TWI814177B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置具備：旋轉夾盤，其保持基板；及流體噴嘴，其與保持於上述旋轉夾盤之基板之主面對向配置。上述流體噴嘴包含：氣體噴出口，其自上述基板之主面之中心側朝周緣側放射狀噴出氣體；及氣體流路，其對上述氣體噴出口供給氣體，且具有沿相對於上述基板之主面交叉之方向之筒形狀。上述氣體流路具有：氣體滯留部，其之流路剖面積大於上述氣體流路中之其他部位；及整流構造，其於上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分，將上述氣體流路內之氣流整流。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置、與處理基板之基板處理方法。處理對象之基板包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence：電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
美國專利申請公開第2016/0214148號說明書中，揭示有自基板之中心朝周緣形成與基板之上表面平行之惰性氣流，由該惰性氣流覆蓋基板之上表面，藉此可抑制或防止液滴及水汽附著於基板之上表面。
為了效率良好地抑制處理液之液滴及水汽附著於基板之上表面，需要提高自噴出口噴出且自基板上表面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。因此，本發明之一個目的在於提供一種於自氣體噴出口放射狀噴出氣體之構成中，可提高氣體擴散之均一性之基板處理裝置及基板處理方法。
本揭示之一態樣提供一種基板處理裝置，具備：旋轉夾盤，其保持基板；及流體噴嘴，其與保持於上述旋轉夾盤之基板之主面對向配置。上述流體噴嘴包含：氣體噴出口，其自上述基板之主面之中心側朝向周緣側放射狀噴出氣體；及氣體流路，其對上述氣體噴出口供給氣體，且具有沿相對於上述基板之主面交叉之方向之筒形狀。且，上述氣體流路具有：氣體滯留部，其之流路剖面積大於上述氣體流路中之其他部位；及整流構造，其於上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分，將上述氣體流路內之氣流整流。
根據該構成，由於在氣體流路上，設有流路剖面積大於氣體流路之其他部位之氣體滯留部，故供給至氣體滯留部之氣體於氣體滯留部內分散。因此，降低供給至氣體滯留部內之氣體之流速，氣體流路之周向之各位置處之氣體之流速差減少。又，藉由氣體流路中設置於與氣體滯留部不同部分之整流構造，將氣體流路內之氣體整流。藉此，將氣體流路內之氣體之移動方向調整為朝向氣體噴出口之方向，減少氣體流路內之氣體流速之周向成分。因此，可提高自氣體噴出口噴出且自基板之主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。其結果，可由自氣體噴出口放射狀噴出之氣體，良好地保護基板之主面。
本揭示之一態樣中，上述流體噴嘴包含：複數個上述氣體噴出口、及分別將氣體引導至複數個上述氣體噴出口之複數個上述氣體流路。且，複數個上述氣體噴出口具有：第1氣體噴出口；及第2氣體噴出口，其設置於較上述第1氣體噴出口於上述交叉方向上更遠離上述基板之主面之位置。
根據該構成，除第1氣體噴出口外，進而自設置於較第1氣體噴出口更遠離基板之主面之位置之第2氣體噴出口噴出氣體，故可增厚自基板之主面之中心側朝向周緣側之氣體層。因此，可更良好地保護基板之主面。
本揭示之一態樣中，上述交叉方向上之上述第2氣體噴出口之寬度窄於上述交叉方向上之上述第1氣體噴出口之寬度。
有時因空氣自氣體噴出口進入氣體流路，使得氧及水蒸氣混入自氣體噴出口噴出之氣體。因氧及水蒸氣混入自氣體噴出口噴出之氣體中，而有基板之主面附近之氛圍中之氧濃度及濕度上升之虞。
若係於較氣體噴出口(第1氣體噴出口)更遠離基板之位置再設置一個氣體噴出口(第2氣體噴出口)之構成，則由自相對遠離基板之主面之氣體噴出口(第2氣體噴出口)噴出之氣體，抑制空氣進入相對接近基板之主面之氣體噴出口(第1氣體噴出口)。另一方面，由於未於較第2氣體噴出口更遠離基板之主面之位置再設置氣體噴出口，故不存在抑制空氣進入第2氣體噴出口之氣流。因此，藉由使交叉方向上之第2氣體噴出口之寬度窄於交叉方向上之第1氣體噴出口之寬度，可抑制空氣進入第2氣體噴出口。藉此，可抑制基板主面附近之氛圍中之氧濃度上升。藉此，可更良好地保護基板之主面。
本揭示之一態樣中，上述交叉方向上之上述第2氣體噴出口之寬度大於上述交叉方向上之上述第1氣體噴出口之寬度。
基板主面附近之氣壓相對較低之情形時，自相對較接近基板主面之第1氣體噴出口噴出之氣體於交叉方向上會被吸引至基板之主面側，有自第1氣體噴出口噴出之氣體之擴散均一性降低之虞。
因此，若藉由使第1氣體噴出口之寬度窄於第2氣體噴出口之寬度，提高自第1氣體噴出口噴出之氣體之線速度，則可抑制自第1氣體噴出口噴出之氣體被吸引至基板之主面。藉此，可提高自氣體噴出口噴出且自基板之主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
本揭示之一態樣中，具有複數個第1遮蔽部，其等於上述氣體流路之周向上互相隔開間隔設置，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動。
根據該構成，由周向上隔開間隔設置之複數個第1遮蔽部，遮蔽氣體向氣體流路之下游側移動。因此，通過周向上相鄰之2個第1遮蔽部彼此間時，減少氣體流速之周向成分。藉此，可使自氣體噴出口噴出之氣體之噴出方向接近氣體流路之半徑方向，故可進而提高自基板主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
本揭示之一態樣中，上述整流構造進而具有複數個第2遮蔽部，其等設置於較複數個上述第1遮蔽部更靠上述氣體流路之下游側，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動。且，上述周向上之複數個上述第2遮蔽部之位置相對於上述周向上之複數個上述第1遮蔽部之位置偏移。
藉由複數個第1遮蔽部，減少通過周向上相鄰之2個第1遮蔽部彼此間之氣體流速之周向成分，另一方面，於氣體流路上較複數個第1遮蔽部下游側，減少於與第1遮蔽部相同之周向位置流動之氣體流量。因此，若係於較複數個第1遮蔽部更靠氣體流路之下游側，遮蔽氣體向氣體流路下游側移動之複數個第2遮蔽部之周向位置相對於複數個第1遮蔽部之周向位置偏移之構成，則可減少於與第2遮蔽部相同之周向位置流動之氣體流量，藉此，可提高周向之各位置處之氣體流量之均一性。其結果，可進而提高氣體自基板主面之中心側朝向周緣側擴散之均一性。
又，除複數個第1遮蔽部以外，進而可藉由複數個第2遮蔽部減少氣體速度之周向成分。即，可以二個階段減少氣體速度之周向成分。藉此，可使自氣體噴出口噴出之氣體之噴出方向更接近氣體流路之半徑方向。
本揭示之一態樣中，上述氣體流路進而具有：於上述交叉方向上直線延伸之直線狀流路、及使上述直線狀流路之中途部彎曲之彎曲流路。藉由使直線狀流路於中途部彎曲，而降低氣體流速，減少氣體流路之周向之各位置處之氣體流速差。又，亦可將整流構造設置於彎曲流路。
本揭示之一態樣中，上述流體噴嘴進而包含噴嘴本體，其具有與上述基板之主面對向之對向面、及連結於上述對向面且供上述氣體噴出口開口之側面，於其內部形成有上述氣體流路。
根據該基板處理裝置，氣體噴出口形成於噴嘴本體中連結於與基板之主面對向之對向面之筒狀側面。因此，易使氣體自氣體噴出口放射狀擴散。
本揭示之一態樣中，上述流體噴嘴進而包含朝向上述基板之主面之中心噴出氣體之中心氣體噴出口。再者，於上述流體噴嘴之上述對向面，形成有朝遠離上述基板之主面之方向凹陷之圓錐台狀凹部，上述中心氣體噴出口位於上述凹部內。
根據該構成，由於中心氣體噴出口位於凹部內，故自中心氣體噴出口朝向基板主面之中心噴出之氣體於凹部內擴散。由於凹部形成為圓錐台狀，故可自凹部周緣之全域朝凹部之外側均等地擴散氣體。可提高自基板主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
本揭示之一態樣中，上述流體噴嘴進而包含位於上述凹部內，朝上述基板之主面噴出處理液之處理液噴出口。因此，藉由一面自處理液噴出口對基板之主面噴出處理液，一面自氣體噴出口噴出氣體，而可保護基板之主面上之處理液免受外部氛圍影響，且該氣體噴出口自流體噴嘴之側面開口。例如，可抑制外部氛圍所含之氧及水蒸氣溶入基板之主面上之處理液中。
又，藉由使氣體自中心氣體噴出口噴出，將處理液朝基板之周緣推開，而可自基板之周緣去除。由於自中心氣體噴出口噴出之氣體自凹部之周緣之全域向凹部外側均一擴散，故可將處理液自基板之主面良好地去除。
本揭示之一態樣中，上述噴嘴本體包含各自具有區劃上述氣體流路之表面之複數個流路區劃構件。根據該構成，由流路區劃構件之表面區劃氣體流路。因此，與於單一構件之內部形成氣體流路之構成相比，容易形成氣體流路。
本揭示之一態樣中，上述基板處理裝置進而具備氣體配管，其連接於上述流體噴嘴，自相對於上述基板之主面平行之方向對上述氣體流路供給氣體。
因此，自相對於基板之主面平行之方向供給至氣體流路之氣體於氣體流路內周向迴旋。由於在氣體流路中與氣體滯留部不同之部分設有整流構造，故將氣體流路內之氣體整流。藉此，可提高自基板主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
本揭示之另一態樣提供一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，其保持基板；處理液供給步驟，其對上述基板之上表面供給處理液；及氣流形成步驟，其至少於上述處理液供給步驟開始後，自流體噴嘴之氣體噴出口噴出氣體，形成自上述基板之上表面之中心側朝向周緣側之放射狀氣流，且該流體噴嘴具有：噴出氣體之氣體噴出口及對上述氣體噴出口供給氣體之氣體流路，於上述氣體流路設有：流路剖面積大於上述氣體流路中之其他部位之氣體滯留部、及上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分並將上述氣體流路內之氣流整流之整流構造。
根據該構成，發揮與上述基板處理裝置相同之效果。
本發明之上述或進而其他目之特徵及效果藉由以下隨附圖式敘述之實施形態之說明而明確。
＜基板處理裝置之構成＞ 圖1係用以說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之構成之俯視圖。
基板處理裝置1係對矽晶圓等基板W進行逐片處理之單片式裝置。本實施形態中，基板W為圓板狀基板。基板處理裝置1包含：複數個處理單元2，其等以處理液處理基板W；裝載埠LP，其供載置收容由處理單元2處理之複數塊基板W之載體CA；搬送機械手IR及CR，其於裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制器3，其控制基板處理裝置1。搬送機械手IR於載體CA與搬送機械手CR之間搬送基板W。搬送機械手CR於搬送機械手IR與處理單元2之間搬送基板W。複數個處理單元2例如具有相同構成。
處理單元2中，基板W具有一對主面，且以將任一個主面朝向上方之姿勢進行處理。一對主面中之至少一面為形成有電路圖案之器件面。一對主面中之一面亦可為未形成電路圖案之非器件面。
電路圖案例如可為由細微之溝槽形成之線狀圖案，亦可藉由設置複數個細微孔(空隙或細孔)而形成。
圖2係用以說明處理單元2之構成例之圖解剖視圖。處理單元2具備：旋轉夾盤5，其一面將一塊基板W以水平姿勢保持，一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直旋轉軸線A1旋轉；加熱器單元6，其自下表面(下方側之主面)側將基板W加熱；筒狀處理杯7，其包圍旋轉夾盤5；藥液噴嘴9，其對基板W之上表面供給氫氟酸等藥液；清洗液噴嘴10，其對基板W之上表面(上方側之主面)供給去離子水(DIW，deionized water)等清洗液；下表面噴嘴11，其對基板W之下表面供給處理流體；及流體噴嘴12，其對基板W之上表面供給氮氣(N 2)等氣體及IPA(iso-Propylalcohol：異丙醇)等低表面張力液體。低表面張力液體為表面張力低於DIW等清洗液之液體。
處理單元2進而包含收容處理杯7之腔室13(參照圖1)。雖省略圖示，但於腔室13形成用以搬入/搬出基板W之搬入/搬出口，且具備將上述搬入/搬出口開閉之擋板單元。
旋轉夾盤5一面將基板W保持於特定之保持位置一面使基板W旋轉。具體而言，旋轉夾盤5包含：複數根夾盤銷20，其等固持基板W；旋轉基座21，其支持複數根夾盤銷20；旋轉軸22，其與旋轉基座21之下表面中央連結；及旋轉馬達23，其對旋轉軸22施加旋轉力。
旋轉軸22沿旋轉軸線A1於鉛直方向延伸，本實施形態中為中空軸。旋轉基座21具有沿水平方向之圓盤形狀，與旋轉軸22之上端連結。複數根夾盤銷20於旋轉基座21之周向上互相空出間隔地配置於旋轉基座21之上表面之周緣部。複數根夾盤銷20可於與基板W之周緣部接觸而固持基板W之閉位置、與自基板W之周緣部退避之開位置之間移動。複數根夾盤銷20位於開位置時，與基板W之周緣部之下表面接觸，自下方支持基板W。
複數根夾盤銷20由夾盤銷驅動單元25驅動開閉。夾盤銷驅動單元25例如包含內置於旋轉基座21之連桿機構26、及配置於旋轉基座21外之驅動源27。驅動源27例如包含滾珠螺桿機構、與對其施加驅動力之電動馬達。
加熱器單元6具有圓板狀加熱板之形態。加熱器單元6配置於旋轉基座21之上表面與基板W之下表面之間。
加熱器單元6包含板本體60及加熱器61。板本體60於俯視時略小於基板W。板本體60之上表面構成加熱面6a。加熱器61可為內置於板本體60中之電阻體。藉由對加熱器61通電而將加熱面6a加熱。
沿旋轉軸線A1於鉛直方向延伸之升降軸62與加熱器單元6之下表面連結。升降軸62插入至形成於旋轉基座21之中央部之貫通孔21a與中空之旋轉軸22。電線63穿過升降軸62內。
自加熱器通電單元64經由供電線63對加熱器61供給電力。加熱器通電單元64例如為電源。加熱器單元6藉由加熱器升降單元65而升降。
加熱器升降單元65例如包含對升降軸62進行升降驅動之電動馬達或氣缸等致動器(未圖示)。加熱器升降單元65亦稱為加熱器升降機。
加熱器升降單元65使加熱器單元6經由升降軸62升降。加熱器單元6藉由加熱器升降單元65升降，可位於下位置及上位置。加熱器升降單元65不僅可將加熱器單元6配置於下位置及上位置，亦可將其配置於下位置及上位置間之任意位置。
加熱器單元6上升時，可自位於開位置之複數根夾盤銷20接收基板W。加熱器單元6藉由加熱器升降單元65，配置於與基板W之下表面接觸之接觸位置、或不接觸而接近基板W之下表面之接近位置，藉此可藉由來自加熱面6a之輻射熱將基板W加熱。藉由使加熱器單元6位於接觸位置，可藉由來自加熱面6之熱傳導而以更大之熱量將基板W加熱。
處理杯7接收自保持於旋轉夾盤5之基板W飛散之液體。處理杯7包含：複數個防護件30，其等接住自保持於旋轉夾盤5之基板W朝外側飛散之液體；複數個杯31，其等接住由複數個防護件30朝下方引導之液體；及圓筒狀外壁構件32，其包圍複數個防護件30及複數個杯31。本實施形態中，顯示設有2個防護件30與2個杯31之例。
各防護件30各自具有大致圓筒形狀。各防護件30之上端部以朝向旋轉基座21之方式朝內側傾斜。複數個杯31分別配置於複數個防護件30之下方。杯31形成接住由防護件30朝下方引導之處理液之環狀受液槽。
各防護件30藉由防護件升降單元33個別升降。防護件升降單元33使各防護件30位於上位置至下位置之任意位置。圖2係顯示2個防護件30均配置於下位置之狀態。上位置係防護件30之上端配置於較配置保持於旋轉夾盤5之基板W之保持位置更上方之位置。下位置係防護件30之上端配置於較保持位置更下方之位置。
防護件升降單元33例如包含：分別與複數個防護件30連結之複數個滾珠螺桿機構(未圖示)、及對各滾珠螺桿機構施加驅動力之複數個馬達(未圖示)。防護件升降單元33亦稱為防護件升降機。
對旋轉之基板W供給液體時，至少一個防護件30配置於上位置。若於上述狀態下，對基板W供給液體，則液體自基板W朝外側甩開。被甩開之液體和與基板W水平對向之防護件30之內表面碰撞，而被引導至與上述防護件30對應之杯31。搬入及搬出基板W時，搬送機械手CR(參照圖1)接取旋轉夾盤5時，所有防護件30皆位於下位置。
藥液噴嘴9於本實施形態中係可於水平方向移動之移動噴嘴。藥液噴嘴9藉由第1噴嘴移動單元35於水平方向移動。藥液噴嘴9於水平方向上，可於中心位置與起始位置(退避位置)之間移動。藥液噴嘴9位於中心位置時，與基板W之上表面之旋轉中心對向。基板W之上表面之旋轉中心係基板W之上表面中與旋轉軸線A1交叉之位置。藥液噴嘴9位於起始位置時，不與基板W之上表面對向，俯視時位於處理杯7之外側。
藥液噴嘴9連接於將藥液引導至藥液噴嘴9之藥液配管40。於藥液配管40介裝有將藥液配管40內之流路開閉之藥液閥50。當打開藥液閥50時，藥液自藥液噴嘴9之噴出口朝下方以連續流體噴出。藥液噴嘴9位於中心位置時，打開藥液閥50後，對基板W之上表面中包含旋轉中心之中央區域供給藥液。
