CN107527870B - 一种阵列基板的制作方法及其制作设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板的制作方法及其制作设备，所述制作方法包括：在基板上形成主动开关；在所述主动开关上形成透明电极层；在所述透明电极层上形成像素层；所述在基板上形成主动开关的方法包括：在基板上形成金属层；采用氢离子轰击所述金属层；在所述金属层上形成保护层，在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

Description

一种阵列基板的制作方法及其制作设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及其制作设备。
背景技术
显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。
现有显示面板的制程金属层会出现氧化的问题，会造成金属层的接触不良，从而影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有效解决金属层表面氧化的阵列基板的制作方法。
此外，本发明还提供一种阵列基板的制作设备。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成金属层；
采用氢离子轰击所述金属层；
在所述金属层上形成保护层；
其中，所述基板上设有主动开关、扫描线以及与扫描线垂直设置的数据线，所述主动开关包括所述金属层，所述扫描线和所述数据线和所述主动开关耦接，所述金属层包括第一金属层、第二金属层、扫描线和数据线。
其中，所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
将氢气离解成氢原子；
将所述氢原子电离形成氢离子；
采用所述氢离子轰击金属层。
这样，通过阵列基板的制作设备，将混合气体中的氢气的分子离解成两个氢原子，进一步的将氢原子电离形成成为带正电荷的氢离子和带负电荷的电子，通过电离的氢离子轰击金属层的表面，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。
其中，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一金属层设在基板上，所述第一保护层设在所述第一金属层上，所述第二金属层设在所述第一保护层上，所述第二保护层设在所述第二金属层上。这样，通过第一保护层和第二保护层的设置，能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况，当显示面板的制程出现问题的区域重工时，保护层能够非常有效的避免清洗剂对阵列基板的金属层的直接腐蚀，使得金属层能够保持完好，从而避免产生断线问题，进而提升显示面板的重工成功率而降低报废成本。
其中，所述第二保护层上形成有透明电极层，所述第二保护层上设有开口，所述透明电极层通过所述开口与所述第二金属层相连接。这样，通过在第二保护层上设置开口，方便透明电极层与第二金属层进行连接，保证了显示面板良好的显示效果，在设置透明电极层之前对开口处的第二金属层采用氢离子进行轰击，能够有效的解决第二金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将第二金属层上的金属氧化物还原成金属。
其中，所述在基板上形成金属层的方法包括：
在基板上形成第一金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
采用氢离子轰击所述第一金属层；
所述在金属层上设置保护层的方法包括：
在所述第一金属层上形成第一保护层。
这样，在设置第一保护层之前采用氢离子轰击第一金属层，能够有效的解决第一金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层制程到第一保护层制程之间的等待时间过短的问题。
其中，所述在基板上形成金属层的方法包括：
在第一保护层上形成第二金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
采用氢离子轰击所述第二金属层；
所述在金属层上设置保护层的方法包括：
在所述第二金属层上形成第二保护层。
这样，在设置第二保护层之前采用氢离子轰击第二金属层，能够有效的解决第二金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层制程到第二保护层制程之间的等待时间过短的问题。
其中，所述制作方法包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层、半导体层和第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
其中，所述制作方法包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层和半导体层；
在所述半导体层上形成第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种阵列基板的制作设备，包括：
进气口，用于注入氢气和空气；
解离装置，用于解离氢气形成氢离子；
出气口，用于将氢离子释放轰击金属层；
涂层装置，用于在金属层上形成保护层；
所述制作设备还包括壳体，所述进气口和所述出气口设在壳体上，所述解离装置设在壳体内，所述解离装置包括高压电极和陶瓷电极，所述接解离装置通过冷却套管与所述进气口相连接。这样，通过进气口注入氢气和空气的混合气体，有效的避免氢气浓度过高，从而进一步的保证显示面板的生产安全，氢气通过解离装置时，高压电极和陶瓷电极共同作用将氢气形成氢离子，氢离子通过出气口加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属
其中，所述壳体包括防静电板，所述出气口设在所述防静电板上。这样，防静电板能够有效的隔绝静电，保证制作设备能够更好的将氢离子作用在金属层的表面上，氢离子通过出气口加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题。
根据本发明的又一个方面，本发明还公开了一种显示面板，所述显示面板采用上述的阵列基板的制作方法制成。
根据本发明的又一个方面，本发明还公开了一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成第一金属层；
