CN108666239B - 基板处理装置、基板处理方法和存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内中包括的异物污染。所述装置具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。

Description

基板处理装置、基板处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及一种将基板从承载件搬送到基板处理部中进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及用于基板处理装置的存储介质。
背景技术
在半导体元件的制造工序中，在设置于车间内的各装置间搬送被收纳于称作FOUP(Front-Opening Unified Pod：晶圆传送盒)的承载件中的状态下的基板即半导体晶圆(以下记载为晶圆)。然后，在各装置中由搬送机构从承载件取出的晶圆被搬送到用于对该晶圆进行成膜处理、蚀刻处理等规定的处理的处理部中进行处理。因而，在一个装置中接受了规定的处理的晶圆返回承载件，并被搬送向另一个装置中来接受下一个规定的处理。通常，利用纯水等清洗液对上述的承载件进行清洗，之后吹送规定的温度的干燥后的气体、或利用加热器的辐射热进行加热，由此在干燥后如已述的那样使用上述的承载件。
但是，在晶圆如上述的那样被在装置间搬送并接受处理时，有时装置内的水分和有机物等挥发性有机污染物质(以下记载为污染物质)附着于晶圆。而且，当该晶圆返回承载件内时，该水分和污染物质被吸附于承载件的内壁、构成承载件的垫片的表面、内部。之后，有时附着于晶圆的水分和污染物质通过晶圆被在装置间搬送时接受加热处理等处理而被去除，但在承载件内仍残留有水分和污染物质。
而且，由于承载件的周围的环境的变化，水分和污染物质从所吸附的承载件的各部以气体形式排出，在承载件内的晶圆表面发生作用，成为有机物的污染物质溶解于水分的状态，由此产生微小的微粒。也就是说，晶圆被像这样由水和污染物质产生的微粒污染，有半导体元件的生产率下降的风险。在专利文献1中记载了一种对设置有用于载置承载件的储存部的区域进行吹扫的技术，但没有示出解决上述的问题的方法。
专利文献1：日本特开2016-21429号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内包括的异物污染的技术。
用于解决问题的方案
本发明的基板处理装置的特征在于，具备：台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；基板处理部，其用于对所述基板进行处理；基板搬送机构，其用于在被载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。
本发明的基板处理方法的特征在于，具备：将在其内部收纳有基板的承载件载置于台的工序；由基板搬送机构将所述基板从所述承载件向用于对该基板进行处理的基板处理部搬出的搬出工序；由所述基板搬送机构将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入所述承载件的搬入工序；在所述搬出工序之后，在进行所述搬入工序之前，将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度的承载件加热工序；以及使通过所述承载件加热工序被加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出的工序。
本发明的存储介质存储有在基板处理装置中使用的计算机程序，该基板处理装置在用于载置收纳有基板的承载件的台与对所述基板进行处理的基板处理部之间搬送基板来进行处理，所述存储介质的特征在于，所述计算机程序编入有步骤组，以执行本发明的基板处理方法。
发明的效果
根据本发明，将已被搬出了基板的状态下的承载件加热到比将由基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度，使该加热时的承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出。由此气化了的承载件内的异物被去除，因此能够防止被收纳于承载件内的基板被该异物污染。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的成膜装置的纵剖侧视图。
图2是设置于所述成膜装置的盖开闭机构的侧视图。
图3是表示基于所述成膜装置的处理工序的说明图。
图4是表示基于所述成膜装置的处理工序的说明图。
图5是表示基于所述成膜装置的处理工序的说明图。
图6是表示基于所述成膜装置的处理工序的说明图。
图7是设置于所述成膜装置的承载件的台的纵剖侧视图。
图8是所述成膜装置中的承载件搬入搬出区域的横剖俯视图。
