JP2010192755A5 - シリコン酸化膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置 - Google Patents
シリコン酸化膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010192755A5 JP2010192755A5 JP2009036750A JP2009036750A JP2010192755A5 JP 2010192755 A5 JP2010192755 A5 JP 2010192755A5 JP 2009036750 A JP2009036750 A JP 2009036750A JP 2009036750 A JP2009036750 A JP 2009036750A JP 2010192755 A5 JP2010192755 A5 JP 2010192755A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- oxide film
- silicon oxide
- processing container
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
さらに好ましくは、マイクロ波プラズマは、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ）により生成されている。
図９は、熱酸化膜を基準としたシリコン酸化膜のエッチングレートの厚み方向の比を示す図である。図９において、縦軸は、熱酸化法により成膜したシリコン酸化膜に対するエッチングレートで規格化した比（単位無し）を示し、横軸は、厚み（Å）を示す。また、図９中、丸印は、シリコン酸化膜を形成した後プラズマ処理を行なわなかった場合のシリコン酸化膜、菱形印は、シリコン酸化膜を形成した後プラズマ処理を行なった場合のシリコン酸化膜、三角印は、熱酸化法により成膜したシリコン酸化膜を示す。つまり、三角印は、常に１となる。
Claims (9)
- 処理容器内に設けられた保持台上に保持された被処理基板にシリコン酸化膜を成膜するシリコン酸化膜の成膜方法であって、
被処理基板を保持する保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板にシリコン酸化膜を形成する工程と、
酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む、シリコン酸化膜の成膜方法。 - 前記シリコン酸化膜を形成する工程において、
前記シリコン化合物ガスは、ＴＥＯＳガスであり、
前記酸化性ガスは、酸素ガスであり、
前記希ガスは、アルゴンガスであり、
前記ＴＥＯＳガスと前記酸素ガスの有効流量比（酸素ガス／ＴＥＯＳガス）は、５．０以上１０．０以下であり、
前記アルゴンガスの分圧比は、７５％以上である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の成膜方法。 - 前記プラズマ処理する工程において、
前記酸化性ガスは、酸素ガスであり、
前記希ガスは、アルゴンガスであり、
前記処理容器内に供給する前記アルゴンガスの分圧比を、９７％以上とする、請求項１または２に記載のシリコン酸化膜の成膜方法。 - 前記プラズマ処理する工程に引き続いて、再びシリコン酸化膜を形成する工程、さらに再び前記プラズマ処理する工程を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
- 前記マイクロ波プラズマは、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）により生成されている、請求項１〜４のいずれかに記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
- 絶縁層となるシリコン酸化膜および導電層を含む半導体装置の製造方法であって、
処理容器内に設けられた保持台上に半導体装置の基となる被処理基板を保持し、
被処理基板を保持する保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板にシリコン酸化膜を形成する工程と、
酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記プラズマ処理する工程に引き続いて、再びシリコン酸化膜を形成する工程、さらに再び前記プラズマ処理する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
- その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、
前記処理容器内にプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
その上に被処理基板を保持する保持台と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、
前記保持台と対向する位置に配置され、前記マイクロ波発生器により発生させたマイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電体板と、
被処理基板を保持する前記保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを前記処理容器内に供給し、前記処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板にシリコン酸化膜を形成し、酸化性ガスおよび希ガスを前記処理容器内に供給し、前記処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する制御部とを備える、プラズマ処理装置。 - 前記反応ガス供給部は、前記誘電体板の径方向中央に設けられる第一の反応ガス供給部と、前記処理容器内において前記保持台と前記誘電体板との間に配置される円環状の環状部を含む第二の反応ガス供給部とを備える、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009036750A JP2010192755A (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | シリコン酸化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
| CN200980157258XA CN102326236A (zh) | 2009-02-19 | 2009-12-10 | 硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 |
| US13/202,108 US20120003842A1 (en) | 2009-02-19 | 2009-12-10 | Method for forming silicon oxide film and method for manufacturing semiconductor device |
| KR1020117019101A KR101234566B1 (ko) | 2009-02-19 | 2009-12-10 | 실리콘 산화막의 성막 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| PCT/JP2009/070691 WO2010095330A1 (ja) | 2009-02-19 | 2009-12-10 | シリコン酸化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
| TW099104531A TW201101391A (en) | 2009-02-19 | 2010-02-12 | Forming method of silicon oxide film, and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009036750A JP2010192755A (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | シリコン酸化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010192755A JP2010192755A (ja) | 2010-09-02 |
| JP2010192755A5 true JP2010192755A5 (ja) | 2012-03-29 |
Family
ID=42633622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009036750A Pending JP2010192755A (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | シリコン酸化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120003842A1 (ja) |