藥液噴嘴9亦可與本實施形態不同，為水平位置及鉛直位置固定之固定噴嘴。又，藥液噴嘴9亦可與本實施形態不同，具有可將液體與氣體混合噴出之雙流體噴嘴之形態。
自藥液噴嘴9噴出之藥液之具體例為蝕刻液及洗淨液。更具體而言，藥液可為氫氟酸、APM液(氨水過氧化氫水混合液)、HPM液(鹽酸過氧化氫水混合液)、緩衝氫氟酸(氫氟酸與氟化銨之混合液)等。
清洗液噴嘴10於本實施形態中，係以向基板W之上表面之旋轉中心噴出清洗液之方式配置之固定噴嘴。於清洗液噴嘴10，介裝有將清洗液配管41內之流路開閉之清洗液閥51。當打開清洗液閥51時，自清洗液噴嘴10之噴出口朝下方以連續流體噴出清洗液，將其供給至基板W之上表面之中央區域。清洗液噴嘴10未必為固定噴嘴，亦可為至少於水平方向移動之移動噴嘴。
自清洗液噴嘴10噴出之清洗液不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、過氧化氫水、臭氧水、稀釋氨水(例如10 ppm以上100 ppm以下左右)及稀釋濃度(例如10 ppm以上100 ppm以下左右)之鹽酸水中之任一者。
下表面噴嘴11插入至中空之升降軸62，進而貫通加熱器單元6。下表面噴嘴11之上端具有與基板W之下表面之中央區域對向之噴出口11a。於下表面噴嘴11，連接有將處理流體引導至下表面噴嘴11之流體配管42。於下表面噴嘴11，介裝有將流體配管42內之流路開閉之流體閥52。當打開流體閥52時，自下表面噴嘴11之噴出口11a朝上方以連續流體噴出處理流體，將其供給至基板W之下表面之中央區域。所供給之處理流體可為液體，亦可為氣體。
流體噴嘴12藉由第2噴嘴移動單元36，於水平方向及鉛直方向移動。流體噴嘴12藉由水平方向之移動，而可於與基板W之上表面之旋轉中心對向之中心位置、及不與基板W之上表面對向之起始位置(退避位置)之間移動。因此，流體噴嘴12可位於與保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面對向之位置。
不與基板W之上表面對向之起始位置為俯視時，旋轉基座21之外側位置，更具體而言，亦可為處理杯7之外側之位置。流體噴嘴12藉由往鉛直方向之移動，可接近基板W之上表面，或自基板W之上表面退避至上方。
第2噴嘴移動單元36例如包含：沿鉛直方向之旋轉軸36a、與旋轉軸36a連結且水平延伸之臂36b、及驅動臂36b之臂驅動機構36c。臂驅動機構36c藉由使旋轉軸36a繞鉛直旋轉軸線旋動，而使臂36b搖動，藉由使旋轉軸36a沿鉛直方向升降，而使臂36b上下移動。流體噴嘴12固定於臂36b。根據臂36b之搖動及升降，流體噴嘴12於水平方向及鉛直方向移動。臂驅動機構36c例如包含電動馬達或氣缸等致動器(未圖示)。
流體噴嘴12於本實施形態中，具有作為噴出低表面張力液體之低表面張力液體噴嘴(處理液噴嘴)之功能、及作為噴出氣體之氣體噴嘴之功能。低表面張力液體配管43(處理液配管)、中心氣體配管44及複數個側方氣體配管45(第1側方氣體配管45A及第2側方氣體配管45B)與流體噴嘴12連結。
於低表面張力液體配管43，介裝有將其流路開閉之低表面張力液體閥53(處理液閥)。於中心氣體配管44，介裝有將其流路開閉之中心氣體閥54。於複數個側方氣體配管45，分別介裝有複數個側方氣體閥55(第1側方氣體閥55A及第2側方氣體閥55B)。各側方氣體配管45內之流路由對應之側方氣體閥55開閉。
於中心氣體配管44，除中心氣體閥54外，進而介裝有用以正確調節於中心氣體配管44內之流路流動之氣體流量之質流控制器56。於第1側方氣體配管45A，除第1側方氣體閥55A外，進而介裝有用以調節於第1側方氣體配管45A內流動之氣體流量之第1流量可變閥57A。於第2側方氣體配管45B，除第2側方氣體閥55B外，進而介裝有用以調節於第2側方氣體配管45B內之流路流動之氣體流量之第2流量可變閥57B。再者，於各氣體配管(中心氣體配管44及複數個側方氣體配管45)，分別介裝有用以去除異物之過濾器58。
流體噴嘴12包含：低表面張力液體噴出口(處理液噴出口)70，其朝下方以連續流體噴出自低表面張力液體配管43供給之低表面張力液體；中心氣體噴出口71，其朝下方直線狀噴出自中心氣體配管44供給之氣體；及複數個側方氣體噴出口72(第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B)，其等朝水平方向放射狀噴出自對應之側方氣體配管45供給之氣體。自複數個側方氣體噴出口72噴出之氣體形成與基板W之上表面平行流動之氣流即平行氣流100(參照圖3)。第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B皆為氣體噴出口之一例。
自流體噴嘴12噴出之低表面張力液體例如為IPA等有機溶劑。作為低表面張力液體發揮功能之有機溶劑例如包含含有IPA、HFE(氫氟醚，hydrofluoroether)、甲醇、乙醇、丙酮、PGEE(丙二醇乙醚，propylene glycol monoethyl ether)及反式-1,2-二氯乙烯中之至少一者之液體。
作為低表面張力液體發揮功能之有機溶劑無須僅包含單體成分，亦可為與其他成分混合之液體。例如，可為IPA與DIW之混合液，亦可為IPA與HFE之混合液。
自流體噴嘴12噴出之氣體不限於氮氣。自流體噴嘴12噴出之氣體亦可為空氣。又，自流體噴嘴12噴出之氣體亦可為氮氣以外之惰性氣體。惰性氣體不限於氮氣，而為相對於基板W之上表面呈惰性之氣體。作為惰性氣體之例，除氮氣外，進而列舉氬氣等稀有氣體類。
接著，使用圖3～圖9，針對流體噴嘴12之構成進行說明。圖3係用以說明流體噴嘴12之構成例之模式性俯視圖。圖3係顯示流體噴嘴12位於中心位置之狀態。
參照圖3，流體噴嘴12位於中心位置時，中心氣體噴出口71與基板W之上表面之中心C對向。通常，基板W之上表面之中心C與基板W之上表面之旋轉中心一致。即，通過基板W之上表面之中心C之鉛直中心軸線A2與旋轉軸線A1一致。流體噴嘴12位於中心位置時，各側方氣體噴出口72自基板W之上表面之中心側向周緣側放射狀噴出氣體。以下，未特別說明之情形時，以流體噴嘴12位於中心位置為前提，針對流體噴嘴12之構成進行說明。
圖4係沿圖3所示之IV-IV線之剖視圖。圖5係圖4所示之V區域之放大圖。圖6係沿圖4所示之VI-VI線之剖視圖。圖7係沿圖4所示之VII-VII線之剖視圖。圖8係沿圖4所示之VIII-VIII線之剖視圖。圖9係沿圖4所示之IX-IX線之剖視圖。
參照圖4，流體噴嘴12包含：噴嘴本體75，其具有於鉛直方向延伸之大致圓柱形狀；複數個氣體流路76(第1氣體流路76A及第2氣體流路76B)，其等對複數個側方氣體噴出口72(第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B)分別供給(引導)氣體；及複數個氣體流入口77(第1氣體流入口77A及第2氣體流入口77B)，其等使氣體自對應之側方氣體配管45流入至複數個氣體流路76各者。各側方氣體配管45於水平方向(與基板W之上表面平行之方向)延伸，插入至對應之氣體流入口77。
噴嘴本體75具有底面(下表面)75a、及連結於底面75a且於鉛直方向延伸之大致圓筒狀側面75b。底面75a為於流體噴嘴12位於中心位置之狀態下，與基板W之上表面對向之對向面。複數個側方氣體噴出口72及複數個氣體流路76形成於噴嘴本體75內。
各氣體流路76具有沿鉛直方向之大致圓筒形狀。第2氣體流路76B於較第1氣體流路76A更外側與第1氣體流路76A同軸設置。第1氣體流路76A及第2氣體流路76B繞其中心線A3旋轉對稱。流體噴嘴12位於中心位置時，氣體流路76之中心線A3與旋轉軸線A1及中心軸線A2一致。
第1側方氣體噴出口72A具有俯視圓環形狀，自側面75b之下端部開口。第2側方氣體噴出口72B具有俯視圓環形狀，於側面75b中設置於較第1側方氣體噴出口72A更遠離基板W之上表面之位置(離開底面75a之位置)。自各側方氣體噴出口72噴出之氣體向側面75b之外側放射狀擴散。於複數個側方氣體噴出口72，分別連接有複數個氣體流路76。
第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B皆繞基板W之中心軸線A2(氣體流路76之中心線A3)旋轉對稱。換言之，第2側方氣體噴出口72B與第1側方氣體噴出口72A位於同軸上。側面75b無須全體為圓筒狀，亦可為側面75b中僅複數個側方氣體噴出口72開口之區域構成圓筒面。
相對於基板W之上表面交叉之方向D1(典型而言為鉛直方向)上之第1側方氣體噴出口72A之寬度W1，大於相對於基板W之上表面交叉方向D1(典型而言為鉛直方向)上之第2側方氣體噴出口72B之寬度W2。寬度W1例如為3 mm以上4 mm以下，寬度W2例如為2 mm以上3 mm以下。
