TWI578427B - 基板處理裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於處理基板的基板處理裝置。構成處理對象的基板係包括有例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的製造步驟中，有使用對例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板等的基板施行處理的基板處理裝置。
日本專利特開2010-56218號公報有揭示：每次處理1片基板的單片式基板處理裝置。該基板處理裝置為防止因處理液中所含的氧而導致基板遭氧化，便將含有經施行氧脫氣與氮氣添加的惰性氣體溶存水之液體，作為處理液並供應給基板。又，該基板處理裝置為抑制基板上面所接觸環境氣體中的氧濃度上升，便將配置於旋轉基座上方的基板，利用設有基板對向面與周壁部的阻斷構件覆蓋。
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的製造步驟中，會有期望在環境氣體中氧濃度極低狀態下對基板施行處理的情況。
如上述公報所記載，即便處理液中的氧濃度較低，但
若環境氣體中的氧濃度偏高，則環境氣體中的氧會溶入處理液中，因而會有導致氧濃度上昇的處理液供應給基板的情況。又，若在環境氣體中的氧濃度較高狀態下施行基板的乾燥，則在基板上會有發生因環境氣體中的氧所造成水痕之情況。所以，不管液處理步驟及乾燥步驟均需要降低環境氣體中的氧濃度。
本發明目的之一係為能在於氧濃度較低環境氣體中對基板施行處理，而降低基板所接觸環境氣體中的氧濃度。
本發明一實施形態的基板處理裝置，係包括有：旋轉夾具、阻斷構件、上惰性氣體供應單元、杯、及排氣單元；而，該旋轉夾具係包括有：圓板狀旋轉基座、複數夾持銷、及旋轉馬達；該圓板狀旋轉基座係具備配置於基板下方的圓形上面、與外徑較大於基板的外周面；該等複數夾持銷係將基板下面與上述旋轉基座的上述上面依隔開間隔於上下方向呈對向狀態，水平狀保持著基板；該旋轉馬達係使上述旋轉基座及複數夾持銷，圍繞著通過由上述複數夾持銷所保持之基板中央部的鉛直旋轉軸線進行旋轉；該阻斷構件係包含有：在由上述旋轉夾具所保持之基板上方配置的對向面、與圍繞上述旋轉軸線而包圍由上述旋轉夾具所保持之基板的內周面，且上述內周面的下端係配置於上述旋轉基座的周圍，從上述內周面的下端起至上述旋轉基座的上述外周面之徑向距離，係從由上述旋轉夾具所保持之基板上面起至上述對向面的鉛直方向距離以上；該上惰性氣體供應單元係從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口的朝下吐出口，朝下方吐出惰性氣體；該杯係圍繞上述旋轉軸線而包圍上述旋轉基座且朝上呈開口；該排氣單元係將上述杯內的氣
體排出至上述杯的外部。當基板上面與阻斷構件對向面非呈平行的情況，從由旋轉夾具所保持之基板上面起至阻斷構件對向面的鉛直方向距離係指最短距離。
根據此項構成，基板配置於旋轉基座的上方。阻斷構件對向面配置於基板的上方。阻斷構件內周面配置於基板的周圍。在此狀態下，惰性氣體從在阻斷構件對向面呈開口的朝下吐出口，朝下方吐出。由阻斷構件的朝下吐出口所吐出之惰性氣體，會在基板上面與阻斷構件對向面之間的空間中擴展，並被從阻斷構件內周面下端與旋轉基座外周面之間排出。藉此，因為基板與阻斷構件之間充滿惰性氣體，因而降低基板上面及外周面所接觸環境氣體中的氧濃度。
阻斷構件的內周面下端係隔開間隔朝徑向與旋轉基座的外周面呈對向。阻斷構件的內周面下端與旋轉基座的外周面，係形成用以將基板與阻斷構件間的環境氣體予以排出的環狀排出口。若從阻斷構件的內周面下端起至旋轉基座外周面間之徑向距離偏小，則排出口的開口面積較小，因而會妨礙環境氣體排出，導致會有環境氣體滯留於基板與阻斷構件間的可能性。若發生環境氣體滯留，便會有基板與阻斷構件間其中一部分區域的氧濃度不會充分降低之情況。
從阻斷構件的內周面下端起至旋轉基座外周面間之徑向距離，係達從由旋轉夾具所保持之基板上面起至阻斷構件對向面間之鉛直方向距離以上。所以，相較於從阻斷構件的內周面下端起至旋轉基座外周面間之徑向距離，較小於從由旋轉夾具所保持基板上面起至阻斷構件對向面間之鉛直方向距離的情況，能增加排出
口的開口面積。藉此，可提高環境氣體的排出效率，所以可抑制或防止基板與阻斷構件間之環境氣體滯留。
再者，基板與阻斷構件間的氣體會被吸附靠近杯。杯係包圍旋轉基座。阻斷構件的內周面下端配置於旋轉基座周圍。所以，阻斷構件的內周面下端配置於杯內部或杯開口的附近。阻斷構件的內周面下端係與旋轉基座的外周面一起形成用以將基板與阻斷構件間之環境氣體予以排出的環狀排出口。所以，排出口係配置於杯內部或杯開口的附近。故，將氣體吸入杯內的抽吸力會有效率地傳遞至基板與阻斷構件間的空間。藉此，促進從基板與阻斷構件間之氣體排出，俾抑制滯留發生。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可更進一步包括有阻斷構件旋轉單元，其係使上述阻斷構件圍繞上述旋轉軸線，朝與由上述旋轉夾具所保持之基板相同方向進行旋轉。阻斷構件旋轉單元係可使阻斷構件朝基板相同方向依與基板相同速度進行旋轉，亦可使阻斷構件朝基板相同方向並依與基板不同速度進行旋轉。
根據此項構成，阻斷構件旋轉單元使阻斷構件朝與基板相同方向圍繞旋轉軸線進行旋轉。若阻斷構件旋轉單元使阻斷構件進行旋轉，則在基板上面與阻斷構件對向面之間便形成朝外向(遠離旋轉軸線方向)的氣流。同樣的，若旋轉夾具使基板進行旋轉，則在基板上面與阻斷構件對向面之間形成朝外向的氣流。利用該等氣流促進從基板與阻斷構件間的氣體排出。又，因為基板與阻斷構件的旋轉方向相同，因而該等氣流不易相抵消。所以，能從基板與阻斷構件間有效率地排出氣體。
上述一實施形態中，上述杯亦可包括有環狀杯上端部，其係在上述杯與上述阻斷構件之間形成包圍上述旋轉軸線的環狀間隙。上述杯上端部與上述阻斷構件間之最短距離亦可較小於從上述阻斷構件的上述內周面下端起至上述旋轉基座的上述外周面間之徑向距離。
根據此項構成，包圍旋轉軸線的環狀間隙係形成於杯上端部與阻斷構件之間。被抽吸於杯內的氣體會通過該環狀間隙流入於杯內部。杯上端部與阻斷構件間之最短距離，較小於從阻斷構件的內周面下端起至旋轉基座外周面間之徑向距離。所以，環狀間隙的流路面積小、對欲從杯上方流入環狀間隙中的氣體所施加阻力大。所以，含氧環境氣體不易流入杯內。
上述一實施形態中，上述杯上端部與上述阻斷構件間的上述環狀間隙，亦可包括有：環狀流入口、環狀流出口、及環狀流路；而，該環狀流入口係可流入被抽吸至上述杯內的氣體；該環狀流出口係將流入上述環狀流入口的氣體排出至上述杯的內部；該環狀流路係從上述環狀流入口朝上述環狀流出口延伸。
上述環狀流路亦可從上述環狀流出口朝上方延伸。具體而言，環狀流路亦可從環狀流出口朝鉛直上方延伸，亦可從環狀流出口朝內向或外向並朝上方延伸。此情況，流入環狀流入口的氣體會由環狀流路導引至下方，並被從環狀流出口朝下方吐出。由旋轉夾具所保持之基板係配置於較環狀流出口更靠內方。所以，相較於環狀流出口將氣體朝內向吐出的情況下，含氧環境氣體更難接近基板。
上述環狀流路亦可包括有截面L狀角隅部。此情況，
環狀流路係具有截面L狀角隅部並呈彎折。所以，相較於環狀流路呈直線狀的情況下，將增加對在環狀流路中流動氣體所施加的阻力。所以，含氧環境氣體不易通過杯與阻斷構件之間進入杯內部。故，含氧環境氣體不易接近基板。
上述一實施形態中，上述阻斷構件亦可包括有：圓板部、圓筒部、及環狀突出部；而，該圓板部係配置於由上述旋轉夾具所保持之基板的上方；該圓筒部係圍繞上述旋轉軸線而包圍由上述旋轉夾具所保持之基板；該環狀突出部係配置於較上述圓筒部的下端更靠外方。上述杯的上述杯上端部亦可依朝徑向隔開間隔並圍繞上述旋轉軸線而包圍上述圓筒部，且隔開間隔於上下方向與上述突出部呈對向的方式，配置於上述突出部的下方。
根據此項構成，杯上端部係隔開間隔於上下方向與阻斷構件的突出部呈對向。所以，朝徑向延伸的環狀流路上游部係形成於杯上端部與阻斷構件的突出部之間。又，杯上端部係隔開間隔朝徑向與阻斷構件的圓筒部呈對向。所以，朝上下方向延伸的環狀流路下游部係形成於杯上端部與阻斷構件的圓筒部之間。故，截面L狀角隅部係形成於環狀流路上游部與環狀流路下游部之間。藉此，可增加對在環狀流路內流動之氣體所施加的阻力。
上述一實施形態中，上述阻斷構件的上述內周面亦可包括有：從上述阻斷構件的上述對向面朝斜下延伸於外方的環狀內傾斜部。內傾斜部相對於旋轉軸線的傾斜角度係可連續式變化、亦可呈一定。即，內傾斜部的截面形狀係可為曲線狀、亦可為直線狀。
根據此項構成，從阻斷構件的對向面朝斜下延伸至外方的環狀內傾斜部，係設置於阻斷構件的內周面。基板與阻斷構件
間的環境氣體會通過基板上面與阻斷構件的對向面之間，並於阻斷構件的內周面與旋轉基座的外周面之間移動。當阻斷構件的內周面係從阻斷構件的對向面朝鉛直下方延伸的情況，在阻斷構件的內周面與阻斷構件的對向面之結合部(角部)較容易發生環境氣體滯留。另一方面，當阻斷構件的內周面與阻斷構件的對向面之結合部，係從對向面朝斜下延伸至外方的情況，易發生此種滯留。所以，可抑制或防止基板與阻斷構件間發生環境氣體滯留。
上述一實施形態中，上述阻斷構件的上述環狀內頃斜部與上述旋轉基座上面的外周端間之徑向距離，亦可達從由上述旋轉夾具所保持之基板上面起至上述阻斷構件的上述對向面間之鉛直方向距離以上。