图9是表示所述成膜装置中的承载件的加热机构的例子的概要图。
图10是所述成膜装置中的隔壁和台的纵剖侧视图。
图11是表示基于所述成膜装置的其它处理工序的说明图。
附图标记说明
C：承载件；W：晶圆；1：成膜装置；1：控制部；32：承载件搬送机构；42A～42D：风门；43A～43D：风扇；5：反应容器；63：晶圆搬送机构。
具体实施方式
对本发明的基板处理装置的一个实施方式即成膜装置1进行说明。成膜装置1设置于车间内的被温度控制为例如25℃的清洁间内。将晶圆W以被收纳于承载件C中的状态下搬送到该成膜装置1中。该承载件C为FOUP，包括呈大致矩形且前方侧开口的容器主体C1、以相对于容器主体C1拆卸自如的方式来闭塞该容器主体C1的前方侧的盖C2，在盖C2被关闭的状态下承载件C的内部被密闭，能够在承载件C的内部收纳多张晶圆W。
成膜装置1将从承载件C取出的晶圆W收纳于基板处理部即反应容器5内，例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)进行成膜处理。进行该成膜处理，另一方面，将通过设置反应容器5进行CVD而被加热的仓内的气体供给到已经将晶圆W搬出了的承载件C，来对该承载件C进行加热，并且打开承载件C的盖C2。由此，构成为能够进行使吸附于承载件C内的各部的水分和污染物质等异物气化并且从承载件C内去除所述异物的清洁化处理。
下面参照图1的纵剖侧视图来说明成膜装置1的结构。图中11为矩形的壳体。在壳体11内设置有沿前后方向将该壳体11内进行划分的垂直划分壁、沿上下方向将壳体11内进行划分的水平划分壁。由作为划分构件的壳体11、垂直划分壁和水平划分壁来形成彼此划分开的承载件搬入搬出区域12、承载件待机区域13、晶圆搬送区域14和用于设置上述的反应容器5的反应容器设置区域15。承载件搬入搬出区域12、晶圆搬送区域14分别位于前方、后方，承载件待机区域13、反应容器设置区域15分别位于承载件搬入搬出区域12、晶圆搬送区域14的上方。这些各区域12～15形成于壳体11内，由此与壳体11的外侧区域划分开。
关于上述的垂直划分壁，将划分承载件搬入搬出区域12与晶圆搬送区域14的、下方侧的部位设为下方划分壁16，将划分承载件待机区域13与反应容器设置区域15的、上方侧的部位设为上方划分壁17。关于上述的水平划分壁，将划分承载件搬入搬出区域12与承载件待机区域13的、前方侧的部位设为前方划分壁18，将划分晶圆搬送区域14与反应容器设置区域15的、后方侧的部位设为后方划分壁19。承载件搬入搬出区域12、承载件待机区域13以及反应容器设置区域15的反应容器5的外侧为空气气氛，晶圆搬送区域14在该例中为氮(N2)气体气氛。但是，晶圆搬送区域14也可以设为空气气氛。
首先对承载件搬入搬出区域12进行说明。图中21为承载件搬送口，形成为在壳体11的前方侧的侧壁对承载件搬入搬出区域12开口。在承载件搬入搬出区域12中，分别在前方侧、后方侧设置有用于载置承载件C的前方侧承载件台22、后方侧承载件台23。设置于壳体11的外部的未图示的承载件搬送机构经由承载件搬送口21来对前方侧承载件台22交接承载件C，由此对承载件搬入搬出区域12来搬入搬出承载件C。后方侧承载件台23构成为能够以承载件C的前表面的缘部被按压于晶圆搬送口24的缘部的方式载置该承载件C，其中，晶圆搬送口24是在下方划分壁16开口得到的，以搬送晶圆W。
图中25为在前方划分壁18开口得到的承载件搬送口，在承载件搬入搬出区域12中设置有用于将该承载件搬送口25开闭的遮挡件26。如后述的那样，经由承载件搬送口25向承载件搬入搬出区域12供给空气，在该承载件搬入搬出区域12设置用于将该空气进行排气的排气口，但省略了图示。
接着对承载件待机区域13进行说明。在该承载件待机区域13的前方侧、后方侧分别以上下三段的方式设置有载置承载件C的待机用承载件台31，以使该承载件C待机。图中32为承载件搬送机构，能够进行升降并经由承载件搬送口25在承载件搬入搬出区域12与承载件待机区域13之间进行移动。当还参照图2的侧视图进行说明时，承载件搬送机构32具备主体部33、基端部与主体部33连接的多关节臂34，在多关节臂34的前端部设置有承载件保持部35。由该承载件保持部35保持承载件C来在前方侧承载件台22与后方侧承载件台23与待机用承载件台31之间交接该承载件C。
另外，承载件搬送机构32构成气体流出机构，上述的主体部33与多关节臂36的基端部连接，在多关节臂36的前端部设置有盖保持部37。盖保持部37具备插入于该盖C2的前表面的锁孔中的未图示的钥匙以拆卸载置于待机用承载件台31的承载件C的盖C2，使该钥匙在插入于锁孔中的状态下旋转，能够切换在盖C2与构成承载件C的容器主体C1之间形成卡合的状态、以及解除卡合的状态。在解除了该卡合的状态下，盖C2保持于盖保持部37，如图2所示能够从容器主体C1将盖C2拆卸下来。也就是说，盖保持部37构成为承载件C的盖开闭机构。
