CN207457640U - 一种显示面板的制作设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种显示面板的制作设备，包括：壳体；进气口，设在所述壳体上；出气口，设在所述壳体上；其中，所述壳体内设有解离装置，所述解离装置设在所述进气口和所述出气口之间，所述解离装置用于解离所述进气口注入的气体，所述出气口用于释放通过所述解离装置解离后的气体，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

Description

一种显示面板的制作设备

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作设备。

背景技术

显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的显示器大部分为背光型显示器，其包括显示面板及背光模组(backlight module)。显示面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管显示器包含显示面板和背光模组，显示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

现有显示面板的制作设备，对显示面板的金属层几乎不做处理，会出现氧化的问题，会造成金属层的接触不良，从而影响显示面板的显示效果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种有效解决金属层表面氧化的显示面板的制作设备。

此外，本实用新型还提供一种显示面板。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种显示面板的制作设备，包括：

壳体；

进气口，设在所述壳体上；

出气口，设在所述壳体上；

其中，所述壳体内设有解离装置，所述解离装置设在所述进气口和所述出气口之间，所述解离装置用于解离所述进气口注入的气体，所述出气口用于释放通过所述解离装置解离后的气体。

进一步的，所述进气口与所述解离装置之间设有冷却套管。这样，通过冷却套管的设置，能够有效的对进气口内注入的氢气或者氢气和空气的混合气体中的水汽进行凝结，有效的避免水汽在影响后续解离装置电离的过程，从而保证更好的电离效果。

进一步的，所述解离装置包括高压电极。这样，通过高压电极的设置，对高压电极接通高电压时，高压电极表面附近的电场较强，使得高压电极附近的氢气或者氢气和空气的混合气体被局部击穿产生高压放电现象，以致首先达到或超过了空气或氢气的击穿阀值，使得空气或氢气电离。

进一步的，所述高压电极包括电离区域，所述电离区域设在所述高压电极内，所述高压电极的外部区域为迁移区域。

进一步的，所述解离装置包括陶瓷电极。这样，当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管开始放电，由高阻抗变成低阻抗，使浪涌电压迅速短路至接近零电压，并将过电流释放入地，从而对后续电路起到保护作用。

进一步的，所述壳体包括防静电板，所述出气口设在所述防静电板上。这样，防静电板能够有效的隔绝静电，保证制作设备能够更好的将氢离子作用在金属层的表面上，氢离子通过出气口加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理。

进一步的，所述壳体上设有涂层装置，所述涂层装置用于在显示面板的金属层上形成保护层。这样，涂层装置的设置能够有效的在金属层形成保护层，在金属层被氢离子轰击后，涂层装置会快速的在金属层上覆盖设置至少一层保护层，从而有效的对轰击后的金属层进行保护，有效的避免金属层再次暴露在空气中受到氧化，保证了显示面板更好的制作质量，进一步的提高显示面板的显示品质。

进一步的，所述涂层装置与显示面板相对设置，所述出气口和所述涂层装置沿显示面板的运行方向依次设置。这样，阵列基板在生产线上沿着指定的方向进行移动，完成阵列基板的制程，在经过制作设备时，整列设备的金属层被出气口释放的氢离子轰击，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，然后很快的移动到涂层装置的下方进行保护层的设置，能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

进一步的，所述壳体内设有离子仓，所述离子仓的内壁上设有防静电层。这样，离子仓的设置能够有效的对解离出来的氢离子进行存储，在在一个阵列基板到达之前，可以短暂的关闭出气口，来有效的存储氢离子，保证氢离子拥有充足的量去轰击阵列基板的金属层，从而有效的避免金属层再次暴露在空气中受到氧化，保证了显示面板更好的制作质量，进一步的提高显示面板的显示品质。

进一步的，所述制作设备外接有中频电源，所述中频电源的一端与所述解离装置耦接，所述中频电源的另一端接地，所述接地的一端与所述壳体的外表面相连接。

根据本实用新型的又一个方面，本实用新型还公开了一种显示面板，所述显示面板采用上述的制作设备的制成。

本实用新型由于通过进气口注入氢气和空气的混合气体，有效的避免氢气浓度过高，从而进一步的保证显示面板的生产安全，解离装置用于解离氢气形成氢离子，将混合气体中的氢气的分子离解成两个氢原子，进一步的将氢原子电离形成成为带正电荷的氢离子和带负电荷的电子，解离后的从出气口将氢离子释放轰击金属层，在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题；采用氢离子轰击金属层来处理金属层表面的氧化物，能够更加高效的对金属氧化物进行处理，有效的节约显示面板的生产时间，进一步的提高显示面板的生产效率。