根據此項構成，從阻斷構件的朝下吐出口所吐出之惰性氣體，會在阻斷構件的對向面與基板上面之間的空間中朝基板半徑方向擴散，再被從阻斷構件內周面的下端與旋轉基座外周面之間的環狀排出口，排出杯內部。假設惰性氣體擴散空間的高度在途中變狹窄，則該處的惰性氣體擴散會受抑制，導致有發生惰性氣體滯留的可能性。在此項構成中，因為環狀內傾斜部與旋轉基座外周面間之徑向距離，係達從基板上面起至阻斷構件對向面之鉛直方向距離以上，因而惰性氣體擴散空間的高度不會小於阻斷構件對向面與基板上面間之鉛直方向距離。所以，在惰性氣體從朝下吐出口吐出並從環狀排出口被排出為止的過程中，惰性氣體的擴散不會受阻礙，故可確實地抑制或防止基板與阻斷構件間的環境氣體滯留。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可更進一步包括有：下惰性氣體供應單元、及控制裝置；而，該下惰性氣體供
應單元係從在上述旋轉基座的上述上面呈開口的朝上吐出口，朝上方吐出惰性氣體；該控制裝置係在從上述阻斷構件的上述朝下吐出口吐出惰性氣體狀態下，從上述旋轉基座的上述朝向吐出口吐出惰性氣體的方式，控制著上述上惰性氣體供應單元及下惰性氣體供應單元。
根據此項構成，從旋轉基座的朝上吐出口朝上方吐出的惰性氣體，被供應給基板下面與旋轉基座上面之間。藉此，可降低基板下面所接觸環境氣體中的氧濃度。
因為阻斷構件的朝下吐出口會吐出惰性氣體，因而基板周圍的環境氣體不易進入基板上面與阻斷構件對向面之間。然而，亦可認為基板周圍的環境氣體會暫時性進入基板上面與阻斷構件對向面之間。例如可認為基板下面與旋轉基座上面之間的環境氣體，會在基板上面與阻斷構件對向面之間移動。
藉由在從阻斷構件的朝下吐出口吐出惰性氣體的狀態下，從旋轉基座的朝上吐出口吐出惰性氣體，而可抑制或防止含氧環境氣體移動至基板上面與阻斷構件對向面之間。藉此，可降低基板所接觸環境氣體中的氧濃度。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可更進一步包括有將基板放置於上述複數夾持銷上的搬送機器人。上述控制裝置亦可在從上述旋轉基座的上述朝上吐出口吐出惰性氣體狀態下，使基板放置於上述複數夾持銷上的方式，控制著上述搬送機器人及下惰性氣體供應系統單元。
根據此項構成，從旋轉基座的朝上吐出口吐出惰性氣體。在此狀態下，利用搬送機器人將基板放置於夾持銷上。在基板
接近夾持銷的期間，從旋轉基座的朝上吐出口吐出的惰性氣體會在基板與旋轉基座之間擴展，而排出含氧環境氣體。因為在基板與旋轉基座間之間隔狹窄情況下，使複數夾持銷配置於兩者間的空間周圍，所以基板與旋轉基座間的環境氣體不易被排出。所以，藉由預先排出含氧環境氣體，而可抑制或防止該環境氣體從基板與旋轉基座之間移動至基板與阻斷構件之間。
上述一實施形態中，上述杯亦可含有圍繞上述旋轉軸線而包圍上述阻斷構件的環狀杯上端部。
根據此項構成，杯上端部配置於阻斷構件的周圍。杯與阻斷構件形成將流入杯與阻斷構件間的氣體，從兩者間排出的環狀流出口。因為杯上端部配置於阻斷構件的周圍，因而杯上端部相較於配置在阻斷構件下方的情況，環狀流出口朝外方遠離基板。所以，被抽吸至杯內的氣體不易進入基板與阻斷構件間。又，因為杯上端部於以俯視下不與阻斷構件重疊，所以即便使杯或阻斷構件其中一者或雙方進行升降，杯上端部仍不會碰到阻斷構件。
上述一實施形態中，上述杯亦可含有配置於上述阻斷構件下方的環狀杯上端部。
根據此項構成，杯上端部係配置於阻斷構件的下方。杯與阻斷構件係形成將流入杯與阻斷構件間的氣體，從兩者間排出的環狀流出口。因為杯上端部配置於阻斷構件的下方，因而相較於杯上端部配置於阻斷構件周圍的情況下，環狀流出口朝下方遠離基板。所以，被抽吸於杯內的氣體不易進入基板與阻斷構件間。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可更進一步含有：搬送機器人與處理液供應單元；而，該搬送機器人係含有能
在上述旋轉基座的上方移動之手部，使用上述手部執行將基板放置於上述複數夾持銷上的搬入動作、與取出上述複數夾持銷上之基板的搬出動作；該處理液供應單元係在上述杯位於較上述旋轉基座上面更靠下方狀態下，從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口之上述朝下吐出口，朝下方吐出處理液。
習知基板處理裝置，因為從基板飛散於周圍的處理液將由杯內面承接，因而將杯上端部配置於較由旋轉夾具所保持之基板更靠上方處。另一方面，施行基板的搬入及搬出時，因為搬送機器人的手部配置於旋轉基座的上方，因而為避免當施行基板的搬入及搬出時發生手部與杯的碰撞，而將杯上端部配置於較旋轉基座上面更靠下方。所以，必需依使杯升降至杯上端部在較旋轉基座上面更靠上方位置、與較旋轉基座上面更靠下方位置間移動狀態。
相對於此，本發明一實施形態的基板處理裝置中，阻斷構件內周面係配置於由旋轉夾具所保持基板的周圍。從基板被排出於周圍的處理液，利用阻斷構件的內周面承接並被導引至下方。然後，處理液流下至朝上開口的杯內。所以，從阻斷構件的朝下吐出口吐出處理液時，杯上端部亦可配置於較基板更靠上方。所以，在施行基板搬入及搬出的前後，亦可未使杯升降。藉此，可縮短基板搬入及搬出所需時間。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可更進一步含有處理液供應單元，其係將從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口之上述朝下吐出口，朝下方吐出處理液，而該處理液係經脫氧且含有經添加惰性氣體的惰性氣體溶存水。
根據此項構成，因為降低對基板所供應處理液中含有
的氧量，所以可提高基板的處理品質。
上述一實施形態中，上述基板處理裝置亦可為對表面(裝置形成面)露出金屬圖案的基板施行處理之裝置。
根據此項構成，因為在降低基板所接觸環境氣體中之氧濃度狀態下施行基板的處理，所以可抑制或防止因與處理液中或環境氣體中的氧接觸而造成金屬圖案遭氧化。藉此，可提高基板的處理品質。
本發明的前述或其他目的、特徵及效果，經參照所附圖式並利用下述實施形態說明而可清楚明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧裝載埠口
3‧‧‧處理單元
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧腔室
6‧‧‧隔間壁
7‧‧‧FFU
8‧‧‧旋轉夾具
9‧‧‧夾持銷
9a‧‧‧把持部
9b‧‧‧支撐部
10‧‧‧旋轉基座
11‧‧‧旋轉馬達
12‧‧‧殼體
13‧‧‧蓋體
14‧‧‧下面噴嘴
14a‧‧‧噴嘴圓板部
14b‧‧‧噴嘴筒狀部
15‧‧‧下清洗液配管
16‧‧‧下清洗液閥
17‧‧‧朝上吐出口
18‧‧‧下氣體流路
19‧‧‧下氣體配管
20‧‧‧下氣體閥
21‧‧‧下氣體流量調整閥
22‧‧‧杯
23‧‧‧杯上端部
23a‧‧‧杯內周端
23b‧‧‧杯下端
24‧‧‧杯傾斜部
25‧‧‧杯筒狀部
26‧‧‧承接溝
27‧‧‧排氣口
28‧‧‧蓋體
29‧‧‧杯升降單元
30‧‧‧排氣風管
31‧‧‧阻斷構件
32‧‧‧圓板部
33‧‧‧圓筒部
34‧‧‧朝下吐出口
35‧‧‧對向面
36‧‧‧內周面
36a‧‧‧內傾斜部
37‧‧‧外周面
37a‧‧‧外傾斜部
37b‧‧‧外鉛直部
38‧‧‧支軸
39‧‧‧支撐臂
40‧‧‧阻斷構件旋轉單元
41‧‧‧阻斷構件升降單元
42‧‧‧環狀流入口
43‧‧‧環狀流路
44‧‧‧環狀流出口
45‧‧‧中心噴嘴
46‧‧‧第1管路
47‧‧‧第2管路
48‧‧‧套管
49‧‧‧上處理液配管
50‧‧‧上藥液配管
51‧‧‧上藥液閥
52‧‧‧上清洗液配管
53‧‧‧上清洗液閥
54‧‧‧上溶劑配管
55‧‧‧上溶劑閥
56‧‧‧上氣體流路
57‧‧‧上氣體配管
58‧‧‧上氣體閥
59‧‧‧上氣體流量調整閥
62‧‧‧層間絕緣膜
63‧‧‧下佈線溝
64‧‧‧銅佈線
65‧‧‧蝕刻終止膜
66‧‧‧低介電常數絕緣膜
67‧‧‧上佈線溝
68‧‧‧介層洞
231‧‧‧阻斷構件
236‧‧‧內周面
236a‧‧‧內傾斜部
236b‧‧‧內鉛直部
331‧‧‧阻斷構件
342‧‧‧環狀流入口
343‧‧‧環狀流路
343a‧‧‧上游部
343b‧‧‧角隅部
343c‧‧‧下游部
344‧‧‧環狀流出口
360‧‧‧突出部
361‧‧‧環狀段部
431‧‧‧阻斷構件
442‧‧‧環狀流入口
443‧‧‧環狀流路
444‧‧‧環狀流出口
522‧‧‧杯
523‧‧‧杯上端部
542‧‧‧環狀流入口
543‧‧‧環狀流路
543a‧‧‧上游部
543b‧‧‧角隅部
543c‧‧‧下游部
544‧‧‧環狀流出口
561‧‧‧環狀段部
561a‧‧‧朝上面
561b‧‧‧朝內面
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
CR‧‧‧中央機器人
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
D5‧‧‧距離
H1‧‧‧手部
H2‧‧‧手部
IR‧‧‧載入機器人
W‧‧‧基板
X1‧‧‧排列方向
圖1係本發明第1實施形態的基板處理裝置示意平面圖。
圖2係從水平方向觀看到上述基板處理裝置所設有腔室內部的示意圖。圖2係阻斷構件配置於上位置、杯配置於下位置的狀態。