当返回图1来继续承载件待机区域13的说明时，配管41A的一端在承载件待机区域13的顶部开口，配管41A的另一端在壳体11的外部、在上述的清洁间内开口。朝向一端侧(承载件待机区域13侧)顺次将用于开闭该配管41A内的流路的风门42A、风扇43A以及过滤器44设置于配管41A，风扇43A在由风门42A打开该配管41A内的流路(第二连接路)的状态下工作，由此壳体11的外部中的清洁间内的空气被过滤器44清洁化后供给到承载件待机区域13。风门42A和风扇43A构成用于如后述的那样将承载件C冷却的冷却气体供给机构。关于过滤器44，例如构成为朝向上述的配管41A内的气体流的下游侧顺次配置化学过滤器45、ULPA过滤器(Ultra Low Penetration Air Filter：超低渗透空气过滤器)46。也就是说，过滤器44由两种类的过滤器构成。化学过滤器45为用于去除有机气体、离子状气体的过滤器，ULPA过滤器46为用于去除微粒的过滤器。
接下来，对反应容器设置区域15进行说明。上述的反应容器5以从后方划分壁19向上方延伸的方式构成为立式的圆形，在反应容器5的内部形成有纵长的处理空间。与上述的处理空间连通的开口部51以对晶圆搬送区域14开口的方式形成于反应容器5的下端部。在反应容器5的外侧以包围该反应容器5的侧方的方式设置有对上述的处理空间进行加热的发热体即加热器52。图中53为隔热件，以包围加热器52和反应容器5的方式形成竖起的筒状，防止该隔热件53的外侧区域中的温度过高。
当对反应容器5进行说明时，在该反应容器5内开口有未图示的排气口，如后述的那样，在开口部51被闭锁的状态下进行排气，由此能够将反应容器5内的处理空间设为规定的压力的真空气氛。另外，在反应容器5内设置有用于向处理空间供给成膜用的处理气体的、未图示的气体喷射器。在将处理空间设为真空气氛的状态下，由加热器52对被收纳于该处理空间中的晶圆W进行加热，并且从该气体喷射器供给成膜气体，由此进行CVD，在晶圆W形成例如与硅等成膜气体相应的种类的膜。
另外，在壳体11的后方侧的侧壁设置有配管41B，配管41B的一端在反应容器设置区域15中对由隔热件53包围的区域的外侧开口。而且，配管41B的另一端对壳体11的外部开口，与构成车间的排气设备的排气路连接。朝向一端侧(反应容器设置区域15侧)顺次将风扇43B、开闭该配管41B内的流路的风门42B设置于配管41B。在由风门42B打开该配管41B内的流路的状态下风扇43B工作，由此被加热器52加热的、形成反应容器设置区域15的气氛的气体被排出到壳体11的外部，由此抑制该反应容器设置区域15的过度的温度上升。
另外，在上方划分壁17中设置有配管41C、41D，这些配管41C、41D各自的一端对反应容器设置区域15的、由隔热件53包围的区域的外侧开口。配管41C的另一端对承载件待机区域13的顶部附近的比载置各承载件C的区域靠上方的位置开口，朝向另一端侧(承载件待机区域13侧)顺次将该配管41C内的流路(第一连接路)开闭的风门42C、风扇43C以及过滤器44设置于该配管41C。在由风门42C打开该配管41C内的流路的状态下风扇43C工作，由此朝向配管41C的另一端供给反应容器设置区域15的空气，被过滤器44清洁化并被供给到承载件待机区域13。过滤器44如上述的那样由化学过滤器45、ULPA过滤器46构成，在配管41C内的气体流的上游侧、下游侧分别设置有化学过滤器45、ULPA过滤器46。风门42C、风扇43C构成将被加热后的气体供给到承载件C的加热流体供给机构，与上述的加热器52一同构成承载件加热机构。
配管41D的另一端在承载件待机区域13的底部附近对比载置各承载件C的区域靠下方的位置开口，朝向另一端侧(承载件待机区域13侧)顺次将风扇43D、将该配管41D内的流路开闭的风门42D设置于该配管41D，在由风门42D打开该配管41D内的流路的状态下风扇43C工作，由此向反应容器设置区域15供给承载件待机区域13的空气。此外，以上的配管41A～41D的各风扇43A～43D例如在成膜装置1中的处理中总是工作，通过风门42A～42D的开闭来切换这些配管41A～41D中的气体的流通和流通的停止。
接下来，对晶圆搬送区域14进行说明。图中61为门，与承载件搬送机构32的盖保持部37同样地具备钥匙(省略了图示)。而且，门61构成为：在如已述的那样被按压于下方划分壁16的状态下，相对于载置于后方侧承载件台23的承载件C，经由晶圆搬送口24利用上述的钥匙来装卸盖C2，门61在保持着盖C2的状态下沿上下方向移动来进行该晶圆搬送口24的开闭。像这样，门61也构成承载件C的盖开闭机构。
图中6为晶舟，构成将多张晶圆W载置于沿上下方向设置有多个的支承部上而保持为棚架状的基板保持器具。图中D为晶圆假片，具有与晶圆W相同的形状。晶圆假片D例如以分别在晶舟6的上部侧和下部侧保持有多张的方式与晶圆W同样地、装卸自如地被保持于该晶舟6，并且与晶圆W一同被搬入反应容器5内进行处理。该晶圆假片D具有使处理气体的流动在被搭载于晶舟6的晶圆W间均匀化的效果，是目的不为制造半导体元件的基板假片。