附图说明

图1是本实用新型实施例的制作设备的剖面结构示意图；

图2是本实用新型实施例的阵列基板的局部结构示意图。

其中：1、基板，11、第一金属层，12、第一保护层，13、半导体层，14、第二金属层，141、源极层，142、漏极层，15、第二保护层，16、沟道，2、制作设备，21、壳体，211、离子仓，22、进气口，23、出气口，24、解离装置，25、高压电极，26、陶瓷电极，27、冷却套管，28、防静电板，29、涂层装置。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本实用新型的示例性实施例的目的。但是本实用新型可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和的实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，一种显示面板的制作设备，包括：

壳体；

进气口，设在所述壳体上；

出气口，设在所述壳体上；

其中，所述壳体21内设有解离装置24，所述解离装置24设在所述进气口22和所述出气口23之间，所述解离装置24用于解离所述进气口22注入的气体，所述出气口23用于释放通过所述解离装置24解离后的气体。

显示面板包括阵列基板，在阵列基板上设有主动开关、扫描线以及与扫描线垂直设置的数据线，主动开关包括金属层，扫描线和数据线和主动开关耦接，金属层包括第一金属层11、第二金属层14、扫描线和数据线，第一金属层11包括主动开关的栅极，第二金属层14包括主动开关的源极和漏极；

阵列基板包括基板1，第一金属层11设在基板1上，第一保护层12设在第一金属层11上，第二金属层14设在第一保护层12上，第二保护层15设在第二金属层14上，所述第二金属层14包括源极层141和漏极层142之间设有沟道16，半导体层13设在沟道16底部。

通过进气口22注入氢气和空气的混合气体，有效的避免氢气浓度过高，从而进一步的保证显示面板的生产安全，解离装置24用于解离氢气形成氢离子，将混合气体中的氢气的分子离解成两个氢原子，进一步的将氢原子电离形成成为带正电荷的氢离子和带负电荷的电子，解离后的从出气口23将氢离子释放轰击金属层，在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题；采用氢离子轰击金属层来处理金属层表面的氧化物，能够更加高效的对金属氧化物进行处理，有效的节约显示面板的生产时间，进一步的提高显示面板的生产效率。

在氢离子轰击处理过的金属层上设置保护层，保护层的设置能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况，而且金属层的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置保护层的设置，能够有效的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，有效的避免金属毛刺裸露在保护层外，同时采用保护层的设置能够很好的对制程出现问题的区域进行重工修复，而不需要将薄膜晶体管阵列基板进行报废处理，更加的绿色环保；当然可采用含有氢离子的混合气体轰击金属层，也可以采用含有氢离子的等离子态轰击金属层。

金属层采用铜、铝、银、金或上述金属的合金制成，可选的采用纯铜制成，纯铜具有良好的导电性能，电阻率较低；铜是不太活泼的金属，在常温下不与干燥空气中的氧化合；而且铜熔点较低，容易再熔化、再冶炼，方便回收利用；同时铜的储量大，方便原料的采购，能够进一步的控制生产成本；示例的金属层采用纯铜制成，氢离子与氧化铜反应，利用氢离子氧化还原反应将氧化铜还原成金属铜，有效的避免氧化铜造成金属层的接触不良，进一步的保证了显示面板良好的显示效果；然后通过气相沉积法或化学气相沉积法设置保护层，保护层的设置能够有效的对金属层进行保护，进一步的避免金属层的表面出现氧化的情况。

其中，进气口22与解离装置24之间设有冷却套管27，通过冷却套管27的设置，能够有效的对进气口22内注入的氢气或者氢气和空气的混合气体中的水汽进行凝结，有效的避免水汽在影响后续解离装置24电离的过程，从而保证更好的电离效果，从而能够更好的利用电离出的更多的进行轰击金属层，氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