圖3係上述腔室內所配置杯及阻斷構件的其中一部分放大圖。
圖3係阻斷構件配置於下位置、杯配置於上位置的狀態。
圖4係圖3其中一部分的放大圖。
圖5係利用處理單元所施行處理例的步驟圖。
圖6A係中央機器人將基板放置於旋轉夾具前的狀態圖。
圖6B係施行液處理步驟的狀態圖。
圖6C係施行乾燥步驟的狀態圖。
圖7係本發明第2實施形態的杯及阻斷構件其中一部分放大圖。圖7係阻斷構件配置於下位置、杯配置於上位置的狀態。
圖8係本發明第3實施形態的杯及阻斷構件其中一部分放大
圖。圖8係阻斷構件配置於下位置、杯配置於上位置的狀態。圖8中，更進一步放大杯及阻斷構件其中一部分。
圖9係本發明第4實施形態的杯及阻斷構件其中一部分放大圖。圖9係阻斷構件配置於下位置、杯配置於上位置的狀態。圖9中，更進一步放大杯及阻斷構件其中一部分。
圖10係本發明第5實施形態的杯及阻斷構件其中一部分放大圖。圖10係阻斷構件配置於下位置、杯配置於上位置的狀態。圖10中，更進一步放大杯及阻斷構件其中一部分。
圖1所示係本發明第1實施形態的基板處理裝置1示意平面圖。基板處理裝置1係針對半導體晶圓等圓板狀基板W每次處理一片的單片式裝置。
如圖1所示，基板處理裝置1係包括有：保持著複數載具C的複數裝載埠口2、及對基板W施行處理的複數(例如12台)處理單元3。基板處理裝置1係更進一步含有：在裝載埠口2與處理單元3間之路徑上搬送基板W的載入機器人IR、在載入機器人IR與處理單元3間之路徑上搬送基板W的中央機器人CR、以及控制基板處理裝置1的控制裝置4。
如圖1所示，當作收容器保持單元用的裝載埠口2係配置於水平方向遠離處理單元3的位置處。複數裝載埠口2係依複數載具C在水平排列方向X1排列的方式保持著複數載具C。載具C係可將複數片基板W依水平姿勢隔開間隔呈上下積層的方式，收容該複數片基板W的收容器。
如圖1所示，載入機器人IR係包括有俯視U狀的複
數(例如2個)手部H1。2個手部H1係配置於不同高度。各手部H1係依水平姿勢支撐著基板W。載入機器人IR係使手部H1在水平方向或鉛直方向中之至少其中一方向移動。又，載入機器人IR係藉由圍繞鉛直軸線進行旋轉(自轉)而變更手部H1的朝向。載入機器人IR係沿通過交接位置(圖1所示位置)的路徑在排列方向X1移動。交接位置係俯視形成載入機器人IR及中央機器人CR在排列方向X1的正交方向呈相對向位置。
載入機器人IR係藉由使手部H1在水平方向及鉛直方向中之至少其中一方向移動，而使手部H1與中央機器人CR或任意載具C呈對向。載入機器人IR係執行將基板W搬入載具C的搬入動作、以及從載具C搬出基板W的搬出動作。又，載入機器人IR係與中央機器人CR互動，在交接位置處執行使基板W從載入機器人IR及中央機器人CR其中一者，移動至另一者的交接動作。
如圖1所示，中央機器人CR係包括有俯視U狀的複數(例如2個)手部H2。2個手部H2係配置於不同高度。各手部H2係依水平姿勢支撐著基板W。中央機器人CR係使手部H2在水平方向或鉛直方向中之至少一方向移動。又，中央機器人CR係藉由圍繞鉛直軸線進行旋轉(自轉)，而變更手部H2的朝向。複數處理單元3係形成俯視配置呈包圍中央機器人CR狀態的4個塔。各塔係由上下積層的3台處理單元3構成。
中央機器人CR係藉由使手部H2在水平方向或鉛直方向中之至少一方向移動，而使手部H2相對向於載入機器人IR或任意處理單元3。而，中央機器人CR係執行將基板W搬入處理單元3的搬入動作、以及從處理單元3搬出基板W的搬出動作。又，
中央機器人CR係與載入機器人IR互動，在交接位置處執行使基板W從載入機器人IR及中央機器人CR其中一者，移動至另一者的交接動作。
如圖2所示，各處理單元3係使用處理液，針對複數片基板W每次處理一片的單片式單元。各處理單元3係包括有箱形腔室5、及旋轉夾具8。該箱形腔室5係具有內部空間；該旋轉夾具8係一邊在腔室5內依水平姿勢保持一片基板W，一邊使該基板W圍繞著通過基板W中央部的鉛直旋轉軸線A1進行旋轉。各處理單元3係更進一步包括有杯22及圓板狀阻斷構件31。該杯22係圍繞旋轉軸線A1包圍著旋轉夾具8；該圓板狀阻斷構件31係依水平姿勢配置於旋轉夾具8的上方。
如圖2所示，腔室5係包括有箱形隔間壁6與FFU7(風扇過濾單元7)。該箱形隔間壁6係收容著旋轉夾具8等；該FFU7(風扇過濾單元7)係當作送風單元，從隔間壁6的上部朝隔間壁6內送入潔淨空氣(經過濾器過濾的空氣)。FFU7係配置於隔間壁6的上方。FFU7係從隔間壁6的頂板朝下將潔淨空氣送入腔室5內。藉此，利用FFU7在腔室5內形成朝下方流動的降流(下降流)。基板W在腔室5內形成降流的狀態下施行處理。
如圖2所示，旋轉夾具8係包括有複數夾持銷9、及圓板狀旋轉基座10。該等複數夾持銷9係押抵於基板W的外周部；該圓板狀旋轉基座10係能與複數夾持銷9一起圍繞旋轉軸線A1進行旋轉。旋轉夾具8係更進一步包括有：旋轉馬達11、筒狀殼體12、及筒狀蓋體13。該旋轉馬達11係使旋轉基座10與夾持銷9圍繞旋轉軸線A1進行旋轉；該筒狀殼體12係包圍旋轉馬達11；
該筒狀蓋體13係包圍殼體12。雖未圖示，旋轉夾具8係更進一步包括有使複數夾持銷9開閉的夾具開閉機構。
如圖2所示，夾持銷9係從旋轉基座10的上面外周部突出於上方。夾持銷9係由旋轉基座10保持。複數夾持銷9係在圓周方向(圍繞旋轉軸線A1的方向)隔開間隔配置。旋轉基座10係包括有：平行於基板W下面的圓形上面、與配置於較上面更靠下方處的圓筒狀外周面。旋轉基座10的上面及外周面外徑係較大於基板W外徑。旋轉基座10上面及外周面的中心線係配置於旋轉軸線A1上。殼體12及旋轉馬達11係配置於旋轉基座10的下方。殼體12的外徑係較小於旋轉基座10的外徑。
如圖3所示，夾持銷9係包括有：押抵於基板W外周部的把持部9a、及支撐著基板W下面外周部的支撐部9b。夾持銷9係可在把持部9a押抵於基板W外周部的關閉位置(圖3所示位置)、與把持部9a離開基板W外周部的開啟位置之間，圍繞著鉛直銷轉動軸線相對於旋轉基座10進行轉動。複數把持部9a係藉由基板W外周部與各把持部9a相接觸，而在較旋轉基座10上面更靠上方位置(圖3所示位置)處，水平狀支撐著基板W。複數支撐部9b係藉由基板W下面外周部與各支撐部9b相接觸，而在較旋轉基座10上面更靠上方位置處，水平狀支撐著基板W。
在基板W被搬入腔室5時，中央機器人CR係在夾持銷9位於開啟位置狀態下，將基板W放置於複數支撐部9b上。又，在基板W被從腔室5中搬出時，中央機器人CR係在夾持銷9位於開啟位置狀態下，取出複數支撐部9b上的基板W。在基板W由複數支撐部9b支撐的狀態下，若夾持銷9從開啟位置移動至關閉位
置，則各把持部9a押抵於基板W的外周部。藉此，基板W由複數把持部9a保持。在此狀態下，若旋轉馬達11旋轉，則基板W與旋轉基座10及夾持銷9一起圍繞旋轉軸線A1進行旋轉。
如圖3所示，處理單元3係包括有：朝基板W下面中央部吐出處理液的下面噴嘴14、將清洗液引導至下面噴嘴14的下清洗液配管15、以及介設於下清洗液配管15的下清洗液閥16。
如圖3所示，下面噴嘴14係包括有：噴嘴圓板部14a及噴嘴筒狀部14b。該噴嘴圓板部14a係依水平姿勢配置於旋轉基座10上面中央部與基板W下面中央部間之高度處；該噴嘴筒狀部14b係從噴嘴圓板部14a朝下方延伸。下面噴嘴14的吐出口係在噴嘴圓板部14a的上面中央部呈開口。在基板W由旋轉夾具8保持狀態下，下面噴嘴14的吐出口朝上下方向與基板W的下面中央部呈對向。在此狀態下，若開啟下清洗液閥16，則從下面噴嘴14朝上方吐出的清洗液被供應給基板W的下面中央部。
供應給下面噴嘴14的清洗液係經脫氧且經添加氮氣的純水(去離子水：Deionized Water)。即，清洗液係經脫氧且經添加惰性氣體的惰性氣體溶存水。純水中的氧濃度係例如20ppb以下，純水中的氮濃度係例如7ppm~24ppm。供應給下面噴嘴14的清洗液亦可為未施行脫氧及氮氣添加的純水。又，供應給下面噴嘴14的清洗液並不僅侷限於純水，亦可為例如：IPA(異丙醇)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如1~100ppm左右)鹽酸水中之任一者。
如圖3所示，處理單元3係包括有：筒狀下氣體流路18、下氣體配管19、下氣體閥20、及下氣體流量調整閥21。該筒
狀下氣體流路18係由下面噴嘴14的外周面與旋轉基座10的內周面形成；該下氣體配管19係將來自惰性氣體供應源的惰性氣體導引至下氣體流路18；該下氣體閥20係介設於下氣體配管19；該下氣體流量調整閥21係使從下氣體配管19供應給下氣體流路18的惰性氣體流量增減。
如圖3所示，下氣體流路18係包括有在旋轉基座10的上面中央部呈開口之環狀朝上吐出口17。朝上吐出口17係配置於下面噴嘴14的噴嘴圓板部14a下方。若開啟下氣體閥20，則來自惰性氣體供應源的惰性氣體係依下氣體流量調整閥21開度的對應流量，從朝上吐出口17朝上方吐出。而，被從朝上吐出口17中吐出的惰性氣體會在基板W下面與旋轉基座10上面之間呈輻射狀擴展。藉此，基板W下面與旋轉基座10上面間的空間被惰性氣體充滿。從朝上吐出口17中吐出的惰性氣體係氮氣。惰性氣體並不僅侷限於氮氣，亦可為氦氣、氬氣等其他的惰性氣體。