图中62为移载用舟台，载置已述的晶舟6，以与载置于上述的后方侧承载件台23的承载件C之间进行晶圆W的移载。图中63为进行该晶圆W的交接的晶圆搬送机构(基板搬送机构)，具备升降自如且绕铅垂轴线自如旋转的基台、以及在基台上进退自如的晶圆W的背面保持部。图中64为通过升降从下方将上述的反应容器5的开口部51开闭的盖。图中65是载置晶舟6的搬入用舟台以相对于反应容器5来搬入晶舟6，被设置于盖64上。也就是说，通过盖64的升降，一并进行晶舟6相对于反应容器5的搬入搬出以及反应容器5的开口部52的开闭。
图中66为具备关节臂以能够在移载用舟台62与搬入用舟台65之间搬送晶舟6的舟搬送机构。除了这些以外，在晶圆搬送区域14设置由舟搬送机构66搬送晶舟6时的晶舟6的待机用的台、用于向晶圆搬送区域14供给N2气体来形成N2气体气氛的N2气体供给部、以及对晶圆搬送区域14进行排气的排气口等，但省略图示。
在上述的成膜装置1设置有计算机即控制部10，该控制部10中包括程序。在该程序中编入命令(各步骤)以向成膜装置1的各部发送控制信号，来进行后述的承载件C的搬送、晶圆W的搬送、对晶圆W的成膜处理以及承载件C内的清洁化处理。该程序保存于存储介质例如光盘、硬盘、存储卡等中来被安装于控制部10。
接着，参照图3～图6对上述的成膜装置1中的晶圆W的成膜处理和承载件C内的清洁化处理进行说明。在该图3～图6中，为了区别风门42A～42D中的关闭的风门和打开的风门，对关闭的风门标注斜线，另外用实线的箭头表示气体的流动。此外，为了方便图示，在图4中使配管41C的显示相比于图1靠反应容器设置区域15侧的位置来示出。
为了进行晶圆W的处理，加热器52发热以使反应容器5内的处理空间成为规定的温度、例如300℃以上，反应容器设置区域15的空气被加热。此时，配管41A、41B的风门42A、42B被打开，配管41C、41D的风门42C、42D被关闭。另外，承载件搬送口25的遮挡件26被打开，承载件搬入搬出区域12与承载件待机区域13连通。
风门42A和遮挡件26如上述的那样被打开，由此壳体11的外部的清洁间内的空气流入承载件待机区域13的顶部下部，在该承载件待机区域13中形成下降流，经由承载件搬送口25流入承载件搬入搬出区域12，之后从未图示的搬送口进行排气。另外，风门42B如上述的那样被打开，由此被加热后的反应容器设置区域15的空气经由配管41B向成膜装置1的外部排放。此外，风门42C、42D如上述的那样被关闭，由此在反应容器设置区域15与承载件待机区域13之间不进行空气的流通。
这样，在成膜装置1的各部形成有气体的流动的状态下，承载件C被搬入到承载件搬入搬出区域12中，经由前方侧承载件台22被搬送到后方侧承载件台23。在由门61将该承载件C的盖C2取下之后，收纳于该承载件C中的晶圆W被搬送到载置于移载用舟台62的晶舟6中并被保持。当像这样将所收纳的所有的晶圆W搬送到晶舟6时，在安装了盖C2之后，承载件C被搬送到承载件待机区域13中，载置于待机用承载件台31。接在该承载件C之后被搬送到承载件搬入搬出区域12的承载件C也同样地、在所收纳的晶圆W被全部搬出之后被载置于待机用承载件台31(图3)。
从规定的个数的承载件C取出晶圆W，当规定的张数的晶圆W保持于晶舟6时，晶舟6被搬送到盖64上的搬入用舟台65。然后，盖64上升，晶舟6被收纳于反应容器5内的处理空间中并且反应容器5被气密地关闭。晶圆W被加热器52加热来成为规定的温度，并且处理空间成为规定的压力的真空气氛，之后被供给成膜气体，对晶圆W进行基于CVD的成膜。此外，即使在将晶圆W从承载件C取出时在晶圆W也附着有水分和污染物质等异物，该异物也因基于成膜处理的加热而气化，由此从晶圆W去除该异物。
例如，在该成膜处理中，在承载件搬送机构32位于承载件待机区域13的状态下，由遮挡件26关闭承载件搬送口25，来将承载件待机区域13与承载件搬入搬出区域12划分。并且，配管41A的风门42A和配管41B的风门42B被关闭，停止从壳体11的外部向承载件待机区域13供给空气，并且停止从反应容器设置区域15向成膜装置1的外部排放加热后的空气。像这样，风门42A、42B被关闭，另一方面，配管41C、41D的风门42C、42D被打开，在反应容器设置区域15中被加热的空气通过配管41C的过滤器44被清洁化后供给到承载件待机区域13的上部，并且进行从承载件待机区域13的下部向反应容器设置区域15的排气。
