介して基板を加熱する際に基板の周縁部分を加熱するようになっており、前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給するようになっていることを特徴とする請求項1または2記載の基板の液処理装置。
- 前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項3記載の基板の液処理装置。 - 前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが前記迂回板により迂回され、前記加熱ガス供給部分から基板に供給されることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。 - 前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
前記遮蔽ユニットにおいて、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触することにより加熱されることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。 - 前記加熱部材は、前記保持部により保持された基板の中心部分から周縁部分に向かう方向に沿って複数段設けられたフィン部分を有する加熱フィンであり、
前記加熱フィンの前記各フィン部分に沿ってガスが流れることにより当該ガスが前記加熱フィンにより加熱されることを特徴とする請求項6記載の基板の液処理装置。 - 前記加熱フィンの各フィン部分は、前記保持部により保持された基板の周方向に沿って延びるよう設けられていることを特徴とする請求項7記載の基板の液処理装置。
- 前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分は、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給するようになっていることを特徴とする請求項1または2記載の基板の液処理装置。
- 前記遮蔽ユニットの前記加熱ガス供給部分によって前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気するための排気部を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の基板の液処理装置。
- 保持部により基板を保持させることと、
基板を保持する前記保持部を回転させることと、
前記保持部により保持された基板の周縁部分に処理液を供給することと、
前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱することと、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給することと、
を備えたことを特徴とする基板の液処理方法。 - 前記遮蔽ユニットは、ガスを当該遮蔽ユニット内に導入するためのガス導入部分を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを当該遮蔽ユニット内で加熱し、この加熱されたガスを基板に供給することを特徴とする請求項11記載の基板の液処理方法。 - 前記保持部により保持された基板に対向して配置された対向板を介して、遮蔽ユニットの加熱部分により基板を加熱する際に、基板の周縁部分を加熱し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、加熱されたガスを、基板の表面における前記処理液供給部により処理液が供給される箇所よりも内側であって前記保持部に接触する領域よりも外側に供給することを特徴とする請求項11または12記載の基板の液処理方法。 - 前記対向板の直径は前記保持部の直径よりも大きくなっており、
前記保持部により保持された基板と、前記対向板との間には、基板より直径が小さく前記保持部よりも直径が大きい断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項13記載の基板の液処理方法。 - 前記遮蔽ユニットは、前記ガス導入部分により当該遮蔽ユニット内に導入されたガスを迂回させる迂回板を更に有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを前記迂回板により迂回させ、その後基板に供給することを特徴とする請求項12乃至14のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。 - 前記遮蔽ユニットは、前記加熱部分により加熱され、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスが接触する加熱部材を有し、
加熱されたガスを前記保持部により保持された基板に供給する際に、前記ガス導入部分により前記遮蔽ユニット内に導入されたガスを、前記加熱部分により加熱された前記加熱部材に接触させることにより加熱することを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。 - 加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面の中心部分に供給することを特徴とする請求項11または12記載の基板の液処理方法。
- 加熱されたガスを前記保持部により保持された基板の表面に供給する際に、前記保持部により保持された基板の表面に供給された、加熱されたガスを排気部により排気することを特徴とする請求項11乃至17のいずれか一項に記載の基板の液処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010122999A JP5437168B2 (ja) | 2009-08-07 | 2010-05-28 | 基板の液処理装置および液処理方法 |
CN201010243321.6A CN101996914B (zh) | 2009-08-07 | 2010-07-28 | 基板的液体处理装置和液体处理方法 |
TW099124918A TWI451483B (zh) | 2009-08-07 | 2010-07-28 | 基板之液體處理裝置及液體處理方法 |
KR1020100073405A KR101434708B1 (ko) | 2009-08-07 | 2010-07-29 | 기판의 액처리 장치 및 액처리 방법 |
US12/849,357 US8684014B2 (en) | 2009-08-07 | 2010-08-03 | Liquid processing apparatus for substrate and liquid processing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009184891 | 2009-08-07 | ||
JP2009184891 | 2009-08-07 | ||
JP2010122999A JP5437168B2 (ja) | 2009-08-07 | 2010-05-28 | 基板の液処理装置および液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011054932A true JP2011054932A (ja) | 2011-03-17 |
JP5437168B2 JP5437168B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=43533853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010122999A Active JP5437168B2 (ja) | 2009-08-07 | 2010-05-28 | 基板の液処理装置および液処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8684014B2 (ja) |
JP (1) | JP5437168B2 (ja) |
KR (1) | KR101434708B1 (ja) |
CN (1) | CN101996914B (ja) |
TW (1) | TWI451483B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153135A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2013197114A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013206993A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sokudo Co Ltd | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP2014038979A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
KR20150126281A (ko) | 2014-05-02 | 2015-11-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2015216224A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 |
JP2017069336A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 |
US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
JP2020065012A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20200121734A (ko) | 2019-04-16 | 2020-10-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
WO2024062760A1 (ja) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8944080B2 (en) * | 2011-08-02 | 2015-02-03 | Visera Technologies Company Limited | Cleaning system, cleaning device, and method of using cleaning device |
KR101783079B1 (ko) | 2011-08-26 | 2017-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
JP5693439B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
US20140231012A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
KR102272661B1 (ko) * | 2014-10-02 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 세정 장치 |
JP6684191B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 |
JP6842391B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2021-03-17 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US11935766B2 (en) * | 2018-03-06 | 2024-03-19 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP6983306B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2021-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の反り修正方法、コンピュータ記憶媒体及び基板反り修正装置 |
CN110466243B (zh) * | 2018-05-11 | 2022-08-23 | 重庆莱宝科技有限公司 | 一种自动丝印方法 |
JP7110053B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141326A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Hitachi Ltd | 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 |
JP2002261040A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2003115474A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
JP2005142290A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006165372A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 枚葉式洗浄装置および洗浄方法 |
JP2008130893A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP2008235302A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009509336A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置 |
