CN108550547A - 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置 - Google Patents

一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108550547A
CN108550547A CN201810490389.0A CN201810490389A CN108550547A CN 108550547 A CN108550547 A CN 108550547A CN 201810490389 A CN201810490389 A CN 201810490389A CN 108550547 A CN108550547 A CN 108550547A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
metal electrode
electrostatic chuck
board treatment
scarf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201810490389.0A
Other languages
English (en)
Inventor
黄相伍
李昌镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Micro Optoelectronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Hefei Micro Optoelectronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Micro Optoelectronic Technology Co Ltd filed Critical Hefei Micro Optoelectronic Technology Co Ltd
Priority to CN201810490389.0A priority Critical patent/CN108550547A/zh
Publication of CN108550547A publication Critical patent/CN108550547A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Abstract

本发明涉提供了一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,包括腔室,腔室侧壁开设有基板出入孔,腔室底部开设有排出口,腔室顶部固定连接有气体喷射装置,气体喷射装置正下方设有静电卡盘,静电卡盘包括固定底座,固定底座中部贯通开设有结合孔,结合孔内部插设有电极棒,电极棒包括绝缘辅材和金属电极,金属电极电气连接有电源;金属电极侧面与水平面通过斜切面相连接,水平面与斜切面、斜切面与侧面之间形成的夹角为钝角,侧面和金属电极中心轴之间的距离由上至下逐渐增大,金属电极下部形成凸缘部。本发明结构简单,很好的解决了现有技术中金属电极上部的棱角部分电子密度大幅增加,会发生电弧现象对基板产生损伤的缺点。