各側方氣體噴出口72由形成於噴嘴本體75之內部之一對噴出口區劃面78(上側噴出口區劃面78A及下側噴出口區劃面78B)區劃。各氣體流路76由形成於噴嘴本體75之內部之一對流路區劃面79(內側流路區劃面79A及外側流路區劃面79B)區劃。一對流路區劃面79與一對噴出口區劃面78各者連結。
於噴嘴本體75之底面75a，形成有使噴嘴本體75凹陷之大致圓錐台狀凹部75c。凹部75c朝離開基板W之上表面之方向(交叉方向D1，典型而言為鉛直方向)凹陷。
於噴嘴本體75之中央部，與中心線A3平行地插入有中心氣體配管44及低表面張力液體配管43，中心氣體配管44及低表面張力液體配管43之下端部位於噴嘴本體75之凹部75c。中心氣體配管44之下端部構成中心氣體噴出口71。低表面張力液體配管43之下端部構成低表面張力液體噴出口70。中心氣體噴出口71及低表面張力液體噴出口70位於凹部75c內。低表面張力液體噴出口70位於中心氣體噴出口71之側方。
各氣體流路76具有相同構成。因此，以下參照將圖4之第1氣體流路76A之周邊放大顯示之圖5，針對氣體流路76之細節進行說明。各氣體流路76包含：氣體滯留部80，其流路剖面積大於氣體流路76之其他部位，使氣體G滯留於其內部；狹小流路81，其將氣體滯留部80及對應之側方氣體噴出口72連結，流路剖面積小於氣體滯留部80；及整流構造82，其設置於狹小流路81(氣體流路76中與氣體滯留部80不同之部分)，將氣體流路76之氣流整流。
流路剖面積為沿相對於沿氣體流路76之方向(流路方向)正交方向之剖面之面積。氣體滯留部80之流路剖面積CA1為沿水平方向之氣體流路76之剖面積。
第1實施形態中，狹小流路81包含：直線狀流路85，其將氣體滯留部80之下游端及對應之側方氣體噴出口72之上游端連接，於相對於繞氣體流路76之中心線A3之周向CD交叉之方向D1(典型而言為正交方向，亦為鉛直方向)直線延伸；及彎曲流路86，其使直線狀流路85之中途部彎曲。直線狀流路85包含：上游直線狀流路87，其連接於氣體滯留部80之下游端及彎曲流路86之上游端，於交叉方向直線延伸；及下游直線狀流路88，其連接於對應之側方氣體噴出口72及彎曲流路86之下游端，於交叉方向D1直線延伸。彎曲流路86為於水平方向擴展之俯視圓環狀流路。
整流構造82包含：複數個第1遮蔽部90，其等遮蔽氣體向氣體流路76之下游側移動；及複數個第2遮蔽部91，其等設置於較複數個第1遮蔽部90更靠氣體流路76之下游側，遮蔽氣體向氣體流路76之下游側移動。第1實施形態中，複數個第1遮蔽部90設置於上游直線狀流路87，複數個第2遮蔽部91設置於下游直線狀流路88。
參照圖6，複數個第1遮蔽部90於周向CD上互相隔開間隔設置。上游直線狀流路87內之氣體G(參照圖8)通過相鄰之第1遮蔽部90間之間隙(第1整流電路95)流向下游側。參照圖7，複數個第2遮蔽部91亦於周向CD上互相隔開間隔設置。下游直線狀流路88內之氣體G(參照圖8)通過相鄰之第2遮蔽部91間之間隙(第2整流電路96)流向下游側。
參照圖8，周向CD上之複數個第2遮蔽部91之位置(第2遮蔽部91之周向相位)相對於周向CD上之複數個第1遮蔽部90之位置(第1遮蔽部90之周向相位)偏移。換言之，複數個第2遮蔽部91之周向相位與複數個第1遮蔽部90之周向相位不同。相鄰之第1遮蔽部90之間之第1整流流路95為沿交叉方向D1之直線狀。相鄰之第2遮蔽部91之間之第2整流流路96為沿交叉方向D1之直線狀。周向CD上之複數個第2整流流路96之位置相對於周向CD上之複數個第1整流流路95之位置偏移。換言之，複數個第2整流電路96之周向相位與複數個第1整流流路95之周向相位不同。
藉由使用此種流體噴嘴12，發揮以下效果。各氣體流入口77使氣體G自氣體流路76之周向CD(與基板W之上表面平行之方向)，流入至對應之氣體流路部76之氣體滯留部80(參照圖5)。供給至氣體滯留部80之氣體G如圖9所示，沿周向CD於氣體滯留部80內形成迴旋氣流TG。氣體滯留部80之流路剖面積CA1大於氣體流路76之其他部位之流路剖面積CA2，即，氣體滯留部80之內部為寬大之空間。因此，氣體G於氣體滯留部80內分散。因此，供給至氣體滯留部80內之氣體G之流速降低，氣體流路76之周向CD之各位置處之氣體G之流速差減少。即，流入至氣體滯留部80之氣體滯留在氣體滯留部80內。
氣體滯留部80內之氣體G自其下游端流入狹小流路81。於狹小流路81內流動之氣體G由整流構造82整流，氣體G之流速之周向成分減少。藉此，氣體G之移動方向被調整為沿氣體流路76之方向。詳細而言，由於由複數個第1遮蔽部90在周向CD上擋住上游直線狀流路87之一部分，故通過周向CD上相鄰之2個第1遮蔽部90彼此之間(第1整流流路95)時，氣體流速之周向成分減少。
通過第1整流流路95之氣體G之流速之周向成分減少，另一方面，於氣體流路76中較複數個第1遮蔽部90更下游側，於與第1遮蔽部90相同之周向位置流動之氣體G之流量減少。第1實施形態中，較複數個第1遮蔽部90更靠氣體流路76之下游側，遮蔽氣體G向氣體流路76之下游側移動之複數個第2遮蔽部91配置於周向CD上相對於複數個第1遮蔽部90偏移之位置。因此，可減少於與第2遮蔽部91相同之周向位置流動之氣體G之流量，藉此，可提高周向CD之各位置處之氣體G之流量之均一性。又，藉由複數個第1遮蔽部90及複數個第2遮蔽部91，以二個階段減少氣體G之速度之周向成分。藉此，可使於氣體流路76流動之氣體G之移動方向更接近半徑方向RD。
氣體於狹小流路81流動時，自上游直線狀流路87流入至彎曲流路86。此時，氣體與流路區劃面79中區劃彎曲流路86之部分碰撞，氣體流速降低。藉此，進而減少周向CD之各位置處之氣體之流速差。通過狹小流路81內之氣體自對應之側方氣體噴出口72放射狀噴出。
如此，藉由氣體滯留部80及彎曲流路86，降低氣體流速，減少周向CD上之氣體之流速差。因此，可提高自對應之側方氣體噴出口72噴出且自基板W之上表面之中心側朝向周緣側之氣體G之擴散(平行氣流100)均一性。藉由整流構造82，減少氣體流速之周向成分，將來自側方氣體噴出口72之氣體之噴出方向調整為沿氣體流路76之方向(此處為半徑方向RD)。其結果，可良好地保護基板W之上表面。
氣體滯留部80設置於氣體流路76之最上游側(較狹小流路81更上游側)。因此，可充分確保由氣體滯留部80降低流速後之氣體G流動之流路。因此，易將氣體G整流為期望之方向。
除第1側方氣體噴出口72A外，亦自設置於較第1側方氣體噴出口72A更遠離基板W之上表面之位置之第2側方氣體噴出口72B噴出氣體，故可增厚自基板W之上表面之中心側朝向周緣側之氣體層(平行氣流100)。因此，可更良好地保護基板之W之上表面。
側方氣體噴出口72於噴嘴本體75中形成於連結於與基板W之上表面對向之底面75a之筒狀側面75b。因此，易自側方氣體噴出口72放射狀擴散氣體。
由於中心氣體噴出口71位於凹部75c內，故自中心氣體噴出口71向基板W之上表面之中心C噴出之氣體於凹部75c內擴散，充滿基板W之上表面與凹部75c之間。由於凹部75c形成為圓錐台狀，故可使氣體自凹部75c之周緣之全域向凹部75c之外側均等地擴散。可提高自基板W之上表面之中心C側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
圖10係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。控制器3具備微電腦，按照特定之控制程式，控制配備於基板處理裝置1之控制對象。
具體而言，控制器3包含處理器(CPU(Central Processing Unit：中央處理單元))3A、及存儲控制程式之記憶體3B。控制器3構成為藉由使處理器3A執行控制程式，而執行用於基板處理之各種控制。
尤其，控制器3以控制搬送機械手IR、CR、旋轉馬達23、第1噴嘴移動單元35、第2噴嘴移動單元36、加熱器通電單元64、加熱器升降單元65、防護件升降單元33、夾盤銷驅動單元25、藥液閥50、清洗液閥51、流體閥52、低表面張力液體閥53、中心氣體閥54、側方氣體閥55、質流控制器56、第1流量可變閥57A、第2流量可變閥57B之方式編程。由控制器3控制閥，藉此可控制有無來自對應之噴嘴之流體噴出，或來自對應之噴嘴之流體之噴出流量。
以下各步驟藉由由控制器3控制該等構成而執行。換言之，控制器3以執行以下各步驟之方式編程。
圖11係用以說明基板處理裝置1之基板處理之一例之流程圖，主要顯示藉由使控制器3執行動作程式而實現之處理。基板處理裝置1之基板處理中，例如如圖11所示，依序執行藥液處理(步驟S1)、清洗處理(步驟S2)、低表面張力液體處理(步驟S3)、乾燥處理(步驟S4)。