通过该空气的供给和排气，在承载件待机区域13的载置各承载件C的区域形成下降流，承载件C暴露于该下降流中而被加热，该温度例如设为40℃～80℃。通过像这样被加热，在承载件C内，吸附于各部的异物气化而成为从该各部脱离的状态。然后，在承载件C像这样被加热的状态下，由承载件搬送机构32打开承载件C的盖C2，气化的异物从承载件C内流出，构成上述下降流的清洁的空气流入该承载件C内。也就是说，承载件C内的气体被置换为清洁的空气(图4)。之后，承载件搬送机构32将承载件C的盖C2关闭。对待机于承载件待机区域13的所有的承载件C依次进行上述的盖C2的开闭，在盖C2被打开时承载件C内的气体被置换。
之后，进行承载件搬送口25的开放、配管41A的风门42A和配管41B的风门42B的开放、以及配管41C的风门42C和配管41D的风门42D的闭锁，反应容器设置区域15与承载件待机区域13之间的气体的流通停止，再次向壳体11的外部排出反应容器设置区域15的空气，并且在承载件待机区域13形成由再次从清洁间供给来的气体形成的下降流(图5)。清洁间的温度比加热后的承载件C的温度低，因此从该清洁间供给来的空气作为用于将承载件C冷却的冷却气体发挥作用，承载件C的温度迅速下降。
然后，当成膜处理结束时，在停止向反应容器5内的处理空间供给成膜气体并且该处理空间的压力上升之后，盖64下降，向晶圆搬送区域14搬出晶舟6，被保持于晶舟6的晶圆W暴露于晶圆搬送区域14的N2气体气氛中而冷却。之后，将晶舟6搬送到移载用舟台62，另一方面，将内部被清洁化的承载件C从承载件待机区域13搬送到后方侧承载件台23，卸下盖C2。然后，成膜完毕的晶圆W被搬送并收纳于该承载件C中。
相比于该收纳的晶圆W的温度，在上述的承载件待机区域13中在盖C2被开放的状态下被加热时的承载件C的温度高。具体地说，当搬入承载件C中时的晶圆W的温度设为40℃时，在上述的盖C2被开放时被加热的承载件C的温度设为比40℃高的温度。这是为了防止在上述的承载件C内的清洁化处理时未气化的异物因容纳于承载件C内的晶圆W的热而气化并吸附于晶圆W。此外，这样以能够防止来自承载件C内的异物的气化的方式设定加热时的承载件C的温度，因此在加热时的承载件C的内壁与外壁的温度不同的情况下，所谓该承载件C的温度为内壁的温度。
如上述的那样，对收纳有成膜完毕的晶圆W的承载件C安装盖C2，经由前方侧承载件台22从成膜装置1搬出该承载件C。对在承载件待机区域13待机的各承载件C依次进行向已述的后方侧承载件台23的搬送、成膜完毕的晶圆W的收纳以及从成膜装置1的搬出(图6)。
根据该成膜装置1，将在所收纳的晶圆W被搬送到反应容器5中而成为空的状态下在承载件待机区域13待机的承载件C加热到比返回该承载件C时的成膜处理完毕的晶圆W的温度高的温度，并且开放盖C2。由此，使包括水分和污染物质等的异物在气化的状态下从承载件C内流出而被去除，承载件C内被清洁化。因而，在反应容器5内被成膜处理的晶圆W返回该承载件C时，在该承载件C内没有残留有在该晶圆W的温度以下的温度时会气化的异物。因而，能够防止在将晶圆W返回承载件C时该晶圆W被异物污染。而且，承载件C内被清洁化，因此也能够抑制在向该成膜装置1中的进行成膜处理的后段的各处理的装置搬送该承载件C后晶圆W被异物污染。
在上述的处理例中，晶圆W的成膜处理和承载件C内的清洁化处理同时进行，但也可以在相互不同的定时进行。例如在成膜处理结束并从反应容器5搬出晶舟6后在晶圆搬送区域14中冷却晶圆W的期间，如图4中所说明的那样进行向承载件待机区域13供给加热后的气体以及将承载件C的盖C2开闭，使承载件C清洁化。
然而，在承载件C内的清洁化处理中，随着承载件C的加热温度提高，能够可靠地将异物气化，但当该加热温度过高时超过承载件C的耐热温度的界限，会有承载件C产生变形等不良的风险。另外，成为异物的有机物、离子性气体具有水合性(水溶性)，因此认为在将承载件C加热而使水分从承载件C的各部脱离时，也能够使溶解于该水分中的有机物、离子性气体脱离。也就是说，认为这些有机物、离子性气体的承载件C的各部的吸附能比较低，即使在比较低的温度下也能够使它们脱离。并且，在上述的清洁间内搬送上述的承载件C，因此暴露于比较高的温度环境中的风险少，因此即使是没有较高的温度就不会气化的异物吸附于承载件C，这样的异物在承载件C的使用中气化并附着于晶圆W的可能性也低，因此也可以不通过上述的承载件C内的清洁化处理将该异物去除。由于这样的情况，不需将承载件C的加热温度设为过高，优选设为已述的范围内的温度。
另外，在上述的成膜装置1中对承载件C内进行清洁化处理，之后将清洁间内的空气供给到承载件待机区域13，来将被加热的承载件C冷却。因而，用于在将承载件C加热之后搬送该承载件C的承载件搬入搬出区域12的各构件的耐热性不需提高。另外，像这样进行冷却，能够向承载件搬入搬出区域12搬送承载件C的定时的自由度高。因此，能够在成膜处理完毕的晶圆W被冷却之后迅速地收纳于之前被搬送到承载件搬入搬出区域12中的承载件C，因此能够实现生产率的提高。
此外，在承载件C内的清洁化处理中，不限于由承载件搬送机构32进行盖C2的开闭。例如，以使承载件C的前表面朝向构成承载件待机区域13的侧壁的方式将承载件C载置于待机用承载件台31。而且，也可以在构成上述的承载件待机区域13的侧壁设置与门61同样地将盖C2开闭的开闭机构来使盖C2开闭。
