JP6016096B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、処理室内で基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、スピンチャックを取り囲む筒状のカップとを備えている。

特開２０１０−１９２６８６号公報

薬液などの処理液が基板に向けて処理液ノズルから吐出されると、処理液の蒸気が発生したり、処理液の液滴が形成されたりする。さらに、基板と薬液との反応によってヒュームが発生する場合がある。処理液の蒸気等を含む汚染雰囲気は、処理室内を漂う。そのため、処理液ノズルなどの処理室内の構成に汚染雰囲気が付着する場合がある。汚染雰囲気に含まれる薬液などの汚染物質が処理室内で結晶化すると、基板の汚染原因となるパーティクルに変化してしまう。

そこで、本発明の目的は、雰囲気汚染に起因する基板の汚染を抑制または防止できる基板処理装置を提供することである。

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持装置（５）と、前記基板保持装置に保持されている基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズル（８、９、１０）と、前記基板保持装置に保持されている基板を平面視において取り囲む環状のガード開口縁（３５ａ）と、前記ガード開口縁に連なっており斜め下に外方に延びる環状の傾斜面（３５ｂ）とを含み、前記ガード開口縁が前記基板よりも上方に位置するように配置された筒状のガード（３５）と、前記ガード開口縁を平面視において取り囲む環状の下開口縁（７ｂ）と、前記下開口縁から上方に延びる筒状の内周面（７ｃ）とを含み、前記下開口縁が前記ガード開口縁よりも上方に位置するように配置された筒状の仕切板（７）と、前記仕切板の内周面に向けて洗浄液を吐出することにより、前記下開口縁を経由して前記仕切板の内周面から前記ガードの傾斜面に流れる洗浄液の流れを形成する洗浄液ノズル（３９）とを含む、基板処理装置（１）である。

この構成によれば、仕切板の内周面が、基板保持装置に保持されている基板よりも上方の空間を仕切っている。したがって、処理液ノズルから基板への処理液の供給に伴って発生する汚染雰囲気の拡散範囲が狭められる。そのため、仕切板の外部に配置された部材が汚染雰囲気によって汚染されることを抑制または防止できる。これにより、薬液などの汚染物質が、結晶化してパーティクルに変化することを抑制または防止できる。

さらに、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液が、仕切板の内周面に沿って下方に流れるので、仕切板の内周面が洗浄液によって保護される。そのため、汚染物質を含む汚染雰囲気が仕切板の内周面に付着し難い。さらに、汚染雰囲気が仕切板の内周面に付着したとしても、付着した汚染物質は、仕切板の内周面に沿って流れる洗浄液によって即座に洗い流される。そのため、薬液などの汚染物質が、仕切板の内周面で結晶化してパーティクルに変化することを抑制または防止できる。

しかも、仕切板の内周面に沿って流れる洗浄液は、仕切板の下開口縁を経由して仕切板の内周面からガードの傾斜面に移動し、ガードの傾斜面に沿って外方に流れる。したがって、洗浄液が、ガード開口縁によって区画された開口（ガード開口）を通って、基板保持装置に保持されている基板に至ることを抑制または防止できる。そのため、基板の処理に影響を及ぼすことなく、パーティクルの発生を抑制または防止できる。これにより、基板の清浄度を高めることができる。

請求項２に記載の発明は、前記仕切板の上方から前記仕切板の内部に気体を送る送風ユニット（１３）と、前記ガードの下部から前記ガード内の気体を排出する排気装置（１４）とをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置である。前記送風ユニットによって送られる気体は、フィルタによってろ過された清浄空気であってもよいし、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよいし、清浄空気および不活性ガス以外の気体であってもよい。

この構成によれば、送風ユニットからの気体が、仕切板の上方から仕切板の内部に送られる。仕切板の内部に送られた気体は、仕切板の内部を下方に流れ、仕切板の下開口縁によって区画された開口（下開口）から下方に吹き出される。そして、下開口縁の内側を通過した気体は、ガード開口縁によって区画された開口（ガード開口）からガードの内部に流れる。ガード内の気体は、排気装置の吸引力によって下方に吸い寄せられ、ガードの下方から排出される。このようにして、下向きに流れる気流（ダウンフロー）が、仕切板およびガードの内部に形成され、仕切板およびガード内の気体が、送風ユニットからの気体に置換される。前述のように、仕切板は、基板保持装置よりも上方の空間を仕切っている。したがって、雰囲気を置換すべき空間が狭められている。そのため、雰囲気を効率的に置換できる。さらに、雰囲気を置換すべき空間の体積が減少しているので、送風ユニットからの送風流量や排気装置の排気流量を上げずに、雰囲気を確実に置換できる。

請求項３に記載の発明は、前記仕切板は、前記下開口縁よりも上方に配置されており、前記下開口縁よりも開口面積が広い環状の上開口縁（７ａ）をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。前記上開口縁は、平面視において前記下開口縁の全周を取り囲んでいてもよい。
仕切板の内周面に供給された洗浄液は、重力等によって仕切板の下開口縁に集まり、仕切板の下開口縁から下方に流下する。この構成によれば、仕切板の下開口縁の開口面積が狭いので、下開口縁のより広い範囲を洗浄液で覆うことができる。すなわち、汚染雰囲気の濃度が高い基板の近傍に位置する部分（下開口縁）を洗浄液で確実に覆うことができる。これにより、汚染雰囲気が仕切板に付着することを抑制または防止できる。

さらに、送風ユニットからの気体は、仕切板の上開口縁によって区画された開口（上開口）から仕切板の内部に送られ、仕切板の下開口縁から下方に吹き出される。仕切板の下開口縁の開口面積が、仕切板の上開口縁の開口面積よりも狭いので、送風ユニットからの気体は、上開口縁での流速よりも高速の通過速度で下開口縁を通過する。すなわち、基板近傍での気流の速度が仕切板によって高められる。そのため、基板の近傍を漂う汚染雰囲気を確実に排出できる。これにより、基板の汚染を抑制または防止できる。

