JP5722450B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体 - Google Patents

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Description

この発明は、基板上に薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体に関するものである。
半導体装置（デバイス）の製造工程の中に、シリコンウエハ等のウエハ上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン絶縁膜を形成する工程がある。シリコン酸化膜は、絶縁性、低誘電性などに優れ、絶縁膜や層間膜として広く用いられている。また、シリコン窒化膜は、絶縁性、耐食性、誘電性、膜ストレス制御性などに優れ、絶縁膜やマスク膜、電荷蓄積膜、ストレス制御膜として広く用いられている。シリコン絶縁膜等の薄膜を形成する場合、シリコン原料として、例えば、クロロシラン系原料やアミノシラン系原料の何れかひとつを用いるのが一般的であった（例えば特許文献１参照）。
特開２００１−２３０２４８号公報
しかしながら、クロロシラン系原料等のクロロ基を含む原料やアミノシラン系原料等のアミノ基を含む原料の何れかひとつを用いて、特に低温領域において絶縁膜等の薄膜を形成する場合、シリコン密度の低い絶縁膜が形成される等、膜質の低下が見られていた。また、絶縁膜を形成する過程でシリコンを堆積させる際にＳｉＨ４やＳｉ２Ｈ６を用いる場合では、ウエハ温度や処理室内圧力の調整により薄膜制御が行われているが、層状の堆積は難しく、表面反応による堆積方法が期待されてきていた。なお、発明者らの実験によれば、クロロシラン系原料単体を用いる場合、５００℃以下では生産効率を満たす成膜レートでシリコンを堆積させることは困難であった。また、アミノシラン系原料単体を用いる場合、５００℃以下ではシリコンの堆積も確認されなかった。
従って本発明の目的は、クロロ基を含む原料やアミノ基を含む原料を用いて薄膜を形成する場合に、低温領域において良質な薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する第１原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する第２原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第１の原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２の原料ガスを供給する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成するように、前記第１原料ガス供給系、前記第２原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する手順と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明によれば、クロロ基を含む原料やアミノ基を含む原料を用いて薄膜を形成する場合に、低温領域において良質な薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体を提供できる。
本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。 本実施形態の第１シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、（ａ）はノンプラズマで成膜を行うシーケンス例を示しており、（ｂ）はプラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており、（ｃ）は図３（ａ）に示すシーケンスの変形例を示しており、（ｄ）は図３（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している。 （ａ）は本実施形態の第２シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第２シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 本実施形態の第３シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、（ａ）はノンプラズマで成膜を行うシーケンス例を示しており、（ｂ）はプラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており、（ｃ）は図５（ａ）に示すシーケンスの変形例を示しており、（ｄ）は図５（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している。 （ａ）は本実施形態の第４シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第４シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第５シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第５シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第６シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第６シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第７シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第７シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第８シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第８シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第９シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第９シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は本実施形態の第１０シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は本実施形態の第１０シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。 （ａ）は他の実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は図１３（ａ）に示すガス供給のタイミングの変形例を示す図である。 （ａ）は他の実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図であり、（ｂ）は図１４（ａ）に示すガス供給のタイミングの変形例を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施例２に係るＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図であり、（ｂ）は、本発明の実施例２に係るＣ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比の測定結果を示すグラフ図である。 （ａ）は、本発明の実施例３に係るＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図であり、（ｂ）は、本発明の実施例３に係るＣ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比の測定結果を示すグラフ図である。 本発明の実施例５に係るＸＲＦの測定結果を示すグラフ図である。 本発明の実施例６に係るＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図である。 本発明の実施例６に係るエッチングレートの測定結果を示すグラフ図である。 本発明の実施例６に係る比誘電率の測定結果を示すグラフ図である。 本発明の実施例７に係るＯ濃度、Ｃ濃度及びＮ濃度の測定結果を示すグラフ図である。 本実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示しており、図２は本実施形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図１のＡ−Ａ線断面図で示している。
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
処理室２０１内には、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄが反応管２０３の下部を貫通するように設けられている。第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄには、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第４ガス供給管２３２ｄが、それぞれ接続されている。また、第１ガス供給管２３２ａには、第５ガス供給管２３２ｉが接続されており、第４ガス供給管２３２ｄには、第６ガス供給管２３２ｊが接続されている。このように、反応管２０３には４本のノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄと、６本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄ、２３２ｉ、２３２ｊが設けられており、処理室２０１内へ複数種類、ここでは６種類のガスを供給することができるように構成されている。
なお、反応管２０３の下方に、反応管２０３を支持する金属製のマニホールドを設け、各ノズルを、この金属製のマニホールドの側壁を貫通するように設けるようにしてもよい。この場合、この金属製のマニホールドに、さらに後述する排気管２３１を設けるようにしてもよい。なお、この場合であっても、排気管２３１を金属製のマニホールドではなく、反応管２０３の下部に設けるようにしてもよい。このように、処理炉２０２の炉口部を金属製とし、この金属製の炉口部にノズル等を取り付けるようにしてもよい。
第１ガス供給管２３２ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａよりも下流側には、第５ガス供給管２３２ｉが接続されている。この第５ガス供給管２３２ｉには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｉ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｉが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａにおける第５ガス供給管２３２ｉとの接続箇所よりも下流側には、第１不活性ガス供給管２３２ｅが接続されている。この第１不活性ガス供給管２３２ｅには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｅ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｅが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの先端部には、上述の第１ノズル２４９ａが接続されている。第１ノズル２４９ａは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第１ノズル２４９ａは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第１ノズル２４９ａはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第１ノズル２４９ａの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ａが設けられている。ガス供給孔２５０ａは反応管２０３の中心を向くように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔２５０ａは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
主に、第１ガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａにより第１ガス供給系が構成される。また、主に、第５ガス供給管２３２ｉ、マスフローコントローラ２４１ｉ、バルブ２４３ｉ、第１ノズル２４９ａにより、第５ガス供給系が構成される。また、主に、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、マスフローコントローラ２４１ｅ、バルブ２４３ｅにより、第１不活性ガス供給系が構成される。
第２ガス供給管２３２ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｂが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３２ｆが接続されている。この第２不活性ガス供給管２３２ｆには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｆ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｆが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの先端部には、上述の第２ノズル２４９ｂが接続されている。第２ノズル２４９ｂは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第２ノズル２４９ｂは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第２ノズル２４９ｂはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第２ノズル２４９ｂの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｂが設けられている。ガス供給孔２５０ｂは反応管２０３の中心を向くように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔２５０ｂは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
主に、第２ガス供給管２３２ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、第２ノズル２４９ｂにより第２ガス供給系が構成される。また、主に、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、マスフローコントローラ２４１ｆ、バルブ２４３ｆにより第２不活性ガス供給系が構成される。
第３ガス供給管２３２ｃには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｃが設けられている。また、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃよりも下流側には、第３不活性ガス供給管２３２ｇが接続されている。この第３不活性ガス供給管２３２ｇには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｇ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｇが設けられている。また、第３ガス供給管２３２ｃの先端部には、上述の第３ノズル２４９ｃが接続されている。第３ノズル２４９ｃは、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第３ノズル２４９ｃは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第３ノズル２４９ｃはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第３ノズル２４９ｃの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｃが設けられている。ガス供給孔２５０ｃは反応管２０３の中心を向くように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔２５０ｃは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
主に、第３ガス供給管２３２ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第３ノズル２４９ｃにより第３ガス供給系が構成される。また、主に、第３不活性ガス供給管２３２ｇ、マスフローコントローラ２４１ｇ、バルブ２４３ｇにより第３不活性ガス供給系が構成される。
第４ガス供給管２３２ｄには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｄ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。また、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第６ガス供給管２３２ｊが接続されている。この第６ガス供給管２３２ｊには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｊ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｊが設けられている。また、第４ガス供給管２３２ｄにおける第６ガス供給管２３２ｊとの接続箇所よりも下流側には、第４不活性ガス供給管２３２ｈが接続されている。この第４不活性ガス供給管２３２ｈには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｈ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｈが設けられている。また、第４ガス供給管２３２ｄの先端部には上述の第４ノズル２４９ｄが接続されている。第４ノズル２４９ｄは、ガス分散空間であるバッファ室２３７内に設けられている。
バッファ室２３７は反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ２００の積載方向に沿って設けられている。すなわち、バッファ室２３７は、ウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。バッファ室２３７のウエハ２００と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔２５０ｅが設けられている。ガス供給孔２５０ｅは反応管２０３の中心を向くように開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔２５０ｅは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
第４ノズル２４９ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅが設けられた端部と反対側の端部に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第４ノズル２４９ｄは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。第４ノズル２４９ｄはＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部は反応管２０３の下部側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。第４ノズル２４９ｄの側面にはガスを供給するガス供給孔２５０ｄが設けられている。ガス供給孔２５０ｄはバッファ室２３７の中心を向くように開口している。このガス供給孔２５０ｄは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅと同様に、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積は、バッファ室２３７内と処理室２０１内の差圧が小さい場合には、上流側（下部）から下流側（上部）まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
本実施形態においては、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔２５０ｄのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔２５０ｄのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室２３７内に導入し、バッファ室２３７内においてガスの流速差の均一化を行うこととした。
すなわち、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスはバッファ室２３７内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅより処理室２０１内に噴出する。これにより、第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄのそれぞれよりバッファ室２３７内に噴出したガスは、バッファ室２３７のガス供給孔２５０ｅのそれぞれより処理室２０１内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。
主に、第４ガス供給管２３２ｄ、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７により第４ガス供給系が構成される。また、主に、第６ガス供給管２３２ｊ、マスフローコントローラ２４１ｊ、バルブ２４３ｊ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７により、第６ガス供給系が構成される。また、主に、第４不活性ガス供給管２３２ｈ、マスフローコントローラ２４１ｈ、バルブ２４３ｈにより第４不活性ガス供給系が構成される。
このように、本実施形態におけるガス供給の方法は、反応管２０３の内壁と、積載された複数枚のウエハ２００の端部とで定義される円弧状の縦長の空間内に配置したノズル２４９ａ，２４９ｂ，２４９ｃ，２４９ｄおよびバッファ室２３７を経由してガスを搬送し、ノズル２４９ａ，２４９ｂ，２４９ｃ，２４９ｄおよびバッファ室２３７にそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄ，２５０ｅからウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内にガスを噴出させており、反応管２０３内におけるガスの主たる流れをウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される薄膜の膜厚を均一にできる効果がある。なお、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れるが、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。
第１ガス供給管２３２ａからは、所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料として、例えば、少なくともシリコン（Ｓｉ）元素とクロロ基とを含む第１の原料ガスであるクロロシラン系原料ガスが、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２４９ａを介して処理室２０１内に供給される。ここで、クロロシラン系原料ガスとは、常温常圧下で液体状態であるクロロシラン系原料を気化することで得られるガスである。また、クロロシラン系原料とは、クロロ基を有するシラン系原料のことであり、少なくともシリコン（Ｓｉ）及び塩素（Ｃｌ）を含む原料のことである。なお、本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「液体原料を気化した原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。従って、本明細書において「クロロシラン系原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態であるクロロシラン系原料」を意味する場合、「クロロシラン系原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。クロロシラン系原料ガスとしては、例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用いることができる。ＨＣＤＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガス（ＨＣＤＳガス）として供給することとなる。
第２ガス供給管２３２ｂからは、所定元素およびアミノ基（アミン基）を含む第２の原料として、例えば、少なくともシリコン（Ｓｉ）元素とアミノ基とを含む第２の原料ガスであるアミノシラン系原料ガスが、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、第２ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内に供給される。ここで、アミノシラン系原料ガスとは、常温常圧下で液体状態であるアミノシラン系原料を気化することで得られるガスである。また、アミノシラン系原料とは、アミノ基を有するシラン系原料（メチル基やエチル基やブチル基等のアルキル基をも含有するシラン系原料でもある）のことであり、少なくともシリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む原料のことである。なお、本明細書において「アミノシラン系原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態であるアミノシラン系原料」を意味する場合、「アミノシラン系原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。アミノシラン系原料ガスとしては、例えばトリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガスを用いることができる。３ＤＭＡＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガス（３ＤＭＡＳガス）として供給することとなる。