其中，不限于在进行承载件C内的清洁化处理时将盖C2开闭。图7表示构成为能够不将盖C2开闭地进行清洁化处理的待机用承载件台31的纵剖侧面。该待机用承载件台31构成为构成气体流出机构，在其上表面设置N2气体喷出口71、排气口72。N2气体喷出口71经由形成于待机用承载件台31的流路73来与N2气体供给机构74连接，排气口72经由形成于待机用承载件台31的流路75来与排气机构76连接。
在承载件C的下部设置有气体供给端口C3、气体排出端口C4，在承载件C载置于待机用承载件台31时，N2气体喷出口71与气体供给端口C3连接，排气口72与气体排出端口C4连接。如图4中所说明的那样，在承载件待机区域13形成被加热后的空气的下降流来将承载件C加热到已述的温度的状态下，从N2气体喷出口71经由气体供给端口C3向承载件C内、即收纳晶圆W的空间供给N2气体，并且经由排气口72和气体排出端口C4对该空间进行排气。也就是说，承载件C的内部被N2气体吹扫，气化的异物被去除。此外，图中的虚线的箭头示意性地示出承载件C内的N2气体的流动。另外，作为该承载件C内的吹扫所用的气体，不限于N2气体，也可以使用干燥后的空气、N2气体以外的非活性气体。此外，可以在如上述的那样将加热后的空气供给到承载件C之后，进一步进行这样的承载件C内的吹扫。
另外，承载件C内的清洁化处理不限于在承载件待机区域13中进行，例如可以在承载件搬入搬出区域12中进行。图8为构成为能够进行承载件C内的清洁化处理的承载件搬入搬出区域12的俯视图。在该承载件搬入搬出区域12中设置有收纳承载件C的壳体76，壳体76内构成为进行清洁化处理的处理仓。在壳体76内设置有承载件台77。该承载件台77与图7所说明的待机用承载件台31相同地构成，能够对所载置的承载件C内进行吹扫。图中78为设置于壳体76的侧壁的承载件C的搬送口，承载件搬送机构32能够经由该搬送口78来将承载件C载置于承载件台77。在壳体76内设置有对载置于承载件台77的承载件C进行加热的加热器79。
将已经向晶舟6搬出了晶圆W后的承载件C搬送到承载件台77上。然后，由加热器79将承载件C加热，并且对承载件C内吹扫来进行清洁化处理。该清洁化处理既可以是在将承载件C搬送到承载件待机区域13来使该承载件C待机之前进行，也可以是在将承载件C搬送到承载件待机区域13使该承载件C待机之后来进行。此外，通过像这样在壳体76内进行清洁化处理，不需要在承载件待机区域13中进行盖C2的开闭，因此在图8所示的承载件搬送机构32没有设置多关节臂36和盖保持部37。
然而，当在承载件待机区域13中进行承载件C的加热时，也可以代替如上述的那样将加热后的空气供给到承载件待机区域13，而利用设置于承载件待机区域13的加热器来进行。例如能够在构成承载件待机区域13的壁面、待机用承载件台31设置该加热器。另外，作为像这样加热承载件C的加热部，可以代替加热器而将红外线照射灯、LED(发光二极管)等向承载件C照射电磁波来进行加热的装置设置于承载件待机区域13。但是，只要设为如图1中所述的那样使用作为对晶圆W进行加热处理的副产物得到的加热后的空气来加热承载件C的结构，则不需设置这样的加热部，不需要向加热部供给的电力。因而，具有能够抑制成膜装置1的运用成本这个优点。此外，可以一并进行向承载件C的加热后的空气的供给、以及由设置于承载件待机区域13的加热部进行的承载件C的加热。
另外，如图7、图8所示的那样，在向承载件C内供给N2气体的情况下，可以在供给该N2气体的N2气体供给机构74设置用于加热该N2气体的加热部。也就是说，可以通过将加热后的N2气体供给到承载件C来加热承载件C内。其中，气体的比热比较小。也就是说，温度容易下降，因此认为在像这样向承载件C内局部地供给N2气体的情况下，供给来的N2气体的温度迅速地下降，使得有时为了使承载件C内的温度上升需要比较长的时间的情况。因而，为了使承载件C内的温度高效地上升来提高异物的去除效率，设为如图1所示的那样将加热后的空气供给到载置承载件C的承载件待机区域13，由此对该承载件待机区域13整体进行加热的结构是有效的。
图9示出设置跨越承载件待机区域13和反应容器设置区域15的液体的循环路81的例子。该循环路81的一部分在承载件待机区域13中绕到待机用承载件台31内。图中82为泵，使液体在循环路81中循环。循环路81中的设置于反应容器设置区域15的部位被该反应容器设置区域15的空气加热，因此液体在该部位中流通而被加热，并供给到承载件待机区域13。然后，待机用承载件台31和载置于该待机用承载件台31的承载件C被该液体的热加热。之后，液体在循环路81中流通，再次被反应容器设置区域15加热，之后被供给到承载件待机区域13。像这样，泵82和循环路构成加热承载件C的加热流体供给机构。也就是说，作为为了进行承载件C内的清洁化处理而从反应容器设置区域15供给到承载件待机区域13的加热后的流体不限于气体，也可以为液体。