将氢气离解成氢原子；
将所述氢原子电离形成氢离子；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层和半导体层；
在所述半导体层上形成第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
本发明由于在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题；采用氢离子轰击金属层来处理金属层表面的氧化物，能够更加高效的对金属氧化物进行处理，有效的节约显示面板的生产时间，进一步的提高显示面板的生产效率；在氢离子轰击处理过的金属层上设置保护层，保护层的设置能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况，而且金属层的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置保护层的设置，能够有效的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，有效的避免金属毛刺裸露在保护层外，同时采用保护层的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保。
附图说明
图1是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图2是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图3是本发明实施例的显示面板的结构示意图；
图4是本发明实施例的显示面板的结构示意图；
图5是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图6是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图7是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图8是本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图9是本发明实施例的制作设备的结构示意图。
其中：1、基板，11、第一金属层，12、第一保护层，13、半导体层，14、第二金属层，141、源极层，142、漏极层，15、第二保护层，16、开口，17、透明电极层，18、沟道，2、制作设备，21、壳体，22、进气口，23、出气口，24、解离装置，25、高压电极，26、陶瓷电极，27、冷却套管，28、防静电板，29、涂层装置。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和的实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
S11：提供一基板；
S12：在所述基板上形成金属层；
S13：采用氢离子轰击所述金属层；
S14：在所述金属层上形成保护层；
其中，所述基板上设有主动开关、扫描线以及与扫描线垂直设置的数据线，所述主动开关包括所述金属层，所述扫描线和所述数据线和所述主动开关耦接，所述金属层包括第一金属层、第二金属层、扫描线和数据线。
在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题；采用氢离子轰击金属层来处理金属层表面的氧化物，能够更加高效的对金属氧化物进行处理，有效的节约显示面板的生产时间，进一步的提高显示面板的生产效率；在氢离子轰击处理过的金属层上设置保护层，保护层的设置能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况，而且金属层的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置保护层的设置，能够有效的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，有效的避免金属毛刺裸露在保护层外，同时采用保护层的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保；当然可采用含有氢离子的混合气体轰击金属层，也可以采用含有氢离子的等离子态轰击金属层。
金属层采用铜、铝、银、金或上述金属的合金制成，可选的采用纯铜制成，纯铜具有良好的导电性能，电阻率较低；铜是不太活泼的金属，在常温下不与干燥空气中的氧化合；而且铜熔点较低，容易再熔化、再冶炼，方便回收利用；同时铜的储量大，方便原料的采购，能够进一步的控制生产成本。
如图2所示，所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
S21：将氢气离解成氢原子；
S22：将所述氢原子电离形成氢离子；
S23：采用所述氢离子轰击金属层。
通过显示面板的制作设备2，将混合气体中的氢气的分子离解成两个氢原子，进一步的将氢原子电离形成成为带正电荷的氢离子和带负电荷的电子，通过电离的氢离子轰击金属层的表面，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题；示例的金属层采用纯铜制成，氢离子与氧化铜反应，利用氢离子氧化还原反应将氧化铜还原成金属铜，有效的避免氧化铜造成金属层的接触不良，进一步的保证了显示面板良好的显示效果；然后通过气相沉积法或化学气相沉积法设置保护层，保护层的设置能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况。
如图3所示，保护层包括第一保护层12和第二保护层15，第一金属层11设在基板1上，第一保护层12设在第一金属层11上，第二金属层14设在第一保护层12上，第二保护层15设在第二金属层14上，所述第二金属层14包括源极层141和漏极层142之间设有沟道18，半导体层13设在沟道18底部，通过第一保护层12和第二保护层15的设置，能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况，当显示面板的制程出现问题的区域重工时，保护层能够非常有效的避免清洗剂对阵列基板的金属层的直接腐蚀，使得金属层能够保持完好，从而避免产生断线问题，进而提升显示面板的重工成功率而降低报废成本，而且金属层的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置第一保护层12和第二保护层15，能够更好的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在保护层外，使得保护层能够更好的对金属层进行保护；同时采用保护层的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保。
保护层为氧化硅层，即保护层采用氧化硅材料制成，在化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)技术将氧化硅沉积到金属层进行之前，采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题，在金属层上进行一次化学气相沉积后，等待第一层氧化硅层冷却凝固形成第一层第一保护层12，在第一层第一保护层12进行第二次化学气相沉积后形成第二层第一保护层12，重复以上步骤，使得金属层上沉积至少两层氧化硅层，从而更好的对金属层上进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在保护层外，使得保护层能够更好的对金属层进行保护，氧化硅的化学性质比较稳定，不会与氢氧化钾溶液进行反应，有效的避免清洗剂对金属层的腐蚀破坏，能够非常好的对金属层进行保护；而且通过进行多次化学气相沉积形成至少两层氧化硅层，中途不需要额外更换的原材料，也不需要额外更换设备，降低原材料成本、存储成本，物料清单不需要增加新的材料，方便流程管理和采购，同时化学气相沉积技术成熟，能够很好的控制氧化硅的使用量，进一步的减低了生产制造成本，使得显示面板具有更强的市场竞争力；当然第二保护层15也可以采用同样的方法设置两层。。
当然也保护层为氮化硅层，即保护层采用氮化硅材料制成，在化学气相沉积技术将氧化硅沉积到金属层进行之前，采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题，在金属层上进行一次化学气相沉积后，等待第一层氮化硅层冷却凝固形成第一层第一保护层12，在第一层第一保护层12进行第二次化学气相沉积后形成第二层第一保护层12，重复以上步骤，使得金属层上沉积至少两层氮化硅层，从而更好的对金属层上进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在保护层外，使得保护层能够更好的对金属层进行保护，氮化硅不会与氢氧化钾溶液进行反应，有效的避免清洗剂对金属层的腐蚀破坏，能够非常好的对金属层进行保护，氮化硅是一种超硬物质，且氮化硅材料耐磨损，高温时抗氧化，还能抵抗冷热冲击，而且通过进行多次化学气相沉积形成至少两层氮化硅层，中途不需要额外更换的原材料，也不需要额外更换设备，降低原材料成本、存储成本，物料清单不需要增加新的材料，方便流程管理和采购，同时化学气相沉积技术成熟，能够很好的控制氮化硅的使用量，进一步的减低了生产制造成本，使得显示面板具有更强的市场竞争力；当然第二保护层15也可以采用同样的方法设置两层。
如图4所示，作为本发明的又一个实施例，保护层包括氮化硅层和氧化硅层，在化学气相沉积技术将氧化硅沉积到金属层进行之前，采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题，然后通过化学气相沉积技术将氧化硅沉积到金属层上，等待氧化硅层冷却凝固形成第一层第一保护层12，然后化学气相沉积技术将氮化硅沉积到氧化硅层上形成第二层第一保护层12，当然也可以是先设置氮化硅层作为第一层第一保护层12，再将氧化硅层覆盖在氮化硅层上形成第二层第一保护层12，通过氮化硅层和氧化硅层堆叠设置，使得保护层能够更好的附着在金属层上，能够更好的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在保护层外，使得保护层能够更好的对金属层进行保护，能够非常有效的避免清洗剂对阵列基板的金属层的直接腐蚀，使得金属层能够保持完好，从而避免产生断线问题，进一步的提高了显示面板的耐用性；当然第二保护层15也可以采用同样的氮化硅层和氧化硅层的堆叠设置两层。
其中，第二保护层15上形成有透明电极层17，第二保护层15上设有开口16，透明电极层17通过开口16与第二金属层14相连接，通过在第二保护层15上设置开口16，方便透明电极层17与第二金属层14进行连接，保证了显示面板良好的显示效果，在设置透明电极层17之前对开口16处的第二金属层14采用氢离子进行轰击，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将第二金属层14上的金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14制程到透明电极层17制程之间的等待时间过短的问题；然后在轰击过的第二金属层14上设置透明电极层17，透明电极层17能够有效的对开口16处的第二金属层14进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况。
如图5所示，所述在基板1上形成金属层的方法包括：
S31：在基板上形成第一金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
S32：采用氢离子轰击所述第一金属层；
所述在金属层上设置保护层的方法包括：
S33：在所述第一金属层上形成第一保护层。
在设置第一保护层12之前采用氢离子轰击第一金属层11，能够有效的解决第一金属层11表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层11制程到第一保护层12制程之间的等待时间过短的问题；在氢离子轰击处理过的第一金属层11上设置第一保护层12，第一保护层12的设置能够有效的对第一金属层11进行保护，进一步的避免第一金属层11的表面出现氧化的情况，而且第一金属层11的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置第一保护层12的设置，能够有效的对第一金属层11上的金属毛刺进行覆盖，有效的避免金属毛刺裸露在第一保护层12外，同时采用第一保护层12的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保。
如图6所示，所述在基板1上形成金属层的方法包括：
S41：在第一保护层上形成第二金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
S42：采用氢离子轰击所述第二金属层；
所述在金属层上设置保护层的方法包括：
S43：在所述第二金属层上形成第二保护层。
在设置第二保护层15之前采用氢离子轰击第二金属层14，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14制程到第二保护层15制程之间的等待时间过短的问题；在氢离子轰击处理过的第二金属层14上设置第二保护层15，第二保护层15的设置能够有效的对第二金属层14进行保护，进一步的避免第二金属层14的表面出现氧化的情况，而且第二金属层14的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置第二保护层15的设置，能够有效的对第二金属层14上的金属毛刺进行覆盖，有效的避免金属毛刺裸露在第二保护层15外，同时采用第二保护层15的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保。
如图7所示，阵列基板的制作方法包括步骤：
S51：在所述基板上形成第一金属层；
S52：采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
S53：在所述第一金属层上形成第一保护层、半导体层和第二金属层；
S54：采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
S55：在所述第二金属层上形成第二保护层；
S56：在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
第一光罩制程：首先对基板1进行清洗，在清洗后的基板1上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层11的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层11，对残留的光阻进行去除，完成第一光罩制程检查。
第二光罩制程：首先对完成第一光罩制程的基板1进行清洗，在第一金属层11上通过化学气相沉积技术将第一保护层12沉积到第一金属层11上，在清洗后的第一保护层12上形成半导体材料层，完成半导体材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的半导体材料层上形成第二金属材料层，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层14的图案，然后采用蚀刻液对半导体材料层进行蚀刻获得第二金属层14，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，在半导体材料层显影获得半导体层13的图案，然后对半导体材料层进行干蚀刻获得半导体层13，对残留的光阻进行去除，完成第二光罩制程检查。
在第二光罩制程设置第一保护层12之前，采用氢离子轰击第一金属层11，能够有效的解决第一金属层11表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层11到第一保护层12之间的等待时间过短的问题。
第三光罩制程：首先对完成第二光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二金属层14上形成第二保护材料层，然后在第二金属材料层上涂布光阻，采用第四光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二保护材料层显影获得第二保护层15的图案，然后采用蚀刻液对第二保护材料层进行蚀刻获得第二保护层15，对残留的光阻进行去除，完成第三光罩制程检查。
在第三光罩制程设置第二保护层15之前，采用氢离子轰击第二金属层14，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14到第二保护层15之间的等待时间过短的问题。
第四光罩制程：首先对完成第三光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二保护层15上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层17的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层17，对残留的光阻进行去除，完成第四光罩制程检查。
如图8所示，阵列基板的制作方法包括步骤：
S61：在所述基板上形成第一金属层；
S62：采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
S63：在所述第一金属层上形成第一保护层和半导体层；
S64：在所述半导体层上形成第二金属层；
S65：采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
S66：在所述第二金属层上形成第二保护层；
S67：在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
第一光罩制程：首先对基板1进行清洗，在清洗后的基板1上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层11的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层11，对残留的光阻进行去除，完成第一光罩制程检查。
第二光罩制程：首先对完成第一光罩制程的基板1进行清洗，在第一金属层11上通过化学气相沉积技术将第一保护层12沉积到第一金属层11上，在清洗后的第一保护层12上形成半导体材料层，完成半导体材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的半导体材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在半导体材料层显影获得半导体层13的图案，然后采用蚀刻液对半导体材料层进行蚀刻获得半导体层13，对残留的光阻进行去除，完成第二光罩制程检查。
在第二光罩制程设置第一保护层12之前，采用氢离子轰击第一金属层11，能够有效的解决第一金属层11表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层11到第一保护层12之间的等待时间过短的问题。