第３ガス供給管２３２ｃからは、例えば、ボロン（Ｂ）すなわち硼素を含むガス（硼素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第３ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内に供給される。硼素含有ガスとしては、例えば三塩化硼素（ＢＣｌ３）ガスを用いることができる。
第４ガス供給管２３２ｄからは、例えば、窒素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）、すなわち、窒化ガスが、マスフローコントローラ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
第５ガス供給管２３２ｉからは、例えば、カーボン（Ｃ）すなわち炭素を含むガス（炭素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｉ、バルブ２４３ｉ、第１ガス供給管２３２ａ、第１ノズル２４９ａを介して処理室２０１内に供給される。炭素含有ガスとしては、例えばプロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガスを用いることができる。
第６ガス供給管２３２ｊからは、例えば、酸素（Ｏ）を含むガス（酸素含有ガス）、すなわち、酸化ガスが、マスフローコントローラ２４１ｊ、バルブ２４３ｊ、第４ガス供給管２３２ｄ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガスを用いることができる。
不活性ガス供給管２３２ｅ、２３２ｆ、２３２ｇ、２３２ｈからは、例えば窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれマスフローコントローラ２４１ｅ、２４１ｆ、２４１ｇ、２４１ｈ、バルブ２４３ｅ、２４３ｆ、２４３ｇ、２４３ｈ、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、２３２ｄ、ガスノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄおよびバッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給される。
なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第１ガス供給系により、所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料を供給する第１原料供給系、すなわち、第１原料ガス供給系（第１のシリコン原料ガス供給系）としてのクロロシラン系原料ガス供給系が構成される。また、第２ガス供給系により、所定元素およびアミノ基を含む第２の原料を供給する第２原料供給系、すなわち、第２原料ガス供給系（第２のシリコン原料ガス供給系）としてのアミノシラン系原料ガス供給系が構成される。また、第３ガス供給系により硼素含有ガス供給系が構成される。また、第４ガス供給系により窒素含有ガス供給系、すなわち、窒化ガス供給系が構成される。また、第５ガス供給系により炭素含有ガス供給系が構成される。また、第６ガス供給系により酸素含有ガス供給系、すなわち、酸化ガス供給系が構成される。
なお、クロロシラン系原料ガスとアミノシラン系原料ガスとを総称して原料ガスと称する場合、クロロシラン系原料ガス供給系とアミノシラン系原料ガス供給系とにより原料ガス供給系が構成される。なお、クロロシラン系原料ガス供給系、アミノシラン系原料ガス供給系、原料ガス供給系を、それぞれ、単に、クロロシラン系原料供給系、アミノシラン系原料供給系、原料供給系とも称する。また、硼素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガス、および、酸素含有ガスを総称して反応ガスと称する場合、硼素含有ガス供給系、窒素含有ガス供給系、炭素含有ガス供給系、および、酸素含有ガス供給系により反応ガス供給系が構成される。
バッファ室２３７内には、図２に示すように、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積層方向に沿って配設されている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、第４ノズル２４９ｄと平行に設けられている。第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管２７５により覆われることで保護されている。この第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０のいずれか一方は、整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は、基準電位であるアースに接続されている。整合器２７２を介して高周波電源２７３から第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電力を印加することで、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。主に、第１の棒状電極２６９、第２の棒状電極２７０、電極保護管２７５によりプラズマ発生器（プラズマ発生部）としてのプラズマ源が構成される。なお、整合器２７２、高周波電源２７３をプラズマ源に含めて考えてもよい。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。
電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７内の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部の酸素濃度が外気（大気）の酸素濃度と同程度であると、電極保護管２７５内にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０は、ヒータ２０７による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部を窒素ガスなどの不活性ガスで充填しておくか、電極保護管２７５の内部を不活性ガスパージ機構を用いて窒素ガスなどの不活性ガスでパージすることで、電極保護管２７５の内部の酸素濃度を低減させ、第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０の酸化を防止することができるように構成されている。
反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により排気系が構成される。なお、真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。排気系は、真空ポンプ２４６を作動させつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいてＡＰＣバルブ２４４の弁の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
反応管２０３の下方には、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は反応管２０３の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には反応管２０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述する基板保持具としてのボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。すなわち、ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成される。
基板支持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材２１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。
反応管２０３内には温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
図２２に示されているように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊ、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４３ｉ，２４３ｊ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、高周波電源２７３、整合器２７２等に接続されている。
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈ，２４３ｉ，２４３ｊの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作及び圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５の昇降動作等の制御や、高周波電源２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御等を制御するように構成されている。
なお、コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、係る外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ１２１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜するシーケンス例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
なお、本発明の実施形態では、形成する膜の組成比が化学量論組成、または、化学量論組成とは異なる所定の組成比となるようにすることを目的として、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスの供給条件を制御する。例えば、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。以下、形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ成膜を行うシーケンス例について説明する。
（第１シーケンス）
まず、本実施形態の第１シーケンスについて説明する。
図３は、本実施形態の第１シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、図３（ａ）は、プラズマを用いず（ノンプラズマで）成膜を行うシーケンス例を示しており、図３（ｂ）は、プラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており、図３（ｃ）は、図３（ａ）に示すシーケンスの変形例を示しており、図３（ｄ）は、図３（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している。
本実施形態の第１シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱またはプラズマで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン炭窒化層、または、シリコン窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜、または、シリコン窒化膜を形成する。
以下、本実施形態の第１シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図３のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）、または、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する例について説明する。
なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（又は膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（又は膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（又は膜）を形成する」ことを意味する場合がある。
なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「ウエハ」を「基板」に置き換えて考えればよい。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空ポンプ２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される（圧力調整）。なお、真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される（温度調整）。なお、ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構２６７によりボート２１７及びウエハ２００の回転を開始する（ウエハ回転）。なお、回転機構２６７によるボート２１７及びウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。その後、後述する３つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａ開き、第１ガス供給管２３２ａ内にＨＣＤＳガスを流す。第１ガス供給管２３２ａ内を流れたＨＣＤＳガスは、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。流量調整されたＨＣＤＳガスは第１ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｅを開き、不活性ガス供給管２３２ｅ内にＮ２ガス等の不活性ガスを流す。不活性ガス供給管２３２ｅ内を流れたＮ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｅにより流量調整される。流量調整されたＮ２ガスはＨＣＤＳガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７内へのＨＣＤＳガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈを開き、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、第３不活性ガス供給管２３２ｇ、第４不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第４ガス供給管２３２ｄ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１〜１３３００Ｐａ、好ましくは２０〜１３３０Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＨＣＤＳガスの供給流量は、例えば１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＨＣＤＳガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が、例えば２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ２００の温度が２５０℃未満となるとウエハ２００上にＨＣＤＳが化学吸着しにくくなり、実用的な成膜速度が得られなくなることがある。ウエハ２００の温度を２５０℃以上とすることで、これを解消することが可能となる。なお、ウエハ２００の温度を３５０℃以上とすることで、ウエハ２００上にＨＣＤＳをより十分に吸着させることが可能となり、より十分な成膜速度が得られるようになる。また、ウエハ２００の温度が７００℃を超えるとＣＶＤ反応が強くなる（気相反応が支配的になる）ことで、膜厚均一性が悪化しやすくなり、その制御が困難となってしまう。ウエハ２００の温度を７００℃以下とすることで、膜厚均一性の悪化を抑制でき、その制御が可能となる。特にウエハ２００の温度を６５０℃以下、さらには６００℃以下とすることで、表面反応が支配的になり、膜厚均一性を確保しやすくなり、その制御が容易となる。よって、ウエハ２００の温度は２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度とするのがよい。
上述の条件下でＨＣＤＳガスを処理室２０１内に供給することで、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さのシリコン含有層が形成される。シリコン含有層はＨＣＤＳガスの吸着層であってもよいし、シリコン層（Ｓｉ層）であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。ただし、シリコン含有層はシリコン（Ｓｉ）及び塩素（Ｃｌ）を含む層であることが好ましい。
ここでシリコン層とは、シリコン（Ｓｉ）により構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるシリコン薄膜をも含む総称である。なお、Ｓｉにより構成される連続的な層をシリコン薄膜という場合もある。なお、シリコン層を構成するＳｉは、Ｃｌとの結合が完全に切れていないものも含む。
また、ＨＣＤＳガスの吸着層は、ＨＣＤＳガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。すなわち、ＨＣＤＳガスの吸着層は、ＨＣＤＳ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の厚さの化学吸着層を含む。なお、ＨＣＤＳガスの吸着層を構成するＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）分子は、ＳｉとＣｌとの結合が一部切れたもの（ＳｉｘＣｌｙ分子）も含む。すなわち、ＨＣＤＳの吸着層は、Ｓｉ２Ｃｌ６分子および／またはＳｉｘＣｌｙ分子の連続的な化学吸着層や不連続な化学吸着層を含む。なお、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。また、１分子層未満の厚さの層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の厚さの層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。
ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＨＣＤＳの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ２００上にＳｉが堆積することでシリコン層が形成される。ＨＣＤＳガスが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＨＣＤＳの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ２００上にＨＣＤＳガスが吸着することでＨＣＤＳガスの吸着層が形成される。なお、ウエハ２００上にＨＣＤＳガスの吸着層を形成するよりも、ウエハ２００上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ、好ましい。
ウエハ２００上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ３での窒化（改質）の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ２００上に形成可能なシリコン含有層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、シリコン含有層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述するステップ３での窒化反応（改質反応）の作用を相対的に高めることができ、ステップ３の改質反応に要する時間を短縮することができる。ステップ１のシリコン含有層形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、シリコン含有層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。
ウエハ２００上にシリコン含有層が形成された後、第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈは開いたままとして、不活性ガスとしてのＮ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ２において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ２において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
クロロシラン系原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、テトラクロロシラン、すなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス等の無機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
［ステップ２］
ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを開き、第２ガス供給管２３２ｂ内に３ＤＭＡＳガスを流す。第２ガス供給管２３２ｂ内を流れた３ＤＭＡＳガスは、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整される。流量調整された３ＤＭＡＳガスは第２ノズル２４９ｂのガス供給孔２５０ｂから処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して３ＤＭＡＳガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｆを開き、不活性ガス供給管２３２ｆ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは３ＤＭＡＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第１ノズル２４９ａ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７内への３ＤＭＡＳガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｅ，２４３ｇ，２４３ｈを開き、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、第３不活性ガス供給管２３２ｇ、第４不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第１ガス供給管２３２ａ、第３ガス供給管２３２ｃ、第４ガス供給管２３２ｄ、第１ノズル２４９ａ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、ステップ１と同様、例えば１〜１３３００Ｐａ、好ましくは２０〜１３３０Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｂで制御する３ＤＭＡＳガスの供給流量は、例えば１〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｆ，２４１ｅ，２４１ｇ，２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。３ＤＭＡＳガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１と同様、ウエハ２００の温度が、例えば２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。
３ＤＭＡＳガスの供給により、ステップ１でウエハ２００上に形成されたシリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとが反応する。これによりシリコン含有層は、シリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む第１の層へと改質される。第１の層は、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さのＳｉ、Ｎ及びＣを含む層となる。なお、第１の層は、Ｓｉ成分の割合とＣ成分の割合が比較的多い層、すなわち、Ｓｉリッチであり、かつ、Ｃリッチな層となる。
ウエハ２００上に第１の層が形成された後、第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを閉じ、３ＤＭＡＳガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層形成に寄与した後の３ＤＭＡＳガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｆ，２４３ｅ，２４３ｇ，２４３ｈは開いたままとして、不活性ガスとしてのＮ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層形成に寄与した後の３ＤＭＡＳガスを処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ３において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ３において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
アミノシラン系原料ガスとしては、３ＤＭＡＳガスの他、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）３、略称：ＨＭＤＳ）ガス等の有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