請求項４に記載の発明は、前記洗浄液ノズルは、前記仕切板の周方向に離れた前記仕切板の内周面内の複数の位置に向けて洗浄液を吐出する複数の吐出口（３９ａ）を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、洗浄液ノズルは、複数の吐出口から仕切板の内周面に向けて洗浄液を吐出する。ある吐出口から吐出された洗浄液は、他の吐出口から吐出された洗浄液が着液する位置とは周方向に離れた位置に着液する。そして、仕切板の内周面内の複数の位置に着液した洗浄液は、仕切板の内周面に沿って下方に流れる。したがって、仕切板の内周面内のより広い範囲が洗浄液によって保護される。これにより、汚染雰囲気が仕切板に付着することを抑制または防止できる。

請求項５に記載の発明は、前記仕切板の上方から前記仕切板の内部に気体を送る送風ユニット（１３）と、前記送風ユニットから前記仕切板に向かう気流を整える整流板（１５）とをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。整流板は、整流板の上面から整流板の下面まで下方向に延びおり、整流板の全域に配置された複数の貫通孔を含んでいてもよい。

この構成によれば、送風ユニットから仕切板に向かう気流が、送風ユニットと仕切板との間で整流板によって整えられる。これにより、仕切板に向かって下方向に流れる均一な気流が整流板によって形成される。したがって、乱れの少ない気流が仕切板の内部に形成され、基板の近傍での気流の乱れが低減される。気流の乱れが基板の近傍で発生すると、汚染雰囲気が基板の近傍で滞留する場合がある。そのため、基板の近傍での気流の乱れを低減することにより、基板の近傍を漂う汚染雰囲気を確実に排出できる。これにより、基板の汚染を抑制または防止できる。

請求項６に記載の発明は、前記仕切板の内周面の少なくとも一部は、鉛直方向に対して上向きに傾いている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。前記仕切板の内周面の少なくとも一部は、上下方向に延びる前記仕切板の内周面の中心線に向かって斜め下に延びており、鉛直方向に対して上向きに傾いていてもよい。また、前記仕切板の内周面は、その上端からその下端まで一定の角度で鉛直方向に対して傾いていてもよい。

この構成によれば、仕切板の内周面の少なくとも一部が、上を向いた状態で鉛直方向に対して傾斜している。洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、仕切板の内周面の傾斜によって下方に案内される。したがって、仕切板の内周面に供給された洗浄液は、仕切板の内周面に沿って下方に流れる。これにより、仕切板の内周面が洗浄液によって確実に保護される。

請求項７に記載の発明は、前記処理液ノズルを前記仕切板の内部で保持しており、前記仕切板の外部と前記仕切板の内部とを接続するアーム差込口（４２）に差し込まれたノズルアーム（２４、２６）と、前記ノズルアームを移動させることにより、前記処理液ノズルを移動させるノズル移動機構（２５、２７）とをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

処理液ノズルは、仕切板の内部で処理液を吐出することにより、基板保持装置に保持されている基板に処理液を供給する。ノズル移動機構は、仕切板に設けられたアーム差込口にノズルアームの一部を位置させることにより、処理液ノズルを仕切板の内部に位置させる。ノズル移動機構は、さらに、ノズルアーム全体をアーム差込口の外に位置させることにより、処理液ノズルを仕切板の外部に位置させる。ノズルアームが仕切板のアーム差込口に差し込まれるので、ガードおよび仕切板がノズルアームに接触することを回避しながら、仕切板の下開口縁とガード開口縁とを近接させることができる。そのため、ガードおよび仕切板の内部の密閉性を高めて、ガードおよび仕切板の外部への汚染雰囲気の漏れ量を低減できる。これにより、ガードおよび仕切板の外部の清浄度を高めることができる。したがって、基板がガードおよび仕切板の外部を通過する際に、基板が汚染されることを抑制または防止できる。

請求項８に記載の発明は、前記仕切板の内部で前記アーム差込口の周縁に沿って延びており、前記仕切板の内周面上を前記アーム差込口に向かって下方に流れる洗浄液を前記アーム差込口の側方に案内する液除けガイド（４３）をさらに含む、請求項７に記載の基板処理装置である。
洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、仕切板の内周面に沿って下方に流れる。この構成によれば、仕切板に設けられたアーム差込口に向かって下方に流れる洗浄液が、液除けガイドによってアーム差込口の側方に案内される。したがって、ノズルアームがアーム差込口に差し込まれている状態であっても、洗浄液がノズルアームに掛かることを抑制または防止できる。洗浄液がノズルアームに掛かると、基板に向かって飛散する洗浄液の液滴が形成され、洗浄液が基板に付着する場合がある。したがって、アーム差込口に向かう洗浄液を液除けガイドによって迂回させることにより、基板の処理品質を安定させることができる。

請求項９に記載の発明は、前記処理液ノズルを保持するノズルアーム（２４、２６）と、前記ノズルアームを移動させることにより、前記処理液ノズルを移動させるノズル移動機構（２５、２７）と前記仕切板を上下方向に移動させることにより、前記ガードと前記仕切板とを上下方向に相対移動させる仕切板移動機構（４６）とをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、仕切板移動機構が、仕切板を上下方向に移動させる。したがって、仕切板移動機構は、ガードの高さを変更せずに、仕切板の下開口縁とガード開口縁との距離を変化させることができる。そのため、仕切板移動機構は、仕切板の下開口縁をガード開口縁に近接させて、ガードおよび仕切板の内部の密閉性を高めることができる。さらに、仕切板移動機構は、仕切板の下開口縁をガード開口縁から遠ざけることにより、仕切板とガードとの間に処理液ノズルが通過する空間を確保することができる。したがって、アーム差込口が仕切板に設けられていなくても、ノズル移動機構は、ノズルアームに保持されている処理液ノズルを仕切板の内部に移動させることができる。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバー内の構成を水平に見た模式図である。 図２は、仕切板およびカップの模式的な平面図である。 図３は、仕切板に設けられたアーム差込口を示す模式的な斜視図である。 図４は、基板処理装置によって行われる基板の処理の一例を示す工程図である。 図５は、基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するためのタイムチャートである。 図６は、本発明の他の実施形態に係るチャンバー内の構成を水平に見た模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバー４内の構成を水平に見た模式図である。図２は、仕切板７およびカップ６の模式的な平面図である。図３は、仕切板７に設けられたアーム差込口４２を示す模式的な斜視図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置３とを含む。

図１に示すように、処理ユニット２は、箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック５と、液体や気体などの処理流体を基板Ｗに供給する複数本のノズルと、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ６と、スピンチャック５よりも上方でチャンバー４の内部空間を仕切る筒状の仕切板７とを含む。複数本のノズルは、薬液を吐出する薬液ノズル８と、リンス液を吐出するリンス液ノズル９と、溶剤（液体）を吐出する溶剤ノズル１０とを含む。