Description

一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置,尤其涉及一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置。
背景技术
随着信息化社会的发展,产生了针对传统CRT重量和体积过大的缺点进行改善的视频显示装置方面的技术开发要求。
因此,LCD(以下称液晶显示装置)、OLED(以下称有机发光二极管),PDP等几种平板显示装置作为新的视频显示装置受到很多关注。
这些平板显示装置通常是在由玻璃等材质构成的基板上反复进行蒸镀、曝光、蚀刻等各种工艺,形成几㎛细的线宽构筑的图形。这时,因上述图形线宽只有几㎛,所以为了在整块基板上形成均一的模式,在工艺进行过程中将基板进行固定,使其不会发生位置变动是非常重要的。
虽然,利用真空力的真空吸附方法作为固定基板的方法被广泛使用中,但也产生了在真空环境中进行制造工艺时,无法通过真空力固定基板的问题。
为了解决这样的问题,为了在真空状态下进行工艺时固定基板,提出了利用静电力的静电卡盘方案并在进行使用。
这样的静电卡盘上必须要有控制电源的金属电极。
但是,传统的静电卡盘用的金属电极在接通电源时,金属电极上部的棱角部分电子密度大幅增加,会发生电弧现象。这样的电弧现象会对静电卡盘及处理对象即基板产生损伤。因此,能将电弧现象最小化的静电卡盘是有必要的。为此,提出一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中金属电极上部的棱角部分电子密度大幅增加,会发生电弧现象对基板产生损伤的缺点,而提出的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
设计一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,包括腔室,腔室侧壁开设有基板出入孔,腔室底部开设有排出口,腔室顶部固定连接有气体喷射装置,气体喷射装置正下方设有静电卡盘,静电卡盘包括固定底座、绝缘层、导电层、电介质层和电极棒,固定底座中部贯通开设有结合孔,结合孔内部插设有电极棒,电极棒包括绝缘辅材和金属电极,金属电极电气连接有电源;金属电极包括斜切面、水平面和侧面,侧面为闭曲面,侧面与水平面通过斜切面相连接,水平面与斜切面、斜切面与侧面之间形成的夹角为钝角,侧面和金属电极中心轴之间的距离由上至下逐渐增大,金属电极下部形成凸缘部;金属电极与绝缘辅材通过粘结剂固定连接。
固定底座上端面固定连接有绝缘层,电极棒的一端贯穿连接绝缘层,绝缘层的上端面与电极棒的上端面位于同一水平面,绝缘层上端面固定连接有导电层,导电层与金属电极电气连接,导电层上端面固定连接有电介质层,电介质层上端面设有基板。
优选的,固定底座为圆柱形。
优选的,绝缘辅材的制作材料为陶瓷粉末。
优选的,粘结剂为环氧树脂胶或陶瓷粘结剂。
优选的,绝缘层的形状为平板或者盘状。
优选的,电介质层的形状为平板或盘状,且电介质层的制作材料为氮化铝或者氮化硼或者加入氧化钛的氧化铝或者加入氧化铬的氧化铝。
本发明提出的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,有益效果在于:本装置中通过对金属电极设置水平面与斜切面、斜切面与侧面之间形成的夹角为钝角,能够防止电弧现象的发生,进一步保护静电卡盘和基板,保证产品质量。
本发明结构简单,很好的解决了现有技术中金属电极上部的棱角部分电子密度大幅增加,会发生电弧现象对基板产生损伤的缺点。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的金属电极主视示意图。
图3为本发明的金属电极结构示意图。
图中:1-腔室,2-基板出入孔,3-排出口,4-静电卡盘,5-电极棒,6-基板,7-电源,8-结合孔,9-气体喷射装置。
401-固定底座,402-绝缘层,403-导电层,404-电介质层,501-绝缘辅材,502-金属电极,503-凸缘部,504-斜切面,505-水平面,506-侧面。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-3,一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,包括腔室1,腔室1侧壁开设有基板出入孔2,腔室1底部开设有排出口3,腔室1顶部固定连接有气体喷射装置9,气体喷射装置9正下方设有静电卡盘4,静电卡盘4包括固定底座401、绝缘层402、导电层403、电介质层404和电极棒5,固定底座401中部贯通开设有结合孔8,结合孔8内部插设有电极棒5,电极棒5包括绝缘辅材501和金属电极502,金属电极502电气连接有电源7;金属电极502包括斜切面504、水平面505和侧面506,侧面506为闭曲面,侧面506与水平面505通过斜切面504相连接,水平面505与斜切面504、斜切面504与侧面506之间形成的夹角为钝角,侧面506和金属电极502中心轴之间的距离由上至下逐渐增大,金属电极502下部形成凸缘部503;金属电极502与绝缘辅材501通过粘结剂固定连接。
固定底座401上端面固定连接有绝缘层402,电极棒5的一端贯穿连接绝缘层402,绝缘层402的上端面与电极棒5的上端面位于同一水平面,绝缘层402上端面固定连接有导电层403,导电层403与金属电极502电气连接,导电层403上端面固定连接有电介质层404,电介质层404上端面设有基板6。
其中,固定底座401为圆柱形。
其中,绝缘辅材501的制作材料为陶瓷粉末。
其中,粘结剂为环氧树脂胶或陶瓷粘结剂。
其中,绝缘层402的形状为平板状。
其中,电介质层404的形状为平板状,且电介质层404的制作材料为加入氧化铬的氧化铝。
在本发明中,将基板6通过基板出入孔2放入腔室1内,并且放置在电介质层404上方,电源7通电,金属电极502通电,进而导电层403通电,通过静电力对基板6进行固定,然后气体喷射装置9根据所需工艺选择所喷射的气体,对基板6进行进一步的加工,加工过程中看多余的气体和废料通过排出口3进行排出,当加工完成,再次通过基板出入孔2取出基板6。
本装置中通过对金属电极设置水平面与斜切面、斜切面与侧面之间形成的夹角为钝角,能够防止电弧现象的发生,进一步保护静电卡盘和基板,保证产品质量。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,包括腔室(1),其特征在于:腔室(1)侧壁开设有基板出入孔(2),所述腔室(1)底部开设有排出口(3),所述腔室(1)顶部固定连接有气体喷射装置(9),所述气体喷射装置(9)正下方设有静电卡盘(4),所述静电卡盘(4)包括固定底座(401)、绝缘层(402)、导电层(403)、电介质层(404)和电极棒(5),所述固定底座(401)中部贯通开设有结合孔(8),所述结合孔(8)内部插设有电极棒(5),所述电极棒(5)包括绝缘辅材(501)和金属电极(502),所述金属电极(502)电气连接有电源(7);所述金属电极(502)包括斜切面(504)、水平面(505)和侧面(506),所述侧面(506)为闭曲面,所述侧面(506)与水平面(505)通过斜切面(504)相连接,所述水平面(505)与斜切面(504)、斜切面(504)与侧面(506)之间形成的夹角为钝角,所述侧面(506)和金属电极(502)中心轴之间的距离由上至下逐渐增大,所述金属电极(502)下部形成凸缘部(503);所述金属电极(502)与绝缘辅材(501)通过粘结剂固定连接;
所述固定底座(401)上端面固定连接有绝缘层(402),所述电极棒(5)的一端贯穿连接绝缘层(402),所述绝缘层(402)的上端面与电极棒(5)的上端面位于同一水平面,所述绝缘层(402)上端面固定连接有导电层(403),所述导电层(403)与金属电极(502)电气连接,所述导电层(403)上端面固定连接有电介质层(404),所述电介质层(404)上端面设有基板(6)。
2.根据权利要求1所述的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,其特征在于:所述固定底座(401)为圆柱形。
3.根据权利要求1所述的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,其特征在于:所述绝缘辅材(501)的制作材料为陶瓷粉末。
4.根据权利要求1所述的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,其特征在于:所述粘结剂为环氧树脂胶或陶瓷粘结剂。
5.根据权利要求1所述的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,其特征在于:所述绝缘层(402)的形状为平板或者盘状。
6.根据权利要求1所述的一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置,其特征在于:所述电介质层(404)的形状为平板或盘状,且所述电介质层(404)的制作材料为氮化铝或者氮化硼或者加入氧化钛的氧化铝或者加入氧化铬的氧化铝。
CN201810490389.0A 2018-05-21 2018-05-21 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置 Withdrawn CN108550547A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810490389.0A CN108550547A (zh) 2018-05-21 2018-05-21 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810490389.0A CN108550547A (zh) 2018-05-21 2018-05-21 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108550547A true CN108550547A (zh) 2018-09-18