［ステップ３］
ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄを開き、第４ガス供給管２３２ｄ内にＮＨ３ガスを流す。第４ガス供給管２３２ｄ内を流れたＮＨ３ガスは、マスフローコントローラ２４１ｄにより流量調整される。流量調整されたＮＨ３ガスは第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄからバッファ室２３７内に供給される。このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電力を印加しないことで、バッファ室２３７内に供給されたＮＨ３ガスは熱で活性化されて、ガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される（図３（ａ）参照）。また、このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加することで、バッファ室２３７内に供給されたＮＨ３ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される（図３（ｂ）参照）。このときウエハ２００に対して、熱またはプラズマで活性化されたＮＨ３ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｈを開き、不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＮＨ３ガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ内へのＮＨ３ガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇを開き、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、第３不活性ガス供給管２３２ｇ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
ＮＨ３ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。処理室２０１内の圧力をこのような比較的高い圧力帯とすることで、ＮＨ３ガスをノンプラズマで熱的に活性化させることが可能となる。なお、ＮＨ３ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。また、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＮＨ３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このときＮＨ３ガスを熱で活性化させて流すときは、処理室２０１内におけるＮＨ３ガスの分圧を、例えば０．０１〜２９７０Ｐａの範囲内の圧力とする。またＮＨ３ガスをプラズマで活性化させて流すときは、処理室２０１内におけるＮＨ３ガスの分圧を、例えば０．０１〜９９Ｐａの範囲内の圧力とする。熱で活性化させたＮＨ３ガス、または、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１〜２と同様、ウエハ２００の温度が、例えば２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。ＮＨ３ガスをプラズマ励起する場合に、高周波電源２７３から第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に印加する高周波電力は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力となるように設定する。
このとき処理室２０１内に流しているガスは、処理室２０１内圧力を高くすることで熱的に活性化されたＮＨ３ガス、もしくは、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスも流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された、もしくは、活性種となったＮＨ３ガスは、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は窒化されて、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）、または、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、図３（ａ）に示すように、ＮＨ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を熱窒化してＳｉＣＮ層へと改質（変化）させることができる。このとき、第１の層におけるＮ成分の割合を増加させつつ、第１の層をＳｉＣＮ層へと改質させることとなる。なおこのとき、ＮＨ３ガスによる熱窒化の作用により、第１の層におけるＳｉ−Ｎ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、第１の層におけるＣ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。すなわち、窒素濃度を増加させる方向に、また、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＣＮ層におけるＮ成分の割合、すなわち、窒素濃度を微調整することができ、ＳｉＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
また、図３（ｂ）に示すように、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内に流すことで、第１の層をプラズマ窒化してＳｉＮ層へと改質（変化）させることができる。このとき、第１の層におけるＮ成分の割合を増加させつつ、活性種のエネルギーにより、第１の層におけるＣ成分を脱離させることで、第１の層をＳｉＮ層へと改質させることができる。なおこのとき、ＮＨ３ガスによるプラズマ窒化の作用により、第１の層におけるＳｉ−Ｎ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、第１の層におけるＣ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。特にＣ成分は、その大部分が脱離することで不純物レベルにまで減少するか、実質的に消滅することとなる。すなわち、窒素濃度を増加させる方向に、また、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＮ層におけるＮ成分の割合、すなわち、窒素濃度を微調整することができ、ＳｉＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、第１の層の窒化反応は飽和させないようにするのが好ましい。例えばステップ１、２で１原子層または１原子層未満の厚さの第１の層を形成した場合は、その第１の層の一部を窒化させるようにするのが好ましい。この場合、１原子層または１原子層未満の厚さの第１の層の全体を窒化させないように、第１の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。
なお、第１の層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ３における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ３における処理条件を次の処理条件とすることで、第１の層の窒化反応を不飽和とすることが容易となる。
〔ＮＨ３ガスを熱で活性化させて流すとき〕
ウエハ温度：５００〜６５０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
ＮＨ３ガス分圧：３３〜２５１５Ｐａ
ＮＨ３ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量：３００〜３０００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス供給時間：６〜６０秒
〔ＮＨ３ガスをプラズマで活性化させて流すとき〕
ウエハ温度：５００〜６５０℃
処理室内圧力：３３〜８０Ｐａ
ＮＨ３ガス分圧：８〜７５Ｐａ
ＮＨ３ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量：３００〜３０００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス供給時間：６〜６０秒
ウエハ２００上に第２の層が形成された後、第４ガス供給管２３２ｄのバルブ２４３ｄを閉じ、ＮＨ３ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＮＨ３ガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｈ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＮＨ３ガスを処理室２０１内から排除する効果を高める。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ１において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ１において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
窒素含有ガスとしては、ＮＨ３ガスを熱やプラズマで励起したガス以外に、ジアゼン（Ｎ２Ｈ２）ガス、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、Ｎ３Ｈ８ガスや、エチルアミン、メチルアミン等のアミン系ガス等を熱やプラズマで励起したガスを用いてもよく、これらのガスをＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスで希釈したガスを熱やプラズマで励起して用いてもよい。
上述したステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）、または、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
ここで、上述のサイクルを繰り返す際の２サイクル目以降の各ステップにおいて、「ウエハ２００に対して所定のガスを供給する」と記載した部分は、「ウエハ２００上に形成されている層に対して、すなわち、積層体としてのウエハ２００の最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味し、「ウエハ２００上に所定の層を形成する」と記載した部分は、「ウエハ２００上に形成されている層の上、すなわち、積層体としてのウエハ２００の最表面の上に所定の層を形成する」ことを意味している。この点は、上述の通りである。また、この点は、後述する各変形例、各応用例、他の成膜シーケンス、他の実施形態においても同様である。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱またはプラズマで活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてＳｉＣＮ層、または、ＳｉＮ層を形成する工程（ステップ３）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図３（ｃ）、図３（ｄ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を成膜する例を示す。
なお、図３（ｃ）は、ステップ３において、ＮＨ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を熱窒化してＳｉＣＮ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＣＮ膜を形成する例である。また、図３（ｄ）は、ステップ３において、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内に流すことで、第１の層をプラズマ窒化してＳｉＣＮ層、または、ＳｉＮ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を形成する例である。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３において窒化することで、ＳｉＣＮ層、または、ＳｉＮ層の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
例えば、図３（ｃ）のようにステップ３において第１の層を熱窒化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、最終的に形成するＳｉＣＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。また、図３（ｄ）のようにステップ３において第１の層をプラズマ窒化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、最終的に形成するＳｉＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。さらに、図３（ｄ）のようにステップ３において第１の層をプラズマ窒化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分だけでなく炭素成分の絶対量をも増加させることができることから、ステップ３において第１の層をＳｉＮ層へと改質（変化）させるのではなく、ＳｉＣＮ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＣＮ膜を形成することもできるようになる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３において窒化することで、ＳｉＣＮ層、または、ＳｉＮ層の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を形成する成膜処理がなされると、Ｎ２等の不活性ガスが処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気されることで、処理室２０１内が不活性ガスでパージされる（ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、反応管２０３の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に支持された状態で反応管２０３の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
（第２シーケンス）
次に、本実施形態の第２シーケンスについて説明する。
図４（ａ）は、本実施形態の第２シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図４（ｂ）は、本実施形態の第２シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第２シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜を形成する。
以下、本実施形態の第２シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ６ガスを用い、図４のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する３つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第５ガス供給管２３２ｉのバルブ２４３ｉを開き、第５ガス供給管２３２ｉ内にＣ３Ｈ６ガスを流す。第５ガス供給管２３２ｉ内を流れたＣ３Ｈ６ガスは、マスフローコントローラ２４１ｉにより流量調整される。流量調整されたＣ３Ｈ６ガスは第１ノズル２４９ａのガス供給孔２５０ａから処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して、熱で活性化されたＣ３Ｈ６ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｅを開き、不活性ガス供給管２３２ｅ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＣ３Ｈ６ガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７内へのＣ３Ｈ６ガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈを開き、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、第３不活性ガス供給管２３２ｇ、第４不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第４ガス供給管２３２ｄ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｉで制御するＣ３Ｈ６ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このとき処理室２０１内におけるＣ３Ｈ６ガスの分圧は、例えば、０.０１〜２９７０Ｐａの範囲内の圧力とする。熱で活性化させたＣ３Ｈ６ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１〜２と同様、ウエハ２００の温度が２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、Ｃ３Ｈ６ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する炭素含有層の形成が容易となる。
このとき処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＣ３Ｈ６ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスも流していない。したがって、Ｃ３Ｈ６ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された状態でウエハ２００に対して供給され、このとき、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の上に１原子層未満の厚さの炭素含有層、すなわち不連続な炭素含有層が形成される。炭素含有層は、炭素層（Ｃ層）であってもよいし、Ｃ３Ｈ６の化学吸着層、すなわち、Ｃ３Ｈ６が分解した物質（ＣｘＨｙ）の化学吸着層であってもよい。なお、条件によっては第１の層の一部とＣ３Ｈ６ガスとが反応して、第１の層が炭化される。このようにして、第１の層が改質され、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を含む第２の層が形成される。
なお、Ｃ３Ｈ６ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を改質させる際、第１の層におけるＣ成分の割合を増加させつつ、第１の層をＳｉＣＮ層へと改質させることとなる。すなわち、炭素濃度を増加させる方向に組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＣＮ層におけるＣ成分の割合、すなわち、炭素濃度を微調整することができ、ＳｉＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
ウエハ２００上に第２の層が形成された後、第５ガス供給管２３２ｉのバルブ２４３ｉを閉じ、Ｃ３Ｈ６ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＣ３Ｈ６ガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇ，２４３ｈは開いたままとして、不活性ガスとしてのＮ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＣ３Ｈ６ガスを処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ１において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ１において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
炭素含有ガスとしては、Ｃ３Ｈ６ガス以外に、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスやアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガス等を用いてもよい。
上述したステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図４（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６ガス）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてＳｉＣＮ層を形成する工程（ステップ３）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図４（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３において改質することで、ＳｉＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３において改質することで、ＳｉＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第３シーケンス）
次に、本実施形態の第３シーケンスについて説明する。
図５は、本実施形態の第３シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、図５（ａ）は、プラズマを用いず（ノンプラズマで）成膜を行うシーケンス例を示しており、図５（ｂ）は、プラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており、図５（ｃ）は、図５（ａ）に示すシーケンスの変形例を示しており、図５（ｄ）は、図５（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している。
本実施形態の第３シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱またはプラズマで活性化させた酸素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン酸炭窒化層、シリコン酸炭化層、または、シリコン酸化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜、シリコン酸炭化膜、または、シリコン酸化膜を形成する。
以下、本実施形態の第３シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用い、図５のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、または、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する３つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第６ガス供給管２３２ｊのバルブ２４３ｊを開き、第６ガス供給管２３２ｊ内にＯ２ガスを流す。第６ガス供給管２３２ｊ内を流れたＯ２ガスは、マスフローコントローラ２４１ｊにより流量調整される。流量調整されたＯ２ガスは第４ノズル２４９ｄのガス供給孔２５０ｄからバッファ室２３７内に供給される。このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電力を印加しないことで、バッファ室２３７内に供給されたＯ２ガスは熱で活性化されて、ガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される（図５（ａ）参照）。また、このとき、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加することで、バッファ室２３７内に供給されたＯ２ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔２５０ｅから処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される（図５（ｂ）参照）。このときウエハ２００に対して、熱またはプラズマで活性化されたＯ２ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｈを開き、不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＯ２ガスと一緒に処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃ内へのＯ２ガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇを開き、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、第３不活性ガス供給管２３２ｇ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第３ガス供給管２３２ｃ、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第３ノズル２４９ｃを介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