第三光罩制程：首先对完成第二光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的半导体层13上形成第二金属材料层，完成第二金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第三光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层14的图案，然后采用蚀刻液对第二金属材料层进行蚀刻获得第二金属层14，对残留的光阻进行去除，完成第三光罩制程检查。
第四光罩制程：首先对完成第三光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二金属层14上形成第二保护材料层，然后在第二金属材料层上涂布光阻，采用第四光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二保护材料层显影获得第二保护层15的图案，然后采用蚀刻液对第二保护材料层进行蚀刻获得第二保护层15，对残留的光阻进行去除，完成第四光罩制程检查。
在第四光罩制程设置第二保护层15之前，采用氢离子轰击第二金属层14，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14到第二保护层15之间的等待时间过短的问题。
第五光罩制程：首先对完成第四光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二保护层15上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层17的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层17，对残留的光阻进行去除，完成第五光罩制程检查。
如图9所示，根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种显示面板的制作设备2，包括：
进气口22，用于注入氢气和空气；
解离装置24，用于解离氢气形成氢离子；
出气口23，用于将氢离子释放轰击金属层；
涂层装置29，用于在金属层上形成保护层；
制作设备2还包括壳体21，涂层装置29、进气口22和出气口23设在壳体21上，解离装置24设在壳体21内，解离装置24包括高压电极25和陶瓷电极26，接解离装置24通过冷却套管27与进气口22相连接。
通过进气口22注入氢气和空气的混合气体，有效的避免氢气浓度过高，从而进一步的保证显示面板的生产安全，氢气通过解离装置24时，高压电极25和陶瓷电极26共同作用将氢气形成氢离子，氢离子通过出气口23加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。
其中，所述壳体21包括防静电板28，所述出气口23设在所述防静电板28上，所述出气口23处会产生电弧现象，防静电板28能够有效的隔绝静电，保证制作设备2能够更好的将氢离子作用在金属层的表面上，氢离子通过出气口23加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。
根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种显示面板，所述显示面板采用上述的阵列基板的制作方法制成。
在某些实施例中，显示面板例如为液晶显示面板、OLED显示面板、QLED显示面板、曲面显示面板或其他显示面板。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成第一金属层；
将氢气离解成氢原子；
将所述氢原子电离形成氢离子；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层和半导体层；
在所述半导体层上形成第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层；
其中，在设置第一保护层之前，采用氢离子轰击第一金属层，在设置第二保护层之前，采用氢离子轰击第二金属层；
用于将氢离子释放轰击第一金属层和第二金属层的出气口设置在阵列基板的制作设备的壳体上，用于在第一金属层和第二金属层上形成第一保护层和第二保护层的涂层装置设置在阵列基板的制作设备的壳体上。
2.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成金属层；
采用氢离子轰击所述金属层；
在所述金属层上形成保护层；
其中，所述基板上设有主动开关、扫描线以及与扫描线垂直设置的数据线，所述主动开关包括所述金属层，所述扫描线和所述数据线和所述主动开关耦接，所述金属层包括第一金属层、第二金属层、扫描线和数据线；
其中，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，在设置第一保护层之前，采用氢离子轰击第一金属层，在设置第二保护层之前，采用氢离子轰击第二金属层；
用于将氢离子释放轰击第一金属层和第二金属层的出气口设置在阵列基板的制作设备的壳体上，用于在第一金属层和第二金属层上形成第一保护层和第二保护层的涂层装置设置在阵列基板的制作设备的壳体上。
3.如权利要求2所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
将氢气离解成氢原子；
将所述氢原子电离形成氢离子；
采用所述氢离子轰击金属层。
4.如权利要求2所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一金属层设在基板上，所述第一保护层设在所述第一金属层上，所述第二金属层设在所述第一保护层上，所述第二保护层设在所述第二金属层上。
5.如权利要求4所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二保护层上形成有透明电极层，所述第二保护层上设有开口，所述透明电极层通过所述开口与所述第二金属层相连接。
6.如权利要求4所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成金属层的方法包括：
在基板上形成第一金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
采用氢离子轰击所述第一金属层；
在金属层上设置保护层的方法包括：
在所述第一金属层上形成第一保护层。
7.如权利要求4所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成金属层的方法包括：