Family

ID=63495328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810490389.0A Withdrawn CN108550547A (zh) 2018-05-21 2018-05-21 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108550547A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111229683A (zh) * 2019-12-24 2020-06-05 合肥微睿光电科技有限公司 一种屏幕的高温下气相反应用高压清洗装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111229683A (zh) * 2019-12-24 2020-06-05 合肥微睿光电科技有限公司 一种屏幕的高温下气相反应用高压清洗装置
CN111229683B (zh) * 2019-12-24 2023-08-08 合肥微睿光电科技有限公司 一种屏幕的高温下气相反应用高压清洗装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI469213B (zh) Plasma processing device
KR100755874B1 (ko) 진공처리장치의 정전척, 그를 가지는 진공처리장치 및정전척의 제조방법
CN105097405B (zh) 等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造
KR100541867B1 (ko) 상압 플라즈마 발생용 전극 제조방법 및 전극구조와 이를이용한 상압 플라즈마 발생장치
JP4119547B2 (ja) プラズマ処理装置
JP7038497B2 (ja) 静電チャックの製造方法
CN1783431A (zh) 等离子体处理装置
WO2008102679A1 (ja) プラズマ処理装置
CN108649012A (zh) 新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置
TWI355217B (en) Plasma generating apparatus
CN108550547A (zh) 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置
US9011634B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN105586566B (zh) 一种反应腔室及半导体加工设备
CN208157387U (zh) 一种防止静电卡盘和基板受到损伤的基板处理装置
JP7034372B2 (ja) チャンバライナー
TWI458012B (zh) 基材處理設備
CN101384128A (zh) 用于处理衬底的下电极组件
TW201526152A (zh) 利用膜印刷技術形成靜電夾盤的方法
CN115172163A (zh) 等离子体蚀刻方法
CN1230044C (zh) 等离子体处理装置
TW201239981A (en) An in-line plasma processing system capable of controlling plasma bias on the substrate
JP4416892B2 (ja) マスク及び真空処理装置
JP3919942B2 (ja) 静電吸着装置及び真空処理装置
US8349642B2 (en) Method for treating a metal oxide layer
TWI280078B (en) Plasma treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20180918

WW01 Invention patent application withdrawn after publication