Ｏ２ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。処理室２０１内の圧力をこのような比較的高い圧力帯とすることで、Ｏ２ガスをノンプラズマで熱的に活性化させることが可能となる。なお、Ｏ２ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する酸化をソフトに行うことができる。また、Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を、例えば１〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｄで制御するＯ２ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｈ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このときＯ２ガスを熱で活性化させて流すときは、処理室２０１内におけるＯ２ガスの分圧を、例えば０.０１〜２９７０Ｐａの範囲内の圧力とする。また、Ｏ２ガスをプラズマで活性化させて流すときは、処理室２０１内におけるＯ２ガスの分圧を、例えば０．０１〜９９Ｐａの範囲内の圧力とする。熱で活性化させたＯ２ガス、または、Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１〜２と同様、ウエハ２００の温度が、例えば２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。Ｏ２ガスをプラズマ励起する場合に、高周波電源２７３から第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に印加する高周波電力は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力となるように設定する。
このとき処理室２０１内に流しているガスは、処理室２０１内圧力を高くすることで熱的に活性化されたＯ２ガス、もしくは、Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスも流していない。したがって、Ｏ２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された、もしくは、活性種となったＯ２ガスは、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は酸化されて、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）、シリコン酸炭化層（ＳｉＯＣ層）、または、シリコン酸化層（ＳｉＯ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、図５（ａ）に示すように、Ｏ２ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を熱酸化してＳｉＯＣＮ層またはＳｉＯＣ層へと改質（変化）させることができる。このとき、第１の層にＯ成分を付加しつつ、第１の層をＳｉＯＣＮ層またはＳｉＯＣ層へと改質させることとなる。なおこのとき、Ｏ２ガスによる熱酸化の作用により、第１の層におけるＳｉ−Ｏ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、第１の層におけるＮ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。そしてこのとき、熱酸化時間を延ばしたり、Ｏ２ガスによる熱酸化の酸化力を高めたりすることで、Ｎ成分の大部分を脱離させてＮ成分を不純物レベルにまで減少させるか、Ｎ成分を実質的に消滅させることが可能となる。すなわち、酸素濃度を増加させる方向に、また、窒素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＯＣＮ層またはＳｉＯＣ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯＣＮ層におけるＯ成分の割合、すなわち、酸素濃度を微調整することができ、ＳｉＯＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
また、図５（ｂ）に示すように、Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内に流すことで、第１の層をプラズマ酸化してＳｉＯＣ層またはＳｉＯ層へと改質（変化）させることができる。このとき、第１の層にＯ成分を付加しつつ、活性種のエネルギーにより第１の層におけるＣ成分とＮ成分との両成分を脱離させることで、第１の層をＳｉＯ層へと改質させることができる。なおこのとき、Ｏ２ガスによるプラズマ酸化の作用により、第１の層におけるＳｉ−Ｏ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、第１の層におけるＮ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。特にＮ成分およびＣ成分は、その大部分が脱離することで不純物レベルにまで減少するか、実質的に消滅することとなる。すなわち、酸素濃度を増加させる方向に、また、窒素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＯ層へと改質させることができる。また、このとき、第１の層にＯ成分を付加しつつ、活性種のエネルギーにより第１の層におけるＮ成分を脱離させＣ成分の一部を脱離させずに残すことで、第１の層をＳｉＯＣ層へと改質させることができる。なおこのとき、Ｏ２ガスによるプラズマ酸化の作用により、第１の層におけるＳｉ−Ｏ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、第１の層におけるＮ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。特にＮ成分は、その大部分が脱離することで不純物レベルにまで減少するか、実質的に消滅することとなる。すなわち、酸素濃度を増加させる方向に、また、窒素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＯＣ層へと改質させることができる。
なお、ステップ１、２により形成された第１の層におけるＣ成分はＮ成分に比べてリッチな状態にあることが判明している。例えば、ある実験では、炭素濃度が窒素濃度の２倍程度以上となることもあった。すなわち、活性種のエネルギーにより、第１の層におけるＣ成分とＮ成分とを脱離させる際、Ｎ成分の大部分が脱離し終わった段階においても、第１の層にはＣ成分が残ることとなり、この状態で酸化を止めることで、第１の層はＳｉＯＣ層へと改質されることとなる。また、Ｎ成分の大部分が脱離し終わった後においても、酸化を継続し、Ｃ成分の大部分が脱離し終わった段階において酸化を止めることで、第１の層はＳｉＯ層へと改質されることとなる。つまり、ガス供給時間（酸化処理時間）を制御することにより、Ｃ成分の割合、すなわち、炭素濃度を制御することができ、ＳｉＯ層またはＳｉＯＣ層のうちの何れかの層を、組成比を制御しつつ形成することができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯ層またはＳｉＯＣ層におけるＯ成分の割合、すなわち、酸素濃度を微調整することができ、ＳｉＯ層またはＳｉＯＣ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、第１の層の酸化反応は飽和させないようにするのが好ましい。例えばステップ１、２で１原子層または１原子層未満の厚さの第１の層を形成した場合は、その第１の層の一部を酸化させるようにするのが好ましい。この場合、１原子層または１原子層未満の厚さの第１の層の全体を酸化させないように、第１の層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。
なお、第１の層の酸化反応を不飽和とするには、ステップ３における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ３における処理条件を次の処理条件とすることで、第１の層の酸化反応を不飽和とすることが容易となる。
〔Ｏ２ガスを熱で活性化させて流すとき〕
ウエハ温度：５００〜６５０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
Ｏ２ガス分圧：３３〜２５１５Ｐａ
Ｏ２ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量：３００〜３０００ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス供給時間：６〜６０秒
〔Ｏ２ガスをプラズマで活性化させて流すとき〕
ウエハ温度：５００〜６５０℃
処理室内圧力：３３〜８０Ｐａ
Ｏ２ガス分圧：８〜７５Ｐａ
Ｏ２ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量：３００〜３０００ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス供給時間：６〜６０秒
ウエハ２００上に第２の層が形成された後、第６ガス供給管２３２ｊのバルブ２４３ｊを閉じ、Ｏ２ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＯ２ガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｈ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｇは開いたままとして、不活性ガスとしてのＮ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＯ２ガスを処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ１において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ１において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
酸素含有ガスとしては、Ｏ２ガスを熱やプラズマで励起したガス以外に、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、水素（Ｈ２）ガス＋酸素（Ｏ２）ガス、Ｈ２ガス＋Ｏ３ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏ）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス等を熱やプラズマで励起したガスを用いてもよく、これらのガスをＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスで希釈したガスを熱やプラズマで励起して用いてもよい。
上述したステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、または、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱またはプラズマで活性化させた酸素含有ガス（Ｏ２ガス）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてＳｉＯＣＮ層、ＳｉＯＣ層、または、ＳｉＯ層を形成する工程（ステップ３）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図５（ｃ）、図５（ｄ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を成膜する例を示す。
なお、図５（ｃ）は、ステップ３において、Ｏ２ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を熱酸化してＳｉＯＣＮ層、または、ＳｉＯＣ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＯＣＮ膜またはＳｉＯＣ膜を形成する例である。また、図５（ｄ）は、ステップ３において、Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内に流すことで、第１の層をプラズマ酸化してＳｉＯＣＮ層、ＳｉＯＣ層またはＳｉＯ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を形成する例である。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３において酸化することで、ＳｉＯＣＮ層、ＳｉＯＣ層、または、ＳｉＯ層の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
例えば、図５（ｃ）のようにステップ３において第１の層を熱酸化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜、または、ＳｉＯＣ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。また、図５（ｄ）のようにステップ３において第１の層をプラズマ酸化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、最終的に形成するＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の酸素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。さらに、図５（ｄ）のようにステップ３において第１の層をプラズマ酸化する場合、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分や炭素成分だけでなく窒素成分の絶対量をも増加させることができることから、ステップ３において第１の層をＳｉＯＣ層、または、ＳｉＯ層へと改質（変化）させるのではなく、ＳｉＯＣＮ層へと改質（変化）させ、最終的にＳｉＯＣＮ膜を形成することもできるようになる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３において酸化することで、ＳｉＯＣＮ層、ＳｉＯＣ層またはＳｉＯ層の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＯＣＮ層、ＳｉＯＣ層、または、ＳｉＯ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、または、ＳｉＯ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第４シーケンス）
次に、本実施形態の第４シーケンスについて説明する。
図６（ａ）は、本実施形態の第４シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図６（ｂ）は、本実施形態の第４シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第４シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン硼炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜を形成する。
以下、本実施形態の第４シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、硼素含有ガスとしてＢＣｌ３ガスを用い、図６のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する３つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃを開き、第３ガス供給管２３２ｃ内にＢＣｌ３ガスを流す。第３ガス供給管２３２ｃ内を流れたＢＣｌ３ガスは、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整される。流量調整されたＢＣｌ３ガスは第３ノズル２４９ｃのガス供給孔２５０ｃから処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このときウエハ２００に対して、熱で活性化されたＢＣｌ３ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｇを開き、不活性ガス供給管２３２ｇ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスはＢＣｌ３ガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
なお、このとき、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７内へのＢＣｌ３ガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｈを開き、第１不活性ガス供給管２３２ｅ、第２不活性ガス供給管２３２ｆ、第４不活性ガス供給管２３２ｈ内にＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第４ガス供給管２３２ｄ、、第１ノズル２４９ａ、第２ノズル２４９ｂ、第４ノズル２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される。
このとき、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ２４１ｃで制御するＢＣｌ３ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ２４１ｇ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｈで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このとき処理室２０１内におけるのＢＣｌ３ガスの分圧は、例えば、０.０１〜２９７０Ｐａの範囲内の圧力とする。熱で活性化させたＢＣｌ３ガスをウエハ２００に対して供給する時間、すなわちガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１２０秒、好ましくは１〜６０秒の範囲内の時間とする。このときのヒータ２０７の温度は、ステップ１〜２と同様、ウエハ２００の温度が２５０〜７００℃、好ましくは３５０〜６５０℃、より好ましくは３５０〜６００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ＢＣｌ３ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する硼素含有層の形成が容易となる。
このとき処理室２０１内に流しているガスは熱的に活性化されたＢＣｌ３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスも流していない。したがって、ＢＣｌ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された状態でウエハ２００に対して供給され、このとき、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の上に１原子層未満の厚さの硼素含有層、すなわち不連続な硼素含有層が形成される。硼素含有層は、硼素層（Ｂ層）であってもよいし、ＢＣｌ３の化学吸着層、すなわち、ＢＣｌ３が分解した物質（ＢｘＣｌｙ）の化学吸着層であってもよい。なお、条件によっては第１の層の一部とＢＣｌ３ガスとが反応して、第１の層が硼化される。このようにして、第１の層が改質され、シリコン硼炭窒化層（ＳｉＢＣＮ層）を含む第２の層が形成される。
なお、ＢＣｌ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層を改質させる際、第１の層にＢ成分を付加しつつ、第１の層をＳｉＢＣＮ層へと改質させることとなる。すなわち、硼素濃度を増加させる方向に組成比を変化させつつ第１の層をＳｉＢＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＢＣＮ層におけるＢ成分の割合、すなわち、硼素濃度を微調整することができ、ＳｉＢＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
ウエハ２００上に第２の層が形成された後、第３ガス供給管２３２ｃのバルブ２４３ｃを閉じ、ＢＣｌ３ガスの供給を停止する。このとき、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４４は開いたままとして、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＢＣｌ３ガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４３ｇ，２４３ｅ，２４３ｆ，２４３ｈは開いたままとして、Ｎ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層形成に寄与した後のＢＣｌ３ガスを処理室２０１内から排除する効果を更に高めることができる。
なお、このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ１において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管２０３（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、ステップ１において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
硼素含有ガスとしては、ＢＣｌ３ガス以外に、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスや、トリメチルボラジン等のボラジン化合物を含むガス（ボラジン系ガス）等を用いてもよい。
上述したステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図６（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガス（ＢＣｌ３ガス）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてＳｉＢＣＮ層を形成する工程（ステップ３）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図６（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＢＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＢＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＢＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第５シーケンス）
次に、本実施形態の第５シーケンスについて説明する。
図７（ａ）は、本実施形態の第５シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図７（ｂ）は、本実施形態の第５シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第５シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質してシリコン炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第５シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ６ガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図７のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第２シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第２シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。
なお、ステップ３においては、処理室２０１内へのＣ３Ｈ６ガスの供給により、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の上に、Ｃ３Ｈ６の化学吸着層、すなわちＣ３Ｈ６が分解した物質（ＣｘＨｙ）の化学吸着層を形成するのが好ましい。ここで、ＣｘＨｙの化学吸着層はＣｘＨｙ分子の不連続な化学吸着層とする必要がある。なお、第１の層の上に形成するＣｘＨｙの化学吸着層を連続的な層とした場合、例えばＣｘＨｙの第１の層上への吸着状態を飽和状態として、第１の層上にＣｘＨｙの連続的な化学吸着層を形成した場合、第１の層の表面が全体的にＣｘＨｙの化学吸着層により覆われることとなる。この場合、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の表面にシリコンが存在しなくなり、この層の、後述するステップ４での窒化が困難となる。窒素はシリコンとは結合するが、炭素とは結合しないからである。後述するステップ４で所望の窒化反応を生じさせるためには、ＣｘＨｙの第１の層上への吸着状態を不飽和状態として、この層の表面にシリコンが露出した状態とする必要がある。
なお、ＣｘＨｙの第１の層上への吸着状態を不飽和状態とするには、ステップ３における処理条件を、第２シーケンスのステップ３における処理条件と同様な処理条件とすればよいが、さらにステップ３における処理条件を次の処理条件とすることで、ＣｘＨｙの第１の層上への吸着状態を不飽和状態とすることが容易となる。
ウエハ温度：５００〜６５０℃
処理室内圧力：１３３〜２６６６Ｐａ
Ｃ３Ｈ６ガス分圧：３３〜２５１５Ｐａ
Ｃ３Ｈ６ガス供給流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス供給流量：３００〜３０００ｓｃｃｍ
Ｃ３Ｈ６ガス供給時間：６〜６０秒
なお、Ｃ３Ｈ６ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで第１の層の上にＣｘＨｙを化学吸着させる際、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した分だけその層全体でのＣ成分の割合が増加することとなる。すなわち、炭素濃度を増加させる方向に組成比を変化させることができることとなる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層におけるＣ成分の割合、すなわち、炭素濃度を制御（微調整）することができ、ステップ４で形成されるＳｉＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
［ステップ４］
