JP2016131210A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 表面に酸素含有膜が形成された基板に対して第１の原料と第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する工程と、
   前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する工程と、
   前記基板に対して第２の原料と第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記初期膜は、酸素を含む窒化膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２の窒化膜は、前記第１の窒化膜の厚さ以上の厚さとなるように形成される請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第２の窒化膜は、前記第１の窒化膜よりも、厚くなるように形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記初期膜を形成する工程では、前記基板に対して前記第１の原料を供給する工程と、前記基板に対して前記第１の窒化剤を供給する工程と、を非同時に行う第１のサイクルを第１の所定回数行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第２の窒化膜を形成する工程では、前記基板に対して第２の原料を供給する工程と、前記基板に対して前記第２の窒化剤を供給する工程と、を非同時に行う第２のサイクルを第２の所定回数行う請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第２の所定回数を、前記第１の所定回数よりも多くする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記初期膜の厚さを、０．８ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記初期膜の厚さを、１．０ｎｍ以上１．２ｎｍ以下とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記第２の窒化膜の表面をプラズマ窒化する工程をさらに有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記初期膜を形成する前に、前記酸素含有膜の表面をプラズマ窒化する工程をさらに有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記プラズマ窒化を行う際は、プラズマ励起させた前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤を前記基板に対して供給する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第１の原料は、前記第２の原料と、同一の分子構造を有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記第１の窒化剤は、前記第２の窒化剤と、同一の分子構造を有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
15. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室内の基板に対して第１の原料、第２の原料を供給する原料供給系と、
    前記処理室内の基板に対して第１の窒化剤、第２の窒化剤を供給する窒化剤供給系と、
    前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤をプラズマ励起させるプラズマ励起部と、
    前記処理室内に、表面に酸素含有膜が形成された基板を収容した状態で、前記基板に対して前記第１の原料と前記第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する処理と、プラズマ励起させた前記第１の窒化剤または前記第２の窒化剤を前記基板に対して供給し、前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する処理と、前記基板に対して前記第２の原料と前記第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する処理と、を行わせるように、前記原料供給系、前記窒化剤供給系、および前記プラズマ励起部を制御するよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
16. 基板処理装置の処理室内において、表面に酸素含有膜が形成された基板に対して第１の原料と第１の窒化剤とを供給して、前記酸素含有膜上に初期膜を形成する手順と、
    前記処理室内において、前記初期膜をプラズマ窒化することで、前記初期膜を第１の窒化膜へ改質する手順と、
    前記処理室内において、前記基板に対して第２の原料と第２の窒化剤とを供給して、前記第１の窒化膜上に第２の窒化膜を形成する手順と、
    をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。