如圖3所示，杯22係包括有：環狀杯上端部23、環狀杯傾斜部24、及杯筒狀部25。該環狀杯上端部23係具有較旋轉基座10外徑更大的內徑；該環狀杯傾斜部24係從杯上端部23朝斜下延伸於外方；該杯筒狀部25係從杯頃斜部24的外周部朝下方延伸。杯上端部23係包括有：環狀杯內周端23a及杯下端23b。該環狀杯內周端23a係形成直徑較大於旋轉基座10外徑的圓形開口；該杯下端23b係從杯傾斜部24內端朝下方延伸。杯內周端23a係屬於杯上端部23的最內方位置部分。
如圖2所示，杯22係包括有：環狀承接溝26、排氣口27、及蓋體28。該環狀承接溝26係收集通過杯22與旋轉夾具8
間的液體；該排氣口27係在承接溝26內面呈開口；該蓋體28係配置於排氣口27的上方。雖未圖示，杯22係更進一步包括有在承接溝26內面呈開口的排液口。承接溝26的內面係包括有；包圍旋轉夾具8的環狀底面、從底面的內周端朝上方延伸的內周面、以及從底面的外周端朝上方延伸的外周面。排氣口27及排液口係在承接溝26的底面呈開口。排氣口27及排液口係隔開間隔排列於圓周方向。杯上端部23係配置於承接溝26的上方。
如圖2所示，處理單元3係包括有使杯22在上位置與下位置之間進行升降的杯升降單元29。下位置(圖2所示位置)係杯上端部23位於較旋轉基座10上面更靠下方處的退縮位置。上位置(圖3所示位置)係較下位置更靠上方的處理位置。杯升降單元29係可使杯22位於上位置至下位置間的任意位置(高度)處。
如圖2所示，處理單元3係包括有排氣風管30，其係導引從杯22的排氣口27排出至處理單元3外部的排氣。雖未圖示，處理單元3係更進一步包括有阻尼器，其係調整從排氣口27排出至排氣風管30的排氣流量。排氣風管30內的排氣壓(負壓)係利用阻尼器調整。排氣風管30係連接於抽吸氣體的排氣處理設備。處理單元3內的氣體經常被排出至排氣處理設備。排氣處理設備係設置於基板處理裝置1所設置處的工廠。所以，處理單元3內的氣體通過杯22的排氣口27被排出至處理單元3外。
如圖3所示，阻斷構件31係較大於基板W外徑的圓板狀。阻斷構件31係包括有：依水平姿勢保持的圓板部32、以及從圓板部32外周部朝下方延伸的圓筒部33。阻斷構件31係包括有朝上凹陷的杯狀內面。阻斷構件31的內面係包括有對向面35與內
周面36。如圖2所示，阻斷構件31係利用沿旋轉軸線A1朝上下方向延伸的支軸38呈水平姿勢支撐著。阻斷構件31係配置於支軸38的下方。阻斷構件31的中心線(後述圓板部32的中心線)係配置於旋轉軸線A1上。支軸38係利用朝水平延伸的支撐臂39，由阻斷構件31的上方支撐。
如圖3所示，阻斷構件31的圓板部32係與圓筒部33同軸。圓板部32係配置於較圓筒部33下端更靠上方。圓板部32下面係配置於基板W的上方。圓板部32下面係相當於與基板W上面呈對向的對向面35。圓板部32的對向面35係平行於基板W的上面。圓板部32的對向面35係隔開間隔朝上下方向與基板W的上面呈對向。圓板部32係包括有在對向面35的中央部呈開口的朝下吐出口34。朝下吐出口34係配置於旋轉軸線A1上。
如圖3所示，阻斷構件31的圓筒部33係包括有從圓板部32的上面朝下方延伸的外周面37。外周面37係包括有：從圓板部32的上面朝斜下延伸於外方的環狀外傾斜部37a、以及從外傾斜部37a的下端(外端)延伸於鉛直下方的環狀外鉛直部37b。外傾斜部37a係具有相對於旋轉軸線A1依一定傾斜角傾斜的直線狀截面。外傾斜部37a的外徑係隨靠近外傾斜部37a的下端而逐漸增加。外傾斜部37a的下端係具有與外鉛直部37b外徑相等的外徑。外鉛直部37b的外徑係較大於旋轉基座10的外徑。
如圖3所示，阻斷構件31的圓筒部33係包括有從圓板部32的對向面35朝下方延伸的內周面36。內周面36係包括有從圓板部32的對向面35朝斜下延伸於外方的環狀內傾斜部36a。內傾斜部36a係具有相對於旋轉軸線A1的傾斜角呈連續性變化的
圓弧狀截面。內傾斜部36a的截面係呈朝下開啟狀態。內周面36的內徑係隨接近內周面36的下端而逐漸增加。內周面36的下端係具有較旋轉基座10外徑更大的內徑。內周面36的下端係配置於與圓筒部33的外周面37下端相等高度處。
如圖2所示，處理單元3係包括有使阻斷構件31圍繞阻斷構件31中心線(旋轉軸線A1)進行旋轉的阻斷構件旋轉單元40。雖未圖示，阻斷構件旋轉單元40係包括有馬達、以及將馬達的旋轉傳遞至阻斷構件31的傳遞機構。阻斷構件旋轉單元40係使阻斷構件31及支軸38相對於支撐臂39圍繞阻斷構件31中心線進行旋轉。阻斷構件31係可朝與旋轉夾具8旋轉方向(基板W的旋轉方向)相同方向旋轉。阻斷構件31的旋轉速度係利用控制裝置4控制。
如圖2所示，處理單元3係包括有阻斷構件升降單元41，其係藉由使支撐臂39朝鉛直方向升降，而使阻斷構件31及支軸38進行升降。阻斷構件升降單元41係使阻斷構件31在上位置與下位置之間朝鉛直方向升降。上位置(圖2所示位置)係從基板W上面至阻斷構件31對向面35之鉛直方向距離，較大於旋轉基座10厚度(旋轉基座10外周面的鉛直方向長度)之退縮位置。下位置(圖3所示位置)係從基板W上面至阻斷構件31對向面35之鉛直方向距離，較小於旋轉基座10厚度的近接位置。阻斷構件升降單元41係可使阻斷構件31位於上位置起至下位置間之任意位置(高度)處。
阻斷構件31的下位置係包括有：對基板W上面供應處理液的液處理位置(圖6B所示位置)、以及使基板W乾燥的乾燥位置(圖6C所示位置)。液處理位置及乾燥位置均係從基板W上面
起至阻斷構件31對向面35之鉛直方向距離，較小於旋轉基座10厚度的位置。液處理位置係位於阻斷構件31的對向面35隔開間隔而與基板W上液體呈對向的位置。液處理位置及乾燥位置係可為互等的位置、亦可為互異的位置。又，液處理位置亦可包括有：對基板W上面供應藥液的藥液供應位置、對基板W上面供應清洗液的清洗液供應位置、以及對基板W上面供應溶劑的溶劑供應位置。此情況，藥液供應位置、清洗液供應位置、及溶劑供應位置中之二以上亦可為相同位置(高度)。
如圖3所示，當阻斷構件31配置於下位置(液處理位置或乾燥位置)時，阻斷構件31內周面36的下端係配置於較旋轉基座10上面更靠下方，且位於與旋轉基座10外周面其中一部分相同高度處。杯22的上位置係杯內周端23a位於較阻斷構件31的圓筒部33下端更靠上方位置。當阻斷構件31配置於下位置、且杯22配置於上位置時，杯內周端23a被配置於較阻斷構件31的內周面36下端更靠上方，且位於與圓筒部33其中一部分相等高度處。此時，杯22上方的氣體會通過杯22與阻斷構件31之間並流入杯22內，再被排出至排氣風管30。
如圖4所示，當阻斷構件31位於下位置、且杯22配置於上位置時，杯上端部23係橫跨杯22全周而遠離阻斷構件31。此時，杯22及阻斷構件31係將被抽吸於杯22內的氣體流入之環狀流入口42、用以將流入至環狀流入口42的氣體排出至杯22內部的環狀流出口44、以及從環狀流入口42朝環狀流出口44延伸的環狀流路43，形成於杯22與阻斷構件31之間。環狀流入口42係配置於環狀流出口44的上方。環狀流路43係從環狀流出口44
朝上方延伸。所以，流入至環狀流入口42的氣體係利用環狀流路43導引至下方，並從環狀流出口44朝下方吐出。
如圖3所示，處理單元3係包括有經由阻斷構件31的朝下吐出口34而朝下方吐出處理液的中心噴嘴45。中心噴嘴45係沿阻斷構件31的中心線(旋轉軸線A1)朝上下方向延伸。中心噴嘴45的下端部係配置於較阻斷構件31的對向面35更靠上方處。中心噴嘴45係與阻斷構件31一起升降。另一方面，即便阻斷構件31圍繞旋轉軸線A1進行旋轉，但中心噴嘴45仍不會旋轉。
如圖3所示，中心噴嘴45包括有：沿旋轉軸線A1朝上下方向延伸的複數內管(第1管路46及第2管路47)、以及包圍複數內管的筒狀套管48。複數內管係包括有：朝基板W的上面中央部吐出藥液或清洗液的第1管路46、以及朝基板W的上面中央部吐出溶劑的第2管路47。套管48係沿旋轉軸線A1朝上下方向延伸。阻斷構件31的內周面係徑向隔開間隔並包圍著套管48的外周面。
如圖3所示，處理單元3係包括有：將處理液導引至第1管路46的上處理液配管49、將藥液導引至上處理液配管49的上藥液配管50、介設於上藥液配管50的上藥液閥51、將清洗液導引至上處理液配管49的上清洗液配管52、以及介設於上清洗液配管52中的上清洗液閥53。處理單元3係包括有：將溶劑導引至第2管路47的上溶劑配管54、以及介設於上溶劑配管54的上溶劑閥55。
若開啟上藥液閥51，則上藥液配管50內的藥液係經由上處理液配管49供應給第1管路46。同樣的，若開啟上清洗液
閥53，則上清洗液配管52內的清洗液係經由上處理液配管49供應給第1管路46。藉此，藥液或清洗液被從第1管路46的下端部朝下方吐出。又，若開啟上溶劑閥55，則上溶劑配管54內的溶劑被供應給第2管路47。藉此，溶劑被從第2管路47的下端部朝下方吐出。
供應給中心噴嘴45的溶劑(液體)係IPA。IPA係揮發性較高於水、表面張力較小於水的揮發性溶劑一例。供應給中心噴嘴45的溶劑並不僅侷限於IPA，亦可為HFE(氫氟醚)、或IPA與HFE的混合液等其他溶劑。
供應給中心噴嘴45的清洗液係經脫氧且添加氮氣的純水。即，清洗液係溶入屬於惰性氣體一例之氮氣的惰性氣體溶存水。相關純水中的氧濃度及氮濃度係與前述濃度同樣。供應給中心噴嘴45的清洗液亦可為未施行脫氧及氮氣添加的純水。又，供應給中心噴嘴45的清洗液並不僅侷限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如1~100ppm左右)的鹽酸水中之任一者。