ステップ４は第１シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。
なお、ステップ４においては、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて処理室２０１内に供給する。このとき処理室２０１内に流しているガスは、熱的に活性化されたＮＨ３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスもＣ３Ｈ６ガスも流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＮＨ３ガスは、ステップ３でウエハ２００上に形成された、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の少なくとも一部と反応する。これにより、この層は窒化されて、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、ＮＨ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層を熱窒化してＳｉＣＮ層へと改質させる際、この層におけるＮ成分の割合を増加させつつ、この層をＳｉＣＮ層へと改質させることとなる。なおこのとき、ＮＨ３ガスによる熱窒化の作用により、この層におけるＳｉ−Ｎ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、この層におけるＣ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。すなわち、窒素濃度を増加させる方向に、また、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつ第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層をＳｉＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＣＮ層におけるＮ成分の割合、すなわち、窒素濃度を微調整することができ、ＳｉＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の窒化反応は飽和させないようにするのが好ましい。すなわち、その層の一部を窒化させるようにするのが好ましい。この場合、その層の全体を窒化させないように、その層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ４における処理条件を、第１シーケンスのステップ３における処理条件と同様な処理条件とすればよい。
上述したステップ１〜４を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図７（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させる工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質して、第２の層としてＳｉＣＮ層を形成する工程（ステップ４）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図７（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第６シーケンス）
次に、本実施形態の第６シーケンスについて説明する。
図８（ａ）は、本実施形態の第６シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図８（ｂ）は、本実施形態の第６シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第６シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン酸炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質してシリコン酸炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第６シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ６ガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用い、図８のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第５シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層、炭素濃度の制御方法等は、第５シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＣ３Ｈ６ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙを化学吸着させる。
［ステップ４］
ステップ４は第３シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ４での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第３シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。
なお、ステップ４においては、Ｏ２ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて処理室２０１内に供給する。このとき、処理室２０１内に流しているガスは、熱的に活性化されたＯ２ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスもＣ３Ｈ６ガスも流していない。したがって、Ｏ２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＯ２ガスは、ステップ３でウエハ２００上に形成された、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の少なくとも一部と反応する。これにより、この層は酸化されて、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、Ｏ２ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層を熱酸化してＳｉＯＣＮ層へと改質させる際、この層にＯ成分を付加しつつ、この層をＳｉＯＣＮ層へと改質させることとなる。なおこのとき、Ｏ２ガスによる熱酸化の作用により、この層におけるＳｉ−Ｏ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、この層におけるＮ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。すなわち、酸素濃度を増加させる方向に、また、窒素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつ第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層をＳｉＯＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯＣＮ層におけるＯ成分の割合、すなわち、酸素濃度を微調整することができ、ＳｉＯＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の酸化反応は飽和させないようにするのが好ましい。すなわち、その層の一部を酸化させるようにするのが好ましい。この場合、その層の全体を酸化させないように、その層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。なお、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の酸化反応を不飽和とするには、ステップ４における処理条件を、第３シーケンスのステップ３における処理条件と同様な処理条件とすればよい。
上述したステップ１〜４を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図８（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させる工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガス（Ｏ２ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質して、第２の層としてＳｉＯＣＮ層を形成する工程（ステップ４）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図８（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＯＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＯＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＯＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第７シーケンス）
次に、本実施形態の第７シーケンスについて説明する。
図９（ａ）は、本実施形態の第７シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図９（ｂ）は、本実施形態の第７シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第７シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン硼炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、第１の層の上に硼素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に硼素含有ガスが化学吸着した層を改質してシリコン硼炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第７シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、硼素含有ガスとしてＢＣｌ３ガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図９のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第４シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第４シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。
なお、ステップ３においては、処理室２０１内へのＢＣｌ３ガスの供給により、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の上に、ＢＣｌ３の化学吸着層、すなわち、ＢＣｌ３が分解した物質（ＢｘＣｌｙ）の化学吸着層を形成するのが好ましい。ここで、硼素はシリコンとは結合するが、炭素とは結合しないので、ＢｘＣｌｙの化学吸着層はＢｘＣｌｙ分子の不連続な化学吸着層となる。
なお、ＢＣｌ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで第１の層の上にＢｘＣｌｙを化学吸着させる際、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した分だけＢ成分が付加されることとなる。すなわち、硼素濃度を増加させる方向に組成比を変化させることができることとなる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層におけるＢ成分の割合、すなわち、硼素濃度を制御（微調整）することができ、ステップ４で形成されるＳｉＢＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
［ステップ４］
ステップ４は第５シーケンスのステップ４と同様に行う。すなわち、ステップ４での処理条件等は、第５シーケンスにおけるステップ４でのそれらと同様である。ただし、ステップ４は、第５シーケンスのステップ４とは、生じさせる反応、形成する層等が若干異なる。
ステップ４においては、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて処理室２０１内に供給する。このとき処理室２０１内に流しているガスは、熱的に活性化されたＮＨ３ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスもＢＣｌ３ガスも流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＮＨ３ガスは、ステップ３でウエハ２００上に形成された、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層の少なくとも一部と反応する。これにより、この層は窒化されて、シリコン硼炭窒化層（ＳｉＢＣＮ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、ＮＨ３ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層を熱窒化してＳｉＢＣＮ層へと改質させる際、この層におけるＮ成分の割合を増加させつつ、この層をＳｉＢＣＮ層へと改質させることとなる。なおこのとき、ＮＨ３ガスによる熱窒化の作用により、この層におけるＳｉ−Ｎ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｂ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、この層におけるＢ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。すなわち、窒素濃度を増加させる方向に、また、硼素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつ第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層をＳｉＢＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＢＣＮ層におけるＮ成分の割合、すなわち、窒素濃度を微調整することができ、ＳｉＢＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層の窒化反応は飽和させないようにするのが好ましい。すなわち、その層の一部を窒化させるようにするのが好ましい。この場合、その層の全体を窒化させないように、その層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、第１の層の上にＢｘＣｌｙが化学吸着した層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ４における処理条件を、第５シーケンスのステップ４（第１シーケンスのステップ３）における処理条件と同様な処理条件とすればよい。
上述したステップ１〜４を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図９（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガス（ＢＣｌ３ガス）を供給することで、第１の層の上に硼素含有ガスを化学吸着させる工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層の上に硼素含有ガスが化学吸着した層を改質して、第２の層としてＳｉＢＣＮ層を形成する工程（ステップ４）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図９（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＢＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＢＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＢＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第８シーケンス）
次に、本実施形態の第８シーケンスについて説明する。
図１０（ａ）は、本実施形態の第８シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図１０（ｂ）は、本実施形態の第８シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第８シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガ
スを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン酸炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質してシリコン炭窒化層を形成し、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、シリコン炭窒化層を改質してシリコン酸炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第８シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用い、図１０のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第１シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層、窒素濃度の制御方法等は、第１シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。なお、このステップでは、ＮＨ３ガスを、プラズマ励起することなく熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、第１の層をＳｉＣＮ層へと改質させる。
［ステップ４］
ステップ４は第６シーケンスのステップ４と同様に行う。すなわち、ステップ４での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第６シーケンスにおけるステップ４でのそれらと同様である。
なお、ステップ４においては、Ｏ２ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて処理室２０１内に供給する。このとき、処理室２０１内に流しているガスは、熱的に活性化されたＯ２ガスであり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスもＮＨ３ガスも流していない。したがって、Ｏ２ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたＯ２ガスは、ステップ３でウエハ２００上に形成された、ＳｉＣＮ層の少なくとも一部と反応する。これにより、ＳｉＣＮ層は酸化されて、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）を含む第２の層へと改質される。
なお、Ｏ２ガスを熱で活性化させて処理室２０１内に流すことで、ＳｉＣＮ層を熱酸化してＳｉＯＣＮ層へと改質させる際、ＳｉＣＮ層にＯ成分を付加しつつ、ＳｉＣＮ層をＳｉＯＣＮ層へと改質させることとなる。なおこのとき、Ｏ２ガスによる熱酸化の作用により、ＳｉＣＮ層におけるＳｉ−Ｏ結合が増加する一方、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合は減少し、ＳｉＣＮ層におけるＮ成分の割合、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合は減少することとなる。すなわち、酸素濃度を増加させる方向に、また、窒素濃度、炭素濃度およびシリコン濃度を減少させる方向に組成比を変化させつつＳｉＣＮ層をＳｉＯＣＮ層へと改質させることができる。さらに、このとき処理室２０１内の圧力やガス供給時間等の処理条件を制御することで、ＳｉＯＣＮ層におけるＯ成分の割合、すなわち、酸素濃度を微調整することができ、ＳｉＯＣＮ層の組成比をより厳密に制御することができる。
なお、このとき、ＳｉＣＮ層の酸化反応は飽和させないようにするのが好ましい。すなわち、ＳｉＣＮ層の一部を酸化させるようにするのが好ましい。この場合、ＳｉＣＮ層の全体を酸化させないように、ＳｉＣＮ層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。なお、ＳｉＣＮ層の酸化反応を不飽和とするには、ステップ４における処理条件を、第６シーケンスのステップ４（第３シーケンスのステップ３）における処理条件とすればよい。
上述したステップ１〜４を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図１０（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層を改質してＳｉＣＮ層を形成する工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガス（Ｏ２ガス）を供給することで、ＳｉＣＮ層を改質して、第２の層としてＳｉＯＣＮ層を形成する工程（ステップ４）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図１０（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＯＣＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＯＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３およびステップ４において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＯＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＯＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第９シーケンス）
次に、本実施形態の第９シーケンスについて説明する。
図１１（ａ）は、本実施形態の第９シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図１１（ｂ）は、本実施形態の第９シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第９シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン酸炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質してシリコン炭窒化層を形成し、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、シリコン炭窒化層を改質してシリコン酸炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第９シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ６ガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用い、図１１のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第５シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層、炭素濃度の制御方法等は、第５シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＣ３Ｈ６ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙを化学吸着させる。
［ステップ４］
ステップ４は第５シーケンスのステップ４と同様に行う。すなわち、ステップ４での処理条件、生じさせる反応、形成する層、窒素濃度の制御方法等は、第５シーケンスにおけるステップ４でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＮＨ３ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層をＳｉＣＮ層へと改質させる。
［ステップ５］
ステップ５は第８シーケンスのステップ４と同様に行う。すなわち、ステップ５での処理条件、生じさせる反応、形成する層、酸素濃度の制御方法等は、第８シーケンスにおけるステップ４でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＯ２ガスの供給により、ＳｉＣＮ層を改質してＳｉＯＣＮ層を含む第２の層を形成する。
上述したステップ１〜５を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図１１（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とステップ５とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、ステップ５を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させる工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質して、ＳｉＣＮ層を形成する工程（ステップ４）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガス（Ｏ２ガス）を供給することで、ＳｉＣＮ層を改質して、第２の層としてＳｉＯＣＮ層を形成する工程（ステップ５）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図１１（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４、ステップ５を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、ステップ５を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＯＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３、ステップ４およびステップ５において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３、ステップ４およびステップ５において改質することで、ＳｉＯＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＯＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合や、酸素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＯＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＯＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
