JP2002141326A - 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 - Google Patents
板状試料の流体処理方法ならびにその装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 66
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003570 air Substances 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 57
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】板状試料とそれに対向する対向板との間に、液
体および気体を連続して供給して試料表面の処理を行う
方法では、対向板の液体と接する部分に付着した液体
が、気体を用いた処理時に試料表面を汚染する恐れがあ
る。試料の洗浄、リンス、乾燥を連続して行う場合に
は、乾燥不良を引き起こす。そのため、対向板に付着し
た液体は、気体処理時には速やかに除去することが必要
であるが、対向面端部ならびに対向板側面に付着した液
体は用意に除去されない。このような、対向板に付着し
た液体が気体処理時に除去されないことが課題である。 【解決手段】対向板周囲にヒータを埋め込む、ランプを
照射する、加熱した流体を供給する、等の方法により、
対向板周囲を加熱することで、付着した液体の蒸発を促
進する。
体および気体を連続して供給して試料表面の処理を行う
方法では、対向板の液体と接する部分に付着した液体
が、気体を用いた処理時に試料表面を汚染する恐れがあ
る。試料の洗浄、リンス、乾燥を連続して行う場合に
は、乾燥不良を引き起こす。そのため、対向板に付着し
た液体は、気体処理時には速やかに除去することが必要
であるが、対向面端部ならびに対向板側面に付着した液
体は用意に除去されない。このような、対向板に付着し
た液体が気体処理時に除去されないことが課題である。 【解決手段】対向板周囲にヒータを埋め込む、ランプを
照射する、加熱した流体を供給する、等の方法により、
対向板周囲を加熱することで、付着した液体の蒸発を促
進する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜デバイス製造
工程、特に成膜時に膜厚の精密な制御が要求される半導
体製造工程に必要な、板状試料の乾燥方法ならびにその
装置に関する。
工程、特に成膜時に膜厚の精密な制御が要求される半導
体製造工程に必要な、板状試料の乾燥方法ならびにその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの洗浄は、従来はバッチ式
と呼ばれる複数枚の試料を処理する方式(以下、第１の
従来技術という)で行われてきた。この方式ではある試
料から除去された汚染が他の試料に付着するという問題
が避けられず、ウェハを1枚ずつ処理する枚葉式処理の
要求が高まっている。例えば、特開平4−287922号公報
記載の、ウェハを回転手段に固定するとともに、機械的
に回転させながらウェハ表面に流体を噴射して表面処理
を行う方法(以下、第２の従来技術という)である。シリ
コン基板では、成膜前洗浄で自然酸化膜の除去を行う
と、乾燥時にウォータマークと呼ばれる乾燥しみが発生
することが知られている。これはシリコンが酸素と水に
接することで生じるもので、酸化したシリコンが水に溶
解し、乾燥後に残渣として析出するというメカニズムが
提示されている(Material Science and Engineering B
4, 401 (1989)、電子情報通信学会技術研究報告(198
7))。このメカニズムより、ウォータマークの発生を抑
制するには、シリコン基板の水及び酸素との接触を遮断
することが有効であり、第1の従来技術においてはアル
コールで速やかに水を置換して除去する方法や、減圧下
で乾燥処理を行う方法などが実用化されている。
と呼ばれる複数枚の試料を処理する方式(以下、第１の
従来技術という)で行われてきた。この方式ではある試
料から除去された汚染が他の試料に付着するという問題
が避けられず、ウェハを1枚ずつ処理する枚葉式処理の
要求が高まっている。例えば、特開平4−287922号公報
記載の、ウェハを回転手段に固定するとともに、機械的
に回転させながらウェハ表面に流体を噴射して表面処理
を行う方法(以下、第２の従来技術という)である。シリ
コン基板では、成膜前洗浄で自然酸化膜の除去を行う
と、乾燥時にウォータマークと呼ばれる乾燥しみが発生
することが知られている。これはシリコンが酸素と水に
接することで生じるもので、酸化したシリコンが水に溶
解し、乾燥後に残渣として析出するというメカニズムが
提示されている(Material Science and Engineering B
4, 401 (1989)、電子情報通信学会技術研究報告(198
7))。このメカニズムより、ウォータマークの発生を抑
制するには、シリコン基板の水及び酸素との接触を遮断