以下，針對由基板處理裝置1執行之基板處理，主要參照圖2及圖11進行說明。
未處理之基板W藉由搬送機械手IR、CR，自載體CA搬入至處理單元2，移交給旋轉夾盤5(基板搬入步驟)。此時，加熱器單元6配置於下位置。又，夾盤銷驅動單元25使夾盤銷20移動至開位置。於該狀態下，搬送機械手CR將基板W移交給旋轉夾盤5。其後，基板W保持於旋轉夾盤5上直至由搬送機械手CR搬出為止(基板保持步驟)。其後，夾盤銷驅動單元25使複數根夾盤銷20移動至閉位置。藉此，由複數根夾盤銷20固持基板W。
搬送機械手CR退避至處理單元2外之後，開始藥液處理(步驟S1)。控制器3驅動旋轉馬達23，使旋轉基座21以特定之藥液旋轉速度旋轉。另一方面，第1噴嘴移動單元35將藥液噴嘴9配置於基板W上方之藥液處理位置。藥液處理位置可為中心位置。接著，打開藥液閥50。藉此，自藥液噴嘴9向旋轉狀態之基板W之上表面供給氫氟酸等藥液。供給之藥液因離心力而遍佈基板W之整面。
一定時間之藥液處理後，藉由將基板W上之藥液置換為DIW等清洗液，而執行用以將藥液自基板W上去除之清洗處理(步驟S2)。具體而言，關閉藥液閥50，取而代之，打開清洗液閥51。藉此，自清洗液噴嘴10向旋轉狀態之基板W之上表面供給清洗液。供給之清洗液因離心力而遍佈基板W之整面。由上述清洗液沖洗基板W上之藥液。於該期間，第1噴嘴移動單元使藥液噴嘴9自基板W之上方退避至處理杯7之側方。
一定時間之清洗處理後，執行將基板W上之清洗液置換為IPA等低表面張力液體之低表面張力液體處理(步驟S3)。圖12A～圖12D係用以說明由基板處理裝置1執行之基板處理之低表面張力液體處理之狀況之模式圖。以下，除圖2及圖11外，亦適當參照圖12A～圖12D。
具體而言，第2噴嘴移動單元36使流體噴嘴12移動至基板W上方之低表面張力液體處理位置。低表面張力液體處理位置亦可為自配備於流體噴嘴12之低表面張力液體噴出口70噴出之低表面張力液體著液於基板W之上表面之旋轉中心之位置。
接著，關閉清洗液閥51，停止自清洗液噴嘴10噴出清洗液。於停止自清洗液噴嘴10噴出清洗液之狀態下，打開第1側方氣體閥55A及第2側方氣體閥55B。藉此，自流體噴嘴12之第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B，自基板W之中心C側向周緣側放射狀噴出氣體(氣體噴出步驟)。藉此，如圖12A所示，形成平行氣流100，由該平行氣流100覆蓋基板W之上表面之全域(正確而言，為俯視時流體噴嘴12之外側區域)(氣流形成步驟、上表面被覆步驟)。
於該狀態下，打開低表面張力液體閥53。藉此，自流體噴嘴12(低表面張力液體噴出口70)向旋轉狀態之基板W之上表面供給低表面張力液體(低表面張力液體供給步驟、處理液供給步驟)。供給之低表面張力液體因離心力遍佈基板W整面，而置換基板W上之清洗液。藉此，於基板W之上表面形成低表面張力液體之液膜110(液膜形成步驟)。
低表面張力液體處理中，旋轉馬達23將旋轉夾盤5之旋轉減速，停止基板W之旋轉。接著，關閉低表面張力液體閥53，停止供給低表面張力液體。藉此，如圖12B所示，成為液膜110支持於靜止狀態之基板W上之浸置狀態。於停止旋轉之狀態下，夾盤銷驅動單元25使複數根夾盤銷20移動至開位置，加熱器升降單元65使加熱器單元6向基板W上升。藉此，加熱器單元6自複數根夾盤銷20接收基板W。加熱器單元6以抬起基板W之狀態進行加熱。藉由基板W之加熱，與基板W之上表面相接之低表面張力液體之一部分蒸發，藉此，於液膜110與基板W之上表面之間形成氣相層。將由該氣相層支持之狀態之液膜110去除。較佳為氣相層以低表面張力液體不進入基板W之上表面之電路圖案之凹部(溝槽、細微孔)之厚度形成。如此，可降低作用於電路圖案之低表面張力液體之表面張力。
去除低表面張力液體之液膜110時，第2噴嘴移動單元36使流體噴嘴12移動至中心位置。且，打開中心氣體閥54。藉此，如圖12C所示，自中心氣體噴出口71向基板W上之液膜110直線狀噴出氣體(垂直氣體噴出步驟)。於接收氣體噴出之位置，即基板W之中心C上，由氣體去除液膜110，於液膜110之中央形成使基板W之上表面露出之開口111(開口形成步驟)。向基板W之上表面供給之氣體形成沿基板W之上表面放射狀擴散之平行氣流101。如圖12D所示，藉由繼續自中心氣體噴出口71噴出氣體，由平行氣流101將低表面張力液體向基板W之周緣推開，而擴大開口111。藉由擴大開口111，將基板W上之低表面張力液體向基板W外排出(開口擴大步驟、液膜去除步驟)。
如此，結束低表面張力液體處理後，旋轉馬達23使基板W以乾燥旋轉速度高速旋轉。藉此，進行用以利用離心力將基板W之液體成分甩開之乾燥處理(步驟S4)。
其後，第2噴嘴移動單元36使流體噴嘴12退避，再者，旋轉馬達23使旋轉夾盤5之旋轉停止。又，加熱器升降單元65使加熱器單元6移動至下位置。再者，夾盤銷驅動單元25使夾盤銷20移動至開位置。其後，亦參照圖1，搬送機械手CR進入處理單元2，自旋轉夾盤5拾取已處理之基板W，將其搬出至處理單元2外(基板搬出步驟)。將上述基板W自搬送機械手CR移交給搬送機械手IR，由搬送機械手IR將其收納於載體CA。
圖12A～圖12D所示之低表面張力液體處理中，於形成有平行氣流100之狀態下，開始自流體噴嘴12供給低表面張力液體，但無須於供給低表面張力液體之前，自第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B噴出氣體。即，可於噴出氣體之前先開始噴出低表面張力液體，亦可於低表面張力液體噴出結束後，即，形成浸置狀態後，開始自第1側方氣體噴出口72A及第2側方氣體噴出口72B噴出氣體。
若使用第1實施形態之流體噴嘴12，則如上所述，自第1側方氣體噴出口72A噴出氣體，可提高自基板W之上表面之中心C側朝向周緣側之氣體(平行氣流100)之擴散均一性。其結果，可由自第1側方氣體噴出口72A放射狀噴出之氣體，良好地保護基板W之上表面。
此處，有時因空氣自側方氣體噴出口72進入對應之氣體流路76，使得氧及水蒸氣混入至自側方氣體噴出口72噴出之氣體中。有因氧及水蒸氣混入至自側方氣體噴出口72噴出之氣體中，導致基板W之上表面附近氛圍中之氧濃度及濕度上升之虞。
第1實施形態之流體噴嘴12中，於較第1側方氣體噴出口72A更遠離基板W之位置，進而設有一個第2側方氣體噴出口72B。因此，與第1側方氣體噴出口72A同樣，自第2側方氣體噴出口72B噴出氣體，可提高自基板W之上表面之中心C側朝向周緣部之氣體(平行氣流100)之擴散均一性。
由於設有第2側方氣體噴出口72B，故藉由自相對遠離基板W之上表面之第2側方氣體噴出口72B噴出之氣體，抑制空氣進入相對接近基板W之上表面之第1側方氣體噴出口72A。另一方面，由於未於較第2側方氣體噴出口72B更遠離基板W之上表面之位置設置側方氣體噴出口72，故不存在抑制空氣進入第2側方氣體噴出口72B之氣流。因此，藉由使交叉方向D1上之第2側方氣體噴出口72B之寬度W2窄於交叉方向D1上之第1側方氣體噴出口72A之寬度W1，可抑制空氣進入第2側方氣體噴出口72B。藉此，可抑制基板W之上表面附近氛圍中之氧濃度及濕度上升。
其結果，可抑制氧溶入基板W上之低表面張力液體及水混入基板W上之低表面張力液體。因水混入低表面張力液體，作用於電路圖案之表面張力會增大。因此，可抑制形成於基板W之上表面之電路圖案之不期望之氧化、及電路圖案倒塌。
又，如上所述，由於中心氣體噴出口71位於圓錐台狀凹部75c內，故自中心氣體噴出口71噴出之氣體易放射狀均一擴散。因此，可使液膜110朝基板W之周緣均等地擴散。因此，可自基板W之上表面良好地去除低表面張力液體(處理液)。
接著，參照圖13～圖17，針對第1實施形態之流體噴嘴12之整流構造82之第1變化例～第4變化例進行說明。例如，如圖13所示，亦可為周向CD上之第1整流流路95之寬度朝向流路方向之下游側(交叉方向D1之下側)變窄。同樣地，亦可為周向CD上之第2整流電路96之寬度朝向流路方向之下游側(交叉方向D1之下側)變窄。
又，如圖14及圖15所示，亦可為第1整流流路95具有沿流路方向(交叉方向D1)之圓筒狀，第2整流流路96具有沿流路方向(交叉方向D1)之圓筒狀。該情形時，相鄰之第1遮蔽部90之周向端部連結，複數個第1遮蔽部90整體上構成形成有複數個貫通孔(第1整流流路95)之遮蔽板。雖省略圖示，但相鄰之第2遮蔽部91之周向端部連結，複數個第2遮蔽部91整體上構成形成有複數個貫通孔(第2整流流路96)之遮蔽板。