図１に示すように、チャンバー４は、シャッター１１によって開閉される箱形の隔壁１２と、隔壁１２の上部から隔壁１２内（チャンバー４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ１３（ファン・フィルタ・ユニット１３）と、隔壁１２の下部からチャンバー４内の気体を排出する排気装置１４とを含む。ＦＦＵ１３は、隔壁１２の上方に配置されており、隔壁１２の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１３は、隔壁１２の天井からチャンバー４内に清浄空気を送る。排気装置１４は、カップ６の底部に接続されており、カップ６の底部からチャンバー４内の気体を吸引する。したがって、ＦＦＵ１３によってチャンバー４内に送られた清浄空気は、排気装置１４によってチャンバー４内から排出される。これにより、ダウンフロー（下降流）がチャンバー４内に形成される。

図１に示すように、チャンバー４は、さらに、ＦＦＵ１３によって隔壁１２内に送られた清浄空気を整流する整流板１５を含む。整流板１５は、隔壁１２の天井の下方に配置されている。整流板１５は、複数の貫通孔１５ａが形成されたプレートによって構成されている。整流板１５は、スピンチャック５および仕切板７よりも上方に配置されている。整流板１５は、隔壁１２によって保持されている。整流板１５は、水平面に沿って配置されており、隔壁１２の内部空間を２つに仕切っている。隔壁１２の天井と整流板１５との間の空間は、清浄空気が拡散する拡散空間Ｓ１であり、隔壁１２の底部と整流板１５との間の空間は、基板Ｗの処理が行われる処理空間Ｓ２である。拡散空間Ｓ１は、平面視における面積が処理空間Ｓ２と等しく、体積が処理空間Ｓ２よりも小さい空間である。

図１に示すように、整流板１５は、隔壁１２の天井に設けられた送風口１２ａの下方に配置されている。平面視における整流板１５の面積は、送風口１２ａの開口面積よりも広い。ＦＦＵ１３は、送風口１２ａから拡散空間Ｓ１に清浄空気を送る。送風口１２ａを通過した清浄空気の大部分は、整流板１５に衝突し、方向転換する。これにより、ＦＦＵ１３によって送られた清浄空気が拡散空間Ｓ１を拡散する。拡散空間Ｓ１に充満した清浄空気は、整流板１５を厚み方向に貫通する複数の貫通孔１５ａを通過し、整流板１５の全域から下方に流れる。これにより、整流板１５の全域から下方向に向かう均一な清浄空気の流れが、処理空間Ｓ２に形成される。そして、処理空間Ｓ２を下方に流れる清浄空気は、排気装置１４によって隔壁１２内から排出される。このようにして、均一なダウンフローがチャンバー４内に形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。

図１に示すように、スピンチャック５は、整流板１５の下方に配置されている。スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持する円盤状のスピンベース１６と、スピンベース１６を回転軸線Ａ１まわりに回転させることにより、スピンベース１６に保持されている基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１７とを含む。スピンチャック５は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図１は、挟持式のチャックを示している。

図１に示すように、薬液ノズル８は、薬液バルブ１８が介装された薬液配管１９に接続されている。薬液バルブ１８が開かれると、薬液配管１９から薬液ノズル８に供給された薬液が、薬液ノズル８から下方に吐出され、薬液バルブ１８が閉じられると、薬液ノズル８からの薬液の吐出が停止される。薬液ノズル８に供給される薬液は、たとえば、ＢＨＦ（ＨＦとＮＨ_４Ｆとを含む混合液）またはＳＰＭ（Ｈ_２ＳＯ_４とＨ_２Ｏ_２とを含む混合液）である。薬液ノズル８に供給される薬液は、ＢＨＦおよびＳＰＭに限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤のうちの少なくとも一つを含む液体であってもよい。

図１に示すように、リンス液ノズル９は、リンス液バルブ２０が介装されたリンス液配管２１に接続されている。リンス液バルブ２０が開かれると、リンス液配管２１からリンス液ノズル９に供給されたリンス液が、リンス液ノズル９から下方に吐出され、リンス液バルブ２０が閉じられると、リンス液ノズル９からのリンス液の吐出が停止される。リンス液ノズル９に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）である。リンス液ノズル９に供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

図１に示すように、溶剤ノズル１０は、溶剤バルブ２２が介装された溶剤配管２３に接続されている。溶剤バルブ２２が開かれると、溶剤配管２３から溶剤ノズル１０に供給された溶剤が、溶剤ノズル１０から下方に吐出され、溶剤バルブ２２が閉じられると、溶剤ノズル１０からの溶剤の吐出が停止される。溶剤ノズル１０に供給される溶剤は、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。ＩＰＡは、水よりも表面張力が小さく、水よりも沸点が低い（水よりも揮発性の高い）揮発性溶剤の一例である。ＩＰＡは、水を溶解させることができる。溶剤ノズル１０に供給される溶剤は、ＩＰＡに限らず、ＨＦＥ（ハイドロフロロエーテル）などの他の溶剤であってもよい。

図１に示すように、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９は、共通の第１ノズルアーム２４を介して第１ノズル移動機構２５に連結されている。溶剤ノズル１０は、第１ノズルアーム２４とは異なる第２ノズルアーム２６を介して第２ノズル移動機構２７に連結されている。第１ノズル移動機構２５は、第１ノズルアーム２４を移動させることにより、第１ノズルアーム２４に保持された薬液ノズル８およびリンス液ノズル９をチャンバー４内で移動させる。同様に、第２ノズル移動機構２７は、第２ノズルアーム２６を移動させることにより、第２ノズルアーム２６に保持された溶剤ノズル１０をチャンバー４内で移動させる。

第１ノズル移動機構２５は、薬液ノズル８またはリンス液ノズル９から吐出された処理液がスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に供給される処理位置と、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９がスピンチャック５の上方から退避した退避位置との間で、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を移動させる。同様に、第２ノズル移動機構２７は、溶剤ノズル１０から吐出された処理液がスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に供給される処理位置と、溶剤ノズル１０がスピンチャック５の上方から退避した退避位置との間で、溶剤ノズル１０を移動させる。第１ノズル移動機構２５は、対応するノズルを水平面に沿って回動させる構成であってもよいし、対応するノズルを水平面に沿って直線移動させる構成であってもよい。第２ノズル移動機構２７についても同様である。

