JP2005243768A

JP2005243768A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2005243768A
Application number: JP2004049262A
Authority: JP
Inventors: Masanao Fukuda; 正直福田; Satoyuki Matsuda; 智行松田; Akinori Tanaka; 昭典田中; Hiroyuki Ogawa; 洋行小川
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2004-02-25
Filing date: 2004-02-25
Publication date: 2005-09-08

Abstract

【課題】ウエハの表面に成長した自然酸化膜を除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式ＣＶＤ装置１０は被処理ウエハを収納したポッドを開閉する供給側ポッドオープナ２０と、被処理ウエハを取り出して酸化膜除去装置９０の除去室９２に移載する第一ウエハ移載装置４５が設置された第一移載室４２と、ウエハを処理室に搬入搬出するボート８７が待機する待機室６３に隣接した第二移載室５２と、第二移載室５２に隣接し処理済ウエハのポッドを開閉する排出側ポッドオープナ３０と、第一移載室４２と第二移載室５２との間に介設されたバッファ室１３２とを備えている。被処理ウエハは第一ウエハ移載装置４５で除去室９２に供給されて酸化膜を除去された後に、バッファ室１３２を経て、第二ウエハ移載装置５５で待機室６３に搬入される。待機室６３の処理済ウエハは第二ウエハ移載装置５５で排出側ポッドオープナ３０へ排出される。
【選択図】図１（ｂ）

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板の酸化膜防止技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりするのに利用して有効なものに関する。

従来のこの種の基板処理装置が述べられた文献としては、例えば、特許文献１がある。この特許文献１には次の縦型拡散・ＣＶＤ装置が開示されている。すなわち、この縦型拡散・ＣＶＤ装置は、複数枚のウエハを収納したカセット（ウエハキャリア）を収納しウエハを出し入れする気密構造のカセット室と、このカセット室内のカセットとボートとの間でウエハを移載するウエハ移載装置を有するロードロック室（ウエハ移載室）と、このロードロック室内のボートが搬入搬出される反応室（処理室）とを備えており、カセット室とロードロック室との間およびロードロック室と反応室との間がそれぞれ仕切弁を介して接続されており、ロードロック室は真空排気せずに窒素ガスによりロードロック室内の雰囲気が置換されるように構成されている。
特公平７−１０１６７５号公報

前記した縦型拡散・ＣＶＤ装置においては、ロードロック室に搬入される前にウエハが大気に触れることが避けられないために、ウエハに自然酸化膜が形成されてしまうという問題点がある。

本発明の目的は、基板の表面に成長した自然酸化膜を除去することができる基板処理装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、前記基板の自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置と、前記基板移載室と前記酸化膜除去装置との間に設置され前記基板が仮置きされるバッファ室とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、前記基板の自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置と、前記基板を収納したキャリアを載置する供給側載置台と、前記キャリアの前記基板を前記酸化膜除去装置に移載する基板移載装置と、前記基板保持具の前記基板を収納するキャリアを載置する排出側載置台と、前記供給側載置台と前記排出側載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送装置とを備えていることを特徴とする基板処理装置。

基板の酸化膜を酸化膜除去装置によって除去した後に、基板を予備室に搬送して処理室に搬入することにより、基板への界面酸素濃度を低減することができるので、良好な処理を確保することができる。処理室での基板の処理ステップと、それ以外のステップとを同時進行させることができるので、基板処理装置のスループットを高めることができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるバッチ式縦型拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。なお、このバッチ式ＣＶＤ装置においては、ウエハ１を収納して搬送するキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）２が使用されている。なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、フロント筐体１１側が前側、その反対側である耐圧筐体６２側が後側、ボートエレベータ８３側が左側、その反対側であるシールキャップ８６側が右側とする。

図１に示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置１０は大気圧を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、フロント筐体という。）１１を備えており、フロント筐体１１によってポッド保管室１２が形成されている。フロント筐体１１の正面壁にはポッド搬入搬出口１３が開設されており、フロント筐体１１のポッド搬入搬出口１３の手前には、ポッド２が載置されるポッドステージ１４が構築されている。ポッドステージ１４にはポッド２がＲＧＶ等の工程内搬送装置によって供給および排出されるようになっている。フロント筐体１１内の上部には前側ポッド棚１５と後側ポッド棚１６とがそれぞれ設置されており、これらポッド棚１５、１６は複数台のポッド２を保管し得るように構成されている。フロント筐体１１の前側部分にはリニアアクチュエータやエレベータおよびスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）等によって構成されたポッド搬送装置１７が設置されており、ポッド搬送装置１７はポッドステージ１４、前後のポッド棚１５、１６、供給側ポッドオープナ２０および排出側ポッドオープナ３０の間でポッド２を搬送するように構成されている。

図１に示されているように、フロント筐体１１の背面壁における右側および左側には、供給側ポッドオープナ２０および排出側ポッドオープナ３０がそれぞれ設置されている。供給側ポッドオープナ２０および排出側ポッドオープナ３０は実質的に同一に構成されているので、その構造については供給側ポッドオープナ２０を代表にして説明する。
供給側ポッドオープナ２０はポッドオープナ室２２を形成した筐体２１を備えており、筐体２１の側壁にはポッドオープナ室２２へ窒素（Ｎ₂ ）ガスを給気するガス供給管２３と、ポッドオープナ室２２を排気する排気管２４とがそれぞれ接続されている。筐体２１の正面壁にはウエハ搬入搬出口２５がポッドオープナ室２２とポッド保管室１２とを連通させるように開設されており、筐体２１の正面のウエハ搬入搬出口２５の下端辺には、未処理のウエハ１を収納したポッド２を載置する載置台２６が水平に突設されている。ポッドオープナ室２２の内部には載置台２６に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構２７が設置されている。キャップ着脱機構２７は載置台２６に載置されたポッド２のキャップを着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。筐体２１の背面壁にはウエハ搬入口２８が開設されており、ウエハ搬入口２８は開閉するゲートバルブ２９によって開閉されるようになっている。
なお、窒素ガス供給管２３および排気管２４は設置しなくてもよい。設置しない場合には、ポッドオープナ室２２の内部の雰囲気がゲートバルブ２９の開閉によって置換される。

供給側ポッドオープナ２０のウエハ搬入口２８の後側には、酸化膜除去装置側移載室（以下、第一移載室という。）４２を形成した筐体（以下、第一移載室筐体という。）４１が隣接して設置されている。第一移載室筐体４１の側壁には、第一移載室４２を窒素ガスパージするための窒素ガス供給管４３および排気管４４がそれぞれ接続されている。第一移載室４２にはスカラ形ロボットによって構成されたウエハ移載装置（以下、第一ウエハ移載装置という。）４５が水平に設置されている。第一移載室筐体４１の側壁におけるウエハ搬入口２８に対向する部位には、供給側ポッドオープナ２０に連絡する連絡口４６がウエハ搬入口２８に連続するように開設されている。第一移載室筐体４１の側壁における連絡口４６と異なる部位には、バッファ室に連絡する連絡口４７と、酸化膜除去装置（洗浄装置とも言われている。）に連絡する連絡口４８とがそれぞれ開設されている。

排出側ポッドオープナ３０のウエハ搬出口３８の後側には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体５１が隣接して設置されており、この耐圧筐体（以下、第二移載室筐体という。）５１によって成膜側移載室（以下、第二移載室という。）５２が形成されている。第二移載室筐体５１の側壁には第二移載室５２を窒素ガスパージするための窒素ガス供給管５３と、負圧に排気するための排気管５４とがそれぞれ接続されている。第二移載室５２にはスカラ形ロボットによって構成されたウエハ移載装置（以下、第二ウエハ移載装置という。）５５が水平に設置されている。第二移載室筐体５１の正面壁におけるウエハ搬出口３８に対向する部位には、排出側ポッドオープナ３０に連絡する連絡口５６がウエハ搬出口３８に連続するように開設されている。第二移載室筐体５１の背面壁にはウエハ搬入搬出口５７が開設されており、ウエハ搬入搬出口５７はゲートバルブ５８によって開閉されるようになっている。なお、第二移載室筐体５１の右側面壁にはバッファ室に連絡する連絡口６７が開設されている。

第二移載室５２の第二ウエハ移載装置５５と反対側には、基板仮置き具としての一対のストッカ５９Ａ、５９Ｂが前後に並べられて設置されている。両ストッカ５９Ａ、５９Ｂはボートと同様な構造に構成されており、ボートが保持可能な最大枚数以上の枚数のウエハ１を保持可能なように構成されている。第二移載室５２の前側ストッカ５９Ａと後側ストッカ５９Ｂとの間には、遮蔽手段としての遮蔽板６０が垂直に設置されており、遮蔽板６０は前側ストッカ５９Ａと後側ストッカ５９Ｂとの間の熱を遮断するように構成されている。前側ストッカ５９Ａおよび後側ストッカ５９Ｂの近傍のそれぞれには、窒素ガスを吹き出す前側ガス吹出管６１Ａと後側ガス吹出管６１Ｂとが設置されており、前側ガス吹出管６１Ａおよび後側ガス吹出管６１Ｂは前側ストッカ５９Ａおよび後側ストッカ５９Ｂに窒素ガスをそれぞれ吹き付けるように構成されている。

図１に示されているように、第二移載室筐体５１の後側には負圧を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）６２が隣接して設置されており、この耐圧筐体６２によりボートを収納可能な容積を有するロードロック方式の予備室である待機室６３が形成されている。なお、ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の仕切弁を用いて処理室と予備室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式である。耐圧筐体６２には待機室６３へ窒素（Ｎ₂ ）ガスを給気するためのガス供給管６４と、待機室６３を負圧に排気するための排気管６５とがそれぞれ接続されている。耐圧筐体６２の正面壁におけるウエハ搬入搬出口５７に対向する部位にはウエハ搬入搬出口６６が開設されている。

図２および図３に示されているように、待機室６３の天井壁にはボート搬入搬出口７０が開設されており、ボート搬入搬出口７０は仕切弁としてのシャッタ７１によって開閉されるように構成されている。耐圧筐体６２の上にはヒータユニット筐体７２が構築されており、ヒータユニット筐体７２の内部にはヒータユニット７３が垂直方向に設置されている。ヒータユニット７３の内部には処理室７５を形成するプロセスチューブ７４が設置されている。プロセスチューブ７４は石英（ＳｉＯ₂ ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されたアウタチューブ７６と、石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上下両端が開口した円筒形状に形成されたインナチューブ７７とを備えており、アウタチューブ７６がインナチューブ７７に同心円に被せられている。アウタチューブ７６とインナチューブ７７との間には環状の排気路７８が両者の間隙によって形成されている。プロセスチューブ７４は耐圧筐体６２の天井壁の上にマニホールド７９を介して支持されており、マニホールド７９はボート搬入搬出口７０に同心円に配置されている。プロセスチューブ７４の下方には処理室７５に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管８０と、プロセスチューブ７４の内部を排気するための排気管８１とがそれぞれ接続されており、排気管８１は排気路７８に連通するようになっている。なお、プロセスチューブ７４には熱電対８２が挿入されており、熱電対８２の側温によってヒータユニット７３のフィードバック制御が実施されるようになっている。

待機室６３にはボートを昇降させるためのボートエレベータ８３が設置されており、ボートエレベータ８３は送りねじ装置やベローズ等によって構成されている。ボートエレベータ８３の昇降台８４の側面にはアーム８５が水平に突設されており、アーム８５の先端にはシールキャップ８６が水平に据え付けられている。シールキャップ８６はプロセスチューブ７４の炉口になる耐圧筐体６２のボート搬入搬出口７０を気密シールするように構成されているとともに、基板保持具であるボート８７を垂直に支持するように構成されている。ボート８７は複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１５０枚ずつ等）のウエハ１をその中心を揃えて水平に支持した状態で、ボートエレベータ８３によるシールキャップ８６の昇降に伴ってプロセスチューブ７４の処理室７５に対して搬入搬出するように構成されている。ボート８７はシールキャップ８６に設置されたロータリーアクチュエータ８８によって回転されるように構成されている。

図１に示されているように、第一移載室筐体４１の後側には酸化膜除去装置９０が隣接して設置されている。酸化膜除去装置９０は酸化膜除去室（以下、除去室という。）９２を形成した筐体（以下、除去室筐体という。）９１を備えており、除去室筐体９１は第一移載室筐体４１の後側に隣接して設置されている。除去室筐体９１の正面壁にはウエハ搬入搬出口９３が第一移載室筐体４１の連絡口４８に対向するように開設されている。第一移載室筐体４１の連絡口４８および除去室筐体９１のウエハ搬入搬出口９３はゲートバルブ９４によって開閉されるようになっている。除去室筐体９１の側壁には除去室９２へ窒素（Ｎ₂ ）ガスを給気するためのガス供給管９５と、除去室９２を負圧に排気するための排気管９６とがそれぞれ接続されている。図示しないが、除去室９２の内面は薬液による腐食防止対策として、弗素樹脂の表面によって構成されている。弗素樹脂の表面は弗素樹脂コーティングや弗素樹脂ライニング等の表面処理や、除去室筐体９１自体を弗素樹脂によって構築する方法によって構成することができる。

図４および図５に示されているように、除去室筐体９１の中央部の下方には、回転数を低速領域から高速領域まで制御可能なモータ９７が垂直方向上向きに設置されており、モータ９７の出力軸９８には回転軸１００がカップリング９９によって連結されている。回転軸１００は除去室筐体９１の底壁を貫通して除去室９２に挿入されており、シール機構付き軸受装置１０１によって回転自在に支承されている。回転軸１００の上端にはウエハ１を水平に保持する保持具１０２が連結されている。保持具１０２はウエハ１よりも若干大径の円盤形状に形成されており、上面に突設された複数本の把持ピン１０３によってウエハ１を着脱自在に把持するように構成されている。保持具１０２の下面における周辺部には切頭円錐筒形状のスカート１０４が同心円に垂下されており、スカート１０４はエッチング液等が回転軸１００の方向に侵入するのを防止するメカニカルシールを構成している。

除去室筐体９１の底壁における周辺部には、薬液としてのエッチング液および超純水を滴下する薬液ノズル１０６が挿通されており、除去室筐体９１の底壁における薬液ノズル１０６の周囲はシール装置１０５によってシールされている。薬液ノズル１０６は滴下口１０６ａが保持具１０２の中心線上に配置するように構成されて、エッチング液および超純水をウエハ１の中心に滴下するようになっている。薬液ノズル１０６には給液配管１０７の一端がそれぞれ接続されており、給液配管１０７の他端には洗浄液としての弗酸等のエッチング液およびリンス液としての超純水を供給する薬液供給装置１０８が接続されている。

除去室筐体９１の底壁の周辺部における薬液ノズル１０６から１８０度離れた位置には、乾燥用ガスとしての水蒸気（スチーム）を吹き出すノズル（以下、スチームノズルという。）１０９が挿通されており、スチームノズル１０９は吹出口１０９ａが保持具１０２の中心線上に位置するように構成されている。スチームノズル１０９には給気管１１０の一端が接続されており、給気管１１０の他端には乾燥用ガスとしてのスチーム（Ｈ₂ Ｏ）を供給するスチーム供給装置１１１が、上流側からスチーム供給弁１１２およびフィルタ１１３を介して接続されている。スチームノズル１０９には温度センサ（図示せず）が設けられている。スチームノズル１０９はその内面に耐薬品表面処理が施されている。

除去室筐体９１の底壁におけるスチームノズル１０９の位置にはスチームを排気する排気ダクト１１４が挿通されており、スチームノズル１０９は排気ダクト１１４の中空部の中心線上に敷設されている。排気ダクト１１４はエルボパイプ形状に形成されており、排気ダクト１１４の一端開口にはスチームを吸い込む吸込口１１５がスチームノズル１０９の吹出口１０９ａを取り囲むようにフード形状に形成されている。排気ダクト１１４は吸込口１１５およびスチームノズル１０９の吹出口１０９ａを水平面内で旋回させるアームを兼ねるように構成されている。すなわち、排気ダクト１１４は除去室筐体９１の底壁を貫通して除去室９２に挿入されて、シール機構付き軸受装置１１６によって回転自在に支承されており、旋回駆動装置１１７によって旋回されるように構成されている。旋回駆動装置１１７は排気ダクト１１４の旋回は、その移動速度を任意に可変設定制御することができるように構成されている。排気ダクト１１４には排気配管１１８の一端が接続されており、排気配管１１８の他端には排気装置１１９が、スチームを冷却して水分を捕捉するトラップ１２０を介して接続されている。トラップ１２０には回収タンク１２１がドレン弁１２２を介して接続されている。排気ダクト１１４の筒壁の内部にはヒータ１２３（図６参照）が敷設されており、排気ダクト１１４の中空部の表面は弗素樹脂のコーティング処理によって耐薬品性で撥水性の良好な表面に構成されている。

なお、スチームノズル１０９および排気ダクト１１４はウエハ１の主面に対し上下方向に近づけたり遠ざけたりすることができる駆動軸やスペーサを設け、可変させることができるように構成してもよい。このことにより、スチームノズル１０９からのスチームの供給量と、排気ダクト１１４の排気量と、排気ダクト１１４とウエハ１の主面との隙間との関係等を調整することができるようになる。

また、スチームノズル１０９と排気ダクト１１４の別の実施の形態を示す図８のように、排気ダクト１１４の先端部の外周を、内周とウエハ１との距離（α）と、外周とウエハ１との距離（β）とを大きくするようにテーパ形状に形成することにより、排気ダクト１１４内に外部の雰囲気１４１を流入させ易くすることができる。これにより、排気ダクト１１４はより回収し易くなる。なお、この時、好ましくは流入する外部の雰囲気１４１の流速をスチーム１２９の流速よりも速く設定することにより、より一層回収し易くなる。

図１（ｂ）に示されているように、第一移載室筐体４１と第二移載室筐体５１との間には、ウエハ１が仮置きされるバッファ室１３２を形成したバッファ室筐体１３１が設置されている。バッファ室筐体１３１は上下両端が閉塞した円筒形状に形成されており、バッファ室筐体１３１の側壁にはバッファ室１３２へ窒素ガスを給気するための窒素ガス供給管１３３と、バッファ室１３２を負圧に排気するための排気管１３４とが接続されている。バッファ室筐体１３１の側壁における第一移載室４２側の連絡口４７と対向する部位には、ウエハ搬入口１３５がバッファ室１３２と連絡口４７とを連絡するように開設されており、ウエハ搬入口１３５と連絡口４７との間にはゲートバルブ１３６が介設されている。バッファ室筐体１３１の側壁における第二移載室５２側の連絡口６７と対向する部位には、ウエハ搬出口１３７がバッファ室１３２と連絡口６７とを連絡するように開設されており、ウエハ搬出口１３７と連絡口４７との間にはゲートバルブ１３８が介設されている。バッファ室１３２にはウエハ１が仮置きされる仮置き台１３９が設置されており、仮置き台１３９は複数枚のウエハ１を水平に保持するように構成されている。

以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。なお、本実施の形態においては、一台のポッド２に収納された二十五枚以内のウエハ１をバッチ処理（一括処理）する場合について説明する。

成膜すべきウエハ（プロダクトウエハ）１は二十五枚以内がポッド２に収納された状態で、バッチ式ＣＶＤ装置１０のポッドステージ１４へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。搬送されて来たポッド２はポッドステージ１４から前側ポッド棚１５または後側ポッド棚１６の指定された場所にポッド搬送装置１７によって搬送されて保管される。

ウエハ１が収納されたポッド２は供給側ポッドオープナ２０の載置台２６の上へポッド搬送装置１７によって搬送されて載置される。ポッドオープナ室２２には窒素ガスが窒素ガス供給管２３によって供給されるとともに、排気管２４によって排気されることにより、窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）される。この時のポッドオープナ室２２の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。載置されたポッド２のキャップがキャップ着脱機構２７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口に窒素ガス供給管２３から吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。この時のポッド２のウエハ収納室の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。その後、ウエハ搬入口２８がゲートバルブ２９によって開放される。この際、第一移載室４２および除去室９２には窒素ガスが充満（窒素ガスパージ）されている。
なお、窒素ガス供給管２３および排気管２４は設置せずに、ゲートバルブ２９を開くことにより、ポッドオープナ室２２の内部の雰囲気を置換するように構成してもよい。

ポッド２が開放されると、ウエハ１はポッド２から第一ウエハ移載装置４５によってウエハ搬入口２８、連絡口４６を通してピックアップされ、第一移載室４２に搬入される。第一移載室４２に搬入されたウエハ１は連絡口４８およびウエハ搬入搬出口９３を通して除去室９２に搬入され、保持具１０２の上に移載される。保持具１０２に移載されたウエハ１は把持ピン１０３によって把持される。ウエハ１が把持ピン１０３によって把持されると、除去室９２のウエハ搬入搬出口９３がゲートバルブ９４によって閉じられる。この時の除去室９２の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。

その後、保持具１０２によって保持されたウエハ１がモータ９７によって回転される。回転が安定したところで、洗浄液としての弗酸等のエッチング液が薬液ノズル１０６へ薬液供給装置１０８から供給され、滴下口１０６ａからウエハ１の上面の中心に滴下される。この際、排気ダクト１１４は図１（ｂ）に実線で示された位置に退避されている。ウエハ１の中心に滴下されたエッチング液は回転するウエハ１の遠心力によってウエハ１の周辺部に均一に拡散することにより、ウエハの表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面に形成された自然酸化膜を全体にわたって均一にエッチングして除去する。ウエハ１によって振り切られた余分のエッチング液は除去室９２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、エッチング液の供給が停止される。

次いで、リンス液としての超純水が薬液供給装置１０８から給液配管１０７を通じて薬液ノズル１０６に供給され、薬液ノズル１０６の滴下口１０６ａからウエハ１の中心に滴下される。ウエハ１の中心に滴下された超純水は、回転するウエハ１の遠心力によって周辺部に拡散することにより、ウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１に残ったエッチング液を全体にわたって均一に洗い流す。ウエハ１によって振り切られた余分の超純水は除去室９２の底部によって回収される。予め、設定された時間が経過すると、超純水の供給が停止される。

リンス後に、スチーム１２４（図６参照）がスチームノズル１０９へスチーム供給装置１１１から給気管１１０を通じて供給されることにより、スチームノズル１０９の吹出口１０９ａからウエハ１に吹き付けられる。同時に、排気ダクト１１４が排気装置１１９によって排気配管１１８を通じて排気されることにより、スチーム１２４が吸込口１１５から吸い込まれて排気される。ウエハ１に接触したスチーム１２４は、ウエハ１の表面に残った超純水を加熱して気化させることにより、ウエハ１を乾燥させる。スチーム１２４としては、超純水を加熱した２００℃前後の高温スチームが使用される。但し、好ましくは２００℃前後であるが、１００℃以上であればよい。

このとき、図６に示されているように、スチームノズル１０９の吹出口１０９ａからウエハ１の表面に吹き付けられたスチーム１２４は、ウエハ１の上面において鋭角に反射して排気ダクト１１４の吸込口１１５に直ちに吸い込まれるために、液化することなくスチーム状態（ガス状態）のままで吸い込まれる。すなわち、ウエハ１を乾燥させたスチーム１２４が液化して水滴となり、この水滴がウエハ１に再付着することによってウオータマークの原因になる現象が発生するのを未然に防止することができる。さらに、排気ダクト１１４がヒータ１２３によって２００℃前後に加熱されているので、排気ダクト１１４を流通するスチーム１２４は水滴とならずにガス状態のままで排気されて行く。しかも、排気ダクト１１４の中空部の表面は弗素樹脂のコーティング処理によって撥水性の良好な表面に構成されているので、スチーム１２４は排気ダクト１１４の中空部に付着したり停滞することなく、スチーム状態のままで適正に流下して行く。排気ダクト１１４の加熱温度は超純水を加熱した２００℃前後の高温スチームを維持することができる温度が好ましいが、１００℃以上であればよい。

ちなみに、ガス状態のままで排気配管１１８に排気されたスチーム１２４は、トラップ１２０において冷却されて凝縮されることにより、液体の形で回収される。この廃液にはエッチング液の成分が含まれるので、回収タンク１２１によって回収して廃棄処分することが好ましい。トラップ１２０におけるスチームの冷却は、自然空冷や冷却ファンを使用した強制空冷、工場給水を使用した水冷、ペルチェ素子を使用した固体冷却等によって実施することができる。また、スチーム１２４を排気する排気装置１１９としては、エッチング液に対して耐蝕性を有し、かつ、水分を含んだガスを排気することができる弗素樹脂製のダイアフラムを使用したダイアフラムポンプを使用することが望ましい。

スチームの吹き付けステップおよび排気ステップに際し、スチームノズル１０９および排気ダクト１１４は共に旋回駆動装置１１７によって旋回される。スチームノズル１０９の吹出口１０９ａから吹き出されたスチーム１２４は、ウエハ１が回転されていることとあいまってウエハ１の表面に全体的に均一に接触するので、ウエハ１の表面は均一に乾燥される。この際、ウエハ１はスチーム１２４による気化力によって乾燥されるので、ウエハ１は高速で回転させる必要はなく、スチーム１２４がウエハ１に均一に吹き付けられる程度の低速で回転させればよい。

ところで、回転するウエハ１の周速度は中心から周辺へ行くに従って速くなるので、旋回駆動装置１１７によるスチームノズル１０９および排気ダクト１１４の中心から周辺への旋回速度が等速であると、スチーム１２４のウエハ１との単位接触時間は中心から周辺に行くに従って漸減し、ウエハ１の乾燥が中心部で過多となり周辺部で不足する傾向になる。そこで、図５に示されているように、スチームノズル１０９および排気ダクト１１４の中心から周辺への旋回速度１２５が中心から周辺に行くに従って遅くなるように、旋回駆動装置１１７を制御する。この制御により、スチーム１２４のウエハ１との単位接触時間は中心から周辺にわたって一定になるために、ウエハ１の乾燥は中心部と周辺部とで等しくなり、ウエハ１の乾燥は全体にわたって均一になる。また、スチーム１２４による乾燥時間が最適値化されるために、ウエハ１の乾燥時間が短縮されることにもなる。

乾燥後、必要に応じて除去室９２内の雰囲気が窒素ガスパージされる。その後、ウエハ搬入搬出口９３がゲートバルブ９４によって開放される。続いて、保持具１０２に保持された自然酸化膜除去および乾燥済みのウエハ１が第一ウエハ移載装置４５によってピックアップされて、ウエハ搬入搬出口９３および連絡口４８を通じて第一移載室４２に搬出される。第一ウエハ移載装置４５によって第一移載室４２に搬出されたウエハ１は連絡口４７およびウエハ搬入口１３５を通してバッファ室１３２に搬入され、仮置き台１３９に移載される。この際、ウエハ搬出口１３７はゲートバルブ１３８によって閉じられており、バッファ室１３２は窒素ガス供給管１３３および排気管１３４によって窒素ガスパージされている。この時のバッファ室１３２の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。

以降、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ１について自然酸化膜除去ステップが一枚ずつ実施されて、バッファ室１３２に貯蔵されて行く。ちなみに、空になったポッド２は供給側ポッドオープナ２０の載置台２６から排出側ポッドオープナ３０の載置台３６へポッド搬送装置１７によって搬送される。

バッファ室１３２に貯蔵されたウエハ１は仮置き台１３９から第二ウエハ移載装置５５によってウエハ搬出口１３７および連絡口６７を通してピックアップされ、第二移載室５２に搬入される。この際、第二移載室５２側のウエハ搬出口１３７はゲートバルブ１３８によって開かれるが、第一移載室４２側のウエハ搬入口１３５はゲートバルブ１３６によって閉じられている。また、バッファ室１３２および第二移載室５２は窒素ガスパージされている。この時の第二移載室５２の酸素濃度は２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。第二移載室５２に搬入されたウエハ１は、第二移載室５２の一方のストッカである前側ストッカ５９Ａへ第二ウエハ移載装置５５によって移載される。バッファ室１３２の全てのウエハ１が前側ストッカ５９Ａへ移載されて装填（ウエハチャージング）されると、ウエハ搬出口１３７がゲートバルブ１３８によって閉じられる。

その後、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって閉じられた状態で、第二移載室５２は排気管５４によって真空引きされることにより、第二移載室５２の圧力が待機室６３の圧力と等しく減圧される。この際、第二移載室５２の容積は待機室６３のそれに比べて小さいので、減圧時間は短くて済む。第二移載室５２が待機室６３と等しく減圧されると、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって開放される。続いて、前側ストッカ５９Ａに装填された自然酸化膜除去済みのウエハ１が第二ウエハ移載装置５５によってピックアップされ、待機室６３にウエハ搬入搬出口５７、６６を通じて搬入され、待機室６３のボート８７へ移載される。以降、ウエハ１の前側ストッカ５９Ａからボート８７への第二ウエハ移載装置５５による移載作業が繰り返される。この間、第二移載室５２および待機室６３は負圧に減圧されているので、自然酸化膜除去済みのウエハ１が移載途中で自然酸化される現象を防止することができる。また、ボート搬入搬出口７０がシャッタ７１によって閉鎖されることにより、プロセスチューブ７４の高温雰囲気が待機室６３に流入することは防止されている。このため、移載途中のウエハ１および移載されたウエハ１が高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハ１が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。

前側ストッカ５９Ａに装填された全てのウエハ１がボート８７へ装填されると、ボート搬入搬出口７０がシャッタ７１によって開放される。続いて、シールキャップ８６がボートエレベータ８３の昇降台８４によって上昇されて、図３に想像線で示されているように、シールキャップ８６に支持されたボート８７がプロセスチューブ７４の処理室７５に搬入（ボートローディング）される。ボート８７が上限に達すると、ボート８７を支持したシールキャップ８６の上面の周辺部がボート搬入搬出口７０をシール状態に閉塞するため、処理室７５は気密に閉じられた状態になる。このボート８７の処理室７５への搬入に際して、待機室６３は負圧に維持されているため、ボート８７の処理室７５への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室７５に侵入することは確実に防止される。また、前側ストッカ５９Ａのウエハ１をボート８７に装填した後に、待機室６３を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート８７を処理室７５へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。

その後、プロセスチューブ７４の処理室７５は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管８１によって排気され、ヒータユニット７３によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管８０によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。他方、前側ストッカ５９Ａに装填された全てのウエハ１がボート８７へ装填されると、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって閉鎖され、第二移載室５２が窒素ガス供給管５３および排気管５４によって窒素ガスパージされる。

翻って、次の（二番目の）バッチのウエハ１が収納されたポッド２は、供給側ポッドオープナ２０の載置台２６の上へポッド搬送装置１７によって搬送されて載置される。供給側ポッドオープナ２０に供給されたポッド２のウエハ１は、前述した自然酸化膜除去ステップにより、酸化膜除去装置９０によって自然酸化膜を除去されてバッファ室１３２に貯蔵される。バッファ室１３２に貯蔵された二番目のバッチのウエハ１は、第二移載室５２へ第二ウエハ移載装置５５によって搬送され、後側ストッカ５９Ｂに移載される。この二番目のバッチのウエハ１に対する酸化膜除去ステップやバッファ室１３２への移載ステップおよび後側ストッカ５９Ｂへのチャージングステップは、前回の（一番目の）バッチのウエハ１に対する成膜ステップと同時進行することができるので、スループットの低下を防止することができる。

他方、前回の（一番目の）バッチに対するウエハ１に対しての成膜ステップについて設定された処理時間が経過すると、図２および図３に示されているように、ボート８７がボートエレベータ８３によって下降されることにより、処理済みウエハ１を保持したボート８７が待機室６３に搬出（ボートアンローディング）される。

ボート８７が待機室６３に排出されると、ボート搬入搬出口７０がシャッタ７１によって閉鎖され、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって開放される。続いて、搬出されたボート８７の処理済みウエハ１が第二ウエハ移載装置５５によって脱装（ディスチャージング）されて、予め減圧された第二移載室５２に搬入され、前側ストッカ５９Ａへ装填される。ボート８７の全ての処理済みウエハ１が前側ストッカ５９Ａへ第二ウエハ移載装置５５によって装填されると、続いて、後側ストッカ５９Ｂに予め装填された次の（二番目の）バッチのウエハ１が、ボート８７に第二ウエハ移載装置５５によって移載されて装填される。このように、大きな容量を有する待機室６３を窒素ガスパージせずに、処理室７５から待機室６３に搬出された処理済みウエハ１を待機室６３と同圧に減圧された第二移載室５２へ待機室６３に搬出された直後に移送して前側ストッカ５９Ａに装填し、続いて、次のバッチのウエハ１を第二移載室５２の後側ストッカ５９Ｂから待機室６３のボート８７に装填すると、大きな容量を有する待機室６３を窒素ガスパージする時間を省略することができるので、スループットを大幅に高めることができる。

後側ストッカ５９Ｂに装填された次のバッチのウエハ１がボート８７へ全て装填されると、ボート搬入搬出口７０がシャッタ７１によって開放される。続いて、シールキャップ８６がボートエレベータ８３の昇降台８４によって上昇されて、シールキャップ８６に支持されたボート８７がプロセスチューブ７４の処理室７５に搬入される。ボート８７が上限に達すると、ボート８７を支持したシールキャップ８６の上面の周辺部がボート搬入搬出口７０をシール状態に閉塞するために、プロセスチューブ７４の処理室７５は気密に閉じられた状態になる。このボート８７の処理室７５への搬入に際しても、待機室６３は負圧に維持されているために、ボート８７の処理室７５への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室７５に侵入することは確実に防止される。さらに、後側ストッカ５９Ｂのウエハ１をボート８７に装填した後に、待機室６３を真空引きしたり窒素ガスパージしたりせずに、ボート８７を処理室７５へ搬入することができるので、スループットを大幅に向上させることができる。

その後、前回の（一番目の）バッチのウエハ１に対する場合と同様にして、プロセスチューブ７４の処理室７５は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管８１によって排気され、ヒータユニット７３によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管８０によって所定の流量だけ供給される。これにより、前回のバッチと同様にウエハ１に対する処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。

他方、後側ストッカ５９Ｂに装填された全てのウエハ１がボート８７へ装填されると、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって閉鎖され、冷却媒体としての冷えた新鮮な窒素ガスが前側ストッカ５９Ａに装填された処理済みウエハ１に前側ガス吹出管６１Ａによって直接的に吹き付けられる。この窒素ガスの吹き付けにより、前側ストッカ５９Ａに装填された高温のウエハ１はきわめて効果的に強制冷却される。前側ストッカ５９Ａに装填された処理済みウエハ１に対する強制冷却時間は、次の（二番目の）バッチに対する成膜ステップの処理時間に対応して充分に確保することができるので、処理済みウエハ１を充分に冷却することができる。しかも、この処理済みウエハ１の強制冷却ステップは二番目のバッチのウエハ１についての成膜ステップと同時に進行されていることにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、バッチ式ＣＶＤ装置１０の全体としてのスループットを低下させることにはならない。

前側ストッカ５９Ａに装填された処理済みウエハ１が窒素ガスの吹き付けによって強制的に冷却されて、ポッド２に収納可能な温度（例えば、８０℃）に降温したところで、排出側ポッドオープナ３０のウエハ搬出口３８、連絡口５６がゲートバルブ３９によって開放される。このとき、第二移載室５２および排出側ポッドオープナ室３２は窒素ガスパージされている。続いて、排出側ポッドオープナ３０の載置台３６に載置された空のポッド２がキャップ着脱機構３７によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。空のポッド２が開放されると、窒素ガスがポッド２のウエハ出し入れ口に窒素ガス供給管３３から吹き込まれ、ポッド２のウエハ収納室の雰囲気が窒素ガスパージされる。続いて、前側ストッカ５９Ａの処理済みのウエハ１が載置台３６の空のポッド２に第二ウエハ移載装置５５によって収納される。この際、処理済みウエハ１はポッド２に収納可能な温度に降温されているため、ポッド２が樹脂によって製作されている場合であっても、処理済みウエハ１をポッド２に安全に収納することができる。
なお、窒素ガス供給管３３および排気管３４は設置せずに、ゲートバルブ３９を開くことにより、ポッドオープナ室３７の内部の雰囲気を置換するように構成してもよい。

前側ストッカ５９Ａに装填された処理済みウエハ１がポッド２に全て収納されると、ポッド２はキャップ着脱機構３７によってキャップを装着された後に、載置台３６から前側ポッド棚１５または後側ポッド棚１６にポッド搬送装置１７によって搬送される。この際、ウエハ搬入搬出口３５はキャップ着脱機構３７によって閉じられた状態になっている。ちなみに、前側ポッド棚１５または後側ポッド棚１６に搬送されたポッド２はポッドステージ１４に搬送され、ポッドステージ１４から次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。この処理済みウエハ１の空のポッド２への収納作業は、後続のバッチのウエハ１に対する成膜ステップの間に同時に進行することができる。

処理済みウエハ１を収納したポッド２が載置台３６から搬送されると、二番目のバッチの空のポッド２が供給側ポッドオープナ２０の載置台２６から排出側ポッドオープナ３０の載置台３６へポッド搬送装置１７によって搬送される。その後、次の（三番目の）バッチのウエハ１が収納されたポッド２は、供給側ポッドオープナ２０の載置台２６の上へポッド搬送装置１７によって搬送されて載置される。供給側ポッドオープナ２０に供給されたポッド２のウエハ１は、前述した自然酸化膜除去ステップにより、酸化膜除去装置９０によって自然酸化膜を除去されてバッファ室１３２に貯蔵される。バッファ室１３２に貯蔵された三番目のバッチのウエハ１は第二移載室５２へ第二ウエハ移載装置５５によって搬送され、空になった前側ストッカ５９Ａに移載される。この三番目のバッチのウエハ１に対する酸化膜除去ステップやバッファ室１３２への移載ステップおよび前側ストッカ５９Ａへのチャージングステップは、前回の（二番目の）バッチのウエハ１に対する成膜ステップと同時進行することができるので、スループットの低下を防止することができる。

他方、二番目のバッチに対するウエハ１に対しての成膜ステップについて設定された処理時間が経過すると、一番目のバッチのウエハ１に対する場合と同様にして、二番目のバッチの処理済みウエハ１を保持したボート８７が待機室６３に搬出される。ボート８７が待機室６３に排出されると、ボート搬入搬出口７０がシャッタ７１によって閉鎖され、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって開放される。続いて、搬出されたボート８７の処理済みウエハ１が第二ウエハ移載装置５５によって脱装されて、予め減圧された第二移載室５２に搬入され、後側ストッカ５９Ｂへ装填される。ボート８７の全ての処理済みウエハ１が後側ストッカ５９Ｂへ第二ウエハ移載装置５５によって装填されると、続いて、前側ストッカ５９Ａに予め装填された三番目のバッチのウエハ１が、ボート８７に第二ウエハ移載装置５５によって移載されて装填される。以降、三番目のバッチのウエハ１についても、一番目および二番目のバッチのウエハ１と同様にして成膜ステップが実行される。

他方、前側ストッカ５９Ａに装填された全てのウエハ１がボート８７へ装填されると、ウエハ搬入搬出口５７、６６がゲートバルブ５８によって閉鎖され、冷却媒体としての冷えた新鮮な窒素ガスが後側ストッカ５９Ｂに装填された処理済みウエハ１に後側ガス吹出管６１Ｂによって直接的に吹き付けられる。この窒素ガスの吹き付けにより、後側ストッカ５９Ｂに装填された高温のウエハ１はきわめて効果的に強制冷却される。後側ストッカ５９Ｂに装填された処理済みウエハ１に対する強制冷却時間は、三番目のバッチに対する成膜ステップの処理時間に対応して充分に確保することができるので、処理済みウエハ１を充分に冷却することができる。しかも、この処理済みウエハ１の強制冷却ステップは二番目のバッチのウエハ１についての成膜ステップと同時に進行されていることにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、バッチ式ＣＶＤ装置１０の全体としてのスループットを低下させることにはならない。

後側ストッカ５９Ｂに装填された処理済みウエハ１が窒素ガスの吹き付けによって強制的に冷却されて、ポッド２に収納可能な温度（例えば、８０℃）に降温したところで、排出側ポッドオープナ３０のウエハ搬出口３８、連絡口５６がゲートバルブ３９によって開放される。その後、一番目のバッチのウエハ１と同様にして、後側ストッカ５９Ｂの二番目のバッチのウエハ１は排出側ポッドオープナ３０の載置台３６に載置された空のポッド２に収納されて行く。

以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１が例えば２５枚ずつ、バッチ式ＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) ウエハの自然酸化膜を酸化膜除去装置によって除去した後に、ウエハを待機室に搬送して処理室に搬入することにより、ウエハへの自然酸化膜の悪影響を防止することができるので、良好な成膜を確保することができ、バッチ式ＣＶＤ装置の製造歩留りを向上させることができ、各バッチ間の製造精度のばらつきを低減することができる。

2) ウエハを処理室に移載するウエハ移載室と酸化膜除去装置との間にバッファ室を介設することにより、前回のバッチのウエハへの成膜ステップの間に、酸化膜除去装置において次回や後続のバッチのウエハに対して酸化膜除去ステップを同時に進行させることができるために、バッチ式ＣＶＤ装置のスループットの低下を防止することができる。

