JP2015053445A5

JP2015053445A5 -

Info

Publication number: JP2015053445A5
Application number: JP2013186482A
Authority: JP
Filing date: 2013-09-09
Publication date: 2015-07-23
Anticipated expiration: 2033-09-09

Claims

基板に対してシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対して炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する工程と、
を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
前記薄膜を形成する工程は、
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
を含むセットを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む第１の薄膜、または、シリコンおよび酸素を含む第１の薄膜を形成する工程と、
前記改質ガスを供給する工程を行うことにより、前記第１の薄膜を、炭素を更に含む第２の薄膜、窒素を更に含む第２の薄膜、または炭素と窒素とを更に含む第２の薄膜に改質する工程と、
を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記薄膜を形成する工程は、
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記改質ガスを供給する工程と、
をこの順に行う工程を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
前記改質ガスを供給する工程は、ノンプラズマの雰囲気下で行われる請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記改質ガスを供給する工程では、プラズマ状態に励起された前記改質ガスを前記基板に対して供給する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記原料ガスは、シリコン、炭素およびハロゲン元素を含みＳｉ−Ｃ結合を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記原料ガスは、アルキル基およびアルキレン基のうち少なくともいずれかを含む請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記原料ガスは、Ｓｉ−Ｃ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｃ−Ｃ−Ｓｉ結合のうち少なくともいずれかを有する請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記改質ガスは、炭化水素系ガス、アミン系ガス、および非アミン系ガスのうち少なくともいずれかを含む請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内へ触媒ガスを供給する触媒ガス供給系と、
前記処理室内へ炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記改質ガスを供給する処理と、を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する処理を行うように前記原料ガス供給系、前記酸化ガス供給系、前記触媒ガス供給系、および前記改質ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
処理室内の基板に対してシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスと、触媒ガスとを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する手順と、
を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。