JP2008091409A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- プラズマ処理装置の処理室内で、処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が０．１３３〜１３３Ｐａの第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、
前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０％以上で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法。 - 前記第２の酸化処理工程の処理時間が、１〜６００秒である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記第１の酸化処理工程および前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の合計膜厚に対して、前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の膜厚の割合が０．１〜５％である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- プラズマ処理装置の処理室内で、処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が０．１３３〜１３３Ｐａの第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、
前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０〜５０％で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法。 - 前記第１の酸化処理工程において、前記処理ガスは、水素を０．１〜１０％の割合で含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 処理温度が２００〜８００℃である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波によって形成されるマイクロ波励起プラズマである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理室と、
前記処理室内で、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、プラズマ処理装置。
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