又，如圖16所示，第1遮蔽部90亦可具有於半徑方向RD上直線延伸之直線葉片形狀。又，如圖17所示，第1遮蔽部90亦可具有以半徑方向RD之外側端位於較內側端更靠周向CD之一側之方式彎曲之彎曲葉片形狀。第2遮蔽部91亦可與第1遮蔽部90同樣具有葉片形狀。
＜第2實施形態＞ 圖18係用以說明配備於第2實施形態之基板處理裝置1P之處理單元2之流體噴嘴12P之構成例的模式性剖視圖。圖19係圖18所示之XIX區域之放大圖。圖18及圖19中，對於與上述圖1～圖17所示之構成相同之構成，標注與圖1等相同之參照符號，省略其說明。
第2實施形態之基板處理裝置1P除流體噴嘴12P外，具有與第1實施形態之基板處理裝置1相同之構成。第2實施形態之流體噴嘴12P與第1實施形態之流體噴嘴12之主要不同點在於，狹小流路81包含複數個彎曲流路86(參照圖19)。流體噴嘴12P之狹小流路81包含：直線狀流路85，其連接氣體滯留部80之下游端及對應之側方氣體噴出口72之上游端；及複數條彎曲流路86(第1彎曲流路86A及第2彎曲流路86B)，其等使直線狀流路85之中途部彎曲。各彎曲流路86具有於水平方向擴展之俯視圓環形狀。
直線狀流路85包含：上游直線狀流路87，其連接於氣體滯留部80之下游端及第1彎曲流路86A之上游端，於交叉方向D1直線延伸；中游直線狀流路89，其連接於第1彎曲流路86A之下游端及第2彎曲流路86B之上游端，於交叉方向D1直線延伸；及下游直線狀流路88，其連接於第2彎曲流路86B之下游端及對應之側方氣體噴出口72，於交叉方向D1直線延伸。上游直線狀流路87、中游直線狀流路89及下游直線狀流路88各自具有於交叉方向D1延伸之圓筒形狀。
第2實施形態中，整流構造82之複數個第1遮蔽部90設置於中游直線狀流路89，複數個第2遮蔽部91設置於下游直線狀流路88。
根據第2實施形態，發揮與第1實施形態相同之效果。根據第2實施形態，進而設有複數個彎曲流路86。因此，與彎曲流路86為單一之構成相比，可降低氣體流速，進而減少周向CD上之氣體流速差。因此，可提高自對應之側方氣體噴出口72噴出且自基板W之上表面之中心C側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
＜第3實施形態＞
圖20係用以說明配備於第3實施形態之基板處理裝置1Q之處理單元2之流體噴嘴12Q之構成例之模式性剖視圖。圖21係圖20所示之XXI區域之放大圖。圖20及圖21中，對於與上述圖1～圖18所示之構成相同之構成，標注與圖1等相同之參照符號，省略其說明。
第3實施形態之基板處理裝置1Q除流體噴嘴12Q外，具有與第1實施形態之基板處理裝置1相同之構成。第3實施形態之流體噴嘴12Q與第2實施形態之流體噴嘴12P之主要不同點在於，狹小流路81連接於較氣體滯留部80之半徑方向內側端更接近半徑方向外側端之位置。流體噴嘴12Q中，與第2實施形態之流體噴嘴12P同樣，設有複數個彎曲流路86，但與第2實施形態之流體噴嘴12P不同，中游直線狀流路89位於較上游直線狀流路87及下游直線狀流路88更靠半徑方向內側。
根據第3實施形態，發揮與第2實施形態相同之效果。
＜第4實施形態＞
圖22係用以說明配備於第4實施形態之基板處理裝置1R之處理單元2之流體噴嘴12R之構成例之模式性剖視圖。圖23係圖22所示之XXIII區域之放大圖。圖22及圖23中，對於與上述圖1～圖21所示之構成相同之構成，標注與圖1等相同之參照符號，省略其說明。
第4實施形態之基板處理裝置1R除流體噴嘴12R外，具有與第1實施形態之基板處理裝置1相同之構成。第4實施形態之流體噴嘴12R與第1實施形態之流體噴嘴12之主要不同點在於，整流構造82設置於彎曲流路86。詳細而言，構成整流構造82之一部分之複數個第1遮蔽部90設置於彎曲流路86。因此，當然複數個第1整流流路95亦設置於彎曲流路86之中途部。
＜其他實施形態＞ 本發明並非限定於以上說明之實施形態，亦可進而以其他形態實施。
例如，第2實施形態～第4實施形態中，可應用第1實施形態之各變化例(圖13～圖17)。又，亦可組合各實施形態。例如，第2實施形態之流體噴嘴12P或第3實施形態之流體噴嘴12Q中，亦可與第4實施形態同樣，將整流構造82設置於彎曲流路86。若為流體噴嘴12P或流體噴嘴12Q，則可將複數個第1遮蔽部90及複數個第2遮蔽部91分別設置於複數條彎曲流路86。
上述各實施形態中，噴嘴本體75以一個構件構成，於其內部形成有氣體流路76。然而，亦可與上述各實施形態不同，由複數個構件構成噴嘴本體75。具體而言，噴嘴本體75亦可包含各自具有區劃氣體流路76之表面之複數個流路區劃構件。如此，與於單一構件之內部形成氣體流路76之構成相比，容易形成氣體流路76。
又，上述實施形態中，基板處理裝置1具備搬送機械手IR、CR、複數個處理單元2及控制器3。然而，基板處理裝置1、1P亦可由單一之處理單元2與控制器3構成，不包含搬送機械手IR、CR。或者，基板處理裝置1亦可僅由單一之處理單元2構成。換言之，處理單元2亦可為基板處理裝置之一例。
又，上述實施形態中，流體噴嘴12、12P、12Q、12R與基板W之上表面對向。然而，亦可與上述實施形態不同，流體噴嘴12、12P、12Q、12R以與基板W之下表面對向之方式構成。
又，上述各實施形態中，狹小流路81之直線狀流路85於鉛直方向延伸。然而，直線狀流路85未必於鉛直方向延伸，若直線狀流路85延伸之方向為相對於周向CD交叉之方向(相對於基板W之上表面交叉之方向)，則亦可為相對於鉛直方向傾斜之方向。
又，上述各實施形態中，如圖6所示，第1氣體流路76A之複數個第1整流流路95之周向相位，與第2氣體流路76B之複數個第1整流流路95之周向相位大致重合，如圖7所示，第1氣體流路76A之第2整流流路96之周向相位，與第2氣體流路76B之第2整流流路96之周向相位大致重合。然而，亦可與圖6及圖7所示之例不同，使第1氣體流路76A之第1整流流路95之周向相位，與第2氣體流路76B之第1整流流路95之周向相位不同，亦可使第1氣體流路76A之第2整流流路96之周向相位，與第2氣體流路76B之第2整流流路96之周向相位不同。
又，上述各實施形態中，如圖8所示，各氣體流路76中，複數個第1整流流路95之周向相位與複數個第2整流流路96之周向相位不同。然而，亦可與圖8所示之例不同，使複數個第1整流流路95之周向相位與複數個第2整流流路96之周向相位重合。
上述各實施形態中，如圖4所示，第2側方氣體噴出口72B之寬度W2窄於第1側方氣體噴出72A之寬度W1。然而，亦可與圖4所示之例不同，而如圖24所示，第2側方氣體噴出口72B之寬度W2大於第1側方氣體噴出口72A之寬度W1。
自中心氣體噴出口71噴出之氣體流量相對較低之情形時(例如，5 L/min以上15 L/min以下之情形)，基板W之上表面附近之氣壓易降低。基板W之上表面附近之氣壓相對較低之情形時，自相對接近基板W之上表面之第1側方氣體噴出口72A噴出之氣體會被吸引至基板W之上表面側，而有自第1側方氣體噴出口72A噴出之氣體之擴散均一性降低之虞。
因此，若藉由使第1側方氣體噴出口72A之寬度W1窄於第2側方氣體噴出口72B之寬度W2，提高自第1側方氣體噴出口72A噴出之氣體之線速度，則可抑制自第1側方氣體噴出口72A噴出之氣體被吸引至基板W之上表面。藉此，可提高自第1側方氣體噴出口72A噴出之氣體之均一性。進而，可提高自複數個側方氣體噴出口72噴出且自基板W上表面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
自中心氣體噴出口71噴出之氣體流量相對較大之情形時(例如50 L/min左右之情形)，如上述各實施形態，較佳為第2側方氣體噴出口72B之寬度W2窄於第1側方氣體噴出口72A之寬度W1之構成。
圖24所示之構成，即，第2側方氣體噴出口72B之寬度W2大於第1側方氣體噴出口72A之寬度W1之構成可應用於上述實施形態。又，亦可與圖4及圖24不同，使第2側方氣體噴出口72B之寬度W2與第1側方氣體噴出口72A之寬度W1相等。
又，上述基板處理裝置1、1P、1Q、1R中，雖設有加熱器單元6，但未必設置加熱器單元6，亦可以加熱器單元6以外之機構將基板W加熱。又，亦可不一開始便設置將基板W加熱之機構。
又，上述基板處理之低表面張力液體處理(參照圖12A～圖12C)中，於由加熱器單元6將基板W加熱，於液膜110與基板W之間形成有氣相層之狀態下，將低表面張力液體自基板W上去除。然而，低表面張力液體處理亦可為不形成氣相層，而將液膜110自基板W上去除之處理。流體噴嘴12亦可應用於不形成氣相層，而藉由因加熱於液膜110內產生之對流作用、氣體之噴吹力及基板W之旋轉之離心力中之至少任一者，將低表面張力液體自基板W上去除之低表面張力液體處理。