在图10中，示出在后方侧承载件台23设置加热器83，并且在下方划分壁16中的当门61将晶圆搬送口24开放时与被保持于该门61的盖C2相向的部位设置加热器84的例子。关于将盖C2取下来向晶舟6搬出晶圆W后的承载件C，分别由加热器83加热容器主体C1，由加热器84加热盖C2。由此，从容器主体C1和盖C2气化的异物气化而脱离。通过打开盖C2，晶圆搬送区域14中的N2气体流入容器主体C1内，气氛被置换。从容器主体C1和盖C2脱离的异物从设置于晶圆搬送区域14的未图示的排气口与形成晶圆搬送区域14的气氛的N2气体一并被排气而被去除。
作为由上述的加热器83、84将承载件C加热来进行异物的去除的定时既可以是紧接在取出晶圆W之后即搬送到承载件待机区域13进行待机之前，也可以是紧挨在晶圆W返回之前即在承载件待机区域13待机之后。另外，可以为只设置加热器83、84中的加热器83来只加热容器主体C1的结构，但通过由加热器84也加热盖C2，能够更可靠地防止晶圆W因异物产生的污染。此外，作为用于像这样加热容器主体C1、盖C2的加热部不限于使用为发热阻抗体的加热器83、84，也可以分别将上述的红外线照射灯、LED设置于晶圆搬送区域14、承载件搬入搬出区域12来加热盖C2、容器主体C1。
然而，也可以使用加热后的晶圆假片D将承载件C加热来进行清洁化处理。当具体地说明时，如已述的那样在除了晶圆W以外还在晶舟6搭载有晶圆假片D的状态下进行成膜处理，因此在结束对晶圆W的成膜处理而从反应容器5搬出的晶舟6搭载有被加热而成为比较高的温度的晶圆假片D。对于为了接受晶圆W而被从待机用承载件台31搬送到后方侧承载件台23并被打开盖C2的承载件C，在搬送晶圆W之前，先将晶圆假片D从如图11所示被搬送到移载用舟台62的晶舟6搬送并收纳于承载件C内。
该收纳时的晶圆假片D的温度为不超过承载件C的耐热界限的温度、例如80℃以下。通过来自晶圆假片D的辐射热、因晶圆假片D的接触产生的热传导、因晶圆假片D产生的热对流，承载件C内被加热，异物气化。此外，晶圆假片D也与晶圆W一样，通过CVD而水分和污染物质等异物气化而被去除，因此承载件C不会因该晶圆假片D的搬入而被异物污染。
承载件C的盖C2被开放，因此气化的异物从承载件C流出，承载件C内的气氛被置换为晶圆搬送区域14的气氛即N2气体气氛。之后，晶圆假片D被从承载件C被搬出而返回晶舟6，将成膜处理完毕的晶圆W从晶舟6搬入承载件C。在搬送晶圆假片D之后搬送承载件C，也就是说晶圆W相比于晶圆假片D以长的时间冷却晶圆W，因此该晶圆W的温度比被搬入到上述的承载件C时的晶圆假片D的温度低。因而，被晶圆假片D加热的承载件C的温度比该晶圆W的温度高，因此异物不附着于晶圆W。此外，被搬入到承载件C的晶圆假片D的张数可以为一张，但为了更可靠地加热承载件C内而优选为多张。另外，上述的晶圆假片D的搬送与晶圆W同样地由晶圆搬送机构63来进行。
然而，在盖C2设置有用于将形成在盖C2与容器主体C1之间的间隙密封的树脂制的垫片。该垫片粘结于容器主体C1，在打开盖C2时容器主体C1被盖C2拉动而振动，使得有要重新进行打开盖C2的动作的风险，但通过加热承载件C，该粘结现象得到抑制。也就是说，成膜装置1还具有抑制该粘结现象的效果。
另外，当在成膜处理时在晶圆假片D的表面吸附有水分时，该水分向反应容器5内扩散，有时使形成于晶圆W的膜的膜质量劣化。为了防止该情况，可以按照以下的顺序进行处理。首先，在如图3所说明的那样将晶圆W从承载件C搬出到晶舟6之后，将晶圆假片D从晶舟6搬送到该承载件C并进行收纳。接下来，在收纳有晶圆假片D的状态下，如图4所说明的那样进行承载件C内的清洁化处理。通过该清洁化处理，晶圆假片D被加热，所吸附的水分被去除。之后，将晶圆假片D从承载件C搬送到晶舟6，在搭载有晶圆假片D和晶圆W的状态下将晶舟6搬送到反应容器5中后进行成膜处理。之后，如图6所说明的那样，将成膜处理完毕的晶圆W返回承载件C。也就是说，根据该处理工序，能够同时对晶圆假片D的表面和承载件C内进行清洁化。
然而，既可以在反应容器5内进行基于ALD的成膜处理，也可以进行成膜处理以外的处理。例如，既可以向利用加热器52加热的反应容器5内供给蚀刻用的处理气体，也可以供给退火处理用的非活性气体。也就是说，关于上述的成膜装置1，可以代替设为成膜装置而构成为蚀刻装置、退火装置等加热处理装置。此外，承载件C的加热不限于如上述的那样使用反应容器设置区域15的空气，因此本发明也应用于具备在常温下向晶圆W供给处理液来进行清洗、成膜等液处理的基板处理部的、加热处理装置以外的处理装置。另外，本发明不限于已述的实施方式，各实施方式能够适当地进行变更或组合。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
台，其用于载置内部收纳有基板的承载件；
基板处理部，其用于对所述基板进行处理；