| JP (1) | JP2010192755A (ja) |
| KR (1) | KR101234566B1 (ja) |
| CN (1) | CN102326236A (ja) |
| TW (1) | TW201101391A (ja) |
| WO (1) | WO2010095330A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102027580A (zh) * | 2008-05-13 | 2011-04-20 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 |
| KR101099716B1 (ko) | 2009-07-15 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 장치에서 가스 배관의 구조 및 이를 포함하는 고밀도 플라즈마 기상 증착 장치 |
| JP5839804B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2016-01-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
| JP6410622B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
| KR101977885B1 (ko) * | 2017-08-03 | 2019-05-13 | 한국기계연구원 | 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재 |
| KR102018318B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2019-09-04 | 주식회사 유진테크 | 박막 형성 방법 |
| US11430654B2 (en) * | 2019-11-27 | 2022-08-30 | Applied Materials, Inc. | Initiation modulation for plasma deposition |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1245835A (zh) * | 1998-08-24 | 2000-03-01 | 三星电子株式会社 | 具有或者没有铁电覆底层的硅器件中的氢抑制方法 |
| JP2003037105A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2003158127A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-05-30 | Arieesu Gijutsu Kenkyu Kk | 成膜方法、成膜装置、及び半導体装置 |
| JP2004343031A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-12-02 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 誘電体膜およびその形成方法ならびに誘電体膜を用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004336019A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 成膜方法、半導体素子の形成方法、半導体素子、表示装置の形成方法及び表示装置 |
-
2009
- 2009-02-19 JP JP2009036750A patent/JP2010192755A/ja active Pending
- 2009-12-10 CN CN200980157258XA patent/CN102326236A/zh active Pending
- 2009-12-10 KR KR1020117019101A patent/KR101234566B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-10 US US13/202,108 patent/US20120003842A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-10 WO PCT/JP2009/070691 patent/WO2010095330A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-02-12 TW TW099104531A patent/TW201101391A/zh unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103065960B (zh) | 金属膜的干蚀刻方法 | |
| JP2010192755A5 (ja) | シリコン酸化膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置 | |
| JP2009033179A5 (ja) | ||
| TWI332240B (en) | Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd) | |
| TWI278023B (en) | Method for forming a high density dielectric film by chemical vapor deposition | |
| TWI375991B (en) | Method for multi-layer resist plasma etch | |
| TW201207936A (en) | Etching method | |
| JP6290544B2 (ja) | 二酸化珪素フィルムを付着させる方法 | |
| TW201145392A (en) | Silicon dioxide layer deposited with BDEAS | |
| TW201608748A (zh) | 非揮發性金屬材料之蝕刻方法 | |
| JP2013046070A5 (ja) | ||
| TWI638425B (zh) | 高深寬比結構中具有改良階梯覆蓋之密閉性ｃｖｄ蓋 | |
| TW201241915A (en) | Method of etching silicon nitride films | |
| TW200830416A (en) | Plasma oxidizing method, plasma oxidizing apparatus, and storage medium | |
| TW200941575A (en) | Method for etching silicon-containing ARC layer with reduced CD bias | |
| TW201247312A (en) | Methods of dry stripping boron-carbon films | |
| TW200949909A (en) | Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage | |
| TW510014B (en) | Plasma treatment of tantalum nitride compound films formed by chemical vapor deposition | |
| TW201234477A (en) | Uniform dry etch in two stages | |
| CN104882360A (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| JP2009545895A5 (ja) | ||
| TW201125071A (en) | Process for manufacturing semiconductor device | |
| TW200947552A (en) | Method for insulating film formation, storage medium from which information is readable with computer, and treatment system | |
| TW200933735A (en) | Deposition method, deposition apparatus, storage medium and semiconductor device | |
| JP2019080000A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |