JP2015216224A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015216224A5
JP2015216224A5 JP2014098039A JP2014098039A JP2015216224A5 JP 2015216224 A5 JP2015216224 A5 JP 2015216224A5 JP 2014098039 A JP2014098039 A JP 2014098039A JP 2014098039 A JP2014098039 A JP 2014098039A JP 2015216224 A5 JP2015216224 A5 JP 2015216224A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical
rinse
wafer
gas
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014098039A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6329428B2 (ja
JP2015216224A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014098039A priority Critical patent/JP6329428B2/ja
Priority claimed from JP2014098039A external-priority patent/JP6329428B2/ja
Priority to TW104113691A priority patent/TWI602231B/zh
Priority to KR1020150063823A priority patent/KR102354226B1/ko
Priority to US14/707,145 priority patent/US20150323250A1/en
Publication of JP2015216224A publication Critical patent/JP2015216224A/ja
Publication of JP2015216224A5 publication Critical patent/JP2015216224A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6329428B2 publication Critical patent/JP6329428B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

［第２リンス処理（ステップＳ５０５）］
所定時間薬液処理を行った後、引き続きウエハＷの回転およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ２ガスの吐出を継続し、薬液ノズル７４からの薬液の吐出を停止して、処理流体供給部７Ｂのリンスノズル７５からリンス液（ＤＩＷ）をウエハＷの周縁部に供給し、リンス処理を行う。このリンス処理により、ウエハＷの上下面に残存する薬液および反応生成物等が洗い流される。
［乾燥処理（ステップＳ５０６）］
所定時間リンス処理を行った後、引き続きウエハＷの回転およびガス吐出口２１２、２１３からのＮ２ガスの吐出を継続し、リンスノズル７５からのリンス液の吐出を停止して、ガスノズル７６から乾燥用ガス（Ｎ２ガス）をウエハＷの周縁部に供給し、乾燥処理を行う。
次に、第１薬液処理、第１リンス処理、第２薬液処理、第２リンス処理、乾燥処理を実行する（Ｓ６０３〜Ｓ６０７）。これらの処理は、上述のステップＳ５０２〜Ｓ５０６の第１薬液処理、第１リンス処理、第２薬液処理、第２リンス処理、乾燥処理と同様なものである。なお、第１薬液処理（Ｓ６０３）及び第２薬液処理（Ｓ６０５）では、上述のように、ウエハＷ周縁部を薬液処理に適した温度（例えば６０℃程度）まで加熱している。これに加え、ヒーター７０１の加熱処理によって下面５２が高温となっているので、下面５２からの放熱によってもウエハＷの周縁部が加熱される。
JP2014098039A 2014-05-09 2014-05-09 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 Active JP6329428B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014098039A JP6329428B2 (ja) 2014-05-09 2014-05-09 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
TW104113691A TWI602231B (zh) 2014-05-09 2015-04-29 A substrate processing apparatus, a deposit removal method for a substrate processing apparatus, and a storage medium
KR1020150063823A KR102354226B1 (ko) 2014-05-09 2015-05-07 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 부착물 제거 방법 및 기억 매체
US14/707,145 US20150323250A1 (en) 2014-05-09 2015-05-08 Substrate processing apparatus, deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014098039A JP6329428B2 (ja) 2014-05-09 2014-05-09 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015216224A JP2015216224A (ja) 2015-12-03
JP2015216224A5 true JP2015216224A5 (ja) 2016-12-28
JP6329428B2 JP6329428B2 (ja) 2018-05-23

Family

ID=54367535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014098039A Active JP6329428B2 (ja) 2014-05-09 2014-05-09 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150323250A1 (ja)
JP (1) JP6329428B2 (ja)
KR (1) KR102354226B1 (ja)
TW (1) TWI602231B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6584356B2 (ja) * 2016-03-30 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法
JP6833548B2 (ja) * 2016-06-30 2021-02-24 キヤノン株式会社 搬送システム、搬送方法、パターン形成装置、及び物品の製造方法
JP6925185B2 (ja) * 2017-06-30 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6980457B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US11482431B2 (en) * 2018-01-23 2022-10-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7144982B2 (ja) * 2018-06-22 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7117392B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230954A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるクリーニング方法
US6179915B1 (en) * 1998-11-17 2001-01-30 Promos Technology, Inc On track coater unit cup set
JP2002141326A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Hitachi Ltd 板状試料の流体処理方法ならびにその装置
JP2002334823A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベーク方法、ベーク装置及び液晶表示素子の製造方法
US20030010091A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-16 Mitchell Bradley Dale System and method for detecting occlusions in a semiconductor manufacturing device
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP2010150080A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd シリコンブロックの処理方法
JP5437168B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
KR101590661B1 (ko) * 2010-09-13 2016-02-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
JP5606992B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20130008602A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Lam Research Ag Apparatus for treating a wafer-shaped article
JP5522144B2 (ja) * 2011-10-25 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5996381B2 (ja) * 2011-12-28 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015216224A5 (ja)
JP2016503588A5 (ja)
JP2015193864A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2014208883A5 (ja)
PH12018500244A1 (en) Clean-in-place method and system and composition for the same
JP2012146951A5 (ja)
JP2013115275A5 (ja)
TW201544534A (zh) 聚合膜之耐藥品性改善方法、聚合膜之成膜方法、成膜裝置、及電子製品之製造方法
JP2014107313A5 (ja)
JP2018166142A5 (ja)
JP2010539696A5 (ja)
JP6338904B2 (ja) 基板処理装置
JP2016131210A5 (ja)
JP6329428B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
JP2015109419A5 (ja)
JP2016063226A5 (ja)
JP2012524625A5 (ja)
JP2016009729A5 (ja)
JP2014067877A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TW201612967A (en) Polishing method and polishing apparatus
CN105993061A (zh) 半导体装置的制造方法
JP2015063577A5 (ja)
TWM482837U (zh) 熱處理裝置
JP2016044361A5 (ja)
JP2014501806A5 (ja)