JP5357515B2 - 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット - Google Patents
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2Ag+10(In+Sn+Ni+Co+Cu)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Sn、Ni、Co、Cuは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す]
2Ag+10(In+Sn+Ni+Co+Cu)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Sn、Ni、Co、Cuは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す]
2Ag+10(In+Sn+Ni+Co+Cu)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Sn、Ni、Co、Cuは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す]
(a)Ni、CoおよびCuよりなる群から選択される少なくとも1種の元素は0.02〜0.5原子%、
(b)Agは0.1〜0.6原子%、
(c)Inおよび/またはSnは0.02〜0.5原子%含むものが好ましい。
2Ag+10(In+Sn+Ni+Co+Cu)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Sn、Ni、Co、Cuは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す]
図2を参照しながら、アモルファスシリコンTFT基板の実施形態を詳細に説明する。
図11を参照しながら、ポリシリコンTFT基板の実施形態を詳細に説明する。
・基板:洗浄済みガラス基板(コーニング社製 Eagle2000)
・DCパワー:total 500W
・基板温度:25℃(室温)
・雰囲気ガス:Ar
・Arガス圧:2mTorr
・最大析出物の粒径が100nm未満であるか、または粒径が100nmを超える析出物が10−6cm2あたり1個以下のものを○とする。
・最大析出物の粒径が100〜120nmでかつ粒径が100nmを超える析出物が10−6cm2あたり1個超2個以下のものを△とする。
・最大析出物の粒径が120nm超であるか、粒径が100nmを超える析出物が10−6cm2あたり2個超である場合を×とする。
・視認される黒点が1個以下のものを○
・視認される黒点が1個超2個以下のものを△
・視認される黒点の密度が2個超のものを×
と評価した。
2 対向基板
3 液晶層
4 薄膜トランジスタ(TFT)
5 透明画素電極(透明導電膜)
6 配線部
7 共通電極
8 カラーフィルタ
9 遮光膜
10 偏光板
11 配向膜
12 TABテープ
13 ドライバ回路
14 制御回路
15 スペーサー
16 シール材
17 保護膜
18 拡散板
19 プリズムシート
20 導光板
21 反射板
22 バックライト
23 保持フレーム
24 プリント基板
25 走査線
26 ゲート電極
27 ゲート絶縁膜
28 ソース電極
29 ドレイン電極
30 保護膜(窒化シリコン膜)
31 フォトレジスト
32 コンタクトホール
33 アモルファスシリコンチャネル膜(活性半導体膜)
34 信号線
52、53 バリアメタル層
55 ノンドーピング水素化アモルファスシリコン膜(a−Si−H)
56 n+型水素化アモルファスシリコン膜(n+a−Si−H)
Claims (9)
- 表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、
該Al合金膜は、
Geを0.2〜2.0原子%、並びに
元素群X(Ag:0.1〜0.6原子%、Inおよび/またはSn:0.02〜0.5原子%)より選択される少なくとも一種の元素を含むと共に、
希土類元素と高融点金属群(Ti、Ta、V、Nb、Mo、W、Cr、Zr、Hf)からなる元素群Qより選択される少なくとも1種の元素を0.02〜1原子%含み、かつ、
粒径が100nmを超える析出物が10-6cm2あたり1個以下であることを特徴とする表示装置用Al合金膜。 - 前記元素群Xのうち、Agを0.1〜0.6原子%含む請求項1に記載の表示装置用Al合金膜。
- 前記元素群Xのうち、Inおよび/またはSnを0.02〜0.5原子%含む請求項1または2に記載の表示装置用Al合金膜。
- 前記元素群Xの元素の含有量が、下記式(1)を満たす請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜。
2Ag+10(In+Sn)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Snは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す] - 請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜が、薄膜トランジスタに用いられていることを特徴とする表示装置。
- Geを0.2〜2.0原子%、並びに
元素群X(Ag:0.1〜0.6原子%、Inおよび/またはSn:0.02〜0.5原子%)より選択される少なくとも一種の元素を含むと共に、
希土類元素と高融点金属群(Ti、Ta、V、Nb、Mo、W、Cr、Zr、Hf)からなる元素群Qより選択される少なくとも1種の元素を0.02〜1原子%含み、残部がAlおよび不可避不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記元素群Xのうち、Agを0.1〜0.6原子%含む請求項6に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記元素群Xのうち、Inおよび/またはSnを0.02〜0.5原子%含む請求項6または7に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記元素群Xの元素の含有量が、下記式(1)を満たす請求項6〜8のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
2Ag+10(In+Sn)≦5 …(1)
[式(1)中、Ag、In、Snは、Al合金膜に含まれる各元素の含有量(単位は原子%)を示す]
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008284893A JP5357515B2 (ja) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット |
US13/122,937 US20110198602A1 (en) | 2008-11-05 | 2009-11-05 | Aluminum alloy film for display device, display device, and sputtering target |
CN2009801427158A CN102197335A (zh) | 2008-11-05 | 2009-11-05 | 显示装置用Al合金膜、显示装置和溅射靶 |
TW098137601A TW201033378A (en) | 2008-11-05 | 2009-11-05 | Al alloy film for display device, display device, and sputtering target |
KR1020117010296A KR20110065564A (ko) | 2008-11-05 | 2009-11-05 | 표시 장치용 Al 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃 |
PCT/JP2009/068923 WO2010053135A1 (ja) | 2008-11-05 | 2009-11-05 | 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008284893A JP5357515B2 (ja) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114226A JP2010114226A (ja) | 2010-05-20 |
JP5357515B2 true JP5357515B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=42302570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008284893A Expired - Fee Related JP5357515B2 (ja) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5357515B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012243876A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Kobe Steel Ltd | 半導体装置用Al合金膜 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5189674B2 (ja) | 2010-12-28 | 2013-04-24 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造、積層構造の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2013084907A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Kobe Steel Ltd | 表示装置用配線構造 |
JP6726523B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2020-07-22 | 株式会社アルバック | 水分検出素子製造方法、水崩壊性配線膜製造方法、水崩壊性薄膜製造方法、水分検出素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3438945B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2003-08-18 | 株式会社神戸製鋼所 | Al合金薄膜 |
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4022891B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2007-12-19 | 日立金属株式会社 | 配線膜用Al合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 |
JP4117001B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP4117002B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
JP2008098611A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP4170367B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012243876A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Kobe Steel Ltd | 半導体装置用Al合金膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2010114226A (ja) | 2010-05-20 |
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