（第１０シーケンス）
次に、本実施形態の第１０シーケンスについて説明する。
図１２（ａ）は、本実施形態の第１０シーケンスにおけるガス供給のタイミングを示す図であり、図１２（ｂ）は、本実施形態の第１０シーケンスの変形例におけるガス供給のタイミングを示す図である。
本実施形態の第１０シーケンスでは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン硼炭窒化層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜を形成する。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層の上に硼素含有ガスを更に化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスと硼素含有ガスとが化学吸着した層を改質してシリコン硼炭窒化層を形成する。
以下、本実施形態の第１０シーケンスを具体的に説明する。ここでは、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、炭素含有ガスとしてＣ３Ｈ６ガスを、硼素含有ガスとしてＢＣｌ３ガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図１２のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する例について説明する。
ウエハチャージ、ボートロード、圧力調整、温度調整、ウエハ回転までは、第１シーケンスと同様に行う。その後、後述する４つのステップを順次実行する。
［ステップ１］
ステップ１は第１シーケンスのステップ１と同様に行う。すなわち、ステップ１での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ１でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＨＣＤＳガスの供給により、ウエハ２００上にシリコン含有層を形成する。
［ステップ２］
ステップ２は第１シーケンスのステップ２と同様に行う。すなわち、ステップ２での処理条件、生じさせる反応、形成する層等は、第１シーケンスにおけるステップ２でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内への３ＤＭＡＳガスの供給により、シリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとを反応させ、Ｓｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する。
［ステップ３］
ステップ３は第５シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ３での処理条件、生じさせる反応、形成する層、炭素濃度の制御方法等は、第５シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＣ３Ｈ６ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙを化学吸着させる。
［ステップ４］
ステップ４は第７シーケンスのステップ３と同様に行う。すなわち、ステップ４での処理条件、生じさせる反応、形成する層、硼素濃度の制御方法等は、第７シーケンスにおけるステップ３でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＢＣｌ３ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙが化学吸着した層の上にＢｘＣｌｙを化学吸着させる。
［ステップ５］
ステップ５は第７シーケンスのステップ４と同様に行う。すなわち、ステップ５での処理条件、生じさせる反応、形成する層、窒素濃度の制御方法等は、第７シーケンスにおけるステップ４でのそれらと同様である。すなわち、このステップでは、処理室２０１内へのＮＨ３ガスの供給により、第１の層の上にＣｘＨｙとＢｘＣｌｙとが化学吸着した層を改質してＳｉＢＣＮ層を含む第２の層を形成する。
上述したステップ１〜５を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、図１２（ａ）に示すように複数回繰り返すのが好ましい。
なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３とステップ４とステップ５とを行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、ステップ５を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜するようにしてもよい。
すなわち、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）を供給する工程（ステップ１）と、その後、アミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）を供給する工程（ステップ２）と、を１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に所定厚さのシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させる工程（ステップ３）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガス（ＢＣｌ３ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層の上に硼素含有ガスを更に化学吸着させる工程（ステップ４）と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３ガス）を供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスと硼素含有ガスとが化学吸着した層を改質して、第２の層としてＳｉＢＣＮ層を形成する工程（ステップ５）と、
を１サイクルとして、このサイクルを所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
図１２（ｂ）に、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３、ステップ４、ステップ５を行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を成膜する例を示す。
このように、上述したステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、ステップ４を行う工程と、ステップ５を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うようにすることで、ＳｉＢＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合を適正に制御できることとなり、ＳｉＢＣＮ膜の組成比の制御性を向上させることができるようになる。
なお、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を増加させることができ、このようにして各成分の絶対量を増加させた第１の層をステップ３、ステップ４およびステップ５において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をリッチな方向に制御できることとなる。
一方、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を減らすことで、第１の層のシリコン成分、窒素成分、炭素成分の絶対量を減少させることができ、このようにして各成分の絶対量を減少させた第１の層をステップ３、ステップ４およびステップ５において改質することで、ＳｉＢＣＮ層の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御でき、最終的に形成するＳｉＢＣＮ膜の炭素成分に対するシリコン成分、窒素成分の割合や、硼素成分に対するシリコン成分、窒素成分、炭素成分の割合や、窒素成分に対するシリコン成分、炭素成分の割合をプアな方向に制御できることとなる。
また、ステップ１とステップ２とで構成されるセットのセット数（ｍ）を増やすことで、１サイクルあたりに形成する第１の層の層数、すなわち、１サイクルあたりに形成する第１の層の厚さをセット数（ｍ）の数だけ増加させることができ、サイクルレート（単位サイクルあたりに形成されるＳｉＢＣＮ層の厚さ）を向上させることが可能となる。また、これにより、成膜レート（単位時間あたりに形成されるＳｉＢＣＮ膜の膜厚）を向上させることもできるようになる。
所定組成を有する所定膜厚のＳｉＢＣＮ膜を形成する成膜処理がなされると、ガスパージ、不活性ガス置換、大気圧復帰、ボートアンロード、ウエハディスチャージが、第１シーケンスと同様に行われる。
本実施形態によれば、クロロシラン系原料やアミノシラン系原料を用いて絶縁膜を形成する場合に、低温領域においてシリコン密度の高い所望組成のシリコン絶縁膜を形成することができる。また、理想的量論比のシリコン絶縁膜を形成することもできる。なお、発明者らの実験によれば、クロロシラン系原料単体を用いる場合、５００℃以下の温度帯では生産効率を満たす成膜レートでウエハ上にシリコンを堆積させることは困難であった。また、アミノシラン系原料単体を用いる場合、５００℃以下の温度帯ではウエハ上へのシリコンの堆積も確認されなかった。しかしながら、本実施形態の手法によれば、５００℃以下の低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、良質なシリコン絶縁膜を形成することが可能となる。
なお、成膜温度を低温化させると、通常、分子の運動エネルギーが低下して、クロロシラン系原料に含まれる塩素やアミノシラン系原料に含まれるアミノ基（アミン基）の反応・脱離が起きづらくなり、これらのリガンドがウエハ表面上に残留することとなる。そしてこれらの残留したリガンドが立体障害となることで、ウエハ表面上へのシリコンの吸着が阻害され、シリコン密度が低下し、膜の劣化が引き起こされてしまう。しかしながら、そのような反応・脱離が進みにくい条件下でも、２つのシランソース、すなわちクロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを適正に反応させることで、それらの残留リガンドを脱離させることが可能となる。そしてそれら残留リガンドの脱離により立体障害が解消され、それにより開放されたサイトにシリコンを吸着させることが可能となり、シリコン密度を高めることが可能となる。このようにして、５００℃以下の低温領域においてもシリコン密度の高い膜を形成することができるようになると考えられる。
また、本実施形態によれば、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給してウエハ上にＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層、すなわち、シリコン絶縁層を形成した後、更に、熱またはプラズマで活性化させた窒素含有ガス、炭素含有ガス、酸素含有ガス、または、硼素含有ガスを供給するようにしたので、シリコン絶縁層の窒素濃度、炭素濃度、酸素濃度、または、硼素濃度を調整でき、組成比を制御しつつ、所望の特性を有するシリコン絶縁膜を形成することができる。
また、本実施形態によれば、クロロシラン系原料を供給する工程と、その後、アミノシラン系原料を供給する工程と、１セットとしてこのセットを所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ上に所定厚さのＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層、すなわち、シリコン絶縁層を形成した後、更に、熱またはプラズマで活性化させた窒素含有ガス、炭素含有ガス、酸素含有ガス、または、硼素含有ガスを供給するようにしたので、シリコン絶縁層の窒素濃度、炭素濃度、酸素濃度、または、硼素濃度を適正に調整でき、シリコン絶縁層の組成比の制御性を向上させることができる。また、サイクルレートを向上させることができ、成膜レートを向上させることも可能となる。さらに、サイクル毎にセット数（ｍ）を変化させることで、膜厚方向において組成比が異なるシリコン絶縁膜を形成することが可能となる。例えば、膜厚方向において、窒素濃度、炭素濃度、酸素濃度、または、硼素濃度が徐々に高くなるような組成を有するシリコン絶縁膜や、膜厚方向において、窒素濃度、炭素濃度、酸素濃度、または、硼素濃度が徐々に低くなるような組成を有するシリコン絶縁膜を形成することも可能である。
また、本実施形態では、いずれのシーケンスにおいても、各ステップにおける処理室内の圧力やガス供給時間を制御することにより、薄膜組成比を制御（微調整）するようにしている。なお、好ましくは、処理室内の圧力、または、圧力およびガス供給時間を制御することにより、薄膜組成比を制御するのがよい。
各ステップにおける処理室内の圧力を制御することにより、薄膜の組成比を制御する場合、異なる基板処理装置間での機差の影響を少なくすることができる。すなわち、異なる基板処理装置間でも、同様な制御により、同様に薄膜の組成比を制御することが可能となる。この場合に、各ステップにおけるガス供給時間をも制御するようにすれば、薄膜の組成比を微調整でき、薄膜の組成比制御の制御性を上げることができる。また、各ステップにおける処理室内の圧力を制御することにより、成膜レートを上げつつ、薄膜の組成比を制御することも可能となる。すなわち、処理室内の圧力を制御することにより、例えば各シーケンスにおけるステップ１で形成するシリコン含有層の成長レートを上げつつ、薄膜の組成比を制御することも可能となる。このように、本実施形態によれば、異なる基板処理装置間でも、同様な制御により、同様に薄膜の組成比を制御できるだけでなく、薄膜の組成比制御の制御性を上げることもでき、さらには成膜レート、すなわち生産性を向上させることもできる。
また、本実施形態の手法により形成したシリコン絶縁膜を、サイドウォールスペーサとして使用することにより、リーク電流が少なく、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。
また、本実施形態の手法により形成したシリコン絶縁膜を、エッチストッパーとして使用することにより、加工性に優れたデバイス形成技術を提供することが可能となる。
本実施形態によれば、低温領域においてもプラズマを用いず、理想的量論比のシリコン絶縁膜を形成することができる。また、プラズマを用いずシリコン絶縁膜を形成できることから、例えばＤＰＴのＳＡＤＰ膜等、プラズマダメージを懸念する工程への適応も可能となる。
なお、上述の実施形態では、各シーケンスにおいてＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する際に、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給する例や、クロロシラン系原料を供給する工程と、その後、アミノシラン系原料を供給する工程と、を交互に所定回数行う例について説明したが、原料の流し方は逆でもよい。すなわち、アミノシラン系原料を供給し、その後、クロロシラン系原料を供給するようにしてもよい。また、アミノシラン系原料を供給する工程と、その後、クロロシラン系原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うようにしてもよい。つまり、クロロシラン系原料およびアミノシラン系原料のうちの一方の原料を供給し、その後、他方の原料を供給するようにすればよい。また、クロロシラン系原料およびアミノシラン系原料のうちの一方の原料を供給する工程と、その後、他方の原料を供給する工程と、を交互に所定回数行うようにすればよい。このように、原料を流す順番を変えることにより、各シーケンスにおいて形成される薄膜の膜質や組成比を変化させることも可能である。
また、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料を流す順番だけでなく、クロロシラン系原料およびアミノシラン系原料を含む全てのガスを流す順番を変えることにより、各シーケンスにおいて形成される薄膜の膜質や組成比を変化させることも可能である。
また、上述の実施形態では、各シーケンスにおいてＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する際に、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを用いる例について説明したが、クロロシラン系原料の代わりに、クロロシラン系原料以外のハロゲン系のリガンドを持つシラン系原料を用いてもよい。例えば、クロロシラン系原料の代わりに、フルオロシラン系原料を用いてもよい。ここで、フルオロシラン系原料とは、フルオロ基を有するシラン系原料のことであり、少なくともシリコン（Ｓｉ）及びフッ素（Ｆ）を含む原料のことである。フルオロシラン系原料ガスとしては、例えば四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）ガスや六フッ化二ケイ素（Ｓｉ２Ｆ６）ガス等のフッ化ケイ素ガスを用いることができる。この場合、各シーケンスにおいてＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する際に、処理室２０１内のウエハ２００に対して、フルオロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給するか、アミノシラン系原料を供給し、その後、フルオロシラン系原料を供給することとなる。
また、上述の実施形態では、第１シーケンスのステップ３および第３シーケンスのステップ３においてプラズマを用いる例について説明したが、他のシーケンスの各ステップにおいてプラズマを用いるようにしてもよい。例えば、各シーケンスの各ステップで、窒素含有ガス、炭素含有ガス、酸素含有ガス、硼素含有ガスをプラズマで活性化して供給することで、プラズマ窒化（窒素ドープ）、プラズマ炭化（炭素ドープ）、プラズマ酸化（酸素ドープ）、プラズマ硼化（硼素ドープ）により各層の改質を行うようにしてもよい。ただし、プラズマの使用は、プラズマダメージの懸念のある工程には適しておらず、それ以外のプラズマダメージの懸念のない工程に適用するのが好ましい。
また、酸素含有ガスを供給するステップにおいては、酸素含有ガスと一緒に水素含有ガスを供給するようにしてもよい。大気圧未満の圧力（減圧）雰囲気下にある処理室２０１内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給すると、処理室２０１内で酸素含有ガスと水素含有ガスとが反応し、それにより原子状酸素（ａｔｏｍｉｃ ｏｘｙｇｅｎ、Ｏ）等の酸素を含む水分（Ｈ２Ｏ）非含有の酸化種が生成される。そして、主にこの酸化種により各層を酸化することができる。この場合、酸素含有ガス単体で酸化するよりも高い酸化力にて酸化を行うことができる。この酸化処理はノンプラズマの減圧雰囲気下で行われる。水素含有ガスとしては、例えば水素（Ｈ２）ガスを用いることができる。
また、上述の実施形態では、各シーケンスにおいてＳｉ、ＮおよびＣを含む第１の層を形成する際に、処理室２０１内のウエハ２００に対してクロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給する例について説明したが、図１３、図１４のようにクロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを同時に処理室２０１内のウエハ２００に対して供給してＣＶＤ反応を生じさせるようにしてもよい。
図１３、図１４は、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを同時に供給する本発明の他の実施形態におけるガス供給のタイミングを示す図である。なお、この場合における処理条件も、上述の実施形態の各シーケンスにおける処理条件と同様な処理条件とすればよい。
図１３のシーケンスは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）とアミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）とを同時に供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６）を供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３）を供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガス（Ｏ２）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、所定組成及び所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する例である。なお、図１３（ａ）は、第１の層を形成する工程において、ＨＣＤＳと３ＤＭＡＳとを同時に供給する工程を１回行うケースを示しており、図１３（ｂ）は、第１の層を形成する工程において、ＨＣＤＳと３ＤＭＡＳとを同時に供給する工程を複数回（２回）行うケースを示している。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層を改質してシリコン炭窒化層を形成し、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、シリコン炭窒化層を改質してシリコン酸炭窒化層を形成する。
図１４のシーケンスは、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料（ＨＣＤＳ）とアミノシラン系原料（３ＤＭＡＳ）とを同時に供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス（Ｃ３Ｈ６）を供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガス（ＢＣｌ３）を供給し、その後、反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガス（ＮＨ３）を供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン硼炭窒化層（ＳｉＢＣＮ層）を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、所定組成及び所定膜厚のシリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）を形成する例である。なお、図１４（ａ）は、第１の層を形成する工程において、ＨＣＤＳと３ＤＭＡＳとを同時に供給する工程を１回行うケースを示しており、図１４（ｂ）は、第１の層を形成する工程において、ＨＣＤＳと３ＤＭＡＳとを同時に供給する工程を複数回（２回）行うケースを示している。
なお、第２の層を形成する工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスを化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスが化学吸着した層の上に硼素含有ガスを更に化学吸着させ、その後、処理室２０１内のウエハ２００に対して、熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素含有ガスと硼素含有ガスとが化学吸着した層を改質してシリコン硼炭窒化層を形成する。
このように、処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを順次供給するのではなく、同時に供給するようにしても上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。ただし、上述の実施形態のように、各原料を順次供給する方が、すなわち、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを、それらの間に処理室２０１内のパージを挟んで交互に供給する方が、クロロシラン系原料とアミノシラン系原料とを、表面反応が支配的な条件下で適正に反応させることができ、膜厚制御の制御性を上げることができることとなる。
また、上述の実施形態では、各シーケンスにおいて、処理室内でウエハ上に一度に１種類の薄膜（単膜）を形成する例について説明したが、上述の各シーケンスを適宜組み合わせることにより、処理室内でウエハ上に一度に２種類以上の薄膜の積層膜を形成することもできる。例えば、処理室内で、図３（ａ）の第１シーケンスと、図３（ｂ）の第１シーケンスとを、ｉｎ−ｓｉｔｕにて交互に行うことで、ＳｉＣＮ膜とＳｉＮ膜とが交互に積層された積層膜を形成することができる。また例えば、処理室内で、図５（ｂ）の第３シーケンスと、図５（ａ）の第３シーケンスとを、ｉｎ−ｓｉｔｕにて交互に行うことで、ＳｉＯ膜とＳｉＯＣＮ膜とが交互に積層された積層膜や、ＳｉＯ膜とＳｉＯＣ膜とが交互に積層された積層膜や、ＳｉＯＣ膜とＳｉＯＣＮ膜とが交互に積層された積層膜を形成することもできる。更には、ＳｉＯ膜とＳｉＯＣ膜とＳｉＯＣＮ膜とが積層された積層膜をも形成することもできる。また例えば、処理室内で、図５（ｂ）の第３シーケンスと、図３（ｂ）の第１シーケンスとを、ｉｎ−ｓｉｔｕにて交互に行うことで、ＳｉＯ膜とＳｉＮ膜とが交互に積層された積層膜、例えばＯＮＯ構造を有する積層膜を形成することもできる。
このように、本発明は、単膜だけでなく、積層膜を形成する場合にも好適に適用することができ、この場合であっても上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。
また、上述の実施形態では、薄膜として、半導体元素であるシリコンを含むシリコン系絶縁膜を形成する例について説明したが、本発明は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属元素を含む金属系薄膜を形成する場合にも適用することができる。
例えば、本発明は、チタン窒化膜（ＴｉＮ膜）、チタン炭窒化膜（ＴｉＣＮ膜）、チタン酸炭窒化膜（ＴｉＯＣＮ膜）、チタン酸炭化膜（ＴｉＯＣ膜）、チタン酸化膜（ＴｉＯ膜）、チタン硼炭窒化膜（ＴｉＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＴｉ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
また例えば、本発明は、ジルコニウム窒化膜（ＺｒＮ膜）、ジルコニウム炭窒化膜（ＺｒＣＮ膜）、ジルコニウム酸炭窒化膜（ＺｒＯＣＮ膜）、ジルコニウム酸炭化膜（ＺｒＯＣ膜）、ジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ膜）、ジルコニウム硼炭窒化膜（ＺｒＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＺｒ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
また例えば、本発明は、ハフニウム窒化膜（ＨｆＮ膜）、ハフニウム炭窒化膜（ＨｆＣＮ膜）、ハフニウム酸炭窒化膜（ＨｆＯＣＮ膜）、ハフニウム酸炭化膜（ＨｆＯＣ膜）、ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ膜）、ハフニウム硼炭窒化膜（ＨｆＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＨｆ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
また例えば、本発明は、タンタル窒化膜（ＴａＮ膜）、タンタル炭窒化膜（ＴａＣＮ膜）、タンタル酸炭窒化膜（ＴａＯＣＮ膜）、タンタル酸炭化膜（ＴａＯＣ膜）、タンタル酸化膜（ＴａＯ膜）、タンタル硼炭窒化膜（ＴａＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＴａ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
また例えば、本発明は、アルミニウム窒化膜（ＡｌＮ膜）、アルミニウム炭窒化膜（ＡｌＣＮ膜）、アルミニウム酸炭窒化膜（ＡｌＯＣＮ膜）、アルミニウム酸炭化膜（ＡｌＯＣ膜）、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）、アルミニウム硼炭窒化膜（ＡｌＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＡｌ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
また例えば、本発明は、モリブデン窒化膜（ＭｏＮ膜）、モリブデン炭窒化膜（ＭｏＣＮ膜）、モリブデン酸炭窒化膜（ＭｏＯＣＮ膜）、モリブデン酸炭化膜（ＭｏＯＣ膜）、モリブデン酸化膜（ＭｏＯ膜）、モリブデン硼炭窒化膜（ＭｏＢＣＮ膜）や、これらを組み合わせたり、混合させたりしたＭｏ系薄膜や、これらの積層膜を形成する場合にも適用することができる。
この場合、上述の実施形態におけるクロロシラン系原料の代わりに、金属元素およびクロロ基を含む原料（第１の原料）を用い、アミノシラン系原料の代わりに、金属元素およびアミノ基を含む原料（第２の原料）を用い、上述の実施形態と同様なシーケンスにより成膜を行うことができる。
すなわち、この場合、金属元素およびクロロ基を含む第１の原料および金属元素およびアミノ基を含む第２の原料のうちの一方の原料を処理室２０１内のウエハ２００に対して供給し、その後、第１の原料および第２の原料のうちの一方の原料とは異なる他方の原料を処理室２０１内のウエハ２００に対して供給することで、ウエハ２００上に金属元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、第１原料および第２原料とは異なる反応ガスを供給することで、第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に、金属元素を含む所定組成及び所定膜厚の金属系薄膜を形成する。
または、金属元素およびクロロ基を含む第１の原料および金属元素およびアミノ基を含む第２の原料のうちの一方の原料を処理室２０１内のウエハ２００に対して供給する工程と、第１の原料および第２の原料のうちの一方の原料とは異なる他方の原料を処理室２０１内のウエハ２００に対して供給する工程と、を交互に所定回数（ｍ回）行うことで、ウエハ２００上に金属元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
処理室２０１内のウエハ２００に対して、第１原料および第２原料とは異なる反応ガスを供給することで、第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数（ｎ回）行うことで、ウエハ２００上に、金属元素を含む所定組成及び所定膜厚の金属系薄膜を形成する。
例えば、金属系薄膜として、Ｔｉ系薄膜を形成する場合は、第１の原料として、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ４）等のＴｉおよびクロロ基を含む原料を用い、第２の原料として、テトラキスエチルメチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＴ）、テトラキスジメチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：ＴＤＭＡＴ）、テトラキスジエチルアミノチタニウム（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、略称：ＴＤＥＡＴ）等のＴｉおよびアミノ基を含む原料を用いることができる。窒素含有ガスや酸素含有ガスや炭素含有ガスや硼素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。
また例えば、金属系薄膜として、Ｚｒ系薄膜を形成する場合は、第１の原料として、ジルコニウムテトラクロライド（ＺｒＣｌ４）等のＺｒおよびクロロ基を含む原料を用い、第２の原料として、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＺ）、テトラキスジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：ＴＤＭＡＺ）、テトラキスジエチルアミノジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、略称：ＴＤＥＡＺ）等のＺｒおよびアミノ基を含む原料を用いることができる。窒素含有ガスや酸素含有ガスや炭素含有ガスや硼素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。
また例えば、金属系薄膜として、Ｈｆ系薄膜を形成する場合は、第１の原料として、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ４）等のＨｆおよびクロロ基を含む原料を用い、第２の原料として、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＨ）、テトラキスジメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：ＴＤＭＡＨ）、テトラキスジエチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、略称：ＴＤＥＡＨ）等のＨｆおよびアミノ基を含む原料を用いることができる。窒素含有ガスや酸素含有ガスや炭素含有ガスや硼素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。なお、このときの処理条件は、例えば上述の実施形態と同様な処理条件とすることができる。
このように、本発明はシリコン系薄膜だけでなく、金属系薄膜の成膜にも適用することができ、この場合であっても上述の実施形態と同様な作用効果が得られる。
すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む薄膜を形成する場合に適用することができる。
また、上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。
また、上述の各実施形態、各成膜シーケンス、各変形例、各応用例等は、適宜組み合わせて用いることができる。
また、本発明は、例えば、既存の基板処理装置のプロセスレシピを変更することでも実現できる。プロセスレシピを変更する場合は、本発明に係るプロセスレシピを電気通信回線や当該プロセスレシピを記録した記録媒体を介して既存の基板処理装置にインストールしたり、また、既存の基板処理装置の入出力装置を操作し、そのプロセスレシピ自体を本発明に係るプロセスレシピに変更することも可能である。
〔実施例１〕
上述の実施形態における第１シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＣＮ膜を形成し、その成膜レートと、膜の屈折率（Ｒ．Ｉ．）とを測定した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図３（ａ）のシーケンスにより、ノンプラズマでＳｉＣＮ膜を形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：２６６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１２秒
（ステップ２）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：２６６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：１２秒
（ステップ３）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：８３１Ｐａ（６．５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ３ガス供給流量：５０００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス照射時間：１２秒
結果、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜の成膜レートは１．８Å／サイクルとなり、膜の屈折率（Ｒ．Ｉ．）は２．１０となった。すなわち、５５０℃という低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、良質なシリコン絶縁膜を形成できることが判明した。
〔実施例２〕
上述の実施形態における第１シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＣＮ膜を形成し、その成膜レートと、ウエハ面内膜厚均一性と、屈折率（Ｒ．Ｉ．）とを測定した。また、そのＳｉＣＮ膜のＸＰＳスペクトルを測定し、Ｃ／Ｓｉ比（Ｓｉ成分に対するＣ成分の比）およびＮ／Ｓｉ比（Ｓｉ成分に対するＮ成分の比）を算出した。また、比較例として、第１シーケンスのステップ１とステップ２とを交互に繰り返すことでＳｉ、Ｃ及びＮを含む物質（以下、単にＳｉＣＮという）を形成し、そのＸＰＳスペクトルを測定し、Ｃ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比を算出した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図３（ａ）のシーケンスにより、ノンプラズマでＳｉＣＮ膜を形成した。また、比較例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを用い、図３（ａ）のシーケンスのステップ１とステップ２とを交互に繰り返すシーケンスによりＳｉＣＮを形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：１００ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１２秒
（ステップ２）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：１００ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：６秒
（ステップ３）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：８６５Ｐａ（６．５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ３ガス供給流量：４５００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス照射時間：２４秒
結果、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜の成膜レートは４．１５Å／サイクルとなり、ウエハ面内膜厚均一性は０．３％となり、屈折率（Ｒ．Ｉ．）は２．４０となった。すなわち、５５０℃という低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、良質なシリコン絶縁膜を形成できることが判明した。
また、図１５に示すように、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜は、Ｎ成分の割合が増加し、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合が減少し、Ｎ濃度がＣ濃度よりも高くなることが判明した。
図１５（ａ）は、本実施例に係るＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図であり、横軸は結合エネルギー（ｅＶ）を、縦軸は光電子の強度（ｃｏｕｎｔ／ｓｅｃ）をそれぞれ示している。また、図１５（ｂ）は、本実施例に係るＣ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比の測定結果を示すグラフ図であり、縦軸はＳｉ成分に対するＣ成分およびＮ成分の比（任意単位（ａ．ｕ．））を示している。いずれの図においても、“Ａｄｄ．Ｔｈ−ＮＨ３”は本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜の測定結果を、“ＨＣＤＳ／３ＤＭＡＳ”は比較例にて形成されたＳｉＣＮの測定結果を示している。なお、図１５（ｂ）には、比較のため、後述する実施例３（“Ａｄｄ．ＮＨ３ Ｐｌａｓｍａ”）の測定結果も記載している。
図１５（ａ）に示すように、比較例にて形成されたＳｉＣＮは、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合が多く、ＣリッチかつＳｉリッチな状態となっていることが分かる。これに対し、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜は、比較例にて形成されたＳｉＣＮと比べてＳｉ−Ｎ結合が増加する一方で、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合が減少しており、Ｎリッチな状態となっていることが分かる。また、図１５（ｂ）に示すように、比較例にて形成されたＳｉＣＮは、Ｃ／Ｓｉ比がＮ／Ｓｉ比よりも大きく、Ｃ濃度がＮ濃度よりも高くなっていることが分かる。これに対し、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜は、Ｎ／Ｓｉ比がＣ／Ｓｉ比よりも大きく、Ｎ濃度がＣ濃度よりも高くなっていることが分かる。つまり、本実施例にて形成されたＳｉＣＮ膜は、ステップ３におけるＮＨ３による熱窒化の作用により、Ｎ成分の割合が増加し、また、Ｃ成分の割合およびＳｉ成分の割合が減少し、さらに、Ｎ濃度がＣ濃度よりも高くなることが分かる。
〔実施例３〕
上述の実施形態における第１シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＮ膜を形成し、その成膜レートと、ウエハ面内膜厚均一性と、屈折率（Ｒ．Ｉ．）とを測定した。また、そのＳｉＮ膜のＸＰＳスペクトルを測定し、Ｃ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比を算出した。また、比較例として、第１シーケンスのステップ１とステップ２とを交互に繰り返すことでＳｉＣＮを形成し、そのＸＰＳスペクトルを測定し、Ｃ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比を算出した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い、図３（ｂ）のシーケンスにより、プラズマを用いてＳｉＮ膜を形成した。また、比較例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを用い、図３（ａ）のシーケンスのステップ１とステップ２とを交互に繰り返すシーケンスによりＳｉＣＮを形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１２秒
（ステップ２）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：６秒
（ステップ３）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３０Ｐａ（０．２２５Ｔｏｒｒ）
ＮＨ３ガス供給流量：４５００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス照射時間：２４秒
ＲＦ電力：３００Ｗ
結果、本実施例にて形成されたＳｉＮ膜の成膜レートは４．０Å／サイクルとなり、ウエハ面内膜厚均一性は１．７％となり、屈折率（Ｒ．Ｉ．）は１．９３となった。すなわち、５５０℃という低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、良質なシリコン絶縁膜を形成できることが判明した。
また、図１６に示すように、本実施例にて形成されたＳｉＮ膜は、Ｎ成分の割合が著しく増加し、また、Ｓｉ成分の割合が減少し、さらにＣ成分の割合が不純物レベルにまで減少することが判明した。
図１６（ａ）は、本実施例に係るＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図であり、横軸は結合エネルギー（ｅＶ）を、縦軸は光電子の強度（ｃｏｕｎｔ／ｓｅｃ）をそれぞれ示している。また、図１６（ｂ）は、本実施例に係るＣ／Ｓｉ比およびＮ／Ｓｉ比の測定結果を示すグラフ図であり、縦軸はＳｉ成分に対するＣ成分およびＮ成分の比（任意単位（ａ．ｕ．））を示している。いずれの図においても、“Ａｄｄ．ＮＨ３ Ｐｌａｓｍａ”は本実施例にて形成されたＳｉＮ膜の測定結果を、“ＨＣＤＳ／３ＤＭＡＳ”は比較例にて形成されたＳｉＣＮの測定結果を示している。なお、図１６（ａ）及び（ｂ）には、比較のため、上述の実施例２（“Ａｄｄ．Ｔｈ−ＮＨ３”）の測定結果も記載している。
図１６（ａ）に示すように、比較例にて形成されたＳｉＣＮは、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合が多く、ＣリッチかつＳｉリッチな状態となっていることが分かる。これに対し、本実施例にて形成されたＳｉＮ膜は、比較例にて形成されたＳｉＣＮと比べてＳｉ−Ｎ結合が著しく増加する一方で、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合が著しく減少し、特にＳｉ−Ｃ結合が不純物レベルまで減少していることが分かる。また、図１６（ｂ）に示すように、比較例にて形成されたＳｉＣＮは、Ｃ／Ｓｉ比がＮ／Ｓｉ比よりも大きく、Ｃ濃度がＮ濃度よりも高くなっていることが分かる。これに対し、本実施例にて形成されたＳｉＮ膜は、Ｎ／Ｓｉ比がＣ／Ｓｉ比よりも著しく大きく、Ｎ濃度がＣ濃度よりも著しく高くなっていることが分かる。つまり、本実施例にて形成されたＳｉＮ膜は、ステップ３におけるＮＨ３によるプラズマ窒化の作用により、Ｎ成分の割合が著しく増加し、また、Ｓｉ成分の割合が減少し、さらにＣ成分の割合が不純物レベルにまで著しく減少することが分かる。
〔実施例４〕
上述の実施形態における第３シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＯＣ膜を形成し、その成膜レートと、ウエハ面内膜厚均一性と、屈折率（Ｒ．Ｉ．）とを測定した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＮ２Ｏガスを用い、図５（ａ）のシーケンスにより、ノンプラズマでＳｉＯＣ膜を形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１２秒
（ステップ２）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：２００ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：６秒
（ステップ３）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
Ｎ２Ｏガス供給流量：１０００ｓｃｃｍ
Ｎ２Ｏガス照射時間：３０秒
結果、本実施例にて形成されたＳｉＯＣ膜の成膜レートは０．６１Å／サイクルとなり、ウエハ面内膜厚均一性は１．７％となり、屈折率（Ｒ．Ｉ．）は１．６２となった。すなわち、５５０℃という低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、良質なシリコン絶縁膜を形成できることが判明した。
〔実施例５〕
上述の実施形態における第３シーケンスにより、ステップ３における酸素含有ガスのガス種、及び供給時間をそれぞれ変えて、ウエハ上にＳｉＯＣＮ膜またはＳｉＯＣ膜を形成し、その際に形成されるそれぞれの膜のＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度をＸＲＦにて測定した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガスを用い、図５（ａ）のシーケンスにより、ノンプラズマでＳｉＯＣＮ膜またはＳｉＯＣ膜を形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は上述の実施例４における処理条件と同様とした。ただし、ステップ３における酸素含有ガスの照射時間は１〜１２０秒の間で変化させた。
図１７は、本実施例に係るＸＲＦの測定結果を示すグラフ図であり、横軸は酸素含有ガスの供給時間（任意単位（ａ．ｕ．））を、縦軸はＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度（任意単位（ａ．ｕ．））をそれぞれ示している。図中の●印は膜中のＯ濃度を、○印は膜中のＣ濃度を、□印は膜中のＮ濃度をそれぞれ示している。また、図中の実線は酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用いた場合を、破線は酸素含有ガスとしてＮＯガスを用いた場合を、一点鎖線は酸素含有ガスとしてＮ２Ｏガスを用いた場合をそれぞれ示している。また、Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｇａｓ Ｆｌｏｗ ｔｉｍｅ＝ゼロとは、酸素含有ガスを供給しなかったケース、つまり、図５（ａ）のシーケンスのステップ１とステップ２とを交互に繰り返すシーケンスによりＳｉ、Ｃ及びＮを含む物質（以下、単にＳｉＣＮという）を形成したケース（比較例）を示している。
図１７に示すように、酸素含有ガスを供給しなかったケース（比較例）では、Ｃ濃度が高く、ＣリッチなＳｉＣＮが形成されることが分かる。また、Ｎ濃度よりもＣ濃度の方が２倍以上高いことが分かる。なお、図１７によれば、ＳｉＣＮにＯが含まれているように見えるが、これは、ＳｉＣＮと下地との界面や、ＳｉＣＮの表面にて検出されたものであり、ＳｉＣＮ中の成分ではないので、ここでは考慮していない。これに対し、酸素含有ガスを供給したケース（実施例）では、酸素含有ガスとしてＯ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガスのいずれを用いた場合においても、酸素含有ガスを供給することで酸化が生じ、ＳｉＣＮがＳｉＯＣＮ膜に変わることが分かる。また、酸素含有ガスの供給時間を長くする程、酸化が進行してＯ濃度（●印）が増加し、Ｃ濃度（○印）およびＮ濃度（□印）が減少することが分かる。そして、酸素含有ガスの供給時間をある程度長くして、酸化がある程度進行したところでＮ成分が不純物レベルとなり、酸素含有ガスの供給時間を更に長くすることで、酸化が更に進行してＮ成分が実質的に消滅し、ＳｉＯＣ膜が形成されることが分かる。なお、膜中のＯ濃度は、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを用いた場合が最も高くなり（実線）、ＮＯガスを用いた場合が次に高くなり（破線）、Ｎ２Ｏガスを用いた場合が次に高くなる（一点鎖線）ことが分かる。また、膜中のＣ濃度は、酸素含有ガスとしてＯ２ガスやＮＯガスを用いた場合（実線及び破線）の方が、Ｎ２Ｏガスを用いた場合（一点鎖線）よりも低くなることが分かる。
つまり、本実施例では、ステップ３における酸素含有ガスによる熱酸化の作用により、Ｏ成分の割合が増加しつつ、また、Ｃ成分の割合が減少しつつ、さらにＮ成分の割合が減少しつつ、ＳｉＯＣＮ膜が形成されることが分かる。また、ステップ３における酸素含有ガスによる熱酸化の作用により、Ｏ成分の割合が増加しつつ、また、Ｃ成分の割合が減少しつつ、さらにＮ成分の割合が不純物レベルにまで減少（もしくは実質的に消滅）しつつ、ＳｉＯＣ膜が形成されることが分かる。なお、本実施例にて形成されたＳｉＯＣＮ膜およびＳｉＯＣ膜の成膜レートは、酸素含有ガスとしてＯ２ガス、ＮＯガス、Ｎ２Ｏガスのいずれを用いた場合においても、０．６１Å／サイクル以上となり、また、ウエハ面内膜厚均一性は１．７％以下となった。すなわち、５５０℃という低温領域においても、生産効率を満たす成膜レートで、組成比を制御しつつ、良質なシリコン絶縁膜を形成できることが判明した。