又，流體噴嘴12、12P、12Q、12R中，可設置單一之氣體噴出口(第1側方氣體噴出口72A)，亦可不設置第2側方氣體噴出口72B。上述情形時，設置於流體噴嘴12之噴嘴本體75之氣體流路76單一。
另，上述實施形態中，雖使用“沿”、“水平”、“正交”、“鉛直”之表述，但無須為嚴密地“沿”、“水平”、“正交”、“鉛直”。即，上述各表述容許製造精度、設置精度等偏差。
除申請專利範圍所記載之特徵外，亦可自本說明書及隨附圖式擷取如下之特徵。該等特徵可與用以解決問題之方法項所記載之特徵任意組合。
(附記1-1) 一種流體噴嘴，其包含：噴嘴本體，其具有底面及連結於底面之側面； 筒狀之氣體流路，其形成於上述噴嘴本體之內部；及 環狀之氣體噴出口，其自上述噴嘴本體之上述側面開口，朝上述側面之外側放射狀噴出氣體；且 上述氣體流路具有：氣體滯留部，其之流路剖面積大於上述氣體流路中之其他部位；及整流構造，其於上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分，將上述氣體流路內之氣流整流。
根據附記1-1，由於在氣體流路上，設有流路剖面積大於氣體流路之其他部位之氣體滯留部，故供給至氣體滯留部之氣體於氣體滯留部內分散。因此，降低供給至氣體滯留部內之氣體流速，減少氣體流路之周向之各位置處之氣體之流速差。再者，藉由氣體流路中設置於與氣體滯留部不同部分之整流構造，將氣體流路內之氣體整流。藉此，將氣體流路內氣體移動之方向調整為沿氣體流路之方向。因此，可提高自氣體噴出口噴出之氣體之放射狀擴散之均一性。因此，例如藉由使噴嘴本體之底面與基板之主面對向而自氣體噴出口噴出氣體，可保護基板之主面。
(附記1-2) 如附記1-1之流體噴嘴，其中上述流體噴嘴包含：複數個上述氣體噴出口、及分別將氣體引導至複數個上述氣體噴出口之複數條上述氣體流路，且 複數個上述氣體噴出口具有：環狀之第1氣體噴出口；及環狀之第2氣體噴出口，其設置於較上述第1氣體噴出口更遠離上述底面之位置。
根據附記1-2，除第1氣體噴出口外，亦自設置於較第1氣體噴出口更遠離噴嘴本體之底面之位置之第2氣體噴出口噴出氣體，故可增厚放射狀擴散之氣體層。
(附記1-3) 如附記1-2之流體噴嘴，其中上述第2氣體噴出口之寬度窄於上述第1氣體噴出口之寬度。
由於在較氣體噴出口(第1氣體噴出口)更遠離噴嘴本體之底面之位置進而設有一個氣體噴出口(第2氣體噴出口)，故由自相對遠離噴嘴本體之底面之氣體噴出口(第2氣體噴出口)噴出之氣體，抑制空氣進入相對接近噴嘴本體之底面之氣體噴出口(第1氣體噴出口)。另一方面，由於未於較第2氣體噴出口更遠離噴嘴本體之底面之位置設置氣體噴出口，故不存在抑制空氣進入第2氣體噴出口之氣流。因此，可藉由使環狀之第2氣體噴出口之寬度窄於環狀之第1氣體噴出口之寬度，而抑制空氣進入第2氣體噴出口。因此，例如使噴嘴本體之底面與基板之主面對向之情形時，可抑制基板主面附近之氛圍中之氧濃度上升，可更良好地保護基板之主面。
(附記1-4) 如附記1-2之流體噴嘴，其中上述第2氣體噴出口之寬度大於上述第1氣體噴出口之寬度。
根據附記1-4，可提高自第1氣體噴出口噴出之氣體之線速度。因此，例如使噴嘴本體之底面與基板之主面對向之情形時，可抑制自第1氣體噴出口噴出之氣體被吸引至基板之主面。藉此，可提高自氣體噴出口噴出且自基板主面之中心側朝向周緣側之氣體之擴散均一性。
(附記1-5) 如附記1-1至附記1-4中任一項之流體噴嘴，其中上述整流構造具有複數個第1遮蔽部，其等於上述氣體流路之周向上互相隔開間隔設置，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動。
根據附記1-5，由周向上隔開間隔設置之複數個第1遮蔽部，遮蔽氣體向氣體流路之下游側移動。因此，通過周向上相鄰之2個第1遮蔽部彼此之間時，減少氣體流速之周向成分。藉此，可使自氣體噴出口噴出之氣體之噴出方向接近氣體流路之半徑方向，故可進而提高自氣體噴出口噴出之氣體之擴散均一性。
(附記1-6) 如附記1-5之流體噴嘴，其中上述整流構造進而具有複數個第2遮蔽部，其等設置於較複數個第1遮蔽部更靠上述氣體流路之下游側，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動，
上述周向上之複數個上述第2遮蔽部之位置相對於上述周向上之複數個上述第1遮蔽部之位置偏移。
由複數個第1遮蔽部減少通過周向上相鄰之2個第1遮蔽部彼此之間之氣體流速之周向成分，另一方面，於氣體流路上較複數個第1遮蔽部更下游側，減少於與第1遮蔽部相同之周向位置流動之氣體流量。因此，若係於較複數個第1遮蔽部更靠氣體流路之下游側，遮蔽氣體向氣體流路之下游側移動之複數個第2遮蔽部之周向位置相對於複數個第1遮蔽部之周向位置偏移之構成，則可減少於與第2遮蔽部相同之周向位置流動之氣體流量，藉此，可提高周向各位置處之氣體流量之均一性。其結果，可進而提高自氣體噴出口噴出之氣體之擴散均一性。
又，除複數個第1遮蔽部以外，進而可由複數個第2遮蔽部減少氣體速度之周向成分。即，可以二個階段減少氣體速度之周向成分。藉此，可使自氣體噴出口噴出之氣體之噴出方向更接近氣體流路之半徑方向。
(附記1-7) 如附記1-1至附記1-6中任一項之流體噴嘴，其中上述氣體流路進而具有：於相對於上述氣體流路之周向交叉之方向上直線延伸之直線狀流路、及使上述直線狀流路之中途部彎曲之彎曲流路。根據附記1-6，藉由使直線狀流路於中途部彎曲，而降低氣體流速，減少氣體流路之周向各位置處之氣體流速差。
(附記1-8) 如附記1-1至附記1-7中任一項之流體噴嘴，其中上述流體噴嘴進而包含朝向上述基板之主面之中心噴出氣體之中心氣體噴出口， 於上述流體噴嘴之上述底面，形成有圓錐台狀之凹部， 上述中心氣體噴出口位於上述凹部內。
根據附記1-8，中心氣體噴出口配置於圓錐台狀之凹部內。因此，例如使噴嘴本體之底面與基板之主面對向之情形時，藉由使噴嘴本體之底面與基板之主面對向，自中心氣體噴出口噴出氣體，供給至基板主面之中心之氣體一面於凹部內擴散，一面朝向基板之周緣側。由於凹部形成圓錐台狀，故可使氣體自凹部周緣之全域向凹部外側均等地擴散。可提高自氣體噴出口噴出之氣體之擴散均一性。
(附記1-9) 如附記1-7之流體噴嘴，其進而包含位於上述凹部內，朝上述基板之主面噴出處理液之處理液噴出口。因此，例如使噴嘴本體之底面與基板之主面對向之情形時，藉由一面自處理液噴出口對基板之主面噴出處理液，一面自氣體噴出口噴出氣體，可保護基板之主面上之處理液免受外部氛圍影響，且上述氣體噴出口自流體噴嘴之側面開口。例如，可抑制外部氛圍所含之氧溶入基板之主面上之處理液中。
再者，藉由使氣體自中心氣體噴出口噴出而將處理液朝基板之周緣推開，可自基板之周緣去除處理液。由於自中心氣體噴出口噴出之氣體自凹部之周緣之全域向凹部外側均一擴散，故可將處理液自基板之主面良好地去除。
(附記1-10) 如附記1-1至附記1-9中任一項之流體噴嘴，其進而包含使氣體自上述氣體流路之周向流入至上述氣體流路之氣體流入口。
因此，自氣體流路之周向供給至氣體流路之氣體於氣體流路內周向迴旋。由於氣體流路中於與氣體滯留部不同之部分設有整流構造，故將氣體流路內之氣體整流。藉此，可提高自氣體噴出口噴出之氣體之擴散均一性。
雖已針對本發明之實施形態詳細進行說明，但該等僅係為了明確本發明之技術性內容而使用之具體例，本發明不應限定於上述具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
[相關申請案] 本申請案與2020年12月28日向日本專利廳提交之特願2020-219432號對應，本申請案之所有揭示以引用之方式併入本文中。
