JP2018512727A5

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Publication number: JP2018512727A5
Application number: JP2017544598A
Authority: JP
Filing date: 2016-01-20
Publication date: 2019-03-07
Anticipated expiration: 2036-01-20

Claims

基板を処理するための方法であって、
基板の特徴の中に、厚さを有する第１の流動性膜を形成することであって、前記厚さが前記特徴の高さより小さく、
前記特徴の中に前記第１の流動性膜を堆積させることと、
前記基板を酸素含有プラズマに曝すことと、
前記基板を紫外線に曝すことと
を含む、第１の流動性膜を形成することと、
第１の流動性膜の上に第２の流動性膜の一又は複数の層を形成するために、前記第１の流動性膜を形成する処理を繰り返すことであって、前記第１の流動性膜及び前記第２の流動性膜の一又は複数の層は全体で前記特徴の前記高さ以上の膜厚を有している、繰り返すことと、
前記第１の流動性膜及び前記第２の流動性膜をアニール処理することと
を含む、方法。
前記第１の流動性膜を堆積させることが、
前記基板が配置される基板処理チャンバの中の処理領域にケイ素含有前駆体を供給することと、
プラズマ活性化ガスを形成するために遠隔プラズマシステムにガスを供給することと、
前記プラズマ活性化ガスの少なくとも一部を前記処理領域内に導入することと、
前記特徴の中に前記流動性膜を形成するために、前記プラズマ活性化ガス及び前記ケイ素含有前駆体を反応させることと
を含む、請求項１に記載の方法。
前記基板を前記酸素含有プラズマに曝すことが、前記基板を窒素含有プラズマに曝すことを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記基板を前記酸素含有プラズマに曝すことが、前記基板を炭素含有プラズマに曝すことを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記基板を紫外線に曝すことは、前記基板が紫外線に曝される間、前記基板を１００℃未満に維持されたペデスタルの上に位置付けることを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記第１の流動性膜を形成することを繰り返すときに、前記第１の流動性膜及び前記第２の流動性膜の一又は複数の層の各々の厚さが、前記処理の繰り返し毎に増加する、請求項１に記載の方法。
前記第１の流動性膜及び前記第２の流動性膜の一又は複数の層が各々、実質的に同一の厚さを有している、請求項１に記載の方法。
基板の中に特徴を充填するための方法であって、
前記特徴の中に厚さを有する第１の流動性誘電体膜を形成することであって、前記厚さが前記特徴の高さより小さく、
前記基板が配置される処理チャンバの中の処理領域にケイ素前駆体を供給することと、
プラズマを形成することと、
前記プラズマに曝されたガスの少なくとも一部を前記処理領域内に導入することと
を含む、第１の流動性誘電体膜を形成することと、
前記基板を酸素含有プラズマに曝すことと、
前記基板を紫外線に曝すことと、
前記第１の流動性誘電体膜の上に誘電体流動性膜の追加の層を形成するために、前記第１の流動性誘電体膜を形成することを繰り返すことであって、前記第１の流動性誘電体膜及び前記誘電体流動性膜の追加の層は全体で、前記特徴の高さ以上の膜厚を有する膜スタックを形成する、繰り返すことと、
前記膜スタックをアニール処理することと
を含む方法。
前記膜スタックが均一の密度を有している、請求項８に記載の方法。
前記第１の流動性誘電体膜を形成することを繰り返すときに、前記流動性誘電体膜の追加の層の各々の厚さが、前記処理の繰り返し毎に増加する、請求項８に記載の方法。
層を形成する方法であって、
第１の基板処理チャンバ内に配置された、パターン形成された基板の上に酸素を含まない前駆体を流すことと、
前記パターン形成された基板の上に厚さを有する膜として前記前駆体の少なくとも一部を堆積させることであって、前記厚さが前記基板の上の特徴の深さより小さい、堆積させることと、
前記パターン形成された基板をプラズマに曝すことと、
紫外線源を備えた第２の基板処理チャンバ内に前記パターン形成された基板を移送することと、
前記紫外線源によって供給された紫外線に前記パターン形成された基板を曝すことと、
第１の層の上に追加の層を形成するために、第１の層を形成することを繰り返すことであって、前記第１の層及び前記追加の層は全体で、均一の密度及び前記特徴の高さ以上の膜厚を有する膜スタックを形成する、繰り返すことと、
前記膜スタックをアニール処理することと
を含む方法。
前記方法が連続真空下で実行される、請求項１１に記載の方法。
前記プラズマが、酸素含有プラズマ、窒素含有プラズマ、又は炭素含有プラズマである、請求項１１に記載の方法。
前記パターン形成された基板を前記紫外線に曝す間、前記パターン形成された基板が１００℃未満で維持されたペデスタルの上に配置される、請求項１１に記載の方法。
前記第１の層を形成することの各連続的繰り返しについて、前記層の厚さが前の繰り返しにおける前記層の厚さより大きい、請求項１１に記載の方法。