図１に示すように、カップ６は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ６は、スピンチャック５を取り囲む筒状の外壁２８と、スピンチャック５と外壁２８との間に配置された複数の処理液カップ（第１処理液カップ２９、第２処理液カップ３０、第３処理液カップ３１）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数のガード（第１ガード３２、第２ガード３３、第３ガード３４、第４ガード３５）と、複数のガードのそれぞれを独立して昇降させるガード昇降ユニット３６とを含む。

なお、図１では、回転軸線Ａ１の右側と左側とで、第３ガード３４が異なる高さに配置されている２つの状態を、１つの図に合わせて示している。以下の説明では、カップ６が、図１における回転軸線Ａ１の左側に示す状態（すなわち、第３ガード３４、第４ガード３５がともに上昇した位置の状態）にあることを「Ｐｏｒｔ４０」と称し、図１における回転軸線Ａ１の右側に示す状態（すなわち、第３ガード３４が下降、第４ガード３５が上昇した位置の状態）にあることを「Ｐｏｒｔ５」と称する。

図１に示すように、各処理液カップ２９〜３１は、円環状であり、スピンチャック５と外壁２８との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側から２番目の第２処理液カップ３０は、第１処理液カップ２９よりも外方に配置されており、第３処理液カップ３１は、第２処理液カップ３０よりも外方に配置されている。第３処理液カップ３１は第２ガード３３と一体であり、第２ガード３３と共に昇降する。各処理液カップ２９〜３１は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各ガード３２〜３５のそれぞれは、スピンチャック５上の基板Ｗに供給される処理液の種類等に応じてガード昇降ユニット３６の制御により任意に昇降駆動され、使用された処理液をその種類等に応じた任意の処理液カップ２９〜３１に導くことができる。各処理液カップ２９〜３１に導かれた処理液は、この溝を通じて図示しない回収装置または廃液装置に送られる。これにより、基板Ｗから排出された処理液の処分に関して回収または廃棄の経路を任意に選択できる。

図１に示すように、各ガード３２〜３５は、円筒状であり、スピンチャック５と外壁２８との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側の３つのガード３２〜３４は、外側の３つのガード３３〜３５のうちの少なくとも一つによって取り囲まれた内ガードであり、外側の３つのガード３３〜３５は、内側の３つのガード３２〜３４のうちの少なくとも一つを取り囲む外ガードである。

図１に示すように、各ガード３２〜３５は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部３７と、傾斜部３７の下端から下方に延びる円筒状の案内部３８とを含む。各傾斜部３７の上端部は、ガード３２〜３５の上端部を構成しており、基板Ｗおよびスピンベース１６よりも大きな直径を有している。４つの傾斜部３７は、上下に重ねられており、４つの案内部３８は、同軸的に配置されている。最も外側の案内部３８を除く３つの案内部３８は、それぞれ、複数の処理液カップ２９〜３１内に出入り可能である。すなわち、カップ６は、折り畳み可能であり、ガード昇降ユニット３６が４つのガード３２〜３５の少なくとも一つを昇降させることにより、カップ６の展開および折り畳みが行われる。

図１に示すように、ガード昇降ユニット３６は、ガードの上端が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード３２〜３５を昇降させる。ガード昇降ユニット３６は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード３２〜３５を保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード３２〜３５が、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。たとえば内側から３番目の第３ガード３４を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、図１において回転軸線Ａ１の左側に示す「Ｐｏｒｔ４０」の状態のように、第１ガード３２および第２ガード３３が下位置に配置され、第３ガード３４および第４ガード３５が上位置に配置される。また、最も外側の第４ガード３５を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、図１において回転軸線Ａ１の右側に示す「Ｐｏｒｔ５」の状態のように、第４ガード３５が上位置に配置され、他の３つのガード３２〜３４が下位置に配置される。

図１に示すように、仕切板７は、整流板１５の下方に配置されている。仕切板７は、整流板１５からカップ６まで下方に延びる筒状である。仕切板７は、上下方向に関して、整流板１５とカップ６との間に配置されている。スピンチャック５は、仕切板７よりも下方に配置されている。仕切板７は、スピンチャック５よりも上方で処理空間Ｓ２を仕切っている。処理空間Ｓ２は、仕切板７の内側の内側空間Ｓ３と、仕切板７の外側の外側空間Ｓ４とに仕切られている。図２に示すように、仕切板７は、四角形状の水平断面を有する筒状の部材によって構成されている。仕切板７の水平断面は、多角形状に限らず、円形または楕円形であってもよい。

図２に示すように、仕切板７は、全周に亘って回転軸線Ａ１を取り囲んでいる。図１に示すように、仕切板７の内周面７ｃは、回転軸線Ａ１に向かって斜め下方に延びる傾斜部を含む。図１は、仕切板７の内周面７ｃが９０度未満の一定の傾斜角θ（水平面を基準とする角度）で仕切板７の上端７ａから仕切板７の下端７ｂまで傾斜している例を示している。したがって、仕切板７の断面積は、仕切板７の上端７ａから仕切板７の下端７ｂまで連続的に減少しており、仕切板７の下端７ｂの開口面積（平面視における面積）は、仕切板７の上端７ａの開口面積（平面視における面積）よりも狭い。図２に示すように、仕切板７の下端７ｂは、平面視において、第４ガード３５の上端３５ａを全周に亘って取り囲んでいる。仕切板７の上端７ａは、平面視において、仕切板７の下端７ｂを全周に亘って取り囲んでいる。仕切板７の下端７ｂの開口面積は、第４ガード３５の上端３５ａ（平面視における面積）よりも広い。

図１に示すように、仕切板７の上端７ａは、スピンチャック５およびカップ６よりも外方に配置されている。仕切板７の上端７ａは、整流板１５の周縁部に沿って配置されている。仕切板７の上端７ａは、整流板１５の周縁部の下方に配置されており、整流板１５から離れている。仕切板７の上端７ａは、整流板１５に連結されており、整流板１５の周縁部に繋がっていてもよい。