することが有効であり、第1の従来技術においてはアル
コールで速やかに水を置換して除去する方法や、減圧下
で乾燥処理を行う方法などが実用化されている。
【０００３】しかし、第２の従来技術においては大気中
で濡れたウェハを回転するためにウォータマークが多発
する。ウォータマークの生成を抑制するためには、たと
えば特開昭61−42918号公報、特開昭60−74438号公報、
特開平8−78368号公報、特開平8−130202号公報、特開
平9−7939号公報等に記載(以下、第3の従来技術という)
のように、ウェハと対向する面との間に不活性気体を流
しながら、ウェハを回転して遠心力によって水を除去す
る方法が提案されている。
で濡れたウェハを回転するためにウォータマークが多発
する。ウォータマークの生成を抑制するためには、たと
えば特開昭61−42918号公報、特開昭60−74438号公報、
特開平8−78368号公報、特開平8−130202号公報、特開
平9−7939号公報等に記載(以下、第3の従来技術という)
のように、ウェハと対向する面との間に不活性気体を流
しながら、ウェハを回転して遠心力によって水を除去す
る方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した第３の従来技
術では、ウェハと対向する対向板も液体と接する。対向
面に付着している水は、処理空間内の不活性気体の気流
によって速やかに蒸発するが、対向板側面に付着してい
る水は蒸発が遅く、通常のウェハ乾燥処理時間内には蒸
発しない。そのため気体処理時ならびに処理後にウェハ
上へ、対向板に残留した液滴が落下する恐れがある。ま
た、気体処理時にウェハの回転に伴う気流によってミス
ト化するなどしてウェハ上に到達して、ウォータマーク
の原因となる。第１の従来技術を用いて大気中で乾燥処
理を行った場合に比べて、第３の従来技術を用いた乾燥
ではウェハ中心付近のウォータマークは大幅に低減され
るが、周辺12mm程度の領域では逆にウォータマークが増
加する。これらのため、第３の従来技術は実用化される
にいたっていない。
術では、ウェハと対向する対向板も液体と接する。対向
面に付着している水は、処理空間内の不活性気体の気流
によって速やかに蒸発するが、対向板側面に付着してい
る水は蒸発が遅く、通常のウェハ乾燥処理時間内には蒸
発しない。そのため気体処理時ならびに処理後にウェハ
上へ、対向板に残留した液滴が落下する恐れがある。ま
た、気体処理時にウェハの回転に伴う気流によってミス
ト化するなどしてウェハ上に到達して、ウォータマーク
の原因となる。第１の従来技術を用いて大気中で乾燥処
理を行った場合に比べて、第３の従来技術を用いた乾燥
ではウェハ中心付近のウォータマークは大幅に低減され
るが、周辺12mm程度の領域では逆にウォータマークが増
加する。これらのため、第３の従来技術は実用化される
にいたっていない。
【０００５】本発明が解決しようとする課題は、上記し
たような第２の従来技術の有する問題点、すなわち、試
料対向板周辺に液滴が残留するという点である。
たような第２の従来技術の有する問題点、すなわち、試
料対向板周辺に液滴が残留するという点である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるウェハの洗
浄方法について、図１を用いて説明する。ウェハ101は
ウェハチャック102によって保持され、ウェハチャック
支持円筒102aは図には記載していないモータによって回
転可能である。ウェハ101の上下両面に対向するように
対向板111、121が設けられ、流体噴射口115、125より、
ウェハ101と対向面112、122の間に形成される処理空間1
13、123に流体を供給して、試料表面の処理を行う。流
体として洗浄液を供給して洗浄し、続いて超純水を供給
してリンスを行い、最後に不活性気体を供給して乾燥を
行う。乾燥開始時、処理空間113、123に存在している水
は不活性気体によって処理空間外へ排出される。対向面
112、122に付着している水は、処理空間内の不活性気体
の気流によって速やかに蒸発する。対向板側面117、127
に付着している水は、対向板の周囲を加熱することによ
って蒸発する。
浄方法について、図１を用いて説明する。ウェハ101は
ウェハチャック102によって保持され、ウェハチャック
支持円筒102aは図には記載していないモータによって回
転可能である。ウェハ101の上下両面に対向するように
対向板111、121が設けられ、流体噴射口115、125より、
ウェハ101と対向面112、122の間に形成される処理空間1
13、123に流体を供給して、試料表面の処理を行う。流
体として洗浄液を供給して洗浄し、続いて超純水を供給
してリンスを行い、最後に不活性気体を供給して乾燥を
行う。乾燥開始時、処理空間113、123に存在している水
は不活性気体によって処理空間外へ排出される。対向面
112、122に付着している水は、処理空間内の不活性気体
の気流によって速やかに蒸発する。対向板側面117、127
に付着している水は、対向板の周囲を加熱することによ