供應給中心噴嘴45的藥液係含有例如：硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧四甲銨等)、界面活性劑、防腐劑中之至少一者的液體。第1實施形態中，藥液槽中所儲存的藥液原液、與經脫氧且添加惰性氣體的惰性氣體溶存水，會利用從藥液槽將液體導引至處理單元3的配管或閥進行混合之混合液，被供應給中心噴嘴45以作為藥液。
雖未圖示，基板處理裝置1係包括有：原液槽、原液
配管、惰性氣體溶存水配管、混合閥(混合單元)、混合液配管。該原液槽係儲存著供應給基板W的藥液原液；該原液配管係導引從原液槽送出的藥液原液；該惰性氣體溶存水配管係導引來自惰性氣體溶存水供應源的惰性氣體溶存水；該混合閥(混合單元)係藉由將由藥液原液配管供應的藥液原液、與由惰性氣體溶存水配管供應的惰性氣體溶存水，予以混合而生成藥液；該混合液配管係將利用混合閥生成的藥液導引至上藥液配管50。
藥液原液係例如氫氟酸(hydrofluoric acid)。惰性氣體溶存水係例如經脫氧且添加氮氣的純水。相關純水中的氧濃度及氮濃度係與前述濃度同樣。當藥液原液係氫氟酸、惰性氣體溶存水係純水的情況，藥液係氫氟酸經利用純水依既定比例(例如氫氟酸：純水=1：10~1000以上)稀釋的稀氫氟酸(DHF)。稀氫氟酸係除去高分子殘渣的高分子除去液一例。藥液原液係除氫氟酸之外，尚亦可為含有氫氟酸、氯化氫、及氟化銨中之一者以上的液體。
如圖3所示，處理單元3係包括有：筒狀上氣體流路56、上氣體配管57、上氣體閥58、及上氣體流量調整閥59。該筒狀上氣體流路56係由中心噴嘴45的外周面(套管48的外周面)與阻斷構件31的內周面形成；該上氣體配管57係將來自惰性氣體供應源的惰性氣體導引至上氣體流路56；該上氣體閥58係介設於上氣體配管57；該上氣體流量調整閥59係使從上氣體配管57供應給上氣體流路56的惰性氣體流量增減。
如圖3所示，上氣體流路56係配置於在阻斷構件31的對向面35呈開口的朝下吐出口34上方。若開啟上氣體閥58，則來自惰性氣體供應源的惰性氣體會依上氣體流量調整閥59開度的
對應流量供應給上氣體流路56。供應給上氣體流路56的惰性氣體會通過中心噴嘴45的外周面與阻斷構件31的內周面之間，再被從阻斷構件31的朝下吐出口34朝下方吐出。在阻斷構件31配置於下位置的狀態下，若開啟上氣體閥58，則從阻斷構件31的朝下吐出口34吐出之惰性氣體，會在基板W與阻斷構件31之間朝外向(遠離旋轉軸線A1的方向)擴展。藉此，基板W與阻斷構件31間的空間便被惰性氣體充滿。從阻斷構件31的朝下吐出口34吐出之惰性氣體係氮氣。惰性氣體並不僅侷限於氮氣，亦可為氦氣、氬氣等其他惰性氣體。
圖4所示係阻斷構件31位於下位置、且杯22配置於上位置的狀態。「距離D1」係指當阻斷構件31配置於下位置時，從基板W的上面至阻斷構件31的對向面35間之鉛直方向距離。「距離D2」係指當阻斷構件31配置於下位置時，從阻斷構件31的內周面36下端至旋轉基座10的外周面間之徑向距離。「距離D3」係指當阻斷構件31配置於下位置時，從旋轉基座10的上面外周端至阻斷構件31的內周面36間之徑向距離。「距離D4」係指從旋轉基座10的上面至基板W的下面間之鉛直方向距離。距離D4係不管阻斷構件31的位置均呈一定。「距離D5」係指當阻斷構件31配置於下位置、且杯22配置於上位置時，從杯內周端23a至阻斷構件31間之徑向距離。距離D5係相當於杯上端部23與阻斷構件31間的最短距離。
距離D1係在距離D2以下。距離D3較小於距離D2。距離D5較小於距離D2。距離D5較小於距離D4。阻斷構件31配置於乾燥位置(圖6C所示位置)時的距離D1，係較小於阻斷構件31
配置於液處理位置(圖6B所示位置)時的距離D1。阻斷構件31配置於乾燥位置時的距離D1，係較小於距離D4。阻斷構件31配置於乾燥位置時，距離D1較小於距離D3。阻斷構件31配置於液處理位置時，距離D1係在距離D3以下。
阻斷構件31配置於液處理位置時，距離D1係例如10mm，距離D2係例如12mm。
阻斷構件31配置於乾燥位置時，距離D1係例如2mm，距離D2係例如12mm。此時，距離D3係例如6mm。
距離D4係例如10mm。距離D5係例如4mm。
以下，參照圖2，針對由處理單元3施行基板W處理時的處理例進行說明。圖5所示係利用處理單元3施行處理例的步驟圖。圖6A~圖6C所示係施行圖5所示處理例時，處理單元3的狀態圖。相關圖5與圖6均適當參照。
處理對象基板W係例如表面附著高分子殘渣(經乾式蝕刻、灰化加工後的殘渣)，且表面露出金屬圖案的半導體晶圓(參照圖3)。圖3中，元件符號62係表示層間絕緣膜，元件符號63係表示下佈線溝，元件符號64係表示銅佈線，元件符號65係表示蝕刻終止膜，元件符號66係表示低介電常數絕緣膜，元件符號67係表示上佈線溝，元件符號68係表示介層洞。銅佈線64係金屬佈線及金屬圖案一例。處理對象基板W並不僅侷限於此種半導體晶圓，亦可為表面未露出金屬圖案者。
如圖5所示，當由處理單元3處理基板W時，施行
將基板W搬入處理單元3中的搬入步驟(步驟S1)。
具體而言，如圖6A所示，控制裝置4係在阻斷構件
31退避至上位置、且杯22退避至下位置的狀態下，使保持著基板W的中央機器人CR之手部H2進入腔室5內。控制裝置4係在基板W被放置於複數夾持銷9上之前開啟下氣體閥20，開始朝旋轉基座10的朝上吐出口17吐出氮氣。所以，控制裝置4係在從旋轉基座10的朝上吐出口17吐出氮氣的狀態下，將基板W放置於複數夾持銷9上的方式，控制著中央機器人CR。然後，控制裝置4使中央機器人CR的手部H2從腔室5內退避。
其次，如圖5所示，施行藉由將惰性氣體一例的氮氣供應給基板W與阻斷構件31間，而從基板W與阻斷構件31之間排出含氧環境氣體的迫淨步驟(步驟S2)。
具體而言，控制裝置4係在基板W放置於複數夾持銷9上之後，由複數夾持銷9把持著基板W。然後，控制裝置4係使基板W依液處理速度(例如300rpm)旋轉的方式，利用旋轉馬達11使基板W開始旋轉。控制裝置4係依阻斷構件31從上位置移動至下位置(液處理位置)的方式，控制阻斷構件升降單元41。又，控制裝置4係依阻斷構件31朝與基板W相同方向且相同速度旋轉的方式，利用阻斷構件旋轉單元40使阻斷構件31開始旋轉。又，控制裝置4係依杯22從下位置移動至上位置的方式，控制著杯升降單元29。控制裝置4係在此狀態下開啟上氣體閥58，開始朝阻斷構件31的朝下吐出口34吐出氮氣。藉此，含氧環境氣體被從基板W與阻斷構件31之間排出，而基板W與阻斷構件31間的空間被氮氣充滿。
從朝下吐出口34的氮氣吐出係至少持續至乾燥步驟(圖5的步驟S6)結束為止。同樣的，從朝上吐出口17的氮氣吐出
係至少持續至乾燥步驟結束為止。從朝下吐出口34的氮氣吐出流量係配合基板W與阻斷構件31間的空間體積再行設定。從朝上吐出口17的氮氣吐出流量係配合基板W與旋轉基座10間之空間體積再行設定。從朝下吐出口34的氮氣吐出流量係可等於從朝上吐出口17的氮氣吐出流量，亦可較大或較小。從朝下吐出口34的氮氣吐出流量係例如50~100(L/min)。從朝上吐出口17的氮氣吐出流量係例如100(L/min)以下的正值。
其次，如圖5所示，施行將藥液一例的稀氫氟酸供應給基板W上面的藥液供應步驟(步驟S3)。
具體而言，控制裝置4係在阻斷構件31位於下位置(液處理位置)、且杯22位於上位置的狀態下，開啟下清洗液閥16，開始朝下面噴嘴14吐出純水。然後，如圖6B所示，控制裝置4開啟上藥液閥51，開始朝中心噴嘴45吐出藥液。藉此，在由從下面噴嘴14所吐出純水覆蓋著基板W下面之狀態下，將由中心噴嘴45吐出的稀氫氟酸供應給旋轉中的基板W上面中央部。供應給基板W上面的稀氫氟酸係利用基板W旋轉而產生的離心力，沿基板W上面朝外方流動。藉此，形成覆蓋著基板W上面全域的稀氫氟酸液膜。從開啟上藥液閥51起若經既定時間，則控制裝置4係關閉上藥液閥51，而結束朝中心噴嘴45吐出稀氫氟酸。
其次，如圖5所示，施行將清洗液一例的純水供應給基板W的清洗液供應步驟(步驟S4)。
具體而言，控制裝置4係在阻斷構件31位於下位置(液處理位置)、且杯22位於上位置的狀態下，開啟上清洗液閥53，開始朝中心噴嘴45吐出純水。藉此，在由下面噴嘴14所吐出純水
覆蓋著基板W下面的狀態下，將由中心噴嘴45吐出的純水供應給旋轉中的基板W上面中央部。供應給基板W上面的純水，利用基板W旋轉而產生的離心力，沿基板W上面朝外方流動。所以，基板W上的稀氫氟酸被置換為純水，形成覆蓋基板W上面全域的純水液膜。從開啟上清洗液閥53起若經既定時間，則控制裝置4係關閉上清洗液閥53，結束朝中心噴嘴45吐出純水。又，控制裝置4關閉下清洗液閥16，結束朝下面噴嘴14吐出純水。
其次，如圖5所示，施行供應揮發性溶劑一例之IPA的溶劑供應步驟(步驟S5)。
具體而言，控制裝置4係在阻斷構件31位於下位置(液處理位置)、且杯22位於上位置的狀態下，開啟上溶劑閥55，開始朝中心噴嘴45吐出IPA。藉此，從中心噴嘴45吐出的IPA被供應給旋轉中的基板W上面中央部。供應給基板W上面的IPA係利用基板W旋轉而產生的離心力，沿基板W上面朝外方流動。所以，基板W上的純水被置換為IPA，形成覆蓋基板W上面全域的IPA液膜。從開啟上溶劑閥55起若經既定時間，則控制裝置4係關閉上溶劑閥55，結束朝中心噴嘴45吐出IPA。
其次，如圖5所示，施行利用基板W的高速旋轉使基板W乾燥的乾燥步驟(步驟S6)。
具體而言，如圖6C所示，控制裝置4在杯22位於上位置的狀態下，依阻斷構件31從下位置(液處理位置)下降至下位置(乾燥位置)的方式，控制阻斷構件升降單元41。然後，控制裝置4依使基板W的旋轉速度增加至較液處理速度更大的乾燥速度(例如1500rpm)，並使基板W依乾燥速度旋轉的方式，控制旋轉馬達
11。藉此，對基板W所附著之液體施加較大離心力，液體便從基板W朝周圍甩乾。所以，液體被從基板W上除去，而乾燥基板W。從基板W開始高速旋轉起若經既定時間，則控制裝置4停止由旋轉馬達11進行的基板W旋轉。又，控制裝置4停止由阻斷構件旋轉單元40進行的阻斷構件31旋轉。
其次，如圖5所示，施行從處理單元3搬出基板W的搬出步驟(步驟S7)。
具體而言，控制裝置4解除複數夾持銷9的基板W把持。又，控制裝置4係依阻斷構件31從下位置(乾燥位置)移動至上位置的方式，控制阻斷構件升降單元41。控制裝置4更進一步依杯22從上位置移動至下位置的方式，控制杯升降單元29。控制裝置4依此狀態，使中央機器人CR的手部H2進入腔室5內。然後，控制裝置4使中央機器人CR的手部H2保持著複數夾持銷9上的基板W。然後，控制裝置4使中央機器人CR的手部H2從腔室5內退避。藉此，處理完畢之基板W被從腔室5中搬出。
依如上述，第1實施形態中，基板W被配置於旋轉基座10的上方。阻斷構件31的對向面35係配置於基板W的上方。阻斷構件31的內周面36配置於基板W的周圍。在此狀態下，惰性氣體被從在阻斷構件31的對向面35呈開口的朝下吐出口34朝下方吐出。從阻斷構件31的朝下吐出口34所吐出之惰性氣體，係在基板W上面與阻斷構件31對向面35之間的空間擴展，再被從阻斷構件31的內周面36下端與旋轉基座10的外周面之間排出。藉此，因為基板W與阻斷構件31之間充滿惰性氣體，因而降低基板W上面及外周面所接觸環境氣體中的氧濃度。
阻斷構件31的內周面36下端係隔開間隔於徑向與旋轉基座10的外周面呈對向。由阻斷構件31的內周面36下端與旋轉基座10的外周面，係形成用以將基板W與阻斷構件31間之環境氣體予以排出的環狀排出口。若從阻斷構件31的內周面36下端起至旋轉基座10的外周面間之徑向距離D2偏小，則排出口的開口面積較小，因而會妨礙環境氣體排出，導致有環境氣體滯留於基板W與阻斷構件31間的可能性。若發生環境氣體滯留，則會有基板W與阻斷構件31間其中一部分區域的氧濃度無法充分降低之情況。
從阻斷構件31的內周面36下端起至旋轉基座10的外周面間之徑向距離D2，係達從由旋轉夾具8所保持之基板W上面起至阻斷構件31之對向面35間的鉛直方向距離D1以上。所以，相較於徑向距離D2小於鉛直方向距離D1的情況下，比較能增加排出口的開口面積。藉此，可提高環境氣體的排出效率，所以能抑制或防止基板W與阻斷構件31間發生環境氣體滯留。
再者，從朝下吐出口34吐出的惰性氣體係在阻斷構件31的對向面35與基板W上面間之空間朝基板W半徑方向擴散，再被從阻斷構件31的內周面36下端與旋轉基座10外周面間的環狀排出口，排出至杯22內部。假設若惰性氣體擴散的空間高度在途中變狹窄，則惰性氣體的擴散會在該處受到阻礙，導致有發生惰性氣體滯留的可能性。本實施形態中，因為當阻斷構件31位於下位置(乾燥位置)時，距離D1設定在距離D3以下，且距離D3較小於距離D2(參照圖4及圖6C)，所以惰性氣體擴散空間的高度不會小於阻斷構件31的對向面35與基板W上面間之鉛直方向距離。故，惰性氣體被從朝下吐出口34吐出起直到被從環狀排出口排出
為止的過程中，均不會阻礙惰性氣體的擴散。所以，可確實地抑制或防止基板W與阻斷構件31間的環境氣體滯留情形。
再者，使基板W與阻斷構件31間的氣體吸附靠近杯22。杯22係包圍著旋轉基座10。阻斷構件31的內周面36下端係配置於旋轉基座10的周圍。所以，阻斷構件31的內周面36下端配置於杯22的內部或杯22的開口附近。阻斷構件31的內周面36下端係與旋轉基座10的外周面一起形成用以將基板W與阻斷構件31間之環境氣體予以排出的環狀排出口。故，排出口係配置於杯22的內部或杯22的開口附近。所以，將氣體吸入杯22內的抽吸力能有效率地傳遞給基板W與阻斷構件31間的空間。藉此，促進從基板W與阻斷構件31間的氣體排出，抑制發生滯留情形。
第1實施形態中，阻斷構件旋轉單元40係使阻斷構件31朝與基板W相同方向圍繞旋轉軸線A1進行旋轉。若阻斷構件旋轉單元40使阻斷構件31旋轉，則在基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間形成朝外方的氣流。同樣的，若旋轉夾具8使基板W旋轉，則在基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間形成朝外方的氣流。藉由該等氣流而促進從基板W與阻斷構件31間的氣體排出。又，因為基板W與阻斷構件31的旋轉方向相同，因而該等氣流不易抵消。所以，可從基板W與阻斷構件31之間有效率地排出氣體。
第1實施形態中，包圍旋轉軸線A1的環狀間隙(環狀流入口42、環狀流路43及環狀出口44)，係形成於杯上端部23與阻斷構件31之間。被抽吸於杯22內的氣體係通過該環狀間隙流入杯22的內部。杯上端部23與阻斷構件31間的距離D5係較小於阻
斷構件31的內周面36下端起至旋轉基座10外周面間之徑向距離D2。所以，環狀間隙的流路面積較小，對欲從杯22的上方流入環狀間隙中的氣體所施加阻力較大，因而含氧環境氣體不易流入杯22內。
第1實施形態中，在杯上端部23與阻斷構件31間所形成的環狀流路43，係從環狀流出口44朝上方延伸。所以，從杯22的上方流入環狀流入口42的氣體，利用環狀流路43被朝下方導引，再被從環狀流出口44朝下方吐出。旋轉夾具8所保持的基板W係配置於較環狀流出口44更靠內方。所以，相較於由環狀流出口44朝內向吐出氣體的情況下，可使含氧環境氣體更不易接近基板W。
第1實施形態中，從阻斷構件31的對向面35朝斜下延伸於外方的環狀內頃斜部36a，係設置於阻斷構件31的內周面36。內頃斜部36a係具有曲線狀截面。基板W與阻斷構件31間的環境氣體係通過基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間，並移動至阻斷構件31的內周面36與旋轉基座10的外周面之間。當阻斷構件31的內周面36係從阻斷構件31的對向面35朝鉛直下方延伸的情況，在阻斷構件31的內周面36與阻斷構件31的對向面35之結合部(角部)容易發生環境氣體滯留。另一方面，當阻斷構件31的內周面36與阻斷構件31的對向面35之結合部，係從對向面35朝斜下延伸於外方的情況下，比較不易發生此種滯留情形。所以，可抑制或防止基板W與阻斷構件31間發生環境氣體滯留。
第1實施形態中，因為阻斷構件31的朝下吐出口34係吐出惰性氣體，因而基板W周圍的環境氣體不易進入基板W上
面與阻斷構件31的對向面35之間。然而，亦可認為基板W周圍的環境氣體會暫時性進入基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間。例如可認為基板W下面與旋轉基座10上面間的環境氣體，會移動至基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間。
在從阻斷構件31的朝下吐出口34吐出惰性氣體狀態下，藉由從旋轉基座10的朝上吐出口17吐出惰性氣體，而可抑制或防止含氧環境氣體移動至基板W上面與阻斷構件31的對向面35之間。藉此，可降低基板W所接觸環境氣體中的氧濃度。
第1實施形態中，從旋轉基座10的朝上吐出口17中吐出惰性氣體。在此狀態下，基板W利用中央機器人CR被放置於夾持銷9上。在基板W接近夾持銷9的期間，從旋轉基座10的朝上吐出口17所吐出惰性氣體，係在基板W與旋轉基座10之間擴展，而排出含氧環境氣體。因為在基板W與旋轉基座10間之間隔狹窄前提下，複數夾持銷9配置於兩者間的空間周圍，因而基板W與旋轉基座10間的環境氣體不易被排出。所以，藉由預先排出含氧環境氣體，而可抑制或防止該環境氣體從基板W與旋轉基座10之間，移動至基板W與阻斷構件31之間。
第1實施形態中，杯上端部23係配置於阻斷構件31的周圍。杯22及阻斷構件31係形成用以將流入杯22與阻斷構件31間的氣體，從兩者間排出的環狀流出口44。因為杯上端部23配置於阻斷構件31的周圍，因而相較於杯上端部23配置於阻斷構件31下方的情況下，環狀流出口44更朝外方遠離基板W。所以，被抽吸至杯22內的氣體不易進入基板W與阻斷構件31之間。又，因為杯上端部23俯視並未重疊於阻斷構件31，因而即便使杯22
與阻斷構件31中之一者或兩者升降，杯上端部23仍不會碰抵阻斷構件31。
其次，針對本發明第2實施形態進行說明。以下的圖7中，相關與前述圖1~圖6所示各部位同等的構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略說明。
第1實施形態的阻斷構件與第2實施形態的阻斷構件之主要差異處在於：阻斷構件的內周面形狀互異。
如圖7所示，第2實施形態的阻斷構件231之內周面236係包括有：從圓板部32對向面35朝斜下延伸於外方的環狀內傾斜部236a、以及從內傾斜部236a下端(外端)朝鉛直下方延伸的環狀內鉛直部236b。內傾斜部236a係具有相對於旋轉軸線A1依一定傾斜角斜向傾斜的直線狀截面。內傾斜部236a的內徑係隨接近內傾斜部236a的下端逐漸增加。內傾斜部236a的下端係具有與內鉛直部236b內徑相同的內徑。內鉛直部236b的內徑係較大於旋轉基座10的外徑。