JP2009117762A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Kazuo Tanabe | ウエーハエッジのエッチング方法及び装置。 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175160A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US6776173B2 (en) * | 2000-06-30 | 2004-08-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
JP2002246319A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US6899111B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
JP3921234B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置及びその製造方法 |
JP4043831B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
KR100457053B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
JP2006100743A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 昇温ユニット及び昇降温ユニット |
CN101802982B (zh) | 2008-06-05 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 液体处理装置和液体处理方法 |
-
2010
- 2010-05-28 JP JP2010122999A patent/JP5437168B2/ja active Active
- 2010-07-28 CN CN201010243321.6A patent/CN101996914B/zh active Active
- 2010-07-28 TW TW099124918A patent/TWI451483B/zh active
- 2010-07-29 KR KR1020100073405A patent/KR101434708B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-03 US US12/849,357 patent/US8684014B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141326A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Hitachi Ltd | 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 |
JP2002261040A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2003115474A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
JP2005142290A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006165372A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 枚葉式洗浄装置および洗浄方法 |
JP2009509336A (ja) * | 2005-09-19 | 2009-03-05 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置 |
JP2008130893A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP2008235302A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009117762A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Kazuo Tanabe | ウエーハエッジのエッチング方法及び装置。 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9859136B2 (en) | 2011-12-28 | 2018-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20190094324A (ko) | 2011-12-28 | 2019-08-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US8828183B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-09-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11437252B2 (en) | 2011-12-28 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2013153135A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20170120057A (ko) | 2011-12-28 | 2017-10-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
US10707102B2 (en) | 2011-12-28 | 2020-07-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
JP2013197114A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US9623450B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-04-18 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus for cleaning a lower surface of a substrate |
JP2013206993A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sokudo Co Ltd | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 |
US11217452B2 (en) | 2012-08-17 | 2022-01-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
JP2014038979A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP2015213122A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
US9852933B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-12-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium |
KR20150126281A (ko) | 2014-05-02 | 2015-11-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2015216224A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 |
JP2017069336A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 |
JP2020065012A (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7138539B2 (ja) | 2018-10-18 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20200121734A (ko) | 2019-04-16 | 2020-10-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP2020177964A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7242392B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7466728B2 (ja) | 2019-04-16 | 2024-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱機構および基板加熱方法 |
WO2024062760A1 (ja) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110030737A1 (en) | 2011-02-10 |
CN101996914B (zh) | 2014-01-01 |
JP5437168B2 (ja) | 2014-03-12 |
CN101996914A (zh) | 2011-03-30 |
KR20110015372A (ko) | 2011-02-15 |
US8684014B2 (en) | 2014-04-01 |
KR101434708B1 (ko) | 2014-08-26 |
TW201123280A (en) | 2011-07-01 |
TWI451483B (zh) | 2014-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5437168B2 (ja) | 基板の液処理装置および液処理方法 | |
JP3230836B2 (ja) | 熱処理装置 | |
TWI578427B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP4601070B2 (ja) | 熱処理装置 | |
KR101901012B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US9548223B2 (en) | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles | |
CN105390416A (zh) | 用于处理晶片状物件的方法和装置 | |
US20120015523A1 (en) | Systems and methods for etching silicon nitride | |
KR102354226B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 부착물 제거 방법 및 기억 매체 | |
US11656557B2 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP2009212301A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20180025287A (ko) | 기판 처리 방법 | |
CN109478500B (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
US20220165589A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP3840388B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102171647B1 (ko) | 덮개체 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 | |
WO2017010191A1 (ja) | 基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP2009032777A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6312615B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4907432B2 (ja) | 搬送装置並びに液処理装置及び同液処理装置における被処理体の搬送方法 | |
CN108666239B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法和存储介质 | |
JPH08222556A (ja) | 熱処理装置 | |
TW202044511A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2009224608A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5507438B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5437168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |