JP2014208883A5

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Publication number: JP2014208883A5
Application number: JP2014046364A
Authority: JP
Filing date: 2014-03-10
Publication date: 2016-11-10
Anticipated expiration: 2034-03-10

Claims

（ａ）処理室内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、
（ｂ）前記処理室内を排気する工程と、
（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する工程と、
（ｄ）前記処理室内を排気する工程と、
を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、
（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する工程と、
（ｆ）前記処理室内を排気する工程と、
を交互に複数回行う工程Ａと、
（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、
（ｈ）前記処理室内を排気する工程と、
を交互に複数回行う工程Ｂと、
を有し、工程Ａと工程Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成する半導体装置の製造方法。
（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、それぞれ少なくとも真空排気と不活性ガス供給によるガスパージのいずれか一方を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
（ｆ）では、前記処理室内を排気するとともに、原料ガスを（ｅ）より少ない流量で供給する請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
１回の工程Ａの中で、最後に行う（ｆ）の前記原料ガスの供給流量を、最初に行う（ｆ）の前記原料ガスの供給流量より多くする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
（ｈ）では、前記処理室内を排気するとともに、反応ガスを(ｇ)より少ない流量で供給する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
１回の工程Ｂの中で、最後に行う（ｈ）の前記反応ガスの供給流量を、最初に行う（ｈ）の前記原料ガスの供給流量より多くする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記基板は、表面にパターンが形成されたパターンウエハである請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
（ａ）処理室内に収容した基板に対して、原料ガスを供給する処理と、（ｂ）前記処理室内を排気する処理と、（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する処理と、（ｄ）前記処理室内を排気する処理と、を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する処理と、（ｆ）前記処理室内を排気する処理と、を交互に複数回行う工程Ａと、（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、（ｈ）前記処理室内を排気する処理と、を交互に複数回行う工程Ｂと、を有し、工程Ａと工程Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成するよう前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および排気系を制御するよう構成される制御部と、
を備える基板処理装置。
（ａ）基板処理装置の処理室内の基板に対して、原料ガスを供給する手順と、
（ｂ）前記処理室内を排気する手順と、
（ｃ）前記基板に対して、反応ガスを供給する手順と、
（ｄ）前記処理室内を排気する手順と、
を順に行い、前記基板上に第１の膜を形成した後、
（ｅ）前記基板に対して、前記原料ガスを供給する手順と、
（ｆ）前記処理室内を排気する手順と、
を交互に複数回行う手順Ａと、
（ｇ）前記基板に対して、前記反応ガスを供給する手順と、
（ｈ）前記処理室内を排気する手順と、
を交互に複数回行う手順Ｂと、
を有し、手順Ａと手順Ｂとを交互に複数回行い、前記第１の膜の上に第２の膜を形成する手順をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。