JP2010267925A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010267925A5 JP2010267925A5 JP2009120224A JP2009120224A JP2010267925A5 JP 2010267925 A5 JP2010267925 A5 JP 2010267925A5 JP 2009120224 A JP2009120224 A JP 2009120224A JP 2009120224 A JP2009120224 A JP 2009120224A JP 2010267925 A5 JP2010267925 A5 JP 2010267925A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- supplying
- oxidation source
- dielectric constant
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (3)
- 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に第１酸化源を供給する第１酸化源供給系と、
前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給する第２酸化源供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
基板を収容した前記処理室内への原料の供給および排気と、前記処理室内への第１酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成し、前記処理室内への前記原料の供給および排気と、前記処理室内への前記第２酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成するように、前記原料供給系、前記第１酸化源供給系、前記第２酸化源供給系、および、前記排気系を制御するコントローラと、を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009120224A JP2010267925A (ja) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR1020100044225A KR101177366B1 (ko) | 2009-05-18 | 2010-05-12 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| US12/781,488 US20100291763A1 (en) | 2009-05-18 | 2010-05-17 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| TW099115774A TWI416630B (zh) | 2009-05-18 | 2010-05-18 | 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009120224A JP2010267925A (ja) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010267925A JP2010267925A (ja) | 2010-11-25 |
| JP2010267925A5 true JP2010267925A5 (ja) | 2012-06-14 |
Family
ID=43068851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009120224A Pending JP2010267925A (ja) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100291763A1 (ja) |
| JP (1) | JP2010267925A (ja) |
| KR (1) | KR101177366B1 (ja) |
| TW (1) | TWI416630B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7883745B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods |
| JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
| TWI352615B (en) * | 2009-06-09 | 2011-11-21 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Fluid separation method and fluid seperation appar |
| EP2434529B1 (en) * | 2010-09-28 | 2020-02-12 | IMEC vzw | Metal-insulator-metal capacitor for use in semiconductor devices and manufacuring method therfor |
| JP2012126976A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| US20120255612A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Dieter Pierreux | Ald of metal oxide film using precursor pairs with different oxidants |
| JP2013187324A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6011620B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-10-19 | 株式会社村田製作所 | トランジスタの製造方法 |
| JP6347548B2 (ja) | 2014-09-08 | 2018-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6280487B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
| JP2016134569A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| KR102350588B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 인젝터를 갖는 박막 형성 장치 |
| JP6573578B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2019-09-11 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| KR102329548B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2021-11-24 | 무진전자 주식회사 | 챔버 배기량 자동 조절 시스템 |
| JP7123100B2 (ja) | 2020-09-24 | 2022-08-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0183868B1 (ko) * | 1996-05-25 | 1999-04-15 | 김광호 | 강유전체막 및 그의 형성방법 |
| DE10296448T5 (de) * | 2001-03-20 | 2004-04-15 | Mattson Technology Inc., Fremont | Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mit einer verhältnismässig hohen Dielektrizitätskonstante auf ein Substrat |
| JP3863391B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-12-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| KR20050007496A (ko) * | 2003-07-08 | 2005-01-19 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방식의 복합막 형성방법 및 이를 이용한반도체 소자의 커패시터 형성방법 |
| JP4887604B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2012-02-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4476880B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-06-09 | 株式会社東芝 | 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP2007081410A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタ |
| KR100975268B1 (ko) * | 2005-11-18 | 2010-08-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| US7795160B2 (en) * | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
| JP4836761B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2011-12-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2008166563A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7790628B2 (en) * | 2007-08-16 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Method of forming high dielectric constant films using a plurality of oxidation sources |
| US7741202B2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling interface layer thickness in high dielectric constant film structures including growing and annealing a chemical oxide layer |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009120224A patent/JP2010267925A/ja active Pending
-
2010
- 2010-05-12 KR KR1020100044225A patent/KR101177366B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-17 US US12/781,488 patent/US20100291763A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-18 TW TW099115774A patent/TWI416630B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010267925A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2011035387A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2010034511A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置 | |
| JP2015053445A5 (ja) | ||
| JP2014208883A5 (ja) | ||
| JP2018166142A5 (ja) | ||
| JP2011006783A5 (ja) | ||
| JP2013115275A5 (ja) | ||
| JP2010161350A5 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2011097029A5 (ja) | ||
| JP2011176095A5 (ja) | ||
| JP2010080947A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011029637A5 (ja) | ||
| JP2010153776A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 | |
| WO2011112812A3 (en) | Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching | |
| WO2011112823A3 (en) | Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching | |
| TW200802608A (en) | Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps | |
| JP2011003885A5 (ja) | ||
| JP2016131210A5 (ja) | ||
| JP2014229834A5 (ja) | ||
| JP2018512727A5 (ja) | ||
| WO2011097178A3 (en) | Methods for nitridation and oxidation | |
| TW200703505A (en) | Manufacturing method of gate insulating film and of semiconductor device | |
| JP2013080907A5 (ja) | ||
| JP2008091409A5 (ja) |