って蒸発する。
【０００７】ここで、対向板の加熱する範囲の下限は、
十分速やかに乾燥するのに必要な熱を供給できる範囲と
して決まるものであり、上限は主として経済性で決ま
る。従って、対向面全面や対向板全体を加熱する構造は
本発明に含まれる。
十分速やかに乾燥するのに必要な熱を供給できる範囲と
して決まるものであり、上限は主として経済性で決ま
る。従って、対向面全面や対向板全体を加熱する構造は
本発明に含まれる。
【０００８】加熱の方法としては図１に示すように対向
板周囲にヒータ201を組み込み、対向板周囲を加熱する
ことで付着した水を蒸発させる方法がある。また、図２
のように、対向板周辺に気体の噴出孔211を設け、ここ
に加熱した気体を供給して、対向板周囲に付着した水を
蒸発させる方法がある。また、図３のように、対向板中
央の流体供給孔から処理空間全体に加熱した不活性気体
を供給して、対向板周囲に付着した水を蒸発させる方法
がある。
板周囲にヒータ201を組み込み、対向板周囲を加熱する
ことで付着した水を蒸発させる方法がある。また、図２
のように、対向板周辺に気体の噴出孔211を設け、ここ
に加熱した気体を供給して、対向板周囲に付着した水を
蒸発させる方法がある。また、図３のように、対向板中
央の流体供給孔から処理空間全体に加熱した不活性気体
を供給して、対向板周囲に付着した水を蒸発させる方法
がある。
【０００９】また、試料と対向板との距離は、下限は試
料と対向板の機械的な接触がおこらない距離として決ま
るものであり、上限は気体処理開始時に対向板に残留し
ている液体の量が十分少なく速やかに乾燥する条件から
きまるものである。
料と対向板の機械的な接触がおこらない距離として決ま
るものであり、上限は気体処理開始時に対向板に残留し
ている液体の量が十分少なく速やかに乾燥する条件から
きまるものである。
【００１０】また、図１から３では上側対向板に付着し
た水を蒸発させる機構について説明しているが、必ずし
も上側対向板のみである必要はなく、上側対向板および
下側対向板の両方であってもよい。
た水を蒸発させる機構について説明しているが、必ずし
も上側対向板のみである必要はなく、上側対向板および
下側対向板の両方であってもよい。
【００１１】また、図１から３では試料は回転可能とし
たが、必ずしも試料が回転する必要はなく、静止した試
料に気体を供給して処理を行ってもよい。
たが、必ずしも試料が回転する必要はなく、静止した試
料に気体を供給して処理を行ってもよい。
【００１２】また、不活性気体の酸素濃度は、下限は実
現できる最低濃度から決まるものであり、上限はウォー
タマークを生成する濃度で決まるものである。
現できる最低濃度から決まるものであり、上限はウォー
タマークを生成する濃度で決まるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施例１） ＜装置構成＞図１に示すような、周辺部分に加熱機構10
1を有する試料対向板を備えた処理装置を、図４に示す
ように流体供給装置と接続し、板状試料として直径150m
mの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行った。
1を有する試料対向板を備えた処理装置を、図４に示す
ように流体供給装置と接続し、板状試料として直径150m
mの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行った。
【００１４】上側対向板111ならびに下側対向板121は、
ウェハの中心に対向する位置の付近に上側流体噴出孔11
5ならびに下側流体噴出孔125をそれぞれ有し、上側流体
切替バルブ118、下側流体切替バルブ128にそれぞれ接続
されている。上側流体切替バルブ118および下側流体切
替バルブ128はいずれも、洗浄液供給機構181、リンス液
供給機構182、乾燥用気体供給機構183に接続されてい
る。ウェハ上側の処理について説明すると、洗浄液、超
純水、乾燥用気体のうち、流体切替バルブ118によって
選択された流体が、流体噴出孔115を通って処理空間113
に供給され、ウェハ101の上面の処理を行う。ウェハ下
面についても同様である。
ウェハの中心に対向する位置の付近に上側流体噴出孔11
5ならびに下側流体噴出孔125をそれぞれ有し、上側流体
切替バルブ118、下側流体切替バルブ128にそれぞれ接続
されている。上側流体切替バルブ118および下側流体切
替バルブ128はいずれも、洗浄液供給機構181、リンス液
供給機構182、乾燥用気体供給機構183に接続されてい
る。ウェハ上側の処理について説明すると、洗浄液、超
純水、乾燥用気体のうち、流体切替バルブ118によって
選択された流体が、流体噴出孔115を通って処理空間113
に供給され、ウェハ101の上面の処理を行う。ウェハ下
面についても同様である。
【００１５】処理は、はじめにウェハを100rpmで回転し
つつ洗浄液として0.5％のアンモニア及び2.5％の過酸化
水素を含む溶液を1.0L／minの流量で60秒間供給した