在第一保护层上形成第二金属层；
所述采用氢离子轰击金属层的方法包括：
采用氢离子轰击所述第二金属层；
在金属层上设置保护层的方法包括：
在所述第二金属层上形成第二保护层。
8.如权利要求5所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层、半导体层和第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
9.如权利要求5所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
采用氢离子轰击所述第一金属层，形成扫描线、所述主动开关的栅极；
在所述第一金属层上形成第一保护层和半导体层；
在所述半导体层上形成第二金属层；
采用氢离子轰击所述第二金属层，形成数据线、所述主动开关的源极和漏极；
在所述第二金属层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成与所述漏极连接的透明电极层。
10.一种阵列基板的制作设备，其特征在于，用于上述权利要求1-9中任意一项的阵列基板的制作方法，包括：
进气口，用于注入氢气和空气；
解离装置，用于解离氢气形成氢离子；
出气口，用于将氢离子释放轰击金属层；
涂层装置，用于在金属层上形成保护层；
其中，所述制作设备还包括壳体，所述进气口和所述出气口设在壳体上，所述解离装置设在壳体内，所述解离装置包括高压电极和陶瓷电极，所述解离装置通过冷却套管与所述进气口相连接；所述壳体包括防静电板，所述出气口设在所述防静电板上。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110047798A (zh) * 2019-04-03 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属线、显示面板的制作方法及显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10203897A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成における前処理方法および薄膜形成装置
JP2003055796A (ja) * 2001-08-09 2003-02-26 Showa Denko Kk アルミニウム材およびその製造方法、ならびに電子写真用感光体および電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
CN101379214A (zh) * 2006-02-03 2009-03-04 应用材料股份有限公司 干式蚀刻以及外延沉积工艺及装置
CN103474416A (zh) * 2012-06-06 2013-12-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN105448938A (zh) * 2016-01-28 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN106024706A (zh) * 2016-06-22 2016-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN106647077A (zh) * 2016-12-29 2017-05-10 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2626913B2 (ja) * 1988-07-29 1997-07-02 三菱電機株式会社 シリコン表面の処理方法
KR100491142B1 (ko) * 2001-11-20 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조방법
WO2005028372A2 (en) * 2003-06-10 2005-03-31 The C & M Group, Llc Apparatus and process for mediated electrochemical oxidation of materials
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011135987A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN103474439B (zh) * 2013-09-26 2016-08-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种显示装置、阵列基板及其制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10203897A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成における前処理方法および薄膜形成装置
JP2003055796A (ja) * 2001-08-09 2003-02-26 Showa Denko Kk アルミニウム材およびその製造方法、ならびに電子写真用感光体および電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
CN101379214A (zh) * 2006-02-03 2009-03-04 应用材料股份有限公司 干式蚀刻以及外延沉积工艺及装置
CN103474416A (zh) * 2012-06-06 2013-12-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN105448938A (zh) * 2016-01-28 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN106024706A (zh) * 2016-06-22 2016-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN106647077A (zh) * 2016-12-29 2017-05-10 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

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