〔実施例６〕
上述の実施形態における第３シーケンスによりウエハ上にＳｉＯＣ膜を形成し、ＳｉＯＣ膜のＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度をＸＰＳにて測定した。さらに、そのＳｉＯＣ膜のエッチングレート及び比誘電率ｋを測定した。なお、本実施例では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＮ２Ｏガスを用い、図５（ａ）のシーケンスにより、ノンプラズマでＳｉＯＣ膜を形成した。そのときの各ステップにおける処理条件は実施例４における処理条件と同様とした。
また、比較例１として、ＨＣＤＳガスの供給、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガスの供給、アンモニア（ＮＨ３）ガスの供給及びＯ２ガスの供給を１サイクルとして、このサイクルをｎ回繰り返す交互供給法によりウエハ上にＳｉＯＣＮ膜を形成し、ＳｉＯＣＮ膜のＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度をＸＰＳにて測定した。さらに、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜のエッチングレート及び比誘電率ｋを測定した。
また、比較例２として、ＤＣＳガスの供給及びＮＨ３ガスの供給を１サイクルとして、このサイクルをｎ回繰り返す交互供給法によりＳｉＮ膜を形成し、ＳｉＮ膜のエッチングレート及び比誘電率ｋを測定した。
図１８は、本実施例に係るＳｉＯＣ膜及び比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜のＸＰＳスペクトルの測定結果を示すグラフ図である。図１８の縦軸は濃度（％）を、横軸はＯ、Ｃ、Ｎの各元素を示している。図１８によれば、本実施例に係るＳｉＯＣ膜の方が、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜よりもＯ濃度が高く、また、Ｃ濃度が高く、Ｎ濃度が低くなっていることが分かる。特に、本実施例に係るＳｉＯＣ膜では、Ｎ濃度が不純物レベルにまで低下していることが分かる。これらのことから、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜は、酸化を進めると、Ｎよりも先にＣが不純物レベルにまで減少するか、実質的に消滅することで、ＳｉＯＮ膜に変化することが分かる。一方、本実施例に係るＳｉＯＣ膜は、酸化によりＳｉＯＣＮ膜のＮが不純物レベルにまで減少することでＳｉＯＣ膜に変化したものである。すなわち、本実施例においては、酸化を進めると、ＳｉＯＣＮ膜中においてＣよりも先にＮが不純物レベルにまで減少するか、実質的に消滅することで、ＳｉＯＣＮ膜がＳｉＯＣ膜に変化することが分かる。
図１９は、本実施例に係るＳｉＯＣ膜、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜、比較例２に係るＳｉＮ膜を、濃度１％のフッ化水素（ＨＦ）水溶液を用いてエッチングした際のエッチングレート、及び１５０℃の熱燐酸水溶液を用いてエッチングした際のエッチングレートの測定結果をそれぞれ示すグラフ図である。図１９の縦軸はエッチングレート（任意単位（ａ．ｕ．））を、横軸は実施例及び比較例１，２を示している。図１９によれば、ＨＦ水溶液及び熱燐酸水溶液のいずれを用いた場合であっても、本実施例に係るＳｉＯＣ膜のエッチングレートは、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜及び比較例２に係るＳｉＮ膜のエッチングレートと比較して最も低いことが分かる。すなわち、本実施例に係るＳｉＯＣ膜は、ＨＦ及び熱燐酸に対してそれぞれ高い耐性を有することが分かる。これは、Ｃ濃度が高いとＨＦ耐性が向上し、Ｎ濃度が低いと熱燐酸耐性が向上するという一般的な膜特性とも矛盾しない結果となっている。なお、本実施例に係るＳｉＯＣ膜の１％ＨＦ水溶液に対するエッチングレートは、１０Å／ｍｉｎ以下であった。
図２０は、本実施例に係るＳｉＯＣ膜、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜、比較例２に係るＳｉＮ膜の比誘電率ｋの測定結果をそれぞれ示すグラフ図である。図２０の横軸は光学的
膜厚（ｎｍ）を、縦軸は電気的膜厚であるＥＯＴ、すなわち等価酸化膜厚（ｎｍ）を示している。すなわち、図２０は、それぞれの膜の光学的膜厚と電気的膜厚との関係を示している。図中の●印は本実施例に係るＳｉＯＣ膜、○印は比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜、□印は比較例２に係るＳｉＮ膜の光学的膜厚に対する等価酸化膜厚をそれぞれ示している。比誘電率ｋは、グラフの傾きから算出することができる。傾きが大きくなるほど比誘電率ｋは小さくなり、傾きが１のときに熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）の比誘電率ｋと等しくなる。図２０によれば、本実施例に係るＳｉＯＣ膜の比誘電率ｋは４．６となり、比較例１に係るＳｉＯＣＮ膜の比誘電率ｋは５．５となり、比較例２に係るＳｉＮ膜の比誘電率ｋは７．１となることが分かる。すなわち、本実施例に係るＳｉＯＣ膜は、比誘電率５以下を実現できることが分かった。
これらのことから、本実施例では、５５０℃以下の低温領域において、ＨＦ及び熱燐酸に対してそれぞれ高い耐性を有し、比誘電率５以下のＳｉＯＣ膜を形成できることが分か
る。
〔実施例７〕
上述の実施形態における第３シーケンスにより、ウエハ上にＳｉＯ膜を形成してサンプル１とし、そのＳｉＯ膜のＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度を測定した。なお、サンプル１では、酸素含有ガスを供給するステップにおいて、酸素含有ガスと一緒に水素含有ガスを供給するようにした。また、サンプル１では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを、水素含有ガスとしてＨ２ガスを用い、図５（ａ）のシーケンスによりノンプラズマでＳｉＯ膜を形成した。サンプル１では、ステップ１、２、３を１サイクルとして、このサイクルを複数回行った。なお、そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：１８０ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１８秒
（ステップ２）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：５０ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：１２秒
（ステップ３）
処理室内温度：５５０℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
Ｏ２ガス供給流量：５０００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス供給流量：５００ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス＋Ｈ２ガス照射時間：６秒
また、上述の実施形態における第３シーケンスの変形例により、ウエハ上にＳｉＯＣＮ膜を形成してサンプル２〜４とし、各サンプルにおけるＳｉＯＣＮ膜のＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度を測定した。サンプル２，３，４は、それぞれ処理室内の上部、中央部、下部に配置されたウエハ上に形成されたＳｉＯＣＮ膜のサンプルである。なお、サンプル２〜４では、酸素含有ガスを供給するステップにおいて、酸素含有ガスと一緒に水素含有ガスを供給するようにした。また、サンプル２〜４では、クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、酸素含有ガスとしてＯ２ガスを、水素含有ガスとしてＨ２ガスを用い、図５（ｃ）のシーケンスによりノンプラズマでＳｉＯＣＮ膜を形成した。サンプル２〜４では、ステップ１、２を１セットとしてこのセットを３回行った後、ステップ３を行い、これを１サイクルとして、このサイクルを複数回行った。なお、そのときの各ステップにおける処理条件は次のように設定した。
（ステップ１）
処理室内温度：５００℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
ＨＣＤＳガス供給流量：１８０ｓｃｃｍ
ＨＣＤＳガス照射時間：１８秒
（ステップ２）
処理室内温度：５００℃
処理室内圧力：３９９Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
３ＤＭＡＳガス供給流量：５０ｓｃｃｍ
３ＤＭＡＳガス照射時間：２４秒
（ステップ３）
処理室内温度：５００℃
処理室内圧力：１０Ｐａ（０．０７５Ｔｏｒｒ）
Ｏ２ガス供給流量：５０００ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス供給流量：５００ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス＋Ｈ２ガス照射時間：６秒
図２１は、各サンプル１〜４におけるＯ濃度、Ｃ濃度およびＮ濃度の測定結果を示すグラフ図である。図２１の縦軸はＩｎｔｅｎｓｉｔｙ、すなわち各元素の強度（任意単位（ａ．ｕ．））を、横軸は各サンプルを示している。
図２１によれば、第３シーケンス（図５（ａ））を用いたサンプル１においては、膜中からＣ成分及びＮ成分が脱離することでＳｉＯ膜が形成されていることが分かる。つまり、ステップ３において、減圧下でＯ２ガスとＨ２ガスとが反応することにより生成される酸化力の強い酸化種（原子状酸素等）による熱酸化の作用により、膜中におけるＣ成分およびＮ成分の割合が不純物レベルにまで著しく減少するか実質的に消滅することで、ＳｉＯ膜が形成されていることが分かる。
また、図２１によれば、第３シーケンスの変形例（図５（ｃ））を用いたサンプル２〜４においては、ＳｉＯＣＮ膜が形成されることが分かる。つまり、ステップ１、２を１セットとしてこのセットを複数回繰り返した後に、ステップ３を行うようにすることで、原子状酸素等のように酸化力の強い酸化種を用いる場合であっても膜中からのＣ成分及びＮ成分の脱離が抑制され、これらの成分が膜中に残留し、ＳｉＯＣＮ膜が形成されることが分かる。また、図２１におけるサンプル２，３，４は、それぞれ処理室内の上部、中央部、下部に配置されたウエハ上に形成されたＳｉＯＣＮ膜のサンプルであり、それぞれのＳｉＯＣＮ膜の組成比が略同様であることから、ウエハ間において均一に組成比を制御できることが分かる。
また、図２１によれば、処理条件により、ＳｉＯＣ膜を形成可能であることも分かる。つまり、サンプル１では、各ステップにおける処理条件を上述の条件とすることでＳｉＯ膜を形成し、サンプル２〜４では、各ステップにおける処理条件を上述の条件とすることでＳｉＯＣＮ膜を形成したが、この図２１に示すデータは、成膜シーケンスや処理条件により膜中のＣ濃度及びＮ濃度の制御が可能であることを示している。すなわち、図２１より、成膜シーケンスを所定のシーケンスとしたり、各ステップにおける処理条件を所定の条件としたりすることで、例えばＳｉＯＣ膜を形成するように組成比を制御できることが分かる。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
ここで、「第１の原料ガスを供給する工程と、第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行う」とは、第１の原料ガスおよび第２の原料ガスのうちの一方の原料ガスを供給する工程と、その後、第１の原料ガスおよび第２の原料ガスのうちの一方の原料ガスとは異なる他方の原料ガスを供給する工程と、を１セットとした場合、このセットを１回行う場合と、このセットを複数回繰り返す場合の両方を含む。すなわち、このセットを１回以上（所定回数）行うことを意味する。
また、「第１の層を形成する工程と、第２の層を形成する工程と、を交互に所定回数行う」とは、第１の層を形成する工程と、第２の層を形成する工程と、を１サイクルとした場合、このサイクルを１回行う場合と、このサイクルを複数回繰り返す場合の両方を含む。すなわち、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことを意味する。
なお、本明細書において、これらと同様な表現は、これらと同様な意味として用いられている。
（付記２）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱およびプラズマのうち少なくともいずれかで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層および前記所定元素を含む窒化層のうち少なくともいずれかを形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜および前記所定元素を含む窒化膜のうち少なくともいずれかを形成する。
（付記３）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する。
（付記４）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとしてプラズマで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層および前記所定元素を含む窒化層のうち少なくともいずれかを形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜および前記所定元素を含む窒化膜のうち少なくともいずれかを形成する。
（付記５）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する。
（付記６）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱およびプラズマのうち少なくともいずれかで活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層、前記所定元素を含む酸炭化層および前記所定元素を含む酸化層のうち少なくともいずれかを形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜、前記所定元素を含む酸炭化膜および前記所定元素を含む酸化膜のうち少なくともいずれかを形成する。
（付記７）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層および前記所定元素を含む酸炭化層のうち少なくともいずれかを形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜および前記所定元素を含む酸炭化膜のうち少なくともいずれかを形成する。
（付記８）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとしてプラズマで活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層、前記所定元素を含む酸炭化層および前記所定元素を含む酸化層のうち少なくともいずれかを形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜、前記所定元素を含む酸炭化膜および前記所定元素を含む酸化膜のうち少なくともいずれかを形成する。
（付記９）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する。
（付記１０）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する。
（付記１１）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
好ましくは、前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する。
（付記１２）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記１３）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記１４）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する。
（付記１５）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する。
（付記１６）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記１７）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記１８）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス、窒素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記１９）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
（付記２０）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス、硼素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する。
（付記２１）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給し、その後、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する。
（付記２２）
本発明の他の態様によれば、
基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。
（付記２３）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する第１原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する第２原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第１の原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２の原料ガスを供給する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成するように、前記第１原料ガス供給系、前記第２原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
（付記２４）
本発明の更に他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する手順と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
（付記２５）
本発明の更に他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する手順と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
１２１ コントローラ
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０７ ヒータ
２３１ 排気管
２３２ａ 第１ガス供給管
２３２ｂ 第２ガス供給管
２３２ｃ 第３ガス供給管
２３２ｄ 第４ガス供給管
２３２ｉ 第５ガス供給管
２３２ｊ 第６ガス供給管

Claims (18)

  1. 基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
    前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
    を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
  2. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱およびプラズマのうち少なくともいずれかで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層および前記所定元素を含む窒化層のうち少なくともいずれかを形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜および前記所定元素を含む窒化膜のうち少なくともいずれかを形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとしてプラズマで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層および前記所定元素を含む窒化層のうち少なくともいずれかを形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜および前記所定元素を含む窒化膜のうち少なくともいずれかを形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱およびプラズマのうち少なくともいずれかで活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層、前記所定元素を含む酸炭化層および前記所定元素を含む酸化層のうち少なくともいずれかを形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜、前記所定元素を含む酸炭化膜および前記所定元素を含む酸化膜のうち少なくともいずれかを形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層および前記所定元素を含む酸炭化層のうち少なくともいずれかを形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜および前記所定元素を含む酸炭化膜のうち少なくともいずれかを形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとしてプラズマで活性化させた酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層、前記所定元素を含む酸炭化層および前記所定元素を含む酸化層のうち少なくともいずれかを形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜、前記所定元素を含む酸炭化膜および前記所定元素を含む酸化膜のうち少なくともいずれかを形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた硼素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた窒素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス、窒素含有ガスおよび酸素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む酸炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 前記第２の層を形成する工程では、前記基板に対して、前記反応ガスとして熱で活性化させた炭素含有ガス、硼素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給することで、前記第２の層として前記所定元素を含む硼炭窒化層を形成し、
    前記薄膜を形成する工程では、前記薄膜として前記所定元素を含む硼炭窒化膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する工程と、を交互に複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
    前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する工程と、
    を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する工程を有する基板処理方法。
  17. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する第１原料ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する第２原料ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
    前記処理室内の基板に対して前記第１の原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記第２の原料ガスを供給する処理と、を交互に複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成するように、前記第１原料ガス供給系、前記第２原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
    を有する基板処理装置。
  18. 基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して前記所定元素およびアミノ基を含む第２の原料ガスを供給する手順と、を交互に複数回行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む第１の層を形成する手順と、
    前記処理室内の前記基板に対して前記各原料ガスとは異なる反応ガスを供給することで、前記第１の層を改質して第２の層を形成する手順と、
    を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素を含む所定組成の薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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