其中，解离装置24包括高压电极25，通过高压电极25的设置，对高压电极25接通高电压时，高压电极25表面附近的电场较强，使得高压电极25附近的氢气或者氢气和空气的混合气体被局部击穿产生高压放电现象，以致首先达到或超过了空气或氢气的击穿阀值，使得空气或氢气电离，产生的粒子在不均匀的电场作用下，向电场的梯度方向定向运动，粒子在定向运动的过程中与空气分子或氢气分子碰撞发生动能交换，诱导电极间的空气或氢气发生定向运动。

其中，高压电极25包括电离区域，电离区域设在高压电极25内，高压电极25的外部区域为迁移区域。

其中，解离装置24包括陶瓷电极26,陶瓷电极26用陶瓷密闭封装，内部由两个或多个带间隙的金属电极，充以惰性气体氩气，氖气构成，当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管开始放电，由高阻抗变成低阻抗，使浪涌电压迅速短路至接近零电压，并将过电流释放入地，从而对后续电路起到保护作用。

其中，壳体21包括防静电板28，出气口23设在防静电板28上,出气口23处会产生电弧现象，防静电板28能够有效的隔绝静电，保证制作设备2能够更好的将氢离子作用在金属层的表面上，氢离子通过出气口23加速飞向金属层的表面，对显示面板上的金属层进行处理，能够有效的解决金属层的表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

其中，壳体21上设有涂层装置29，涂层装置29用于在显示面板的金属层上形成保护层，涂层装置29的设置能够有效的在金属层形成保护层，在金属层被氢离子轰击后，涂层装置29会快速的在金属层上覆盖设置至少一层保护层，从而有效的对轰击后的金属层进行保护，有效的避免金属层再次暴露在空气中受到氧化，保证了显示面板更好的制作质量，进一步的提高显示面板的显示品质。

其中，涂层装置29与阵列基板相对设置，出气口23和涂层装置29沿阵列基板的运行方向依次设置，阵列基板在生产线上沿着指定的方向进行移动，完成阵列基板的制程，在经过制作设备2时，整列设备的金属层被出气口23释放的氢离子轰击，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，然后很快的移动到涂层装置29的下方进行保护层的设置，能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。

其中，壳体21内设有离子仓211，离子仓211的内壁上设有防静电层，离子仓211的设置能够有效的对解离出来的氢离子进行存储，在在一个阵列基板到达之前，可以短暂的关闭出气口23，来有效的存储氢离子，保证氢离子拥有充足的量去轰击阵列基板的金属层，从而有效的避免金属层再次暴露在空气中受到氧化，保证了显示面板更好的制作质量，进一步的提高显示面板的显示品质；而且在两个阵列基板的间隔期间不持续向外释放氢离子，能够有效的避免氢离子的浪费，更加的节省生产成本，更加的绿色环保。

其中，制作设备2外接有中频电源，中频电源的一端与解离装置24耦接，中频电源的另一端接地，接地的一端与壳体21的外表面相连接。

下面是采用四道光罩制程来制作显示面板的阵列基板的过程：

第一光罩制程：首先对基板1进行清洗，在清洗后的基板1上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层11的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层11，对残留的光阻进行去除，完成第一光罩制程检查。

第二光罩制程：首先对完成第一光罩制程的基板1进行清洗，在第一金属层11上通过化学气相沉积技术将第一保护层12沉积到第一金属层11上，在清洗后的第一保护层12上形成半导体材料层，完成半导体材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的半导体材料层上形成第二金属材料层，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层14的图案，然后采用蚀刻液对半导体材料层进行蚀刻获得第二金属层14，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，在半导体材料层显影获得半导体层13的图案，然后对半导体材料层进行干蚀刻获得半导体层13，对残留的光阻进行去除，完成第二光罩制程检查。

在第二光罩制程设置第一保护层12之前，采用氢离子轰击第一金属层11，能够有效的解决第一金属层11表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层11到第一保护层12之间的等待时间过短的问题。

第三光罩制程：首先对完成第二光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二金属层14上形成第二保护材料层，然后在第二金属材料层上涂布光阻，采用第四光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二保护材料层显影获得第二保护层15的图案，然后采用蚀刻液对第二保护材料层进行蚀刻获得第二保护层15，对残留的光阻进行去除，完成第三光罩制程检查。

在第三光罩制程设置第二保护层15之前，采用氢离子轰击第二金属层14，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14到第二保护层15之间的等待时间过短的问题。