1:基板處理裝置 1P:基板處理裝置 1Q:基板處理裝置 1R:基板處理裝置 2:處理單元 3:控制器 3A:CPU 3B:記憶體 5:旋轉夾盤 6:加熱器單元 6a:加熱面 7:筒狀處理杯 9:藥液噴嘴 10:清洗液噴嘴 11:下表面噴嘴 11a:噴出口 12:流體噴嘴 12P:流體噴嘴 12Q:流體噴嘴 12R:流體噴嘴 13:腔室 20:夾盤銷 21:旋轉基座 21a:貫通孔 22:旋轉軸 23:旋轉馬達 25:夾盤銷驅動單元 26:連桿機構 27:驅動源 30:防護件 31:杯 32:圓筒狀外壁構件 33:防護件升降單元 35:第1噴嘴移動單元 36:第2噴嘴移動單元 36a:旋轉軸 36b:臂 36c:臂驅動機構 40:藥液配管 41:清洗液配管 42:流體配管 43:低表面張力液體配管 44:中心氣體配管 45:側方氣體配管 45A:第1側方氣體配管 45B:第2側方氣體配管 50:藥液閥 51:清洗液閥 52:流體閥 53:低表面張力液體閥 54:中心氣體閥 55:側方氣體閥 55A:第1側方氣體閥 55B:第2側方氣體閥 56:質流控制器 57A:第1流量可變閥 57B:第2流量可變閥 58:過濾器 60:板本體 61:加熱器 62:升降軸 63:供電線 64:加熱器通電單元 65:加熱器升降單元 70:低表面張力液體噴出口 71:中心氣體噴出口 72:側方氣體噴出口 72A:第1側方氣體噴出口 72B:第2側方氣體噴出口 75:噴嘴本體 75a:底面 75b:側面 75c:凹部 76:氣體流路 76A:第1氣體流路 76B:第2氣體流路 77:氣體流入口 77A:第1氣體流入口 77B:第2氣體流入口 78:噴出口區劃面 78A:上側噴出口區劃面 78B:下側噴出口區劃面 79:流路區劃面 79A:內側流路區劃面 79B:外側流路區劃面 80:氣體滯留部 81:狹小流路 82:整流構造 85:直線狀流路 86:彎曲流路 86A:第1彎曲流路 86B:第2彎曲流路 87:上游直線狀流路 88:下游直線狀流路 89:中游直線狀流路 90:第1遮蔽部 91:第2遮蔽部 95:第1整流電路 96:第2整流電路 100:平行氣流 101:平行氣流 110:液膜 111:開口 A1:鉛直旋轉軸線 A2:鉛直中心軸線 A3:中心線 C:中心 CA:載體 CA1:流路剖面積 CA2:流路剖面積 CD:周向 CR:搬送機械手 D1:方向 G:氣體 IR:搬送機械手 LR:裝載埠 RD:半徑方向 S1～S4:步驟 TG:迴旋氣流 V:區域 W:基板 W1:寬度 W2:寬度
圖1係用以說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置之構成之俯視圖。 圖2係用以說明配備於上述基板處理裝置之處理單元之構成例之模式性剖視圖。 圖3係配備於上述處理單元之流體噴嘴之模式性俯視圖。 圖4係沿圖3所示之IV-IV線之剖視圖。 圖5係圖4所示之V區域之放大圖。 圖6係沿圖4所示之VI-VI線之剖視圖。 圖7係沿圖4所示之VII-VII線之剖視圖。 圖8係沿圖4所示之VIII-VIII線之剖視圖。 圖9係沿圖4所示之IX-IX線之剖視圖。 圖10係用以說明上述基板處理裝置之電性構成之方塊圖。 圖11係用以說明上述基板處理裝置之具體之基板處理流程之流程圖。 圖12A～圖12D係用以說明上述基板處理中執行之低表面張力液體處理之狀況之圖解剖視圖。 圖13係用以說明第1實施形態之整流構造之第1變化例之剖視圖。 圖14係用以說明第1實施形態之整流構造之第2變化例之模式圖。 圖15係沿圖14所示之XV-XV線之剖視圖。 圖16係用以說明第1實施形態之整流構造之第3變化例之模式圖。 圖17係用以說明第1實施形態之整流構造之第4變化例之模式圖。 圖18係配備於第2實施形態之基板處理裝置之流體噴嘴之剖視圖。 圖19係圖18所示之XIX區域之放大圖。 圖20係第3實施形態之配備於基板處理裝置之流體噴嘴剖之視圖。 圖21係圖20所示之XXI區域之放大圖。 圖22係第3實施形態之配備於基板處理裝置之流體噴嘴之剖視圖。 圖23係圖22所示之XXIII區域之放大圖。 圖24係變化例之流體噴嘴之剖面中，複數個側方氣體噴出口及其周邊之放大圖。
1:基板處理裝置
12:流體噴嘴
36:第2噴嘴移動單元
36b:臂
43:低表面張力液體配管
44:中心氣體配管
45:側方氣體配管
45A:第1側方氣體配管
45B:第2側方氣體配管
70:低表面張力液體噴出口
71:中心氣體噴出口
72:側方氣體噴出口
72A:第1側方氣體噴出口
72B:第2側方氣體噴出口
75:噴嘴本體
75a:底面
75b:側面
75c:凹部
76:氣體流路
76A:第1氣體流路
76B:第2氣體流路
77:氣體流入口
77A:第1氣體流入口
77B:第2氣體流入口
78:噴出口區劃面
78A:上側噴出口區劃面
78B:下側噴出口區劃面
79:流路區劃面
79A:內側流路區劃面
79B:外側流路區劃面
80:氣體滯留部
81:狹小流路
82:整流構造
100:平行氣流
A1:鉛直旋轉軸線
A2:鉛直中心軸線
A3:中心線
C:中心
D1:方向
RD:半徑方向
V:區域
W:基板
W1:寬度
W2:寬度

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：旋轉夾盤，其保持基板；及流體噴嘴，其與保持於上述旋轉夾盤之基板之主面對向配置；且上述流體噴嘴包含：氣體噴出口，其自上述基板之主面之中心側朝周緣側放射狀噴出氣體；及氣體流路，其對上述氣體噴出口供給氣體，且具有沿相對於上述基板之主面交叉之交叉方向之筒形狀；且上述氣體流路具有：氣體滯留部，其之流路剖面積大於上述氣體流路中之其他部位；及整流構造，其於上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分，將上述氣體流路內之氣流整流。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述流體噴嘴包含：複數個上述氣體噴出口、及分別將氣體供給至複數個上述氣體噴出口之複數個上述氣體流路，且複數個上述氣體噴出口具有：第1氣體噴出口；及第2氣體噴出口，其設置於較上述第1氣體噴出口於上述交叉方向上更遠離上述基板之主面之位置。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述交叉方向上之上述第2氣體噴出口之寬度窄於上述交叉方向上之上述第1氣體噴出口之寬度。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述交叉方向上之上述第2氣體噴 出口之寬度大於上述交叉方向上之上述第1氣體噴出口之寬度。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述整流構造具有複數個第1遮蔽部，其等於上述氣體流路之周向上互相隔開間隔設置，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述整流構造進而具有複數個第2遮蔽部，其等設置於較複數個上述第1遮蔽部更靠上述氣體流路之下游側，遮蔽氣體向上述氣體流路之下游側移動，上述周向上之複數個上述第2遮蔽部之位置相對於上述周向上之複數個上述第1遮蔽部之位置偏移。
  7. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述氣體流路進而具有：於上述交叉方向上直線延伸之直線狀流路、及使上述直線狀流路之中途部彎曲之彎曲流路。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述整流構造設置於上述彎曲流路。
  9. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述流體噴嘴進而包含噴嘴本體，其具有與上述基板之主面對向之對向面、及連結於上述對向面且供上述氣體噴出口開口之側面，於其內部形成有上述氣體流路。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述流體噴嘴進而包含朝上述基板之主面之中心噴出氣體之中心氣體噴出口，於上述流體噴嘴之上述對向面，形成有朝離開上述基板之主面之方向凹陷之圓錐台狀凹部，上述中心氣體噴出口位於上述凹部內。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中上述流體噴嘴進而包含位於上述凹部內，朝上述基板之主面噴出處理液之處理液噴出口。
  12. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述噴嘴本體包含各自具有區劃上述氣體流路之表面之複數個流路區劃構件。
  13. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其進而具備氣體配管，其連接於上述流體噴嘴，自相對於上述基板之主面平行之方向對上述氣體流路供給氣體。
  14. 一種基板處理方法，其包含：基板保持步驟，其保持基板；處理液供給步驟，其對上述基板之上表面供給處理液；及氣流形成步驟，其至少於上述處理液供給步驟開始後，自流體噴嘴之氣體噴出口噴出氣體，形成自上述基板之上表面之中心側朝向周緣側之放射狀氣流，其中，該流體噴嘴具有：噴出氣體之上述氣體噴出口、及對上述氣體噴出口供給氣體之氣體流路，且於上述氣體流路設有：流路剖面 積大於上述氣體流路中之其他部位之氣體滯留部、及於上述氣體流路中設置於與上述氣體滯留部不同之部分且將上述氣體流路內之氣流整流之整流構造。
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