3) 供給側ポッドオープナと排出側ポッドオープナとを設置することにより、供給側ポッドオープナ、酸化膜除去装置、バッファ室、ウエハ移載室および排出側ポッドオープナの経路を一方通行に設定することができるので、一バッチ当りのステップ数を大幅に短縮することができ、バッチ式ＣＶＤ装置のスループットを向上させることができる。

4) 空のポッドを供給側ポッドオープナから排出側ポッドオープナへ搬送するポッド搬送装置を設置することにより、これから処理するウエハを酸化膜除去装置へ払い出して空になったポッドを供給側ポッドオープナから排出側ポッドオープナへ転送することができるので、バッチ式ＣＶＤ装置のスループットを向上させることができる。

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、図８に示されているように、複数台の酸化膜除去装置９０、９０を第一移載室筐体４１に連設してもよい。本実施の形態によれば、前記実施の形態の効果に加えて、酸化膜除去ステップの処理能力を増強することができるので、成膜ステップの処理時間との整合が確保し易くなるという特有の効果を得ることができる。

空のポッドを供給側ポッドオープナから排出側ポッドオープナへ搬送するポッド搬送装置は省略してもよい。例えば、工程内搬送装置または作業者が実ポッドおよび空ポッドを供給側ポッドオープナおよび排出側ポッドオープナのそれぞれへ供給し得るように構成してもよい。

前記実施の形態ではバッチ式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。

本発明の一実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置の前側部分を示す平面断面図である。同じく後側部分を示す平面断面図である。その第一移載室を通る一部省略側面断面図である。図１（ｂ）のIII-III 線に沿う断面図である。図１（ｂ）のIV−IV線に沿う断面図である。その平面断面図である。その主要部を示す断面図である。その主要部の別の実施の形態を示す断面図である。本発明の他の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面図である。

符号の説明

１…ウエハ（基板）、２…ポッド（キャリア）、１０…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…フロント筐体、１２…ポッド保管室、１３…ポッド搬入搬出口、１４…ポッドステージ、１５、１６…ポッド棚、１７…ポッド搬送装置、２０…供給側ポッドオープナ、２１…筐体、２２…ポッドオープナ室、２３…窒素ガス供給管、２４…排気管、２５…ウエハ搬入搬出口、２６…載置台、２７…キャップ着脱機構、２８…ウエハ搬入口、２９…ゲートバルブ、３０…排出側ポッドオープナ、３１…筐体、３２…ポッドオープナ室、３３…窒素ガス供給管、３４…排気管、３５…ウエハ搬入搬出口、３６…載置台、３７…キャップ着脱機構、３８…ウエハ搬出口、３９…ゲートバルブ、４１…第一移載室筐体、４２…第一移載室（酸化膜除去装置側移載室）、４３…窒素ガス供給管、４４…排気管、４５…第一ウエハ移載装置、４６…供給側ポッドオープナ室に連絡する連絡口、４７…バッファ室に連絡する連絡口、４８…酸化膜除去装置に連絡する連絡口、５１…第二移載室筐体（耐圧筐体）、５２…第二移載室（成膜側移載室）、５３…窒素ガス供給管、５４…排気管、５５…第二ウエハ移載装置、５６…排出側ポッドオープナ室に連絡する連絡口、５７…ウエハ搬入搬出口、５８…ゲートバルブ、５９Ａ、５９Ｂ…ストッカ、６０…遮蔽板、６１Ａ、６１Ｂ…ガス吹出管、６２…耐圧筐体、６３…待機室、６４…窒素ガス供給管、６５…排気管、６６…ウエハ搬入搬出口、６７…バッファ室と連絡する連絡口、７０…ボート搬入搬出口、７１…シャッタ、７２…ヒータユニット筐体、７３…ヒータユニット、７４…プロセスチューブ、７５…処理室、７６…アウタチューブ、７７…インナチューブ、７８…排気路、７９…マニホールド、８０…ガス導入管、８１…排気管、８２…熱電対、８３…ボートエレベータ、８４…昇降台、８５…アーム、８６…シールキャップ、８７…ボート、８８…ロータリーアクチュエータ、９０…酸化膜除去装置、９１…除去室筐体、９２…除去室（酸化膜除去室）、９３…ウエハ搬入搬出口、９４…ゲートバルブ、９５…窒素ガス供給管、９６…排気管、９７…モータ、９８…出力軸、９９…カップリング、１００…回転軸、１０１…シール機構付き軸受装置、１０２…保持具、１０３…把持ピン、１０４…スカート、１０５…シール装置、１０６…薬液ノズル、１０６ａ…滴下口、１０７…給液配管、１０８…薬液供給装置、１０９…スチームノズル、１０９ａ…吹出口、１１０…給気管、１１１…スチーム供給装置、１１２…スチーム供給弁、１１３…フィルタ、１１４…排気ダクト、１１５…吸込口、１１６…シール機構付き軸受装置、１１７…旋回駆動装置、１１８…排気配管、１１９…排気装置、１２０…トラップ、１２１…回収タンク、１２２…ドレン弁、１２３…ヒータ、１２４…スチーム（乾燥用ガス）、１２５…旋回速度、１２９…スチーム、１３１…バッファ室筐体、１３２…バッファ室、１３３…窒素ガス供給管、１３４…排気管、１３５…ウエハ搬入口、１３６…ゲートバルブ、１３７…ウエハ搬出口、１３８…ゲートバルブ、１３９…仮置き台、１４１…雰囲気。

Claims

基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、前記基板の自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置と、前記基板移載室と前記酸化膜除去装置との間に設置され前記基板が仮置きされるバッファ室とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
基板を基板保持具に保持して処理する処理室と、この処理室に隣接した予備室と、この予備室に隣接し前記基板を搬送する基板移載装置が設置された基板移載室と、前記基板の自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置と、前記基板を収納したキャリアを載置する供給側載置台と、前記キャリアの前記基板を前記酸化膜除去装置に移載する基板移載装置と、前記基板保持具の前記基板を収納するキャリアを載置する排出側載置台と、前記供給側載置台と前記排出側載置台との間で前記キャリアを搬送するキャリア搬送装置とを備えていることを特徴とする基板処理装置。