第四光罩制程：首先对完成第三光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二保护层15上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层，对残留的光阻进行去除，完成第四光罩制程检查。

下面是采用五道光罩制程来制作显示面板的阵列基板的过程：

第一光罩制程：首先对基板1进行清洗，在清洗后的基板1上溅镀第一金属材料层，完成第一金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第一金属材料层上涂布光阻，采用第一光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第一金属材料层显影获得第一金属层11的图案，然后采用蚀刻液对第一金属材料层进行蚀刻获得第一金属层11，对残留的光阻进行去除，完成第一光罩制程检查。

第二光罩制程：首先对完成第一光罩制程的基板1进行清洗，在第一金属层11上通过化学气相沉积技术将第一保护层12沉积到第一金属层11上，在清洗后的第一保护层12上形成半导体材料层，完成半导体材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的半导体材料层上涂布光阻，采用第二光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在半导体材料层显影获得半导体层13的图案，然后采用蚀刻液对半导体材料层进行蚀刻获得半导体层13，对残留的光阻进行去除，完成第二光罩制程检查。

在第二光罩制程设置第一保护层12之前，采用氢离子轰击第一金属层11，能够有效的解决第一金属层11表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第一金属层11到第一保护层12之间的等待时间过短的问题。

第三光罩制程：首先对完成第二光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的半导体层13上形成第二金属材料层，完成第二金属材料层的溅镀后进行成膜前清洗，然后在清洗后的第二金属材料层上涂布光阻，采用第三光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二金属材料层显影获得第二金属层14的图案，然后采用蚀刻液对第二金属材料层进行蚀刻获得第二金属层14，对残留的光阻进行去除，完成第三光罩制程检查。

第四光罩制程：首先对完成第三光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二金属层14上形成第二保护材料层，然后在第二金属材料层上涂布光阻，采用第四光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在第二保护材料层显影获得第二保护层15的图案，然后采用蚀刻液对第二保护材料层进行蚀刻获得第二保护层15，对残留的光阻进行去除，完成第四光罩制程检查。

在第四光罩制程设置第二保护层15之前，采用氢离子轰击第二金属层14，能够有效的解决第二金属层14表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决第二金属层14到第二保护层15之间的等待时间过短的问题。

第五光罩制程：首先对完成第四光罩制程的基板1进行清洗，在清洗后的第二保护层15上形成透明电极材料层，然后在透明电极材料层上涂布光阻，采用第五光罩对光阻进行对准并曝光，用显影液在透明电极材料层显影获得透明电极层的图案，然后采用蚀刻液对透明电极材料层进行蚀刻获得透明电极层，对残留的光阻进行去除，完成第五光罩制程检查。

根据本实用新型的另一个方面，本实用新型还公开了一种显示面板，所述显示面板采用上述的显示面板的制作设备2的制成。

在某些实施例中，显示面板例如为液晶显示面板、OLED显示面板、QLED显示面板、曲面显示面板或其他显示面板。

以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作设备，其特征在于，包括：

壳体；

进气口，设在所述壳体上；

出气口，设在所述壳体上；

其中，所述壳体内设有解离装置，所述解离装置设在所述进气口和所述出气口之间，所述解离装置用于解离所述进气口注入的气体，所述出气口用于释放通过所述解离装置解离后的气体。

2.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述进气口与所述解离装置之间设有冷却套管。

3.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述解离装置包括高压电极。

4.如权利要求3所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述高压电极包括电离区域，所述电离区域设在所述高压电极内，所述高压电极的外部区域为迁移区域。

5.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述解离装置包括陶瓷电极。

6.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述壳体包括防静电板，所述出气口设在所述防静电板上。

7.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述壳体上设有涂层装置，所述涂层装置用于在显示面板的金属层上形成保护层。

8.如权利要求7所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，显示面板包括阵列基板，所述涂层装置与阵列基板相对设置，所述出气口和所述涂层装置沿阵列基板的运行方向依次设置。

9.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述壳体内设有离子仓，所述离子仓的内壁上设有防静电层。

10.如权利要求1所述的一种显示面板的制作设备，其特征在于，所述制作设备外接有中频电源，所述中频电源的一端与所述解离装置耦接，所述中频电源的另一端接地，所述接地的一端与所述壳体的外表面相连接。