如上所述，第2實施形態中，從阻斷構件231的對向面35朝斜下延伸於外方的環狀內傾斜部236a，係設置於阻斷構件231的內周面236。內傾斜部236a係具有直線狀截面。因為阻斷構件231的內周面236與阻斷構件231的對向面35之結合部(角部)，係從對向面35朝斜下延伸於外方，因而在阻斷構件231的角部處不易發生環境氣體滯留。所以，能抑制或防止在基板W與阻斷構件231間發生環境氣體滯留。
其次，針對本發明第3實施形態進行說明。以下的圖8中，相關前述圖1~圖7所示各部位同等的構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略說明。
第1實施形態的阻斷構件與第3實施形態的阻斷構件之主要差異處在於：第3實施形態的阻斷構件係設有俯視重疊於杯的環狀突出部。
如圖8所示，第3實施形態的阻斷構件331係除圓板部32及圓筒部33之外，尚包括有配置於較圓筒部33下端更靠外方的環狀突出部360。突出部360係配置於較圓筒部33下端更靠上方。突出部360的外徑較大於杯上端部23的內徑。突出部360係位於杯上端部23的上方。若從上方觀看杯22及阻斷構件331，突出部360係重疊於杯22。阻斷構件331係包括有由突出部360下面與圓筒部33外周面37(外鉛直部37b)形成的截面L狀環狀段部361。
如圖8所示，當阻斷構件331配置於下位置、且杯22配置於上位置時，杯上端部23係在徑向隔開間隔包圍阻斷構件331的圓筒部33，且隔開間隔朝上下方向與阻斷構件331的突出部360呈對向。此時，杯22及阻斷構件331係在杯22與阻斷構件331之間形成：被抽吸至杯22內的氣體流入之環狀流入口342、將流入環狀流入口342的氣體排出至杯22內部的環狀流出口344、以及從環狀流入口342延伸於環狀流出口344的環狀流路343。
如圖8所示，環狀流入口342係配置於杯22的上方。環狀流入口342係配置於較環狀流出口344更靠外方。環狀流路343
係包括有：從環狀流入口342朝內方延伸的環狀上游部343a、從環狀流出口344朝上方延伸的環狀下游部343c、以及連接上游部343a與下游部343c的截面L狀角隅部343b。從環狀流入口342流入環狀流路343上游部343a的氣體，係利用環狀流路343的角隅部343b轉換方向，並利用環狀流路343的下游部343c導引至下方。藉此，流入環狀流入口342的氣體係從環狀流出口344朝下方吐出。
如上述，第3實施形態中，當阻斷構件331配置於下位置、且杯22配置於上位置時，杯上端部23係隔開間隔朝上下方向與阻斷構件331的突出部360呈對向。所以，朝徑向延伸的環狀流路343上游部343a係形成於杯上端部23與阻斷構件331的突出部360之間。又，此時，杯上端部23係隔開間隔於徑向與阻斷構件331的圓筒部33呈對向。所以，朝上下方向延伸的環狀流路343下游部343c係形成於杯上端部23與阻斷構件331的圓筒部33之間。故，截面L狀角隅部343b係形成於上游部343a與下游部343c之間。
依此，當阻斷構件331配置於下位置、且杯22配置於上位置時，在杯上端部23與阻斷構件331之間形成的環狀流路343係具有截面L狀角隅部343b且呈彎折。所以，相較於環狀流路343呈直線狀的情況下，比較能增加對在環狀流路343中流動氣體施加的阻力。所以，含氧環境氣體不易通過杯22與阻斷構件331之間進入杯22內部。故，含氧環境氣體不易接近基板W。藉此，可降低基板W所接觸環境氣體中的氧濃度。
其次，針對本發明第4實施形態進行說明。以下的圖9中，相關前述圖1~圖8所示各部位同等的構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略說明。
第1實施形態的阻斷構件與第4實施形態的阻斷構件之主要差異處在於：杯上端部配置於阻斷構件的下方。
如圖9所示，第4實施形態的阻斷構件431之圓筒部33係配置於杯上端部23的上方。若從上方觀看杯22及阻斷構件431，則阻斷構件431的圓筒部33重疊於杯上端部23。當阻斷構件431配置於下位置、且杯22配置於上位置時，阻斷構件431的圓筒部33與杯上端部23係隔開間隔朝上下方向呈對向。杯22的上位置係杯上端部23位於較旋轉基座10的上面更靠下方的位置。杯22的上位置亦可與杯22的下位置為相同位置。
如圖9所示，當阻斷構件431配置於下位置、且杯22配置於上位置時，杯上端部23係隔開間隔朝上下方向與阻斷構件431的圓筒部33呈對向。此時，杯22及阻斷構件431係在杯22與阻斷構件431之間形成有：被抽吸至杯22內的氣體流入之環狀流入口442、將流入環狀流入口442中的氣體排出至杯22內部的環狀流出口444、以及從環狀流入口442朝環狀流出口444延伸的環狀流路443。環狀流入口442係配置於環狀流出口444的周圍。流入環狀流入口442的氣體係利用環狀流路443導引至內方，並被從環狀流出口444中朝內方吐出。
如上述，第4實施形態中，杯上端部23配置於阻斷構件431的下方。杯22及阻斷構件431係形成用以將流入杯22與阻斷構件431間的氣體，從兩者間排出之環狀流出口444。因為杯
上端部23配置於阻斷構件431的下方，因而相較於杯上端部23配置於阻斷構件431周圍的情況下，環狀流出口444比較朝下方更遠離基板W。所以，被抽吸至杯22內的氣體不易進入基板W與阻斷構件431之間。
習知基板處理裝置，因為從基板飛散於周圍的處理液係由杯內面承接，因而將杯上端部配置於較由旋轉夾具所保持之基板更靠上方。另一方面，施行基板的搬入及搬出時，因為中央機器人的手部配置於旋轉基座的上方，因而當施行基板的搬入及搬出時，為能避免手部與杯相碰撞，而將杯上端部配置於較旋轉基座上面更靠下方。所以，必需依杯上端部位於較旋轉基座上面更靠上方位置與較旋轉基座上面更靠下方位置移動的方式，使杯進行升降。
相對於此，第4實施形態中，阻斷構件431的內周面36係被置於由旋轉夾具8所保持之基板W的周圍。從基板W排出至周圍的處理液係利用阻斷構件431的內周面36承接並被朝下方導引。然後，處理液朝上開口的杯22內流下。所以，當對基板W的上面供應處理液時，亦可將杯上端部23配置於較基板W更靠上方。故，亦可在施行基板W搬入及搬出的前後，不使杯22升降。藉此，可縮短基板W搬入及搬出所需要的時間。又，若不需要杯22升降，則亦可省略杯升降單元29(參照圖2)。
其次，針對本發明第5實施形態進行說明。以下的圖10中，相關前述圖1~圖9所示各部位同等的構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略說明。
第4實施形態的阻斷構件與第5實施形態的阻斷構件之主要差異處在於：截面L狀環狀段部係設置於杯上端部。
如圖10所示，第5實施形態的杯上端部523係除杯內周端23a及杯下端23b之外，尚包括有截面L狀環狀段部561。環狀段部561係包括有：配置於較杯內周端23a更靠上方的環狀朝上面561a、及從朝上面561a的外周端朝上方延伸的環狀朝內面561b。朝內面561b的內徑較大於阻斷構件31的外徑。
如圖10所示，當阻斷構件31配置於下位置、且杯522配置於上位置時，杯522的朝內面561b係隔開間隔於徑向與阻斷構件31呈對向，杯522的朝上面561a係隔開間隔朝上下方向與阻斷構件31的圓筒部33呈對向。此時，杯522及阻斷構件31係在杯522與阻斷構件31之間形成有：被抽吸至杯522內的氣體流入之環狀流入口542、將流入環狀流入口542的氣體排出至杯522內部的環狀流出口544、以及從環狀流入口542朝環狀流出口544延伸的環狀流路543。
如圖10所示，環狀流入口542係配置於杯522的上方。環狀流入口542係配置於較環狀流出口544更靠外方。環狀流路543係包括有：從環狀流入口542朝下方延伸的環狀上游部543a、從環狀流出口544朝外方延伸的環狀下游部543c、以及連接上游部543a與下游部543c的截面L狀角隅部543b。從環狀流入口542流入環狀流路543上游部543a的氣體，係利用環狀流路543的角隅部543b轉換方向，並利用環狀流路543的下游部543c導引至內方。藉此，流入環狀流入口542的氣體從環狀流出口544中朝內向吐出。
如上述，第5實施形態中，當阻斷構件31配置於下位置、且杯522配置於上位置時，杯522的朝內面561b係隔開間隔於徑向與阻斷構件31呈對向。所以，朝上下方向延伸的環狀流路543上游部543a係形成於杯上端部523與阻斷構件31的圓筒部33之間。又，此時，杯522的朝上面561a係隔開間隔朝上下方向與阻斷構件31的圓筒部33呈對向。所以，朝內方延伸的環狀流路543下游部543c係形成於杯上端部523與阻斷構件31的圓筒部33之間。故，截面L狀角隅部543b形成於上游部543a與下游部543c之間。藉此，因為對在環狀流路543內流動的氣體所施加阻力增加，故能抑制或防止含氧環境氣體接近基板W。
上述係本發明第1~第5實施形態的說明，惟本發明並不僅侷限第1~第5實施形態的內容，在本發明範圍內均可進行各種變更。
例如第1實施形態中，針對設置有阻斷構件旋轉單元40的情況進行說明，但亦可省略阻斷構件旋轉單元40，而使阻斷構件31固定於旋轉方向。
第1實施形態中，針對杯上端部23與阻斷構件31間的距離D5(參照圖4)，係較小於從阻斷構件31內周面36下端至旋轉基座10外周面間之徑向距離D2的情況進行說明，但距離D5亦可等於距離D2、亦可大於距離D2。