基板搬送机构，其用于在被载置于所述台的所述承载件与所述基板处理部之间搬送所述基板；
承载件加热机构，其将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度；以及
气体流出机构，其用于使被所述承载件加热机构加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出，
其中，所述基板处理装置具备发热体，所述发热体发热以在所述基板处理部中对所述基板进行加热处理，
所述承载件加热机构具备加热流体供给机构，所述加热流体供给机构对已被搬出了所述基板的状态下的承载件待机的承载件待机区域供给被所述发热体加热的流体，来加热该承载件，
所述气体流出机构为对所述承载件的盖进行开闭的盖开闭机构，
所述基板处理装置设置有用于在所述台与被设置于所述承载件待机区域的待机用台之间搬送所述承载件的承载件搬送机构，
所述盖开闭机构设置于所述承载件搬送机构，对被载置于所述待机用台的所述承载件的盖进行开闭。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具备划分构件，其将设置所述发热体的发热体设置区域与所述承载件待机区域进行划分；以及
第一连接路，其设置于所述划分构件，并且将所述发热体设置区域与所述承载件待机区域连接，
所述加热流体供给机构经由所述第一连接路向所述承载件待机区域供给在所述发热体设置区域中被加热了的作为所述流体的气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述划分构件设置有用于将相对于所述发热体设置区域和所述承载件待机区域划分出的外侧区域与该承载件待机区域连接的第二连接路，
所述基板处理装置具备承载件冷却用的气体供给机构，所述气体供给机构经由所述第二连接路向所述承载件待机区域供给所述外侧区域中的气体以冷却所述内部的气体流出后的承载件。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体流出机构包括：吹扫气体喷出口，其分别设置于待机用台以对所述承载件的内部进行吹扫，并且向形成在所述承载件的气体供给端口供给吹扫气体；以及排气口，其从形成在所述承载件的气体排出端口排出气体，其中，所述待机用台被设置于已被搬出了所述基板的状态下的承载件待机的承载件待机区域。
5.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：
将在内部收纳有基板的承载件载置于台的工序；
由基板搬送机构将所述基板从所述承载件向用于对该基板进行处理的基板处理部搬出的搬出工序；
由所述基板搬送机构将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入所述承载件的搬入工序；
在所述搬出工序之后，在进行所述搬入工序之前，将已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件加热到比将经由所述基板处理部处理完毕的基板搬入该承载件时的该基板的温度高的温度的承载件加热工序；以及
利用气体流出机构使通过所述承载件加热工序被加热的所述承载件的内部的气体向该承载件的外侧流出的工序，
其中，所述基板处理方法包括使发热体发热以在所述基板处理部中对所述基板进行加热处理的工序，
所述承载件加热工序包括对已被搬出了所述基板的状态下的承载件待机的承载件待机区域供给被所述发热体加热的流体，来加热该承载件，
其中，所述气体流出机构为对所述承载件的盖进行开闭的盖开闭机构，
所述盖开闭机构设置于用于在所述台与被设置于所述承载件待机区域的待机用台之间搬送所述承载件的承载件搬送机构，对被载置于所述待机用台的所述承载件的盖进行开闭。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
所述承载件加热工序包括将在所述基板处理部中被所述发热体加热了的基板假片搬入到已被搬出了所述基板的状态下的所述承载件中来加热该承载件的工序。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述承载件的内部收纳有基板假片的状态下进行所述承载件加热工序，
所述基板处理方法包括如下工序：在该承载件加热工序之后，将所述基板假片从所述承载件搬出，并且与从所述承载件搬出的基板一并在所述基板处理部中进行处理。
8.一种存储介质，存储有在基板处理装置中使用的计算机程序，该基板处理装置在用于载置收纳有基板的承载件的台与对所述基板进行处理的基板处理部之间搬送基板来进行处理，所述存储介质的特征在于，
所述计算机程序编入有步骤组，以执行根据权利要求5至7中的任一项所述的基板处理方法。
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