JP2011249788A5 - 半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層 - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ ^１８ を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層に接する領域を有する、絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層を介して、前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸素を供給する工程において、前記絶縁層の端部は、前記酸化物半導体層の端部と一致しており、
   前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ ^１８ を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層に、塩素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、
   前記絶縁層上に、酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記塩素ガスを用いたプラズマ処理の工程を経て、前記絶縁層に塩素が供給され、
   前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ ^１８ を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記絶縁層は、基板上に形成されており、
   前記塩素ガスを用いたプラズマ処理の工程において、前記基板にバイアスを印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記絶縁層に前記塩素が供給される際、同時に、前記絶縁層に酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４又は請求項５において、
   前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程において、酸素をプラズマ化して、前記基板にバイアスを印加しながら、前記酸化物半導体層に、酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層に供給される酸素は、酸素ラジカル、酸素原子、又は酸素イオンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 酸素が供給された酸化物半導体層であって、
   前記酸化物半導体層の酸素の含有量は、水素の含有量よりも多いことを特徴とする酸化物半導体層。