第1實施形態中，針對在從旋轉基座10的朝上吐出口17吐出氮氣狀態下，將基板W放置於複數夾持銷9上的情況進行說明，但亦可在將基板W放置於夾持銷9上之後，開始從朝上
吐出口17吐出氮氣。
第1實施形態中，針對藥液及清洗液係從共通的噴嘴(中心噴嘴45的第1管路46)吐出之情況進行說明，但藥液及清洗液亦可由各自的噴嘴吐出。例如當施行朝基板W供應IPA時，亦可從第1管路46吐出藥液，並從第2管路47吐出清洗液。
亦可組合前述所有實施形態中之2種以上。
本案係對應於2014年2月17日對日本特許廳提出的特願2014-27748號，該案所有揭示內容均爰引並融入本案中。
雖針對本發明實施形態進行詳細說明，惟該等僅不過為使本發明技術內容清楚明瞭而使用的具體例，本發明不應解釋為僅限定於該等具體例，本發明的精神及範圍僅受所附申請專利範圍限定。
8‧‧‧旋轉夾具
9‧‧‧夾持銷
9a‧‧‧把持部
9b‧‧‧支撐部
10‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧蓋體
14‧‧‧下面噴嘴
14a‧‧‧噴嘴圓板部
14b‧‧‧噴嘴筒狀部
15‧‧‧下清洗液配管
16‧‧‧下清洗液閥
17‧‧‧朝上吐出口
18‧‧‧下氣體流路
19‧‧‧下氣體配管
20‧‧‧下氣體閥
21‧‧‧下氣體流量調整閥
22‧‧‧杯
23‧‧‧杯上端部
23a‧‧‧杯內周端
23b‧‧‧杯下端
24‧‧‧杯傾斜部
25‧‧‧杯筒狀部
31‧‧‧阻斷構件
32‧‧‧圓板部
33‧‧‧圓筒部
34‧‧‧朝下吐出口
35‧‧‧對向面
36‧‧‧內周面
36a‧‧‧內傾斜部
37‧‧‧外周面
37a‧‧‧外傾斜部
37b‧‧‧外鉛直部
45‧‧‧中心噴嘴
46‧‧‧第1管路
47‧‧‧第2管路
48‧‧‧套管
49‧‧‧上處理液配管
50‧‧‧上藥液配管
51‧‧‧上藥液閥
52‧‧‧上清洗液配管
53‧‧‧上清洗液閥
54‧‧‧上溶劑配管
55‧‧‧上溶劑閥
56‧‧‧上氣體流路
57‧‧‧上氣體配管
58‧‧‧上氣體閥
59‧‧‧上氣體流量調整閥
62‧‧‧層間絕緣膜
63‧‧‧下佈線溝
64‧‧‧銅佈線
65‧‧‧蝕刻終止膜
66‧‧‧低介電常數絕緣膜
67‧‧‧上佈線溝
68‧‧‧介層洞
A1‧‧‧旋轉軸線
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
W‧‧‧基板
Claims (14)
- 一種基板處理裝置，係包括有：旋轉夾具，其乃包括有：圓板狀旋轉基座、複數夾持銷、及旋轉馬達；該圓板狀旋轉基座係具有配置於基板下方的圓形上面、與外徑較大於基板的外周面；該等複數夾持銷係將基板下面與上述旋轉基座的上述上面依隔開間隔於上下方向呈對向狀態，水平狀保持著基板；該旋轉馬達係使上述旋轉基座及複數夾持銷，圍繞著通過由上述複數夾持銷所保持之基板中央部的鉛直旋轉軸線進行旋轉；阻斷構件，其乃包含有：在由上述旋轉夾具所保持之基板上方配置的對向面、與由圍繞上述旋轉軸線而包圍上述旋轉夾具所保持之基板的內周面，且上述內周面的下端係配置於上述旋轉基座的周圍，從上述內周面的下端起至上述旋轉基座的上述外周面之徑向距離，係從由上述旋轉夾具所保持之基板上面起至上述對向面的鉛直方向距離以上；上惰性氣體供應單元，其乃從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口的朝下吐出口，朝下方吐出惰性氣體；杯，其係含有圍繞上述旋轉軸線而包圍上述阻斷構件的環狀杯上端部，圍繞上述旋轉軸線而包圍上述旋轉基座且朝上呈開口；以及排氣單元，其乃將上述杯內的氣體排出至上述杯的外部。
- 一種基板處理裝置，係包括有：旋轉夾具，其乃包括有：圓板狀旋轉基座、複數夾持銷、及旋轉馬達；該圓板狀旋轉基座係具有配置於基板下方的圓形上面、與外徑較大於基板的外周面；該等複數夾持銷係將基板下面與上述旋轉基座的上述上面依隔開間隔於上下方向呈對向狀態，水平狀保持著 基板；該旋轉馬達係使上述旋轉基座及複數夾持銷，圍繞著通過由上述複數夾持銷所保持之基板中央部的鉛直旋轉軸線進行旋轉；阻斷構件，其乃包含有：在由上述旋轉夾具所保持之基板上方配置的對向面、與由圍繞上述旋轉軸線而包圍上述旋轉夾具所保持之基板的內周面，且上述內周面的下端係配置於上述旋轉基座的周圍，從上述內周面的下端起至上述旋轉基座的上述外周面之徑向距離，係從由上述旋轉夾具所保持之基板上面起至上述對向面的鉛直方向距離以上；上惰性氣體供應單元，其乃從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口的朝下吐出口，朝下方吐出惰性氣體；杯，其係含有配置於上述阻斷構件下方的環狀杯上端部，圍繞上述旋轉軸線而包圍上述旋轉基座且朝上呈開口；以及排氣單元，其乃將上述杯內的氣體排出至上述杯的外部。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更進一步包括有阻斷構件旋轉單元，其係使上述阻斷構件圍繞上述旋轉軸線，朝與由上述旋轉夾具所保持之基板相同方向進行旋轉。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述杯係包括有環狀杯上端部，其係在上述杯與上述阻斷構件之間形成包圍上述旋轉軸線的環狀間隙；上述杯上端部與上述阻斷構件間之最短距離，係較小於從上述阻斷構件的上述內周面下端起至上述旋轉基座的上述外周面間之徑向距離。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述杯上端部與上述阻斷構件間的上述環狀間隙，係包括有： 環狀流入口，係流入被抽吸至上述杯內的氣體；環狀流出口，係將流入上述環狀流入口的氣體排出至上述杯的內部；以及環狀流路，其乃從上述環狀流入口朝上述環狀流出口延伸；上述環狀流路係從上述環狀流出口朝上方延伸。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述杯上端部與上述阻斷構件間的上述環狀間隙，係包括有：環狀流入口，係流入被抽吸至上述杯內的氣體；環狀流出口，係將流入上述環狀流入口的氣體排出至上述杯的內部；以及環狀流路，其乃從上述環狀流入口朝上述環狀流出口延伸；上述環狀流路係包括有截面L狀角隅部。
- 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述阻斷構件係包括有：圓板部，其乃配置於由上述旋轉夾具所保持之基板的上方；圓筒部，其乃圍繞上述旋轉軸線而包圍由上述旋轉夾具所保持之基板；以及環狀突出部，其乃配置於較上述圓筒部的下端更靠外方；上述杯係含有環狀杯上端部；上述杯上端部係依朝徑向隔開間隔並圍繞上述旋轉軸線而包圍上述圓筒部，且隔開間隔於上下方向與上述突出部呈對向的方式，配置於上述突出部的下方。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述阻斷構件的上述內周面係包括有：從上述阻斷構件的上述對向面朝斜下延伸於外向的環狀內傾斜部。
- 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述阻斷構件的上述環狀內傾斜部與上述旋轉基座上面的外周端間之徑向距離，係達從由上述旋轉夾具所保持之基板上面起至上述阻斷構件的上述對向面間之鉛直方向距離以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更進一步包括有：下惰性氣體供應單元，其乃從在上述旋轉基座的上述上面呈開口的朝上吐出口，朝上方吐出惰性氣體；以及控制裝置，其乃依在從上述阻斷構件的上述朝下吐出口中吐出惰性氣體狀態下，從上述旋轉基座的上述朝向吐出口吐出惰性氣體的方式，控制上述上惰性氣體供應單元及下惰性氣體供應單元。
- 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係更進一步包括有將基板放置於上述複數夾持銷上的搬送機器人；上述控制裝置係在從上述旋轉基座的上述朝上吐出口吐出惰性氣體的狀態下，使基板放置於上述複數夾持銷上的方式，控制上述搬送機器人及下惰性氣體供應系統單元。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更進一步含有：搬送機器人，含有可在上述旋轉基座的上方移動之手部，並使用上述手部執行將基板放置於上述複數夾持銷上的搬入動作、與取出上述複數夾持銷上之基板的搬出動作；以及處理液供應單元，在上述杯位於較上述旋轉基座上面更靠下方的狀態下，從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口之上述朝下吐出 口，朝下方吐出處理液。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更進一步含有處理液供應單元，係從在上述阻斷構件的上述對向面呈開口之上述朝下吐出口朝下方吐出處理液，該處理液係經脫氧且含有經添加惰性氣體的惰性氣體溶存水。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係對表面露出金屬圖案的基板施行處理之裝置。
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