後、ウェハを100rpmで回転しつつリンス液として超純水
を1.0L／minの流量で60秒間供給した。つづいて、ウェ
ハを1000rpmで回転しつつ試料対向板周辺を60度に加熱
し、乾燥用気体として酸素濃度0.6ppmの乾燥窒素を90L
／minの流量で90秒間流通した。この処理を100回行い、
処理後にウェハを取り出す際にウェハ上に水滴が落下す
る頻度を評価した。
つつ洗浄液として0.5％のアンモニア及び2.5％の過酸化
水素を含む溶液を1.0L／minの流量で60秒間供給した
後、ウェハを100rpmで回転しつつリンス液として超純水
を1.0L／minの流量で60秒間供給した。つづいて、ウェ
ハを1000rpmで回転しつつ試料対向板周辺を60度に加熱
し、乾燥用気体として酸素濃度0.6ppmの乾燥窒素を90L
／minの流量で90秒間流通した。この処理を100回行い、
処理後にウェハを取り出す際にウェハ上に水滴が落下す
る頻度を評価した。
【００１６】＜性能評価＞ウェハ上への水滴の落下は、
ウェハ対向板周囲を加熱しない場合には100回のうち7回
であったが、ウェハ周辺を加熱した場合には0回であっ
た。
ウェハ対向板周囲を加熱しない場合には100回のうち7回
であったが、ウェハ周辺を加熱した場合には0回であっ
た。
【００１７】（実施例２） ＜装置構成＞実施例１と同じ装置を用いて、板状試料と
して直径150mmの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行っ
た。
して直径150mmの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行っ
た。
【００１８】処理は、はじめにウェハを100rpmで回転し
つつ洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。つづいて、ウェハを1000rpmで回転しつつ試料対向
板周辺を所定の温度に加熱し、乾燥用気体として酸素濃
度0.6ppmの乾燥窒素を90L／minの流量で90秒間流通し
た。処理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表
面を観察し、処理によって生成したウォータマーク数を
計測した。
つつ洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。つづいて、ウェハを1000rpmで回転しつつ試料対向
板周辺を所定の温度に加熱し、乾燥用気体として酸素濃
度0.6ppmの乾燥窒素を90L／minの流量で90秒間流通し
た。処理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表
面を観察し、処理によって生成したウォータマーク数を
計測した。
【００１９】＜性能評価＞温度測定点102における温度
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数との相関を、図５に示す。試料周辺の温度を50度以
上にすることでWMの生成を抑制できた。
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数との相関を、図５に示す。試料周辺の温度を50度以
上にすることでWMの生成を抑制できた。
【００２０】（実施例３） ＜装置構成＞図２に示すような、試料中心部ならびに試
料周辺部と対向する位置に気体供給孔を有する試料対向
板を備えた処理装置を、図４に示すように流体供給装置
と接続し、板状試料として直径150mmの半導体ウェハを
用いて洗浄処理を行った。
料周辺部と対向する位置に気体供給孔を有する試料対向
板を備えた処理装置を、図４に示すように流体供給装置
と接続し、板状試料として直径150mmの半導体ウェハを
用いて洗浄処理を行った。
【００２１】処理は、まずウェハを100rpmで回転しつつ
洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量で60
秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリンス液
として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給した。そ
の後、ウェハを1000rpmで回転しつつ、乾燥用気体とし
て常温の乾燥窒素を試料対向板中央部の流体供給孔11
5、125から90L／minの流量で90秒間供給し、所定の温度
に加熱した酸素濃度0.6ppmの乾燥窒素を試料対向板周辺
部の流体供給孔211から40L／minで90秒間供給した。処
理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面を観
察し、処理によって生成したウォータマーク数を計測し
た。
洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量で60
秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリンス液