図１に示すように、仕切板７の下端７ｂは、カップ６の上端部の上方に配置されている。仕切板７の下端７ｂは、上位置に位置する第４ガード３５の上端３５ａの近傍に配置されている。仕切板７の下端７ｂは、上位置に位置する第４ガード３５の傾斜部３７に間隔を空けて上下方向に対向している。仕切板７の下端７ｂの一部は、上位置に位置する第４ガード３５に接触していてもよい。第４ガード３５が上位置に位置している状態での仕切板７の下端７ｂから第４ガード３５の上端３５ａまでの上下方向の距離は、たとえば、第１ノズルアーム２４および第２ノズルアーム２６の高さ（ノズルアームの下端からノズルアームの上端までの距離）よりも小さい。

図１に示すように、上開口縁に相当する仕切板７の上端７ａは、整流板１５の下方に位置する上開口を形成しており、下開口縁に相当する仕切板７の下端７ｂは、スピンチャック５の上方に位置する下開口を形成している。下開口は、カップ６の開口（第４ガード３５の上端３５ａによって区画された開口）の上方に配置されており、上下方向にカップ６の開口に対向している。第４ガード３５が上位置に位置している状態では、仕切板７の下端７ｂが、第４ガード３５の上端３５ａに近接する。したがって、この状態では、カップ６および仕切板７の内部の密閉性が高まり、カップ６および仕切板７の外部への気体の漏れ量が低減される。

図１に示すように、ＦＦＵ１３からの清浄空気は、整流板１５の全域から下方に吹き出される。整流板１５から吹き出された清浄空気は、上開口の全域を通じて内側空間Ｓ３に流入する。そして、内側空間Ｓ３に流入した清浄空気は、下開口の全域から下方に吹き出される。下開口から吹き出された清浄空気は、カップ６内を通って排気装置１４に吸引される。下開口の面積は、上開口の面積よりも狭い。したがって、仕切板７の内部に流入した清浄空気は、内側空間Ｓ３を下方に流れる間に加速され、上開口での流速よりも高速の通過速度で下開口を通過する。そのため、基板Ｗの上方および周囲の雰囲気が、高速で流れる清浄空気によって即座に下方に押し流され、チャンバー４内から排出される。

図１に示すように、処理ユニット２は、さらに、仕切板７の内周面７ｃに洗浄液を供給することにより、仕切板７の内周面７ｃを覆う液膜を形成する洗浄液ノズル３９を含む。洗浄液ノズル３９は、洗浄液バルブ４０が介装された洗浄液配管４１に接続されている。洗浄液ノズル３９に供給される洗浄液は、純水である。水を主体とする液体であれば、洗浄液ノズル３９に供給される洗浄液は、純水以外の液体であってもよい。

図１に示すように、洗浄液ノズル３９は、仕切板７の上端７ａに沿って配置されている。洗浄液ノズル３９は、チャンバー４に取り付けられている。洗浄液ノズル３９は、仕切板７の上方に配置されている。洗浄液ノズル３９は、仕切板７の内周面７ｃに向けて下向きに純水を吐出する。図２に示すように、洗浄液ノズル３９は、仕切板７の下端７ｂを平面視において取り囲むように配置された複数の吐出口３９ａを含む。洗浄液ノズル３９は、仕切板７の下端７ｂを平面視において取り囲むように配置された複数本のチューブによって構成されていてもよいし、仕切板７の下端７ｂを平面視において取り囲むように配置された単一のチューブによって構成されていてもよい。図２は、洗浄液ノズル３９が単一のチューブによって構成されている例を示している。

図１に示すように、制御装置３は、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接している状態で、洗浄液ノズル３９に純水を吐出させる。洗浄液ノズル３９から吐出された純水は、仕切板７の上端部の内周面に着液した後、仕切板７の内周面７ｃに沿って下方に流れる。そして、仕切板７の内周面７ｃに沿って流れる純水は、仕切板７の下端７ｂから流下する。仕切板７の傾斜角θや洗浄液ノズル３９からの純水の吐出流量は、純水が、仕切板７の下端７ｂから概ね鉛直に流下するように設定されている。したがって、仕切板７の下端７ｂから流下した純水は、仕切板７の下端７ｂの近傍に位置する第４ガード３５の上端部に着液し、傾斜面に相当する第４ガード３５の上面３５ｂに沿って外方に流れる。そして、第４ガード３５の外周部に達した純水は、第４ガード３５と外壁２８との間を流下し、カップ６の底部から廃液装置（図示せず）に排出される。

洗浄液ノズル３９から吐出された純水が、仕切板７の内周面７ｃに沿って下方に流れるので、仕切板７の内周面７ｃを覆う薄い液膜Ｌ（図１では厚みを誇張して描いてある）が形成される。さらに、純水は、複数の吐出口３９ａ（図２参照）から仕切板７の上端部の複数の位置に向けて純水を吐出するので、仕切板７の内周面７ｃは、全周に亘って液膜Ｌに覆われて保護される。薬液ノズル８から薬液が吐出されると、薬液の蒸気やミストを含む薬液雰囲気が、基板Ｗの近傍や内側空間Ｓ３で発生する。しかし、仕切板７の内周面７ｃが液膜Ｌによって保護されている状態では、薬液雰囲気が仕切板７の内周面７ｃに付着し難い。さらに、薬液雰囲気が仕切板７の内周面７ｃに付着したとしても、付着した薬液は、仕切板７の内周面７ｃに沿って流れる液膜Ｌを構成する純水によって即座に洗い流される。そのため、薬液雰囲気が仕切板７上で結晶化してパーティクルに変化することを抑制または防止できる。

しかも、仕切板７から流下した純水は、第４ガード３５の上面３５ｂに沿って外方に流れるので、仕切板７から流下した純水が、第４ガード３５の開口を経由してスピンチャック５に保持されている基板Ｗに掛かることはない。そのため、基板Ｗの処理に影響を及ぼすことなく、パーティクルの発生を抑制または防止できる。さらに、仕切板７から流下した純水が、第４ガード３５の開口を通過し難いので、基板Ｗからその周囲に排出された処理液に純水が混入することを抑制または防止できる。したがって、基板Ｗに供給された処理液を各処理液カップ２９〜３１により収集し回収して再利用する場合に、回収された処理液の濃度が低下することを抑制または防止できる。

図３に示すように、仕切板７は、ノズルアーム（第１ノズルアーム２４または第２ノズルアーム２６）が差し込まれるアーム差込口４２を含む。アーム差込口４２は、仕切板７の内周面７ｃから仕切板７の外周面まで延びており、仕切板７を厚み方向に貫通している。アーム差込口４２は、仕切板７の下端７ｂから上方に延びている。したがって、アーム差込口４２は、下向きに開いている。アーム差込口４２は、下向きに開いた形状に限らず、全周が囲まれた形状であってもよい。

図３に示すように、アーム差込口４２の高さ（アーム差込口４２の下端からアーム差込口４２の上端までの距離）は、ノズルアームの高さ（ノズルアームの下端からノズルアームの上端までの距離）よりも大きい。ノズルアームがアーム差込口４２に差し込まれている状態では、ノズルアームが仕切板７の下端７ｂよりも上方に位置している。さらに、この状態では、対応するノズルが、仕切板７の内部（内側空間Ｓ３）に配置される。そのため、第１ノズル移動機構２５および第２ノズル移動機構２７は、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接している状態で、ノズルを仕切板７の内部に位置させることができる。

図３に示すように、仕切板７は、さらに、アーム差込口４２に向かう洗浄液をアーム差込口４２の側方に案内する液除けガイド４３を含む。液除けガイド４３は、仕切板７の内部でアーム差込口４２の周縁に沿って延びている。液除けガイド４３は、アーム差込口４２の上端縁に沿って延びる上方ガイド４４を含む。上方ガイド４４は、アーム差込口４２の上端縁に沿って水平に延びていてもよいし、アーム差込口４２の側端縁に向かって斜め下方に延びていてもよい。上方ガイド４４は、上方向に開いた上方案内溝を形成している。また、液除けガイド４３は、アーム差込口４２の左右の側端縁に沿って延びる一対の側方ガイド４５をさらに含んでいてもよい。側方ガイド４５は、外方向（アーム差込口４２から離れる方向）に開いた側方案内溝を形成している。側方案内溝は、上方案内溝に連続している。

図３に示すように、洗浄液ノズル３９から仕切板７の内周面７ｃに供給された純水は、仕切板７の内周面７ｃに沿って下方に流れる。仕切板７の内周面７ｃに沿って流れる純水がアーム差込口４２の上方に達すると、この純水は、上方ガイド４４によってアーム差込口４２の側方に案内される。これにより、アーム差込口４２内への純水の進入が抑制または防止される。そのため、洗浄液ノズル３９が純水を吐出しており、ノズルアームがアーム差込口４２に差し込まれている状態であっても、洗浄液ノズル３９から吐出された純水が、アーム差込口４２内のノズルアームに掛かることを抑制または防止できる。

図４は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例を示す工程図である。図５は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するためのタイムチャートである。以下では、図１を参照する。図４および図５については適宜参照する。
なお、本実施形態の装置では、上述のように各ガード３２〜３５を昇降させることにより、使用された処理液をその種類等に応じた任意の処理液カップ２９〜３１に導いて回収または廃棄の経路を任意に選択することができるが、以下の処理の説明では簡単のためにかかる処理液の回収または廃棄の経路の選択はおこなわないこととし、基板Ｗに液を供給する際には常にＰｏｒｔ４０の状態として、基板Ｗに供給される全ての液は処理液カップ３１を経て回収することとする。

基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図４のステップＳ１）が行われる。具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避しており、全てのガードが下位置に位置している状態で、搬送ロボット（図示せず）に基板Ｗをチャンバー４内に搬入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットに基板Ｗをスピンチャック５上に載置させる。その後、制御装置３は、スピンチャック５に基板Ｗを保持させる。制御装置３は、基板Ｗがスピンチャック５上に置かれた後、搬送ロボットをチャンバー４内から退避させる。

次に、薬液の一例であるＢＨＦを基板Ｗに供給する薬液処理工程（図４のステップＳ２）が行われる。具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動機構２５に第１ノズルアーム２４を移動させることにより、第１ノズルアーム２４の一部を仕切板７のアーム差込口４２（図３参照）内に位置させる。これにより、第１ノズルアーム２４に保持されている薬液ノズル８およびリンス液ノズル９が仕切板７の内部に配置される。制御装置３は、さらに、外側の２つのガード（第３ガード３４および第４ガード３５）を上位置に位置させ、内側の２つのガード（第１ガード３２および第２ガード３３）を下位置に位置させる（図１における回転軸線Ａ１より左側のカップ６の「Ｐｏｒｔ４０」の状態を参照）。これにより、第３ガード３４と第２ガード３３との間が開き、第３ガード３４の内周面が基板Ｗの周端面に対向する。さらに、第４ガード３５の上端３５ａが、仕切板７の下端７ｂに近づき、仕切板７の下端７ｂが、第４ガード３５の上端３５ａに近接する。

制御装置３は、第１ノズルアーム２４がアーム差込口４２に差し込まれている状態で、上位置まで第４ガード３５を上昇させてもよいし、アーム差込口４２の高さが十分にある場合には、制御装置３は、第４ガード３５が上位置に位置している状態で、アーム差込口４２を通じて、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を仕切板７の外部から仕切板７の内部に移動させてもよい。いずれの場合でも、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９は、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接している状態で、仕切板７の内部に配置される。

制御装置３は、さらに、スピンチャック５に基板Ｗを回転させる。その後、制御装置３は、薬液バルブ１８を開いて、薬液ノズル８から基板Ｗの上面に向けて所定の流量でＢＨＦを吐出させる。制御装置３は、さらに、洗浄液バルブ４０を開いて、洗浄液ノズル３９から仕切板７の内周面７ｃに向けて所定の流量で純水を吐出させる。薬液ノズル８からのＢＨＦの吐出と、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出は、図５に示すように同時に開始されてもいいし、異なる時期に開始されてもよい。たとえば、ＢＨＦが薬液ノズル８から吐出される前に、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出が開始されてもよい。

洗浄液ノズル３９から吐出された純水は、仕切板７の内周面７ｃに沿って下方に流れ、その後、第４ガード３５の上面３５ｂに沿って外方に流れる。これにより、仕切板７の内周面７ｃが純水の液膜Ｌによって保護される。また、薬液ノズル８から吐出されたＢＨＦは、回転状態の基板Ｗの上面に着液し、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗの上面周縁部に達したＢＨＦは、基板Ｗの周囲に振り切られ、第３ガード３４と第２ガード３３との間を通じて、カップ６の内部に導かれ処理液カップ３１によって収集される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うＢＨＦの液膜が形成され、基板Ｗの上面がＢＨＦによって処理される。さらに、仕切板７の内周面７ｃが純水の液膜Ｌによって覆われているので、仕切板７の内周面７ｃ付近を漂う薬液雰囲気は、純水と共に流れ落ちる。そのため、仕切板７に対する薬液雰囲気の付着が抑制または防止される。

図５に示すように、薬液ノズル８からのＢＨＦの吐出が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ１８を閉じて、薬液ノズル８からのＢＨＦの吐出を停止させる。同様に、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、洗浄液バルブ４０を閉じて、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出を停止させる。薬液ノズル８からのＢＨＦの吐出と、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出は、同時に停止されてもいいし、異なる時期に停止されてもよい。たとえば、図５に示すように、薬液ノズル８からのＢＨＦの吐出が停止された後に、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出が停止されてもよい。薬液雰囲気は、ＢＨＦの吐出が停止された後であっても、チャンバー４内に残留している場合がある。したがって、残留雰囲気が仕切板７の内周面７ｃに付着することを防止するために、純水の吐出は、ＢＨＦの吐出が停止されてから所定時間の後に停止されることが好ましい。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程（図４のステップＳ３）が行われる。具体的には、制御装置３は、第１ノズルアーム２４がアーム差込口４２に差し込まれており、第３ガード３４の内周面が基板Ｗの周端面に対向している状態で、リンス液バルブ２０を開いて、リンス液ノズル９から基板Ｗの上面に向けて所定の流量で純水を吐出させる。すなわち、制御装置３は、薬液ノズル８、リンス液ノズル９、およびカップ６が薬液処理工程と同じ位置に配置されている状態で、リンス液ノズル９から純水を吐出させる。

薬液ノズル８から吐出されたＢＨＦと同様に、リンス液ノズル９から吐出された純水は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗの上面周縁部に達した純水は、基板Ｗの周囲に振り切られ、第３ガード３４と第２ガード３３との間を通じて、カップ６の内部に導かれ処理液カップ３１によって収集される。そのため、基板Ｗ上の薬液は、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の薬液が、純水によって洗い流され、基板Ｗ上の薬液の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。そして、図５に示すように、リンス液ノズル９からの純水の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、洗浄液ノズル３９からの純水の吐出が停止されている状態でリンス液バルブ２０を閉じて、リンス液ノズル９からの純水の吐出を停止させる。

次に、溶剤の一例であるＩＰＡを基板Ｗの上面に供給する溶剤供給工程（図４のステップＳ４）が行われる。具体的には、制御装置３は、カップ６をＰｏｒｔ４０の状態に保ったまま、第１ノズル移動機構２５に第１ノズルアーム２４を移動させることにより、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を仕切板７の外部に移動させる。制御装置３は、さらに、第２ノズル移動機構２７に第２ノズルアーム２６を移動させることにより、第２ノズルアーム２６の一部をアーム差込口４２内に位置させる。これにより、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接している状態で、溶剤ノズル１０が仕切板７の内部に配置される。

制御装置３は、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接しており、溶剤ノズル１０が仕切板７の内部に配置されている状態で、溶剤バルブ２２を開いて、溶剤ノズル１０から基板Ｗの上面に向けて所定の流量でＩＰＡを吐出させる。溶剤ノズル１０から吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗの上面周縁部に達したＩＰＡは、基板Ｗの周囲に振り切られ、第２ガード３３と第３ガード３４との間を通じて、カップ６の内部に導かれ処理液カップ３１によって収集される。そのため、基板Ｗ上の純水は、ＩＰＡによって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜に置換される。そして、溶剤ノズル１０からのＩＰＡの吐出が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、溶剤バルブ２２を閉じて、溶剤ノズル１０からのＩＰＡの吐出を停止させる。

次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図４のステップＳ５）が行われる。具体的には、制御装置３は、仕切板７の下端７ｂが第４ガード３５の上端３５ａに近接しており、溶剤ノズル１０が仕切板７の内部に配置されている状態で、基板Ｗの回転を高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、基板Ｗ上の液体が、基板Ｗの周囲に振り切られ、第２ガード３３と第３ガード３４との間を通じて、カップ６の内部に導かれ処理液カップ３１によって収集される。このようにして、水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗの回転を停止させる。その後、制御装置３は、全てのガードを下位置に移動させると共に、溶剤ノズル１０を基板Ｗの上方から退避させる。この状態で、制御装置３は、搬送ロボットをチャンバー４内に進入させて、スピンチャック５上の基板Ｗを搬出させる（搬出工程。図４のステップＳ６）。

以上のように本実施形態では、仕切板７がスピンチャック５の上方で空間を仕切っている。薬液ノズル８から薬液が吐出されている間は、洗浄液の一例である純水の液膜Ｌによって仕切板７の内周面７ｃが保護される。そのため、薬液雰囲気などの汚染雰囲気が仕切板７の内周面７ｃに付着し難い。さらに、洗浄液が仕切板７の内周面７ｃに沿って下方に流れるので、汚染雰囲気が仕切板７の内周面７ｃに付着したとしても、付着した汚染物質は、洗浄液によって即座に洗い流される。そのため、薬液などの汚染物質が、仕切板７の内周面７ｃで結晶化してパーティクルに変化することを抑制または防止できる。

しかも、仕切板７の内周面７ｃに沿って流れる洗浄液は、下開口縁に相当する仕切板７の下端７ｂを経由して、仕切板７の内周面７ｃから第４ガード３５の上面３５ｂに移動し、傾斜面に相当する第４ガード３５の上面３５ｂに沿って外方に流れる。したがって、洗浄液が、ガード開口縁に相当する第４ガード３５の上端３５ａによって区画された開口を通って、基板Ｗに至ることを抑制または防止できる。そのため、基板Ｗの処理に影響を及ぼすことなく、パーティクルの発生を抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの清浄度を高めることができる。

また、ＦＦＵ１３から清浄空気は、上開口縁に相当する仕切板７の上端７ａによって区画された開口から仕切板７の内部に入り込み、仕切板７の下端７ｂおよび第４ガード３５の上端３５ａを経由して、カップ６の内部に入り込む。カップ６内の気体は、排気装置１４の吸引力によって下方に吸い寄せられ、カップ６の底部から排出される。このようにして、仕切板７およびカップ６内の気体が、清浄空気に置換される。前述のように、仕切板７は、スピンチャック５よりも上方の空間を仕切っている。したがって、雰囲気を置換すべき空間が狭められている。そのため、雰囲気を効率的に置換できる。さらに、雰囲気を置換すべき空間の体積が減少しているので、ＦＦＵ１３からの送風流量や排気装置１４の排気流量を上げずに、雰囲気を確実に置換できる。

本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、図６に示すように、処理ユニット２は、前述の実施形態に係る構成に加えて、仕切板７を昇降させる仕切板昇降機構４６をさらに備えていてもよい。
図６に示す仕切板昇降機構４６は、仕切板７をチャンバー４内で上下方向に移動させる。仕切板昇降機構４６は、第４ガード３５の高さを変更せずに、仕切板７の下端７ｂと第４ガード３５の上端３５ａとの距離を変化させることができる。そのため、仕切板昇降機構４６は、仕切板７の下端７ｂを第４ガード３５の上端３５ａに近接させて、第４ガード３５および仕切板７の内部の密閉性を高めることができる。さらに、仕切板昇降機構４６は、仕切板７の下端７ｂを第４ガード３５の上端３５ａから遠ざけることにより、仕切板７と第４ガード３５との間に処理液ノズルが通過する空間を確保することができる。したがって、図６に示す構成では、ノズルアームが差し込まれるアーム差込口４２（図３参照）が省略されてもよい。

また、前述の実施形態では、仕切板７全体が、カップ６よりも上方に配置されている場合について説明したが、仕切板７の一部がカップ６の上端より下方に配置されていてもよい。
また、前述の実施形態では、仕切板７の下開口縁が、仕切板７の下端７ｂによって構成されている場合について説明したが、下開口縁は、仕切板７の下端よりも上方の部分によって構成されていてもよい。

また、前述の実施形態では、第１ノズル移動機構２５が、仕切板７の内部に設けられた処理位置と、仕切板７の外部に設けられた退避位置との間で、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を移動させる場合について説明した。しかし、第１ノズル移動機構２５は、仕切板７の内部に設けられた２つの位置（処理位置および退避位置）で薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を移動させてもよい。たとえば、第１ノズル移動機構２５は、薬液ノズル８およびリンス液ノズル９を仕切板７の内部で上下方向に移動させてもよい。第２ノズル移動機構２７についても同様である。

また、前述の実施形態では、第１ノズル移動機構２５および第２ノズル移動機構２７が、薬液ノズル８、リンス液ノズル９、および溶剤ノズル１０を移動させる場合について説明したが、薬液ノズル８、リンス液ノズル９、および溶剤ノズル１０のうちの少なくとも一つが、仕切板７の内部で固定されていてもよい。
また、前述の実施形態では、処理ユニット２は、ＦＦＵ１３と仕切板７との間に配置された整流板１５を備えている場合について説明したが、処理ユニット２は、整流板１５を備えていなくてもよい。

また、前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
５ ：スピンチャック（基板保持装置）
７ ：仕切板
７ａ ：上端（上開口縁）
７ｂ ：下端（下開口縁）
７ｃ ：内周面
８ ：薬液ノズル（処理液ノズル）
９ ：リンス液ノズル（処理液ノズル）
１０ ：溶剤ノズル（処理液ノズル）
１３ ：ＦＦＵ（送風ユニット）
１４ ：排気装置
１５ ：整流板
２４ ：第１ノズルアーム（ノズルアーム）
２５ ：第１ノズル移動機構（ノズル移動機構）
２６ ：第２ノズルアーム（ノズルアーム）
２７ ：第２ノズル移動機構（ノズル移動機構）
３５ ：第４ガード（ガード）
３５ａ ：上端（ガード開口縁）
３５ｂ ：上面（傾斜面）
３９ ：洗浄液ノズル
３９ａ ：吐出口
４２ ：アーム差込口
４３ ：液除けガイド
４６ ：仕切板昇降機構
Ｗ ：基板

Claims (9)

1. 基板を保持する基板保持装置と、
   前記基板保持装置に保持されている基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、
   前記基板保持装置に保持されている基板を平面視において取り囲む環状のガード開口縁と、前記ガード開口縁に連なっており斜め下に外方に延びる環状の傾斜面とを含み、前記ガード開口縁が前記基板よりも上方に位置するように配置された筒状のガードと、
   前記ガード開口縁を平面視において取り囲む環状の下開口縁と、前記下開口縁から上方に延びる筒状の内周面とを含み、前記下開口縁が前記ガード開口縁よりも上方に位置するように配置された筒状の仕切板と、
   前記仕切板の内周面に向けて洗浄液を吐出することにより、前記下開口縁を経由して前記仕切板の内周面から前記ガードの傾斜面に流れる洗浄液の流れを形成する洗浄液ノズルとを含む、基板処理装置。
2. 前記仕切板の上方から前記仕切板の内部に気体を送る送風ユニットと、
   前記ガードの下部から前記ガード内の気体を排出する排気装置とをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記仕切板は、前記下開口縁よりも上方に配置されており、前記下開口縁よりも開口面積が広い環状の上開口縁をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記洗浄液ノズルは、前記仕切板の周方向に離れた前記仕切板の内周面内の複数の位置に向けて洗浄液を吐出する複数の吐出口を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記仕切板の上方から前記仕切板の内部に気体を送る送風ユニットと、
   前記送風ユニットから前記仕切板に向かう気流を整える整流板とをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記仕切板の内周面の少なくとも一部は、鉛直方向に対して上向きに傾いている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液ノズルを前記仕切板の内部で保持しており、前記仕切板の外部と前記仕切板の内部とを接続するアーム差込口に差し込まれたノズルアームと、
   前記ノズルアームを移動させることにより、前記処理液ノズルを移動させるノズル移動機構とをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記仕切板の内部で前記アーム差込口の周縁に沿って延びており、前記仕切板の内周面上を前記アーム差込口に向かって下方に流れる洗浄液を前記アーム差込口の側方に案内する液除けガイドをさらに含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記処理液ノズルを保持するノズルアームと、
   前記ノズルアームを移動させることにより、前記処理液ノズルを移動させるノズル移動機構と
   前記仕切板を上下方向に移動させることにより、前記ガードと前記仕切板とを上下方向に相対移動させる仕切板移動機構とをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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