として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給した。そ
の後、ウェハを1000rpmで回転しつつ、乾燥用気体とし
て常温の乾燥窒素を試料対向板中央部の流体供給孔11
5、125から90L／minの流量で90秒間供給し、所定の温度
に加熱した酸素濃度0.6ppmの乾燥窒素を試料対向板周辺
部の流体供給孔211から40L／minで90秒間供給した。処
理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面を観
察し、処理によって生成したウォータマーク数を計測し
た。
【００２２】＜性能評価＞温度測定点102における温度
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数の相関を、図６に示す。試料周辺に供給する窒素の
温度を50度以上にすることでWMの生成が抑制される。
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数の相関を、図６に示す。試料周辺に供給する窒素の
温度を50度以上にすることでWMの生成が抑制される。
【００２３】（実施例４） ＜装置構成＞図３に示すような、試料中心部と対向する
位置に気体供給孔を有する試料対向板を備えた処理装置
を、図４に示すように流体供給装置と接続し、板状試料
として直径150mmの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行
った。
位置に気体供給孔を有する試料対向板を備えた処理装置
を、図４に示すように流体供給装置と接続し、板状試料
として直径150mmの半導体ウェハを用いて洗浄処理を行
った。
【００２４】処理は、はじめにウェハを100rpmで回転し
つつ洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。その後、ウェハを1000rpmで回転しつつ、乾燥用気
体として所定の温度に加熱した酸素濃度0.6ppmの乾燥窒
素を試料対向板中央部の流体供給孔115、125から90L／m
inの流量で90秒間供給した。処理後に走査型電子顕微鏡
を用いて半導体ウェハ表面を観察し、処理によって生成
したウォータマーク数を計測した。
つつ洗浄液として0.5％フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。その後、ウェハを1000rpmで回転しつつ、乾燥用気
体として所定の温度に加熱した酸素濃度0.6ppmの乾燥窒
素を試料対向板中央部の流体供給孔115、125から90L／m
inの流量で90秒間供給した。処理後に走査型電子顕微鏡
を用いて半導体ウェハ表面を観察し、処理によって生成
したウォータマーク数を計測した。
【００２５】＜性能評価＞温度測定点102における温度
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数の相関を、図７に示す。試料の乾燥に用いる窒素の
温度を60度以上にすることでWMの生成が抑制される。
と、ウェハ端から20mmの領域に生成したウォータマーク
の数の相関を、図７に示す。試料の乾燥に用いる窒素の
温度を60度以上にすることでWMの生成が抑制される。
【００２６】
【発明の効果】本発明を実施することで、第3の従来技
術において試料周辺に生成するウォータマークを低減で
きる。
術において試料周辺に生成するウォータマークを低減で
きる。
【図１】本発明による流体処理装置の断面を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明による流体処理装置の断面を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明による流体処理装置の断面を示す図であ
る。
る。
【図４】実施例１−３で用いた流体処理装置と流体供給
装置の接続を説明する図である。
装置の接続を説明する図である。
【図５】実施例１における処理結果を説明する図であ
る。
る。
【図６】実施例２における処理結果を説明する図であ
る。
る。
【図７】実施例３における処理結果を説明する図であ
る。
る。
1…ボディ、2…流体供給孔、3…ピストン、7…ダイアフ
ラム、11…死容積、31…主流路、41…流体I入口、42…
流体II入口、43…流体III入口、44…流体IV入口、51…
流体出口、101…半導体ウェハ、102…ウェハチャック、
102a…ウェハアーム支持円筒、111…上側対向板、112…
上側対向面、113…上側処理空間、115…上側流体噴出
孔、117…上側対向板側面、118…上側流体切替バルブ、
121…下側対向板、122…下側対向面、123…下側処理空
間、125…下側流体噴出孔、127…下側対向板側面、128
…下側流体切替バルブ、181…洗浄液供給機構、182…リ
ンス液供給機構、183…乾燥用気体供給機構、201…試料
対向板周辺加熱機構、202…温度測定点、211…試料対向
板周辺流体供給孔、212…ヒータ、301…乾燥用気体供給
配管、302…洗浄液供給配管、303…リンス液供給配管。
ラム、11…死容積、31…主流路、41…流体I入口、42…
流体II入口、43…流体III入口、44…流体IV入口、51…
流体出口、101…半導体ウェハ、102…ウェハチャック、
102a…ウェハアーム支持円筒、111…上側対向板、112…
上側対向面、113…上側処理空間、115…上側流体噴出
孔、117…上側対向板側面、118…上側流体切替バルブ、
121…下側対向板、122…下側対向面、123…下側処理空
間、125…下側流体噴出孔、127…下側対向板側面、128
…下側流体切替バルブ、181…洗浄液供給機構、182…リ
ンス液供給機構、183…乾燥用気体供給機構、201…試料
対向板周辺加熱機構、202…温度測定点、211…試料対向
板周辺流体供給孔、212…ヒータ、301…乾燥用気体供給
配管、302…洗浄液供給配管、303…リンス液供給配管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ 5/02 5/02 Ｚ (72)発明者 大録 範行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 田中 雄一郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 相内 進 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 岡 齊 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB33 CC03 3B201 AA03 AB33 BB82 BB95 BB99 CC11
Claims (21)
- 【請求項１】 板状試料と、当該試料に対向して配置さ
れた板状対向板との間に形成される処理空間に、液体を
供給する第1の工程と、 前記板状対向板の周囲を加熱して前記処理空間に気体を
供給する第2の工程を含むことを特徴とする板状試料の
流体処理方法。 - 【請求項２】 板状試料が円盤状であることを特徴とす
る、請求項１記載の流体処理方法。 - 【請求項３】 板状試料がシリコンウェハであることを
特徴とする、請求項３記載の流体処理方法。 - 【請求項４】 板状対向板が円盤状で、対向板側面の対
向板端から2mm以上の範囲を加熱することを特徴とす
る、請求項１から３記載の流体処理方法。 - 【請求項５】 埋め込みヒータまたはランプにより板状
対向板周囲を加熱することを特徴とする、請求項４記載
の流体処理方法。 - 【請求項６】 加熱した流体により板状対向板周囲を加
熱することを特徴とする、請求項４記載の流体処理方
法。 - 【請求項７】 板状対向板周囲を40度以上に加熱するこ
とを特徴とする請求項５または６記載の流体処理方法。 - 【請求項８】 板状試料と板状対向板が平行に配置され
ていることを特徴とする、請求項１から７記載の流体処
理方法。 - 【請求項９】 板状試料と板状対向板の距離が0.2mmか
ら4.0mmの範囲であることを特徴とする、請求項８記載
の流体処理方法。 - 【請求項１０】 第1の工程として、純水、アンモニ
ア、アンモニアおよび過酸化水素の混合溶液、硫酸及び
過酸化水素を含む溶液、硫酸及びオゾンを含む溶液、塩
酸、塩酸及び過酸化水素を含む溶液、フッ化水素酸、フ
ッ化水素酸および過酸化水素を含む溶液から少なくとも
1つを選択して板状試料を処理することを特徴とする、
請求項１から９記載の流体処理方法。 - 【請求項１１】 第2の工程として、空気、窒素、アル
ゴン、ヘリウムから少なくとも1つを選択して板状試料
を処理することを特徴とする、請求項１から１０記載の
流体処理方法。 - 【請求項１２】 第2の工程として、60度以上に加熱し
た気体を供給することを特徴とする、請求項１１記載の
流体処理方法。 - 【請求項１３】 酸素濃度が0.1ppmから1000ppmである
気体を供給することを特徴とする、請求項１１、１２記
載の流体処理方法。 - 【請求項１４】 請求項１から１３記載の方法を用いて
両面を処理することを特徴とする、板状試料の流体処理
方法。 - 【請求項１５】 請求項１から１３記載の方法を用い
て、フッ化水素酸またはフッ化水素酸および過酸化水素
を含む溶液から少なくとも1つを選択して処理する工程
と、純水を用いて処理する工程からなる第1の工程と、6
0度以上に加熱した窒素を供給して処理する第2の工程に
よって、少なくともデバイス形成面を処理する半導体ウ
ェハの流体処理方法。 - 【請求項１６】 請求項１から１３記載の方法を用い
て、少なくとも片面を処理された板状試料。 - 【請求項１７】 請求項１から１３記載の方法を用い
て、フッ化水素酸またはフッ化水素酸および過酸化水素
を含む溶液から少なくとも1つを選択して処理する工程
と、純水を用いて処理する工程からなる第1の工程と、6
0度以上に加熱した窒素を供給して処理する第2の工程に
よって、少なくともデバイス形成面を処理された半導体
ウェハ。 - 【請求項１８】 板状試料と対向して配置可能な試料対
向板を有し、当該対向板は周囲を加熱する機構を備えて
いることを特徴とする、板状試料の流体処理装置。 - 【請求項１９】 板状試料と対向して配置可能な試料対
向板を有し、当該対向板は周囲に流体を供給する流体供
給孔を備え、当該流体供給孔は流体供給源ならびに流体
加熱機構と接続されていることを特徴とする、板状試料
の流体処理装置。 - 【請求項２０】 板状試料と対向して配置可能な試料対
向板を有し、当該対向板は前記試料の中心と対向する位
置に流体を供給する流体供給孔を備え、当該流体供給孔
は流体供給源ならびに流体加熱機構と接続されているこ
とを特徴とする、板状試料の流体処理装置。 - 【請求項２１】 液体として純水と、フッ化水素酸また
はフッ化水素酸および過酸化水素を含む溶液の少なくと
も一方を供給可能で、気体として60度以上に加熱した窒
素を供給可能な、請求項１８から２０記載の半導体ウェ
ハの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000339145A JP2002141326A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000339145A JP2002141326A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141326A true JP2002141326A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18814254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000339145A Pending JP2002141326A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 板状試料の流体処理方法ならびにその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141326A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153452A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008198741A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2011054932A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板の液処理装置および液処理方法 |
| JP2014038949A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| JP2015216224A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 |
| US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| JP2018101816A (ja) * | 2012-08-28 | 2018-06-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-11-01 JP JP2000339145A patent/JP2002141326A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153452A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US8118945B2 (en) | 2006-12-18 | 2012-02-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2008198741A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2011054932A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板の液処理装置および液処理方法 |
| JP2014038949A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| US11217452B2 (en) | 2012-08-17 | 2022-01-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| JP2018101816A (ja) * | 2012-08-28 | 2018-06-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP2015216224A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 |
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